JP2006005364A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006005364A JP2006005364A JP2005178960A JP2005178960A JP2006005364A JP 2006005364 A JP2006005364 A JP 2006005364A JP 2005178960 A JP2005178960 A JP 2005178960A JP 2005178960 A JP2005178960 A JP 2005178960A JP 2006005364 A JP2006005364 A JP 2006005364A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- treatment apparatus
- cooling
- heating plate
- droplet aerosol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 137
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 108
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 claims abstract description 72
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 11
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 39
- 239000000110 cooling liquid Substances 0.000 claims description 29
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 10
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 claims description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000009423 ventilation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B12/00—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area
- B05B12/08—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means
- B05B12/12—Arrangements for controlling delivery; Arrangements for controlling the spray area responsive to condition of liquid or other fluent material to be discharged, of ambient medium or of target ; responsive to condition of spray devices or of supply means, e.g. pipes, pumps or their drive means responsive to conditions of ambient medium or target, e.g. humidity, temperature position or movement of the target relative to the spray apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B7/00—Spraying apparatus for discharge of liquids or other fluent materials from two or more sources, e.g. of liquid and air, of powder and gas
- B05B7/02—Spray pistols; Apparatus for discharge
- B05B7/04—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge
- B05B7/0416—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid
- B05B7/0441—Spray pistols; Apparatus for discharge with arrangements for mixing liquids or other fluent materials before discharge with arrangements for mixing one gas and one liquid with one inner conduit of liquid surrounded by an external conduit of gas upstream the mixing chamber
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】 熱処理装置を提供する。
【解決手段】 ヒーターを含む加熱プレートと、加熱プレートの下部に結合されてその内部に冷却チャンバーが形成されるチャンバーケースと、チャンバーケースに設けられる、冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に液滴エアロゾルを冷却チャンバーの内部に噴射する少なくとも１つの噴霧手段とを備える。これにより、相変化熱伝達方式に加熱プレートを冷却させるので冷却性能に優れ、供給される液滴エアロゾルが損失されることがなく加熱プレートを所望の温度まで急速に冷却することができ、 排気装置を従来の液体冷却方式の熱処理装置より漏水の危険なしで簡単に構成することができ、１つのベークユニットにウェーハベーク工程と冷却工程を順次的に進行することができて半導体生産性を向上できる。
【選択図】図２
【解決手段】 ヒーターを含む加熱プレートと、加熱プレートの下部に結合されてその内部に冷却チャンバーが形成されるチャンバーケースと、チャンバーケースに設けられる、冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に液滴エアロゾルを冷却チャンバーの内部に噴射する少なくとも１つの噴霧手段とを備える。これにより、相変化熱伝達方式に加熱プレートを冷却させるので冷却性能に優れ、供給される液滴エアロゾルが損失されることがなく加熱プレートを所望の温度まで急速に冷却することができ、 排気装置を従来の液体冷却方式の熱処理装置より漏水の危険なしで簡単に構成することができ、１つのベークユニットにウェーハベーク工程と冷却工程を順次的に進行することができて半導体生産性を向上できる。
