JP3457586B2 - ウェハ乾燥装置及び方法及びウェハ乾燥装置用ipaミスト噴霧装置 - Google Patents

ウェハ乾燥装置及び方法及びウェハ乾燥装置用ipaミスト噴霧装置

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JP3457586B2
JP3457586B2 JP25152299A JP25152299A JP3457586B2 JP 3457586 B2 JP3457586 B2 JP 3457586B2 JP 25152299 A JP25152299 A JP 25152299A JP 25152299 A JP25152299 A JP 25152299A JP 3457586 B2 JP3457586 B2 JP 3457586B2
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孝則 川西
徳雄 前田
大 粟飯原
正雄 大野
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Daikin Industries Ltd
Toho Kasei Co Ltd
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Toho Kasei Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、純水中に浸漬され
ているウェハを純水中から取り出して乾燥させるとき、
酸素に触れさせることなくウェハ表面を乾燥させるウェ
ハ乾燥装置及び方法及びウェハ乾燥装置用IPAミスト
噴霧装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、特公平6−103686号公報に
開示されるような乾燥装置では、窒素ガスをキャリアと
してIPA(イソプロピルアルコール)を蒸気として、
エチッング処理液で処理されたのち純水で洗浄されてい
るウェハ処理槽内の上部空間内に供給するようにしてい
る。そして、処理槽の純水を排水することにより、処理
槽内でウェハを露出させ、処理槽の上部空間に供給され
たIPA蒸気が露出したウェハの表面に付着した水滴と
置換して、ウェハ表面が酸素に触れて自然酸化すること
なく、乾燥させるようにしている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造のものでは、通常、常温であるウェハの温度と同じ温
度すなわち常温のIPA蒸気を処理槽内に供給して置換
させるため、常温のIPAがウェハの表面から蒸発して
ウェハの表面が乾燥するまでの乾燥時間が長くなり、乾
燥効率が悪いといった問題があった。
【0004】そこで、本出願人の一人は、ウェハの温度
よりも高い温度でかつミスト状のIPAを乾燥室内の純
水の液面上の空間内に噴射させて、乾燥室の上記純水を
排出するか又は上記ウェハを上記乾燥室内で上昇させる
ことにより、上記乾燥室内で上記純水から上記ウェハが
液面より上方に露出するとき、上記ウェハの表裏両面に
付着した純水が上記ミスト状の上記イソプロピルアルコ
ールにより置換され、その後、上記ウェハの表裏両面か
ら上記イソプロピルアルコールが蒸発することにより乾
燥されるようにしたものを既に出願している(特願平1
0−332545号)。
【0005】しかしながら、上記ミスト状のIPAを噴
射させるミスト噴霧装置では、乾燥室内の純水の液面上
の空間内に窒素ガスを噴射させると同時に、液相のイソ
プロピルアルコールを上記ウェハの温度より高い温度で
かつ上記窒素ガスの噴射開口近傍で噴射させて、ミスト
状のイソプロピルアルコールを上記空間内に噴霧させる
ようにしているため、窒素ガス供給通路と液相のイソプ
ロピルアルコール供給通路との2本の通路が必要とな
り、かつ、各噴射部分においてミスト状のイソプロピル
アルコールの窒素ガスとイソプロピルアルコールとの混
合比率が安定しない可能性があった。
【0006】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、ウェハの温度よりも高い温度でかつ
ミスト状のIPAによりウェハの表面に付着した水滴を
置換させることにより、ウェハの表面からIPAが迅速
に乾燥し、乾燥時間を短縮することができ、乾燥効率を
高めることができ、かつ、窒素ガス供給通路と液相のイ
ソプロピルアルコール供給通路との2本の通路を備える
必要がなく、かつ、各噴射部分においてミスト状のイソ
プロピルアルコールの窒素ガスとイソプロピルアルコー
ルとの混合比率を安定させることができるウェハ乾燥装
置及び方法及びウェハ乾燥装置用IPAミスト噴霧装置
を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。
【0008】
【0009】
【0010】
【0011】本発明の第1態様によれば、窒素ガスと液
相のイソプロピルアルコールとを混合させてミスト状態
のイソプロピルアルコールのIPAミストを形成するI
PAミスト形成部と、IPAミスト噴射側に複数のIP
Aミスト噴射孔を有し、かつ、上記IPAミスト形成部
で形成された上記IPAミストを上記IPAミスト噴射
孔からウェハに向けて噴射させるIPAミスト噴霧部と
を備え、上記IPAミスト噴霧部は、IPAミスト噴射
側に所定間隔をおいて開口を有し、かつ、上記IPAミ
スト形成部で形成されたIPAミストを供給するIPA
ミスト供給管と、上記IPAミスト供給管の上記開口側
を除く部分に形成され、外部の気体を取り込んで上記I
PAミスト供給管の上記開口から噴射される上記IPA
ミストの噴射を促進させる噴射促進用通路と、上記IP
Aミスト供給管の上記開口側に配置され、かつ、上記I
PAミスト供給管の上記開口から上記IPAミスト噴射
孔を介して上記ウェハに向けて噴射される上記IPAミ
ストの噴射方向に直線的に延びた噴射方向制御用通路と
を備えるようにしたウェハ乾燥装置用IPAミスト噴霧
装置を提供する。
【0012】本発明の第2態様によれば、上記噴射方向
制御用通路は、少なくとも、上記噴霧部長手方向と直交
する方向沿いに上記IPAミスト供給管の上記開口から
延びて上記噴射孔まで延在しかつ直線的に案内するミス
ト噴射方向制御用直進通路を備える第1態様に記載のウ
ェハ乾燥装置用IPAミスト噴霧装置を提供する。
【0013】本発明の第3態様によれば、上記噴射方向
制御用通路は、上記噴霧部長手方向と直交する方向沿い
に上記IPAミスト供給管の上記開口から延びた先すぼ
まり状のミスト噴射方向制御用ミスト案内通路と、上記
ミスト噴射方向制御用ミスト案内通路に連結されて記噴
射孔まで延在しかつ直線的に案内するミスト噴射方向制
御用直進通路とを備える第1態様に記載のウェハ乾燥装
置用IPAミスト噴霧装置を提供する。
【0014】本発明の第4態様によれば、上記噴射促進
用通路は、上記開口に関して対称に一対配置された第1
〜3のいずれかの態様に記載のウェハ乾燥装置用IPA
ミスト噴霧装置を提供する。
【0015】本発明の第5態様によれば、上記IPAミ
スト噴霧部の上記開口の内径は、上記IPAミスト形成
部に近い上記IPAミスト噴霧部の部分よりも、上記I
PAミスト形成部から遠い上記IPAミスト噴霧部の部
分の方が大きい第1〜4のいずれかの態様に記載のウェ
ハ乾燥装置用IPAミスト噴霧装置を提供する。
【0016】本発明の第6態様によれば、上記噴射方向
