JPH0766168A - 半導体製造方法および半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造方法および半導体製造装置

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JPH0766168A
JPH0766168A JP21001393A JP21001393A JPH0766168A JP H0766168 A JPH0766168 A JP H0766168A JP 21001393 A JP21001393 A JP 21001393A JP 21001393 A JP21001393 A JP 21001393A JP H0766168 A JPH0766168 A JP H0766168A
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JP
Japan
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semiconductor wafer
semiconductor
processing chamber
gas
cleaning
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JP21001393A
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English (en)
Inventor
Kazuo Sato
一夫 佐藤
Jun Sugiura
順 杉浦
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 洗浄乾燥処理に際して半導体ウエハが異物に
よって汚染されるのを抑制する。 【構成】 半導体集積回路装置の製造工程において、半
導体ウエハを純水によって洗浄する洗浄工程（工程１０
２ａ，工程１０２ｂ）と、洗浄工程後の半導体ウエハを
ＩＰＡガスの雰囲気中において回転させることにより乾
燥する乾燥工程（工程１０３ａ，工程１０３ｂ）とを連
続して行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造方法および
半導体製造装置技術に関し、特に、半導体集積回路装置
の製造工程において半導体ウエハに対して施す洗浄乾燥
処理に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路装置を製造するための微
細加工技術の向上に伴って半導体集積回路装置を構成す
る素子や配線等が微細になるにつれ、パーティクルや金
属不純物等のような微小異物が半導体集積回路装置の歩
留りや信頼性に大きな影響を及ぼすようになってきてい
る。
【０００３】このため、半導体集積回路装置の製造に際
しては、その全製造工程にわたって、半導体ウエハの表
面を如何に清浄に保つかが半導体集積回路装置の歩留ま
り等を向上させる上において重要な課題となっている。
【０００４】このような観点から半導体集積回路装置の
製造中においては、洗浄乾燥処理が繰り返し行われてい
る。その洗浄乾燥処理技術については、例えば(1) 特開
平３−１９２１６号公報、(2) 特開平３−２０９７１５
号公報または(3) 特開平４−７４４２１号公報に記載が
ある。
【０００５】上記特開平３−１９２１６号公報には、次
のような技術が開示されている。すなわち、スピンナ方
式の枚葉型ウェット処理装置において、半導体ウエハを
回転可能に載置するウエハ載置台と、純水を半導体ウエ
ハに吹き付けるスプレーノズルと、純水に希釈アルコー
ルを含有させたアルコール水溶液を半導体ウエハに吹き
付けるスプレーノズルとを設け、半導体ウエハを回転さ
せながら、上記純水やアルコール水溶液を半導体ウエハ
に吹き付けるウェット処理装置が開示されている。
【０００６】上記特開平３−２０９７１５号公報には、