【選択図】図２
Description
本発明は、熱処理装置に係り、より詳しくは、半導体製造のためのフォトリソグラフィ工程で、基板を加熱した後、これを所望の温度に冷却するための冷却手段を備えた熱処理装置に関する。
半導体製造のためのフォトリソグラフィ工程では、ウェーハの表面にフォトレジストを塗布した後、これを加熱処理(pre-bake)を行うか、或いはフォトレジストを所定パターンに露光した後加熱処理(post-exposure bake)を行うなどの加熱工程が成される。
最近では、半導体製造が少品種大量生産から多品種大量生産に変化することによって、半導体種類別に異なるウェーハ熱処理温度が必要になる。従って、例えばウェーハの加熱が150℃で行われた後、次の工程が100℃の温度で行われるべき場合には、前記ウェーハができるだけ早く100℃に冷却されてこそ半導体の生産性を向上させ得る。
最近では、半導体製造が少品種大量生産から多品種大量生産に変化することによって、半導体種類別に異なるウェーハ熱処理温度が必要になる。従って、例えばウェーハの加熱が150℃で行われた後、次の工程が100℃の温度で行われるべき場合には、前記ウェーハができるだけ早く100℃に冷却されてこそ半導体の生産性を向上させ得る。
従来では、ウェーハを加熱板に加熱させた後、この加熱板を所定温度に冷却するために加熱板を大気中に放置することによって冷却させる自然冷却方式が利用されたが、これは低冷却性能により新たに設定された温度まで加熱板が冷却されるには、長時間が必要になる。
図１に、加熱板70を冷却する冷却手段を備えた従来の熱処理装置を示す。図１に示すように、加熱板70の下部には、冷却チャンバーを形成するケース66が設けられている。ここで、加熱板70の上面には、ウェーハWが置かれ、加熱板70の下面には、ウェーハWを加熱するためのヒーター71が設けられている。一方、冷却チャンバーの内部には、ケース66の通気部72を通じて入った冷却ガスを冷却チャンバーの内部に噴射して、ヒーター71により加熱された加熱板70を冷却するノズル74が設けられる。
図１に、加熱板70を冷却する冷却手段を備えた従来の熱処理装置を示す。図１に示すように、加熱板70の下部には、冷却チャンバーを形成するケース66が設けられている。ここで、加熱板70の上面には、ウェーハWが置かれ、加熱板70の下面には、ウェーハWを加熱するためのヒーター71が設けられている。一方、冷却チャンバーの内部には、ケース66の通気部72を通じて入った冷却ガスを冷却チャンバーの内部に噴射して、ヒーター71により加熱された加熱板70を冷却するノズル74が設けられる。
しかしながら、前述のような構造の熱処理装置は、冷却ガスで加熱板70を強制冷却するため自然冷却方式の熱処理装置に比べて冷却性能は向上するが、より効果的な冷却には限界がある。そして、冷却ガスがヒーターと直接接触するので、電気漏電を防止するために必ず湿気が除去された冷却ガスが使用されるべきであるという問題点がある。
本発明の技術的課題は、冷却チャンバーの内部に液滴エアロゾル(liquid droplet aerosol)を噴射し、この液滴エアロゾルの蒸発を用いて加熱プレートを冷却することによって、冷却性能に優れ、構造の簡単な熱処理装置を提供するところにある。
前記技術的課題を達成するために本発明の具現例による熱処理装置は、ヒーターを含む加熱プレートと、前記加熱プレートの下部に結合されてその内部に冷却チャンバーが形成されるチャンバーケースと、前記チャンバーケースに設けられ、冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に、前記液滴エアロゾルを前記冷却チャンバーの内部に噴射する少なくとも１つの噴霧手段とを備え、前記冷却チャンバーの内部に噴射された前記液滴エアロゾルが蒸発することによって、前記加熱プレートを冷却することを特徴とする。
ここで、前記噴霧手段は、前記液滴エアロゾルを噴射する部分が前記冷却チャンバーの内側に突設されることが好ましい。
前記噴霧手段は、前記冷却用液体を噴射する第１のノズルと、前記気体を噴射する第２のノズルとを含むことができ、この際前記第１のノズルは、前記第２のノズルの内部に設けられることが好ましい。
前記噴霧手段は、前記冷却用液体を噴射する第１のノズルと、前記気体を噴射する第２のノズルとを含むことができ、この際前記第１のノズルは、前記第２のノズルの内部に設けられることが好ましい。
前記チャンバーケースには、前記液滴エアロゾルが蒸発して発生する蒸気を排出する少なくとも１つの排出口が形成されることが好ましい。
前記噴霧手段は、噴射される前記液滴エアロゾルを分散させる拡散部材を含むことができる。
前記冷却用液体は、水を含むことができ、前記気体は、空気を含むことができる。
前記噴霧手段は、噴射される前記液滴エアロゾルを分散させる拡散部材を含むことができる。
前記冷却用液体は、水を含むことができ、前記気体は、空気を含むことができる。
前記加熱プレートの下面には、前記液滴エアロゾルが接触する表面積が増大するように表面処理されていることが好ましい。ここで、前記加熱プレートの下面には、焼結処理により毛細管構造を形成するか、或いは多数のグルーブを形成することが可能である。
前記技術的課題を達成するために本発明の他の具現例による熱処理装置は、上面に基板が積載される上部プレートと、前記上部プレートの下部に設けられる下部プレートと、前記上部プレートと下部プレートとの間に設けられて、前記基板を加熱するためのヒーターとを含む加熱プレートと、前記下部プレートの下部に結合されて、その内部に冷却チャンバーが形成されるチャンバーケースと、前記チャンバーケースに設けられるものであり、冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に、前記液滴エアロゾルを前記冷却チャンバーの内部に噴射する少なくとも１つの噴霧手段とを備え、前記冷却チャンバーの内部に噴射された前記液滴エアロゾルが蒸発することによって、前記加熱プレートを冷却することを特徴とする。
前記技術的課題を達成するために本発明の他の具現例による熱処理装置は、上面に基板が積載される上部プレートと、前記上部プレートの下部に設けられる下部プレートと、前記上部プレートと下部プレートとの間に設けられて、前記基板を加熱するためのヒーターとを含む加熱プレートと、前記下部プレートの下部に結合されて、その内部に冷却チャンバーが形成されるチャンバーケースと、前記チャンバーケースに設けられるものであり、冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に、前記液滴エアロゾルを前記冷却チャンバーの内部に噴射する少なくとも１つの噴霧手段とを備え、前記冷却チャンバーの内部に噴射された前記液滴エアロゾルが蒸発することによって、前記加熱プレートを冷却することを特徴とする。