制御用通路の長さは、上記IPAミスト形成部に近い上
記IPAミスト噴霧部の部分よりも、上記IPAミスト
形成部から遠い上記IPAミスト噴霧部の部分の方が長
い第3〜5のいずれかの態様に記載のウェハ乾燥装置用
IPAミスト噴霧装置を提供する。
【0017】本発明の第7態様によれば、窒素ガスと液
相のイソプロピルアルコールとを混合させてミスト状態
のイソプロピルアルコールのIPAミストを供給しかつ
IPAミストをIPAミスト噴射側とは異なる方向に向
けてIPAミストを噴霧するIPAミスト噴霧孔を有す
る第2のIPAミスト噴霧部をさらに備えるようにした
第3〜6のいずれかの態様に記載のウェハ乾燥装置用I
PAミスト噴霧装置を提供する。
【0018】
【0019】
【0020】
【0021】
【0022】
【0023】
【0024】
【0025】
【0026】
【0027】
【0028】
【0029】
【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。
【0030】本発明の第1実施形態にかかるウェハ乾燥
方法を実施するウェハ乾燥装置は、図1〜図5に示すよ
うに、公知の図示しないキャリアで支持されたウェハ
2,…,2を洗浄する純水40内にウェハ2,…,2を
浸漬して洗浄後に乾燥可能な乾燥室1と、上記乾燥室1
内の上記純水40の液面上の第1閉鎖空間4内に、窒素
ガスと液相のイソプロピルアルコール(以下、単にIP
Aと記す。)とが混合されたミスト状のIPA(IPA
ミスト)を、上記ウェハ2の温度(例えば常温)より高
い、好ましくは上記ウェハ2の温度より少なくとも5℃
以上高い、より好ましくは上記ウェハ2の温度より5℃
から60℃高い、温度で噴射させるミスト噴霧装置3,
3とを備えて、上記乾燥室1の上記純水40を排出する
か又は上記ウェハ2,…,2を上記乾燥室1内で上昇さ
せることにより、上記乾燥室1内で上記純水40の液面
から上記ウェハ2,…,2が上方に露出するとき、ミス
ト噴霧装置3,3から上記各ウェハ2の表裏両面にIP
Aをミスト状態、すなわち、窒素をキャリアとするので
はなく、IPA自体が単体で窒素ガス中を浮遊している
状態で噴霧させ続けて、上記各ウェハ2の表裏両面に付
着した純水40が上記ミスト状の上記IPA(IPAミ
スト)により置換されるようにしている。通常、上記ウ
ェハ2は常温であり、上記IPAミストは大略30℃以
上である。
【0031】上記乾燥室1は、大略矩形の箱体状のウェ
ハ収容部1bと、該収容部1bの上端の外側の周囲に形
成された矩形溝状のオーバーフロー部1aとより大略構
成されている。このオーバーフロー部1aには、乾燥室
1の収容部1b内からオーバーフローした純水が流入す
るようになっている。
【0032】また、乾燥室1は、全体が処理室の一例と
しての機能する処理シンク50内に収納されるととも
に、乾燥室1の上方の処理シンク50の上端開口は、外
部から蓋52により密閉できるように配置されている。
乾燥室1の矩形溝状のオーバーフロー部1aの中央部分
には、処理シンク50の上端においてU字状に屈曲され
た仕切り壁51の先端が入り込み、オーバーフロー部1
a内に純水があるときには、その純水内に仕切り壁51
の先端が入り込んでいることにより、乾燥室1の収容部
1bの上方でかつ処理シンク50の上部と蓋52とで閉
塞された第1閉鎖空間4と、乾燥室1の収容部1bの外
側の側方及び下方でかつ処理シンク50により閉塞され
た第2閉鎖空間29とが分離されるようになっている。
【0033】なお、オーバーフロー部1a内の純水は、
図3に示すように、定期的なメインテナンスなどのため
に、制御装置41の制御動作に基く第1エアーオペレー
トバルブ54の開動作により、処理シンク50内に排出
可能となっている。第1エアーオペレートバルブ54は
常時は閉じられている。
【0034】また、処理シンク50の仕切り壁51に
は、第1閉鎖空間4と第2閉鎖空間29との圧力バラン
スを自動調整するための第10エアーオペレートバルブ
53が設けられており、上記乾燥室1内の上記純水40
の液面上の第1閉鎖空間4の圧力が第2閉鎖空間29よ
り所定圧力を超えて高くなりすぎると、制御装置41の
制御動作に基き第10エアーオペレートバルブ53が開
動作されて、第1閉鎖空間4と第2閉鎖空間29との圧
力バランスを自動調整するようにしている。なお、第1
閉鎖空間4の圧力は、第2閉鎖空間29より陽圧、すな
わち、第2閉鎖空間29より上記所定圧力だけ常時高く
なるように保持されており、第2閉鎖空間29から第1
閉鎖空間4側への流体の移動が生じてウェハ2,…,2
が汚染されないようにしている。
【0035】また、処理シンク50の第2閉鎖空間29
内の圧力が異常に高まらないようにするため、処理シン
ク50に排出通路44を設けて、排出通路44に、第2
閉鎖空間29内の気体の排出流量を手動で調整するため
の手動弁8と、制御装置41の制御に基き排出通路44
での気体の排出又は停止を行う第2エアーオペレートバ
ルブ9とを設けている。なお、第2閉鎖空間29内に圧
力センサを配置して、圧力センサで検出された第2閉鎖
空間29内の圧力に応じて第2エアーオペレートバルブ
9を自動的に開閉することもできる。
【0036】なお、上記第1実施形態では、第2エアー
オペレートバルブ9は、制御装置41の制御により、排
出通路44の開閉動作を単に行うものとして説明した
が、手動弁8の機能をも取り込んで手動弁8を省略し、
制御装置41の制御動作により、ミスト噴霧装置3,3
から第1閉鎖空間4内に供給されるIPAミストの供給
量及び後述するように乾燥室1の収容部1bから排出通
路45を経て排出される純水の排出量に基き、排出通路
44から排出される流体の流量を適切に自動的に調整す
る流量自動調整弁として機能させるようにしてもよい。
【0037】また、図3において、乾燥室1の底部に
は、多数の供給孔を有する棒状の純水供給部55が配置
され、純水供給部55は、第3エアーオペレートバルブ
56、流量計59、手動弁60を備えた純水供給通路5
8と連結されて、純水供給通路58を通して処理シンク
50の外部から純水を乾燥室1の収容部1b内に供給す
るようにしている。第3エアーオペレートバルブ56
は、制御装置41の制御により、純水供給通路58の開
閉動作を行うものである。手動弁60は、流量計59に
より検出された純水供給通路58の純水の流量に基き、
所定流量が供給されるように手動で調整するバルブであ
る。57は手動弁であり、第3エアーオペレートバルブ
56により純水供給通路58が閉じられたときに純水を
処理シンク50内に若干量だけ流すものである。
【0038】なお、上記第1実施形態では、第3エアー
オペレートバルブ56は、制御装置41の制御により、
純水供給通路58の開閉動作を単に行うものとして説明
したが、手動弁60の機能をも取り込んで手動弁60を
省略し、制御装置41の制御動作により、流量計59に
より検出された純水供給通路58の純水の流量に基き、
所定流量が供給されるように調整する流量自動調整弁と
して機能させるようにしてもよい。
【0039】さらに、乾燥室1の底部には、純水40及
び窒素ガスなどを処理シンク50内に排出するための排
出通路45を設け、該排出通路45に、当該通路45を
制御装置41の制御に基いて開閉動作並びに流量調整動
作する第4エアーオペレートバルブ7を設けて、排出通
路45の開閉及び純水及び窒素ガスなどの排出流量を調
整するようにしている。
【0040】また、処理シンク50の底部には、純水4