次のような技術が開示されている。すなわち、現像処理
後の半導体ウエハの洗浄処理に際して、半導体ウエハを
回転させた状態で、半導体ウエハの中央上方に配置され
たノズルから半導体ウエハに対して純水をかける工程
と、半導体ウエハを回転させた状態で、半導体ウエハの
中央上方に配置されたノズルから半導体ウエハに対して
ＩＰＡ（Iso Plopyl Alcohol）水溶液をかける工程と、
半導体ウエハを回転させた状態で乾燥させる工程とを有
する洗浄乾燥技術が開示されている。
【０００７】上記特開平４−７４４２１号公報には、次
のような技術が開示されている。すなわち、エッチング
処理後の半導体ウエハを水洗した後、ＩＰＡ溶液に浸し
てからスピンナ乾燥を行う洗浄乾燥技術が開示されてい
る。
【０００８】また、この他に、複数枚の半導体ウエハを
水洗した後、ＩＰＡ蒸気雰囲気中に収容することにより
乾燥する洗浄乾燥技術もある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
技術においては、以下の問題があることを本発明者は見
い出した。
【００１０】すなわち、上記(1) 〜(3) の従来技術にお
いては、いずれもＩＰＡが液状であるため、ＩＰＡ液内
に含有される異物が問題となる。また、ＩＰＡ液が、半
導体ウエハ上に形成された微細で深い溝内等に入り込む
ことができず、溝内等を良好に乾燥することができない
という問題があった。
【００１１】また、バッチ処理型のＩＰＡ蒸気乾燥技術
の場合、ＩＰＡが蒸気なので微細な溝内にも入り込むこ
とができ良好な乾燥処理が可能であるが、バッチ処理な
ので異物等の問題があった。そこで、枚葉型とすること
により異物の問題を回避することも考えられるが、その
場合、乾燥処理の効率が低下するという問題があった。
【００１２】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、洗浄処理後の半導体ウエハの乾燥
処理における処理室内の清浄度を向上させることのでき
る技術を提供することにある。
【００１３】本発明の他の目的は、乾燥処理に際して半
導体ウエハの面内を良好に乾燥することのできる技術を
提供することにある。
【００１４】本発明の他の目的は、洗浄乾燥処理の効率
を向上させることのできる技術を提供することにある。
【００１５】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１７】すなわち、請求項１記載の発明は、半導体
集積回路装置の製造工程において、以下の工程を連続し
て行う半導体製造方法とするものである。
【００１８】（ａ）半導体ウエハを純水によって洗浄す
る洗浄工程。
【００１９】（ｂ）前記洗浄工程後の半導体ウエハをア
ルコールガスの雰囲気中において回転させることにより
乾燥する乾燥工程。
【００２０】
【作用】上記した請求項１記載の発明によれば、洗浄処
理後の半導体ウエハ上の水分を、回転による遠心力と、
アルコールガスによる置換作用との双方の作用によって
除去することができる。
【００２１】また、半導体ウエハをアルコールガス雰囲
気中に置くことにより、半導体ウエハの中央等、遠心力
だけでは充分に除去することのできない領域の水分も除
去することができる上、半導体ウエハを回転させること
により、アルコールガスを半導体ウエハの面内に均一に
供給することができる。
【００２２】また、アルコールガスの場合、半導体ウエ
ハ上に形成された微細で深い溝内にも入り込むことがで
きるので、その溝内の乾燥も良好に行うことができる
上、その溝内にアルコール液等が残ったとしても半導体
ウエハを回転することによりその溝内のアルコール液等
を外方に飛ばすことができる。
【００２３】さらに、アルコールをガス状にすることに
より、含有される異物の量を非常に少なくすることがで
きる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照しながら
