JP3247673B2 - ウェハ乾燥装置及び方法 - Google Patents
ウェハ乾燥装置及び方法Info
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- JP3247673B2 JP3247673B2 JP33125599A JP33125599A JP3247673B2 JP 3247673 B2 JP3247673 B2 JP 3247673B2 JP 33125599 A JP33125599 A JP 33125599A JP 33125599 A JP33125599 A JP 33125599A JP 3247673 B2 JP3247673 B2 JP 3247673B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、純水中に浸漬され
ているウェハを純水中から取り出すとき、酸素に触れさ
せることなくウェハ表面を乾燥させるウェハ乾燥装置及
び方法に関する。
ているウェハを純水中から取り出すとき、酸素に触れさ
せることなくウェハ表面を乾燥させるウェハ乾燥装置及
び方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、特公平６−１０３６８６号公報に
開示されるような乾燥装置では、窒素ガスをキャリアと
してＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を蒸気として、
エチッング処理液で処理されたのち純水で洗浄されてい
るウェハ処理槽内の上部空間内に供給するようにしてい
る。そして、処理槽の純水を排水することにより、処理
槽内でウェハを露出させ、処理槽の上部空間に供給され
たＩＰＡ蒸気が露出したウェハの表面に付着した水滴と
置換して、ウェハ表面が酸素に触れて自然酸化すること
なく、乾燥させるようにしている。
開示されるような乾燥装置では、窒素ガスをキャリアと
してＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を蒸気として、
エチッング処理液で処理されたのち純水で洗浄されてい
るウェハ処理槽内の上部空間内に供給するようにしてい
る。そして、処理槽の純水を排水することにより、処理
槽内でウェハを露出させ、処理槽の上部空間に供給され
たＩＰＡ蒸気が露出したウェハの表面に付着した水滴と
置換して、ウェハ表面が酸素に触れて自然酸化すること
なく、乾燥させるようにしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造のものでは、通常、常温であるウェハの温度と同じ温
度すなわち常温のＩＰＡ蒸気を処理槽内に供給して置換
させるため、常温のＩＰＡがウェハの表面から蒸発して
ウェハの表面が乾燥するまでの乾燥時間が長くなり、乾
燥効率が悪いといった問題があった。従って、本発明の
目的は、上記問題を解決することにあって、ウェハの温
度よりも高い温度でかつミスト状のＩＰＡによりウェハ
の表面に付着した水滴を置換させることにより、ウェハ
の表面からＩＰＡが迅速に乾燥し、乾燥時間を短縮する
ことができ、乾燥効率を高めることができるウェハ乾燥
装置及び方法を提供することにある。
造のものでは、通常、常温であるウェハの温度と同じ温
度すなわち常温のＩＰＡ蒸気を処理槽内に供給して置換
させるため、常温のＩＰＡがウェハの表面から蒸発して
ウェハの表面が乾燥するまでの乾燥時間が長くなり、乾
燥効率が悪いといった問題があった。従って、本発明の
目的は、上記問題を解決することにあって、ウェハの温
度よりも高い温度でかつミスト状のＩＰＡによりウェハ
の表面に付着した水滴を置換させることにより、ウェハ
の表面からＩＰＡが迅速に乾燥し、乾燥時間を短縮する
ことができ、乾燥効率を高めることができるウェハ乾燥
装置及び方法を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。本発明の第１態様
によれば、純水内にウェハを浸漬可能な乾燥室と、上記
乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に窒素ガスを噴射
させると同時に液相のイソプロピルアルコールを上記ウ
ェハの温度より高い温度でかつ上記窒素ガスの噴射開口
近傍で噴射させてミスト状のイソプロピルアルコールを
上記空間内に噴霧させるミスト噴霧装置とを備えて、上
記ミスト噴霧装置は、上記窒素ガスを噴射させる第１噴
射孔と、該噴射孔の近傍に配置されかつ上記液相のイソ
プロピルアルコールを噴射させる第２噴射孔とを備え、
上記第１噴射孔から上記窒素ガスを噴射させると同時に
上記第２噴射孔から上記液相のイソプロピルアルコール
を噴射させて、上記ミスト状のイソプロピルアルコール
を上記空間内に噴霧させる装置であり、上記乾燥室の上
記純水を排出するか又は上記ウェハを上記乾燥室内で上
昇させることにより、上記乾燥室内で上記純水から上記
ウェハが液面より上方に露出するとき、上記ウェハの表
裏両面に付着した純水が上記ミスト状の上記イソプロピ
ルアルコールにより置換され、その後、上記ウェハの表
裏両面から上記イソプロピルアルコールが蒸発すること
により乾燥されるようにしたことを特徴とするウェハ乾
燥装置を提供する。
に、本発明は以下のように構成する。本発明の第１態様
によれば、純水内にウェハを浸漬可能な乾燥室と、上記
乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に窒素ガスを噴射
させると同時に液相のイソプロピルアルコールを上記ウ
ェハの温度より高い温度でかつ上記窒素ガスの噴射開口
近傍で噴射させてミスト状のイソプロピルアルコールを
上記空間内に噴霧させるミスト噴霧装置とを備えて、上
記ミスト噴霧装置は、上記窒素ガスを噴射させる第１噴
射孔と、該噴射孔の近傍に配置されかつ上記液相のイソ
プロピルアルコールを噴射させる第２噴射孔とを備え、
上記第１噴射孔から上記窒素ガスを噴射させると同時に
上記第２噴射孔から上記液相のイソプロピルアルコール
を噴射させて、上記ミスト状のイソプロピルアルコール
を上記空間内に噴霧させる装置であり、上記乾燥室の上
記純水を排出するか又は上記ウェハを上記乾燥室内で上
昇させることにより、上記乾燥室内で上記純水から上記
ウェハが液面より上方に露出するとき、上記ウェハの表
裏両面に付着した純水が上記ミスト状の上記イソプロピ
ルアルコールにより置換され、その後、上記ウェハの表
裏両面から上記イソプロピルアルコールが蒸発すること
により乾燥されるようにしたことを特徴とするウェハ乾
燥装置を提供する。
【０００５】本発明の第２態様によれば、純水内にウェ
ハを浸漬可能な乾燥室と、上記乾燥室内の上記純水の液
面上の空間内に窒素ガスを噴射させると同時に液相のイ
ソプロピルアルコールを上記ウェハの温度より高い温度
でかつ上記窒素ガスの噴射開口近傍で噴射させてミスト
状のイソプロピルアルコールを上記空間内に噴霧させる
ミスト噴霧装置とを備えて、上記ミスト噴霧装置は、撥
水性の強い多孔質のフッ素樹脂製の直方体状の本体に、
上記窒素ガスを供給する第１通路と、上記第１通路より
も上記本体のウェハ対向面の近傍に配置されて上記液相
のイソプロピルアルコールを供給する第２通路とを備
え、上記第１通路に上記窒素ガスを供給すると同時に上
記第２通路に上記液相のイソプロピルアルコールを供給
して上記多孔質の直方体状の本体の上記ウェハ対向面か
ら上記窒素ガスとともに上記液相のイソプロピルアルコ
ールを噴射させて、上記ミスト状のイソプロピルアルコ
ールを上記空間内に噴霧させる装置であり、上記乾燥室
の上記純水を排出するか又は上記ウェハを上記乾燥室内
で上昇させることにより、上記乾燥室内で上記純水から
上記ウェハが液面より上方に露出するとき、上記ウェハ
の表裏両面に付着した純水が上記ミスト状の上記イソプ
