JP2937159B2 - レジストパターンの形成方法 - Google Patents
レジストパターンの形成方法Info
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
-
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に形
成されたフォトレジスト膜を、アンモニア濃度２〜９ｐ
ｐｂの雰囲気中で、所望の半導体集積回路パターンを描
いたレチクルまたはマスクを通して露光し、ベーク（Ｐ
ＥＢ）処理後に現像液を用いて現像し、矩形な形状を有
するレジストパターンを形成する方法に関する。
成されたフォトレジスト膜を、アンモニア濃度２〜９ｐ
ｐｂの雰囲気中で、所望の半導体集積回路パターンを描
いたレチクルまたはマスクを通して露光し、ベーク（Ｐ
ＥＢ）処理後に現像液を用いて現像し、矩形な形状を有
するレジストパターンを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】化学増幅系レジスト、特に保護型ポリビ
ニルフェノール樹脂と光酸発生剤からなる２成分系ポジ
型レジスト（例えば、特開平４−４４０４５号公報参
照）、もしくはこれに保護型ビスフェノールＡ等を溶解
抑止剤として添加した３成分系ポジ型レジストでは、雰
囲気中からレジスト膜に侵入してきた塩基性物質（主に
アンモニア）により、露光によって発生した酸がレジス
ト膜表面領域で中和され失活して、後のＰＥＢ（ベー
ク）処理反応で脱保護基反応が進行しないので、表面難
溶化層が発生し、そのため図４に示すように、現像後得
られるレジストパターンがＴ型形状となり、解像性、焦
点深度、あるいは寸法精度が損なわれる等という種々の
不都合な点が問題となる。
ニルフェノール樹脂と光酸発生剤からなる２成分系ポジ
型レジスト（例えば、特開平４−４４０４５号公報参
照）、もしくはこれに保護型ビスフェノールＡ等を溶解
抑止剤として添加した３成分系ポジ型レジストでは、雰
囲気中からレジスト膜に侵入してきた塩基性物質（主に
アンモニア）により、露光によって発生した酸がレジス
ト膜表面領域で中和され失活して、後のＰＥＢ（ベー
ク）処理反応で脱保護基反応が進行しないので、表面難
溶化層が発生し、そのため図４に示すように、現像後得
られるレジストパターンがＴ型形状となり、解像性、焦
点深度、あるいは寸法精度が損なわれる等という種々の
不都合な点が問題となる。
【０００３】これらの諸問題を解決する方法として、従
来より、いくつかの方法が提案されており、例えば、Ｐ
ＥＢ処理の雰囲気を不活性ガスに置換し酸失活を防止す
る方法（特開平４−３６９２１１号公報参照）、あるい
は、パターン露光から現像までをガス不純物のない雰囲
気で行う方法（特開平６−１４０２９９号公報参照）等
が挙げられる。
来より、いくつかの方法が提案されており、例えば、Ｐ
ＥＢ処理の雰囲気を不活性ガスに置換し酸失活を防止す
る方法（特開平４−３６９２１１号公報参照）、あるい
は、パターン露光から現像までをガス不純物のない雰囲
気で行う方法（特開平６−１４０２９９号公報参照）等
が挙げられる。
【０００４】とりわけ塗布現像機にケミカルフィルター
を取り付けることにより、アンモニア濃度１ｐｐｂ未満
の雰囲気下にＰＥＢ処理、現像を行うことにより酸失活
を防ぐ方法（特開平７−１４２３１２号公報参照）が広
く使われている。
を取り付けることにより、アンモニア濃度１ｐｐｂ未満
の雰囲気下にＰＥＢ処理、現像を行うことにより酸失活
を防ぐ方法（特開平７−１４２３１２号公報参照）が広
く使われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、現在、
露光・現像時の雰囲気中のアンモニア濃度を、ケミカル
フィルターにより１ｐｐｂ未満に制御する方法が主流に
なりつつある。そして、何らかの理由によりケミカルフ
ィルターが機能しなくなったとしても、寸法変動が最小
となるような耐環境性能に優れる化学増幅型レジストが
必要とされている。
露光・現像時の雰囲気中のアンモニア濃度を、ケミカル
フィルターにより１ｐｐｂ未満に制御する方法が主流に
なりつつある。そして、何らかの理由によりケミカルフ
ィルターが機能しなくなったとしても、寸法変動が最小
となるような耐環境性能に優れる化学増幅型レジストが
必要とされている。
【０００６】しかしながら、ｔＢＯＣ（ｔ−ブトキシカ
ルボニル）保護型樹脂を用いたレジストをはじめとし
て、これよりも耐環境性能に優れると言われているアセ
タール系保護基を用いたレジストや、アニーリングタイ
プのレジスト（シプレイ社製ＵＶII，ＵＶIII等）でさ
えもアンモニア濃度依存性を完全に克服することは困難
である。
ルボニル）保護型樹脂を用いたレジストをはじめとし
て、これよりも耐環境性能に優れると言われているアセ
タール系保護基を用いたレジストや、アニーリングタイ
プのレジスト（シプレイ社製ＵＶII，ＵＶIII等）でさ
えもアンモニア濃度依存性を完全に克服することは困難
である。
【０００７】これらのレジストを、アンモニア濃度１０
ｐｐｂを越える雰囲気で露光、現像した場合は、ｔＢＯ
Ｃ保護型レジストは、図４に示すように著しいＴ字型形
状となり、これよりも耐環境性能に優れた系では、表面
難溶化層の発生が少ないが、アンモニア濃度が比較的高
いことは、露光後の引き置き耐性の劣化を招くために好
ましくない。
ｐｐｂを越える雰囲気で露光、現像した場合は、ｔＢＯ
Ｃ保護型レジストは、図４に示すように著しいＴ字型形
状となり、これよりも耐環境性能に優れた系では、表面
難溶化層の発生が少ないが、アンモニア濃度が比較的高
いことは、露光後の引き置き耐性の劣化を招くために好
ましくない。
【０００８】また、従来の塗布現像機にケミカルフィル
ターを取り付けてアンモニア濃度１ｐｐｂ未満でＰＥＢ
処理、現像を行うことにより酸失活を防ぐ方法では、過
剰に酸が存在し酸が未露光部に拡散するため、脱保護基
反応が誘発されて、図３に示すようにｔＢＯＣ保護型レ
ジスト、アセタール系保護基を用いたレジスト、アニー
リングタイプのレジストにおいて、パターンの上部が膜
減りして丸くなり、矩形な形状のパターンを得ることが
できなかった。
ターを取り付けてアンモニア濃度１ｐｐｂ未満でＰＥＢ
処理、現像を行うことにより酸失活を防ぐ方法では、過
剰に酸が存在し酸が未露光部に拡散するため、脱保護基
反応が誘発されて、図３に示すようにｔＢＯＣ保護型レ
ジスト、アセタール系保護基を用いたレジスト、アニー
リングタイプのレジストにおいて、パターンの上部が膜
減りして丸くなり、矩形な形状のパターンを得ることが
できなかった。
【０００９】特に微細なパターン形成に対しては、この
ような膜減りに起因するフォトレジストパターンの形状
劣化、ならびに解像性、焦点深度、エッチング耐性等の
劣化は致命的であり、したがって雰囲気制御方法の改善
は必要不可欠のものとされている。
ような膜減りに起因するフォトレジストパターンの形状
劣化、ならびに解像性、焦点深度、エッチング耐性等の
劣化は致命的であり、したがって雰囲気制御方法の改善
は必要不可欠のものとされている。
【００１０】本発明の目的は、上記の化学増幅型レジス
ト特有のレジスト表面での酸失活に起因する表面難溶化
層の形成を抑制し、現像後のレジストパターンがＴ型形
状になること、もしくは膜減りすることを防止すること
のできるレジストパターン形成方法を提供することにあ
る。
ト特有のレジスト表面での酸失活に起因する表面難溶化
層の形成を抑制し、現像後のレジストパターンがＴ型形
状になること、もしくは膜減りすることを防止すること
のできるレジストパターン形成方法を提供することにあ
る。
【００１１】さらには、該方法により矩形な形状のレジ
ストパターンを得ることのできる、解像性、焦点深度、
寸法精度の向上した、高集積化されたデバイスパターン
の確保を可能にすることにある。
ストパターンを得ることのできる、解像性、焦点深度、
寸法精度の向上した、高集積化されたデバイスパターン
の確保を可能にすることにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、以下に示
す本発明によって達成される。すなわち本発明は、化学
増幅系レジストのパターンを形成する方法において、ア
ンモニア濃度雰囲気を２〜９ｐｐｂの範囲に保持してレ
ジストを露光、現像し、パターン形状を矩形に形成する
ことを特徴とするレジストパターンの形成方法を開示す
るものである。
す本発明によって達成される。すなわち本発明は、化学
増幅系レジストのパターンを形成する方法において、ア
ンモニア濃度雰囲気を２〜９ｐｐｂの範囲に保持してレ
ジストを露光、現像し、パターン形状を矩形に形成する
ことを特徴とするレジストパターンの形成方法を開示す
るものである。
【００１３】また、本発明は、前記化学増幅系レジスト
が、ｔＢＯＣ保護型樹脂を用いたもの、アニーリングタ
イプのもの、あるいはアセタール保護基を用いたもので
あることを特徴とする上記本発明のレジストパターンの
形成方法を開示するものである。
が、ｔＢＯＣ保護型樹脂を用いたもの、アニーリングタ
イプのもの、あるいはアセタール保護基を用いたもので
あることを特徴とする上記本発明のレジストパターンの
形成方法を開示するものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明による化学増幅型レジスト
のパターン形成方法においては、通常のクリーンルーム
雰囲気（アンモニア濃度約１０〜３０ｐｐｂの範囲）下
で、パターン形成した場合に発生する化学増幅型レジス
トのＴ型形状をもたらす原因となる表面難溶化層を解消
し、さらには、アンモニア濃度１ｐｐｂ未満の雰囲気制
御下でパターン形成した場合に発生する化学増幅型レジ
ストのパターンの膜減りを解消して、矩形な形状のレジ
ストパターンのみを得るために、アンモニア濃度２〜９
ｐｐｂの範囲の雰囲気下で露光、現像するものである。
のパターン形成方法においては、通常のクリーンルーム
雰囲気（アンモニア濃度約１０〜３０ｐｐｂの範囲）下
で、パターン形成した場合に発生する化学増幅型レジス
トのＴ型形状をもたらす原因となる表面難溶化層を解消
し、さらには、アンモニア濃度１ｐｐｂ未満の雰囲気制
御下でパターン形成した場合に発生する化学増幅型レジ
ストのパターンの膜減りを解消して、矩形な形状のレジ
ストパターンのみを得るために、アンモニア濃度２〜９
ｐｐｂの範囲の雰囲気下で露光、現像するものである。
【００１５】上記のように、雰囲気のアンモニア濃度
を、２〜９ｐｐｂの範囲内に制御すると、露光により発
生する過剰な酸がアンモニアによって失活させられるこ
とにより、矩形な形状のパターンを安定して得ることが
可能となるものである。以下、実施例により本発明の実
施態様を詳細に説明するが、本発明がこれらによってな
んら限定されるものではない。
を、２〜９ｐｐｂの範囲内に制御すると、露光により発
生する過剰な酸がアンモニアによって失活させられるこ
とにより、矩形な形状のパターンを安定して得ることが
可能となるものである。以下、実施例により本発明の実
施態様を詳細に説明するが、本発明がこれらによってな
んら限定されるものではない。
【００１６】
【実施例】本発明の詳細を実施例により図面に基づいて
説明する。図１に、雰囲気を制御した塗布、現像、露光
装置を摸式的に示す。１０１は塗布現像ユニット、１０
２は露光機を表わす。塗布現像ユニット１０１は、通気
孔１０３から外気を取り込み、取り込まれた気体はケミ
カルフィルター１０４を通過することにより、気体のア
ンモニア濃度が１ｐｐｂ未満に制御される。
説明する。図１に、雰囲気を制御した塗布、現像、露光
装置を摸式的に示す。１０１は塗布現像ユニット、１０
２は露光機を表わす。塗布現像ユニット１０１は、通気
孔１０３から外気を取り込み、取り込まれた気体はケミ
カルフィルター１０４を通過することにより、気体のア
ンモニア濃度が１ｐｐｂ未満に制御される。
【００１７】次に、アンモニア濃度２〜９ｐｐｂのアン
モニアを発生させ、塗布現像ユニットに導入すると、塗
布現像機および露光機の雰囲気は、２〜９ｐｐｂのアン
モニア濃度となる。
モニアを発生させ、塗布現像ユニットに導入すると、塗
布現像機および露光機の雰囲気は、２〜９ｐｐｂのアン
モニア濃度となる。
【００１８】［実施例１］ｔＢＯＣ保護型ポリハイドロ
スチレン樹脂、酸発生剤からなる化学増幅系ポジ型レジ
ストを用いて、図２（ａ）に示すようにウェハー２０１
上にレジスト膜２０２を形成し、本発明の上記の方法に
より２〜９ｐｐｂのアンモニア濃度（５ｐｐｂ）に制御
した雰囲気下で、図２（ｂ）に示すように所望の半導体
集積回路パターンを描いたレチクル２０３を通して、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー２０４によって露光した。
スチレン樹脂、酸発生剤からなる化学増幅系ポジ型レジ
ストを用いて、図２（ａ）に示すようにウェハー２０１
上にレジスト膜２０２を形成し、本発明の上記の方法に
より２〜９ｐｐｂのアンモニア濃度（５ｐｐｂ）に制御
した雰囲気下で、図２（ｂ）に示すように所望の半導体
集積回路パターンを描いたレチクル２０３を通して、Ｋ
ｒＦエキシマレーザー２０４によって露光した。
【００１９】図２（ｃ）に示す露光により発生した酸２
０５の一部は、雰囲気中のアンモニア２０６により失活
させられ、図２（ｄ）に示すような膜減りのない矩形な
形状のパターンが得られた。
０５の一部は、雰囲気中のアンモニア２０６により失活
させられ、図２（ｄ）に示すような膜減りのない矩形な
形状のパターンが得られた。
【００２０】これに対し、従来通りの１ｐｐｂ未満のア
ンモニア濃度の雰囲気下では、同様の工程を経たもので
も、図３（ｅ）に示すような膜減りした形状のパターン
しか得られなかった。
ンモニア濃度の雰囲気下では、同様の工程を経たもので
も、図３（ｅ）に示すような膜減りした形状のパターン
しか得られなかった。
【００２１】また、従来通りの１０ｐｐｂを越えるアン
モニア濃度の雰囲気下では、同様の工程を経たもので
も、図３（ｅ）に示すような膜減りした形状のパターン
しか得られなかった。
モニア濃度の雰囲気下では、同様の工程を経たもので
も、図３（ｅ）に示すような膜減りした形状のパターン
しか得られなかった。
【００２２】［実施例２］シプレイ社製のレジストＵＶ
IIＨＳは、アニーリングタイプのレジストである。アニ
ーリングタイプのレジストは、ウェハーに塗布後にガラ
ス転移温度以上の温度で熱処理して、拡散経路を断つこ
とにより雰囲気中の塩基性物質のレジスト中への侵入を
防ぐので、ｔＢＯＣ型レジストに比べ耐環境性能に優れ
ている。
IIＨＳは、アニーリングタイプのレジストである。アニ
ーリングタイプのレジストは、ウェハーに塗布後にガラ
ス転移温度以上の温度で熱処理して、拡散経路を断つこ
とにより雰囲気中の塩基性物質のレジスト中への侵入を
防ぐので、ｔＢＯＣ型レジストに比べ耐環境性能に優れ
ている。
【００２３】実施例１と同様の工程を経て、２〜９ｐｐ
ｂのアンモニア濃度（２ｐｐｂ）でＵＶIIＨＳのパター
ンを形成したところ、図２（ｄ）に示すような矩形な形
状のパターンが得られた。
ｂのアンモニア濃度（２ｐｐｂ）でＵＶIIＨＳのパター
ンを形成したところ、図２（ｄ）に示すような矩形な形
状のパターンが得られた。
【００２４】これに対し、従来通りの１ｐｐｂ未満のア
ンモニア濃度の雰囲気下では、同様の工程を経たもので
も、図３（ｅ）に示すような膜減りした形状のパターン
しか得られなかった。
ンモニア濃度の雰囲気下では、同様の工程を経たもので
も、図３（ｅ）に示すような膜減りした形状のパターン
しか得られなかった。
【００２５】また、従来通りの１０ｐｐｂを越えるアン
モニア濃度の雰囲気下では、同様の工程を経たもので
も、図３（ｅ）に示すような膜減りした形状のパターン
しか得られなかった。
モニア濃度の雰囲気下では、同様の工程を経たもので
も、図３（ｅ）に示すような膜減りした形状のパターン
しか得られなかった。
【００２６】［実施例３］アセタール系のテトラハイド
ロピラニル基により保護されたポリハイドロスチレン樹
脂、酸発生剤からなる化学増幅ポジ型レジストを、実施
例１と同様の工程を経て、２〜９ｐｐｂのアンモニア濃
度（９ｐｐｂ）でパターンを形成したところ、図２
（ｄ）に示すような矩形な形状のパターンが得られた。
ロピラニル基により保護されたポリハイドロスチレン樹
脂、酸発生剤からなる化学増幅ポジ型レジストを、実施
例１と同様の工程を経て、２〜９ｐｐｂのアンモニア濃
度（９ｐｐｂ）でパターンを形成したところ、図２
（ｄ）に示すような矩形な形状のパターンが得られた。
【００２７】これに対し、従来通りの１ｐｐｂ未満のア
ンモニア濃度の雰囲気下では、同様の工程を経たもので
も、図３（ｅ）に示すような膜減りした形状のパターン
しか得られなかった。
ンモニア濃度の雰囲気下では、同様の工程を経たもので
も、図３（ｅ）に示すような膜減りした形状のパターン
しか得られなかった。
【００２８】また、従来通りの１０ｐｐｂを越えるアン
モニア濃度の雰囲気下では、同様の工程を経たもので
も、図３（ｅ）に示すような膜減りした形状のパターン
しか得られなかった。
モニア濃度の雰囲気下では、同様の工程を経たもので
も、図３（ｅ）に示すような膜減りした形状のパターン
しか得られなかった。
【００２９】
【発明の効果】上記のように、本発明の化学増幅型レジ
ストのパターン形成方法は、レジストパターンのＴ字型
形状および膜減りをほぼ完全に解消することができ、矩
形な形状のレジストパターンを得ることができる。
ストのパターン形成方法は、レジストパターンのＴ字型
形状および膜減りをほぼ完全に解消することができ、矩
形な形状のレジストパターンを得ることができる。
【００３０】レジスト毎に最適な形状が得られるよう
に、アンモニア濃度を２〜９ｐｐｂの範囲内で最適化す
ることにより、焦点深度、寸法精度とも大幅な（７％以
上の）向上を図ることができる。
に、アンモニア濃度を２〜９ｐｐｂの範囲内で最適化す
ることにより、焦点深度、寸法精度とも大幅な（７％以
上の）向上を図ることができる。
【００３１】特に、微細パターン形成に対してはその効
果は大きく、矩形の形状のフォトレジストパターンを再
現性よく形成することができる。
果は大きく、矩形の形状のフォトレジストパターンを再
現性よく形成することができる。
【図１】本発明の雰囲気を制御した塗布現像機の概要を
示す摸式図。
示す摸式図。
【図２】本発明のレジストパターン形成方法の工程説明
図。（但し、（ｄ）はパターン形状を示す摸式断面
図。）
図。（但し、（ｄ）はパターン形状を示す摸式断面
図。）
【図３】従来の化学増幅型レジストのパターン形成方法
の工程説明図。（但し、（ｅ）はパターン形状を示す摸
式断面図。）
の工程説明図。（但し、（ｅ）はパターン形状を示す摸
式断面図。）
【図４】従来の化学増幅型レジストのパターン形状を示
す摸式断面図。
す摸式断面図。
１０１ 塗布現像機（ユニット） １０２ 露光機 １０３ 通風孔 １０４ ケミカルフィルター ２０１，３０１，４０１ ウェハー ２０２，３０２ レジスト ２０３，３０３ レチクル ２０４，３０４ エキシマレーザー ２０５，３０５ 発生した酸 ２０６ アンモニア ２０７，３０６，４０２ レジストパターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (4)
- 【請求項１】 化学増幅系レジストのパターンを形成す
る方法において、アンモニア濃度雰囲気を２〜９ｐｐｂ
の範囲に保持してレジストを露光、現像し、パターン形
状を矩形に形成することを特徴とするレジストパターン
の形成方法。 - 【請求項２】 前記化学増幅系レジストが、ｔＢＯＣ保
護型樹脂を用いたものである請求項１記載のレジストパ
ターンの形成方法。 - 【請求項３】 前記化学増幅系レジストが、アニーリン
グタイプのものである請求項１記載のレジストパターン
の形成方法。 - 【請求項４】 前記化学増幅系レジストが、アセタール
保護基を用いたものである請求項１記載のレジストパタ
ーンの形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9039121A JP2937159B2 (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | レジストパターンの形成方法 |
| US09/027,736 US6100015A (en) | 1997-02-24 | 1998-02-23 | Resist pattern forming method |
| KR1019980005540A KR100275615B1 (ko) | 1997-02-24 | 1998-02-23 | 레지스트 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9039121A JP2937159B2 (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | レジストパターンの形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242021A JPH10242021A (ja) | 1998-09-11 |
| JP2937159B2 true JP2937159B2 (ja) | 1999-08-23 |
Family
ID=12544272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9039121A Expired - Fee Related JP2937159B2 (ja) | 1997-02-24 | 1997-02-24 | レジストパターンの形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6100015A (ja) |
| JP (1) | JP2937159B2 (ja) |
| KR (1) | KR100275615B1 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100569542B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2006-04-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 기체 상태의 아민 처리공정을 이용한 포토레지스트 패턴형성방법 |
| US6420098B1 (en) * | 2000-07-12 | 2002-07-16 | Motorola, Inc. | Method and system for manufacturing semiconductor devices on a wafer |
| KR100499404B1 (ko) * | 2002-07-11 | 2005-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 감광제 표면 처리 방법 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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