JP4612424B2 - 基板処理方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、広くは半導体装置の製造方法に関し、特に、成膜に先立って基板表面を清浄化する基板処理技術に関する。

半導体装置の高集積化、微細化に伴って、パーティクル（異物）を抑制し、ウォーターマークを排除する基板処理技術も高度化してきている。

基板表面を清浄な状態にする一般的な方法として、最初に、アンモニア、過酸化水素水、および水を所定の割合で混合したＡＰＭ（Ammonia-hydrogenperoxide-mixture）で基板表面の有機物、パーティクルを除去し、次にフッ酸により基板表面の酸化膜を除去する洗浄方法が知られている。酸化膜除去後に、次工程で成膜処理等が行われる。

従来の技術では、１つの処理槽を用いる場合は、純水で満たした状態の処理槽に基板を入れ、純水からＡＰＭに置換して第１の薬液処理を行い、その後、槽内をＡＰＭから純水に置換して基板をリンス洗浄し、さらに純水からフッ酸に置換して第２の薬液処理を行っていた。

一方、２つの処理槽を用いる場合は、第１の槽でＡＰＭによる処理とフッ酸による処理を、純水リンスをはさんで連続して行い、その後、基板を第２の槽へ搬送して、純水による洗浄とＩＰＡ置換と減圧乾燥を行っていた。

ＩＰＡ置換は、純水によるリンスを終えた基板にイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気を供給し、ＩＰＡ蒸気を基板表面に付着した純水と凝縮、置換し、最終的にＩＰＡを揮発させる方法である。

しかし、このような従来方法では、薬液処理中に基板表面から酸化膜やその他の異物が剥がれ、薬液あるいは純水の液表面を漂うことになる。液表面を漂うこれらの異物を除去することは困難である。たとえば、槽内を置換する際や、リンス洗浄する際などに、槽の下方から純水を供給して、上部から漕内の純水をオーバーフローさせるが、薬液表面の異物は、表面張力により外に廃棄されることなく、槽内に残る。

薬液表面に異物が漂う状態で薬液処理を終えた基板を引き上げると、異物はたやすく基板表面に付着することになる。特にパターンが形成された基板の表面には多数の凹凸があり、さらに異物が進入、付着しやすい状態になる。

２つの槽を用いた場合は、１つ目の槽で発生した異物を、基板自体が２つ目の槽に持ち込み、槽内の液体中に一旦は剥離するが、リンス後、基板を槽から引き上げる際に、再度基板に付着する。言い換えればパーティクルの発生源は、洗浄処理する基板自体である。さらに、悪いことには、基板表面の異物だけではなく、もともと基板の裏面についていた異物を、基板の表面、すなわち素子形成面に付け直すことになる。

トレンチなど、基板表面の凹部への薬液の導入を容易にするために、乾燥工程としてのＩＰＡ置換の前に、基板表面にＡＰＭを吹きつけて表面を親水化し、ＩＰＡをトレンチ内に入り込みやすくする方法が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。この方法は、ＡＰＭ処理による親水化の効果を利用しているが、異物の付着防止については、なんら触れられていない。

また、ウォーターマークの発生防止を目的として、フッ酸処理後にＳＣ１（ＡＰＭすなわちアンモニア・過酸化水素水）洗浄を行い、さらにＳＣ２（塩酸・過酸化水素水）洗浄を行う方法が提案されている（たとえば、特許文献２参照）。しかし、この方法では、上述したような薬液あるいは純水表面に漂う異物の存在による異物の付着を防止しきれない。

さらに、ゲート酸化膜の形成に先立つ前処理として、フッ酸処理の後、過酸化水素水の希釈液により、シリコン基板表面に積極的にケミカル酸化膜を形成することによって、ウォーターマークの発生と異物の付着を防止する方法が提案されている（たとえば、特許文献３参照）。ケミカル酸化膜形成後に、ＩＰＡ乾燥を行う。ケミカル酸化膜は、ゲート絶縁膜の形成に先立って、真空アニールにより離脱される。
特開２００２−２８９５７５号公報 特開２００２−１３４４６２号公報 特開２００１−４４４２９号公報