0などを常時排出可能とするため、逆流防止用トラップ
61a付きの排出通路61を設けている。
【0041】一方、上記各ミスト噴霧装置3は、図4及
び図5に示すように、フッ素樹脂からなる大略直方体状
の噴霧装置本体30と、噴霧装置本体30から一方向に
延在しかつ断面が円形の管状のIPAミスト噴霧部37
とにより大略構成されている。
【0042】上記噴霧装置本体30には、IPAミスト
噴霧部37の長尺方向沿いにIPA用供給管33が連結
されるとともに、IPA用供給管33に対して横方向か
ら窒素ガス供給管32が連結されて、噴霧装置本体30
内に形成された空間であるIPAミスト形成部34に、
IPA用供給管33のIPA用通路3bから液相のIP
Aが供給される同時に窒素ガス供給管32の窒素ガス用
通路3aから窒素ガスが供給可能として、ミスト状のI
PA(IPAミスト)がIPAミスト形成部34で形成
可能とされている。なお、IPA用供給管33のIPA
用通路3bから液相のIPAの供給を停止させれば、後
述するように、窒素ガス供給管32の窒素ガス用通路3
aから窒素ガスのみを供給して、窒素ガスによるブロー
乾燥動作などを行うこともできる。
【0043】上記IPAミスト噴霧部37は、末端が閉
塞されたIPA用供給通路93cを内部に形成したフッ
素樹脂からなるIPAミスト供給管136より構成され
ている。このIPA用供給通路93cには、噴霧装置本
体30のIPAミスト形成部34で形成されたIPAミ
ストが供給される。上記IPAミスト供給管136に
は、図5における下部側に所定間隔毎に噴射孔93dを
有して、該噴射孔93d,…,93dを介してIPA用
供給通路93cに供給されるIPAミストをウェハ2,
…,2に向けて噴射可能としている。各噴射孔93d
は、各ウェハ2に大略向けて(詳細には隣接するウェハ
2,2間の空間でかつウェハ2の中心に相当する位置に
向けて)配置されている。
【0044】一方、窒素ガス供給管32の窒素ガス通路
3aから供給される窒素ガスは、常温より高い、好まし
くは少なくとも5℃以上高い、より好ましくは5℃から
60℃高い温度で供給されるものであって、図3に示さ
れるように、圧力計77付きの減圧弁17、上記窒素ガ
ス通路3a,3aへの窒素ガスの供給を一度に遮断可能
な手動弁18までが1つの通路であり、手動弁18以降
は2つの通路に分岐されて、流量計19,19、手動弁
75,76、第5,6エアーオペレートバルブ20,2
1、供給する窒素ガス中のゴミなどを除去するフィルタ
74,74、供給する窒素ガスを所定温度まで加熱する
ヒータ73,73を介して、図1の左右に配置したミス
ト噴霧装置3,3にそれぞれ供給される。第5,6エア
ーオペレートバルブ20,21は、制御装置41の制御
に基きそれぞれの通路の開閉動作を行うものである。手
動弁75,76は、左右それぞれのミスト噴霧装置3,
3用の通路に配置され、それぞれの流量計19,19で
検出されたそれぞれの通路での窒素ガスの流量に基づ
き、窒素ガスの流量をそれぞれ手動で調整することによ
り、左右のミスト噴霧装置3,3から上記乾燥室1内の
上記純水40の液面上の第1閉鎖空間4内にミストを噴
霧するとき、左右のミスト噴霧状態のバランスを調整で
きるようにしている。この結果、IPAミストの温度
は、常温より高い、好ましくは少なくとも5℃以上高
い、より好ましくは5℃から60℃高い温度で噴霧され
る。
【0045】なお、上記第1実施形態では、第5,6エ
アーオペレートバルブ20,21は、制御装置41の制
御動作により、それぞれの通路の開閉動作を単に行うも
のとして説明したが、手動弁75,76の機能をも取り
込んで手動弁75,76を省略し、制御装置41の制御
動作により、流量計19,19により検出されたそれぞ
れの通路の窒素ガスの流量に基き、所定流量が供給され
るようにそれぞれ調整する流量自動調整弁として機能さ
せるようにしてもよい。
【0046】また、IPA用供給管33のIPA用通路
3bから供給される液相のIPAは、以下のようにして
供給される。すなわち、図3に示されるように、圧力計
78付きの減圧弁10、上記IPA用通路3b,3bへ
の液相のIPAの供給を生じさせる窒素ガスを一度に遮
断可能な第7エアーオペレートバルブ11を介してIP
A圧送タンク5内に上記とは別に窒素ガスを圧送し、窒
素ガスの圧力によりIPA圧送タンク5内のIPAの液
体6が、上記IPA用通路3b,3bへの液相のIPA
の供給を一度に遮断可能な手動弁13を配置した1つの
通路を経て、手動弁13以降は2つの通路に分岐され
て、流量計14,14、手動弁15,16、第8,9エ
アーオペレートバルブ71,72、供給するIPA中の
ゴミなどを除去するフィルタ70,70を介して、図1
の左右に配置したミスト噴霧装置3,3にそれぞれ供給
される。なお、12はIPA圧送タンク用リリーフ弁で
ある。第8,9エアーオペレートバルブ71,72は、
制御装置41の制御に基きそれぞれの通路の開閉動作を
行うものである。手動弁15,16は、左右それぞれの
ミスト噴霧装置3,3用の通路に配置され、それぞれの
流量計14,14で検出されたそれぞれの通路でのIP
Aの液体の流量に基づき、IPAの液体の流量をそれぞ
れ手動で調整することにより、左右のミスト噴霧装置
3,3から上記乾燥室1内の上記純水40の液面上の第
1閉鎖空間4内にミストを噴霧するとき、左右のミスト
噴霧状態のバランスを調整できるようにしている。
【0047】なお、上記第1実施形態では、第8,9エ
アーオペレートバルブ71,72は、制御装置41の制
御により、それぞれの通路の開閉動作を単に行うものと
して説明したが、手動弁15,16の機能をも取り込ん
で手動弁15,16を省略し、制御装置41の制御動作
により、流量計14,14により検出されたそれぞれの
通路のIPAの液体の流量に基き、所定流量が供給され
るようにそれぞれ調整する流量自動調整弁として機能さ
せるようにしてもよい。
【0048】なお、左右のミスト噴霧装置3,3の噴霧
部31,31のそれぞれにIPAミストを供給すると
き、各噴霧部31の一端側から他端閉塞部に向けて一方
向にIPAミストをIPAミスト用供給通路3c内に供
給させればよい。このようなものでは構造が簡単なもの
となるという利点がある。
【0049】上記第1エアーオペレートバルブ54、第
2エアーオペレートバルブ9、第3エアーオペレートバ
ルブ56、第4エアーオペレートバルブ7、第5エアー
オペレートバルブ20、第6エアーオペレートバルブ2
1、第7エアーオペレートバルブ11、第8エアーオペ
レートバルブ71、第9エアーオペレートバルブ72、
第10エアーオペレートバルブ53は、それぞれ、制御
装置41に接続されており、制御装置41の制御によ
り、所定のプログラムなどに基づいて、自動的に、オー
バーフロー部1aからの純水の排出、第2閉鎖空間29
からの気体の排出、乾燥室1の収容部1bへの純水の供
給及び排出、第1閉鎖空間4への窒素ガス及びIPAの
液体のそれぞれの供給、従って、IPAミストの噴霧状
態、乾燥室1内の第1閉鎖空間4内からの排気量、純水
40の排出量、第1閉鎖空間4と第2閉鎖空間29との
圧力バランスの自動調整などを動作制御できるようにし
ている。
【0050】上記構成によれば、制御装置41の制御動
作に基き、以下のようにしてウェハの乾燥動作が行われ
る。
【0051】図6において、まず、キャリアで支持され
たウェハ2,…,2を乾燥室1の収容部1b内に配置す