ロピルアルコールにより置換され、その後、上記ウェハ
の表裏両面から上記イソプロピルアルコールが蒸発する
ことにより乾燥されるようにしたことを特徴とするウェ
ハ乾燥装置を提供する。本発明の第３態様によれば、上
記液相のイソプロピルアルコールを上記ウェハの温度よ
り少なくとも５℃以上高い温度でかつ上記窒素ガスの噴
射開口近傍で噴射させてミスト状のイソプロピルアルコ
ールを上記空間内に噴霧させる第１又は２態様に記載の
ウェハ乾燥装置を提供する。
ハを浸漬可能な乾燥室と、上記乾燥室内の上記純水の液
面上の空間内に窒素ガスを噴射させると同時に液相のイ
ソプロピルアルコールを上記ウェハの温度より高い温度
でかつ上記窒素ガスの噴射開口近傍で噴射させてミスト
状のイソプロピルアルコールを上記空間内に噴霧させる
ミスト噴霧装置とを備えて、上記ミスト噴霧装置は、撥
水性の強い多孔質のフッ素樹脂製の直方体状の本体に、
上記窒素ガスを供給する第１通路と、上記第１通路より
も上記本体のウェハ対向面の近傍に配置されて上記液相
のイソプロピルアルコールを供給する第２通路とを備
え、上記第１通路に上記窒素ガスを供給すると同時に上
記第２通路に上記液相のイソプロピルアルコールを供給
して上記多孔質の直方体状の本体の上記ウェハ対向面か
ら上記窒素ガスとともに上記液相のイソプロピルアルコ
ールを噴射させて、上記ミスト状のイソプロピルアルコ
ールを上記空間内に噴霧させる装置であり、上記乾燥室
の上記純水を排出するか又は上記ウェハを上記乾燥室内
で上昇させることにより、上記乾燥室内で上記純水から
上記ウェハが液面より上方に露出するとき、上記ウェハ
の表裏両面に付着した純水が上記ミスト状の上記イソプ
ロピルアルコールにより置換され、その後、上記ウェハ
の表裏両面から上記イソプロピルアルコールが蒸発する
ことにより乾燥されるようにしたことを特徴とするウェ
ハ乾燥装置を提供する。本発明の第３態様によれば、上
記液相のイソプロピルアルコールを上記ウェハの温度よ
り少なくとも５℃以上高い温度でかつ上記窒素ガスの噴
射開口近傍で噴射させてミスト状のイソプロピルアルコ
ールを上記空間内に噴霧させる第１又は２態様に記載の
ウェハ乾燥装置を提供する。
【０００６】本発明の第４態様によれば、上記ウェハは
常温であり、上記ミストは大略３０℃以上である第１〜
３のいずれか１つの態様に記載のウェハ乾燥装置を提供
する。
常温であり、上記ミストは大略３０℃以上である第１〜
３のいずれか１つの態様に記載のウェハ乾燥装置を提供
する。
【０００７】本発明の第５態様によれば、上記ミスト状
の上記イソプロピルアルコールは、上記イソプロピルア
ルコール自体が単体で上記窒素ガス中を浮遊している状
態である第１から４のいずれかの態様に記載のウェハ乾
燥装置を提供する。
の上記イソプロピルアルコールは、上記イソプロピルア
ルコール自体が単体で上記窒素ガス中を浮遊している状
態である第１から４のいずれかの態様に記載のウェハ乾
燥装置を提供する。
【０００８】本発明の第６態様によれば、上記ウェハの
温度より５℃から６０℃高い温度で上記イソプロピルア
ルコールをミスト状に噴霧させるようにした第１から５
のいずれかの態様に記載のウェハ乾燥装置を提供する。
温度より５℃から６０℃高い温度で上記イソプロピルア
ルコールをミスト状に噴霧させるようにした第１から５
のいずれかの態様に記載のウェハ乾燥装置を提供する。
【０００９】
【００１０】
【００１１】
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【００１５】本発明の第７態様によれば、上記ウェハの
温度と同等か、又は、上記ウェハの温度を越えて６０℃
までの範囲の高い温度で上記窒素ガスを噴射させるよう
にした第１から６のいずれかの態様に記載のウェハ乾燥
装置を提供する。本発明の第８態様によれば、上記ウェ
ハの温度より５℃から６０℃までの範囲の高い温度で上
記窒素ガスを噴射させるようにした第１から６のいずれ
かの態様に記載のウェハ乾燥装置を提供する。本発明の
他の態様によれば、上記ミスト噴霧装置は、超音波など
の電気的なエネルギーにより液相のＩＰＡをミスト化す
るのではなく、電気的なエネルギーを使用せずに、上記
乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に窒素ガスを噴射
させると同時に液相のイソプロピルアルコールを上記ウ
ェハの温度より高い温度でかつ上記窒素ガスの噴射開口
近傍で噴射させてミスト状のイソプロピルアルコールを
上記空間内に噴霧させるものである、第１から第６のい
ずれかの態様に記載のウェハ乾燥装置を提供することも
できる。本発明の他の態様によれば、上記ミスト噴霧装
置は一対配置され、上記一対のミスト噴霧装置を上記乾
燥室内の上記純水の液面上の空間において互いに対向し
て側方から上記ミスト状のイソプロピルアルコールを上
記空間内に噴霧させるか、又は、上記ミスト噴霧装置は
一対配置され、上記一対のミスト噴霧装置を上記乾燥室
内の上記純水の液面上の空間において上記純水の液面に
向けて下向きに上記ミスト状のイソプロピルアルコール
を上記空間内に噴霧させる、上記いずれかの態様に記載
のウェハ乾燥装置を提供することもできる。
温度と同等か、又は、上記ウェハの温度を越えて６０℃
までの範囲の高い温度で上記窒素ガスを噴射させるよう
にした第１から６のいずれかの態様に記載のウェハ乾燥
装置を提供する。本発明の第８態様によれば、上記ウェ
ハの温度より５℃から６０℃までの範囲の高い温度で上
記窒素ガスを噴射させるようにした第１から６のいずれ
かの態様に記載のウェハ乾燥装置を提供する。本発明の
他の態様によれば、上記ミスト噴霧装置は、超音波など
の電気的なエネルギーにより液相のＩＰＡをミスト化す
るのではなく、電気的なエネルギーを使用せずに、上記
乾燥室内の上記純水の液面上の空間内に窒素ガスを噴射
させると同時に液相のイソプロピルアルコールを上記ウ
ェハの温度より高い温度でかつ上記窒素ガスの噴射開口
近傍で噴射させてミスト状のイソプロピルアルコールを
上記空間内に噴霧させるものである、第１から第６のい
ずれかの態様に記載のウェハ乾燥装置を提供することも
できる。本発明の他の態様によれば、上記ミスト噴霧装
置は一対配置され、上記一対のミスト噴霧装置を上記乾
燥室内の上記純水の液面上の空間において互いに対向し
て側方から上記ミスト状のイソプロピルアルコールを上
記空間内に噴霧させるか、又は、上記ミスト噴霧装置は
一対配置され、上記一対のミスト噴霧装置を上記乾燥室
内の上記純水の液面上の空間において上記純水の液面に
向けて下向きに上記ミスト状のイソプロピルアルコール
を上記空間内に噴霧させる、上記いずれかの態様に記載
のウェハ乾燥装置を提供することもできる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。
態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００１７】本発明の第１の実施形態にかかるウェハ乾
燥装置は、図１に示すように、公知の図示しないキャリ
アで支持されたウェハ２を洗浄する純水４０内にウェハ
２を浸漬して洗浄後に乾燥可能な乾燥室１と、上記乾燥
室１内の上記純水４０の液面上の空間４内に窒素ガスを
噴射させると同時に、液相のイソプロピルアルコール
（以下、単にＩＰＡと記す。）を上記ウェハ２の温度
（例えば常温）より高い、好ましくは上記ウェハ２の温
度より少なくとも５℃以上高い、より好ましくは上記ウ
ェハ２の温度より５℃から６０℃までの範囲の高い、温
度で噴射させてミスト状のＩＰＡを上記空間４内に噴霧
させるミスト噴霧装置３とを備えて、上記乾燥室１の上
記純水４０を排出するか又は上記ウェハ２を上記乾燥室
１内で上昇させることにより、上記乾燥室１内で上記純
水４０から上記ウェハ２が液面より上方に露出すると