フッ酸処理後のシリコン基板の表面は疎水性となり、極めて異物が付着しやすい状態になることが一般に知られている。この理由から、フッ酸による薬液処理で完了する洗浄方法を避けて、たとえば、フッ酸洗浄後に、ＡＰＭなど過酸化水素を用いた処理を行い、フッ酸処理後に酸化膜を形成して処理を完了する方法が一般的である。上記文献に記載される方法はいずれも、表面を親水性にした状態で洗浄を終了している。

ところが、サリサイド工程の前処理など、清浄なシリコン表面が求められる薬液処理においては、フッ酸処理で完了することが望まれ、パーティクルの付着は避けられない問題となっている。

そこで本発明は、洗浄処理をフッ酸処理で完了しつつ、基板へのパーティクル等の異物の付着を効果的に防止することのできる基板処理方法と、これを用いた半導体装置の製造方法を提供することを課題とする。

上記課題を解決するために、本発明の第１の側面では、基板表面を清浄化する基板処理方法を提供する。基板処理方法は、
（ａ）第１処理槽において、第１薬液で基板表面を洗浄する第１洗浄工程と、
（ｂ）前記第１薬液を、基板表面の親水性を高める第２薬液に置換して、第２薬液で前記基板表面を洗浄する第２洗浄工程と、
（ｃ）第２処理槽において、前記第１薬液を用いて前記基板表面を洗浄する第３洗浄工程と
を含む。

この方法によれば、第１洗浄で基板表面の異物を除去し、第２洗浄で、基板表面を親水化して異物の付着を防止しつつ、第２処理槽へ基板を搬送し、再度、第１薬液を用いて基板表面の異物除去を行うので、パーティクル等の付着が抑制された清浄な基板表面を得ることができる。

第１薬液は、たとえば、フッ酸を含む溶液である。

第２薬液は、たとえば、アンモニアと過酸化水素を含む溶液である。

第１薬液を使用する第１洗浄時間と、第３洗浄時間を合わせた処理時間は、基板表面の清浄化に必要とされるエッチング時間である。

本発明の第２の側面では、上述した基板処理方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。半導体装置の製造方法は、
（ａ）半導体基板上に、ゲート電極およびソース・ドレイン領域を有する半導体素子を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体素子が形成された半導体基板を第１処理層に搬送し、第１処理槽内で、第１薬液を用いた第１洗浄と、基板表面を親水性にする第２薬液を用いた第２洗浄を行う工程と、
（ｃ）前記半導体基板を第２処理槽に搬送して、第２処理層内で、前記第１薬液を用いた第３洗浄を行う工程と、
（ｄ）第３洗浄を終えた半導体基板の、少なくともソース・ドレイン領域の表面にサリサイドを形成する工程と
を含む。

この方法によれば、異物の付着が抑制された清浄な半導体表面にサリサイドを形成することが可能になる。

基板へのパーティクル等の異物付着を抑制できる洗浄処理が可能になる。この結果、欠陥のない清浄な基板表面が実現される。

以下、添付図面を参照して、本発明の良好な実施形態を説明する。図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理方法の洗浄・乾燥工程を示すフローチャートである。上述したように、本発明では、基本的にフッ酸処理で洗浄を完了する。基板処理の一例として、２つの処理槽（第１処理槽および第２処理槽）を用いて洗浄・乾燥を行う。

まずステップＳ１で、図示しない搬送機構により、基板を第１の処理槽に搬送する。第１処理槽は、最初は純水で満たされており、ステップＳ２で第１の処理槽内をフッ酸に置換することによって、基板表面を清浄化する。これを第１の薬液処理とする。

