JP2001077077A - ウェハ乾燥装置及び方法及びウェハ乾燥装置用ｉｐａミスト噴霧装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 窒素ガス供給通路と液相のＩＰＡ供給通路と
を備える必要がなく、各噴射部分においてＩＰＡと窒素
ガスとの混合比率を安定させることができるウェハ乾燥
装置及び方法及びウェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧装
置を提供する。 【解決手段】 窒素ガスと液相ＩＰＡとを混合させてＩ
ＰＡミストを形成するＩＰＡミスト形成部３４と、ＩＰ
Ａミスト噴射側にＩＰＡミスト噴射孔３ｄ，９３ｄを有
し、ＩＰＡミスト形成部で形成されたミストをＩＰＡミ
スト噴射孔からウェハに向けて噴射させるＩＰＡミスト
噴霧部３１，３７とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、純水中に浸漬され
ているウェハを純水中から取り出して乾燥させるとき、
酸素に触れさせることなくウェハ表面を乾燥させるウェ
ハ乾燥装置及び方法及びウェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト
噴霧装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、特公平６−１０３６８６号公報に
開示されるような乾燥装置では、窒素ガスをキャリアと
してＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を蒸気として、
エチッング処理液で処理されたのち純水で洗浄されてい
るウェハ処理槽内の上部空間内に供給するようにしてい
る。そして、処理槽の純水を排水することにより、処理
槽内でウェハを露出させ、処理槽の上部空間に供給され
たＩＰＡ蒸気が露出したウェハの表面に付着した水滴と
置換して、ウェハ表面が酸素に触れて自然酸化すること
なく、乾燥させるようにしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造のものでは、通常、常温であるウェハの温度と同じ温
度すなわち常温のＩＰＡ蒸気を処理槽内に供給して置換
させるため、常温のＩＰＡがウェハの表面から蒸発して
ウェハの表面が乾燥するまでの乾燥時間が長くなり、乾
燥効率が悪いといった問題があった。

【０００４】そこで、本出願人の一人は、ウェハの温度
よりも高い温度でかつミスト状のＩＰＡを乾燥室内の純
水の液面上の空間内に噴射させて、乾燥室の上記純水を
排出するか又は上記ウェハを上記乾燥室内で上昇させる
ことにより、上記乾燥室内で上記純水から上記ウェハが
液面より上方に露出するとき、上記ウェハの表裏両面に
付着した純水が上記ミスト状の上記イソプロピルアルコ
ールにより置換され、その後、上記ウェハの表裏両面か
ら上記イソプロピルアルコールが蒸発することにより乾
燥されるようにしたものを既に出願している（特願平１
０−３３２５４５号）。

【０００５】しかしながら、上記ミスト状のＩＰＡを噴
射させるミスト噴霧装置では、乾燥室内の純水の液面上
の空間内に窒素ガスを噴射させると同時に、液相のイソ
プロピルアルコールを上記ウェハの温度より高い温度で
かつ上記窒素ガスの噴射開口近傍で噴射させて、ミスト
状のイソプロピルアルコールを上記空間内に噴霧させる
ようにしているため、窒素ガス供給通路と液相のイソプ
ロピルアルコール供給通路との２本の通路が必要とな
り、かつ、各噴射部分においてミスト状のイソプロピル
アルコールの窒素ガスとイソプロピルアルコールとの混
合比率が安定しない可能性があった。

【０００６】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、ウェハの温度よりも高い温度でかつ
ミスト状のＩＰＡによりウェハの表面に付着した水滴を
置換させることにより、ウェハの表面からＩＰＡが迅速
に乾燥し、乾燥時間を短縮することができ、乾燥効率を
高めることができ、かつ、窒素ガス供給通路と液相のイ
ソプロピルアルコール供給通路との２本の通路を備える
必要がなく、かつ、各噴射部分においてミスト状のイソ
プロピルアルコールの窒素ガスとイソプロピルアルコー
ルとの混合比率を安定させることができるウェハ乾燥装
置及び方法及びウェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧装置
を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。

【０００８】本発明の第１態様によれば、窒素ガスと液
相のイソプロピルアルコールとを混合させてミスト状態
のイソプロピルアルコールのＩＰＡミストを形成するＩ
ＰＡミスト形成部と、ＩＰＡミスト噴射側に複数のＩＰ
Ａミスト噴射孔を有し、かつ、上記ＩＰＡミスト形成部
で形成された上記ＩＰＡミストを上記ＩＰＡミスト噴射
孔からウェハに向けて噴射させるＩＰＡミスト噴霧部と
を備えるようにしたことを特徴とするウェハ乾燥装置用
ＩＰＡミスト噴霧装置を提供する。

【０００９】本発明の第２態様によれば、上記ＩＰＡミ
スト噴霧部は、上記ＩＰＡミスト形成部で形成された上
記ＩＰＡミストを供給するＩＰＡミスト用供給通路を内
部に有するとともに、上記ＩＰＡミスト噴射孔を有する
１本のＩＰＡミスト供給管より構成される第１態様に記
載のウェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧装置を提供す
る。

【００１０】本発明の第３態様によれば、上記ＩＰＡミ
スト噴霧部の上記開口の内径は、上記ＩＰＡミスト形成
部に近い上記ＩＰＡミスト噴霧部の部分よりも、上記Ｉ
ＰＡミスト形成部から遠い上記ＩＰＡミスト噴霧部の部
分の方が大きい第１又は２のいずれかの態様に記載のウ
ェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧装置を提供する。

【００１１】本発明の第４態様によれば、上記ＩＰＡミ
スト噴霧部は、ＩＰＡミスト噴射側に所定間隔をおいて
開口を有し、かつ、上記ＩＰＡミスト形成部で形成され
たＩＰＡミストを供給するＩＰＡミスト供給管と、上記
ＩＰＡミスト供給管の上記開口側を除く部分に形成さ
れ、外部の気体を取り込んで上記ＩＰＡミスト供給管の
上記開口から噴射される上記ＩＰＡミストの噴射を促進
させる噴射促進用通路と、上記ＩＰＡミスト供給管の上
記開口側に配置され、かつ、上記ＩＰＡミスト供給管の
上記開口から上記ＩＰＡミスト噴射孔を介して上記ウェ
ハに向けて噴射される上記ＩＰＡミストの噴射方向に直
線的に延びた噴射方向制御用通路とを備えるようにした
第１態様に記載のウェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧装
置を提供する。

【００１２】本発明の第５態様によれば、上記噴射方向
制御用通路は、少なくとも、上記噴霧部長手方向と直交
する方向沿いに上記ＩＰＡミスト供給管の上記開口から
延びて上記噴射孔まで延在しかつ直線的に案内するミス
ト噴射方向制御用直進通路を備える第４態様に記載のウ
ェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧装置を提供する。

【００１３】本発明の第６態様によれば、上記噴射方向
制御用通路は、上記噴霧部長手方向と直交する方向沿い
に上記ＩＰＡミスト供給管の上記開口から延びた先すぼ
まり状のミスト噴射方向制御用ミスト案内通路と、上記
ミスト噴射方向制御用ミスト案内通路に連結されて記噴
射孔まで延在しかつ直線的に案内するミスト噴射方向制
御用直進通路とを備える第４態様に記載のウェハ乾燥装
置用ＩＰＡミスト噴霧装置を提供する。

【００１４】本発明の第７態様によれば、上記噴射促進
用通路は、上記開口に関して対称に一対配置された第４
〜６のいずれかの態様に記載のウェハ乾燥装置用ＩＰＡ
ミスト噴霧装置を提供する。

【００１５】本発明の第８態様によれば、上記ＩＰＡミ
スト噴霧部の上記開口の内径は、上記ＩＰＡミスト形成
部に近い上記ＩＰＡミスト噴霧部の部分よりも、上記Ｉ
ＰＡミスト形成部から遠い上記ＩＰＡミスト噴霧部の部
分の方が大きい第４〜７のいずれかの態様に記載のウェ
ハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧装置を提供する。

【００１６】本発明の第９態様によれば、上記噴射方向
制御用通路の長さは、上記ＩＰＡミスト形成部に近い上
記ＩＰＡミスト噴霧部の部分よりも、上記ＩＰＡミスト
形成部から遠い上記ＩＰＡミスト噴霧部の部分の方が長
い第６〜８のいずれかの態様に記載のウェハ乾燥装置用
ＩＰＡミスト噴霧装置を提供する。

【００１７】本発明の第１０態様によれば、窒素ガスと
液相のイソプロピルアルコールとを混合させてミスト状
態のイソプロピルアルコールのＩＰＡミストを供給しか
つＩＰＡミストをＩＰＡミスト噴射側とは異なる方向に
向けてＩＰＡミストを噴霧するＩＰＡミスト噴霧孔を有
する第２のＩＰＡミスト噴霧部をさらに備えるようにし
た第６〜９のいずれかの態様に記載のウェハ乾燥装置用
ＩＰＡミスト噴霧装置を提供する。