き、ミスト噴霧装置３，３から上記ウェハ２の表裏両面
にＩＰＡをミスト状態、すなわち、窒素をキャリアとす
るのではなく、ＩＰＡ自体が単体で窒素ガス中を浮遊し
ている状態で噴霧させ続けて、上記ウェハ２の表裏両面
に付着した純水４０が上記ミスト状の上記ＩＰＡにより
置換されるようにしている。
燥装置は、図１に示すように、公知の図示しないキャリ
アで支持されたウェハ２を洗浄する純水４０内にウェハ
２を浸漬して洗浄後に乾燥可能な乾燥室１と、上記乾燥
室１内の上記純水４０の液面上の空間４内に窒素ガスを
噴射させると同時に、液相のイソプロピルアルコール
（以下、単にＩＰＡと記す。）を上記ウェハ２の温度
（例えば常温）より高い、好ましくは上記ウェハ２の温
度より少なくとも５℃以上高い、より好ましくは上記ウ
ェハ２の温度より５℃から６０℃までの範囲の高い、温
度で噴射させてミスト状のＩＰＡを上記空間４内に噴霧
させるミスト噴霧装置３とを備えて、上記乾燥室１の上
記純水４０を排出するか又は上記ウェハ２を上記乾燥室
１内で上昇させることにより、上記乾燥室１内で上記純
水４０から上記ウェハ２が液面より上方に露出すると
き、ミスト噴霧装置３，３から上記ウェハ２の表裏両面
にＩＰＡをミスト状態、すなわち、窒素をキャリアとす
るのではなく、ＩＰＡ自体が単体で窒素ガス中を浮遊し
ている状態で噴霧させ続けて、上記ウェハ２の表裏両面
に付着した純水４０が上記ミスト状の上記ＩＰＡにより
置換されるようにしている。
【００１８】上記各ミスト噴霧装置３は、図２（Ａ），
（Ｂ）に示すように、フッ素樹脂からなる直方体状の本
体に長手方向沿いにそれぞれ貫通して形成された窒素ガ
ス用通路３ａと液相のＩＰＡ用通路３ｃとを備え、窒素
ガス用通路３ａから延びてウェハ２に大略向けて（詳細
には隣接するウェハ２，２間の空間でかつウェハ２の中
心に相当する位置に向けて）開口された噴射孔３ｅを有
する細い窒素ガス用噴出通路３ｂを多数備えるととも
に、ＩＰＡ用通路３ｃから延びて窒素ガス用噴出通路３
ｂの開口端の噴射孔３ｅに向けて開口された噴射孔３ｆ
を有する細いＩＰＡ用噴出通路３ｄを多数備える。よっ
て、窒素ガス用噴出通路３ｂの噴射孔３ｅから窒素ガス
を噴射させると同時にＩＰＡ用噴出通路３ｄの噴射孔３
ｆから液相のＩＰＡを噴射させてミスト状のＩＰＡを上
記空間４内にを噴霧させることができる。窒素ガス用噴
出通路３ｂの噴射孔３ｅとＩＰＡ用噴出通路３ｄの噴射
孔３ｆとで１組のミスト噴霧用ノズルを構成し、各１組
のミスト噴霧用ノズルを、所定間隔を空けて配置された
例えば５０枚程度のウェハ２，…，２のうちの隣接ウェ
ハ２，２間の空間に対向して配置するとともに、乾燥室
１内で両端のウェハ２の外側にもミスト噴霧用ノズルを
それぞれ配置することにより、全てのウェハ２の表裏両
面に対して、ミスト噴霧用ノズルからＩＰＡのミストを
噴霧できるようにしている。
（Ｂ）に示すように、フッ素樹脂からなる直方体状の本
体に長手方向沿いにそれぞれ貫通して形成された窒素ガ
ス用通路３ａと液相のＩＰＡ用通路３ｃとを備え、窒素
ガス用通路３ａから延びてウェハ２に大略向けて（詳細
には隣接するウェハ２，２間の空間でかつウェハ２の中
心に相当する位置に向けて）開口された噴射孔３ｅを有
する細い窒素ガス用噴出通路３ｂを多数備えるととも
に、ＩＰＡ用通路３ｃから延びて窒素ガス用噴出通路３
ｂの開口端の噴射孔３ｅに向けて開口された噴射孔３ｆ
を有する細いＩＰＡ用噴出通路３ｄを多数備える。よっ
て、窒素ガス用噴出通路３ｂの噴射孔３ｅから窒素ガス
を噴射させると同時にＩＰＡ用噴出通路３ｄの噴射孔３
ｆから液相のＩＰＡを噴射させてミスト状のＩＰＡを上
記空間４内にを噴霧させることができる。窒素ガス用噴
出通路３ｂの噴射孔３ｅとＩＰＡ用噴出通路３ｄの噴射
孔３ｆとで１組のミスト噴霧用ノズルを構成し、各１組
のミスト噴霧用ノズルを、所定間隔を空けて配置された
例えば５０枚程度のウェハ２，…，２のうちの隣接ウェ
ハ２，２間の空間に対向して配置するとともに、乾燥室
１内で両端のウェハ２の外側にもミスト噴霧用ノズルを
それぞれ配置することにより、全てのウェハ２の表裏両
面に対して、ミスト噴霧用ノズルからＩＰＡのミストを
噴霧できるようにしている。
【００１９】一方、窒素ガスは、常温若しくはウェハ２
の温度で供給され、又は、常温より高い温度（例えば常
温若しくはウェハ２の温度を越えて６０℃までまでの範
囲の高い温度）で供給され、好ましくは少なくとも常温
若しくはウェハ２の温度より５℃以上高い、より好まし
くは常温若しくはウェハ２の温度より５℃から６０℃ま
での範囲の高い温度で供給されるものであって、減圧弁
１７、第１エアーオペレートバルブ１８、流量計１９、
手動弁２０，２１を介して、図１の左右に配置したミス
ト噴霧装置３，３にそれぞれ供給される。第１エアーオ
ペレートバルブ１８は、流量計１９で検出された窒素ガ
スの流量に基づき、窒素ガスの流量を自動的に調整する
ことが好ましい。手動弁２０，２１は、左右それぞれの
ミスト噴霧装置３，３に配置され、手動弁２０，２１の
開閉度合いを手動調整することにより、左右のミスト噴
霧装置３，３から上記乾燥室１内の上記純水４０の液面
上の空間４内にミストを噴霧するとき、左右のミスト噴
霧状態のバランスを調整できるようにしている。この結
果、ミストの温度は、常温若しくはウェハ２の温度より
高い、好ましくは常温若しくはウェハ２の温度より少な
くとも５℃以上高い、より好ましくは常温若しくはウェ
ハ２の温度より５℃から６０℃までの範囲の高い温度で
噴霧される。なお、左右のミスト噴霧装置３，３のそれ
ぞれに窒素ガスを供給するとき、各ミスト噴霧装置３の
一端側から他端閉塞部に向けて一方向に窒素ガスを窒素
ガス用通路３ａ内に供給させればよい。このようなもの
では構造が簡単なものとなるという利点がある。しかし
ながら、窒素ガス用通路３ａ内で圧力損失が生じて全て
の窒素ガス用噴出通路３ｂの噴射孔３ｅから窒素ガスを
均一に噴射させることができない場合には、各ミスト噴
霧装置３の一端側と他端側の両方から同時に両者の中間
に向けて窒素ガスを窒素ガス用通路３ａ内に供給するよ
うにすれば、窒素ガス用通路３ａ内で圧力損失を防止す
ることができて、窒素ガスを均一に噴射孔３ｅから噴射
させることができる。
の温度で供給され、又は、常温より高い温度（例えば常
温若しくはウェハ２の温度を越えて６０℃までまでの範
囲の高い温度）で供給され、好ましくは少なくとも常温
若しくはウェハ２の温度より５℃以上高い、より好まし
くは常温若しくはウェハ２の温度より５℃から６０℃ま
での範囲の高い温度で供給されるものであって、減圧弁
１７、第１エアーオペレートバルブ１８、流量計１９、
手動弁２０，２１を介して、図１の左右に配置したミス
ト噴霧装置３，３にそれぞれ供給される。第１エアーオ
ペレートバルブ１８は、流量計１９で検出された窒素ガ
スの流量に基づき、窒素ガスの流量を自動的に調整する
ことが好ましい。手動弁２０，２１は、左右それぞれの
ミスト噴霧装置３，３に配置され、手動弁２０，２１の
開閉度合いを手動調整することにより、左右のミスト噴
霧装置３，３から上記乾燥室１内の上記純水４０の液面
上の空間４内にミストを噴霧するとき、左右のミスト噴
霧状態のバランスを調整できるようにしている。この結
果、ミストの温度は、常温若しくはウェハ２の温度より
高い、好ましくは常温若しくはウェハ２の温度より少な
くとも５℃以上高い、より好ましくは常温若しくはウェ
ハ２の温度より５℃から６０℃までの範囲の高い温度で
噴霧される。なお、左右のミスト噴霧装置３，３のそれ
ぞれに窒素ガスを供給するとき、各ミスト噴霧装置３の
一端側から他端閉塞部に向けて一方向に窒素ガスを窒素
ガス用通路３ａ内に供給させればよい。このようなもの
では構造が簡単なものとなるという利点がある。しかし
ながら、窒素ガス用通路３ａ内で圧力損失が生じて全て
の窒素ガス用噴出通路３ｂの噴射孔３ｅから窒素ガスを
