JP2917327B2 - 被処理体の洗浄方法 - Google Patents
被処理体の洗浄方法Info
- Publication number
- JP2917327B2 JP2917327B2 JP1291694A JP29169489A JP2917327B2 JP 2917327 B2 JP2917327 B2 JP 2917327B2 JP 1291694 A JP1291694 A JP 1291694A JP 29169489 A JP29169489 A JP 29169489A JP 2917327 B2 JP2917327 B2 JP 2917327B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor wafer
- cleaning
- temperature
- low
- foreign matter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体ウエハーなどの洗浄に適用して好適
な被処理体の洗浄方法に関する。
な被処理体の洗浄方法に関する。
本発明は、被処理体の洗浄方法において、被処理体の
表面に付着した有機系異物が凝固する温度以下に被処理
体を冷却用サセプターに載置することにより冷却して有
機系異物を凝固させ、次いで凝固した有機系異物を除去
するようにすることによって、フロンを用いることなく
被処理体の洗浄を行うことができるようにしたものであ
る。
表面に付着した有機系異物が凝固する温度以下に被処理
体を冷却用サセプターに載置することにより冷却して有
機系異物を凝固させ、次いで凝固した有機系異物を除去
するようにすることによって、フロンを用いることなく
被処理体の洗浄を行うことができるようにしたものであ
る。
従来、半導体集積回路の製造工程における半導体ウエ
ハーの洗浄には、フロン系の薬液が用いられている。こ
の場合、フロンの役割は、主として半導体ウエハー表面
に付着した有機系の汚染物を除去することである。
ハーの洗浄には、フロン系の薬液が用いられている。こ
の場合、フロンの役割は、主として半導体ウエハー表面
に付着した有機系の汚染物を除去することである。
しかし、近年、フロンガスによるオゾン層の破壊な
ど、フロンが環境に及ぼす悪影響が指摘されるようにな
り、フロン使用の規制とともに、フロン代替品の開発な
ど、脱フロン化の動きが活発になってきている。
ど、フロンが環境に及ぼす悪影響が指摘されるようにな
り、フロン使用の規制とともに、フロン代替品の開発な
ど、脱フロン化の動きが活発になってきている。
従って本発明の目的は、フロンを用いることなく被処
理体の洗浄を行うことができる被処理体の洗浄方法を提
供することにある。
理体の洗浄を行うことができる被処理体の洗浄方法を提
供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、被処理体の洗
浄方法において、被処理体（８）の表面に付着した有機
系異物が凝固する温度以下に被処理体（８）を冷却用サ
セプター（７）に載置することにより冷却して有機系異
物を凝固させ、次いで凝固した有機系異物を除去するよ
うにしている。
浄方法において、被処理体（８）の表面に付着した有機
系異物が凝固する温度以下に被処理体（８）を冷却用サ
セプター（７）に載置することにより冷却して有機系異
物を凝固させ、次いで凝固した有機系異物を除去するよ
うにしている。
ここで、凝固した有機系異物の除去は、例えば加圧ガ
スの吹きつけなどにより有機系異物に物理的な力を加え
ることにより行うことができる。
スの吹きつけなどにより有機系異物に物理的な力を加え
ることにより行うことができる。
上述のように構成された本発明によれば、被処理体
（８）の表面に付着した有機系異物を凝固させておくこ
とにより、加圧ガスの吹きつけなどの方法でこの凝固し
た有機系異物に物理的な力を加えてこの有機系異物を被
処理体（８）の表面から剥離させることができる。これ
によって、被処理体（８）の表面から有機系異物を除去
することができ、被処理体（８）の洗浄を行うことがで
きる。この方法によれば、フロンを用いないでも有機系
の異物を除去することができるので、洗浄の脱フロン化
及びドライ化を図ることができる。
（８）の表面に付着した有機系異物を凝固させておくこ
とにより、加圧ガスの吹きつけなどの方法でこの凝固し
た有機系異物に物理的な力を加えてこの有機系異物を被
処理体（８）の表面から剥離させることができる。これ
によって、被処理体（８）の表面から有機系異物を除去
することができ、被処理体（８）の洗浄を行うことがで
きる。この方法によれば、フロンを用いないでも有機系
の異物を除去することができるので、洗浄の脱フロン化
及びドライ化を図ることができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。以下の実施例は、本発明を半導体ウエハーの洗
浄に適用した実施例である。なお、実施例の全図におい
て、同一の部分には同一の符号を付し、重複説明は省略
する。