詳細に説明する。
【００２５】図１は本発明の一実施例である半導体製造
工程を説明するためのタイミングシーケンス図、図２は
本発明の一実施例である半導体製造装置の説明図、図３
および図４は半導体製造工程中における半導体基板の要
部断面図である。
【００２６】図２に示す本実施例の半導体製造装置１
は、例えば枚葉型のウェットエッチング装置であり、ロ
ーダ部２ａと、アンローダ部２ｂと、処理部３と、複数
のタンク４ａ〜４ｄとを備えている。
【００２７】ローダ部２ａは、半導体ウエハ５を半導体
製造装置１の内部に搬入するための構成部である。アン
ローダ部２ｂは、処理の終了した半導体ウエハ５を半導
体製造装置１の外部に搬出するための構成部である。な
お、ローダ部２ａおよびアンローダ部２ｂは、複数枚の
半導体ウエハ５を収容することが可能な構造となってい
る。
【００２８】処理部３は、ウェットエッチング処理、洗
浄処理および乾燥処理を行うための構成部であり、密閉
された処理室３ａを有している。処理室３ａの内壁は、
例えばフッ素系の樹脂等によって被覆されている。な
お、処理部３の下部には、排気管３ａ1 および排液管３
ａ2 が設けられている。
【００２９】処理室３ａ内には、ウエハ載置台３ｂが回
転可能な状態で設置されている。ウエハ載置台３ｂは、
半導体ウエハ５を載置するための台であり、その内部に
は、例えば半導体ウエハ５の温度を所定値に設定するた
めの加熱流体を流す流通管３ｂ1 が形成されている。
【００３０】ウエハ載置台３ｂ上の半導体ウエハ５は、
例えばメカニカルチャック方式によって固定されてい
る。ただし、半導体ウエハ５の固定方式は、メカニカル
チャック方式に限定されるものではなく種々変更可能で
あり、例えば真空吸着方式を用いても良い。
【００３１】また、処理室３ａの内部には、ノズル（エ
ッチング液供給部，純粋供給部）３ｃとノズル（ガス導
入部）３ｄとが配置されている。ノズル３ｃは、エッチ
ング液および洗浄液を半導体ウエハ５の主面上に供給す
るためのノズルであり、図２の横方向に移動可能な状態
で設置されている。ノズル３ｄは、アルコールガスおよ
び窒素（Ｎ2)ガス等を処理室３ａ内に供給するためのノ
ズルであり、図２の上下方向に移動可能な状態で設置さ
れている。
【００３２】タンク４ａは、半導体ウエハ５を洗浄する
際に用いる純水を貯留するための構成部である。また、
タンク４ａは、供給管６ａを通じてノズル３ｃと機械的
に接続されている。これにより、タンク４ａ内の純水を
処理室３ａ内の半導体ウエハ５上に供給することが可能
となっている。なお、純水の供給、供給停止および供給
量は、供給管６ａの途中位置に配置されたエアバルブ７
ａによって調節されるようになっている。
【００３３】タンク４ｂは、例えばフッ酸（ＨＦ）水溶
液等、半導体ウエハ５に対してエッチング処理を施す際
に用いるエッチング液を貯留するための構成部である。
タンク４ｂは、例えば炭化シリコン（ＳｉＣ）またはフ
ッ素系の樹脂等のような耐腐食性材料からなるととも
に、室温状態を維持可能な構造となっている。
【００３４】また、タンク４ｂは、供給管６ａを介して
ノズル３ｃと機械的に接続されている。これにより、タ
ンク４ｂ内のＨＦ水溶液を処理室３ａ内の半導体ウエハ
５上に供給することが可能となっている。なお、ＨＦ水
溶液の供給、供給停止および供給量は、供給管６ａの途
中位置に配置されたエアバルブ７ｂによって調節される
ようになっている。
【００３５】タンク４ｃは、例えばＩＰＡ液等、半導体
ウエハ５に対して乾燥処理を施す際に用いるアルコール
液を貯留するための構成部である。タンク４ｂは、例え
ば石英またはステンレスからなる。ただし、ステンレス
の場合は、電解研磨処理が施されている。
【００３６】タンク４ｃの下部には、加熱ヒータ４ｃ1
が設置されている。加熱ヒータ４ｃ1 は、タンク４ｃ内