る。このとき、乾燥室1の上方の第1閉鎖空間4には窒
素ガス供給管32の窒素ガス用通路3aから窒素ガスの
みを上記噴霧装置本体30に供給して上記噴霧装置本体
30から窒素ガスを噴出させて窒素ガス雰囲気に維持さ
れているとともに、乾燥室1の収容部1b内には純水が
純水供給部55から供給され続けており、収容部1b内
からオーバーフローした純水はオーバーフロー部1aに
流れ込み、さらに、オーバーフロー部1aからオーバー
フローした純水は処理シンク50内に流れ落ちている。
このようにして、収容部1b内には純水が満杯になつた
状態に維持されており、このような収容部1b内に、キ
ャリアで支持されたウェハ2,…,2を浸漬するように
する。浸漬時に収容部1b内からオーバーフローした純
水はオーバーフロー部1aを経て処理シンク50内に流
れ込む。上記したように、純水供給部55から純水が、
ウェハ2,…,2が収容されている乾燥室1の収容部1
b内に供給され続けることにより、純水40によりウェ
ハ2,…,2が洗浄され、洗浄された純水は収容部1b
からオーバーフロー部1aを介して処理シンク50内に
流れ落ちる。処理シンク50内に溜まった純水は、逆流
防止用トラップ61a付きの排出通路61から常時排出
される。また、このとき、オーバーフロー部1a内の純
水内に仕切り壁51の先端が入り込んでいることから、
乾燥室1の上方でかつ処理シンク50の上部と蓋52と
で閉塞された第1閉鎖空間4と、乾燥室1の側方及び下
方で処理シンク50により閉塞された第2閉鎖空間29
とが、オーバーフロー部1a内の純水と仕切り壁51と
により、分離独立される。なお、このとき、排気通路4
4は第2エアーオペレートバルブ9により閉じられてい
る。
【0052】次いで、純水によるウェハ2,…,2の洗
浄が充分に行われたのち、図7に示すように、制御装置
41の制御に基き、乾燥室1への純水の供給が停止さ
れ、ミスト噴霧装置3,3に窒素ガスと液相のIPAと
が供給されてIPAミストがミスト噴霧装置3,3から
上記乾燥室1内の上記純水40の液面上の第1閉鎖空間
4内に噴射される。IPAミストは、例えば、1台のミ
スト噴霧装置3あたり約2〜3cc/minの噴射速度
で上記第1閉鎖空間4内に噴霧させる。IPAミストを
噴霧させる方向、すなわち、各噴射孔93dの軸方向
は、若干下向きとして純水40内のウェハ2に大略向か
う方向(詳細には隣接するウェハ2,2間の空間でかつ
ウェハ2の中心に相当する位置に向かう方向)として、
純水40の液面上に均一にIPAミストが保持されるよ
うにするのが好ましい。このとき、乾燥室1の第1閉鎖
空間4内の圧力が第2閉鎖空間29内の圧力と比較して
所定圧力以上に高くなったときには、制御装置41の制
御により第10エアーオペレートバルブ53を開いて第
2閉鎖空間29内にIAPミストを排出して、第1閉鎖
空間4内の圧力を低下させて、上記所定圧力を維持する
ようにする。
【0053】次いで、所定時間経過後、第1閉鎖空間4
内にIPAミストが充満したのち、制御装置41の制御
に基き、第2エアーオペレートバルブ9により排気通路
44を開き、手動弁8で調整された流量の気体が第2閉
鎖空間29から排出可能とし、かつ、図8に示すよう
に、乾燥室1の収容部1bの底部から第4エアーオペレ
ートバルブ7の開操作により排出通路45から純水が、
処理シンク50内すなわち第2閉鎖空間29内に徐々に
排出開始されて、乾燥室1内の上記純水40の液面が低
下させる。すなわち、このように上記第1閉鎖空間4の
純水40の液面付近がIPAミストで覆われた状態が保
持できるようにIPAミストを噴霧し続けている状態
で、制御装置41の制御により、第4エアーオペレート
バルブ7を開けて、純水40を乾燥室1の収容部1b内
から徐々に排出を開始する。排出速度の例としては、I
PAミストを例えば、1台のミスト噴霧装置3あたり約
2〜3cc/minの噴射速度で噴出させて噴霧させる
とき、純水40の液面が1秒間に2mm程度低下するよ
うな速度とする。
【0054】その結果、各ウェハ2の上部が純水40か
ら露出することになるが、各ウェハ表面が酸素に触れて
自然酸化することなく、上記純水40の液面に均一に噴
霧され続けているIPAミストが各ウェハ2の表裏両面
に付着した純水とすぐに置換される。また、IPAミス
トの温度は、各ウェハ2の温度すなわち常温よりも高
い、好ましくは少なくとも5℃以上高い、より好ましく
は5℃から60℃高くなっているため、迅速に乾燥す
る。その後、上記各ウェハ2の表裏両面から上記IPA
が自然に蒸発することにより、上記各ウェハ2の表裏両
面が乾燥される。
【0055】次いで、図9に示すように、上記各ウェハ
2が純水40から完全に露出して、IPAミストが各ウ
ェハ2の表裏両面に付着した純水とすぐに置換され、上
記各ウェハ2の表裏両面から上記IPAが自然に蒸発す
ることにより、上記各ウェハ2の表裏両面が完全に乾燥
される。その後、制御装置41の制御に基き、液相のI
PAのミスト噴霧装置3,3への供給のみを停止し、窒
素ガスのみをミスト噴霧装置3,3を供給して、ミスト
噴霧装置3,3から窒素ガスを各ウェハ2の表裏両面に
供給して、ブロー乾燥したのち、キャリアで支持された
ウェハ2,…,2を乾燥室1の収容部1b内から取り出
す。このとき、純水は、純水供給部55から少量だけ収
容部1b内に供給し、収容部1b内に溜まらずにすぐに
排出通路45から排出されるようにしている。このと
き、窒素ガスも純水とともに排出通路45から排出され
ることにより、ブロー乾燥において、第1閉鎖空間4内
の圧力が異常に高まるのを防止している。
【0056】その後、ウェハ2,…,2を乾燥室1の収
容部1b内から完全に取り出されたのち、次のウェハ
2,…,2の乾燥に備えて、排出通路45を閉じて純水
を収容部1b内に溜めて、収容部1b内から再びオーバ
ーフロー部1aにオーバーフローさせる。
【0057】以上の動作を繰り返すことにより、連続的
にウェハ2,…,2の乾燥を行うことができる。
【0058】上記第1実施形態によれば、IPAミスト
形成部34において窒素ガスと液相のイソプロピルアル
コールとを予め混合させてミスト状態のイソプロピルア
ルコールのIPAミストを形成したのち、IPAミスト
をIPAミスト噴霧部37にIPAミスト用供給通路9
3cにより供給して、各噴射孔93dからIPAミスト
を各ウェハ2に向けて噴射できるようにしたので、窒素
ガス供給通路と液相のイソプロピルアルコール供給通路
との2本の通路を備える必要がなく、かつ、各噴射部分
においてミスト状のイソプロピルアルコールの窒素ガス
とイソプロピルアルコールとの混合比率を安定させるこ
とができる。よって、噴射孔からミスト状になり得ずに
液体として落下してしまう、液体のボタ落ち現象がなく
なり、安定してIPAミストを噴射させることができ
る。
【0059】また、ウェハ2が浸漬された純水の液面上
にIPAのミストが常時保持されるようにしているの
で、ウェハ2の上部が純水40から露出することになる
が、ウェハ表面が酸素に触れて自然酸化することなく、
上記純水40の液面に均一に供給されているIPAミス
トがウェハ2の表裏両面に付着した純水とすぐに置換さ
れる。また、IPAミストの温度は、ウェハ2の温度す
なわち常温よりも高い、好ましくは少なくとも5℃以上
高い、より好ましくは5℃から60℃高くなっているた
め、IPAがウェハ2の表裏両面に凝着しやすくなり、
ウェハ2の表裏両面に付着した純水とすぐに置換されや
