JPH07142322A - レジスト現像の方法及び装置 - Google Patents
レジスト現像の方法及び装置Info
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- JPH07142322A JPH07142322A JP14725093A JP14725093A JPH07142322A JP H07142322 A JPH07142322 A JP H07142322A JP 14725093 A JP14725093 A JP 14725093A JP 14725093 A JP14725093 A JP 14725093A JP H07142322 A JPH07142322 A JP H07142322A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 レジスト現像方法及びレジスト現像装置に関
し、低温の有機溶剤系現像液を使用する現像において、
結露に起因する現像むらを防止することを目的とする。 【構成】 低温現像液を吐出するノズル１の、断熱材に
覆われていない先端露出部近傍に気体供給手段３を配設
し、この気体供給手段３から乾燥空気、乾燥窒素、又は
その水蒸気圧がノズル１先端露出部の表面温度における
飽和水蒸気圧より低くなるように除湿した空気を放出し
てノズル１の先端露出部を包囲する。
し、低温の有機溶剤系現像液を使用する現像において、
結露に起因する現像むらを防止することを目的とする。 【構成】 低温現像液を吐出するノズル１の、断熱材に
覆われていない先端露出部近傍に気体供給手段３を配設
し、この気体供給手段３から乾燥空気、乾燥窒素、又は
その水蒸気圧がノズル１先端露出部の表面温度における
飽和水蒸気圧より低くなるように除湿した空気を放出し
てノズル１の先端露出部を包囲する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はレジスト現像、特に低温
現像の方法及び装置に関する。半導体デバイスの製造工
程においては、ウェーハ表面にレジストを塗布した後に
これを露光、現像してレジストパターンを得る処理が、
繰り返し行われる。近年、半導体デバイスの高集積化に
伴ってパターンが微細化が進められているため、レジス
ト現像の解像度向上が望まれている。低温現像法は冷却
した現像液を使用するものであり、特に現像液が有機溶
剤である場合、レジストの膨潤が抑制されて解像度が向
上する上、現像応力によるレジスト膜のクラック発生を
防ぐ効果があるとされている。
現像の方法及び装置に関する。半導体デバイスの製造工
程においては、ウェーハ表面にレジストを塗布した後に
これを露光、現像してレジストパターンを得る処理が、
繰り返し行われる。近年、半導体デバイスの高集積化に
伴ってパターンが微細化が進められているため、レジス
ト現像の解像度向上が望まれている。低温現像法は冷却
した現像液を使用するものであり、特に現像液が有機溶
剤である場合、レジストの膨潤が抑制されて解像度が向
上する上、現像応力によるレジスト膜のクラック発生を
防ぐ効果があるとされている。
【０００２】
【従来の技術】従来の低温現像用のレジスト現像装置
は、現像液供給系内に現像液冷却部を設け、この現像液
冷却部からノズルまでの配管とノズルは断熱材で被覆し
ていたが、現像液を吐出させるノズル先端部には断熱材
で被覆されない露出部があり、この部分には結露対策が
なされていなかった。従来は、このような装置により低
温現像を行っていた。
は、現像液供給系内に現像液冷却部を設け、この現像液
冷却部からノズルまでの配管とノズルは断熱材で被覆し
ていたが、現像液を吐出させるノズル先端部には断熱材
で被覆されない露出部があり、この部分には結露対策が
なされていなかった。従来は、このような装置により低
温現像を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、低温の有機
溶剤系現像液によりこのような装置を使用してレジスト
現像を行うと、ノズルの露出部に結露してこれが基板上
に滴下し、現像むらを生じて解像度が低下することがあ
る、という問題があった。
溶剤系現像液によりこのような装置を使用してレジスト
現像を行うと、ノズルの露出部に結露してこれが基板上
に滴下し、現像むらを生じて解像度が低下することがあ
る、という問題があった。
【０００４】半導体デバイスの製造は、通常、温度が20