前記噴霧手段は、前記冷却用液体を噴射する第１のノズルと前記気体を噴射する第２のノズルとを含むことができる。この際、前記第１及び第２のノズルは、それぞれ前記冷却用液体を供給する第１の供給管及び前記気体を供給する第２の供給管と連結され、前記第１及び第２の供給管には、それぞれ流量を制御するための第１及び第２の流量制御装置が設けられることが好ましい。
前記下部プレートの下面には、前記液滴エアロゾルが接触する表面積が増大するように表面処理されていることが好ましい。ここで、前記下部プレートの下面には、焼結処理により毛細管構造を形成するか、或いは多数のグルーブを形成することが可能である。
前記上部及び下部プレートは、金属、セラミック、ガラス又は耐熱性樹脂より成る。
前記下部プレートと前記チャンバーケースとの結合部には、ガスケットが設けられる。
前記上部及び下部プレートは、金属、セラミック、ガラス又は耐熱性樹脂より成る。
前記下部プレートと前記チャンバーケースとの結合部には、ガスケットが設けられる。
本発明の実施形態による熱処理装置の冷却方法は、加熱プレートの下部に冷却チャンバーが形成され、前記冷却チャンバーの内部に冷却用液体と気体とを混合して発生された液滴エアロゾルを噴射して、前記加熱プレートを冷却する方法であって、前記冷却チャンバーの内部に前記液滴エアロゾルを所定時間中噴射する段階と、前記冷却チャンバーの内部に前記気体のみを噴射して、前記冷却チャンバーの内部に残っている蒸気を除去する段階とを含む。
ここで、前記気体は、乾燥空気であることが好ましい。
前記技術的課題を達成するために、本発明の他の実施形態による熱処理装置の冷却方法は、加熱プレートの下部に冷却チャンバーが形成され、前記冷却チャンバーの内部に冷却用液体と気体とを混合して発生された液滴エアロゾルを噴射して、前記加熱プレートを冷却する方法であって、前記冷却チャンバーの内部に前記液滴エアロゾルを所定時間の間パルス状に噴射して、前記加熱プレートを冷却する段階と、前記冷却チャンバーの内部に前記気体のみを噴射して、前記冷却チャンバーの内部に残っている蒸気を除去する段階とを含む。
前記技術的課題を達成するために、本発明の他の実施形態による熱処理装置の冷却方法は、加熱プレートの下部に冷却チャンバーが形成され、前記冷却チャンバーの内部に冷却用液体と気体とを混合して発生された液滴エアロゾルを噴射して、前記加熱プレートを冷却する方法であって、前記冷却チャンバーの内部に前記液滴エアロゾルを所定時間の間パルス状に噴射して、前記加熱プレートを冷却する段階と、前記冷却チャンバーの内部に前記気体のみを噴射して、前記冷却チャンバーの内部に残っている蒸気を除去する段階とを含む。
ここで、前記液滴エアロゾルをパルス状に噴射する段階は、前記冷却チャンバーの内部に所定時間の間、前記冷却用液体は、パルス状に供給し、前記気体は、持続的に供給する段階を含むことが好ましい。
本発明による熱処理装置によれば次の通りの効果がある。
第一に、液滴エアロゾルが加熱プレートに直接接触して蒸発することによって、相変化熱伝達方式に加熱プレートを冷却するので、冷却性能に優れる。
第二に、チャンバーケースに設けられた噴霧手段が冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に、冷却チャンバーの内部に噴射することによって供給される液滴エアロゾルが損失されることがなく、加熱プレートを所望の温度まで急速に冷却することができる。
第一に、液滴エアロゾルが加熱プレートに直接接触して蒸発することによって、相変化熱伝達方式に加熱プレートを冷却するので、冷却性能に優れる。
第二に、チャンバーケースに設けられた噴霧手段が冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に、冷却チャンバーの内部に噴射することによって供給される液滴エアロゾルが損失されることがなく、加熱プレートを所望の温度まで急速に冷却することができる。
第三に、液滴エアロゾルが蒸発して蒸気状態で排出口を通じて排出されるので、排気装置を従来の液体冷却方式の熱処理装置より漏水の危険なしに簡単に構成することができる。
第四に、半導体製造工程で、１つのベークユニットにウェーハベーク工程と冷却工程とを順に進行することができ、半導体生産性を向上できる。
第四に、半導体製造工程で、１つのベークユニットにウェーハベーク工程と冷却工程とを順に進行することができ、半導体生産性を向上できる。
以下、添付した図面に基づき、本発明による好適な実施形態を詳細に説明する。図面で同一な参照符号は、同一な構成要素を示すものとする。
図２は、本発明の実施形態による熱処理装置の切開斜視図であり、図３は図２に示された熱処理装置の概略的な断面図である。
図２及び図３に示すように、本発明の実施形態による熱処理装置は、加熱プレート100と、加熱プレート100の下部に結合されるチャンバーケース110と、チャンバーケース110に設けられる少なくとも１つの噴霧手段120とを備える。
図２は、本発明の実施形態による熱処理装置の切開斜視図であり、図３は図２に示された熱処理装置の概略的な断面図である。
図２及び図３に示すように、本発明の実施形態による熱処理装置は、加熱プレート100と、加熱プレート100の下部に結合されるチャンバーケース110と、チャンバーケース110に設けられる少なくとも１つの噴霧手段120とを備える。
加熱プレート100は、上部プレート105及び下部プレート101と、上部プレート105と下部プレート101との間に設けられるヒーター103とを含む。上部プレート105の上面には、基板、例えばウェーハWが積載される。そして、下部プレート101は、後述する冷却チャンバー150の上部壁を成す。ここで、上部プレート105及び下部プレート101は、金属、熱伝導性が良いセラミック、ガラス又は耐熱性樹脂より成る。ヒーター103は、印加された電流により、上部プレート105の上面に積載されたウェーハWを所定温度まで加熱させるためのものであり、発熱抵抗体より成る。
下部プレート101の下面には、チャンバーケース110が結合されて、その内部にはヒーター103により加熱された加熱プレート100を所定温度に冷却させるための冷却チャンバー150が形成される。一方、下部プレート101とチャンバーケース110との結合部には、冷却チャンバー150のシーリングのためのガスケット107が設けられる。
噴霧手段120は、チャンバーケース110の下部壁に設けられて冷却用液体と気体とを混合して、微細なサイズの液滴エアロゾルを発生すると同時に、液滴エアロゾルを冷却チャンバー150の内部に噴射する。このため、噴霧手段120は、液滴エアロゾルを噴射する部分が冷却チャンバー150の内側に突設される。ここで、冷却用液体としては、水が使用され、気体としては空気が使用されうる。