【００１８】本発明の第１１態様によれば、純水内にウ
ェハを浸漬可能な乾燥室と、上記乾燥室内の上記純水の
液面上の空間内に、窒素ガスと液相のイソプロピルアル
コールとを混合させたミスト状態のイソプロピルアルコ
ールのＩＰＡミストを上記ウェハの温度より高い温度で
噴霧させる第１〜８のいずれかの態様に記載のミスト噴
霧装置とを備えて、上記乾燥室の上記純水を排出するか
又は上記ウェハを上記乾燥室内で上昇させることによ
り、上記乾燥室内で上記純水から上記ウェハが液面より
上方に露出するとき、上記ウェハの表裏両面に付着した
純水が上記ミスト状の上記イソプロピルアルコールによ
り置換され、その後、上記ウェハの表裏両面から上記イ
ソプロピルアルコールが蒸発することにより乾燥される
ようにしたことを特徴とするウェハ乾燥装置を提供す
る。

【００１９】本発明の第１２態様によれば、上記乾燥室
は、上記ウェハを収容する収容部と、該収容部に供給さ
れた上記純水がオーバーフローして流れ込むオーバーフ
ロー部とを有するとともに、上記乾燥室を収容し、か
つ、上記乾燥室の上記収容部の上方に第１閉鎖空間を形
成可能とし、上記オーバーフロー部の純水が流れ込み、
かつ、上記オーバーフロー部の上記純水内に入り込み上
記第１閉鎖空間と隔離された第２閉鎖空間を形成する仕
切り壁を有する処理室とを備えるようにした第１１態様
に記載のウェハ乾燥装置を提供する。

【００２０】本発明の第１３態様によれば、上記液相の
イソプロピルアルコールを上記ウェハの温度より少なく
とも５℃以上高い温度でかつ上記窒素ガスの噴射開口近
傍で噴射させてミスト状のイソプロピルアルコールを上
記空間内に噴霧させる第１１又は１２態様に記載のウェ
ハ乾燥装置を提供する。

【００２１】本発明の第１４態様によれば、上記ウェハ
は常温であり、上記ミストは大略３０℃以上である第１
２又は１３態様に記載のウェハ乾燥装置を提供する。

【００２２】本発明の第１５態様によれば、上記ミスト
状の上記イソプロピルアルコールは、上記イソプロピル
アルコール自体が単体で上記窒素ガス中を浮遊している
状態である第１２から１４のいずれかの態様に記載のウ
ェハ乾燥装置を提供する。

【００２３】本発明の第１６態様によれば、上記ウェハ
の温度より５℃から６０℃高い温度で上記イソプロピル
アルコールをミスト状に噴霧させるようにした第１２か
ら１５のいずれかの態様に記載のウェハ乾燥装置を提供
する。

【００２４】本発明の第１７態様によれば、ウェハを乾
燥室内の純水内に浸漬するとともに、上記乾燥室内の上
記純水の液面上の空間内に、窒素ガスと液相のイソプロ
ピルアルコールとを混合させてミスト状態のイソプロピ
ルアルコールのＩＰＡミストを上記ウェハの温度より高
い温度で噴霧させ、次いで、上記乾燥室の上記純水を排
出するか又は上記ウェハを上記乾燥室内で上昇させるこ
とにより、上記乾燥室内で上記純水から上記ウェハが液
面より上方に露出するとき、上記ウェハの表裏両面に付
着した純水が上記ミスト状の上記イソプロピルアルコー
ルにより置換され、その後、上記ウェハの表裏両面から
上記イソプロピルアルコールが蒸発することにより乾燥
されるようにしたことを特徴とするウェハ乾燥方法を提
供する。

【００２５】本発明の第１８態様によれば、上記液相の
イソプロピルアルコールを上記ウェハの温度より少なく
とも５℃以上高い温度でかつ上記窒素ガスの噴射開口近
傍で噴射させてミスト状のイソプロピルアルコールを上
記空間内に噴霧させる第１７態様に記載のウェハ乾燥方
法を提供する。

【００２６】本発明の第１９態様によれば、上記ウェハ
は常温であり、上記ミストは大略３０℃以上である第１
７又は１８態様に記載のウェハ乾燥方法を提供する。

【００２７】本発明の第２０態様によれば、上記ミスト
状の上記イソプロピルアルコールは、上記イソプロピル
アルコール自体が単体で上記窒素ガス中を浮遊している
状態である第１７から１９のいずれかの態様に記載のウ
ェハ乾燥方法を提供する。

【００２８】本発明の第２１態様によれば、上記ウェハ
の温度より５℃から６０℃高い温度で上記イソプロピル
アルコールをミスト状に噴霧させるようにした第１７か
ら２０のいずれかの態様に記載のウェハ乾燥方法を提供
する。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。

【００３０】本発明の第１実施形態にかかるウェハ乾燥
方法を実施するウェハ乾燥装置は、図１〜図５に示すよ
うに、公知の図示しないキャリアで支持されたウェハ
２，…，２を洗浄する純水４０内にウェハ２，…，２を
浸漬して洗浄後に乾燥可能な乾燥室１と、上記乾燥室１
内の上記純水４０の液面上の第１閉鎖空間４内に、窒素
ガスと液相のイソプロピルアルコール（以下、単にＩＰ
Ａと記す。）とが混合されたミスト状のＩＰＡ（ＩＰＡ
ミスト）を、上記ウェハ２の温度（例えば常温）より高
い、好ましくは上記ウェハ２の温度より少なくとも５℃
以上高い、より好ましくは上記ウェハ２の温度より５℃
から６０℃高い、温度で噴射させるミスト噴霧装置３，
３とを備えて、上記乾燥室１の上記純水４０を排出する
か又は上記ウェハ２，…，２を上記乾燥室１内で上昇さ
せることにより、上記乾燥室１内で上記純水４０の液面
から上記ウェハ２，…，２が上方に露出するとき、ミス
ト噴霧装置３，３から上記各ウェハ２の表裏両面にＩＰ
Ａをミスト状態、すなわち、窒素をキャリアとするので
はなく、ＩＰＡ自体が単体で窒素ガス中を浮遊している
状態で噴霧させ続けて、上記各ウェハ２の表裏両面に付
着した純水４０が上記ミスト状の上記ＩＰＡ（ＩＰＡミ
スト）により置換されるようにしている。通常、上記ウ
ェハ２は常温であり、上記ＩＰＡミストは大略３０℃以
上である。

【００３１】上記乾燥室１は、大略矩形の箱体状のウェ
ハ収容部１ｂと、該収容部１ｂの上端の外側の周囲に形
成された矩形溝状のオーバーフロー部１ａとより大略構
成されている。このオーバーフロー部１ａには、乾燥室
１の収容部１ｂ内からオーバーフローした純水が流入す
るようになっている。

【００３２】また、乾燥室１は、全体が処理室の一例と
しての機能する処理シンク５０内に収納されるととも
に、乾燥室１の上方の処理シンク５０の上端開口は、外
部から蓋５２により密閉できるように配置されている。
乾燥室１の矩形溝状のオーバーフロー部１ａの中央部分
には、処理シンク５０の上端においてＵ字状に屈曲され
た仕切り壁５１の先端が入り込み、オーバーフロー部１
ａ内に純水があるときには、その純水内に仕切り壁５１
の先端が入り込んでいることにより、乾燥室１の収容部
１ｂの上方でかつ処理シンク５０の上部と蓋５２とで閉
塞された第１閉鎖空間４と、乾燥室１の収容部１ｂの外
側の側方及び下方でかつ処理シンク５０により閉塞され
た第２閉鎖空間２９とが分離されるようになっている。

【００３３】なお、オーバーフロー部１ａ内の純水は、
図３に示すように、定期的なメインテナンスなどのため
に、制御装置４１の制御動作に基く第１エアーオペレー
トバルブ５４の開動作により、処理シンク５０内に排出
可能となっている。第１エアーオペレートバルブ５４は
常時は閉じられている。

【００３４】また、処理シンク５０の仕切り壁５１に
は、第１閉鎖空間４と第２閉鎖空間２９との圧力バラン
スを自動調整するための第１０エアーオペレートバルブ
５３が設けられており、上記乾燥室１内の上記純水４０
の液面上の第１閉鎖空間４の圧力が第２閉鎖空間２９よ
り所定圧力を超えて高くなりすぎると、制御装置４１の
制御動作に基き第１０エアーオペレートバルブ５３が開
動作されて、第１閉鎖空間４と第２閉鎖空間２９との圧
力バランスを自動調整するようにしている。なお、第１
閉鎖空間４の圧力は、第２閉鎖空間２９より陽圧、すな
わち、第２閉鎖空間２９より上記所定圧力だけ常時高く
なるように保持されており、第２閉鎖空間２９から第１
閉鎖空間４側への流体の移動が生じてウェハ２，…，２
が汚染されないようにしている。