に貯留されたＩＰＡ液を加熱することによりＩＰＡガス
を生成するためのヒータである。
【００３７】また、タンク４ｃは、供給管６ｂを介して
ノズル３ｄと機械的に接続されている。これにより、加
熱ヒータ４ｃ1 により生成されたＩＰＡガスを、供給管
６ｂおよびノズル３ｄを通じて処理室３ａ内に供給する
ことが可能となっている。なお、ＩＰＡガスの供給、供
給停止および供給量は、供給管６ｂの途中位置に配置さ
れたエアバルブ７ｃによって調節されるようになってい
る。
【００３８】タンク４ｄは、例えばＮ2 ガスを生成する
ための構成部であり、その下部には、Ｎ2 ガスを生成す
るための加熱ヒータ４ｄ1 が設置されている。このＮ2
ガスは、上記ＩＰＡガスを処理室３ａ内に供給する際の
キャリヤガスとして用いられる他、処理室３ａ内のガス
をパージする際にも用いられる。
【００３９】タンク４ｄは、供給管６ｃを介してタンク
４ｃと機械的に接続されている。これにより、タンク４
ｄ内のＮ2 ガスを、ＩＰＡガスのキャリヤガスとしてタ
ンク４ｃ内に供給することが可能となっている。なお、
この場合のＮ2 ガスの供給、供給停止および供給量は、
供給管６ｃの途中位置に配置されたエアバルブ７ｄによ
って調節されるようになっている。
【００４０】また、タンク４ｄは、供給管６ｂを介して
処理室３ａと機械的に接続されている。これにより、タ
ンク４ｄ内のＮ2 ガスを、パージガスとして、処理室３
ａ内に供給することが可能となっている。なお、この場
合のＮ2 ガスの供給、供給停止および供給量は、供給管
６ｂの途中位置に配置されたエアバルブ７ｅによって調
節されるようになっている。
【００４１】半導体ウエハ５は、例えばｐ形のシリコン
（Ｓｉ）単結晶からなり、その主面には、例えば半導体
メモリが形成されている。半導体ウエハ５の要部断面図
を図３に示す。
【００４２】半導体ウエハ５を構成する半導体基板５ａ
上には、半導体メモリを構成するメモリセル８が形成さ
れている。１つのメモリセル８は、１つのＭＯＳ・ＦＥ
Ｔ８ａと、１つのキャパシタ８ｂとから構成されてい
る。
【００４３】ＭＯＳ・ＦＥＴ８ａは、半導体基板５ａの
上部に形成された一対の拡散層８ａ1,８ａ1 と、半導体
基板５ａ上に形成されたゲート酸化膜８ａ2 と、ゲート
酸化膜８ａ2 上に形成されたゲート電極８ａ3 とから構
成されている。ゲート電極８ａ3 は、例えば低抵抗ポリ
シリコンからなり、その側面および上面には、絶縁膜９
ａ，９ｂが形成されている。
【００４４】キャパシタ８ｂは、例えばフィン形状に形
成された低抵抗ポリシリコンからなり、その下部がＭＯ
Ｓ・ＦＥＴ８ａの一方の拡散層８ａ1 と電気的に接続さ
れている。
【００４５】半導体基板５ａ上には、層間絶縁膜１０ａ
が堆積されている。層間絶縁膜１０ａは、例えば二酸化
ケイ素（ＳｉＯ2)からなる。キャパシタ８ｂのフィン部
の間には、層間絶縁膜１０ｂの一部が残されている。こ
れは、フィン部をパターニングした際に残されたもので
ある。
【００４６】次に、本実施例の半導体製造方法を図１に
沿って図２〜図４により説明する。
【００４７】まず、複数枚の半導体ウエハ５が収容され
た治具をローダ部２ａ内に収容する。ローダ部２ａで
は、治具内の複数枚の半導体ウエハ５のうち、一枚の半
導体ウエハ５を処理室３ａ内に搬送する。搬送された半
導体ウエハ５は、ウエハ載置台３ｂ上に載置され機械的
に固定される。この時、同時に処理室３ａのシャッタを
閉じる。この際の処理室３ａの温度は室温（例えば２３
℃程度）と同じである。
【００４８】また、この際の半導体ウエハ５は、図３に
示した通りである（工程１００）。
【００４９】次いで、半導体ウエハ５に対して、次のよ
うにしてエッチング処理を施すことにより、例えば図３
に示した層間絶縁膜１０ａ，１０ｂを除去する。
【００５０】まず、ノズル３ｃを停止状態の半導体ウエ
ハ５の主面中央上に配置した後、タンク４ｂ内のＨＦ水
溶液をノズル３ｃから半導体ウエハ５の主面上に供給す