噴霧手段120は、チャンバーケース110の下部壁に設けられて冷却用液体と気体とを混合して、微細なサイズの液滴エアロゾルを発生すると同時に、液滴エアロゾルを冷却チャンバー150の内部に噴射する。このため、噴霧手段120は、液滴エアロゾルを噴射する部分が冷却チャンバー150の内側に突設される。ここで、冷却用液体としては、水が使用され、気体としては空気が使用されうる。
一方、冷却チャンバー150の内部に噴射された液滴エアロゾルは、蒸発により加熱プレート100を冷却する。詳しくは、冷却チャンバー150の内部に噴射された液滴エアロゾルは、下部プレート101の下面に付着し、下部プレート101の下面に付着した液滴エアロゾルは、下部プレート101から熱を取って蒸発するため、加熱プレート101を冷却する。
一定温度で液体1gが完全に蒸発するのに必要な熱量を蒸発熱と言い、例えば水の蒸発熱は2270J/gである。従って、水1gを蒸発させるためには、水1gを1℃高めるのに必要な熱量である約4.2Jより540倍程度の熱量が必要になるため、本発明でのように冷却用液体、例えば水の蒸発を用いて加熱プレート100を冷却することは非常に効果的な冷却方式になる。
一定温度で液体1gが完全に蒸発するのに必要な熱量を蒸発熱と言い、例えば水の蒸発熱は2270J/gである。従って、水1gを蒸発させるためには、水1gを1℃高めるのに必要な熱量である約4.2Jより540倍程度の熱量が必要になるため、本発明でのように冷却用液体、例えば水の蒸発を用いて加熱プレート100を冷却することは非常に効果的な冷却方式になる。
チャンバーケース110の下部壁には、少なくとも１つの排出口115が形成され、この排出口115を通じて液滴エアロゾルが蒸発して発生された蒸気が外部に排出される。
一方、図２には、２つの噴霧手段120がチャンバーケース110の下部壁に設けられた場合が示されているが、本実施形態ではこれに限定されず、１つ又は３つの以上の噴霧手段120がチャンバーケース110の下部壁に設けることができ、また噴霧手段120は、チャンバーケース110の側壁に設けることもできる。そして、排出口115は、チャンバーケース110の下部壁又は側壁に２つ以上形成することもできる。
一方、図２には、２つの噴霧手段120がチャンバーケース110の下部壁に設けられた場合が示されているが、本実施形態ではこれに限定されず、１つ又は３つの以上の噴霧手段120がチャンバーケース110の下部壁に設けることができ、また噴霧手段120は、チャンバーケース110の側壁に設けることもできる。そして、排出口115は、チャンバーケース110の下部壁又は側壁に２つ以上形成することもできる。
このように、チャンバーケース110に設けられた噴霧手段120により冷却用液体と気体とを混合して、液滴エアロゾルを発生すると同時に、これを冷却チャンバー150の内部に直接噴射すれば、供給される液滴エアロゾルが損失することがなく、相変化を通じて加熱プレート100を冷却させるため、加熱プレート100を所定温度まで急速に冷却することができる。
図４は、図３に示された噴霧手段120を拡大して示した断面図である。図４に示すように、噴霧手段120は、冷却用液体、例えば水を噴射する第１のノズル122と、気体、例えば空気を噴射する第２のノズル121とを含む。ここで、第１のノズル122は、第２のノズル121の内部に位置するように設けられる。前述のような構造で、第１及び第２のノズル122,121を通じてそれぞれ冷却用液体及び気体を同時に噴射すれば、微細な液滴エアロゾルが発生し、このように発生した液滴エアロゾルは、冷却チャンバー150の内部に噴射される。一方、液滴エアロゾルを噴射する部分には、噴射される液滴エアロゾルが冷却チャンバー150の内部に均等に分散するようにするために、拡散部材128を設けるのが好ましい。
第１のノズル122は、冷却用液体を供給する第１の供給管124と連結され、第２のノズル121は、気体を供給する第２の供給管123と連結される。ここで、第１及び第２の供給管124,123には、それぞれ冷却用液体と気体の流量を調節するための第１及び第２の流量制御装置126,125が設けられる。
図5A及び図5Bは、下部プレート101の下面を示した断面図である。図5Aに示すように、下部プレート101の下面には、毛細管構造101aを形成することができる。こうした毛細管構造は、下部プレート101の下面に所定の粉末を播いた後、これを溶かして成型する工程である焼結処理により形成されうる。このように下部プレート101の下面に毛細管構造101aを形成すれば、下部プレート101の下面全体に液滴エアロゾルが均一に分布された状態で蒸発が誘導され、また液滴エアロゾルが接触する表面積が増大して加熱プレート100をより効果的に冷却することができる。そして、図5Bに示すように、下部プレート101の下面には、微細な多数のグルーブ101bを形成することができる。こうしたグルーブ101bは、下部プレート101の下面を加工することによって形成されうる。そして、こうしたグルーブ101bも前述したように、下部プレート101の下面に液滴エアロゾルを均一に分布させ、液滴エアロゾルと接触する表面積を増大する役割を果たす。
図5A及び図5Bは、下部プレート101の下面を示した断面図である。図5Aに示すように、下部プレート101の下面には、毛細管構造101aを形成することができる。こうした毛細管構造は、下部プレート101の下面に所定の粉末を播いた後、これを溶かして成型する工程である焼結処理により形成されうる。このように下部プレート101の下面に毛細管構造101aを形成すれば、下部プレート101の下面全体に液滴エアロゾルが均一に分布された状態で蒸発が誘導され、また液滴エアロゾルが接触する表面積が増大して加熱プレート100をより効果的に冷却することができる。そして、図5Bに示すように、下部プレート101の下面には、微細な多数のグルーブ101bを形成することができる。こうしたグルーブ101bは、下部プレート101の下面を加工することによって形成されうる。そして、こうしたグルーブ101bも前述したように、下部プレート101の下面に液滴エアロゾルを均一に分布させ、液滴エアロゾルと接触する表面積を増大する役割を果たす。
前述のような構造の熱処理装置で、噴霧手段120を通じて冷却チャンバー150の内部に液滴エアロゾルを噴射すれば、液滴エアロゾルは、下部プレート101の下面を含んで冷却チャンバー150の内壁に付着する。そして、冷却チャンバー150の内壁に付着した液滴エアロゾルは、周辺の熱を取って蒸発して、蒸気状態で排出口115を通じて排出される。この際、加熱プレート100は所望の設定温度まで早く冷却される。
このように、冷却チャンバー150の内部に噴射された液滴エアロゾルの相変化を用いて加熱プレート100を冷却すれば、高速冷却が可能となる。例えば、加熱プレート100を150℃から100℃に冷却する場合、既存の自然冷却方式では、ほぼ50分所要するのに対して、本発明による熱処理装置では、液滴エアロゾルの噴射量を100ml/minとしたときほぼ90秒以内で完了できる。