均一に噴射させることができない場合には、各ミスト噴
霧装置３の一端側と他端側の両方から同時に両者の中間
に向けて窒素ガスを窒素ガス用通路３ａ内に供給するよ
うにすれば、窒素ガス用通路３ａ内で圧力損失を防止す
ることができて、窒素ガスを均一に噴射孔３ｅから噴射
させることができる。
【００２０】また、ＩＰＡは、減圧弁１０、第２エアー
オペレートバルブ１１を介してＩＰＡ圧送タンク５内に
上記とは別に窒素ガスを圧送し、窒素ガスの圧力により
ＩＰＡ圧送タンク５内のＩＰＡの液体６が、第３エアー
オペレートバルブ１３、流量計１４、手動弁１５，１６
を介して、図１の左右に配置したミスト噴霧装置３，３
にそれぞれ供給される。なお、１２はＩＰＡ圧送タンク
用リリーフ弁である。第３エアーオペレートバルブ１３
は、流量計１４で検出されたＩＰＡの液体の流量に基づ
き、ＩＰＡの液体の流量を自動的に調整することが好ま
しい。手動弁１５，１６は、左右それぞれのミスト噴霧
装置３，３に配置され、手動弁１５，１６の開閉度合い
を調整することにより、左右のミスト噴霧装置３，３か
ら上記乾燥室１内の上記純水４０の液面上の空間４内に
ミストを噴霧するとき、左右のミスト噴霧状態のバラン
スを調整できるようにしている。なお、左右のミスト噴
霧装置３，３のそれぞれにＩＰＡ液体を供給するとき、
各ミスト噴霧装置３の一端側から他端閉塞部に向けて一
方向にＩＰＡ液体をＩＰＡ用通路３ｃ内に供給させれば
よい。このようなものでは構造が簡単なものとなるとい
う利点がある。しかしながら、ＩＰＡ用通路３ｃ内で圧
力損失が生じて全てのＩＰＡ用噴出通路３ｄの噴射孔３
ｆからＩＰＡ液体を均一に噴射させて均一なＩＰＡのミ
ストを噴霧することができない場合には、各ミスト噴霧
装置３の一端側と他端側の両方から同時に両者の中間に
向けてＩＰＡ液体をＩＰＡ用通路３ｃ内に供給するよう
にすれば、ＩＰＡ用通路３ｃ内で圧力損失を防止するこ
とができて、ＩＰＡ液体を均一に噴射孔３ｆから噴射さ
せて均一なＩＰＡのミストを噴霧させることができる。
オペレートバルブ１１を介してＩＰＡ圧送タンク５内に
上記とは別に窒素ガスを圧送し、窒素ガスの圧力により
ＩＰＡ圧送タンク５内のＩＰＡの液体６が、第３エアー
オペレートバルブ１３、流量計１４、手動弁１５，１６
を介して、図１の左右に配置したミスト噴霧装置３，３
にそれぞれ供給される。なお、１２はＩＰＡ圧送タンク
用リリーフ弁である。第３エアーオペレートバルブ１３
は、流量計１４で検出されたＩＰＡの液体の流量に基づ
き、ＩＰＡの液体の流量を自動的に調整することが好ま
しい。手動弁１５，１６は、左右それぞれのミスト噴霧
装置３，３に配置され、手動弁１５，１６の開閉度合い
を調整することにより、左右のミスト噴霧装置３，３か
ら上記乾燥室１内の上記純水４０の液面上の空間４内に
ミストを噴霧するとき、左右のミスト噴霧状態のバラン
スを調整できるようにしている。なお、左右のミスト噴
霧装置３，３のそれぞれにＩＰＡ液体を供給するとき、
各ミスト噴霧装置３の一端側から他端閉塞部に向けて一
方向にＩＰＡ液体をＩＰＡ用通路３ｃ内に供給させれば
よい。このようなものでは構造が簡単なものとなるとい
う利点がある。しかしながら、ＩＰＡ用通路３ｃ内で圧
力損失が生じて全てのＩＰＡ用噴出通路３ｄの噴射孔３
ｆからＩＰＡ液体を均一に噴射させて均一なＩＰＡのミ
ストを噴霧することができない場合には、各ミスト噴霧
装置３の一端側と他端側の両方から同時に両者の中間に
向けてＩＰＡ液体をＩＰＡ用通路３ｃ内に供給するよう
にすれば、ＩＰＡ用通路３ｃ内で圧力損失を防止するこ
とができて、ＩＰＡ液体を均一に噴射孔３ｆから噴射さ
せて均一なＩＰＡのミストを噴霧させることができる。
【００２１】また、上記乾燥室１内の上記純水４０の液
面上の空間４内の圧力が異常に高まらないようにするた
め、排出通路４４を設けて、排出流量を調整するための
手動弁８と、排出開始又は停止を行う第４エアーオペレ
ートバルブ９とを設けている。なお、空間４内に圧力セ
ンサを配置して、圧力センサで検出された空間４内の圧
力に応じて第４エアーオペレートバルブ９を自動的に開
閉することもできる。さらに、乾燥室１の底部には、純
水４０を排出するための排出通路４５を設け、該排出通
路４５に第５エアーオペレートバルブ７を設けて、排出
流量を調整するようにしている。
面上の空間４内の圧力が異常に高まらないようにするた
め、排出通路４４を設けて、排出流量を調整するための
手動弁８と、排出開始又は停止を行う第４エアーオペレ
ートバルブ９とを設けている。なお、空間４内に圧力セ
ンサを配置して、圧力センサで検出された空間４内の圧
力に応じて第４エアーオペレートバルブ９を自動的に開
閉することもできる。さらに、乾燥室１の底部には、純
水４０を排出するための排出通路４５を設け、該排出通
路４５に第５エアーオペレートバルブ７を設けて、排出
流量を調整するようにしている。
【００２２】上記第１エアーオペレートバルブ１８、第
２エアーオペレートバルブ１１、第３エアーオペレート
バルブ１３、第４エアーオペレートバルブ９、第５エア
ーオペレートバルブ７は、制御装置４１に接続されて、
所定のプログラムなどに基づいて、自動的に、乾燥室１
内に供給する窒素ガス及びＩＰＡの液体のそれぞれの流
量、従って、ＩＰＡのミストの噴霧状態、乾燥室１内の
空間４内からの排気量、純水４０の排出量などを動作制
御できるようにしている。
２エアーオペレートバルブ１１、第３エアーオペレート
バルブ１３、第４エアーオペレートバルブ９、第５エア
ーオペレートバルブ７は、制御装置４１に接続されて、
所定のプログラムなどに基づいて、自動的に、乾燥室１
内に供給する窒素ガス及びＩＰＡの液体のそれぞれの流
量、従って、ＩＰＡのミストの噴霧状態、乾燥室１内の
空間４内からの排気量、純水４０の排出量などを動作制
御できるようにしている。
【００２３】上記構成によれば、排気通路４４を閉じた
状態で乾燥室１内に純水４０を供給し、供給された純水
４０内にウェハ２を浸漬させるとき、ミスト噴霧装置
３，３から窒素ガスを噴射させると同時にＩＰＡ液体を
上記窒素ガスの噴射開口近傍で噴射してＩＰＡのミスト
を、例えば、約２ｃｃ／ｍｉｎで上記空間４内に噴霧さ
せる。ミストを噴霧させる方向は、若干下向きとして純
水４０内のウェハ２に大略向かう方向（詳細には隣接す
るウェハ２，２間の空間でかつウェハ２の中心に相当す
る位置に向かう方向）として、純水４０の液面上に均一
にミストが保持されるようにするのが好ましい。このと
き、乾燥室１の空間４内の圧力が異常に高くなったとき
には、排出通路４４を開いて圧力を低下させるようにす
るのが好ましい。
状態で乾燥室１内に純水４０を供給し、供給された純水
４０内にウェハ２を浸漬させるとき、ミスト噴霧装置
３，３から窒素ガスを噴射させると同時にＩＰＡ液体を
上記窒素ガスの噴射開口近傍で噴射してＩＰＡのミスト
を、例えば、約２ｃｃ／ｍｉｎで上記空間４内に噴霧さ
せる。ミストを噴霧させる方向は、若干下向きとして純
水４０内のウェハ２に大略向かう方向（詳細には隣接す
るウェハ２，２間の空間でかつウェハ２の中心に相当す
る位置に向かう方向）として、純水４０の液面上に均一
にミストが保持されるようにするのが好ましい。このと
き、乾燥室１の空間４内の圧力が異常に高くなったとき
には、排出通路４４を開いて圧力を低下させるようにす
るのが好ましい。
【００２４】このように上記空間４の純水４０の液面付
近がＩＰＡのミストで覆われた状態が保持できるように
ミストを噴霧し続けている状態で、制御装置４１の制御
により、第５エアーオペレートバルブ７を開けて、純水
４０を乾燥室１内から徐々に排出を開始する。排出速度
の例としては、ミストを例えば、約２ｃｃ／ｍｉｎで噴
出させて噴霧させるとき、純水４０の液面が１秒間に２
ｍｍ程度低下するような速度とする。
近がＩＰＡのミストで覆われた状態が保持できるように
