JPH03152928A - 被処理体の洗浄方法 - Google Patents
被処理体の洗浄方法Info
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- JPH03152928A JPH03152928A JP29169489A JP29169489A JPH03152928A JP H03152928 A JPH03152928 A JP H03152928A JP 29169489 A JP29169489 A JP 29169489A JP 29169489 A JP29169489 A JP 29169489A JP H03152928 A JPH03152928 A JP H03152928A
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0064—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by temperature changes
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェハーなどの洗浄に適用して好適な
洗浄方法に関する。
洗浄方法に関する。
本発明は、洗浄方法において、被処理体の表面に付着し
た異物が凝固する温度以下に被処理体を冷却し、次いで
凝固した異物を除去するようにすることによって、フロ
ンを用いることなく被処理体の洗浄を行うことができる
ようにしたものである。
た異物が凝固する温度以下に被処理体を冷却し、次いで
凝固した異物を除去するようにすることによって、フロ
ンを用いることなく被処理体の洗浄を行うことができる
ようにしたものである。
従来、半導体集積回路の製造工程における半導体ウェハ
ーの洗浄には、フロン系の薬液が用いられている。この
場合、フロンの役割は、主として半導体ウェハー表面に
付着した有機系の汚染物を除去することである。
ーの洗浄には、フロン系の薬液が用いられている。この
場合、フロンの役割は、主として半導体ウェハー表面に
付着した有機系の汚染物を除去することである。
しかし、近年、フロンガスによるオゾン層の破壊など、
フロンが環境に及ぼす悪影響が指摘されるようになり、
フロン使用の規制とともに、フロン代替品の開発など、
脱フロン化の動きが活発になってきている。
フロンが環境に及ぼす悪影響が指摘されるようになり、
フロン使用の規制とともに、フロン代替品の開発など、
脱フロン化の動きが活発になってきている。
従って本発明の目的は、フロンを用いることなく被処理
体の洗浄を行うことができる洗浄方法を提供することに
ある。
体の洗浄を行うことができる洗浄方法を提供することに
ある。
上記目的を達成するために、本発明は、洗浄方法におい
て、被処理体（８）の表面に付着した異物が凝固する温
度以下に被処理体（８）を冷却し、次いで凝固した異物
を除去するようにしている。
て、被処理体（８）の表面に付着した異物が凝固する温
度以下に被処理体（８）を冷却し、次いで凝固した異物
を除去するようにしている。
ここで、凝固した異物の除去は、例えば加圧ガスの吹き
つけなどによりこの異物に物理的な力を加えることによ
り行うことができる。
つけなどによりこの異物に物理的な力を加えることによ
り行うことができる。
上述のように構成された本発明の洗浄方法によれば、被
処理体（８）の表面に付着した異物を凝固させておくこ
とにより、加圧ガスの吹きつけなどの方法でこの凝固し
た異物に物理的な力を加えてこの異物を被処理体（８）
の表面から剥離させることができる。これによって、被
処理体（８）の表面から異物を除去することができ、被
処理体（８）の洗浄を行うことができる。この方法によ
れば、フロンを用いないでも有機系の異物を除去するこ
とができるので、洗浄の脱フロン化及びドライ化を図る
ことができる。
処理体（８）の表面に付着した異物を凝固させておくこ
とにより、加圧ガスの吹きつけなどの方法でこの凝固し
た異物に物理的な力を加えてこの異物を被処理体（８）
の表面から剥離させることができる。これによって、被
処理体（８）の表面から異物を除去することができ、被
処理体（８）の洗浄を行うことができる。この方法によ
れば、フロンを用いないでも有機系の異物を除去するこ
とができるので、洗浄の脱フロン化及びドライ化を図る
ことができる。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。以下の実施例は、本発明を半導体ウェハーの洗浄
に適用した実施例である。なお、実施例の全図において
、同一の部分には同一の符号を付し、重□複説明は省略
する。
する。以下の実施例は、本発明を半導体ウェハーの洗浄
に適用した実施例である。なお、実施例の全図において
、同一の部分には同一の符号を付し、重□複説明は省略
する。
第１図は本発明の第１実施例で用いられる洗浄装置を示
す。まず、この洗浄装置の構成について説明する。
す。まず、この洗浄装置の構成について説明する。
第１図に示すように、この洗浄装置は、ロードロツタ部
１、冷却室２、洗浄室３、加熱室４及びロードロック部
５から成る。符号６はゲートバルブを示す。
１、冷却室２、洗浄室３、加熱室４及びロードロック部
５から成る。符号６はゲートバルブを示す。
冷却室２には冷却用サセプター７が設けられている。こ
の冷却用サセプター７上には洗浄を行うべき半導体ウェ
ハー８が載せられる。この半導体ウェハー８は例えばシ
リコンウェハーである。この冷却用サセプター７は、液
体窒素などの冷媒を用いた低温チラー９により低温に冷
却することができるようになっている。さらに、この冷
却室２内は、図示省略した真空ポンプにより真空排気す
ることができるようになっている。
の冷却用サセプター７上には洗浄を行うべき半導体ウェ
ハー８が載せられる。この半導体ウェハー８は例えばシ
リコンウェハーである。この冷却用サセプター７は、液
体窒素などの冷媒を用いた低温チラー９により低温に冷
却することができるようになっている。さらに、この冷
却室２内は、図示省略した真空ポンプにより真空排気す
ることができるようになっている。
洗浄室３にはサセプター１０が設けられ、このサセプタ
ー１０上に半導体ウェハー８が載せられる。この洗浄室
３には、ノズル１１より外部から加圧ガスを導入するこ
とができるようになっている。このノズル１１は、図示
省略した駆動機構により半導体ウェハー８上を走査する
ことができるようになっている。
ー１０上に半導体ウェハー８が載せられる。この洗浄室
３には、ノズル１１より外部から加圧ガスを導入するこ
とができるようになっている。このノズル１１は、図示
省略した駆動機構により半導体ウェハー８上を走査する
ことができるようになっている。
加熱室４にはサセプター１２が設けられ、このサセプタ
ー１２上に半導体ウェハー８が載せられる。このサセプ
ター１２は、ヒーター１３により加熱することができる
ようになっている。
ー１２上に半導体ウェハー８が載せられる。このサセプ
ター１２は、ヒーター１３により加熱することができる
ようになっている。
次に、この第１実施例による洗浄方法について説明する
。
。
第１図に示すように、まずロードロック部１に外部から
半導体ウェハー８をローディングした後、このロードロ
ツタ部１の内部を所定圧力まで真空排気する。次に、ゲ
ートバルブ６を開いて、半導体ウェハー８をあらかじめ
減圧された冷却室２内の冷却用サセプター７上に移送し
、この冷却用サセプター７上で例えば−百数十゛Ｃ程度
の低温に冷却する。この場合、冷却室２内は減圧されて
いることから、半導体ウェハー８の冷却効率は高い。
半導体ウェハー８をローディングした後、このロードロ
ツタ部１の内部を所定圧力まで真空排気する。次に、ゲ
ートバルブ６を開いて、半導体ウェハー８をあらかじめ
減圧された冷却室２内の冷却用サセプター７上に移送し
、この冷却用サセプター７上で例えば−百数十゛Ｃ程度
の低温に冷却する。この場合、冷却室２内は減圧されて
いることから、半導体ウェハー８の冷却効率は高い。
この−百数十°Ｃ程度の低温では、半導体ウェハー８の
表面に付着しているほとんど全ての有機物は凝固する。
表面に付着しているほとんど全ての有機物は凝固する。
次に、このようにして低温に冷却された半導体ウェハー
８を冷却室２から洗浄室３のサセプター１０上に移送す
る。次に、このサセプター１０上で半導体ウェハー８の
表面にノズル１１より例えば窒素（ＮＺ ）ガスなどの
加圧ガスを吹きつけ、これによりこの半導体ウェハー８
の表面上の凝固した異物を除去する。なお、ノズル１１
より洗浄室３内に導入されたガスは、図示省略した排気
口から洗浄室３外に排気される。また、半導体ウェハー
８の表面から除去された異物は、必要に応じて洗浄室３
の外部に排出される。
８を冷却室２から洗浄室３のサセプター１０上に移送す
る。次に、このサセプター１０上で半導体ウェハー８の
表面にノズル１１より例えば窒素（ＮＺ ）ガスなどの
加圧ガスを吹きつけ、これによりこの半導体ウェハー８
の表面上の凝固した異物を除去する。なお、ノズル１１
より洗浄室３内に導入されたガスは、図示省略した排気
口から洗浄室３外に排気される。また、半導体ウェハー
８の表面から除去された異物は、必要に応じて洗浄室３
の外部に排出される。
次に、上述のようにして洗浄が行われた半導体ウェハー
８を加熱室４のサセプター１２上に移送し、このサセプ
ター１２上で半導体ウェハー８を加熱して常温に戻す。
８を加熱室４のサセプター１２上に移送し、このサセプ
ター１２上で半導体ウェハー８を加熱して常温に戻す。
この後、この半導体ウェハー８をロードロック部５に移
送し、このロードロック部５から半導体ウェハー８を外
部に取り出す。
送し、このロードロック部５から半導体ウェハー８を外
部に取り出す。
この時点では、この半導体ウェハー８は常温に戻されて
いるので、ロードロツタ部５から大気中にこの半導体ウ
ェハー８を取り出した時にその表面で結露が発生するお
それはない。
いるので、ロードロツタ部５から大気中にこの半導体ウ
ェハー８を取り出した時にその表面で結露が発生するお
それはない。
以上のように、この第１実施例によれば、半導体ウェハ
ー８を低温に冷却してこの半導体ウェハー８の表面に付
着している異物を凝固させ、その後この半導体ウェハー
８の表面に加圧ガスを吹きつけて凝固した異物を除去す
ることにより洗浄を行っているので、フロンを用いた場
合と同等な洗浄効果をフロンを用いることなく得ること
ができる。これにより、洗浄の脱フロン化及びドライ化
を達成することができる。また、加圧ガスの吹きつけに
より半導体ウェハー８の表面の異物を除去しているので
、半導体ウェハー８に損傷を与えるおそれがない。
ー８を低温に冷却してこの半導体ウェハー８の表面に付
着している異物を凝固させ、その後この半導体ウェハー
８の表面に加圧ガスを吹きつけて凝固した異物を除去す
ることにより洗浄を行っているので、フロンを用いた場
合と同等な洗浄効果をフロンを用いることなく得ること
ができる。これにより、洗浄の脱フロン化及びドライ化
を達成することができる。また、加圧ガスの吹きつけに
より半導体ウェハー８の表面の異物を除去しているので
、半導体ウェハー８に損傷を与えるおそれがない。
次に、本発明の第２実施例について説明する。
この第２実施例は、本発明による洗浄方法を低温ＣＶＤ
法による膜形成と組み合わせた実施例である。
法による膜形成と組み合わせた実施例である。
第２図はこの第２実施例で用いられる洗浄装置を示す。
第２図に示すように、この第２実施例で用いられる洗浄
装置は、第１図に示す洗浄装置の洗浄室３と加熱室４と
の間に低温ＣＶＤ室１４を設けたものである。この低温
ＣＶＤ室１４にはサセプター１５が設けられ、このサセ
プター１５上に半導体ウェハー８が載せられる。
装置は、第１図に示す洗浄装置の洗浄室３と加熱室４と
の間に低温ＣＶＤ室１４を設けたものである。この低温
ＣＶＤ室１４にはサセプター１５が設けられ、このサセ
プター１５上に半導体ウェハー８が載せられる。
この第２実施例による洗浄方法においては、第１実施例
と同様にして洗浄室３で半導体ウェハー８の洗浄を行っ
た後、この洗浄された半導体ウェハー８を低温ＣＶＤ室
１４に移送して低温ＣＶＤ法によりこの半導体ウェハー
８上に膜形成を行う。
と同様にして洗浄室３で半導体ウェハー８の洗浄を行っ
た後、この洗浄された半導体ウェハー８を低温ＣＶＤ室
１４に移送して低温ＣＶＤ法によりこの半導体ウェハー
８上に膜形成を行う。
この第２実施例によれば、フロンを用いることなく半導
体ウェハー８を洗浄することができるという第１実施例
と同様な利点に加え、次のような利点がある。すなわち
、半導体ウェハー８の洗浄と低温ＣＶＤ法による膜形成
を連続して行うことができるので、洗浄と低温ＣＶＤと
の全体のスループットの向上を図ることができる。また
、低温ＣＶＤ室１４に移送された時点では半導体ウェハ
ー８はすでに冷却されているので、この低温ＣＶＤ室１
４で半導体ウェハー８の冷却を行うことなく直ちに低温
ＣＶＤを行うことができる。さらに、このように低温Ｃ
ＶＤ室１４で半導体ウェハー８の冷却を行う必要がない
ので、低温ＣＶＤの際に半導体ウェハー８以外の部分、
例えば壁面などへの堆積を防止することができる。また
、半導体ウェハー８の表面は洗浄によりあらかじめ清浄
化されているので、低温ＣＶＤ法により形成された膜の
膜質は良好である。
体ウェハー８を洗浄することができるという第１実施例
と同様な利点に加え、次のような利点がある。すなわち
、半導体ウェハー８の洗浄と低温ＣＶＤ法による膜形成
を連続して行うことができるので、洗浄と低温ＣＶＤと
の全体のスループットの向上を図ることができる。また
、低温ＣＶＤ室１４に移送された時点では半導体ウェハ
ー８はすでに冷却されているので、この低温ＣＶＤ室１
４で半導体ウェハー８の冷却を行うことなく直ちに低温
ＣＶＤを行うことができる。さらに、このように低温Ｃ
ＶＤ室１４で半導体ウェハー８の冷却を行う必要がない
ので、低温ＣＶＤの際に半導体ウェハー８以外の部分、
例えば壁面などへの堆積を防止することができる。また
、半導体ウェハー８の表面は洗浄によりあらかじめ清浄
化されているので、低温ＣＶＤ法により形成された膜の
膜質は良好である。
以上、本発明の実施例につき具体的に説明したが、本発
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
明は、上述の実施例に限定されるものではなく、本発明
の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
例えば、上述の第２実施例においては、本発明の洗浄方
法を低温ＣＶＤと組み合わせた場合について説明したが
、例えば本発明の洗浄方法を低温エツチングと組み合わ
せることも可能である。具体的には、例えばＬ Ｄ Ｄ
（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造の
ＭＯＳ Ｆ ＥＴの製造方法においてサイドウオールス
ペーサを形成する場合に、ＣＶＤ法により全面に形成さ
れた二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）ＩＩＩをレジストマス
クを用いないで全面エツチングする前に本発明の洗浄方
法によりこのＳｉＯ□膜の表面を洗浄し、その後低温エ
ツチングにより５ｉＯｔ膜を全面エツチングすることが
可能である。この方法によれば、エツチング残渣が生じ
にくくなるという効果が得られる。
法を低温ＣＶＤと組み合わせた場合について説明したが
、例えば本発明の洗浄方法を低温エツチングと組み合わ
せることも可能である。具体的には、例えばＬ Ｄ Ｄ
（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造の
ＭＯＳ Ｆ ＥＴの製造方法においてサイドウオールス
ペーサを形成する場合に、ＣＶＤ法により全面に形成さ
れた二酸化シリコン（ＳｉＯｚ）ＩＩＩをレジストマス
クを用いないで全面エツチングする前に本発明の洗浄方
法によりこのＳｉＯ□膜の表面を洗浄し、その後低温エ
ツチングにより５ｉＯｔ膜を全面エツチングすることが
可能である。この方法によれば、エツチング残渣が生じ
にくくなるという効果が得られる。