〜23℃、湿度が50〜60％程度に制御されたクリーンルー
ム内で行われる。23℃、60％に制御された空気の水蒸気
圧は12.7 mmHg である。一方、空気の飽和水蒸気圧は、
２℃で５.3 mmHg 、５℃で６.5 mmHg 、10℃で９.2 mmH
g 、15℃で12.7 mmHg 、23℃で21.1 mmHg である。従っ
て、23℃で60％の空気の温度が15℃になると飽和水蒸気
圧に達し、これ以下の温度になると結露することにな
る。低温現像は、通常、15℃以下（例えば５℃）で行わ
れるから、ノズルの露出部における結露は避けられな
い。現像液がアルカリ水溶液の場合には現像液に微量の
水滴が加わっても殆ど問題はないが、現像液が有機溶剤
の場合には現像むらを生じて、パターン変形や現像残が
発生する。
〜23℃、湿度が50〜60％程度に制御されたクリーンルー
ム内で行われる。23℃、60％に制御された空気の水蒸気
圧は12.7 mmHg である。一方、空気の飽和水蒸気圧は、
２℃で５.3 mmHg 、５℃で６.5 mmHg 、10℃で９.2 mmH
g 、15℃で12.7 mmHg 、23℃で21.1 mmHg である。従っ
て、23℃で60％の空気の温度が15℃になると飽和水蒸気
圧に達し、これ以下の温度になると結露することにな
る。低温現像は、通常、15℃以下（例えば５℃）で行わ
れるから、ノズルの露出部における結露は避けられな
い。現像液がアルカリ水溶液の場合には現像液に微量の
水滴が加わっても殆ど問題はないが、現像液が有機溶剤
の場合には現像むらを生じて、パターン変形や現像残が
発生する。
【０００５】本発明はこのような問題を解決して、低温
の有機溶剤系現像液を使用する場合であっても現像むら
による解像度の低下を防止することが可能なレジスト現
像方法及びレジスト現像装置を提供することを目的とす
る。
の有機溶剤系現像液を使用する場合であっても現像むら
による解像度の低下を防止することが可能なレジスト現
像方法及びレジスト現像装置を提供することを目的とす
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的は本発明によれ
ば、〔１〕周囲の空気より低温の現像液をノズルから基
板上に滴下して該基板上に被着されたレジストを現像す
る方法において、乾燥気体若しくは周囲の空気より湿度
が低い気体を該ノズルの先端露出部分に向けて供給する
ことを特徴とするレジスト現像方法とすることで、
〔２〕前記の〔１〕において、前記ノズルの先端露出部
分に供給する気体の水蒸気圧が該ノズルの先端露出部分
の表面温度における飽和水蒸気圧より低いことを特徴と
するレジスト現像方法とすることで、〔３〕前記の
〔１〕において、前記ノズルの先端露出部分に供給する
気体の温度が滴下する現像液の温度と略等しいことを特
徴とするレジスト現像方法とすることで、〔４〕現像液
の冷却手段と、該冷却手段により冷却された現像液を滴
下するノズルと、該ノズルの先端露出部分周辺に乾燥気
体若しくは周囲の空気より低湿の気体を供給する気体供
給手段と、を有することを特徴とするレジスト現像装置
とすることで、達成される。
ば、〔１〕周囲の空気より低温の現像液をノズルから基
板上に滴下して該基板上に被着されたレジストを現像す
る方法において、乾燥気体若しくは周囲の空気より湿度
が低い気体を該ノズルの先端露出部分に向けて供給する
ことを特徴とするレジスト現像方法とすることで、
〔２〕前記の〔１〕において、前記ノズルの先端露出部
分に供給する気体の水蒸気圧が該ノズルの先端露出部分
の表面温度における飽和水蒸気圧より低いことを特徴と
するレジスト現像方法とすることで、〔３〕前記の
〔１〕において、前記ノズルの先端露出部分に供給する
気体の温度が滴下する現像液の温度と略等しいことを特
徴とするレジスト現像方法とすることで、〔４〕現像液
の冷却手段と、該冷却手段により冷却された現像液を滴
下するノズルと、該ノズルの先端露出部分周辺に乾燥気
体若しくは周囲の空気より低湿の気体を供給する気体供
給手段と、を有することを特徴とするレジスト現像装置
とすることで、達成される。
【０００７】
【作用】ノズル周辺の空気の湿度が低くなれば、それだ
け結露が減り、基板上に滴下しにくくなる。水蒸気圧が
ノズル露出部表面温度における飽和水蒸気圧未満の空気
であれば結露することはない。例えば５℃の現像液でレ
ジストを現像する場合、ノズル露出部の表面温度も略５