明する。以下の実施例は、本発明を半導体ウエハーの洗
浄に適用した実施例である。なお、実施例の全図におい
て、同一の部分には同一の符号を付し、重複説明は省略
する。
第１図は本発明の第１実施例で用いられる洗浄装置を
示す。まず、この洗浄装置の構成について説明する。
示す。まず、この洗浄装置の構成について説明する。
第１図に示すように、この洗浄装置は、ロードロック
部１、冷却室２、洗浄室３、加熱室４及びロードロック
部５から成る。符号６はゲートバルブを示す。
部１、冷却室２、洗浄室３、加熱室４及びロードロック
部５から成る。符号６はゲートバルブを示す。
冷却室２には冷却用サセプター７が設けられている。
この冷却用サセプター７上には洗浄を行うべき半導体ウ
エハー８が載せられる。この半導体ウエハー８は例えば
シリコンウエハーである。この冷却用サセプター７は、
液体窒素などの冷媒を用いた低温チラー９により低温に
冷却することができるようになっている。さらに、この
冷却室２内は、図示省略した真空ポンプにより真空排気
することができるようになっている。
この冷却用サセプター７上には洗浄を行うべき半導体ウ
エハー８が載せられる。この半導体ウエハー８は例えば
シリコンウエハーである。この冷却用サセプター７は、
液体窒素などの冷媒を用いた低温チラー９により低温に
冷却することができるようになっている。さらに、この
冷却室２内は、図示省略した真空ポンプにより真空排気
することができるようになっている。
洗浄室３にはサセプター10が設けられ、このサセプタ
ー10上に半導体ウエハー８が載せられる。この洗浄室３
には、ノズル11より外部から加圧ガスを導入することが
できるようになっている。このノズル11は、図示省略し
た駆動機構により半導体ウエハー８上を走査することが
できるようになっている。
ー10上に半導体ウエハー８が載せられる。この洗浄室３
には、ノズル11より外部から加圧ガスを導入することが
できるようになっている。このノズル11は、図示省略し
た駆動機構により半導体ウエハー８上を走査することが
できるようになっている。
加熱室４にはサセプター12が設けられ、このサセプタ
ー12上に半導体ウエハー８が載せられる。このサセプタ
ー12は、ヒーター13により加熱することができるように
なっている。
ー12上に半導体ウエハー８が載せられる。このサセプタ
ー12は、ヒーター13により加熱することができるように
なっている。
次に、この第１実施例による洗浄方法について説明す
る。
る。
第１図に示すように、まずロードロック部１に外部か
ら半導体ウエハー８をローディングした後、このロード
ロック部１の内部を所定圧力まで真空排気する。次に、
ゲートバルブ６を開いて、半導体ウエハー８をあらかじ
め減圧された冷却室２内の冷却用サセプター７上に移送
し、この冷却用サセプター７上で例えば−百数＋℃程度
の低温に冷却する。この場合、冷却室２内は減圧されて
いることから、半導体ウエハー８の冷却効率は高い。こ
の−百数十℃程度の低温では、半導体ウエハー８の表面
に付着しているほとんど全ての有機物は凝固する。
ら半導体ウエハー８をローディングした後、このロード
ロック部１の内部を所定圧力まで真空排気する。次に、
ゲートバルブ６を開いて、半導体ウエハー８をあらかじ
め減圧された冷却室２内の冷却用サセプター７上に移送
し、この冷却用サセプター７上で例えば−百数＋℃程度
の低温に冷却する。この場合、冷却室２内は減圧されて
いることから、半導体ウエハー８の冷却効率は高い。こ
の−百数十℃程度の低温では、半導体ウエハー８の表面
に付着しているほとんど全ての有機物は凝固する。
次に、このようにして低温に冷却された半導体ウエハ
ー８を冷却室２から洗浄室３のサセプター10上に移送す
る。次に、このサセプター10上で半導体ウエハー８の表
面にノズル11より例えば窒素（N2）ガスなどの加圧ガス
を吹きつけ、これによりこの半導体ウエハー８の表面上
の凝固した有機系異物を除去する。なお、ノズル11より
洗浄室３内に導入されたガスは、図示省略した排気口か
ら洗浄室３外に排気される。また、半導体ウエハー８の
表面から除去された有機系異物は、必要に応じて洗浄室
３の外部に排出される。
ー８を冷却室２から洗浄室３のサセプター10上に移送す
る。次に、このサセプター10上で半導体ウエハー８の表
面にノズル11より例えば窒素（N2）ガスなどの加圧ガス
を吹きつけ、これによりこの半導体ウエハー８の表面上
の凝固した有機系異物を除去する。なお、ノズル11より
洗浄室３内に導入されたガスは、図示省略した排気口か
ら洗浄室３外に排気される。また、半導体ウエハー８の
表面から除去された有機系異物は、必要に応じて洗浄室
３の外部に排出される。
次に、上述のようにして洗浄が行われた半導体ウエハ
ー８を加熱室４のサセプター12上に移送し、このサセプ
ター12上で半導体ウエハー８を加熱して常温に戻す。こ
の後、この半導体ウエハー８をロードロック部５に移送
し、このロードロック部５から半導体ウエハー８を外部
に取り出す。この時点では、この半導体ウエハー８は常
温に戻されているので、ロードロック部５から大気中に