【００３５】また、処理シンク５０の第２閉鎖空間２９
内の圧力が異常に高まらないようにするため、処理シン
ク５０に排出通路４４を設けて、排出通路４４に、第２
閉鎖空間２９内の気体の排出流量を手動で調整するため
の手動弁８と、制御装置４１の制御に基き排出通路４４
での気体の排出又は停止を行う第２エアーオペレートバ
ルブ９とを設けている。なお、第２閉鎖空間２９内に圧
力センサを配置して、圧力センサで検出された第２閉鎖
空間２９内の圧力に応じて第２エアーオペレートバルブ
９を自動的に開閉することもできる。

【００３６】なお、上記第１実施形態では、第２エアー
オペレートバルブ９は、制御装置４１の制御により、排
出通路４４の開閉動作を単に行うものとして説明した
が、手動弁８の機能をも取り込んで手動弁８を省略し、
制御装置４１の制御動作により、ミスト噴霧装置３，３
から第１閉鎖空間４内に供給されるＩＰＡミストの供給
量及び後述するように乾燥室１の収容部１ｂから排出通
路４５を経て排出される純水の排出量に基き、排出通路
４４から排出される流体の流量を適切に自動的に調整す
る流量自動調整弁として機能させるようにしてもよい。

【００３７】また、図３において、乾燥室１の底部に
は、多数の供給孔を有する棒状の純水供給部５５が配置
され、純水供給部５５は、第３エアーオペレートバルブ
５６、流量計５９、手動弁６０を備えた純水供給通路５
８と連結されて、純水供給通路５８を通して処理シンク
５０の外部から純水を乾燥室１の収容部１ｂ内に供給す
るようにしている。第３エアーオペレートバルブ５６
は、制御装置４１の制御により、純水供給通路５８の開
閉動作を行うものである。手動弁６０は、流量計５９に
より検出された純水供給通路５８の純水の流量に基き、
所定流量が供給されるように手動で調整するバルブであ
る。５７は手動弁であり、第３エアーオペレートバルブ
５６により純水供給通路５８が閉じられたときに純水を
処理シンク５０内に若干量だけ流すものである。

【００３８】なお、上記第１実施形態では、第３エアー
オペレートバルブ５６は、制御装置４１の制御により、
純水供給通路５８の開閉動作を単に行うものとして説明
したが、手動弁６０の機能をも取り込んで手動弁６０を
省略し、制御装置４１の制御動作により、流量計５９に
より検出された純水供給通路５８の純水の流量に基き、
所定流量が供給されるように調整する流量自動調整弁と
して機能させるようにしてもよい。

【００３９】さらに、乾燥室１の底部には、純水４０及
び窒素ガスなどを処理シンク５０内に排出するための排
出通路４５を設け、該排出通路４５に、当該通路４５を
制御装置４１の制御に基いて開閉動作並びに流量調整動
作する第４エアーオペレートバルブ７を設けて、排出通
路４５の開閉及び純水及び窒素ガスなどの排出流量を調
整するようにしている。

【００４０】また、処理シンク５０の底部には、純水４
０などを常時排出可能とするため、逆流防止用トラップ
６１ａ付きの排出通路６１を設けている。

【００４１】一方、上記各ミスト噴霧装置３は、図４及
び図５に示すように、フッ素樹脂からなる大略直方体状
の噴霧装置本体３０と、噴霧装置本体３０から一方向に
延在しかつ断面が円形の管状のＩＰＡミスト噴霧部３７
とにより大略構成されている。

【００４２】上記噴霧装置本体３０には、ＩＰＡミスト
噴霧部３７の長尺方向沿いにＩＰＡ用供給管３３が連結
されるとともに、ＩＰＡ用供給管３３に対して横方向か
ら窒素ガス供給管３２が連結されて、噴霧装置本体３０
内に形成された空間であるＩＰＡミスト形成部３４に、
ＩＰＡ用供給管３３のＩＰＡ用通路３ｂから液相のＩＰ
Ａが供給される同時に窒素ガス供給管３２の窒素ガス用
通路３ａから窒素ガスが供給可能として、ミスト状のＩ
ＰＡ（ＩＰＡミスト）がＩＰＡミスト形成部３４で形成
可能とされている。なお、ＩＰＡ用供給管３３のＩＰＡ
用通路３ｂから液相のＩＰＡの供給を停止させれば、後
述するように、窒素ガス供給管３２の窒素ガス用通路３
ａから窒素ガスのみを供給して、窒素ガスによるブロー
乾燥動作などを行うこともできる。

【００４３】上記ＩＰＡミスト噴霧部３７は、末端が閉
塞されたＩＰＡ用供給通路９３ｃを内部に形成したフッ
素樹脂からなるＩＰＡミスト供給管１３６より構成され
ている。このＩＰＡ用供給通路９３ｃには、噴霧装置本
体３０のＩＰＡミスト形成部３４で形成されたＩＰＡミ
ストが供給される。上記ＩＰＡミスト供給管１３６に
は、図５における下部側に所定間隔毎に噴射孔９３ｄを
有して、該噴射孔９３ｄ，…，９３ｄを介してＩＰＡ用
供給通路９３ｃに供給されるＩＰＡミストをウェハ２，
…，２に向けて噴射可能としている。各噴射孔９３ｄ
は、各ウェハ２に大略向けて（詳細には隣接するウェハ
２，２間の空間でかつウェハ２の中心に相当する位置に
向けて）配置されている。

【００４４】一方、窒素ガス供給管３２の窒素ガス通路
３ａから供給される窒素ガスは、常温より高い、好まし
くは少なくとも５℃以上高い、より好ましくは５℃から
６０℃高い温度で供給されるものであって、図３に示さ
れるように、圧力計７７付きの減圧弁１７、上記窒素ガ
ス通路３ａ，３ａへの窒素ガスの供給を一度に遮断可能
な手動弁１８までが１つの通路であり、手動弁１８以降
は２つの通路に分岐されて、流量計１９，１９、手動弁
７５，７６、第５，６エアーオペレートバルブ２０，２
１、供給する窒素ガス中のゴミなどを除去するフィルタ
７４，７４、供給する窒素ガスを所定温度まで加熱する
ヒータ７３，７３を介して、図１の左右に配置したミス
ト噴霧装置３，３にそれぞれ供給される。第５，６エア
ーオペレートバルブ２０，２１は、制御装置４１の制御
に基きそれぞれの通路の開閉動作を行うものである。手
動弁７５，７６は、左右それぞれのミスト噴霧装置３，
３用の通路に配置され、それぞれの流量計１９，１９で
検出されたそれぞれの通路での窒素ガスの流量に基づ
き、窒素ガスの流量をそれぞれ手動で調整することによ
り、左右のミスト噴霧装置３，３から上記乾燥室１内の
上記純水４０の液面上の第１閉鎖空間４内にミストを噴
霧するとき、左右のミスト噴霧状態のバランスを調整で
きるようにしている。この結果、ＩＰＡミストの温度
は、常温より高い、好ましくは少なくとも５℃以上高
い、より好ましくは５℃から６０℃高い温度で噴霧され
る。

【００４５】なお、上記第１実施形態では、第５，６エ
アーオペレートバルブ２０，２１は、制御装置４１の制
御動作により、それぞれの通路の開閉動作を単に行うも
のとして説明したが、手動弁７５，７６の機能をも取り
込んで手動弁７５，７６を省略し、制御装置４１の制御
動作により、流量計１９，１９により検出されたそれぞ
れの通路の窒素ガスの流量に基き、所定流量が供給され
るようにそれぞれ調整する流量自動調整弁として機能さ
せるようにしてもよい。