る。この時供給されるＨＦ水溶液の量は時間によって調
節する（工程１０１ａ）。
【００５１】続いて、ＨＦ水溶液を半導体ウエハ５の主
面上に一定時間供給した後、半導体ウエハ５を一定時間
回転させることにより、半導体ウエハ５上の層間絶縁膜
１０ａ，１０ｂをエッチング除去する。この時の回転数
は、例えば約５０ｒｐｍ〜１００ｒｐｍ程度である。な
お、半導体ウエハ５を回転させている間はＨＦ水溶液の
供給は停止状態である（工程１０１ｂ）。
【００５２】本実施例においては、ＨＦ水溶液を半導体
ウエハ５上に供給する工程１０１ａと、半導体ウエハ５
を回転させる工程１０１ｂとを繰り返すことにより、層
間絶縁膜１０ａ，１０ｂをエッチング除去する。このよ
うなエッチング処理後の半導体ウエハ５の要部断面図を
図４に示す。ここでは、キャパシタ８ｂのフィン部の表
面が露出されている。なお、工程１０１ａ，１０１ｂに
おける処理室３ａの温度も室温と同じである。
【００５３】次いで、目的とするエッチング処理時間が
終了した後、半導体ウエハ５に対して、次のように水洗
処理を施す。
【００５４】まず、エッチング処理時間の終了直前に半
導体ウエハ５の回転速度を減速する。この時の減速時間
は、例えば１秒程度である。
【００５５】続いて、半導体ウエハ５の回転動作の停止
と同時に、タンク４ａ内の純水をノズル３ｃから半導体
ウエハ５の主面中央上に供給する。この際、半導体ウエ
ハ５の回転動作を停止するのは、水洗効率を向上させる
ためである。停止時間は、例えば１０秒程度である（工
程１０２ａ）。
【００５６】その後、半導体ウエハ５の回転動作を開始
する。この時の半導体ウエハ５の回転数は、例えば５０
０ｒｐｍ程度である。この際の回転動作は、半導体ウエ
ハ５を水洗するとともに、半導体ウエハ５の表面の水分
を除去するための動作である。なお、工程１０２ａ，１
０２ｂにおける処理室３ａの温度も室温と同じである
（工程１０２ｂ）。
【００５７】次いで、半導体ウエハ５に対して、次のよ
うにして乾燥処理を施す。
【００５８】まず、半導体ウエハ５の回転速度を増す。
この時の半導体ウエハ５の回転数は、例えば１０００ｒ
ｐｍ程度である。この際の回転動作は、半導体ウエハ５
の水洗効率を上げるとともに、水切りの効率を向上させ
るためである。この際の処理室３ａの温度を、例えば５
０℃程度から次第に上げるようにする。
【００５９】続いて、半導体ウエハ５を高速回転させて
いる途中において、半導体ウエハ５上の水分がほぼ除去
される時点において、ノズル３ｄを半導体ウエハ５の主
面中央上に所定の高さに配置した後、タンク４ｃの加熱
ヒータ４ｃ1 の温度を、例えば８０℃程度に設定するこ
とにより、タンク４ｃ内のＩＰＡ液を気化してＩＰＡガ
スを生成し、そのＩＰＡガスをノズル３ｄを通じて処理
室３ａ内に供給する（工程１０３ａ）。
【００６０】このようにして処理室３ａ内にＩＰＡガス
を供給し続けることにより、処理室３ａ内をＩＰＡガス
によって満たす。すなわち、本実施例においては、洗浄
処理後の半導体ウエハ５上の水分を、回転による遠心力
と、ＩＰＡガスによる置換作用との双方の作用によって
除去するようになっている。
【００６１】また、本実施例においては、半導体ウエハ
５を一定時間高速回転させた後、半導体ウエハ５の回転
速度を低下させる。この時の回転数は、例えば５０ｒｐ
ｍ程度である。この理由は、半導体ウエハ５上の水分と
ＩＰＡとの置換効率を向上させるためである。この時、
処理室３ａの温度を、例えば８０℃程度に設定する。
【００６２】また、半導体ウエハ５をＩＰＡガス雰囲気
中に置くことにより、半導体ウエハ５の中央等、遠心力
だけでは充分に除去することのできない領域の水分も除
去することができる上、半導体ウエハ５を回転させるこ
とにより、ＩＰＡガスを半導体ウエハ５の面内に均一に
供給することが可能となっている。
【００６３】また、ＩＰＡガスの場合、キャパシタ８ｂ