℃となるから、周辺空気の水蒸気圧が５℃における飽和
水蒸気圧６.5 mmHg 未満であれば結露しない。
け結露が減り、基板上に滴下しにくくなる。水蒸気圧が
ノズル露出部表面温度における飽和水蒸気圧未満の空気
であれば結露することはない。例えば５℃の現像液でレ
ジストを現像する場合、ノズル露出部の表面温度も略５
℃となるから、周辺空気の水蒸気圧が５℃における飽和
水蒸気圧６.5 mmHg 未満であれば結露しない。
【０００８】水蒸気圧が６.5 mmHg の空気は23℃におい
て湿度が31％となり、クリーンルーム全体をこの程度の
湿度にするには経済上等に問題があるが、本発明では少
量の空気を除湿するか、或いはレジスト現像を行うクリ
ーンルーム内で容易に得られる乾燥空気や乾燥窒素等を
現像装置に導入し、ノズル露出部周辺だけに局部的に供
給してこれを包囲するから、この問題はない。
て湿度が31％となり、クリーンルーム全体をこの程度の
湿度にするには経済上等に問題があるが、本発明では少
量の空気を除湿するか、或いはレジスト現像を行うクリ
ーンルーム内で容易に得られる乾燥空気や乾燥窒素等を
現像装置に導入し、ノズル露出部周辺だけに局部的に供
給してこれを包囲するから、この問題はない。
【０００９】ノズル露出部周辺に供給する気体の温度と
現像液の温度に大差があると気体の供給量によっては現
像温度が変化するおそれがあるが、気体供給手段から放
出される気体の温度が現像液の温度に近ければ、この問
題も生じない。
現像液の温度に大差があると気体の供給量によっては現
像温度が変化するおそれがあるが、気体供給手段から放
出される気体の温度が現像液の温度に近ければ、この問
題も生じない。
【００１０】
【実施例】本発明に係るレジスト現像方法及びレジスト
現像装置の実施例を図１を参照しながら説明する。図１
は本発明の実施例を示す図である。同図において、１は
現像液を吐出するノズル、２は断熱材、３は気体供給手
段である。
現像装置の実施例を図１を参照しながら説明する。図１
は本発明の実施例を示す図である。同図において、１は
現像液を吐出するノズル、２は断熱材、３は気体供給手
段である。
【００１１】先ず、レジスト現像装置の実施例を説明す
る。この装置は従来の低温現像用レジスト現像装置と同
様、現像液供給系内に現像液冷却部（図示は省略）を有
し、この現像液冷却部からノズル１までの配管とノズル
１は、ノズル１の先端部を除いて断熱材２で被覆されて
いる。この装置は更に、ノズル１の先端部近傍に気体供
給手段３を備えている。この気体供給手段３はリング状
のパイプからなり、乾燥空気、又は乾燥窒素の圧気源に
連通しており、リングの内側部分には略全周にわたり多
数の通気孔を有している。この通気孔はここから吹き出
される気体が水平乃至やや上向きになる位置に設けられ
ている。
る。この装置は従来の低温現像用レジスト現像装置と同
様、現像液供給系内に現像液冷却部（図示は省略）を有
し、この現像液冷却部からノズル１までの配管とノズル
１は、ノズル１の先端部を除いて断熱材２で被覆されて
いる。この装置は更に、ノズル１の先端部近傍に気体供
給手段３を備えている。この気体供給手段３はリング状
のパイプからなり、乾燥空気、又は乾燥窒素の圧気源に
連通しており、リングの内側部分には略全周にわたり多
数の通気孔を有している。この通気孔はここから吹き出
される気体が水平乃至やや上向きになる位置に設けられ
ている。
【００１２】次に、このレジスト現像装置を使用したレ
ジスト現像の実施例を説明する。この例は、５℃の有機
溶剤系現像液（アセトンとイソプロピルアルコールから
なり、その体積組成比は４：１）を使用し、30 keVの電
子線により20μＣ／cm2 の照射量でラインパターンを露
光された膜厚１.5μｍの電子線用ネガ型レジスト（トー
ソー製のＣＭＳ）を現像するものである。
ジスト現像の実施例を説明する。この例は、５℃の有機
溶剤系現像液（アセトンとイソプロピルアルコールから
なり、その体積組成比は４：１）を使用し、30 keVの電
子線により20μＣ／cm2 の照射量でラインパターンを露
光された膜厚１.5μｍの電子線用ネガ型レジスト（トー
ソー製のＣＭＳ）を現像するものである。
【００１３】装置の気体供給手段３の通気孔からは、乾
燥空気をノズル１の先端露出部に向けて常時緩やかに吹
き出して、ノズル１の先端露出部を乾燥空気で包囲して
おく。乾燥空気の代わりに乾燥窒素その他の乾燥気体、