すくなる上に、ウェハ2の表裏両面が迅速に乾燥する。
よって、常温のウェハの表面の純水と常温のIPAとを
置換させたのち、常温のIPAを乾燥させる従来の場合
よりも乾燥時間が早くなり、乾燥効率を高めることがで
きる。また、ミスト状態で純水40の液面に噴霧させる
ため、IPAを蒸気で供給する従来の場合と比較して、
IPAの消費量を大幅に減少させることができる。ま
た、IPAを蒸気で供給する場合には蒸気状態を保持す
るため配管の外側を断熱材で覆うなどする必要がある
が、本第1実施形態では、単に例えば常温の液相のIP
Aを左右のミスト噴霧装置3,3のそれぞれに供給すれ
ばよいので、配管を断熱材で覆う必要はなく、装置が簡
単なものとなる。また、IPAを蒸気化するときには加
熱するためのエネルギーが必要であるが、本実施形態で
は、ミスト噴霧装置3から窒素ガスとIPAとを噴射さ
せるだけのエネルギーがあれば十分であり、安価でかつ
簡単な装置構成でもってIPAのミストを形成すること
ができる。
【0060】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その他種々の態様で実施できる。
【0061】例えば、上記ミスト噴霧装置3は図2のも
のに限定されるものではなく、本発明の第2実施形態に
かかるウェハ乾燥方法を実施するウェハ乾燥装置とし
て、図10〜図14に示すようなミスト噴霧装置23で
もよい。すなわち、上記各ミスト噴霧装置3は、図10
から図14に示すように、フッ素樹脂からなる直方体状
の噴霧装置本体30と、噴霧装置本体30から延在しか
つ断面が図12において上下方向に細長くかつ下向きに
尖った5角形状でかつ長尺なフッ素樹脂からなるIPA
ミスト噴霧部31とにより大略構成されている。
【0062】上記噴霧装置本体30には窒素ガス供給管
32とIPA用供給管33が連結されて、噴霧装置本体
30内に形成された空間であるIPAミスト形成部34
に、窒素ガス供給管32の窒素ガス用通路3aから窒素
ガスが供給されるとともにIPA用供給管33のIPA
用通路3bから液相のIPAが供給されて、ミスト状の
IPA(IPAミスト)がIPAミスト形成部34で形
成される。
【0063】一方、上記噴霧部31内には、その長手方
向沿いに延び、かつ、図11及び図12における上下方
向の断面が矩形の空間である供給管配置部35が形成さ
れている。その供給管配置部35内には、IPA用供給
通路3cを内部に形成したフッ素樹脂からなるIPAミ
スト供給管36を配置する。このIPA用供給通路3c
には、噴霧装置本体30のIPAミスト形成部34で形
成されたIPAミストが供給される。上記IPAミスト
供給管36には、図11及び図12における下部側に所
定間隔毎に開口3gを有して、該開口3g,…,3gを
介してIPA用供給通路3cにより供給されたIPAミ
ストを噴射可能としている。噴霧部31には、各開口3
gに対応してミスト噴射方向制御用通路3kを形成して
いる。このミスト噴射方向制御用通路3kは、少なくと
も、上記噴霧部長手方向と直交する方向(図11及び図
12の下向き)沿いに開口3gから延びて噴射孔3dま
で延在しかつ直線的に案内するミスト噴射方向制御用直
進通路3hを備えるものであるが、本実施形態では、ミ
スト噴射方向制御用直進通路3hの位置と開口3gの位
置との位置ずれを吸収できるようにするため、上記噴霧
部長手方向と直交する方向(図11及び図12の下向
き)沿いに開口3gから延びた先すぼまり状のミスト噴
射方向制御用ミスト案内通路3fを備え、各ミスト案内
通路3fの先端に上記ミスト噴射方向制御用直進通路3
hを連結してミストを直線的に案内するようにしてい
る。よって、ミスト噴射方向制御用直進通路3hの位置
と開口3gの位置との位置ずれがほとんどない場合に
は、上記ミスト噴射方向制御用ミスト案内通路3fを省
略して、上記ミスト噴射方向制御用直進通路3hからの
み構成するようにしてもよい。上記直進通路3hの長さ
は、噴射孔3dから、隣接するウェハ2,2間の空間で
かつウェハ2の中心に相当する位置までの距離と、IP
Aミストの噴射速度などを考慮して、決定する。各直進
通路3hと噴射孔3dとの軸方向は、各ウェハ2に大略
向けて、すなわち、詳細には隣接するウェハ2,2間の
空間でかつウェハ2の中心に相当する位置に向けて配置
されている。また、上記ミスト案内通路3fの上端部に
は、噴霧部31の外部と上記ミスト案内通路3fの上端
部とを連通する一対の噴射促進用通路3e,3eが上記
開口3g従ってミスト案内通路3fに対して対称に配置
している。なお、噴射促進用通路3eとしては、このよ
うに左右一対対称で設けるほうが、バランスが良く、噴
射促進に寄与することができるが、いずれか一方でもよ
い。また、噴射促進用通路3eを特別に形成することな
く、噴射促進用通路3eが配置されている部分を多孔質
材料より構成して、噴射促進用気体を流入可能としても
よい。よって、IPA用供給通路3cにより供給された
IPAミストが各開口3gからミスト案内通路3f内に
噴射されるとき、一対の噴射促進用通路3e,3eから
噴霧部31の外部の気体がミスト案内通路3f内に取り
込まれて、IPAミストがミスト案内通路3fから直進
通路3hを通って噴射孔3dから噴射される上記IPA
ミストの噴射を促進させる、すなわち、噴射をさらに加
速させるようにしている。そして、上記ウェハ2,…,
2に対して左右に配置された上記一対のミスト噴霧装置
3,3の各々の各直進通路3hの軸方向が、所定間隔を
空けて配置された例えば50枚程度のウェハ2,…,2
のうちの隣接ウェハ2,2間の空間に向けられるよう
に、上記一対のミスト噴霧装置3,3を配置するととも
に、乾燥室1の収容部1b内の両端のウェハ2の外側に
も上記一対のミスト噴霧装置3,3の各々の各直進通路
3hの軸方向が向けられるように上記一対のミスト噴霧
装置3,3を配置するようにしている。この結果、全て
のウェハ2の表裏両面に対して、上記一対のミスト噴霧
装置3,3の各々の各噴射孔3dからIPAミストを噴
霧でき、かつ、純水40の液面上に均一にIPAミスト
が保持されるようにしている。また、直進通路3hが形
成されているため、直進通路3h部分で、各開口3gか
らミスト案内通路3f内に噴射されたIPAミストの方
向性が制御されて、直進通路3hの軸方向沿いに向けら
れてIPAミストが噴射孔3dから噴射制御されること
になり、IPAミストの噴射方向性が大きく改善される
ことになる。なお、一対の噴射促進用通路3e,3eか
らミスト案内通路3f内に取り込まれる噴霧部31の外
部の気体はIPAミストである。なぜならば、噴霧部3
1がIPAミストで充満された第1閉鎖空間4内に配置
されているため、噴霧部31の外部のIPAミストが一
対の噴射促進用通路3e,3eからミスト案内通路3f
内に取り込まれることになるためである。
【0064】上記第2実施形態によれば、IPA用供給
通路3cから供給されたIPAミストが各開口3gから
ミスト案内通路3f内に噴射されると、ミスト案内通路
3fからさらに噴射方向沿いに軸方向が配置された直進
通路3hを通して噴射孔3dから噴射されるため、直進
通路3h部分で、各開口3gからミスト案内通路3f内
に噴射されたIPAミストの方向性が制御されて、直進
通路3hの軸方向沿いに向けられてIPAミストが噴射
孔3dから直進性良く、噴射制御されることになり、I
PAミストの噴射方向における直進性が大きく改善され
ることになる。
【0065】ここで、従来においては、IPA用噴出通