以下では、図6A及び図6Bを参照して前記の熱処理装置の冷却方法について説明する。
図6Aは、本発明の１実施形態による熱処理装置の冷却方法を説明するために示したものである。図6Aに示すように、先ず所定時間t1の間噴霧手段120により冷却チャンバー150の内部に液滴エアロゾルを持続的に噴射する。この過程では、冷却用液体及び気体をそれぞれ第１及び第２のノズル122,121を通じて持続的に冷却チャンバー150の内部に供給する。これにより、加熱プレート100は、噴射された液滴エアロゾルの蒸発により所望の温度まで冷却される。
図6Aは、本発明の１実施形態による熱処理装置の冷却方法を説明するために示したものである。図6Aに示すように、先ず所定時間t1の間噴霧手段120により冷却チャンバー150の内部に液滴エアロゾルを持続的に噴射する。この過程では、冷却用液体及び気体をそれぞれ第１及び第２のノズル122,121を通じて持続的に冷却チャンバー150の内部に供給する。これにより、加熱プレート100は、噴射された液滴エアロゾルの蒸発により所望の温度まで冷却される。
次に、加熱プレート100の冷却後、一定時間の間噴霧手段120により冷却チャンバー150の内部に気体のみを噴射する。この過程では、気体のみを第２のノズル121を通じて冷却チャンバー150の内部に供給する。ここで、気体としては、水分を含有しない乾燥空気を使用するのが好ましい。このように、冷却チャンバー150の内部に乾燥空気のような気体のみを噴射すれば、加熱プレート100の冷却後に、冷却チャンバー150内に残っている蒸気が除去される。
図6Bは、本発明の他の実施形態による熱処理装置の冷却方法を説明するために示したものである。図6Bに示すように、先ず、所定時間t2の間噴霧手段120により冷却チャンバーの内部に液滴エアロゾルをパルス状に噴射する。この過程では、第１のノズル122を通じて冷却用液体をパルス状で間歇的に冷却チャンバー150に供給し、第２のノズル121を通じて気体を持続的に冷却チャンバー150の内部に供給する。これにより、加熱プレート100は、噴射された液滴エアロゾルの蒸発により所望の温度まで冷却される。
次に、加熱プレート100の冷却後、冷却チャンバー150に残っている蒸気を除去するために一定時間の間噴霧手段120により冷却チャンバー150の内部に気体のみを噴射する。この過程では、乾燥空気のような気体のみを第２のノズル121を通じて冷却チャンバー150の内部に供給する。
以上、本発明による好適な実施形態を説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲により決められるものである。
以上、本発明による好適な実施形態を説明したが、これは例示的なものに過ぎず、当業者であれば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解するであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲により決められるものである。
本発明は、半導体製造のためのフォトリソグラフィ工程に使用される熱処理装置に関し、例えば、半導体製造の技術分野に効果的に適用可能である。
１００ 加熱プレート
１０１ 下部プレート
１０３ ヒーター
１０５ 上部プレート
１０７ ガスケット
１１０ チャンバーケース
１１５ 排出口
１２０ 噴霧手段
１２３ 第1の供給管
１２４ 第2の供給管
１５０ 冷却チャンバー
１０１ 下部プレート
１０３ ヒーター
１０５ 上部プレート
１０７ ガスケット
１１０ チャンバーケース
１１５ 排出口
１２０ 噴霧手段
１２３ 第1の供給管
１２４ 第2の供給管
１５０ 冷却チャンバー
Claims (33)
- ヒーターを含む加熱プレートと、
前記加熱プレートの下部に結合されて、その内部に冷却チャンバーが形成されるチャンバーケースと、
前記チャンバーケースに設けられ、冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に、前記液滴エアロゾルを前記冷却チャンバーの内部に噴射する少なくとも１つの噴霧手段と、
を備え、前記冷却チャンバーの内部に噴射された前記液滴エアロゾルが蒸発することによって、前記加熱プレートを冷却させることを特徴とする熱処理装置。 - 前記噴霧手段は、前記液滴エアロゾルを噴射する部分が前記冷却チャンバーの内側に突設されることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
- 前記噴霧手段は、前記冷却用液体を噴射する第１のノズルと、前記気体を噴射する第２のノズルとを含むことを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
- 前記第１のノズルは、前記第２のノズルの内部に設けられることを特徴とする請求項３に記載の熱処理装置。
- 前記チャンバーケースには、前記液滴エアロゾルが蒸発して発生する蒸気を排出する少なくとも１つの排出口が形成されることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
- 前記噴霧手段は、噴射される前記液滴エアロゾルを分散させる拡散部材を含むことを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
- 前記冷却用液体は、水を含むことを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
- 前記気体は、空気を含むことを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
- 前記加熱プレートの下面には、前記液滴エアロゾルが接触する表面積が増大するように表面処理されていることを特徴とする請求項１に記載の熱処理装置。
- 前記加熱プレートの下面には、焼結処理により毛細管構造が形成されることを特徴とする請求項９に記載の熱処理装置。
- 前記加熱プレートの下面には、多数のグルーブが形成されることを特徴とする請求項９に記載の熱処理装置。
- 上面に基板が積載される上部プレートと、前記上部プレートの下部に設けられる下部プレートと、前記上部プレートと下部プレートとの間に設けられて前記基板を加熱するためのヒーターとを含む加熱プレートと、
前記下部プレートの下部に結合されて、その内部に冷却チャンバーが形成されるチャンバーケースと、
前記チャンバーケースに設けられるものであり、冷却用液体と気体とを混合して液滴エアロゾルを発生すると同時に、前記液滴エアロゾルを前記冷却チャンバーの内部に噴射する少なくとも１つの噴霧手段と、
を備え、前記冷却チャンバーの内部に噴射された前記液滴エアロゾルが蒸発することによって、前記加熱プレートを冷却させることを特徴とする熱処理装置。 - 前記噴霧手段は、前記液滴エアロゾルを噴射する部分が前記冷却チャンバーの内側に突設されることを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