この半導体ウエハー８を取り出した時にその表面で結露
が発生するおそれはない。
ー８を加熱室４のサセプター12上に移送し、このサセプ
ター12上で半導体ウエハー８を加熱して常温に戻す。こ
の後、この半導体ウエハー８をロードロック部５に移送
し、このロードロック部５から半導体ウエハー８を外部
に取り出す。この時点では、この半導体ウエハー８は常
温に戻されているので、ロードロック部５から大気中に
この半導体ウエハー８を取り出した時にその表面で結露
が発生するおそれはない。
以上のように、この第１実施例によれば、半導体ウエ
ハー８を低温に冷却してこの半導体ウエハー８の表面に
付着している有機系異物を凝固させ、その後この半導体
ウエハー８の表面に加圧ガスを吹きつけて凝固した有機
系異物を除去することにより洗浄を行っているので、フ
ロンを用いた場合と同等な洗浄効果をフロンを用いるこ
となく得ることができる。これにより、洗浄の脱フロン
化及びドライ化を達成することができる。また、加圧ガ
スの吹きつけにより半導体ウエハー８の表面の有機系異
物を除去しているので、半導体ウエハー８に損傷を与え
るおそれがない。
ハー８を低温に冷却してこの半導体ウエハー８の表面に
付着している有機系異物を凝固させ、その後この半導体
ウエハー８の表面に加圧ガスを吹きつけて凝固した有機
系異物を除去することにより洗浄を行っているので、フ
ロンを用いた場合と同等な洗浄効果をフロンを用いるこ
となく得ることができる。これにより、洗浄の脱フロン
化及びドライ化を達成することができる。また、加圧ガ
スの吹きつけにより半導体ウエハー８の表面の有機系異
物を除去しているので、半導体ウエハー８に損傷を与え
るおそれがない。
次に、本発明の第２実施例について説明する。この第
２実施例は、本発明による洗浄方法を低温CVD法による
膜形成と組み合わせた実施例である。
２実施例は、本発明による洗浄方法を低温CVD法による
膜形成と組み合わせた実施例である。
第２図はこの第２実施例で用いられる洗浄装置を示
す。第２図に示すように、この第２実施例で用いられる
洗浄装置は、第１図に示す洗浄装置の洗浄室３と加熱室
４との間に低温CVD室14を設けたものである。この低温C
VD室14にはサセプター15が設けられ、このサセプター15
上に半導体ウエハー８が載せられる。
す。第２図に示すように、この第２実施例で用いられる
洗浄装置は、第１図に示す洗浄装置の洗浄室３と加熱室
４との間に低温CVD室14を設けたものである。この低温C
VD室14にはサセプター15が設けられ、このサセプター15
上に半導体ウエハー８が載せられる。
この第２実施例による洗浄方法においては、第１実施
例と同様にして洗浄室３で半導体ウエハー８の洗浄を行
った後、この洗浄された半導体ウエハー８を低温CVD室1
4に移送して低温CVD法によりこの半導体ウエハー８上に
膜形成を行う。
例と同様にして洗浄室３で半導体ウエハー８の洗浄を行
った後、この洗浄された半導体ウエハー８を低温CVD室1
4に移送して低温CVD法によりこの半導体ウエハー８上に
膜形成を行う。
この第２実施例によれば、フロンを用いることなく半
導体ウエハー８を洗浄することができるという第１実施
例と同様な利点に加え、次のような利点がある。すなわ
ち、半導体ウエハー８の洗浄と低温CVD法による膜形成
を連続して行うことができるので、洗浄と低温CVDとの
全体のスループットの向上を図ることができる。また、
低温CVD室14に移送された時点では半導体ウエハー８は
すでに冷却されているので、この低温CVD室14で半導体
ウエハー８の冷却を行うことなく直ちに低温CVDを行う
ことができる。さらに、このように低温CVD室14で半導
体ウエハー８の冷却を行う必要がないので、低温CVDの
際に半導体ウエハー８以外の部分、例えば壁面などへの
堆積を防止することができる。また、半導体ウエハー８
の表面は洗浄によりあらかじめ清浄化されているので、
低温CVD法により形成された膜の膜質は良好である。
導体ウエハー８を洗浄することができるという第１実施
例と同様な利点に加え、次のような利点がある。すなわ
ち、半導体ウエハー８の洗浄と低温CVD法による膜形成
を連続して行うことができるので、洗浄と低温CVDとの
全体のスループットの向上を図ることができる。また、
低温CVD室14に移送された時点では半導体ウエハー８は
すでに冷却されているので、この低温CVD室14で半導体
ウエハー８の冷却を行うことなく直ちに低温CVDを行う
ことができる。さらに、このように低温CVD室14で半導
体ウエハー８の冷却を行う必要がないので、低温CVDの
際に半導体ウエハー８以外の部分、例えば壁面などへの
堆積を防止することができる。また、半導体ウエハー８
の表面は洗浄によりあらかじめ清浄化されているので、
低温CVD法により形成された膜の膜質は良好である。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本
発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