路の内径は、機械加工上の制限から、最低でも0.2m
mとする必要があり、さらにその長さは最大でも2mm
程度しか形成することができず、IPAミストの噴射時
の直進性すなわち方向性を改善することが望まれてた。
これに対して、上記第2実施形態では、直進通路3hを
備えることにより、上記したように、IPAミストの噴
射時の直進性すなわち方向性を改善させることができ
る。例えば、具体的な例としては、IPAミスト供給管
の内径が0.2mm、外径が3mm、IPAミスト供給
管の中心から上端までの寸法を10mm、IPAミスト
供給管の開口のピッチは6.35mmとするとき、IP
Aミスト供給管の中心から噴射孔端までの寸法(ミスト
案内通路と噴射方向制御用通路との合計寸法であって、
従来のIPA用噴出通路に相当する寸法)を20mmと
することができる。このときの噴射促進用通路の内径は
1mm、IPAミスト供給管の開口近傍のミスト案内通
路の内径は5mm、噴射方向制御用通路の内径は1.5
〜2.0mmとすることができる。よって、従来と比較
して、大幅にIPA用噴出通路を長くすることができ
て、IPAミストの噴射時の直進性すなわち方向性を改
善させることができる。
【0066】また、IPA用供給通路3cから供給され
たIPAミストが各開口3gからミスト案内通路3f内
に噴射されるとき、一対の噴射促進用通路3e,3eか
ら噴霧部31の外部の気体がミスト案内通路3f内に取
り込まれて、IPAミストがミスト案内通路3fから直
進通路3hを通って噴射孔3dから噴射される上記IP
Aミストの噴射を促進させるようにしている。よって、
上記を噴射孔3dから噴射される上記IPAミストの噴
射方向の制御をより向上させることができる。
【0067】さらに、本発明の第3実施形態にかかるウ
ェハ乾燥方法を実施するウェハ乾燥装置として、図15
に示すように、第1実施形態の噴射孔93dの内径を所
定領域毎に変更するようにしてもよい。すなわち、左右
のミスト噴霧装置3,3の噴霧部37,37のそれぞれ
にIPAミストを供給するとき、各IPA噴霧部37の
一端側から他端閉塞部に向けて一方向にIPAミストを
IPAミスト用供給通路93c内に供給するとき、IP
Aミスト用供給通路93c内で圧力損失が生じて全ての
噴射孔93d,…,93dからIPAミストを均一に噴
射させることができない場合、IPAミスト供給管13
6をある長さ毎の領域A1,A2,A3,A4に区分け
し、領域A1での第1噴射孔93d〜第14噴射孔93
dまでの各噴射孔93dの内径をD1とし、領域A2で
の第15噴射孔93d〜第28噴射孔93dまでの各噴
射孔93dの内径をD2とし、領域A3での第29噴射
孔93d〜第41噴射孔93dまでの各噴射孔93dの
内径をD3とし、領域A4での第42噴射孔93d〜第
54噴射孔93dまでの各噴射孔93dの内径をD4と
し、D1<D2<D3<D4となるようにしてもよい。
例えば、D1=0.15mm、D2=0.2mm、D3
=0.25mm、D4=0.3mmとして、0.15<
0.2<0.25<0.3としてもよい。このようにす
ることにより、各IPA噴霧部37の一端側から他端閉
塞部に向けて一方向にIPAミストをIPAミスト用供
給通路3c内に供給しても、各IPA噴霧部37の一端
側よりも他端側の方が、噴射孔の内径が大きいため、各
IPA噴霧部の一端側よりも他端側の方においてIPA
ミストの噴射流量が大きくすることができて、IPAミ
スト用供給通路3c内での圧力損失による噴射孔3d,
…,3dから噴射されるIPAミストの不均一性を低減
又は解消させることができる。この実施形態では、噴射
孔の加工しやすさの見地から所定間隔毎に領域に区分け
したが、領域に区分けすることなく、徐々に内径を大き
くしてもよいし、所定間隔毎ではなく、任意の領域毎に
内径を変更するなど、上記実施形態に限られるものでは
ない。また、第1実施形態に適用するものに限らず、第
2実施形態のIPAミスト供給管36の開口3gの内径
に対して適用することもできる。また、第1実施形態及
び第2実施形態のそれぞれにおいて、左右のミスト噴霧
装置3,3の噴霧部31,31,37,37のそれぞれ
にIPAミストを供給するとき、各噴霧部31,37の
一端側から他端閉塞部に向けて一方向にIPAミストを
IPAミスト用供給通路3c,93c内に供給させるだ
けでなく、各噴霧部31,37の一端側と他端側の両方
から同時に両者の中間に向けてIPAミストをIPAミ
スト用供給通路3c,93c内に供給するようにして、
IPAミスト用供給通路3c,93c内で圧力損失を防
止して、IPAミストを均一に噴射孔3d,…,3dか
ら噴射させることができるようにしてもよい。
【0068】また、本発明の第4実施形態にかかるウェ
ハ乾燥方法を実施するウェハ乾燥装置として、上記開口
3g又は噴射孔93dの内径を変更させる代わりに、又
は、そのような内径の変更させることに加えて、図16
及び図17に示すように、直進通路3hの長さを変更す
るようにしてもよい。すなわち、左右のミスト噴霧装置
3,3の噴霧部31,31のそれぞれにIPAミストを
供給するとき、各IPA噴霧部31の一端側から他端閉
塞部に向けて一方向にIPAミストをIPAミスト用供
給通路3c内に供給するとき、IPAミスト用供給通路
3c内で圧力損失が生じて全ての噴射孔3d,…,3d
からIPAミストを均一に噴射させることができない場
合、IPA噴霧部31をある長さ毎の領域B1,B2,
B3,B4に区分けし、領域B1での第1直進通路3h
〜第14直進通路3hまでの各直進通路3hの長さをL
1とし、領域B2での第15直進通路3h〜第28直進
通路3hまでの各直進通路3hの長さをL2とし、領域
B3での第29直進通路3h〜第41直進通路3hまで
の各直進通路3hの長さをL3とし、領域B4での第4
2直進通路3h〜第54直進通路3hまでの各直進通路
3hの長さをL4とし、L1<L2<L3<L4となる
ようにしてもよい。例えば、L1=4mm、L2=8m
m、L3=12mm、L4=15mmとして、4<8<
12<15としてもよい。このようにすることにより、
各IPA噴霧部37の一端側から他端閉塞部に向けて一
方向にIPAミストをIPAミスト用供給通路3c内に
供給しても、各IPA噴霧部37の一端側よりも他端側
の方が、直進通路3hの長さが大きいためIPAミスト
の噴射直進性を向上させることができて、IPAミスト
用供給通路3c内での圧力損失による噴射孔3d,…,
3dから噴射されるIPAミストの直進性の低下を低減
又は解消させることができる。
【0069】また、上記第4実施形態にかかるウェハ乾
燥方法を実施するウェハ乾燥装置において示すように、
さらに、各IPA噴霧部31を、各IPA噴霧部31と
同一の機能を有する第1のIPA噴霧部131と、第1
のIPA噴霧部131のIPAミスト供給管36の噴射
側とは反対側に、IPAミストを噴霧させて、第1閉鎖
空間4にIPAミスト雰囲気をより確実に形成させる第
2のIPAミスト噴霧部103とより構成するようにし
てもよい。第2のIPAミスト噴霧部103は、多孔質
のフッ素樹脂製の直方体状の噴霧本体140と、噴霧本
体140の長手方向沿いに断面円形に形成された空間で
ある供給管配置部135内に配置され、かつ、1本の窒
素ガス兼IPA用通路103cを有するとともに、90
度間隔毎に4個一組の貫通孔103g,103g,10
3g,103gを多数形成した窒素ガス兼IPA用供給