ミストを噴霧し続けている状態で、制御装置４１の制御
により、第５エアーオペレートバルブ７を開けて、純水
４０を乾燥室１内から徐々に排出を開始する。排出速度
の例としては、ミストを例えば、約２ｃｃ／ｍｉｎで噴
出させて噴霧させるとき、純水４０の液面が１秒間に２
ｍｍ程度低下するような速度とする。
【００２５】その結果、ウェハ２の上部が純水４０から
露出することになるが、ウェハ表面が酸素に触れて自然
酸化することなく、上記純水４０の液面に均一に噴霧さ
れ続けているＩＰＡのミストがウェハ２の表裏両面に付
着した純水とすぐに置換される。また、ＩＰＡのミスト
の温度を、ウェハ２の温度すなわち常温よりも高く（例
えばウェハ２の温度すなわち常温を越えて６０℃までの
範囲で高く）、好ましくは少なくとも５℃以上高く、よ
り好ましくは５℃から６０℃までの範囲で高くする場合
には、迅速に乾燥する。その後、上記ウェハ２の表裏両
面から上記ＩＰＡが自然に蒸発することにより、上記ウ
ェハ２の表裏両面が乾燥される。なお、ウェハ２が常温
のとき、ＩＰＡ、又は、窒素ガス、又は、ＩＰＡ及び窒
素ガスが、常温より５℃から６０℃までの範囲の高い温
度として、常温より高い温度のＩＰＡミストをウェハ２
に噴霧させるようにしたほうが、より迅速に乾燥させる
ことができ、例えば、５０枚のウェハでは１０分以下が
乾燥させることができる。
露出することになるが、ウェハ表面が酸素に触れて自然
酸化することなく、上記純水４０の液面に均一に噴霧さ
れ続けているＩＰＡのミストがウェハ２の表裏両面に付
着した純水とすぐに置換される。また、ＩＰＡのミスト
の温度を、ウェハ２の温度すなわち常温よりも高く（例
えばウェハ２の温度すなわち常温を越えて６０℃までの
範囲で高く）、好ましくは少なくとも５℃以上高く、よ
り好ましくは５℃から６０℃までの範囲で高くする場合
には、迅速に乾燥する。その後、上記ウェハ２の表裏両
面から上記ＩＰＡが自然に蒸発することにより、上記ウ
ェハ２の表裏両面が乾燥される。なお、ウェハ２が常温
のとき、ＩＰＡ、又は、窒素ガス、又は、ＩＰＡ及び窒
素ガスが、常温より５℃から６０℃までの範囲の高い温
度として、常温より高い温度のＩＰＡミストをウェハ２
に噴霧させるようにしたほうが、より迅速に乾燥させる
ことができ、例えば、５０枚のウェハでは１０分以下が
乾燥させることができる。
【００２６】上記第１実施形態によれば、ウェハ２が浸
漬された純水の液面上にＩＰＡのミストが常時保持され
るようにしているので、ウェハ２の上部が純水４０から
露出することになるが、ウェハ表面が酸素に触れて自然
酸化することなく、上記純水４０の液面に均一に供給さ
れているＩＰＡのミストがウェハ２の表裏両面に付着し
た純水とすぐに置換される。また、ＩＰＡの温度を、ウ
ェハ２の温度すなわち常温よりも高い、好ましくは少な
くとも５℃以上高い、より好ましくは５℃から６０℃ま
での範囲で高くすれば、ＩＰＡがウェハ２の表裏両面に
凝着しやすくなり、ウェハ２の表裏両面に付着した純水
とすぐに置換されやすくなる上に、ウェハ２の表裏両面
が迅速に乾燥する。よって、常温のウェハの表面の純水
と常温のＩＰＡとを置換させたのち、常温のＩＰＡを乾
燥させる従来の場合よりも乾燥時間が早くなり、乾燥効
率を高めることができる。また、ミスト状態で純水４０
の液面に噴霧させるため、ＩＰＡを蒸気で供給する従来
の場合と比較して、ＩＰＡの消費量を大幅に減少させる
ことができる。また、ＩＰＡを蒸気で供給する場合には
蒸気状態を保持するため配管の外側を断熱材で覆うなど
する必要があるが、本第１実施形態では、単に例えば常
温の液相のＩＰＡを左右のミスト噴霧装置３，３のそれ
ぞれに供給すればよいので、配管を断熱材で覆う必要は
なく、装置が簡単なものとなる。また、ＩＰＡを蒸気化
するときには加熱するためのエネルギーが必要である
が、本第１実施形態では、ミスト噴霧装置３から窒素ガ
スとＩＰＡとを噴射させるだけのエネルギーがあれば十
分であり、安価でかつ簡単な装置構成でもってＩＰＡの
ミストを形成することができる。このように、互いに対
向する側方から、窒素ガスを噴射させると同時に、液相
のＩＰＡを噴射させることができて、ＩＰＡミストを上
記乾燥室の空間内に充満させて、ウェハの表裏両面にＩ
ＰＡミストを噴霧させることができ、ウェハの表裏両面
の全体に対してＩＰＡミストを供給することができる。
また、超音波などの電気的なエネルギーにより液相のＩ
ＰＡをミスト化するのではなく、電気的なエネルギーを
使用せずに、窒素ガスの噴射孔近傍でＩＰＡ噴射ノズル
よりＩＰＡを噴射させることにより、液相のＩＰＡをミ
スト化することができるため、引火性の高いＩＰＡに対
して、より安全にかつより安定してＩＰＡミストの噴霧
動作を行わせることができる。
漬された純水の液面上にＩＰＡのミストが常時保持され
るようにしているので、ウェハ２の上部が純水４０から
露出することになるが、ウェハ表面が酸素に触れて自然
酸化することなく、上記純水４０の液面に均一に供給さ
れているＩＰＡのミストがウェハ２の表裏両面に付着し
た純水とすぐに置換される。また、ＩＰＡの温度を、ウ
ェハ２の温度すなわち常温よりも高い、好ましくは少な
くとも５℃以上高い、より好ましくは５℃から６０℃ま
での範囲で高くすれば、ＩＰＡがウェハ２の表裏両面に
凝着しやすくなり、ウェハ２の表裏両面に付着した純水
とすぐに置換されやすくなる上に、ウェハ２の表裏両面
が迅速に乾燥する。よって、常温のウェハの表面の純水
と常温のＩＰＡとを置換させたのち、常温のＩＰＡを乾
燥させる従来の場合よりも乾燥時間が早くなり、乾燥効
率を高めることができる。また、ミスト状態で純水４０
の液面に噴霧させるため、ＩＰＡを蒸気で供給する従来
の場合と比較して、ＩＰＡの消費量を大幅に減少させる
ことができる。また、ＩＰＡを蒸気で供給する場合には
蒸気状態を保持するため配管の外側を断熱材で覆うなど
する必要があるが、本第１実施形態では、単に例えば常
温の液相のＩＰＡを左右のミスト噴霧装置３，３のそれ
ぞれに供給すればよいので、配管を断熱材で覆う必要は
なく、装置が簡単なものとなる。また、ＩＰＡを蒸気化
するときには加熱するためのエネルギーが必要である
が、本第１実施形態では、ミスト噴霧装置３から窒素ガ
スとＩＰＡとを噴射させるだけのエネルギーがあれば十
分であり、安価でかつ簡単な装置構成でもってＩＰＡの
ミストを形成することができる。このように、互いに対
向する側方から、窒素ガスを噴射させると同時に、液相
のＩＰＡを噴射させることができて、ＩＰＡミストを上
記乾燥室の空間内に充満させて、ウェハの表裏両面にＩ
ＰＡミストを噴霧させることができ、ウェハの表裏両面
の全体に対してＩＰＡミストを供給することができる。
また、超音波などの電気的なエネルギーにより液相のＩ
ＰＡをミスト化するのではなく、電気的なエネルギーを
使用せずに、窒素ガスの噴射孔近傍でＩＰＡ噴射ノズル
よりＩＰＡを噴射させることにより、液相のＩＰＡをミ
スト化することができるため、引火性の高いＩＰＡに対
して、より安全にかつより安定してＩＰＡミストの噴霧
動作を行わせることができる。
【００２７】なお、本発明は上記第１実施形態に限定さ
れるものではなく、その他種々の態様で実施できる。例
えば、上記ミスト噴霧装置３は図２にものに限定される
ものではなく、図３のようなミスト噴霧装置２３でもよ
い。図３は、多孔質のフッ素樹脂製の直方体状の本体２
４の長手方向沿いに１本の窒素ガス用通路２３ａと２本
のＩＰＡ用通路２３ｃ，２３ｃとをそれぞれ形成すると
ともに、直方体状の本体２４のウェハ２に対向する面を
除く面を多孔質ではない通常のフッ素樹脂製の被覆体２
５で被覆することにより、被覆体２５で被覆された面か
ら窒素ガス及びＩＰＡが出ないようにする。直方体状の
本体２４が多孔質であるため、被覆体２５で被覆されて
いない噴出面２３ｅにおいて、該噴出面２３ｅとは反対