ステップＳ３で、第１処理槽内の液体をフッ酸から純水に置換して、純水により基板をリンス洗浄する。ステップＳ４で、第１処理槽内の液体を、純水からＳＣ１すなわちＡＰＭ（ammonia-hydrogenperoxide-mixture）に置換して第２の薬液処理を行う。さらに、ステップＳ５で、第１処理槽内をＡＰＭから純水に置換して、純水により基板をリンス洗浄する。

次に、ステップＳ６で、図示しない搬送機構によって、基板を第２の処理槽へ大気搬送する。第１処理槽でＡＰＭ処理したことによって、基板表面には薄い酸化膜が形成されている。また、ＡＰＭ処理により、基板表面は親水性になっている。第１処理槽の液体（純水を含む）表面には、オーバーフローさせたとしても異物が漂う状況となっているが、基板表面の酸化薄膜の存在により、基板を引き上げるときに、基板表面に直接異物が付着することはない。従来の方法では、フッ酸処理後に基板を引き上げていたため、疎水性となったシリコン基板の表面に異物が付着しやすくなっていたが、本実施形態では、第２処理槽への移動は、ＡＰＭ処理後に行う。基板表面に酸化膜が形成され、親水性となっているため、第２処理槽への異物の持ちこみが低減される。

次に、ステップＳ７で、基板を第２処理槽内に浸漬する。第２処理槽は、最初は純水を満たした状態になっており、基板を純水に浸漬して、リンス洗浄する。その後、第２処理槽内を、純水からフッ酸に置換して、フッ酸処理を行う。第２処理槽でのフッ酸による処理時間は、第１処理槽でのフッ酸処理時間と、第２処理槽でのフッ酸処理時間を足し合わせることによって、基板が必要とするエッチング時間となるように、適宜設定する。すなわち、図１の例では基板のフッ酸洗浄処理を、第１処理槽での処理と、第２処理槽での処理に２分化して行う。

次に、ステップＳ８で、第２処理槽内をフッ酸から純水に置換して、基板をリンス洗浄する。

ステップＳ９で乾燥工程に入る。ステップＳ９では、基板の引き上げに先立って、第２処理槽の上部から、有機溶剤（たとえばＩＰＡ）をミスト状に噴霧する。これにより、純水の表面に有機溶剤の層が形成される。その後も有機溶剤を噴霧する状態を保ち、ステップＳ１０において、噴霧状態の中で基板を引き上げる。この結果、ステップＳ１１に示すように、基板表面の純水が有機溶剤と置換される。さらに、ステップＳ１２で、第２処理槽内を真空排気して減圧することにより、有機溶剤を揮発させて乾燥する。

このように、本実施形態では、第２処理槽でもフッ酸処理を行うが、第１処理槽で大方の異物は除去されているため、第２処理槽内の液面に漂う異物の量は大幅に低減されている。なお、２つの処理槽に限らず、３つの処理槽に分けてフッ酸処理を行うと、異物の付着をさらに防止できる。この場合も、すべての処理槽でのフッ酸処理時間を合わせると、基板上の酸化膜に対する総エッチング時間になるように、処理時間を調整する。また、最後の処理槽で有機溶剤を用いた減圧乾燥を行う。

図２は、本発明の一実施形態において使用される第１処理槽２０の概略図である。第１処理槽２０は、液体を収容するタンク１と、タンク内で基板２を保持する基板支持台３と、薬液導入バルブ７を介してタンク１内に薬液を注入する薬液ノズル６と、ドレインバルブ１１を有する。タンク１は、リッド（蓋）１２で覆われている。

タンク１内の液体を置換するときは、薬液導入バルブ７を開けて、タンク下方の薬液ノズル６からフッ酸、純水、ＡＰＭを個別の管からタンク１内に導入し、タンク上部から液体をオーバーフローさせる。基板支持台３は、タンク１内で、たとえば３点で基板２を支持する。