発明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の第２実施例においては、本発明の洗浄
方法を低温CVDと組み合わせた場合について説明した
が、例えば本発明の洗浄方法を低温エッチングと組み合
わせることも可能である。具体的には、例えばLDD（Lig
htly Doped Drain）構造のMOSFETの製造方法においてサ
イドウォールスペーサを形成する場合に、CVD法により
全面に形成された二酸化シリコン（SiO2）膜をレジスト
マスクを用いないで全面エッチングする前に本発明の洗
浄方法によりこのSiO2膜の表面を洗浄し、その後低温エ
ッチングによりSiO2膜を全面エッチングすることが可能
である。この方法によれば、エッチング残渣が生じにく
くなるという効果が得られる。
方法を低温CVDと組み合わせた場合について説明した
が、例えば本発明の洗浄方法を低温エッチングと組み合
わせることも可能である。具体的には、例えばLDD（Lig
htly Doped Drain）構造のMOSFETの製造方法においてサ
イドウォールスペーサを形成する場合に、CVD法により
全面に形成された二酸化シリコン（SiO2）膜をレジスト
マスクを用いないで全面エッチングする前に本発明の洗
浄方法によりこのSiO2膜の表面を洗浄し、その後低温エ
ッチングによりSiO2膜を全面エッチングすることが可能
である。この方法によれば、エッチング残渣が生じにく
くなるという効果が得られる。
また、上述の第１及び第２実施例においては、本発明
を半導体ウエハーの洗浄に適用した場合について説明し
たが、本発明は、半導体ウエハー以外のもの、例えば光
ディスクやレンズなどの洗浄に適用することが可能であ
る。
を半導体ウエハーの洗浄に適用した場合について説明し
たが、本発明は、半導体ウエハー以外のもの、例えば光
ディスクやレンズなどの洗浄に適用することが可能であ
る。
以上述べたように、本発明によれば、被処理体の表面
に付着した有機系異物が凝固する温度以下に被処理体を
冷却用サセプターに載置することにより冷却して有機系
異物を凝固させ、次いで凝固した有機系異物を除去する
ようにしているので、フロンを用いることなく被処理体
の洗浄を行うことができる。
に付着した有機系異物が凝固する温度以下に被処理体を
冷却用サセプターに載置することにより冷却して有機系
異物を凝固させ、次いで凝固した有機系異物を除去する
ようにしているので、フロンを用いることなく被処理体
の洗浄を行うことができる。
第１図は本発明の第１実施例で用いられる洗浄装置の概
略構成図、第２図は本発明の第２実施例で用いられる洗
浄及び低温CVD装置の概略構成図である。 図面における主要な符号の説明 2:冷却室、3:洗浄室、4:加熱室、 8:半導体ウエハー、14:低温CVD室。
略構成図、第２図は本発明の第２実施例で用いられる洗
浄及び低温CVD装置の概略構成図である。 図面における主要な符号の説明 2:冷却室、3:洗浄室、4:加熱室、 8:半導体ウエハー、14:低温CVD室。
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/304 B08B 3/00 - 3/14 B08B 5/00 - 5/04
Claims (2)
- 【請求項１】被処理体の表面に付着した有機系異物が凝
固する温度以下に上記被処理体を冷却用サセプターに載
置することにより冷却して上記有機系異物を凝固させ、 次いで凝固した上記有機系異物を除去するようにしたこ
とを特徴とする被処理体の洗浄方法。 - 【請求項２】上記被処理体が半導体ウエハーであること
を特徴とする請求項１記載の被処理体の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1291694A JP2917327B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 被処理体の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1291694A JP2917327B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 被処理体の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03152928A JPH03152928A (ja) | 1991-06-28 |
| JP2917327B2 true JP2917327B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=17772197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1291694A Expired - Fee Related JP2917327B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 被処理体の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917327B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2713521B1 (fr) * | 1993-12-09 | 1996-03-22 | Lenglen Jean Luc | Procédé et machine pour le nettoyage de pièces. |
