JPH06181198A - ベーパー乾燥装置 - Google Patents
ベーパー乾燥装置Info
- Publication number
- JPH06181198A JPH06181198A JP33157292A JP33157292A JPH06181198A JP H06181198 A JPH06181198 A JP H06181198A JP 33157292 A JP33157292 A JP 33157292A JP 33157292 A JP33157292 A JP 33157292A JP H06181198 A JPH06181198 A JP H06181198A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ipa
- drying
- vapor
- semiconductor wafer
- dried
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ベーパー乾燥における乾燥用溶剤の加熱状態
の変化に基づく乾燥不良の発生を防止することができる
ようにする。 【構成】 処理槽１内のＩＰＡ２をヒータ６によって加
熱し、これによって生じるＩＰＡ蒸気の雰囲気中に半導
体ウェハ３を配設して乾燥を行うベーパー乾燥装置であ
って、ノズル８を設けて半導体ウェハ３にＩＰＡ２をミ
スト化して吹き付け、半導体ウェハ３に対するＩＰＡ蒸
気量が多くなるようにする。
の変化に基づく乾燥不良の発生を防止することができる
ようにする。 【構成】 処理槽１内のＩＰＡ２をヒータ６によって加
熱し、これによって生じるＩＰＡ蒸気の雰囲気中に半導
体ウェハ３を配設して乾燥を行うベーパー乾燥装置であ
って、ノズル８を設けて半導体ウェハ３にＩＰＡ２をミ
スト化して吹き付け、半導体ウェハ３に対するＩＰＡ蒸
気量が多くなるようにする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は物体の乾燥技術、特に、
乾燥用溶剤を用いて半導体ウェハの乾燥を行う場合に効
果のある技術に関するものである。
乾燥用溶剤を用いて半導体ウェハの乾燥を行う場合に効
果のある技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のベーパー乾燥技術として
はたとえば図２に示すようなものが知られており、図２
はこのような従来のベーパー乾燥装置の一例を示す正面
断面図である。
はたとえば図２に示すようなものが知られており、図２
はこのような従来のベーパー乾燥装置の一例を示す正面
断面図である。
【０００３】処理槽１は石英などを用いて作られ、その
上端は被乾燥物の搬入および搬出のために開口できるよ
うにされ、底部の所定レベルには乾燥用溶剤であるＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）２が満たされる。この処
理槽１内には、酸洗い工程を経て水洗いの済んだ１また
は複数枚の半導体ウェハ３を立てた状態で収納した治具
４（例えば、ウェハカセット）が配設されている。
上端は被乾燥物の搬入および搬出のために開口できるよ
うにされ、底部の所定レベルには乾燥用溶剤であるＩＰ
Ａ（イソプロピルアルコール）２が満たされる。この処
理槽１内には、酸洗い工程を経て水洗いの済んだ１また
は複数枚の半導体ウェハ３を立てた状態で収納した治具
４（例えば、ウェハカセット）が配設されている。
【０００４】処理槽１の上部の内壁に沿って、処理槽１
から引き上げられる半導体ウェハ３の周囲の雰囲気を冷
却するための冷却管５が螺旋形に配設され、この冷却管
５の内部には冷水が通水している。
から引き上げられる半導体ウェハ３の周囲の雰囲気を冷
却するための冷却管５が螺旋形に配設され、この冷却管
５の内部には冷水が通水している。
【０００５】また、処理槽１の下部には、処理槽１内の
ＩＰＡ２を加熱（例えば８０℃）にするためのヒータ６
が設置されている。さらに、治具４の下部には半導体ウ
ェハ３からしたたり落ちるＩＰＡ液滴および水滴を受け
止めるための受け皿７が配設され、その受け皿７の排水
端は処理槽１の外へ突き出され、ＩＰＡ２に混入するの
を防止している。
ＩＰＡ２を加熱（例えば８０℃）にするためのヒータ６
が設置されている。さらに、治具４の下部には半導体ウ
ェハ３からしたたり落ちるＩＰＡ液滴および水滴を受け
止めるための受け皿７が配設され、その受け皿７の排水
端は処理槽１の外へ突き出され、ＩＰＡ２に混入するの
を防止している。
【０００６】図２の構成においては、ヒータ６によって
ＩＰＡ２が加熱され、処理槽１の上部雰囲気は冷却水が
通水された冷却管５によって冷却されている。このよう
な状態の処理槽１内に治具４に装填された複数枚の半導
体ウェハ３が搬入される。ＩＰＡ２は加熱されているた
めに蒸発しており、そのアルコール蒸気が常温で搬入さ
れた半導体ウェハ３の表面に触れると、半導体ウェハ３
上で水を溶解しながらウェハ表面から離れ、液滴となっ
て受け皿７上へ落下し、さらに処理槽１外へ排出され
る。この状態を数分〜数十分続ける間に、半導体ウェハ
３の表面は十分に乾燥する。
ＩＰＡ２が加熱され、処理槽１の上部雰囲気は冷却水が
通水された冷却管５によって冷却されている。このよう
な状態の処理槽１内に治具４に装填された複数枚の半導
体ウェハ３が搬入される。ＩＰＡ２は加熱されているた
めに蒸発しており、そのアルコール蒸気が常温で搬入さ
れた半導体ウェハ３の表面に触れると、半導体ウェハ３
上で水を溶解しながらウェハ表面から離れ、液滴となっ
て受け皿７上へ落下し、さらに処理槽１外へ排出され
る。この状態を数分〜数十分続ける間に、半導体ウェハ
３の表面は十分に乾燥する。
【０００７】上記時間の経過後に治具４と共に処理槽１
から半導体ウェハ３を引き上げると、その過程で半導体
ウェハ３に付着するＩＰＡはウェハ表面から蒸発し、取
り除かれる。
から半導体ウェハ３を引き上げると、その過程で半導体
ウェハ３に付着するＩＰＡはウェハ表面から蒸発し、取
り除かれる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明者の検討によれ
ば、処理槽内のＩＰＡをヒータの加熱により蒸発させる
従来のベーパー乾燥技術は、ＩＰＡを加熱するヒータの
発熱状態が変化（その要因としては、ヒータの劣化、周
囲温度の変化などが考えられる）すると、ＩＰＡの蒸発
量が変化し、乾燥力が変化するという問題がある。
ば、処理槽内のＩＰＡをヒータの加熱により蒸発させる
従来のベーパー乾燥技術は、ＩＰＡを加熱するヒータの
発熱状態が変化（その要因としては、ヒータの劣化、周
囲温度の変化などが考えられる）すると、ＩＰＡの蒸発
量が変化し、乾燥力が変化するという問題がある。
【０００９】例えば、乾燥が不十分であると、末乾燥状
態になり、後工程における膜厚の変化となって現れる。
態になり、後工程における膜厚の変化となって現れる。
【００１０】そこで、本発明の目的は、乾燥用溶剤の加
熱状態の変化に基づく乾燥不良の発生を防止することの
できる技術を提供することにある。
熱状態の変化に基づく乾燥不良の発生を防止することの
できる技術を提供することにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下の通りである。
【００１３】すなわち、乾燥用溶剤を加熱し、これによ
って生じる蒸気の雰囲気中に被乾燥物を配設して乾燥を
行うベーパー乾燥装置であって、前記被乾燥物に乾燥用
溶剤をミスト化して吹き付ける手段を設けるようにして
いる。
って生じる蒸気の雰囲気中に被乾燥物を配設して乾燥を
行うベーパー乾燥装置であって、前記被乾燥物に乾燥用
溶剤をミスト化して吹き付ける手段を設けるようにして
いる。
【００１４】
【作用】上記した手段によれば、加熱源により生成した
ＩＰＡミストを被乾燥物に付着させるほか、加熱によら
ないＩＰＡミストが被乾燥物上に吹き付けられる。した
がって、十分な量のＩＰＡ蒸気が被乾燥物に付与され、
確実に乾燥を行うことができる。
ＩＰＡミストを被乾燥物に付着させるほか、加熱によら
ないＩＰＡミストが被乾燥物上に吹き付けられる。した
がって、十分な量のＩＰＡ蒸気が被乾燥物に付与され、
確実に乾燥を行うことができる。
【００１５】
【実施例】図１は本発明によるベーパー乾燥装置の一実
施例を示す正面断面図である。なお、図１においては図
２に示したと同一であるものには同一引用数字を用いた
ので、ここでは重複する説明を省略する。
施例を示す正面断面図である。なお、図１においては図
２に示したと同一であるものには同一引用数字を用いた
ので、ここでは重複する説明を省略する。
【００１６】本実施例は、半導体ウェハ３の上部と冷却
管５との間に、微細な噴射孔を多数設けた１または複数
のノズル８を噴射口を半導体ウェハ３に向けて配設し、
このノズル８にＩＰＡ２を圧送してノズル８の噴射孔か
らＩＰＡミストを半導体ウェハ３に常時吹きつけるよう
にしたところに特徴がある。
管５との間に、微細な噴射孔を多数設けた１または複数
のノズル８を噴射口を半導体ウェハ３に向けて配設し、
このノズル８にＩＰＡ２を圧送してノズル８の噴射孔か
らＩＰＡミストを半導体ウェハ３に常時吹きつけるよう
にしたところに特徴がある。
【００１７】このように、ＩＰＡ２の蒸発に加え、ＩＰ
Ａミストを吹き付けることにより、半導体ウェハ３に対
するＩＰＡ蒸気量を多くすることができ、水分の置換を
早くすることができ、乾燥不良を無くすことができる。
Ａミストを吹き付けることにより、半導体ウェハ３に対
するＩＰＡ蒸気量を多くすることができ、水分の置換を
早くすることができ、乾燥不良を無くすことができる。
【００１８】この場合、ヒータ６の加熱状態にかかわら
ずノズル８の形状、サイズ、流量などを変えることで所
定の大きさの一定量のＩＰＡ蒸気を作ることができる。
ずノズル８の形状、サイズ、流量などを変えることで所
定の大きさの一定量のＩＰＡ蒸気を作ることができる。
【００１９】つまり、ＩＰＡ蒸気の大きさを任意にコン
トロールすることが可能になり、ヒータ温度の影響を排
除することができるようになる。
トロールすることが可能になり、ヒータ温度の影響を排
除することができるようになる。
【００２０】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲
で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００２１】例えば、ＩＰＡミストの大きさをコントロ
ールする手段として、ＩＰＡミストの核となるもの（例
えば、固体化ＩＰＡ、ドライアイスなど）をＩＰＡミス
トと共に吹き出すようにしてもよい。
ールする手段として、ＩＰＡミストの核となるもの（例
えば、固体化ＩＰＡ、ドライアイスなど）をＩＰＡミス
トと共に吹き出すようにしてもよい。
【００２２】また、上記した説明においては、被乾燥物
として半導体ウェハを例にしたが、これに限定されるも
のではなく、例えば、治具、基板などであってもよい。
として半導体ウェハを例にしたが、これに限定されるも
のではなく、例えば、治具、基板などであってもよい。
【００２３】さらに、ＩＰＡミストを噴射する手段とし
て、ノズルを用いる例を示したが、この他、例えば、Ｉ
ＰＡが供給される管に超音波振動子を取り付けてミスト
を発生させる構成などにしてもよい。
て、ノズルを用いる例を示したが、この他、例えば、Ｉ
ＰＡが供給される管に超音波振動子を取り付けてミスト
を発生させる構成などにしてもよい。
【００２４】また、乾燥用溶剤にＩＰＡを用いるものと
したが、これに代えてアセトンなどを用いることもでき
る。
したが、これに代えてアセトンなどを用いることもでき
る。
【００２５】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
下記の通りである。
【００２６】すなわち、乾燥用溶剤を加熱し、これによ
って生じる蒸気の雰囲気中に被乾燥物を配設して乾燥を
行うベーパー乾燥装置であって、前記被乾燥物に乾燥用
溶剤をミスト化して吹き付ける手段を設けるようにした
ので、十分な量のＩＰＡ蒸気を被乾燥物に付与すること
ができ、加熱源の状態によらず確実に乾燥を行うことが
できる。
って生じる蒸気の雰囲気中に被乾燥物を配設して乾燥を
行うベーパー乾燥装置であって、前記被乾燥物に乾燥用
溶剤をミスト化して吹き付ける手段を設けるようにした
ので、十分な量のＩＰＡ蒸気を被乾燥物に付与すること
ができ、加熱源の状態によらず確実に乾燥を行うことが
できる。
【図１】本発明によるベーパー乾燥装置の一実施例を示
す正面断面図である。
す正面断面図である。
【図２】従来のベーパー乾燥装置を示す正面断面図であ
る。
る。
１ 処理槽 ２ ＩＰＡ ３ 半導体ウェハ ４ 治具 ５ 冷却管 ６ ヒータ ７ 受け皿 ８ ノズル
Claims (3)
- 【請求項１】 乾燥用溶剤を加熱し、これによって生じ
る蒸気の雰囲気中に被乾燥物を配設して乾燥を行うベー
パー乾燥装置であって、前記被乾燥物に乾燥用溶剤をミ
スト化して吹き付ける手段を設けたことを特徴とするベ
ーパー乾燥装置。 - 【請求項２】 前記乾燥用溶剤は、イソプロピルアルコ
ールであることを特徴とする請求項１記載のベーパー乾
燥装置。 - 【請求項３】 前記吹付手段は、ノズルであることを特
徴とする請求項１記載のベーパー乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33157292A JPH06181198A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | ベーパー乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33157292A JPH06181198A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | ベーパー乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06181198A true JPH06181198A (ja) | 1994-06-28 |
Family
ID=18245157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33157292A Pending JPH06181198A (ja) | 1992-12-11 | 1992-12-11 | ベーパー乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06181198A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042373A1 (fr) * | 1999-01-18 | 2000-07-20 | Toho Kasei Ltd. | Technique de séchage de substrat et dispositif correspondant |
| US6904702B2 (en) | 2002-05-15 | 2005-06-14 | Toho Kasei, Ltd | Method and apparatus for drying substrate |
| US7861731B2 (en) | 2007-10-01 | 2011-01-04 | Fujitsu Limited | Cleaning/drying apparatus and cleaning/drying method |
-
1992
- 1992-12-11 JP JP33157292A patent/JPH06181198A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000042373A1 (fr) * | 1999-01-18 | 2000-07-20 | Toho Kasei Ltd. | Technique de séchage de substrat et dispositif correspondant |
| US6962007B1 (en) | 1999-01-18 | 2005-11-08 | Toho Kasei Ltd. | Method and device for drying substrate |
| US6904702B2 (en) | 2002-05-15 | 2005-06-14 | Toho Kasei, Ltd | Method and apparatus for drying substrate |
| US7861731B2 (en) | 2007-10-01 | 2011-01-04 | Fujitsu Limited | Cleaning/drying apparatus and cleaning/drying method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR102520345B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| US6199298B1 (en) | Vapor assisted rotary drying method and apparatus | |
| US5857474A (en) | Method of and apparatus for washing a substrate | |
| US7448604B2 (en) | Heat treatment apparatus | |
| JP5373429B2 (ja) | 基板乾燥装置および基板乾燥方法 | |
| KR940004739A (ko) | 기판 건조장치 | |
| JP6703858B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPH09190997A (ja) | ウェーハ乾燥装置 | |
| JP2011066272A (ja) | 基板乾燥方法及び基板乾燥装置 | |
| US6598314B1 (en) | Method of drying wafers | |
| JPH0837143A (ja) | 半導体処理装置 | |
| US6161300A (en) | Alcohol vapor dryer system | |
| JPH06181198A (ja) | ベーパー乾燥装置 | |
| JPH07142322A (ja) | レジスト現像の方法及び装置 | |
| JP3955924B2 (ja) | エーロゾルを用いる物品の乾燥及び洗浄方法及び装置 | |
| JPH11340187A (ja) | 洗浄乾燥装置および洗浄乾燥方法 | |
| JP7126429B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| JPH0861846A (ja) | 半導体ウエハの乾燥方法及びその装置 | |
| JPS61152020A (ja) | 処理装置 | |
| JP2020077675A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
| JP3923193B2 (ja) | ベーパ乾燥装置 | |
| JPH03104225A (ja) | 固体表面の洗浄・乾燥方法 | |
| KR19980015771A (ko) | 반도체 웨이퍼의 ipa 건조장치 | |
| KR980011979A (ko) | 웨이퍼 세정/건조 장치 및 방법 | |
| JP3009006B2 (ja) | 半導体基板の乾燥装置 |