- 前記噴霧手段は、前記チャンバーケースの下部壁に設けられることを特徴とする請求項１３に記載の熱処理装置。
- 前記噴霧手段は、冷却用液体を噴射する第１のノズルと、気体を噴射する第２のノズルとを含むことを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
- 前記第１のノズルは、前記第２のノズルの内部に設けられることを特徴とする請求項１５に記載の熱処理装置。
- 前記第１及び第２のノズルは、それぞれ前記冷却用液体を供給する第１の供給管及び前記気体を供給する第２の供給管と連結されることを特徴とする請求項１５に記載の熱処理装置。
- 前記第１及び第２の供給管には、それぞれ流量を制御するための第１及び第２の流量制御装置が設けられることを特徴とする請求項１７に記載の熱処理装置。
- 前記チャンバーケースには、前記液滴エアロゾルが蒸発して発生する蒸気を排出する少なくとも１つの排出口が形成されることを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
- 前記排出口は、前記チャンバーケースの下部壁に形成されることを特徴とする請求項１９に記載の熱処理装置。
- 前記噴霧手段は、噴射される前記液滴エアロゾルを分散させる拡散部材を含むことを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
- 前記冷却用液体は、水を含むことを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
- 前記気体は、空気を含むことを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
- 前記下部プレートの下面には、前記液滴エアロゾルが接触する表面積が増大するように表面処理されていることを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
- 前記下部プレートの下面には、焼結処理により毛細管構造が形成されることを特徴とする請求項２４に記載の熱処理装置。
- 前記下部プレートの下面には、多数のグルーブが形成されることを特徴とする請求項２４に記載の熱処理装置。
- 前記上部及び下部プレートは、金属、セラミック、ガラス又は耐熱性樹脂より成ることを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
- 前記下部プレートと前記チャンバーケースとの結合部には、ガスケットが設けられることを特徴とする請求項１２に記載の熱処理装置。
- 加熱プレートの下部に冷却チャンバーが形成され、前記冷却チャンバーの内部に冷却用液体と気体とを混合して発生した液滴エアロゾルを噴射して、前記加熱プレートを冷却する熱処理装置の冷却方法であって、
前記冷却チャンバーの内部に、前記液滴エアロゾルを所定時間中持続的に噴射して前記加熱プレートを冷却する段階と、
前記冷却チャンバーの内部に前記気体のみを噴射して、前記冷却チャンバーの内部に残っている蒸気を除去する段階と、
を含むことを特徴とする熱処理装置の冷却方法。 - 前記気体は、乾燥空気であることを特徴とする請求項２９に記載の熱処理装置の冷却方法。
- 加熱プレートの下部に冷却チャンバーが形成され、前記冷却チャンバーの内部に冷却用液体と気体とを混合して発生した液滴エアロゾルを噴射して、前記加熱プレートを冷却する熱処理装置の冷却方法であって、
前記冷却チャンバーの内部に、前記液滴エアロゾルを所定時間の間パルス状に噴射して、前記加熱プレートを冷却する段階と、
前記冷却チャンバーの内部に前記気体のみを噴射して、前記冷却チャンバーの内部に残っている蒸気を除去する段階と、
を含むことを特徴とする熱処理装置の冷却方法。 - 前記液滴エアロゾルをパルス状に噴射する段階は、前記冷却チャンバーの内部に所定時間の間、前記冷却用液体は、パルス状に供給し、前記気体は、持続的に供給する段階を含むことを特徴とする請求項３１に記載の熱処理装置の冷却方法。
- 前記気体は、乾燥空気であることを特徴とする請求項３１に記載の熱処理装置の冷却方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020040045856A KR100543711B1 (ko) | 2004-06-19 | 2004-06-19 | 열처리장치 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006005364A true JP2006005364A (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=35480126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005178960A Pending JP2006005364A (ja) | 2004-06-19 | 2005-06-20 | 熱処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7448604B2 (ja) |
| JP (1) | JP2006005364A (ja) |
| KR (1) | KR100543711B1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008305818A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 冷却装置及び基板の処理装置 |
| JP2012044041A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び温度調節方法 |
| WO2012096019A1 (ja) * | 2011-01-10 | 2012-07-19 | Ｓｃｉｖａｘ株式会社 | 温調装置およびこれを適用したインプリント装置 |
| JP2016159200A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | Ｊｆｅスチール株式会社 | ミストノズル噴霧式の冷却方法および冷却装置 |
| JP2020526012A (ja) * | 2017-06-23 | 2020-08-27 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | 高温ヒートプレートペデスタル |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7497252B2 (en) * | 2006-01-24 | 2009-03-03 | John Yenkai Pun | Active fluid and air heat exchanger and method |
| US8020508B2 (en) * | 2006-09-19 | 2011-09-20 | The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma | Methods and apparatus for depositing nanoparticles on a substrate |
| KR101109080B1 (ko) * | 2009-12-01 | 2012-02-06 | 세메스 주식회사 | 베이크 장치 및 그의 가열 플레이트 냉각 방법 |
| JP5635378B2 (ja) * | 2010-11-30 | 2014-12-03 | 日東電工株式会社 | 半導体ウエハ搬送方法および半導体ウエハ搬送装置 |
| KR101526505B1 (ko) * | 2013-06-20 | 2015-06-09 | 피에스케이 주식회사 | 냉각 유닛 및 이를 이용한 냉각 방법, 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
| GB201312441D0 (en) * | 2013-07-11 | 2013-08-28 | Surface Generation Ltd | Mould Tool |
| US10512924B2 (en) * | 2016-10-03 | 2019-12-24 | FRF Inc. | Portable misting system with combined air/water nozzle assembly |
| JP7344726B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、塗布処理装置及び記憶媒体 |
| KR102282145B1 (ko) * | 2019-11-04 | 2021-07-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| KR102282146B1 (ko) * | 2019-11-04 | 2021-07-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| KR102282147B1 (ko) * | 2019-11-05 | 2021-07-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| CN112066639B (zh) * | 2020-09-18 | 2021-11-02 | 江苏美谷塑胶工业有限公司 | 一种新材料生产加工用冷热风交换设备 |
| GB2609624A (en) * | 2021-08-06 | 2023-02-15 | Leybold Gmbh | Cooling device, method for cooling a cooling element and layer deposition apparatus |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE19546E (en) * | 1935-04-23 | Humidifier | ||
| US1963412A (en) * | 1930-11-28 | 1934-06-19 | Lewis Air Conditioners Inc | Humidifier |
| US2564060A (en) * | 1947-04-08 | 1951-08-14 | Edwin G Gettins | Aeration sprinkler |
| US2801087A (en) * | 1954-04-05 | 1957-07-30 | Gerber Prod | Heater |
| GB1422781A (en) * | 1972-03-29 | 1976-01-28 | Ici Ltd | Vapourinsing process |
| JPS5034452U (ja) * | 1973-06-09 | 1975-04-12 | ||
| KR930001193B1 (ko) * | 1988-09-14 | 1993-02-20 | 재단법인 한국전자통신연구소 | 급속열처리 가능한 Si계 박막증착용 특수 광화학 반응로 |
| US6293121B1 (en) * | 1988-10-13 | 2001-09-25 | Gaudencio A. Labrador | Water-mist blower cooling system and its new applications |
| US5232164A (en) * | 1990-05-09 | 1993-08-03 | Resch D R | Precisely adjustable atomizer |
| KR920008036B1 (ko) * | 1990-05-21 | 1992-09-21 | 재단법인 한국전자통신연구소 | 광화학 증착 및 급속열처리 장치용 진공 반응로 |
| US5085056A (en) * | 1990-08-22 | 1992-02-04 | Phillips Petroleum Company | Method and apparatus for atomizing (particulating) cooled fluid slugs in a pulsed fluid cooling system |
| JP3007432B2 (ja) * | 1991-02-19 | 2000-02-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JPH05136305A (ja) * | 1991-11-08 | 1993-06-01 | Hitachi Ltd | 発熱体の冷却装置 |
| US5220804A (en) * | 1991-12-09 | 1993-06-22 | Isothermal Systems Research, Inc | High heat flux evaporative spray cooling |
| JP2912913B1 (ja) * | 1998-06-03 | 1999-06-28 | 助川電気工業株式会社 | 板体加熱装置 |
| JP3501768B2 (ja) * | 2001-04-18 | 2004-03-02 | 株式会社ガソニックス | 基板熱処理装置およびフラットパネルデバイスの製造方法 |
| JP3822135B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2006-09-13 | 日本パイオニクス株式会社 | 気化供給装置 |
| US7100381B2 (en) * | 2003-10-02 | 2006-09-05 | Raytheon Company | Slot jet cooler and method of cooling |