【００４６】また、ＩＰＡ用供給管３３のＩＰＡ用通路
３ｂから供給される液相のＩＰＡは、以下のようにして
供給される。すなわち、図３に示されるように、圧力計
７８付きの減圧弁１０、上記ＩＰＡ用通路３ｂ，３ｂへ
の液相のＩＰＡの供給を生じさせる窒素ガスを一度に遮
断可能な第７エアーオペレートバルブ１１を介してＩＰ
Ａ圧送タンク５内に上記とは別に窒素ガスを圧送し、窒
素ガスの圧力によりＩＰＡ圧送タンク５内のＩＰＡの液
体６が、上記ＩＰＡ用通路３ｂ，３ｂへの液相のＩＰＡ
の供給を一度に遮断可能な手動弁１３を配置した１つの
通路を経て、手動弁１３以降は２つの通路に分岐され
て、流量計１４，１４、手動弁１５，１６、第８，９エ
アーオペレートバルブ７１，７２、供給するＩＰＡ中の
ゴミなどを除去するフィルタ７０，７０を介して、図１
の左右に配置したミスト噴霧装置３，３にそれぞれ供給
される。なお、１２はＩＰＡ圧送タンク用リリーフ弁で
ある。第８，９エアーオペレートバルブ７１，７２は、
制御装置４１の制御に基きそれぞれの通路の開閉動作を
行うものである。手動弁１５，１６は、左右それぞれの
ミスト噴霧装置３，３用の通路に配置され、それぞれの
流量計１４，１４で検出されたそれぞれの通路でのＩＰ
Ａの液体の流量に基づき、ＩＰＡの液体の流量をそれぞ
れ手動で調整することにより、左右のミスト噴霧装置
３，３から上記乾燥室１内の上記純水４０の液面上の第
１閉鎖空間４内にミストを噴霧するとき、左右のミスト
噴霧状態のバランスを調整できるようにしている。

【００４７】なお、上記第１実施形態では、第８，９エ
アーオペレートバルブ７１，７２は、制御装置４１の制
御により、それぞれの通路の開閉動作を単に行うものと
して説明したが、手動弁１５，１６の機能をも取り込ん
で手動弁１５，１６を省略し、制御装置４１の制御動作
により、流量計１４，１４により検出されたそれぞれの
通路のＩＰＡの液体の流量に基き、所定流量が供給され
るようにそれぞれ調整する流量自動調整弁として機能さ
せるようにしてもよい。

【００４８】なお、左右のミスト噴霧装置３，３の噴霧
部３１，３１のそれぞれにＩＰＡミストを供給すると
き、各噴霧部３１の一端側から他端閉塞部に向けて一方
向にＩＰＡミストをＩＰＡミスト用供給通路３ｃ内に供
給させればよい。このようなものでは構造が簡単なもの
となるという利点がある。

【００４９】上記第１エアーオペレートバルブ５４、第
２エアーオペレートバルブ９、第３エアーオペレートバ
ルブ５６、第４エアーオペレートバルブ７、第５エアー
オペレートバルブ２０、第６エアーオペレートバルブ２
１、第７エアーオペレートバルブ１１、第８エアーオペ
レートバルブ７１、第９エアーオペレートバルブ７２、
第１０エアーオペレートバルブ５３は、それぞれ、制御
装置４１に接続されており、制御装置４１の制御によ
り、所定のプログラムなどに基づいて、自動的に、オー
バーフロー部１ａからの純水の排出、第２閉鎖空間２９
からの気体の排出、乾燥室１の収容部１ｂへの純水の供
給及び排出、第１閉鎖空間４への窒素ガス及びＩＰＡの
液体のそれぞれの供給、従って、ＩＰＡミストの噴霧状
態、乾燥室１内の第１閉鎖空間４内からの排気量、純水
４０の排出量、第１閉鎖空間４と第２閉鎖空間２９との
圧力バランスの自動調整などを動作制御できるようにし
ている。

【００５０】上記構成によれば、制御装置４１の制御動
作に基き、以下のようにしてウェハの乾燥動作が行われ
る。

【００５１】図６において、まず、キャリアで支持され
たウェハ２，…，２を乾燥室１の収容部１ｂ内に配置す
る。このとき、乾燥室１の上方の第１閉鎖空間４には窒
素ガス供給管３２の窒素ガス用通路３ａから窒素ガスの
みを上記噴霧装置本体３０に供給して上記噴霧装置本体
３０から窒素ガスを噴出させて窒素ガス雰囲気に維持さ
れているとともに、乾燥室１の収容部１ｂ内には純水が
純水供給部５５から供給され続けており、収容部１ｂ内
からオーバーフローした純水はオーバーフロー部１ａに
流れ込み、さらに、オーバーフロー部１ａからオーバー
フローした純水は処理シンク５０内に流れ落ちている。
このようにして、収容部１ｂ内には純水が満杯になつた
状態に維持されており、このような収容部１ｂ内に、キ
ャリアで支持されたウェハ２，…，２を浸漬するように
する。浸漬時に収容部１ｂ内からオーバーフローした純
水はオーバーフロー部１ａを経て処理シンク５０内に流
れ込む。上記したように、純水供給部５５から純水が、
ウェハ２，…，２が収容されている乾燥室１の収容部１
ｂ内に供給され続けることにより、純水４０によりウェ
ハ２，…，２が洗浄され、洗浄された純水は収容部１ｂ
からオーバーフロー部１ａを介して処理シンク５０内に
流れ落ちる。処理シンク５０内に溜まった純水は、逆流
防止用トラップ６１ａ付きの排出通路６１から常時排出
される。また、このとき、オーバーフロー部１ａ内の純
水内に仕切り壁５１の先端が入り込んでいることから、
乾燥室１の上方でかつ処理シンク５０の上部と蓋５２と
で閉塞された第１閉鎖空間４と、乾燥室１の側方及び下
方で処理シンク５０により閉塞された第２閉鎖空間２９
とが、オーバーフロー部１ａ内の純水と仕切り壁５１と
により、分離独立される。なお、このとき、排気通路４
４は第２エアーオペレートバルブ９により閉じられてい
る。

【００５２】次いで、純水によるウェハ２，…，２の洗
浄が充分に行われたのち、図７に示すように、制御装置
４１の制御に基き、乾燥室１への純水の供給が停止さ
れ、ミスト噴霧装置３，３に窒素ガスと液相のＩＰＡと
が供給されてＩＰＡミストがミスト噴霧装置３，３から
上記乾燥室１内の上記純水４０の液面上の第１閉鎖空間
４内に噴射される。ＩＰＡミストは、例えば、１台のミ
スト噴霧装置３あたり約２〜３ｃｃ／ｍｉｎの噴射速度
で上記第１閉鎖空間４内に噴霧させる。ＩＰＡミストを
噴霧させる方向、すなわち、各噴射孔９３ｄの軸方向
は、若干下向きとして純水４０内のウェハ２に大略向か
う方向（詳細には隣接するウェハ２，２間の空間でかつ
ウェハ２の中心に相当する位置に向かう方向）として、
純水４０の液面上に均一にＩＰＡミストが保持されるよ
うにするのが好ましい。このとき、乾燥室１の第１閉鎖
空間４内の圧力が第２閉鎖空間２９内の圧力と比較して
所定圧力以上に高くなったときには、制御装置４１の制
御により第１０エアーオペレートバルブ５３を開いて第
２閉鎖空間２９内にＩＡＰミストを排出して、第１閉鎖
空間４内の圧力を低下させて、上記所定圧力を維持する
ようにする。

【００５３】次いで、所定時間経過後、第１閉鎖空間４
内にＩＰＡミストが充満したのち、制御装置４１の制御
に基き、第２エアーオペレートバルブ９により排気通路
４４を開き、手動弁８で調整された流量の気体が第２閉
鎖空間２９から排出可能とし、かつ、図８に示すよう
に、乾燥室１の収容部１ｂの底部から第４エアーオペレ
ートバルブ７の開操作により排出通路４５から純水が、
処理シンク５０内すなわち第２閉鎖空間２９内に徐々に
排出開始されて、乾燥室１内の上記純水４０の液面が低
下させる。すなわち、このように上記第１閉鎖空間４の
純水４０の液面付近がＩＰＡミストで覆われた状態が保
持できるようにＩＰＡミストを噴霧し続けている状態
で、制御装置４１の制御により、第４エアーオペレート
バルブ７を開けて、純水４０を乾燥室１の収容部１ｂ内
から徐々に排出を開始する。排出速度の例としては、Ｉ
ＰＡミストを例えば、１台のミスト噴霧装置３あたり約
２〜３ｃｃ／ｍｉｎの噴射速度で噴出させて噴霧させる
とき、純水４０の液面が１秒間に２ｍｍ程度低下するよ
うな速度とする。

【００５４】その結果、各ウェハ２の上部が純水４０か
ら露出することになるが、各ウェハ表面が酸素に触れて
自然酸化することなく、上記純水４０の液面に均一に噴
霧され続けているＩＰＡミストが各ウェハ２の表裏両面
に付着した純水とすぐに置換される。また、ＩＰＡミス
トの温度は、各ウェハ２の温度すなわち常温よりも高
い、好ましくは少なくとも５℃以上高い、より好ましく
は５℃から６０℃高くなっているため、迅速に乾燥す
る。その後、上記各ウェハ２の表裏両面から上記ＩＰＡ
が自然に蒸発することにより、上記各ウェハ２の表裏両
面が乾燥される。

【００５５】次いで、図９に示すように、上記各ウェハ
２が純水４０から完全に露出して、ＩＰＡミストが各ウ
ェハ２の表裏両面に付着した純水とすぐに置換され、上
記各ウェハ２の表裏両面から上記ＩＰＡが自然に蒸発す
ることにより、上記各ウェハ２の表裏両面が完全に乾燥
される。その後、制御装置４１の制御に基き、液相のＩ
ＰＡのミスト噴霧装置３，３への供給のみを停止し、窒
素ガスのみをミスト噴霧装置３，３を供給して、ミスト
噴霧装置３，３から窒素ガスを各ウェハ２の表裏両面に
供給して、ブロー乾燥したのち、キャリアで支持された
ウェハ２，…，２を乾燥室１の収容部１ｂ内から取り出
す。このとき、純水は、純水供給部５５から少量だけ収
容部１ｂ内に供給し、収容部１ｂ内に溜まらずにすぐに
排出通路４５から排出されるようにしている。このと
き、窒素ガスも純水とともに排出通路４５から排出され
ることにより、ブロー乾燥において、第１閉鎖空間４内
の圧力が異常に高まるのを防止している。

【００５６】その後、ウェハ２，…，２を乾燥室１の収
容部１ｂ内から完全に取り出されたのち、次のウェハ
２，…，２の乾燥に備えて、排出通路４５を閉じて純水
を収容部１ｂ内に溜めて、収容部１ｂ内から再びオーバ
ーフロー部１ａにオーバーフローさせる。

【００５７】以上の動作を繰り返すことにより、連続的
にウェハ２，…，２の乾燥を行うことができる。

【００５８】上記第１実施形態によれば、ＩＰＡミスト
形成部３４において窒素ガスと液相のイソプロピルアル
コールとを予め混合させてミスト状態のイソプロピルア
ルコールのＩＰＡミストを形成したのち、ＩＰＡミスト
をＩＰＡミスト噴霧部３７にＩＰＡミスト用供給通路９
３ｃにより供給して、各噴射孔９３ｄからＩＰＡミスト
を各ウェハ２に向けて噴射できるようにしたので、窒素
ガス供給通路と液相のイソプロピルアルコール供給通路
との２本の通路を備える必要がなく、かつ、各噴射部分
においてミスト状のイソプロピルアルコールの窒素ガス
とイソプロピルアルコールとの混合比率を安定させるこ
とができる。よって、噴射孔からミスト状になり得ずに
液体として落下してしまう、液体のボタ落ち現象がなく
なり、安定してＩＰＡミストを噴射させることができ
る。

【００５９】また、ウェハ２が浸漬された純水の液面上
にＩＰＡのミストが常時保持されるようにしているの
で、ウェハ２の上部が純水４０から露出することになる
が、ウェハ表面が酸素に触れて自然酸化することなく、
上記純水４０の液面に均一に供給されているＩＰＡミス
トがウェハ２の表裏両面に付着した純水とすぐに置換さ
れる。また、ＩＰＡミストの温度は、ウェハ２の温度す
なわち常温よりも高い、好ましくは少なくとも５℃以上
高い、より好ましくは５℃から６０℃高くなっているた
め、ＩＰＡがウェハ２の表裏両面に凝着しやすくなり、
ウェハ２の表裏両面に付着した純水とすぐに置換されや
すくなる上に、ウェハ２の表裏両面が迅速に乾燥する。
よって、常温のウェハの表面の純水と常温のＩＰＡとを
置換させたのち、常温のＩＰＡを乾燥させる従来の場合
よりも乾燥時間が早くなり、乾燥効率を高めることがで
きる。また、ミスト状態で純水４０の液面に噴霧させる
ため、ＩＰＡを蒸気で供給する従来の場合と比較して、
ＩＰＡの消費量を大幅に減少させることができる。ま
た、ＩＰＡを蒸気で供給する場合には蒸気状態を保持す
るため配管の外側を断熱材で覆うなどする必要がある
が、本第１実施形態では、単に例えば常温の液相のＩＰ
Ａを左右のミスト噴霧装置３，３のそれぞれに供給すれ
ばよいので、配管を断熱材で覆う必要はなく、装置が簡
単なものとなる。また、ＩＰＡを蒸気化するときには加
熱するためのエネルギーが必要であるが、本実施形態で
は、ミスト噴霧装置３から窒素ガスとＩＰＡとを噴射さ
せるだけのエネルギーがあれば十分であり、安価でかつ
簡単な装置構成でもってＩＰＡのミストを形成すること
ができる。

【００６０】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その他種々の態様で実施できる。

【００６１】例えば、上記ミスト噴霧装置３は図２のも
のに限定されるものではなく、本発明の第２実施形態に
かかるウェハ乾燥方法を実施するウェハ乾燥装置とし
て、図１０〜図１４に示すようなミスト噴霧装置２３で
もよい。すなわち、上記各ミスト噴霧装置３は、図１０
から図１４に示すように、フッ素樹脂からなる直方体状
の噴霧装置本体３０と、噴霧装置本体３０から延在しか
つ断面が図１２において上下方向に細長くかつ下向きに
尖った５角形状でかつ長尺なフッ素樹脂からなるＩＰＡ
ミスト噴霧部３１とにより大略構成されている。

【００６２】上記噴霧装置本体３０には窒素ガス供給管
３２とＩＰＡ用供給管３３が連結されて、噴霧装置本体
３０内に形成された空間であるＩＰＡミスト形成部３４
に、窒素ガス供給管３２の窒素ガス用通路３ａから窒素
ガスが供給されるとともにＩＰＡ用供給管３３のＩＰＡ
用通路３ｂから液相のＩＰＡが供給されて、ミスト状の
ＩＰＡ（ＩＰＡミスト）がＩＰＡミスト形成部３４で形
成される。

【００６３】一方、上記噴霧部３１内には、その長手方
向沿いに延び、かつ、図１１及び図１２における上下方
向の断面が矩形の空間である供給管配置部３５が形成さ
れている。その供給管配置部３５内には、ＩＰＡ用供給
通路３ｃを内部に形成したフッ素樹脂からなるＩＰＡミ
スト供給管３６を配置する。このＩＰＡ用供給通路３ｃ
には、噴霧装置本体３０のＩＰＡミスト形成部３４で形
成されたＩＰＡミストが供給される。上記ＩＰＡミスト
供給管３６には、図１１及び図１２における下部側に所
定間隔毎に開口３ｇを有して、該開口３ｇ，…，３ｇを
介してＩＰＡ用供給通路３ｃにより供給されたＩＰＡミ
ストを噴射可能としている。噴霧部３１には、各開口３
ｇに対応してミスト噴射方向制御用通路３ｋを形成して
いる。このミスト噴射方向制御用通路３ｋは、少なくと
も、上記噴霧部長手方向と直交する方向（図１１及び図
１２の下向き）沿いに開口３ｇから延びて噴射孔３ｄま
で延在しかつ直線的に案内するミスト噴射方向制御用直
進通路３ｈを備えるものであるが、本実施形態では、ミ
スト噴射方向制御用直進通路３ｈの位置と開口３ｇの位
置との位置ずれを吸収できるようにするため、上記噴霧
部長手方向と直交する方向（図１１及び図１２の下向
き）沿いに開口３ｇから延びた先すぼまり状のミスト噴
射方向制御用ミスト案内通路３ｆを備え、各ミスト案内
通路３ｆの先端に上記ミスト噴射方向制御用直進通路３
ｈを連結してミストを直線的に案内するようにしてい
る。よって、ミスト噴射方向制御用直進通路３ｈの位置
と開口３ｇの位置との位置ずれがほとんどない場合に
は、上記ミスト噴射方向制御用ミスト案内通路３ｆを省
略して、上記ミスト噴射方向制御用直進通路３ｈからの
み構成するようにしてもよい。上記直進通路３ｈの長さ
は、噴射孔３ｄから、隣接するウェハ２，２間の空間で
かつウェハ２の中心に相当する位置までの距離と、ＩＰ
Ａミストの噴射速度などを考慮して、決定する。各直進
通路３ｈと噴射孔３ｄとの軸方向は、各ウェハ２に大略
向けて、すなわち、詳細には隣接するウェハ２，２間の
空間でかつウェハ２の中心に相当する位置に向けて配置
されている。また、上記ミスト案内通路３ｆの上端部に
は、噴霧部３１の外部と上記ミスト案内通路３ｆの上端
部とを連通する一対の噴射促進用通路３ｅ，３ｅが上記
開口３ｇ従ってミスト案内通路３ｆに対して対称に配置
している。なお、噴射促進用通路３ｅとしては、このよ
うに左右一対対称で設けるほうが、バランスが良く、噴
射促進に寄与することができるが、いずれか一方でもよ
い。また、噴射促進用通路３ｅを特別に形成することな
く、噴射促進用通路３ｅが配置されている部分を多孔質
材料より構成して、噴射促進用気体を流入可能としても
よい。よって、ＩＰＡ用供給通路３ｃにより供給された
ＩＰＡミストが各開口３ｇからミスト案内通路３ｆ内に
噴射されるとき、一対の噴射促進用通路３ｅ，３ｅから
噴霧部３１の外部の気体がミスト案内通路３ｆ内に取り
込まれて、ＩＰＡミストがミスト案内通路３ｆから直進
通路３ｈを通って噴射孔３ｄから噴射される上記ＩＰＡ
ミストの噴射を促進させる、すなわち、噴射をさらに加
速させるようにしている。そして、上記ウェハ２，…，
２に対して左右に配置された上記一対のミスト噴霧装置
３，３の各々の各直進通路３ｈの軸方向が、所定間隔を
空けて配置された例えば５０枚程度のウェハ２，…，２
のうちの隣接ウェハ２，２間の空間に向けられるよう
に、上記一対のミスト噴霧装置３，３を配置するととも
に、乾燥室１の収容部１ｂ内の両端のウェハ２の外側に
も上記一対のミスト噴霧装置３，３の各々の各直進通路
３ｈの軸方向が向けられるように上記一対のミスト噴霧
装置３，３を配置するようにしている。この結果、全て
のウェハ２の表裏両面に対して、上記一対のミスト噴霧
装置３，３の各々の各噴射孔３ｄからＩＰＡミストを噴
霧でき、かつ、純水４０の液面上に均一にＩＰＡミスト
が保持されるようにしている。また、直進通路３ｈが形
成されているため、直進通路３ｈ部分で、各開口３ｇか
らミスト案内通路３ｆ内に噴射されたＩＰＡミストの方
向性が制御されて、直進通路３ｈの軸方向沿いに向けら
れてＩＰＡミストが噴射孔３ｄから噴射制御されること
になり、ＩＰＡミストの噴射方向性が大きく改善される
ことになる。なお、一対の噴射促進用通路３ｅ，３ｅか
らミスト案内通路３ｆ内に取り込まれる噴霧部３１の外
部の気体はＩＰＡミストである。なぜならば、噴霧部３
１がＩＰＡミストで充満された第１閉鎖空間４内に配置
されているため、噴霧部３１の外部のＩＰＡミストが一
対の噴射促進用通路３ｅ，３ｅからミスト案内通路３ｆ
内に取り込まれることになるためである。

【００６４】上記第２実施形態によれば、ＩＰＡ用供給
通路３ｃから供給されたＩＰＡミストが各開口３ｇから
ミスト案内通路３ｆ内に噴射されると、ミスト案内通路
３ｆからさらに噴射方向沿いに軸方向が配置された直進
通路３ｈを通して噴射孔３ｄから噴射されるため、直進
通路３ｈ部分で、各開口３ｇからミスト案内通路３ｆ内
に噴射されたＩＰＡミストの方向性が制御されて、直進
通路３ｈの軸方向沿いに向けられてＩＰＡミストが噴射
孔３ｄから直進性良く、噴射制御されることになり、Ｉ
ＰＡミストの噴射方向における直進性が大きく改善され
ることになる。

【００６５】ここで、従来においては、ＩＰＡ用噴出通
路の内径は、機械加工上の制限から、最低でも０．２ｍ
ｍとする必要があり、さらにその長さは最大でも２ｍｍ
程度しか形成することができず、ＩＰＡミストの噴射時
の直進性すなわち方向性を改善することが望まれてた。
これに対して、上記第２実施形態では、直進通路３ｈを
備えることにより、上記したように、ＩＰＡミストの噴
射時の直進性すなわち方向性を改善させることができ
る。例えば、具体的な例としては、ＩＰＡミスト供給管
の内径が０．２ｍｍ、外径が３ｍｍ、ＩＰＡミスト供給
管の中心から上端までの寸法を１０ｍｍ、ＩＰＡミスト
供給管の開口のピッチは６．３５ｍｍとするとき、ＩＰ
Ａミスト供給管の中心から噴射孔端までの寸法（ミスト
案内通路と噴射方向制御用通路との合計寸法であって、
従来のＩＰＡ用噴出通路に相当する寸法）を２０ｍｍと
することができる。このときの噴射促進用通路の内径は
１ｍｍ、ＩＰＡミスト供給管の開口近傍のミスト案内通
路の内径は５ｍｍ、噴射方向制御用通路の内径は１．５
〜２．０ｍｍとすることができる。よって、従来と比較
して、大幅にＩＰＡ用噴出通路を長くすることができ
て、ＩＰＡミストの噴射時の直進性すなわち方向性を改
善させることができる。

【００６６】また、ＩＰＡ用供給通路３ｃから供給され
たＩＰＡミストが各開口３ｇからミスト案内通路３ｆ内
に噴射されるとき、一対の噴射促進用通路３ｅ，３ｅか
ら噴霧部３１の外部の気体がミスト案内通路３ｆ内に取
り込まれて、ＩＰＡミストがミスト案内通路３ｆから直
進通路３ｈを通って噴射孔３ｄから噴射される上記ＩＰ
Ａミストの噴射を促進させるようにしている。よって、
上記を噴射孔３ｄから噴射される上記ＩＰＡミストの噴
射方向の制御をより向上させることができる。

【００６７】さらに、本発明の第３実施形態にかかるウ
ェハ乾燥方法を実施するウェハ乾燥装置として、図１５
に示すように、第１実施形態の噴射孔９３ｄの内径を所
定領域毎に変更するようにしてもよい。すなわち、左右
のミスト噴霧装置３，３の噴霧部３７，３７のそれぞれ
にＩＰＡミストを供給するとき、各ＩＰＡ噴霧部３７の
一端側から他端閉塞部に向けて一方向にＩＰＡミストを
ＩＰＡミスト用供給通路９３ｃ内に供給するとき、ＩＰ
Ａミスト用供給通路９３ｃ内で圧力損失が生じて全ての
噴射孔９３ｄ，…，９３ｄからＩＰＡミストを均一に噴
射させることができない場合、ＩＰＡミスト供給管１３
６をある長さ毎の領域Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４に区分け
し、領域Ａ１での第１噴射孔９３ｄ〜第１４噴射孔９３
ｄまでの各噴射孔９３ｄの内径をＤ１とし、領域Ａ２で
の第１５噴射孔９３ｄ〜第２８噴射孔９３ｄまでの各噴
射孔９３ｄの内径をＤ２とし、領域Ａ３での第２９噴射
孔９３ｄ〜第４１噴射孔９３ｄまでの各噴射孔９３ｄの
内径をＤ３とし、領域Ａ４での第４２噴射孔９３ｄ〜第
５４噴射孔９３ｄまでの各噴射孔９３ｄの内径をＤ４と
し、Ｄ１＜Ｄ２＜Ｄ３＜Ｄ４となるようにしてもよい。
例えば、Ｄ１＝０．１５ｍｍ、Ｄ２＝０．２ｍｍ、Ｄ３
＝０．２５ｍｍ、Ｄ４＝０．３ｍｍとして、０．１５＜
０．２＜０．２５＜０．３としてもよい。このようにす
ることにより、各ＩＰＡ噴霧部３７の一端側から他端閉
塞部に向けて一方向にＩＰＡミストをＩＰＡミスト用供
給通路３ｃ内に供給しても、各ＩＰＡ噴霧部３７の一端
側よりも他端側の方が、噴射孔の内径が大きいため、各
ＩＰＡ噴霧部の一端側よりも他端側の方においてＩＰＡ
ミストの噴射流量が大きくすることができて、ＩＰＡミ
スト用供給通路３ｃ内での圧力損失による噴射孔３ｄ，
…，３ｄから噴射されるＩＰＡミストの不均一性を低減
又は解消させることができる。この実施形態では、噴射
孔の加工しやすさの見地から所定間隔毎に領域に区分け
したが、領域に区分けすることなく、徐々に内径を大き
くしてもよいし、所定間隔毎ではなく、任意の領域毎に
内径を変更するなど、上記実施形態に限られるものでは
ない。また、第１実施形態に適用するものに限らず、第
２実施形態のＩＰＡミスト供給管３６の開口３ｇの内径
に対して適用することもできる。また、第１実施形態及
び第２実施形態のそれぞれにおいて、左右のミスト噴霧
装置３，３の噴霧部３１，３１，３７，３７のそれぞれ
にＩＰＡミストを供給するとき、各噴霧部３１，３７の
一端側から他端閉塞部に向けて一方向にＩＰＡミストを
ＩＰＡミスト用供給通路３ｃ，９３ｃ内に供給させるだ
けでなく、各噴霧部３１，３７の一端側と他端側の両方
から同時に両者の中間に向けてＩＰＡミストをＩＰＡミ
スト用供給通路３ｃ，９３ｃ内に供給するようにして、
ＩＰＡミスト用供給通路３ｃ，９３ｃ内で圧力損失を防
止して、ＩＰＡミストを均一に噴射孔３ｄ，…，３ｄか
ら噴射させることができるようにしてもよい。