管236を配置している。よって、上記各噴射孔3dか
らIPAミストをウェハ2に向けて噴射するとき、窒素
ガス兼IPA用通路103cの図16の一端から液相の
IPAを供給し、他端から窒素ガスを供給して窒素ガス
兼IPA用通路103c内でIPAミストを形成して、
窒素ガス兼IPA用供給管236の貫通孔103g,
…,103gから多孔質のフッ素樹脂製の直方体状の噴
霧本体140内に噴射させる。噴霧本体140は、図1
7において、その上端面以外は第1のIPA噴霧部13
1を構成する多孔質でないフッ素樹脂で覆われているた
め、上端面以外からはIPAミストを噴霧させることが
できず、上端面のみからIPAミストを噴霧させること
ができるようになっている。よって、窒素ガス兼IPA
用供給管236の貫通孔103g,…,103gから噴
霧本体140内に噴射されたIPAミストは、図17に
おいて、噴霧本体140の上端面から上方に向けてIP
Aミストを補助的に噴霧させることができ、第1閉鎖空
間4でのIPAミスト雰囲気をより確実に維持させるこ
とができる。
【0070】また、上記各実施形態において、上記乾燥
室1から上記純水40を排出させる代わりに、上記ウェ
ハ2を上記乾燥室1内で上昇させて、上記乾燥室1内で
上記純水40から上記ウェハ2が液面より上方に露出す
るようにしてもよい。
【0071】
【発明の効果】本発明によれば、IPAミスト形成部に
おいて窒素ガスと液相のイソプロピルアルコールとを予
め混合させてミスト状態のイソプロピルアルコールのI
PAミストを形成したのち、IPAミストをIPAミス
ト噴霧部にIPAミスト用供給通路により供給して、各
噴射孔からIPAミストを各ウェハに向けて噴射できる
ようにしたので、窒素ガス供給通路と液相のイソプロピ
ルアルコール供給通路との2本の通路を備える必要がな
く、かつ、各噴射部分においてミスト状のイソプロピル
アルコールの窒素ガスとイソプロピルアルコールとの混
合比率を安定させることができる。よって、噴射孔から
ミスト状になり得ずに液体として落下してしまう、液体
のボタ落ち現象がなくなり、安定してIPAミストを噴
射させることができる。
【0072】また、ウェハが浸漬された純水の液面上に
IPAのミスト、すなわち、窒素をキャリアとするので
はなく、IPA自体が単体で窒素ガス中を浮遊している
状態が常時保持されるようにしているので、ウェハの上
部が純水から露出することになるが、ウェハ表面が酸素
に触れて自然酸化することなく、上記純水の液面に均一
に供給されているIPAミストがウェハの表裏両面に付
着した純水とすぐに置換される。また、IPAミストの
温度は、ウェハの温度すなわち常温よりも高い、好まし
くは少なくとも5℃以上高い、より好ましくは5℃から
60℃高くなっているため、IPAがウェハの表裏両面
に凝着しやすくなり、ウェハの表裏両面に付着した純水
とすぐに置換されやすくなる上に、ウェハの表裏両面が
迅速に乾燥する。
【0073】よって、常温のウェハの表面の純水と常温
のIPAとを置換させたのち、常温のIPAを乾燥させ
る従来の場合よりも乾燥時間が早くなり、乾燥効率を高
めることができる。また、ミスト状態で純水の液面に噴
霧させるため、IPAを蒸気で供給する従来の場合と比
較して、IPAの消費量を大幅に減少させることができ
る。また、IPAを蒸気で供給する場合には蒸気状態を
保持するため配管の外側を断熱材で覆うなどする必要が
あるが、本発明では、単に例えば常温の液相のIPAを
左右のミスト噴霧装置のそれぞれに供給すればよいの
で、配管を断熱材で覆う必要はなく、装置が簡単なもの
となる。また、IPAを蒸気化するときには加熱するた
めのエネルギーが必要であるが、本発明では、ミスト噴
霧装置から窒素ガスとIPAとを噴射させるだけのエネ
ルギーがあれば十分であり、安価でかつ簡単な装置構成
でもってIPAのミストを形成することができる。
【0074】また、本発明の別の構成によれば、IPA
用供給通路から供給されたIPAミストが各開口からミ
スト案内通路内に噴射されると、ミスト案内通路からさ
らに噴射方向沿いに軸方向が配置された直進通路を通し
て噴射孔から噴射されるため、直進通路部分で、各開口
からミスト案内通路内に噴射されたIPAミストの方向
性が制御されて、直進通路の軸方向沿いに向けられてI
PAミストが噴射孔から直進性良く、噴射制御されるこ
とになり、IPAミストの噴射方向における直進性が大
きく改善されることになる。
【0075】また、IPA用供給通路から供給されたI
PAミストが各開口からミスト案内通路内に噴射される
とき、噴射促進用通路から噴霧部外部の気体がミスト案
内通路内に取り込まれて、IPAミストがミスト案内通
路から直進通路を通って噴射孔から噴射される上記IP
Aミストの噴射を促進させるようにしている。よって、
上記を噴射孔から噴射される上記IPAミストの噴射方
向の制御をより向上させることができる。
【0076】また、本発明の別の構成によれば、各IP
A噴霧部の一端側から他端閉塞部に向けて一方向にIP
AミストをIPAミスト用供給通路内に供給するとき、
各IPA噴霧部の一端側よりも他端側の方が噴射孔の内
径を大きくすることにより、各IPA噴霧部の一端側よ
りも他端側の方においてIPAミストの噴射流量が大き
くすることができて、IPAミスト用供給通路内での圧
力損失による噴射孔から噴射されるIPAミストの不均
一性を低減又は解消させることができる。
【0077】また、本発明の別の構成によれば、各IP
A噴霧部の一端側から他端閉塞部に向けて一方向にIP
AミストをIPAミスト用供給通路内に供給するとき、
各IPA噴霧部の一端側よりも他端側の方が、直進通路
の長さが大きくなるように構成すれば、各IPA噴霧部
の一端側よりも他端側の方においてIPAミストの噴射
直進性を向上させることができて、IPAミスト用供給
通路内での圧力損失による噴射孔から噴射されるIPA
ミストの直進性の低下を低減又は解消させることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態にかかるウェハ乾燥装
置の一部断面の概略平明図である。
【図2】 図1のウェハ乾燥装置の一部断面の概略側面
図である。
【図3】 図1のウェハ乾燥装置において各流体の供給
方法を含めたウェハ乾燥装置の概略図である。
【図4】 上記ウェハ乾燥装置のミスト噴霧装置の一部
断面平面図である。
【図5】 上記ウェハ乾燥装置のミスト噴霧装置のIP
Aミスト噴霧部の断面側面図である。
【図6】 図1のウェハ乾燥装置のオーバーフローリン
ス状態での概略図である。
【図7】 図1のウェハ乾燥装置のIPA及び窒素ガス
供給状態での概略図である。
【図8】 図1のウェハ乾燥装置の排水及び窒素ガスブ
ロー状態での概略図である。
【図9】 図1のウェハ乾燥装置の蓋開及びウェハ取り
出し状態での概略図である。
【図10】 本発明の第2実施形態にかかるウェハ乾燥
装置のミスト噴霧装置の底面図である。
【図11】 上記第2実施形態にかかるウェハ乾燥装置
のミスト噴霧装置の図10のA−A線の断面側面図であ
る。
【図12】 上記第2実施形態にかかるウェハ乾燥装置
のミスト噴霧装置の図11のC−C線の断面正面図であ
る。
【図13】 上記第2実施形態にかかるウェハ乾燥装置
のミスト噴霧装置の側面図である。
【図14】 上記第2実施形態にかかるウェハ乾燥装置
のミスト噴霧装置の図13のB−B線の断面平面図であ
る。
【図15】 本発明の第3実施形態にかかるウェハ乾燥