又は水蒸気圧が６.5 mmHg 未満となるように除湿した空
気を用いても良く、これらはその温度を予め熱交換器等
で現像液の温度に近づけておく。この状態で５℃に冷却
した上記現像液を滴下して20秒間のレジスト現像を行っ
た結果、ノズル１の先端露出部には結露を全く生じなか
った。
燥空気をノズル１の先端露出部に向けて常時緩やかに吹
き出して、ノズル１の先端露出部を乾燥空気で包囲して
おく。乾燥空気の代わりに乾燥窒素その他の乾燥気体、
又は水蒸気圧が６.5 mmHg 未満となるように除湿した空
気を用いても良く、これらはその温度を予め熱交換器等
で現像液の温度に近づけておく。この状態で５℃に冷却
した上記現像液を滴下して20秒間のレジスト現像を行っ
た結果、ノズル１の先端露出部には結露を全く生じなか
った。
【００１４】その後、このレジスト膜をイソプロピルア
ルコールでリンスし、更に回転乾燥した結果、図２(A)
のように良好なレジストパターンが得られた。一方、乾
燥空気をノズル１の露出部に向けて吹き出さなかった場
合（従来の方法と同じ）には、ノズル１の露出部には結
露を生じ、図２(B) のようにレジストパターンの変形と
現像残が発生した。
ルコールでリンスし、更に回転乾燥した結果、図２(A)
のように良好なレジストパターンが得られた。一方、乾
燥空気をノズル１の露出部に向けて吹き出さなかった場
合（従来の方法と同じ）には、ノズル１の露出部には結
露を生じ、図２(B) のようにレジストパターンの変形と
現像残が発生した。
【００１５】他の実施例として、現像０.5秒→リンス３
秒→回転乾燥５秒のサイクルを20回繰り返す現像方法に
本発明の方法を適用した結果、前記の実施例と同様、結
露は全くなく、良好なレジストパターンを得た。
秒→回転乾燥５秒のサイクルを20回繰り返す現像方法に
本発明の方法を適用した結果、前記の実施例と同様、結
露は全くなく、良好なレジストパターンを得た。
【００１６】尚、現像液と共にリンスも冷却する場合に
はリンス液用ノズルにも結露する。リンス液に微量の水
が混入しても現像結果への影響は少ないが、現像時にリ
ンス液用ノズルから水滴が落ちる可能性があれば、現像
液用ノズルと同様、乾燥気体等で包囲することが望まし
い。
はリンス液用ノズルにも結露する。リンス液に微量の水
が混入しても現像結果への影響は少ないが、現像時にリ
ンス液用ノズルから水滴が落ちる可能性があれば、現像
液用ノズルと同様、乾燥気体等で包囲することが望まし
い。
【００１７】本発明は以上の実施例に限定されることな
く、更に種々変形して実施することが出来る。
く、更に種々変形して実施することが出来る。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
低温の有機溶剤系現像液を使用する場合であっても現像
むらによる解像度の低下を防止することが可能なレジス
ト現像方法及びレジスト現像装置を提供することが出
来、半導体デバイスのより一層のパターン微細化の達成
に寄与する。
低温の有機溶剤系現像液を使用する場合であっても現像
むらによる解像度の低下を防止することが可能なレジス
ト現像方法及びレジスト現像装置を提供することが出
来、半導体デバイスのより一層のパターン微細化の達成
に寄与する。
【図１】 本発明の実施例を示す図である。
【図２】 本発明の効果を示す図である。
１ ノズル ２ 断熱材 ３ 気体供給手段
Claims (4)
- 【請求項１】 周囲の空気より低温の現像液をノズルか
ら基板上に滴下して該基板上に被着されたレジストを現
像する方法において、 乾燥気体若しくは周囲の空気より湿度が低い気体を該ノ
ズルの先端露出部分に向けて供給することを特徴とする
レジスト現像方法。 - 【請求項２】 前記ノズルの先端露出部分に供給する気
体の水蒸気圧が該ノズルの先端露出部分の表面温度にお
ける飽和水蒸気圧より低いことを特徴とする請求項１記
載のレジスト現像方法。 - 【請求項３】 前記ノズルの先端露出部分に供給する気
体の温度が滴下する現像液の温度と略等しいことを特徴
とする請求項１記載のレジスト現像方法。 - 【請求項４】 現像液の冷却手段と、該冷却手段により
冷却された現像液を滴下するノズルと、該ノズルの先端
露出部分周辺に乾燥気体若しくは周囲の空気より低湿の
気体を供給する気体供給手段と、を有することを特徴と