また、上述の第１及び第２実施例においては、本発明を
半導体ウェハーの洗浄に適用した場合について説明した
が、本発明は、半導体ウェハー以外のもの、例えば光デ
ィスクやレンズなどの洗浄に適用することが可能である
。
半導体ウェハーの洗浄に適用した場合について説明した
が、本発明は、半導体ウェハー以外のもの、例えば光デ
ィスクやレンズなどの洗浄に適用することが可能である
。
以上述べたように、本発明によれば、被処理体０
の表面に付着した異物が凝固する温度以下に被処理体を
冷却し、次いで凝固した異物を除去するようにしている
ので、フロンを用いることなく被処理体の洗浄を行うこ
とができる。
冷却し、次いで凝固した異物を除去するようにしている
ので、フロンを用いることなく被処理体の洗浄を行うこ
とができる。
第１図は本発明の第１実施例で用いられる洗浄装置の概
略構成図、第２図は本発明の第２実施例で用いられる洗
浄及び低温ＣＶＤ装置の概略構成図である。 図面における主要な符号の説明 ２：冷却室、 ３：洗浄室、 ４：加熱室、８：半導体
ウェハー １４：低温ＣＶＤ室。
略構成図、第２図は本発明の第２実施例で用いられる洗
浄及び低温ＣＶＤ装置の概略構成図である。 図面における主要な符号の説明 ２：冷却室、 ３：洗浄室、 ４：加熱室、８：半導体
ウェハー １４：低温ＣＶＤ室。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 被処理体の表面に付着した異物が凝固する温度以下に
上記被処理体を冷却し、 次いで凝固した上記異物を除去するようにしたことを特
徴とする洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1291694A JP2917327B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 被処理体の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1291694A JP2917327B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 被処理体の洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03152928A true JPH03152928A (ja) | 1991-06-28 |
| JP2917327B2 JP2917327B2 (ja) | 1999-07-12 |
Family
ID=17772197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1291694A Expired - Fee Related JP2917327B2 (ja) | 1989-11-09 | 1989-11-09 | 被処理体の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2917327B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995015824A1 (fr) * | 1993-12-09 | 1995-06-15 | Lenglen Jean Luc | Procede et machine pour le nettoyage de pieces |
| CN108655086A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-10-16 | 苏州珮凯科技有限公司 | 半导体8寸晶圆蚀刻制程td/drm工艺石英绝缘环的再生方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4777804A (en) | 1987-08-26 | 1988-10-18 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for easing surface particle removal by size increase |
-
1989
- 1989-11-09 JP JP1291694A patent/JP2917327B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1995015824A1 (fr) * | 1993-12-09 | 1995-06-15 | Lenglen Jean Luc | Procede et machine pour le nettoyage de pieces |
| FR2713521A1 (fr) * | 1993-12-09 | 1995-06-16 | Lenglen Jean Luc | Procédé et machine pour le nettoyage de pièces. |
| CN108655086A (zh) * | 2018-04-08 | 2018-10-16 | 苏州珮凯科技有限公司 | 半导体8寸晶圆蚀刻制程td/drm工艺石英绝缘环的再生方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2917327B2 (ja) | 1999-07-12 |
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