装置のミスト噴霧装置の一部断面側面図である。
【図16】 本発明の第4実施形態にかかるウェハ乾燥
装置のミスト噴霧装置の一部断面側面図である。
【図17】 図16のウェハ乾燥装置のミスト噴霧装置
の断面正面図である。
【符号の説明】
1…乾燥室、1a…オーバーフロー部、2…ウェハ、3
…ミスト噴霧装置、3a…窒素ガス用通路、3b…IP
A用通路通路、3c…IPA用供給通路、3d…噴射
孔、3e…噴射促進用通路、3f…ミスト噴射方向制御
用ミスト案内通路、3d…噴射孔、3g…開口、3h…
ミスト噴射方向制御用直進通路、3k…ミスト噴射方向
制御用通路、4…第1閉鎖空間、5…IPA圧送タン
ク、6…液体、7…第4エアーオペレートバルブ、8…
手動弁、9…第2エアーオペレートバルブ、10…減圧
弁、11…第7エアーオペレートバルブ、12…IPA
圧送タンク用リリーフ弁、13…手動弁、14…流量
計、15,16…手動弁、17…減圧弁、18…手動
弁、19…流量計、20,21…第5,6エアーオペレ
ートバルブ、23…ミスト噴霧装置、23a…窒素ガス
用通路、23c…IPA用通路、23e…噴出面、24
…多孔質のフッ素樹脂製の直方体状の本体、29…第2
閉鎖空間、30…噴霧装置本体、31…噴霧部、32…
窒素ガス供給管、33…IPA用供給管、34…IPA
ミスト形成部、35…供給管配置部、36…IPAミス
ト供給管、36c…IPA用供給通路、37…IPAミ
スト噴霧部、40…純水、41…制御装置、44…排出
通路、45…排出通路、50…処理シンク、51…仕切
り壁、52…蓋、53…第10エアーオペレートバル
ブ、54…第1エアーオペレートバルブ、55…純水供
給部、56…第3エアーオペレートバルブ、57…手動
弁、58…純水供給通路、59…流量計、60…手動
弁、61…排出通路、61a…トラップ、70…フィル
タ、71…第8エアーオペレートバルブ、72…第9エ
アーオペレートバルブ、73…ヒータ、74…フィル
タ、75,76…手動弁、77,78…圧力計、93c
…IPA用供給通路、93d…噴射孔、103…第2の
IPAミスト噴霧部、103c…窒素ガス兼IPA用通
路、103g…貫通孔、131…第1のIPA噴霧部、
135…供給管配置部、136…IPAミスト供給管、
140…噴霧本体、236…窒素ガス兼IPA用供給
管。
フロントページの続き (72)発明者 前田 徳雄 奈良県大和郡山市今国府町6番2号 東 邦化成株式会社内 (72)発明者 粟飯原 大 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工 業株式会社堺製作所金岡工場内 (72)発明者 大野 正雄 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工 業株式会社堺製作所金岡工場内 (72)発明者 泉谷 直昭 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工 業株式会社堺製作所金岡工場内 (56)参考文献 特開 平9−86331(JP,A) 特開 平9−294943(JP,A) 特開 平10−12585(JP,A) 特開 平11−28349(JP,A) 特開 平11−87303(JP,A) 特開2000−223466(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 21/304 B05B 7/04 B08B 3/04 F26B 5/16

Claims (7)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 窒素ガスと液相のイソプロピルアルコー
    ルとを混合させてミスト状態のイソプロピルアルコール
    のIPAミストを形成するIPAミスト形成部(34)
    と、 IPAミスト噴射側に複数のIPAミスト噴射孔(3
    d,93d)を有し、かつ、上記IPAミスト形成部で
    形成された上記IPAミストを上記IPAミスト噴射孔
    からウェハに向けて噴射させるIPAミスト噴霧部(3
    1,37)とを備え、 上記IPAミスト噴霧部(31)は、 IPAミスト噴射側に所定間隔をおいて開口(3g)を
    有し、かつ、上記IPAミスト形成部で形成されたIP
    Aミストを供給するIPAミスト供給管(3c,3f)
    と、 上記IPAミスト供給管の上記開口側を除く部分に形成
    され、外部の気体を取り込んで上記IPAミスト供給管
    の上記開口から噴射される上記IPAミストの噴射を促
    進させる噴射促進用通路(3e)と、 上記IPAミスト供給管の上記開口側に配置され、か
    つ、上記IPAミスト供給管の上記開口から上記IPA
    ミスト噴射孔を介して上記ウェハに向けて噴射される上
    記IPAミストの噴射方向に直線的に延びた噴射方向制
    御用通路(3k)とを備えるようにしたウェハ乾燥装置
    用IPAミスト噴霧装置。
  2. 【請求項2】 上記噴射方向制御用通路(3k)は、少
    なくとも、上記噴霧部長手方向と直交する方向沿いに上
    記IPAミスト供給管の上記開口(3g)から延びて上
    記噴射孔(3d)まで延在しかつ直線的に案内するミス
    ト噴射方向制御用直進通路(3h)を備える請求項1に
    記載のウェハ乾燥装置用IPAミスト噴霧装置。
  3. 【請求項3】 上記噴射方向制御用通路(3k)は、上
    記噴霧部長手方向と直交する方向沿いに上記IPAミス
    ト供給管の上記開口(3g)から延びた先すぼまり状の
    ミスト噴射方向制御用ミスト案内通路(3f)と、上記
    ミスト噴射方向制御用ミスト案内通路に連結されて記噴
    射孔(3d)まで延在しかつ直線的に案内するミスト噴
    射方向制御用直進通路(3h)とを備える請求項1に記
    載のウェハ乾燥装置用IPAミスト噴霧装置。
  4. 【請求項4】 上記噴射促進用通路(3e)は、上記開
    口に関して対称に一対配置された請求項1〜3のいずれ
    かに記載のウェハ乾燥装置用IPAミスト噴霧装置。
  5. 【請求項5】 上記IPAミスト噴霧部の上記開口の内
    径は、上記IPAミスト形成部に近い上記IPAミスト
    噴霧部の部分よりも、上記IPAミスト形成部から遠い
    上記IPAミスト噴霧部の部分の方が大きい請求項1〜
    4のいずれかに記載のウェハ乾燥装置用IPAミスト噴
    霧装置。
  6. 【請求項6】 上記噴射方向制御用通路の長さは、上記
    IPAミスト形成部に近い上記IPAミスト噴霧部の部
    分よりも、上記IPAミスト形成部から遠い上記IPA
    ミスト噴霧部の部分の方が長い請求項3〜5のいずれか
    に記載のウェハ乾燥装置用IPAミスト噴霧装置。
  7. 【請求項7】 窒素ガスと液相のイソプロピルアルコー
    ルとを混合させてミスト状態のイソプロピルアルコール
    のIPAミストを供給しかつIPAミストをIPAミス
    ト噴射側とは異なる方向に向けてIPAミストを噴霧す
    るIPAミスト噴霧孔(103g)を有する第2のIP
    Aミスト噴霧部(103)をさらに備えるようにした請
    求項3〜6のいずれかに記載のウェハ乾燥装置用IPA
    ミスト噴霧装置。
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