-
2004
- 2004-06-19 KR KR1020040045856A patent/KR100543711B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-02-16 US US11/058,279 patent/US7448604B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-06-20 JP JP2005178960A patent/JP2006005364A/ja active Pending
-
2008
- 2008-09-23 US US12/236,014 patent/US20090013698A1/en not_active Abandoned
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008305818A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | 冷却装置及び基板の処理装置 |
| JP2012044041A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び温度調節方法 |
| KR101832249B1 (ko) * | 2010-08-20 | 2018-02-26 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 장치 및 온도 조절 방법 |
| US10541158B2 (en) | 2010-08-20 | 2020-01-21 | Tokyo Electron Limited | Temperature adjustment method using wet surface in a processing chamber |
| WO2012096019A1 (ja) * | 2011-01-10 | 2012-07-19 | Ｓｃｉｖａｘ株式会社 | 温調装置およびこれを適用したインプリント装置 |
| JP2016159200A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | Ｊｆｅスチール株式会社 | ミストノズル噴霧式の冷却方法および冷却装置 |
| JP2020526012A (ja) * | 2017-06-23 | 2020-08-27 | ワットロー・エレクトリック・マニュファクチャリング・カンパニー | 高温ヒートプレートペデスタル |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7448604B2 (en) | 2008-11-11 |
| US20050280681A1 (en) | 2005-12-22 |
| KR20050120492A (ko) | 2005-12-22 |
| KR100543711B1 (ko) | 2006-01-20 |
| US20090013698A1 (en) | 2009-01-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006005364A (ja) | 熱処理装置 | |
| CN103996639B (zh) | 基板处理装置 | |
| KR101128745B1 (ko) | 증기 방출 장치, 유기 박막 증착 장치 및 유기 박막 증착 방법 | |
| JP2003517198A (ja) | 断熱且つプラズマ加熱される小型ガス分配プレートアレイを備えたプラズマリアクター用冷却天井 | |
| JP2013064200A (ja) | 基板処理システムにおける材料蒸着方法及び装置 | |
| JPH10284382A (ja) | 温度制御装置 | |
| US20100154833A1 (en) | Resist film removing apparatus, resist film removing method, organic matter removing apparatus and organic matter removing method | |
| KR20000056763A (ko) | 화학기상증착 장비의 가스분사장치 | |
| US6598805B2 (en) | Substrate cleaning apparatus | |
| KR102180040B1 (ko) | 기판 건조 장치 | |
| US6161300A (en) | Alcohol vapor dryer system | |
| KR102235367B1 (ko) | 슬릿 노즐이 구비된 선형 증발원 | |
| KR102201598B1 (ko) | 혼합영역이 포함된 선형 증발원 | |
| JP3567831B2 (ja) | 気化装置 | |
| WO2000042373A1 (fr) | Technique de séchage de substrat et dispositif correspondant | |
| JP3247673B2 (ja) | ウェハ乾燥装置及び方法 | |
| JPH07142322A (ja) | レジスト現像の方法及び装置 | |
| JP2006258318A (ja) | 気化冷却装置 | |
| JP4897465B2 (ja) | 気化冷却装置 | |
| KR102235339B1 (ko) | 대면적용 선형 증발원 | |
| JP2008096062A (ja) | 気化冷却装置 | |
| JP3457586B2 (ja) | ウェハ乾燥装置及び方法及びウェハ乾燥装置用ｉｐａミスト噴霧装置 | |
| KR101857482B1 (ko) | 박막증착장치 및 박막증착방법 | |
| KR100898128B1 (ko) | 잉크젯 프린팅과 플라즈마 표면처리법을 이용한 미세패턴제작방법 | |
| KR20180039886A (ko) | 이산화탄소 분사노즐 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080423 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080430 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080728 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080423 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081014 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090317 |