| CN108655086A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-10-16 | 苏州珮凯科技有限公司 | 半导体8寸晶圆蚀刻制程td/drm工艺石英绝缘环的再生方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4777804A (en) | 1987-08-26 | 1988-10-18 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for easing surface particle removal by size increase |
-
1989
- 1989-11-09 JP JP1291694A patent/JP2917327B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4777804A (en) | 1987-08-26 | 1988-10-18 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for easing surface particle removal by size increase |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03152928A (ja) | 1991-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3358172B2 (ja) | クリーンプレシジョン面形成方法 | |
| US6695683B2 (en) | Semiconductor device washing apparatus and a method of washing a semiconductor device | |
| US20070089761A1 (en) | Non-plasma method of removing photoresist from a substrate | |
| JP3378543B2 (ja) | ウェーハ・キャリア洗浄方法 | |
| JP4031440B2 (ja) | 超臨界処理を用いる汚染物の除去 | |
| JP2917327B2 (ja) | 被処理体の洗浄方法 | |
| JP2000058498A (ja) | ウェハ乾燥方法及び乾燥槽及び洗浄槽及び洗浄装置 | |
| JPH05275401A (ja) | 犠牲層エッチングの方法 | |
| JPH08195382A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH0582496A (ja) | レジスト除去方法及びその装置 | |
| JP3658117B2 (ja) | 超臨界流体排気方法及び超臨界流体洗浄装置 | |
| JP2001000929A (ja) | 半導体用キャリアの洗浄装置および洗浄方法 | |
| JPH10199847A (ja) | ウエハの洗浄方法 | |
| JP3265047B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH05217983A (ja) | 低温処理装置 | |
| JP2005072601A (ja) | 多孔質低誘電率材料のエッチング後のクリーニング法 | |
| KR100216729B1 (ko) | 실리콘 직접 접합 후처리 공정 | |
| JP2002217155A (ja) | 半導体基板の洗浄方法 | |
| JP3677956B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20030061515A (ko) | 반도체 건식식각장치 및 이를 이용한 건식식각방법 | |
| JPH04337633A (ja) | 半導体装置の製造におけるエッチング方法 | |
| JPH0945595A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR100515371B1 (ko) | 더미 웨이퍼의 재활용 방법 | |
| JP2002110658A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその装置 | |
| JPH04370380A (ja) | 排気ガス処理装置とその清浄化方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |