JPH05335227A - 半導体基板処理装置 - Google Patents
半導体基板処理装置Info
- Publication number
- JPH05335227A JPH05335227A JP14384492A JP14384492A JPH05335227A JP H05335227 A JPH05335227 A JP H05335227A JP 14384492 A JP14384492 A JP 14384492A JP 14384492 A JP14384492 A JP 14384492A JP H05335227 A JPH05335227 A JP H05335227A
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- JP
- Japan
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- semiconductor substrate
- photoresist film
- inert gas
- wafer
- semiconductor
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体基板処理装置において、フォトレジスト
塗布，露光，現像等の処理を施されるウェハー表面を大
気から遮断することによってウェハー表面上のフォトレ
ジスト膜の劣化を防止する。 【構成】半導体基板処理装置において、不活性ガス吹出
し装置１００に不活性ガス導入口１０１より不活性ガス
１０３が導入され、ガスフィルタ１０２を通してレジス
ト膜形成装置１０７の上面すなわち塗布処理を施される
ウェハー表面に吹出され、その結果ウェハー表面は常に
不活性ガス雰囲気に保たれる。
塗布，露光，現像等の処理を施されるウェハー表面を大
気から遮断することによってウェハー表面上のフォトレ
ジスト膜の劣化を防止する。 【構成】半導体基板処理装置において、不活性ガス吹出
し装置１００に不活性ガス導入口１０１より不活性ガス
１０３が導入され、ガスフィルタ１０２を通してレジス
ト膜形成装置１０７の上面すなわち塗布処理を施される
ウェハー表面に吹出され、その結果ウェハー表面は常に
不活性ガス雰囲気に保たれる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板処理装置に関
し、特に半導体基板にフォトレジスト膜を形成する装
置、フォトレジスト膜が形成された半導体基板に所望の
半導体集積回路パターンを描いたマスクまたはレチクル
を通して露光する装置、半導体基板を現像液を用いて現
像する装置を含む半導体基板処理装置に関する。
し、特に半導体基板にフォトレジスト膜を形成する装
置、フォトレジスト膜が形成された半導体基板に所望の
半導体集積回路パターンを描いたマスクまたはレチクル
を通して露光する装置、半導体基板を現像液を用いて現
像する装置を含む半導体基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体基板処理装置、例
えばフォトレジスト膜形成装置は図３の断面図に示すよ
うに、ウェハーローダ３０４からフォトレジスト塗布カ
ップ３０６に半導体基板（ウェハー）を供給し、ウェハ
ーにフォトレジストを回転塗布し、その後、加熱，冷却
しウェハーアンローダ３０５に収納する。この際、フォ
トレジスト塗布処理が施されるウェハーの表面は大気解
放状態にある。
えばフォトレジスト膜形成装置は図３の断面図に示すよ
うに、ウェハーローダ３０４からフォトレジスト塗布カ
ップ３０６に半導体基板（ウェハー）を供給し、ウェハ
ーにフォトレジストを回転塗布し、その後、加熱，冷却
しウェハーアンローダ３０５に収納する。この際、フォ
トレジスト塗布処理が施されるウェハーの表面は大気解
放状態にある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
基板処理装置、例えばフォトレジスト膜形成装置にてウ
ェハー上にフォトレジスト膜を形成した場合、フォトレ
ジスト膜表面が大気解放になっているため、大気中の活
性成分とフォトレジスト膜が反応し、フォトレジスト膜
が劣化し、その結果、半導体集積回路パターンを描いた
マスクまたはレチクルを通してこのフォトレジスト膜を
露光し、現像して得られるフォトレジストパターンの形
状が劣化する。
基板処理装置、例えばフォトレジスト膜形成装置にてウ
ェハー上にフォトレジスト膜を形成した場合、フォトレ
ジスト膜表面が大気解放になっているため、大気中の活
性成分とフォトレジスト膜が反応し、フォトレジスト膜
が劣化し、その結果、半導体集積回路パターンを描いた
マスクまたはレチクルを通してこのフォトレジスト膜を
露光し、現像して得られるフォトレジストパターンの形
状が劣化する。
【０００４】特に、酸発生剤を含んだ化学増幅形レジス
トの場合、大気中の活性成分とフォトレジスト膜との反
応は大きく、フォトレジスト膜形成からその後の露光、
露光後の熱処理、現像終了までの間で引き続き反応が起
こり、フォトレジストパターンの形状劣化、解像度低
下、フォトレジストパターンの寸法均一性低下が生じる
という欠点がある。
トの場合、大気中の活性成分とフォトレジスト膜との反
応は大きく、フォトレジスト膜形成からその後の露光、
露光後の熱処理、現像終了までの間で引き続き反応が起
こり、フォトレジストパターンの形状劣化、解像度低
下、フォトレジストパターンの寸法均一性低下が生じる
という欠点がある。
【０００５】特に微細パターン形成に対しては、このよ
うなフォトレジスト膜の劣化に起因するフォトレジスト
パターンのウェハー面内不均一性は致命的である。
うなフォトレジスト膜の劣化に起因するフォトレジスト
パターンのウェハー面内不均一性は致命的である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板処理
装置は、フォトレジスト塗布，露光，現像等の処理を施
されるウェハー表面を常にもしくは一時的に不活性ガス
雰囲気に保つ構造を備え、ウェハー表面上のフォトレジ
スト膜が大気に接触しないようにすることによって大気
中の活性成分とフォトレジスト膜との反応をなくし、フ
ォトレジスト膜が劣化することを防止てきる構造となっ
ている。
装置は、フォトレジスト塗布，露光，現像等の処理を施
されるウェハー表面を常にもしくは一時的に不活性ガス
雰囲気に保つ構造を備え、ウェハー表面上のフォトレジ
スト膜が大気に接触しないようにすることによって大気
中の活性成分とフォトレジスト膜との反応をなくし、フ
ォトレジスト膜が劣化することを防止てきる構造となっ
ている。
【０００７】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の実施例１の半導体基板処理装置、例
えばフォトレジスト膜形成装置の断面図である。不活性
ガス吹出し装置１００に不活性ガス導入口１０１より不
活性ガス１０３が導入され、ガスフィルタ１０２を通し
てフォトレジスト膜形成装置１０７の上面すなわち処理
を施されるウェハー表面に吹出され、その結果ウェハー
表面は常に不活性ガス雰囲気に保たれる。
る。図１は本発明の実施例１の半導体基板処理装置、例
えばフォトレジスト膜形成装置の断面図である。不活性
ガス吹出し装置１００に不活性ガス導入口１０１より不
活性ガス１０３が導入され、ガスフィルタ１０２を通し
てフォトレジスト膜形成装置１０７の上面すなわち処理
を施されるウェハー表面に吹出され、その結果ウェハー
表面は常に不活性ガス雰囲気に保たれる。
【０００８】上記構造を備えるフォトレジスト塗布装置
にて、ウェハー上にフォトレジスト膜を形成した場合、
ウェハー表面上のフォトレジスト膜表面が大気解放にな
らず、大気中の活性成分とフォトレジスト膜が反応する
ことはなくなり、フォトレジスト膜が劣化することはな
くなる。その結果、半導体集積回路パターンを描いたマ
スクまたはレチクルを通してフォトレジスト膜を露光
し、現像して得られるフォトレジストパターンの形状は
劣化せず、良好な状態に維持される。
にて、ウェハー上にフォトレジスト膜を形成した場合、
ウェハー表面上のフォトレジスト膜表面が大気解放にな
らず、大気中の活性成分とフォトレジスト膜が反応する
ことはなくなり、フォトレジスト膜が劣化することはな
くなる。その結果、半導体集積回路パターンを描いたマ
スクまたはレチクルを通してフォトレジスト膜を露光
し、現像して得られるフォトレジストパターンの形状は
劣化せず、良好な状態に維持される。
【０００９】図２は本発明の実施例２の半導体基板処理
装置、例えばフォトレジスト膜形成装置２０７、ウェハ
ー露光装置２０８、フォトレジスト膜現像装置２１１と
を結合させた半導体基板処理装置の断面図である。不活
性ガス吹出し装置２００に不活性ガス導入口２０１より
不活性ガス２０３が導入され、ガスフィルタ２０２を通
してフォトレジスト膜形成装置２０７の上面、ウェハー
露光装置２０８の上面、フォトレジスト膜現像装置２１
１の上面に各々吹出され、その結果ウェハー表面は常に
不活性ガス雰囲気に保たれる。
装置、例えばフォトレジスト膜形成装置２０７、ウェハ
ー露光装置２０８、フォトレジスト膜現像装置２１１と
を結合させた半導体基板処理装置の断面図である。不活
性ガス吹出し装置２００に不活性ガス導入口２０１より
不活性ガス２０３が導入され、ガスフィルタ２０２を通
してフォトレジスト膜形成装置２０７の上面、ウェハー
露光装置２０８の上面、フォトレジスト膜現像装置２１
１の上面に各々吹出され、その結果ウェハー表面は常に
不活性ガス雰囲気に保たれる。
【００１０】上記構造の場合、実施例１に比べてさらに
大気中の活性成分とフォトレジスト膜との反応を防止す
ることができ、フォトレジスト膜が劣化することはなく
なる。
大気中の活性成分とフォトレジスト膜との反応を防止す
ることができ、フォトレジスト膜が劣化することはなく
なる。
【００１１】さらに本発明は、上記実施例１，２の他
に、ウェハー露光装置２０８，フォトレジスト膜現像装
置２１１をそれぞれ単独で実施してもよいし、また、フ
ォトレジスト膜形成装置２０７とウェハー露光装置２０
８，あるいはウェハー露光装置２０８とフォトレジスト
膜現像装置２１１の組み合わせで実施してもよい。
に、ウェハー露光装置２０８，フォトレジスト膜現像装
置２１１をそれぞれ単独で実施してもよいし、また、フ
ォトレジスト膜形成装置２０７とウェハー露光装置２０
８，あるいはウェハー露光装置２０８とフォトレジスト
膜現像装置２１１の組み合わせで実施してもよい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体基板
処理装置は、それぞれの処理をされるウェハー表面を常
にもしくは一時的に不活性ガス雰囲気に保つ構造を備え
ているため、ウェハー表面上のフォトレジスト膜表面が
大気解放にならず、大気中の活性成分とフォトレジスト
膜が反応することはなくなり、フォトレジスト膜が劣化
することはなくなる。その結果、半導体集積回路パター
ンを描いたマスクまたはレチクルを通してフォトレジス
ト膜を露光し、現像して得られるフォトレジストパター
ンの形状は劣化せず、良好な状態に維持される。
処理装置は、それぞれの処理をされるウェハー表面を常
にもしくは一時的に不活性ガス雰囲気に保つ構造を備え
ているため、ウェハー表面上のフォトレジスト膜表面が
大気解放にならず、大気中の活性成分とフォトレジスト
膜が反応することはなくなり、フォトレジスト膜が劣化
することはなくなる。その結果、半導体集積回路パター
ンを描いたマスクまたはレチクルを通してフォトレジス
ト膜を露光し、現像して得られるフォトレジストパター
ンの形状は劣化せず、良好な状態に維持される。
【００１３】特に、酸発生剤を含んだ化学増幅型レジス
トの場合、その効果は大きく、フォトレジストパターン
の形状劣化、解像度低下、フォトレジストパターンの寸
法均一性低下が防止できる。
トの場合、その効果は大きく、フォトレジストパターン
の形状劣化、解像度低下、フォトレジストパターンの寸
法均一性低下が防止できる。
【００１４】その結果、半導体集積回路パターンを描い
たマスクまたはレチクルを通してこのフォトレジスト膜
を露光し、現像して得られるフォトレジストパターンを
再現性よく形成することができる。
たマスクまたはレチクルを通してこのフォトレジスト膜
を露光し、現像して得られるフォトレジストパターンを
再現性よく形成することができる。
【図１】本発明の実施例１の半導体基板処理装置の断面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例２の半導体基板処理装置の断面
図である。
図である。
【図３】従来の半導体基板処理装置の断面図である。
１００，２００ 不活性ガス吹出し装置 １０１，２０１ 不活性ガス導入口 １０２，２０２ ガスフィルタ １０３，２０３ 不活性ガス １０４，２０４，３０４ ウェハーローダ １０５，２０５，３０５ ウェハーアンローダ １０６，２０６，３０６ フォトレジスト塗布カップ １０７，２０７，３０７ フォトレジスト膜形成装置 ２０８ ウェハー露光装置 ２０９ レチクル ２１０ フォトレジスト膜現像カップ ２１１ フォトレジスト膜現像装置
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板にフォトレジストを滴下し、
その半導体基板を回転させフォトレジスト膜を形成し、
その後その半導体基板を加熱、冷却しフォトレジスト膜
を形成する半導体基板処理装置において、半導体基板表
面を常にもしくは一時的に不活性ガス雰囲気に保つ不活
性ガス吹出し装置を有することを特徴とする半導体基板
処理装置。 - 【請求項２】 フォトレジスト膜が形成された半導体基
板に、所望の半導体集積回路パターンを描いたマスクま
たはレチクルを通して露光する半導体基板処理装置にお
いて、半導体基板表面を常にもしくは一時的に不活性ガ
ス雰囲気に保つ不活性ガス吹出し装置を有することを特
徴とする半導体基板処理装置。 - 【請求項３】 フォトレジスト膜が形成された半導体基
板に、所望の半導体集積回路パターンを描いたマスクま
たはレチクルを通して露光後、その半導体基板を加熱、
冷却処理し、現像液を用いて現像する半導体基板処理装
置において、半導体基板表面を常にもしくは一時的に不
活性ガス雰囲気に保つ不活性ガス吹出し装置を有するこ
とを特徴とする半導体基板処理装置。 - 【請求項４】 前記フォトレジスト膜を形成する装置
と、前記半導体基板を露光する装置とを結合させた請求
項１および２記載の半導体基板処理装置。 - 【請求項５】 前記半導体基板を露光する装置と、前記
半導体基板を現像する装置とを結合させた請求項２およ
び３記載の半導体基板処理装置。 - 【請求項６】 前記フォトレジスト膜を形成する装置
と、前記半導体基板を露光する装置と、前記半導体基板
を現像する装置とを結合させた請求項１，請求項２およ
び請求項３記載の半導体基板処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14384492A JPH05335227A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 半導体基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14384492A JPH05335227A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 半導体基板処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05335227A true JPH05335227A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15348269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14384492A Withdrawn JPH05335227A (ja) | 1992-06-04 | 1992-06-04 | 半導体基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05335227A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006049330A1 (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Fujifilm Corporation | 露光装置 |
| JP2008034869A (ja) * | 2007-09-28 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2008034870A (ja) * | 2007-09-28 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
-
1992
- 1992-06-04 JP JP14384492A patent/JPH05335227A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006049330A1 (ja) * | 2004-11-08 | 2006-05-11 | Fujifilm Corporation | 露光装置 |
| JP2008034869A (ja) * | 2007-09-28 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP2008034870A (ja) * | 2007-09-28 | 2008-02-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| JP4505005B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2010-07-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4505006B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2010-07-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990831 |