側の面に近い位置に配置された窒素ガス用通路２３ａか
ら窒素ガスが噴出面２３ｅで噴出するとき、窒素ガス用
通路２３ａよりも噴出面２３ｅに近い位置に配置された
ＩＰＡ用通路２３ｃ，２３ｃからもＩＰＡ液体が噴出面
２３ｅで向けて噴出する結果、図２とほぼ同様にミスト
を噴霧することができる。この例では、所定間隔毎にミ
ストが噴霧されるのではなく、ウェハ２に対向する噴出
面２３ｅの大略全面からミストを噴霧することができ
る。なお、左右のミスト噴霧装置３，３のそれぞれに窒
素ガス及びＩＰＡ液体を供給するとき、各ミスト噴霧装
置３の一端側から他端閉塞部に向けて及び他端から一端
閉塞部に向けてそれぞれ一方向に窒素ガス及びＩＰＡ液
体を窒素ガス用通路２３ａ及びＩＰＡ用通路２３ｃ内に
供給させればよい。このようなものでは構造が簡単なも
のとなるという利点がある。しかしながら、窒素ガス用
通路２３ａ及びＩＰＡ用通路２３ｃ内でそれぞれ圧力損
失が生じて全ての窒素ガス用噴出通路２３ａ及びＩＰＡ
用通路２３ｃから窒素ガス及びＩＰＡ液体を均一に噴霧
させることができない場合には、直方体状の本体２４の
長手方向沿いに窒素ガス用通路２３ａ及びＩＰＡ用通路
２３ｃをそれぞれ貫通させて形成し、各ミスト噴霧装置
３の各一端側と各他端側の両方から同時に両者の中間に
向けて窒素ガス及びＩＰＡ液体を窒素ガス用通路２３ａ
及びＩＰＡ用通路２３ｃ内にそれぞれ供給するようにす
れば、窒素ガス用通路３ａ及びＩＰＡ用通路２３ｃ内で
圧力損失を防止することができて、窒素ガス及びＩＰＡ
液体を均一に噴霧させることができる。
れるものではなく、その他種々の態様で実施できる。例
えば、上記ミスト噴霧装置３は図２にものに限定される
ものではなく、図３のようなミスト噴霧装置２３でもよ
い。図３は、多孔質のフッ素樹脂製の直方体状の本体２
４の長手方向沿いに１本の窒素ガス用通路２３ａと２本
のＩＰＡ用通路２３ｃ，２３ｃとをそれぞれ形成すると
ともに、直方体状の本体２４のウェハ２に対向する面を
除く面を多孔質ではない通常のフッ素樹脂製の被覆体２
５で被覆することにより、被覆体２５で被覆された面か
ら窒素ガス及びＩＰＡが出ないようにする。直方体状の
本体２４が多孔質であるため、被覆体２５で被覆されて
いない噴出面２３ｅにおいて、該噴出面２３ｅとは反対
側の面に近い位置に配置された窒素ガス用通路２３ａか
ら窒素ガスが噴出面２３ｅで噴出するとき、窒素ガス用
通路２３ａよりも噴出面２３ｅに近い位置に配置された
ＩＰＡ用通路２３ｃ，２３ｃからもＩＰＡ液体が噴出面
２３ｅで向けて噴出する結果、図２とほぼ同様にミスト
を噴霧することができる。この例では、所定間隔毎にミ
ストが噴霧されるのではなく、ウェハ２に対向する噴出
面２３ｅの大略全面からミストを噴霧することができ
る。なお、左右のミスト噴霧装置３，３のそれぞれに窒
素ガス及びＩＰＡ液体を供給するとき、各ミスト噴霧装
置３の一端側から他端閉塞部に向けて及び他端から一端
閉塞部に向けてそれぞれ一方向に窒素ガス及びＩＰＡ液
体を窒素ガス用通路２３ａ及びＩＰＡ用通路２３ｃ内に
供給させればよい。このようなものでは構造が簡単なも
のとなるという利点がある。しかしながら、窒素ガス用
通路２３ａ及びＩＰＡ用通路２３ｃ内でそれぞれ圧力損
失が生じて全ての窒素ガス用噴出通路２３ａ及びＩＰＡ
用通路２３ｃから窒素ガス及びＩＰＡ液体を均一に噴霧
させることができない場合には、直方体状の本体２４の
長手方向沿いに窒素ガス用通路２３ａ及びＩＰＡ用通路
２３ｃをそれぞれ貫通させて形成し、各ミスト噴霧装置
３の各一端側と各他端側の両方から同時に両者の中間に
向けて窒素ガス及びＩＰＡ液体を窒素ガス用通路２３ａ
及びＩＰＡ用通路２３ｃ内にそれぞれ供給するようにす
れば、窒素ガス用通路３ａ及びＩＰＡ用通路２３ｃ内で
圧力損失を防止することができて、窒素ガス及びＩＰＡ
液体を均一に噴霧させることができる。
【００２８】上記実施形態によれば、先の実施形態の作
用効果に加えて、直方体状の本体２４が多孔質のフッ素
樹脂製より構成されているため、直方体状の本体２４は
撥水性が強く、純水に浸漬してもその内部まで純水が入
り込むことがなく、ミスト状態になる前の液相のＩＰＡ
と洗浄水である乾燥室１内の純水とが混ざり合うことが
ない。また、全面多孔質であるため、ウェハ２に対向す
る噴出面２３ｅの大略全面からミストを噴霧することが
できて、より均一にミストをウェハ２に対して噴霧する
ことができる。また、第１実施形態のように、各ミスト
噴霧装置３を上記乾燥室１内の上記純水４０の液面上の
空間４において、図１のように側方から噴射するものに
限らず、本発明の第２実施形態として、図４に示すよう
に、下向きに噴射させるようにしてもよい。その他の構
成は第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
このような構成にすれば、下向きに、窒素ガスを噴射さ
せると同時に、液相のＩＰＡを噴射させることができ
て、ウェハの表裏両面に上から下までＩＰＡミストを噴
霧させることができ、ウェハの表裏両面の全体に対して
ＩＰＡミストを供給することができる。
用効果に加えて、直方体状の本体２４が多孔質のフッ素
樹脂製より構成されているため、直方体状の本体２４は
撥水性が強く、純水に浸漬してもその内部まで純水が入
り込むことがなく、ミスト状態になる前の液相のＩＰＡ
と洗浄水である乾燥室１内の純水とが混ざり合うことが
ない。また、全面多孔質であるため、ウェハ２に対向す
る噴出面２３ｅの大略全面からミストを噴霧することが
できて、より均一にミストをウェハ２に対して噴霧する
ことができる。また、第１実施形態のように、各ミスト
噴霧装置３を上記乾燥室１内の上記純水４０の液面上の
空間４において、図１のように側方から噴射するものに
限らず、本発明の第２実施形態として、図４に示すよう
に、下向きに噴射させるようにしてもよい。その他の構
成は第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。
このような構成にすれば、下向きに、窒素ガスを噴射さ
せると同時に、液相のＩＰＡを噴射させることができ
て、ウェハの表裏両面に上から下までＩＰＡミストを噴
霧させることができ、ウェハの表裏両面の全体に対して
ＩＰＡミストを供給することができる。
【００２９】また、上記乾燥室１から上記純水４０を排
出させる代わりに、上記ウェハ２を上記乾燥室１内で上
昇させて、上記乾燥室１内で上記純水４０から上記ウェ
ハ２が液面より上方に露出するようにしてもよい。
出させる代わりに、上記ウェハ２を上記乾燥室１内で上
昇させて、上記乾燥室１内で上記純水４０から上記ウェ
ハ２が液面より上方に露出するようにしてもよい。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、ウェハが浸漬された純
水の液面上にＩＰＡのミスト、すなわち、窒素をキャリ
アとするのではなく、ＩＰＡ自体が単体で窒素ガス中を
浮遊している状態が常時保持されるようにしているの
で、ウェハの上部が純水から露出することになるが、ウ
ェハ表面が酸素に触れて自然酸化することなく、上記純
水の液面に均一に供給されているＩＰＡのミストがウェ
ハの表裏両面に付着した純水とすぐに置換される。ま
た、ＩＰＡのミストの温度を、ウェハの温度すなわち常
温よりも高い、好ましくは少なくとも５℃以上高い、よ
り好ましくは５℃から６０℃までの範囲で高くすれば、
ＩＰＡがウェハの表裏両面に凝着しやすくなり、ウェハ
の表裏両面に付着した純水とすぐに置換されやすくなる
上に、ウェハの表裏両面が迅速に乾燥する。
水の液面上にＩＰＡのミスト、すなわち、窒素をキャリ
アとするのではなく、ＩＰＡ自体が単体で窒素ガス中を
浮遊している状態が常時保持されるようにしているの
で、ウェハの上部が純水から露出することになるが、ウ
ェハ表面が酸素に触れて自然酸化することなく、上記純