【００６８】また、本発明の第４実施形態にかかるウェ
ハ乾燥方法を実施するウェハ乾燥装置として、上記開口
３ｇ又は噴射孔９３ｄの内径を変更させる代わりに、又
は、そのような内径の変更させることに加えて、図１６
及び図１７に示すように、直進通路３ｈの長さを変更す
るようにしてもよい。すなわち、左右のミスト噴霧装置
３，３の噴霧部３１，３１のそれぞれにＩＰＡミストを
供給するとき、各ＩＰＡ噴霧部３１の一端側から他端閉
塞部に向けて一方向にＩＰＡミストをＩＰＡミスト用供
給通路３ｃ内に供給するとき、ＩＰＡミスト用供給通路
３ｃ内で圧力損失が生じて全ての噴射孔３ｄ，…，３ｄ
からＩＰＡミストを均一に噴射させることができない場
合、ＩＰＡ噴霧部３１をある長さ毎の領域Ｂ１，Ｂ２，
Ｂ３，Ｂ４に区分けし、領域Ｂ１での第１直進通路３ｈ
〜第１４直進通路３ｈまでの各直進通路３ｈの長さをＬ
１とし、領域Ｂ２での第１５直進通路３ｈ〜第２８直進
通路３ｈまでの各直進通路３ｈの長さをＬ２とし、領域
Ｂ３での第２９直進通路３ｈ〜第４１直進通路３ｈまで
の各直進通路３ｈの長さをＬ３とし、領域Ｂ４での第４
２直進通路３ｈ〜第５４直進通路３ｈまでの各直進通路
３ｈの長さをＬ４とし、Ｌ１＜Ｌ２＜Ｌ３＜Ｌ４となる
ようにしてもよい。例えば、Ｌ１＝４ｍｍ、Ｌ２＝８ｍ
ｍ、Ｌ３＝１２ｍｍ、Ｌ４＝１５ｍｍとして、４＜８＜
１２＜１５としてもよい。このようにすることにより、
各ＩＰＡ噴霧部３７の一端側から他端閉塞部に向けて一
方向にＩＰＡミストをＩＰＡミスト用供給通路３ｃ内に
供給しても、各ＩＰＡ噴霧部３７の一端側よりも他端側
の方が、直進通路３ｈの長さが大きいためＩＰＡミスト
の噴射直進性を向上させることができて、ＩＰＡミスト
用供給通路３ｃ内での圧力損失による噴射孔３ｄ，…，
３ｄから噴射されるＩＰＡミストの直進性の低下を低減
又は解消させることができる。

【００６９】また、上記第４実施形態にかかるウェハ乾
燥方法を実施するウェハ乾燥装置において示すように、
さらに、各ＩＰＡ噴霧部３１を、各ＩＰＡ噴霧部３１と
同一の機能を有する第１のＩＰＡ噴霧部１３１と、第１
のＩＰＡ噴霧部１３１のＩＰＡミスト供給管３６の噴射
側とは反対側に、ＩＰＡミストを噴霧させて、第１閉鎖
空間４にＩＰＡミスト雰囲気をより確実に形成させる第
２のＩＰＡミスト噴霧部１０３とより構成するようにし
てもよい。第２のＩＰＡミスト噴霧部１０３は、多孔質
のフッ素樹脂製の直方体状の噴霧本体１４０と、噴霧本
体１４０の長手方向沿いに断面円形に形成された空間で
ある供給管配置部１３５内に配置され、かつ、１本の窒
素ガス兼ＩＰＡ用通路１０３ｃを有するとともに、９０
度間隔毎に４個一組の貫通孔１０３ｇ，１０３ｇ，１０
３ｇ，１０３ｇを多数形成した窒素ガス兼ＩＰＡ用供給
管２３６を配置している。よって、上記各噴射孔３ｄか
らＩＰＡミストをウェハ２に向けて噴射するとき、窒素
ガス兼ＩＰＡ用通路１０３ｃの図１６の一端から液相の
ＩＰＡを供給し、他端から窒素ガスを供給して窒素ガス
兼ＩＰＡ用通路１０３ｃ内でＩＰＡミストを形成して、
窒素ガス兼ＩＰＡ用供給管２３６の貫通孔１０３ｇ，
…，１０３ｇから多孔質のフッ素樹脂製の直方体状の噴
霧本体１４０内に噴射させる。噴霧本体１４０は、図１
７において、その上端面以外は第１のＩＰＡ噴霧部１３
１を構成する多孔質でないフッ素樹脂で覆われているた
め、上端面以外からはＩＰＡミストを噴霧させることが
できず、上端面のみからＩＰＡミストを噴霧させること
ができるようになっている。よって、窒素ガス兼ＩＰＡ
用供給管２３６の貫通孔１０３ｇ，…，１０３ｇから噴
霧本体１４０内に噴射されたＩＰＡミストは、図１７に
おいて、噴霧本体１４０の上端面から上方に向けてＩＰ
Ａミストを補助的に噴霧させることができ、第１閉鎖空
間４でのＩＰＡミスト雰囲気をより確実に維持させるこ
とができる。

【００７０】また、上記各実施形態において、上記乾燥
室１から上記純水４０を排出させる代わりに、上記ウェ
ハ２を上記乾燥室１内で上昇させて、上記乾燥室１内で
上記純水４０から上記ウェハ２が液面より上方に露出す
るようにしてもよい。

【００７１】

【発明の効果】本発明によれば、ＩＰＡミスト形成部に
おいて窒素ガスと液相のイソプロピルアルコールとを予
め混合させてミスト状態のイソプロピルアルコールのＩ
ＰＡミストを形成したのち、ＩＰＡミストをＩＰＡミス
ト噴霧部にＩＰＡミスト用供給通路により供給して、各
噴射孔からＩＰＡミストを各ウェハに向けて噴射できる
ようにしたので、窒素ガス供給通路と液相のイソプロピ
ルアルコール供給通路との２本の通路を備える必要がな
く、かつ、各噴射部分においてミスト状のイソプロピル
アルコールの窒素ガスとイソプロピルアルコールとの混
合比率を安定させることができる。よって、噴射孔から
ミスト状になり得ずに液体として落下してしまう、液体
のボタ落ち現象がなくなり、安定してＩＰＡミストを噴
射させることができる。

【００７２】また、ウェハが浸漬された純水の液面上に
ＩＰＡのミスト、すなわち、窒素をキャリアとするので
はなく、ＩＰＡ自体が単体で窒素ガス中を浮遊している
状態が常時保持されるようにしているので、ウェハの上
部が純水から露出することになるが、ウェハ表面が酸素
に触れて自然酸化することなく、上記純水の液面に均一
に供給されているＩＰＡミストがウェハの表裏両面に付
着した純水とすぐに置換される。また、ＩＰＡミストの
温度は、ウェハの温度すなわち常温よりも高い、好まし
くは少なくとも５℃以上高い、より好ましくは５℃から
６０℃高くなっているため、ＩＰＡがウェハの表裏両面
に凝着しやすくなり、ウェハの表裏両面に付着した純水
とすぐに置換されやすくなる上に、ウェハの表裏両面が
迅速に乾燥する。

【００７３】よって、常温のウェハの表面の純水と常温
のＩＰＡとを置換させたのち、常温のＩＰＡを乾燥させ
る従来の場合よりも乾燥時間が早くなり、乾燥効率を高
めることができる。また、ミスト状態で純水の液面に噴
霧させるため、ＩＰＡを蒸気で供給する従来の場合と比
較して、ＩＰＡの消費量を大幅に減少させることができ
る。また、ＩＰＡを蒸気で供給する場合には蒸気状態を
保持するため配管の外側を断熱材で覆うなどする必要が
あるが、本発明では、単に例えば常温の液相のＩＰＡを
左右のミスト噴霧装置のそれぞれに供給すればよいの
で、配管を断熱材で覆う必要はなく、装置が簡単なもの
となる。また、ＩＰＡを蒸気化するときには加熱するた
めのエネルギーが必要であるが、本発明では、ミスト噴
霧装置から窒素ガスとＩＰＡとを噴射させるだけのエネ
ルギーがあれば十分であり、安価でかつ簡単な装置構成
でもってＩＰＡのミストを形成することができる。