のフィン部の間等、半導体ウエハ５上に形成された微細
で深い溝内にも入り込むことができるので、その溝内の
乾燥も良好に行うことができる上、その溝内にＩＰＡ液
等が残ったとしても半導体ウエハ５を回転することによ
りその溝内のＩＰＡ液等を外方に飛ばすことが可能とな
っている。
【００６４】さらに、ＩＰＡをガス状にして処理室３ａ
内に供給することにより、含有される異物の量を非常に
少なくすることができるので、半導体ウエハ５が乾燥処
理に際して異物によって汚染されるのを抑制することが
可能となっている（工程１０３ｂ）。
【００６５】次いで、所定時間経過後、半導体ウエハ５
を低速で回転させたまま処理室３ａ内へのＩＰＡガスの
供給を停止する。続いて、処理室３ａ内のガスを排気管
３ａ1 を通じて排気するとともに、タンク４ｄ内のＮ2
ガスをノズル３ｄを通じて処理室３ａ内に供給する。こ
れにより、処理室３ａ内のガスをパージして処理室３ａ
内をＮ2 ガス雰囲気にするとともに、半導体ウエハ５に
対して加熱乾燥処理を施す（工程１０３ｃ）。
【００６６】その後、乾燥処理の終了した半導体ウエハ
５をアンローダ部２ｂに搬送し、上記エッチング処理か
ら水洗乾燥処理までの一連の処理を終了する。
【００６７】このように、本実施例によれば、以下の効
果を得ることが可能となる。
【００６８】(1).洗浄処理後の半導体ウエハ５上の水分
を、回転による遠心力と、ＩＰＡガスによる置換作用と
の双方の作用によって除去することが可能となる。
【００６９】(2).上記(1) により、洗浄乾燥処理に際し
て、半導体ウエハ５上に残るウォータマークの数を低減
することが可能となる。
【００７０】(3).上記(1) により、半導体ウエハ５の洗
浄乾燥処理の効率を向上させることが可能となる。
【００７１】(4).半導体ウエハ５をＩＰＡガス雰囲気中
に置くことにより、半導体ウエハ５の中央等、遠心力だ
けでは充分に除去することのできない領域の水分も除去
することができる上、半導体ウエハ５を回転させること
により、ＩＰＡガスを半導体ウエハ５の面内に均一に供
給することが可能となる。
【００７２】(5).ＩＰＡガスの場合、キャパシタ８ｂの
フィン部間等、半導体ウエハ５上に形成された微細で深
い溝内にも入り込むことができるので、その溝内の乾燥
も良好に行うことができる上、その溝内にＩＰＡ液等が
残ったとしても半導体ウエハ５を回転することによりそ
の溝内のＩＰＡ液等を外方に飛ばすことが可能となる。
【００７３】(6).上記(4) および(5) により、乾燥処理
に際して、半導体ウエハ５の面内を良好に乾燥すること
が可能となる。
【００７４】(7).ＩＰＡをガス状にして処理室３ａ内に
供給することにより、含有される異物の量を非常に少な
くすることができるので、半導体ウエハ５が乾燥処理に
際して異物によって汚染されるのを抑制することが可能
となる。すなわち、乾燥処理時における処理室３ａ内の
清浄度を向上させることが可能となる。
【００７５】(8).上記(2),(6) および(7) により、半導
体ウエハ５上に形成される半導体集積回路装置の歩留り
および信頼性を向上させることが可能となる。
【００７６】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００７７】例えば前記実施例においては、ＩＰＡ液を
高温加熱した場合について説明したが、これに限定され
るものではなく、例えばＩＰＡ液を４０℃程度で加熱し
ても良い。この場合のタイミングシーケンス図を図５に
示す。
【００７８】この場合は、図５に示すように、乾燥処理
に入る時点では、処理室の温度を、例えば４０℃程度か
ら次第に上げるようにする。ＩＰＡガス雰囲気中におけ
る置換乾燥処理の工程１０３ｂ時における処理室の温度
は、例えば４０℃程度とする。そして、Ｎ2 ガス雰囲気
中における加熱乾燥処理の工程１０３ｃ時における処理
室の温度は、例えば８０℃程度とする。
【００７９】このようにした場合、ＩＰＡガスの粒が、