水の液面に均一に供給されているＩＰＡのミストがウェ
ハの表裏両面に付着した純水とすぐに置換される。ま
た、ＩＰＡのミストの温度を、ウェハの温度すなわち常
温よりも高い、好ましくは少なくとも５℃以上高い、よ
り好ましくは５℃から６０℃までの範囲で高くすれば、
ＩＰＡがウェハの表裏両面に凝着しやすくなり、ウェハ
の表裏両面に付着した純水とすぐに置換されやすくなる
上に、ウェハの表裏両面が迅速に乾燥する。
【００３１】よって、常温のウェハの表面の純水と常温
のＩＰＡとを置換させたのち、常温のＩＰＡを乾燥させ
る従来の場合よりも乾燥時間が早くなり、乾燥効率を高
めることができる。また、ミスト状態で純水の液面に噴
霧させるため、ＩＰＡを蒸気で供給する従来の場合と比
較して、ＩＰＡの消費量を大幅に減少させることができ
る。また、ＩＰＡを蒸気で供給する場合には蒸気状態を
保持するため配管の外側を断熱材で覆うなどする必要が
あるが、本発明の上記ウェハ乾燥装置によれば、単に例
えば常温の液相のＩＰＡをミスト噴霧装置にそれぞれに
供給すればよいので、配管を断熱材で覆う必要はなく、
装置が簡単なものとなる。また、ＩＰＡを蒸気化すると
きには加熱するためのエネルギーが必要であるが、本発
明では、窒素ガスとＩＰＡとを噴射させるだけのエネル
ギーがあれば十分であり、安価でかつ簡単な装置構成で
もってＩＰＡのミストを形成することができる。
のＩＰＡとを置換させたのち、常温のＩＰＡを乾燥させ
る従来の場合よりも乾燥時間が早くなり、乾燥効率を高
めることができる。また、ミスト状態で純水の液面に噴
霧させるため、ＩＰＡを蒸気で供給する従来の場合と比
較して、ＩＰＡの消費量を大幅に減少させることができ
る。また、ＩＰＡを蒸気で供給する場合には蒸気状態を
保持するため配管の外側を断熱材で覆うなどする必要が
あるが、本発明の上記ウェハ乾燥装置によれば、単に例
えば常温の液相のＩＰＡをミスト噴霧装置にそれぞれに
供給すればよいので、配管を断熱材で覆う必要はなく、
装置が簡単なものとなる。また、ＩＰＡを蒸気化すると
きには加熱するためのエネルギーが必要であるが、本発
明では、窒素ガスとＩＰＡとを噴射させるだけのエネル
ギーがあれば十分であり、安価でかつ簡単な装置構成で
もってＩＰＡのミストを形成することができる。
【００３２】また、上記ミスト噴霧装置の直方体状の本
体を多孔質のフッ素樹脂製より構成すれば、直方体状の
本体は撥水性が強く、純水に浸漬してもその内部まで純
水が入り込むことがなく、ミスト状態になる前の液相の
ＩＰＡと洗浄水である乾燥室内の純水とが混ざり合うこ
とがない。また、全面多孔質であるため、ウェハに対向
する噴出面の大略全面からミストを噴霧することができ
て、より均一にミストをウェハに対して噴霧することが
できる。また、超音波などの電気的なエネルギーにより
液相のＩＰＡをミスト化するのではなく、電気的なエネ
ルギーを使用せずに、窒素ガスの噴射孔近傍でＩＰＡ噴
射ノズルよりＩＰＡを噴射させることにより、液相のＩ
ＰＡをミスト化することができるため、引火性の高いＩ
ＰＡに対して、より安全にかつより安定してＩＰＡミス
トの噴霧動作を行わせることができる。
体を多孔質のフッ素樹脂製より構成すれば、直方体状の
本体は撥水性が強く、純水に浸漬してもその内部まで純
水が入り込むことがなく、ミスト状態になる前の液相の
ＩＰＡと洗浄水である乾燥室内の純水とが混ざり合うこ
とがない。また、全面多孔質であるため、ウェハに対向
する噴出面の大略全面からミストを噴霧することができ
て、より均一にミストをウェハに対して噴霧することが
できる。また、超音波などの電気的なエネルギーにより
液相のＩＰＡをミスト化するのではなく、電気的なエネ
ルギーを使用せずに、窒素ガスの噴射孔近傍でＩＰＡ噴
射ノズルよりＩＰＡを噴射させることにより、液相のＩ
ＰＡをミスト化することができるため、引火性の高いＩ
ＰＡに対して、より安全にかつより安定してＩＰＡミス
トの噴霧動作を行わせることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１実施形態にかかるウェハ乾燥装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
【図２】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ図１の上記ウェハ
乾燥装置のミスト噴霧装置の平面図及び断面図である。
乾燥装置のミスト噴霧装置の平面図及び断面図である。
【図３】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ上記実施形態の変
形例にかかる上記ウェハ乾燥装置のミスト噴霧装置の平
面図及び断面図である。
形例にかかる上記ウェハ乾燥装置のミスト噴霧装置の平
面図及び断面図である。
【図４】 本発明の第２実施形態にかかるウェハ乾燥装
置の概略構成図である。
置の概略構成図である。
１…乾燥室、２…ウェハ、３…ミスト噴霧装置、３a…
窒素ガス用通路、３ｂ…窒素ガス用噴出通路、３ｃ…Ｉ
ＰＡ用通路、３ｄ…ＩＰＡ用噴出通路、３ｅ，３ｆ…噴
射孔、４…空間、５…ＩＰＡ圧送タンク、６…液体、７
…第５エアーオペレートバルブ、８…手動弁、９…第４
エアーオペレートバルブ、１０…減圧弁、１１…第２エ
アーオペレートバルブ、１２…ＩＰＡ圧送タンク用リリ
ーフ弁、１３…第３エアーオペレートバルブ、１４…流
量計、１５，１６…手動弁、１７…減圧弁、１８…第１
エアーオペレートバルブ、１９…流量計、２０，２１…
手動弁、２３…ミスト噴霧装置、２３a…窒素ガス用通
路、２３ｃ…ＩＰＡ用通路、２３ｅ…噴出面、２４…多
孔質のフッ素樹脂製の直方体状の本体、４０…純水、４
１…制御装置、４４…排出通路、４５…排出通路。
窒素ガス用通路、３ｂ…窒素ガス用噴出通路、３ｃ…Ｉ
ＰＡ用通路、３ｄ…ＩＰＡ用噴出通路、３ｅ，３ｆ…噴
射孔、４…空間、５…ＩＰＡ圧送タンク、６…液体、７
…第５エアーオペレートバルブ、８…手動弁、９…第４
エアーオペレートバルブ、１０…減圧弁、１１…第２エ
アーオペレートバルブ、１２…ＩＰＡ圧送タンク用リリ
ーフ弁、１３…第３エアーオペレートバルブ、１４…流
量計、１５，１６…手動弁、１７…減圧弁、１８…第１
エアーオペレートバルブ、１９…流量計、２０，２１…
手動弁、２３…ミスト噴霧装置、２３a…窒素ガス用通
路、２３ｃ…ＩＰＡ用通路、２３ｅ…噴出面、２４…多
孔質のフッ素樹脂製の直方体状の本体、４０…純水、４
１…制御装置、４４…排出通路、４５…排出通路。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平９−69509（ＪＰ，Ａ) 特開2000−124187（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−176796（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−26420（ＪＰ，Ａ) 特公 平６−103686（ＪＰ，Ｂ２) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/304 F26B 7/00 F26B 21/00 - 21/14
Claims (8)
- 【請求項１】 純水（４０）内にウェハ（２）を浸漬可
能な乾燥室（１）と、 上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間（４）内に窒素
ガスを噴射させると同時に液相のイソプロピルアルコー
ルを上記ウェハの温度より高い温度でかつ上記窒素ガス
の噴射開口近傍で噴射させてミスト状のイソプロピルア
ルコールを上記空間内に噴霧させるミスト噴霧装置
（３，２３）とを備えて、 上記ミスト噴霧装置（２３）は、上記窒素ガスを噴射さ
せる第１噴射孔（３ｅ）と、該噴射孔の近傍に配置され