図３は、本発明の一実施形態において使用される第２処理槽３０の概略図である。第２処理槽３０では、洗浄と乾燥の双方を同一チャンバ１３内で行う。第２処理槽３０は、第１処理槽と同様に、タンク１、タンク内で基板２を保持する基板支持台３、薬液導入バルブ７を介してタンク内に薬液を注入する薬液ノズル６、ドレインバルブ１１を有する。さらに、乾燥工程のために、ＩＰＡ噴射ノズル４と、真空排気バルブ１４と、ミスト発生機構５と、有機溶剤ヒータ８を有する。ミスト発生機構５の中には、ＩＰＡなどの有機溶剤が収容され、有機溶剤ヒータ８によってベイパーにされる。ＩＰＡ蒸気は、有機溶剤導入管１０を介して、ＩＰＡ噴射ノズル４からタンク１の液面に噴霧される。基板２の引き上げ時には、真空排気バルブ１４によりチャンバ１３内を減圧し、基板上の純水と置換された有機溶剤（ＩＰＡ）を揮発、乾燥する。

次に、図２および図３に示す第１および第２の処理槽を用い、図１のフローに従った具体的な洗浄、乾燥の実施例を説明する。

まず、第１処理槽２０、第２処理槽３０ともに、ノズル６により常時、純水を２２ｌ／ｍｉｎの流量で供給し、タンク１からオーバーフローさせた状態で待機している。基板２は、専用カセット（不図示）からタンク１内に搬送され、支持台３の三点で支えられる。この状態で、純水による処理を３０秒から数分間行う。

次に、タンク１下方の薬液ノズル６から、２００：１フッ酸を１２０秒供給する。供給量は、５０％フッ酸を４００ｍｌ／ｍｉｎ、純水２２ｌ／ｍｉｎである。このときのエッチレートは、熱酸化膜換算で１ｎｍ／ｓｅｃである。

フッ酸への置換完了後、その状態で、基板２を６０秒浸漬する。これにより、フッ酸による総エッチング量の半分の処理が完了する
次に、タンク下部のノズル６より純水を２２ｌ／ｍｉｎ供給して、リンス洗浄を５４０秒行う。

次に、タンク下部のノズル６より、１アンモニア：２過酸化水素、１００純水の割合でＡＰＭを１２０秒供給する。供給量は、アンモニア２００ｍｌ／ｍｉｎ、過酸化水素４００ｍｌ／ｍｉｎ、純水２２ｌ／ｍｉｎとする。ＡＰＭへの置換が完了したら、この状態で４８０秒浸漬する。ＡＰＭ処理後、タンク下部のノズル６より純水を２２ｌ／ｍｉｎ供給して、リンスを１００秒行う。

次に、基板２を第１処理槽２０から引き上げて、第２処理槽３０へ搬送する。第２処理槽のタンク下部のノズル６から純水を２２ｌ／ｍｉｎ供給し、リンスを３０秒行う。

次に、ノズル６から２００：１フッ酸を１２０秒供給する。供給量、エッチレートともに、第１処理槽２０でのフッ酸処理と同様とする。フッ酸への置換完了後、その状態で６０秒浸漬する。

第１処理槽２０と、第２処理槽２０でのフッ酸処理時間を合わせて、基板表面を酸化膜換算で６ｎｍエッチングするが、必ずしも第１処理槽２０と第２処理槽３０でのフッ酸処理時間を均等にするにする必要はない。

次に、ノズル６より純水を２２ｌ／ｍｉｎ供給して、リンスを５４０秒行う。

次に、タンク上部の噴射ノズル４から、ミスト状のＩＰＡを１０ｍｌ／ｍｉｎで噴霧する。このとき、ミスと発生機構５では、ＩＰＡをヒータ８により７０℃で加熱して蒸気かし、有機溶剤導入管１０からＮ2 ガスを５０ｍｌ／ｍｉｎ供給する。