分子状となり、前記実施例の場合よりも細かくなるの
で、含有される異物の量をさらに低減することができる
ので、乾燥処理時における処理室内の清浄度をさらに向
上させることが可能となる。
【００８０】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
ウエハの洗浄乾燥処理に適用した場合について説明した
が、これに限定されず種々適用可能であり、例えば液晶
基板や光ディスクの洗浄乾燥処理等のような他の洗浄乾
燥処理に適用することも可能である。
【００８１】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記のとおりである。
【００８２】請求項１記載の発明によれば、以下の効果
を得ることが可能となる。
【００８３】(1).洗浄処理後の半導体ウエハ上の水分
を、回転による遠心力と、アルコールガスによる置換作
用との双方の作用によって除去することが可能となる。
【００８４】(2).上記(1) により、洗浄乾燥処理に際し
て、半導体ウエハ上にウォータマークが残るのを抑制す
ることが可能となる。
【００８５】(3).上記(1) により、半導体ウエハの洗浄
乾燥処理の効率を向上させることが可能となる。
【００８６】(4).半導体ウエハをアルコールガス雰囲気
中に置くことにより、半導体ウエハの中央等、遠心力だ
けでは充分に除去することのできない領域の水分も除去
することができる上、半導体ウエハを回転させることに
より、アルコールガスを半導体ウエハの面内に均一に供
給することが可能となる。
【００８７】(5).アルコールガスの場合、半導体ウエハ
上に形成された微細で深い溝内にも入り込むことができ
るので、その溝内の乾燥も良好に行うことができる上、
その溝内にアルコール液等が残ったとしても半導体ウエ
ハを回転することによりその溝内のアルコール液等を外
方に飛ばすことが可能となる。
【００８８】(6).上記(4) および(5) により、乾燥処理
に際して、半導体ウエハの面内を良好に乾燥することが
可能となる。
【００８９】(7).アルコールをガス状にすることによ
り、含有される異物の量を非常に少なくすることができ
るので、半導体ウエハが乾燥処理に際して異物によって
汚染されるのを抑制することが可能となる。すなわち、
乾燥処理における処理室の清浄度を向上させることが可
能となる。
【００９０】(8).上記(2),(6) および(7) により、半導
体ウエハ上に形成される半導体集積回路装置の歩留りお
よび信頼性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例である半導体製造工程を説明
するためのタイミングシーケンス図である。
【図２】本発明の一実施例である半導体製造装置の説明
図である。
【図３】半導体製造工程中における半導体基板の要部断
面図である。
【図４】半導体製造工程中における半導体基板の要部断
面図である。
【図５】本発明の他の実施例である半導体製造工程を説
明するためのタイミングシーケンス図である。
【符号の説明】
１ 半導体製造装置 ２ａ ローダ部 ２ｂ アンローダ部 ３ 処理部 ３ａ 処理室 ３ａ1 排気管 ３ａ2 排液管 ３ｂ ウエハ載置台 ３ｂ1 流通管 ３ｃ ノズル（エッチング液供給部，純粋供給部） ３ｄ ノズル（ガス導入部） ４ａ〜４ｄ タンク ４ｃ1,４ｄ1 加熱ヒータ ５ 半導体ウエハ ５ａ 半導体基板 ６ａ〜６ｃ 供給管 ７ａ〜７ｅ エアバルブ ８ メモリセル ８ａ ＭＯＳ・ＦＥＴ ８ｂ キャパシタ ８ａ1 拡散層 ８ａ2 ゲート酸化膜 ８ａ3 ゲート電極 ９ａ，９ｂ 絶縁膜 １０ａ，１０ｂ 層間絶縁膜

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体集積回路装置の製造工程におい
    て、以下の工程を有することを特徴とする半導体製造方
    法。 （ａ）半導体ウエハを純水によって洗浄する洗浄工程。 （ｂ）前記洗浄工程後の半導体ウエハをアルコールガス
    の雰囲気中において回転させることにより乾燥する乾燥
    工程。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の乾燥工程において、以下
    の工程を連続して行うことを特徴とする半導体製造方
    法。 （ａ）前記洗浄工程後の半導体ウエハを所定の回転速度
    で回転させることにより前記半導体ウエハに対して水切
    り処理を施す工程。 （ｂ）前記所定の回転速度で回転する半導体ウエハを、
    アルコールガスの雰囲気によって取り囲む工程。 （ｃ）前記アルコールガスの雰囲気中の半導体ウエハ
    を、前記所定の回転速度よりも低速度で回転させること
    により乾燥する工程。
  3. 【請求項３】 請求項１記載のアルコールガスがイソプ
    ロピルアルコールガスまたはメタノールガスであること
    を特徴とする半導体製造方法。
  4. 【請求項４】 以下の構成要素を備える半導体製造装
    置。 （ａ）半導体ウエハを取り囲む処理室。 （ｂ）前記処理室内の半導体ウエハに対して洗浄用の純
    水を供給する純水供給部。 （ｃ）前記処理室内に、アルコールガスを導入するガス
    導入部。 （ｄ）前記処理室内の半導体ウエハを回転可能な状態で
    載置するウエハ載置台。
  5. 【請求項５】 半導体集積回路装置の製造処理に際し
    て、以下の工程を有することを特徴とする半導体製造方
    法。 （ａ）半導体ウエハに対して所定のエッチング液によっ
    てエッチング処理を施すエッチング工程。 （ｂ）前記エッチング工程後の半導体ウエハを純水によ
    って洗浄する洗浄工程。 （ｃ）前記洗浄工程後の半導体ウエハをアルコールガス
    の雰囲気中において回転させることにより乾燥する乾燥
    工程。
  6. 【請求項６】 請求項５記載のエッチング工程におい
    て、以下の工程を連続して繰り返し行うことを特徴とす
    る半導体製造方法。 （ａ）前記半導体ウエハの主面上にエッチング液を所定
    時間供給する工程。 （ｂ）前記エッチング液を供給した後の半導体ウエハを
    回転させることによりその半導体ウエハに対してエッチ
    ング処理を施す工程。
  7. 【請求項７】 請求項５記載の乾燥工程において、以下
    の工程を連続して行うことを特徴とする半導体製造方
    法。 （ａ）前記洗浄工程後の半導体ウエハを所定の回転速度
    で回転させることにより前記半導体ウエハに対して水切
    り処理を施す工程。 （ｂ）前記所定の回転速度で回転する半導体ウエハをア
    ルコールガスの雰囲気によって取り囲む工程。 （ｃ）前記アルコールガスの雰囲気中の半導体ウエハを
    前記所定の回転速度よりも低速度で回転させることによ
    り乾燥する工程。
  8. 【請求項８】 請求項５記載のアルコールガスがイソプ
    ロピルアルコールガスまたはメタノールガスであること
    を特徴とする半導体製造方法。
  9. 【請求項９】 請求項５記載のエッチング液がフッ酸で
    あることを特徴とする半導体製造方法
  10. 【請求項１０】 以下の構成要素を備える半導体製造装
    置。 （ａ）半導体ウエハを取り囲む処理室。 （ｂ）前記処理室内の半導体ウエハに対してエッチング
    液を供給するエッチング液供給部。 （ｃ）前記処理室内の半導体ウエハに対して洗浄用の純
    水を供給する純水供給部。 （ｄ）前記処理室内に、アルコールガスを導入するガス
    導入部。 （ｅ）前記処理室内の半導体ウエハを回転可能な状態で
    載置するウエハ載置台。
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