するレジスト現像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14725093A JPH07142322A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | レジスト現像の方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14725093A JPH07142322A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | レジスト現像の方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07142322A true JPH07142322A (ja) | 1995-06-02 |
Family
ID=15425986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14725093A Withdrawn JPH07142322A (ja) | 1993-06-18 | 1993-06-18 | レジスト現像の方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07142322A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002162163A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Nec Kagoshima Ltd | 溶剤乾燥装置 |
| JP2008118087A (ja) * | 2006-11-03 | 2008-05-22 | Postech Foundation | 高電子移動度トランジスタのｔ−ゲート形成方法及びそのゲート構造 |
| KR20110087212A (ko) | 2010-01-25 | 2011-08-02 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리 장치, 처리 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체 |
| WO2012081548A1 (ja) * | 2010-12-13 | 2012-06-21 | Hoya株式会社 | 流体供給装置、レジスト現像装置およびモールド製造方法 |
| JP2012129244A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-05 | Hoya Corp | 流体供給装置、レジスト現像装置およびモールド製造方法 |
| JP2012142564A (ja) * | 2010-12-13 | 2012-07-26 | Hoya Corp | 流体供給装置、レジスト現像装置およびモールド製造方法 |
| JP2013058533A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Hoya Corp | レジスト現像装置およびモールド製造方法 |
| US8518480B2 (en) | 2010-01-25 | 2013-08-27 | Tokyo Electron Limited | Developing treatment method, program, computer storage medium and developing treatment system |
| JP2016051715A (ja) * | 2014-08-28 | 2016-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、及び記憶媒体 |
| JP2020188125A (ja) * | 2019-05-14 | 2020-11-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 現像方法および現像装置 |
-
1993
- 1993-06-18 JP JP14725093A patent/JPH07142322A/ja not_active Withdrawn
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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