ＩＰＡ蒸気を、１０ｍｌ／ｍｉｎで３００秒噴霧した時点で、基板２を５ｍｍ／ｓｅｃの速度でタンク１から引き上げる。引き上げ時も、ＩＰＡミストを噴霧したままとし、基板２の表面の水分を置換乾燥する。

次に、真空排気バルブ１４によりチャンバ１３内を真空排気して減圧乾燥し、専用カセット（不図示）に移し変えて、一連の工程を完了する。

図４は、図２および３に示す第１処理槽２０、第２処理槽３０を用いて、図１のフローに従って洗浄、乾燥したときの異物防止効果を示す図である。異物防止効果は、洗浄、乾燥後にウェーハ上に生じた欠陥の数をカウントすることによって評価する。

図４（ａ）は、本発明の基板処理方法にしたがい、上述した実施例の条件でバッチ処理したときの基板表面の欠陥状態を示す図、図４（ｂ）は、従来の洗浄方法、すなわち、フッ酸処理を２回（あるいはそれ以上）に分けずに、フッ酸処理後にＡＰＭ処理を行って表面を親水性にして洗浄を終了し、その後ＩＰＡ乾燥をバッチで行ったときの欠陥状態を示す図、図４（ｃ）は、従来の洗浄方法で、単一基板を洗浄、乾燥処理したときの欠陥状態を示す図である。

図４の実験では、実際の製品ロットを処理した場合と同様の状態で比較するために、測定ウェーハの前後に、熱酸化膜を１００ｎｍ成長したダミーウェーハを挿入し、本発明と従来の手法で、同量のエッチング処理（たとえば、総エッチング量が酸化膜換算で６ｎｍ）を行っている。

この様子を、図５に示す。基板支持台３（断面）に、複数のウェーハが挿入され、支持されている。ここで、測定対象のウェーハ２２の前後に、熱酸化膜を形成したダミーウェーハ２１を支持し、実際の製品ロットの洗浄処理と近い条件としている。図４（ｂ）に示す従来方法でも、このように実際の製品ロットの処理条件で洗浄を行っているが、図４（ｃ）では、ダミーウェーハ２１を用いずに、単一の測定ウェーハ２２のみに対して洗浄、乾燥を行ったものである。

図４（ａ）に示す本発明の手法では、基板２上に０．１５μｍ以上のサイズの欠陥が３個検出された。一方、図４（ｂ）の従来手法では、基板２上に、０．１５μｍ以上のサイズの欠陥が、約６００個検出された。図４（ｃ）のように、ダミーウェーハ２１を入れずに、測定対象ウェーハ２２のみで従来処理を行った場合、０．１５μｍ以上のサイズの欠陥は、約６０個検出された。

図４の比較結果から、オーバーフローによる純水リンスを行ったとしても、熱酸化膜ウェーハから除去された異物が測定対象ウェーハ（洗浄対象ウェーハ）にどうしても付着してしまうことがわかる。異物発生の原因が検証されるとともに、本発明による分割フッ酸処理の洗浄効果が明確に現われている。すなわち、本発明の実施形態に係る基板処理方法を用いると、バッチ処理を行ったとしても、欠陥の非常に少ない清浄な基板表面が実現される。

図６は、上述した基板処理方法を、半導体装置の製造工程、特に、サリサイド形成に先立つ前処理に適用した場合の工程図である。本発明の実施形態に係る方法は、サリサイド形成に有用ではあるが、これに限定されず、基板上へのゲート酸化膜の形成や、セルフアライン以外のシリサイド形成の前処理としても有効に適用され得る。

まず、図６（ａ）に示すように、シリコン基板１０１上の所定の領域にＳＴＩなどの素子分離１０２を形成し、全面にゲート絶縁膜１０３を形成する。ゲート絶縁膜１０３上にポリシリコンを堆積し、ＳｉＮキャップ層を用いたフォトリソグラフィ法により、所定の形状にパターニングして、ポリシリコンゲート電極１０４を形成する。ゲート電極１０４をマスクとして、セルフアラインで不純物を注入し、浅いエクステンション１０５を形成する。その後、ゲート電極１０４の側壁にシリコン窒化膜によるサイドウォール１０６を形成する。サイドウォール１０６をマスクとして、セルフアラインでイオン注入を行い、熱拡散によりソース・ドレイン領域１０７を形成する。

図６の例では、ＣＭＯＳトランジスタを形成するので、不純物注入時に、他方の導電型の領域をマスクするが、詳細は省略する。

次に、図６（ｂ）に示すように、図１の方法で基板表面を洗浄、乾燥し、ポリシリコンゲート１０４の表面や、ソース・ドレイン上のシリコン基板表面を清浄化する。その後、コバルト（Ｃｏ）などの金属をスパッタリングし、熱処理することによって、セルフアラインによるシリサイド（サリサイド）のコンタクト層１１０を形成する。

次に、図６（ｃ）に示すように、全面に層間絶縁膜１１１を堆積し、コンタクトホールを形成し、ホール内を導電物質で埋め込んで、ソース・ドレイン領域１０７上のサリサイドのコンタクト層１１０（および図示はしないが、ゲート電極１０４上のサリサイド１１０）に到達するプラグ１１２を形成する。

このような製造方法によれば、サリサイドの形成に先立って、異物の持ち込みを極力押えた状態で基板が洗浄されるので、パーティクルの付着や欠陥の少ない清浄な表面に、低抵抗のコンタクト層を形成することができる。

上記方法では、２つの処理槽を用い、フッ酸処理を２つに分割して行ったが、洗浄工程をフッ酸処理で完了する限り、フッ酸処理を３回以上に分割してもよい。この場合、２度目のフッ酸処理の後に、ＡＰＭなどで基板表面を親水性にしてから、次のフッ酸処理を行うのが望ましい。３つ以上の処理槽を用いる場合でも、次の処理槽へのパーティクルの持込は抑制されるので、清浄な基板表面を実現できる。

また、基板表面の親水性を高める薬液は、ＡＰＭなど過酸化水素を用いた薬液に限らず、オゾンを含む薬液を用いてもよい。

最後に、以上の説明に関して、以下の付記を開示する。
（付記１） 第１処理槽において、第１薬液で基板表面を洗浄する第１洗浄工程と、
前記第１薬液を、基板表面の親水性を高める第２薬液に置換して、第２薬液で前記基板表面を洗浄する第２洗浄工程と、
第２処理槽において、前記第１薬液を用いて前記基板表面を洗浄する第３洗浄工程と
を含む基板処理方法。
（付記２） 前記第１薬液は、フッ酸を含む溶液であることを特徴とする付記１に記載の基板処理方法。
（付記３） 前記第２薬液は、アンモニアと過酸化水素を含む溶液であることを特徴とする付記１に記載の基板処理方法。
（付記４） 前記第１洗浄工程における第１薬液での処理時間と、前記第３洗浄工程における第１薬液での処理時間を合わせた処理時間は、前記基板表面の清浄化に必要とされるエッチング時間であることを特徴とする付記１に記載の基板処理方法。
（付記５） 前記第３洗浄工程の後に、有機溶剤を用いた乾燥工程をさらに含むことを特徴とする付記１に記載の基板処理方法。
（付記６） 前記乾燥工程は、前記第２処理槽から前記基板を引き上げる前に、前記有機溶剤をミスト状に噴霧する工程を含むことを特徴とする付記５に記載の基板処理方法。
（付記７） 前記乾燥工程は、前記第２処理槽から前記基板の引き上げ中に、前記有機溶剤をミスト状に噴霧する工程を含むことを特徴とする付記５または６に記載の基板処理方法。
（付記８） 前記第２洗浄工程後に、前記基板を前記第２処理槽へ搬送する搬送工程をさらに含むことを特徴とする付記１に記載の基板処理方法。
（付記９） 前記第１洗浄工程、第２洗浄工程、第３洗浄工程の後に、純水によるリンス工程をさらに含むことを特徴とする付記１に記載の基板処理方法。
（付記１０） 半導体基板上に、ゲート電極およびソース・ドレイン領域を有する半導体素子を形成する工程と、
前記半導体素子が形成された半導体基板を第１処理層に搬送して、前記第１処理槽内で、第１薬液を用いた第１洗浄と、基板表面を親水性にする第２薬液を用いた第２洗浄を行う工程と、
前記半導体基板を第２処理槽に搬送して、前記第２処理層内で、前記第１薬液を用いた第３洗浄を行う工程と、
前記第３洗浄を終えた半導体基板の、少なくとも前記ソース・ドレイン領域の表面にサリサイドを形成する工程と
を含む半導体装置の製造方法。
（付記１１） 前記ゲート電極は、ポリシリコンゲート電極であり、前記サリサイド形成工程は、前記ゲート電極表面へのサリサイド形成を含むことを特徴とする付記１０に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１２） 前記第１薬液は、希フッ酸の溶液であることを特徴とする付記１０または１１に記載の半導体装置の製造方法。