かつ上記液相のイソプロピルアルコールを噴射させる第
２噴射孔（３ｆ）とを備え、上記第１噴射孔から上記窒
素ガスを噴射させると同時に上記第２噴射孔から上記液
相のイソプロピルアルコールを噴射させて、上記ミスト
状のイソプロピルアルコールを上記空間内に噴霧させる
装置であり、 上記乾燥室の上記純水を排出するか又は上記ウェハを上
記乾燥室内で上昇させることにより、上記乾燥室内で上
記純水から上記ウェハが液面より上方に露出するとき、
上記ウェハの表裏両面に付着した純水が上記ミスト状の
上記イソプロピルアルコールにより置換され、その後、
上記ウェハの表裏両面から上記イソプロピルアルコール
が蒸発することにより乾燥されるようにしたことを特徴
とするウェハ乾燥装置。 - 【請求項２】 純水（４０）内にウェハ（２）を浸漬可
能な乾燥室（１）と、 上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間（４）内に窒素
ガスを噴射させると同時に液相のイソプロピルアルコー
ルを上記ウェハの温度より高い温度でかつ上記窒素ガス
の噴射開口近傍で噴射させてミスト状のイソプロピルア
ルコールを上記空間内に噴霧させるミスト噴霧装置
（３，２３）とを備えて、 上記ミスト噴霧装置（２３）は、撥水性の強い多孔質の
フッ素樹脂製の直方体状の本体（２４）に、上記窒素ガ
スを供給する第１通路（２３ａ）と、上記第１通路より
も上記本体のウェハ対向面の近傍に配置されて上記液相
のイソプロピルアルコールを供給する第２通路（２３
ｃ）とを備え、上記第１通路に上記窒素ガスを供給する
と同時に上記第２通路に上記液相のイソプロピルアルコ
ールを供給して上記多孔質の直方体状の本体の上記ウェ
ハ対向面から上記窒素ガスとともに上記液相のイソプロ
ピルアルコールを噴射させて、上記ミスト状のイソプロ
ピルアルコールを上記空間内に噴霧させる装置であり、 上記乾燥室の上記純水を排出するか又は上記ウェハを上
記乾燥室内で上昇させることにより、上記乾燥室内で上
記純水から上記ウェハが液面より上方に露出するとき、
上記ウェハの表裏両面に付着した純水が上記ミスト状の
上記イソプロピルアルコールにより置換され、その後、
上記ウェハの表裏両面から上記イソプロピルアルコール
が蒸発することにより乾燥されるようにしたことを特徴
とするウェハ乾燥装置。 - 【請求項３】 上記液相のイソプロピルアルコールを上
記ウェハの温度より少なくとも５℃以上高い温度でかつ
上記窒素ガスの噴射開口近傍で噴射させてミスト状のイ
ソプロピルアルコールを上記空間内に噴霧させる請求項
１又は２に記載のウェハ乾燥装置。 - 【請求項４】 上記ウェハは常温であり、上記ミストは
大略３０℃以上である請求項１〜３のいずれか１つに記
載のウェハ乾燥装置。 - 【請求項５】 上記ミスト状の上記イソプロピルアルコ
ールは、上記イソプロピルアルコール自体が単体で上記
窒素ガス中を浮遊している状態である請求項１から４の
いずれかに記載のウェハ乾燥装置。 - 【請求項６】 上記ウェハの温度より５℃から６０℃高
い温度で上記イソプロピルアルコールをミスト状に噴霧
させるようにした請求項１から５のいずれかに記載のウ
ェハ乾燥装置。 - 【請求項７】 上記ウェハの温度と同等か、又は、上記
ウェハの温度を越えて６０℃までの範囲の高い温度で上
記窒素ガスを噴射させるようにした請求項１から６のい
ずれかに記載のウェハ乾燥装置。 - 【請求項８】 上記ウェハの温度より５℃から６０℃ま
での範囲の高い温度で上記窒素ガスを噴射させるように
した請求項１から６のいずれかに記載のウェハ乾燥装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33125599A JP3247673B2 (ja) | 1998-11-24 | 1999-11-22 | ウェハ乾燥装置及び方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10-332545 | 1998-11-24 | ||
| JP33254598 | 1998-11-24 | ||
| JP33125599A JP3247673B2 (ja) | 1998-11-24 | 1999-11-22 | ウェハ乾燥装置及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000223466A JP2000223466A (ja) | 2000-08-11 |
| JP3247673B2 true JP3247673B2 (ja) | 2002-01-21 |
Family
ID=26573794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33125599A Expired - Fee Related JP3247673B2 (ja) | 1998-11-24 | 1999-11-22 | ウェハ乾燥装置及び方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3247673B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7323318B2 (ja) | 2018-03-28 | 2023-08-08 | 日東電工株式会社 | 下塗層形成用組成物、下塗層、及び塗膜 |
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|---|---|---|---|---|
| JP3457586B2 (ja) * | 1999-09-06 | 2003-10-20 | 東邦化成株式会社 | ウェハ乾燥装置及び方法及びウェハ乾燥装置用ｉｐａミスト噴霧装置 |
| KR20020096577A (ko) * | 2001-06-21 | 2002-12-31 | 뉴영엠테크 주식회사 | 반도체 건조 장치 |
| US7107701B2 (en) * | 2002-01-22 | 2006-09-19 | Toho Kasei Co., Ltd. | Substrate drying method and apparatus |
| JP4020791B2 (ja) * | 2002-01-22 | 2007-12-12 | 東邦化成株式会社 | 基板乾燥方法及び装置 |
| KR100636035B1 (ko) | 2003-11-08 | 2006-10-18 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼를 건조하기 위한 방법 및 장치, 그리고 웨이퍼 건조 장치를 포함하는 웨이퍼 처리 장치 |
| CN103111436A (zh) * | 2013-03-25 | 2013-05-22 | 上海旭熠电子技术有限公司 | 雾化异丙醇基片干燥设备 |
| CN111644414A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-09-11 | 中国科学院微电子研究所 | 一种半导体机械卡盘的清洗干燥装置和方法 |
-
1999
- 1999-11-22 JP JP33125599A patent/JP3247673B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7323318B2 (ja) | 2018-03-28 | 2023-08-08 | 日東電工株式会社 | 下塗層形成用組成物、下塗層、及び塗膜 |
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|---|---|
| JP2000223466A (ja) | 2000-08-11 |
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