本発明の一実施形態に係る基板処理方法の洗浄・乾燥工程を示すフローチャートである。 図１に示す基板処理で用いられる第１処理槽の概略図である。 図１に示す基板処理で用いられる第２処理槽の概略図である。 本発明の実施形態に係る基板処理方法の洗浄効果を示す図であり、基板表面の欠陥発生状況を従来方法と比較した図である。 図４の実験において、実際の製品ロットを前提として、測定対象ウェーハをダミーウェーハに混合して基板処理を行う様子を示す図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す図であり、サリサイド形成の前処理として、図１の基板処理方法を適用する場合の工程図である。

符号の説明

１ タンク
２ 基板
３ 基板支持台
４ ＩＰＡ噴射ノズル
５ ミスト発生機構
６ 薬液ノズル
８ 有機溶媒ヒータ
１１ ドレインバルブ
１３チャンバ
１４ 真空排気バルブ
２０ 第１処理槽
２１ ダミーウェーハ
２２ 測定対象ウェーハ
３０ 第２処理槽
１０１ シリコン基板
１０３ ゲート絶縁膜
１０４ ゲート電極
１０７ ソース・ドレイン
１１０ サリサイド層

Claims (6)

1. 第１処理槽において、第１薬液で基板表面を洗浄する第１洗浄工程と、
   前記第１薬液を、基板表面の親水性を高める第２薬液に置換して、第２薬液で前記基板表面を洗浄する第２洗浄工程と、
   第２処理槽において、前記第１薬液を用いて前記基板表面を洗浄する第３洗浄工程と
   を含む基板処理方法。
2. 前記第３洗浄工程は、自然酸化膜を残さないように洗浄することを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記第１薬液は、フッ酸を含む溶液であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
4. 前記第２薬液は、アンモニアと過酸化水素を含む溶液であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
5. 前記第１洗浄工程における第１薬液での洗浄時間と、前記第３洗浄工程における第１薬液での洗浄時間を合わせた処理時間は、前記基板表面の清浄化に必要とされるエッチング時間であることを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
6. 半導体基板上に、ゲート電極およびソース・ドレイン領域を有する半導体素子を形成する工程と、
   前記半導体素子が形成された半導体基板を第１処理層に搬送し、前記第１処理槽内で、第１薬液を用いた第１洗浄と、基板表面を親水性にする第２薬液を用いた第２洗浄を行う工程と、
   前記半導体基板を第２処理槽に搬送して、前記第２処理層内で、前記第１薬液を用いた第３洗浄を行う工程と、
   前記第３洗浄を終えた半導体基板の少なくとも前記ソース・ドレイン領域の表面にサリサイドを形成する工程と
   を含む半導体装置の製造方法。

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