【００７４】また、本発明の別の構成によれば、ＩＰＡ
用供給通路から供給されたＩＰＡミストが各開口からミ
スト案内通路内に噴射されると、ミスト案内通路からさ
らに噴射方向沿いに軸方向が配置された直進通路を通し
て噴射孔から噴射されるため、直進通路部分で、各開口
からミスト案内通路内に噴射されたＩＰＡミストの方向
性が制御されて、直進通路の軸方向沿いに向けられてＩ
ＰＡミストが噴射孔から直進性良く、噴射制御されるこ
とになり、ＩＰＡミストの噴射方向における直進性が大
きく改善されることになる。

【００７５】また、ＩＰＡ用供給通路から供給されたＩ
ＰＡミストが各開口からミスト案内通路内に噴射される
とき、噴射促進用通路から噴霧部外部の気体がミスト案
内通路内に取り込まれて、ＩＰＡミストがミスト案内通
路から直進通路を通って噴射孔から噴射される上記ＩＰ
Ａミストの噴射を促進させるようにしている。よって、
上記を噴射孔から噴射される上記ＩＰＡミストの噴射方
向の制御をより向上させることができる。

【００７６】また、本発明の別の構成によれば、各ＩＰ
Ａ噴霧部の一端側から他端閉塞部に向けて一方向にＩＰ
ＡミストをＩＰＡミスト用供給通路内に供給するとき、
各ＩＰＡ噴霧部の一端側よりも他端側の方が噴射孔の内
径を大きくすることにより、各ＩＰＡ噴霧部の一端側よ
りも他端側の方においてＩＰＡミストの噴射流量が大き
くすることができて、ＩＰＡミスト用供給通路内での圧
力損失による噴射孔から噴射されるＩＰＡミストの不均
一性を低減又は解消させることができる。

【００７７】また、本発明の別の構成によれば、各ＩＰ
Ａ噴霧部の一端側から他端閉塞部に向けて一方向にＩＰ
ＡミストをＩＰＡミスト用供給通路内に供給するとき、
各ＩＰＡ噴霧部の一端側よりも他端側の方が、直進通路
の長さが大きくなるように構成すれば、各ＩＰＡ噴霧部
の一端側よりも他端側の方においてＩＰＡミストの噴射
直進性を向上させることができて、ＩＰＡミスト用供給
通路内での圧力損失による噴射孔から噴射されるＩＰＡ
ミストの直進性の低下を低減又は解消させることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の第１実施形態にかかるウェハ乾燥装
置の一部断面の概略平明図である。

【図２】 図１のウェハ乾燥装置の一部断面の概略側面
図である。

【図３】 図１のウェハ乾燥装置において各流体の供給
方法を含めたウェハ乾燥装置の概略図である。

【図４】 上記ウェハ乾燥装置のミスト噴霧装置の一部
断面平面図である。

【図５】 上記ウェハ乾燥装置のミスト噴霧装置のＩＰ
Ａミスト噴霧部の断面側面図である。

【図６】 図１のウェハ乾燥装置のオーバーフローリン
ス状態での概略図である。

【図７】 図１のウェハ乾燥装置のＩＰＡ及び窒素ガス
供給状態での概略図である。

【図８】 図１のウェハ乾燥装置の排水及び窒素ガスブ
ロー状態での概略図である。

【図９】 図１のウェハ乾燥装置の蓋開及びウェハ取り
出し状態での概略図である。

【図１０】 本発明の第２実施形態にかかるウェハ乾燥
装置のミスト噴霧装置の底面図である。

【図１１】 上記第２実施形態にかかるウェハ乾燥装置
のミスト噴霧装置の図１０のＡ−Ａ線の断面側面図であ
る。

【図１２】 上記第２実施形態にかかるウェハ乾燥装置
のミスト噴霧装置の図１１のＣ−Ｃ線の断面正面図であ
る。

【図１３】 上記第２実施形態にかかるウェハ乾燥装置
のミスト噴霧装置の側面図である。

【図１４】 上記第２実施形態にかかるウェハ乾燥装置
のミスト噴霧装置の図１３のＢ−Ｂ線の断面平面図であ
る。

【図１５】 本発明の第３実施形態にかかるウェハ乾燥
装置のミスト噴霧装置の一部断面側面図である。

【図１６】 本発明の第４実施形態にかかるウェハ乾燥
装置のミスト噴霧装置の一部断面側面図である。

【図１７】 図１６のウェハ乾燥装置のミスト噴霧装置
の断面正面図である。

【符号の説明】

１…乾燥室、１a…オーバーフロー部、２…ウェハ、３
…ミスト噴霧装置、３a…窒素ガス用通路、３ｂ…ＩＰ
Ａ用通路通路、３ｃ…ＩＰＡ用供給通路、３ｄ…噴射
孔、３ｅ…噴射促進用通路、３ｆ…ミスト噴射方向制御
用ミスト案内通路、３ｄ…噴射孔、３ｇ…開口、３ｈ…
ミスト噴射方向制御用直進通路、３ｋ…ミスト噴射方向
制御用通路、４…第１閉鎖空間、５…ＩＰＡ圧送タン
ク、６…液体、７…第４エアーオペレートバルブ、８…
手動弁、９…第２エアーオペレートバルブ、１０…減圧
弁、１１…第７エアーオペレートバルブ、１２…ＩＰＡ
圧送タンク用リリーフ弁、１３…手動弁、１４…流量
計、１５，１６…手動弁、１７…減圧弁、１８…手動
弁、１９…流量計、２０，２１…第５，６エアーオペレ
ートバルブ、２３…ミスト噴霧装置、２３a…窒素ガス
用通路、２３ｃ…ＩＰＡ用通路、２３ｅ…噴出面、２４
…多孔質のフッ素樹脂製の直方体状の本体、２９…第２
閉鎖空間、３０…噴霧装置本体、３１…噴霧部、３２…
窒素ガス供給管、３３…ＩＰＡ用供給管、３４…ＩＰＡ
ミスト形成部、３５…供給管配置部、３６…ＩＰＡミス
ト供給管、３６ｃ…ＩＰＡ用供給通路、３７…ＩＰＡミ
スト噴霧部、４０…純水、４１…制御装置、４４…排出
通路、４５…排出通路、５０…処理シンク、５１…仕切
り壁、５２…蓋、５３…第１０エアーオペレートバル
ブ、５４…第１エアーオペレートバルブ、５５…純水供
給部、５６…第３エアーオペレートバルブ、５７…手動
弁、５８…純水供給通路、５９…流量計、６０…手動
弁、６１…排出通路、６１ａ…トラップ、７０…フィル
タ、７１…第８エアーオペレートバルブ、７２…第９エ
アーオペレートバルブ、７３…ヒータ、７４…フィル
タ、７５，７６…手動弁、７７，７８…圧力計、９３ｃ
…ＩＰＡ用供給通路、９３ｄ…噴射孔、１０３…第２の
ＩＰＡミスト噴霧部、１０３ｃ…窒素ガス兼ＩＰＡ用通
路、１０３ｇ…貫通孔、１３１…第１のＩＰＡ噴霧部、
１３５…供給管配置部、１３６…ＩＰＡミスト供給管、
１４０…噴霧本体、２３６…窒素ガス兼ＩＰＡ用供給
管。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川西 孝則 奈良県大和郡山市今国府町６番２号 東邦 化成株式会社内 (72)発明者 前田 徳雄 奈良県大和郡山市今国府町６番２号 東邦 化成株式会社内 (72)発明者 粟飯原 大 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社堺製作所金岡工場内 (72)発明者 大野 正雄 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社堺製作所金岡工場内 (72)発明者 泉谷 直昭 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社堺製作所金岡工場内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB01 BB04 BB13 BB82 BB93 CB01 CC11 CC12 3L113 AA02 AB03 AC45 AC48 BA34 DA10 4F033 AA14 QB02Y QB03X QB13Y QD03 QD14

Claims (21)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 窒素ガスと液相のイソプロピルアルコー
   ルとを混合させてミスト状態のイソプロピルアルコール
   のＩＰＡミストを形成するＩＰＡミスト形成部（３４）
   と、 ＩＰＡミスト噴射側に複数のＩＰＡミスト噴射孔（３
   ｄ，９３ｄ）を有し、かつ、上記ＩＰＡミスト形成部で
   形成された上記ＩＰＡミストを上記ＩＰＡミスト噴射孔
   からウェハに向けて噴射させるＩＰＡミスト噴霧部（３
   １，３７）とを備えるようにしたことを特徴とするウェ
   ハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧装置。
2. 【請求項２】 上記ＩＰＡミスト噴霧部（３７）は、上
   記ＩＰＡミスト形成部で形成された上記ＩＰＡミストを
   供給するＩＰＡミスト用供給通路（９３ｃ）を内部に有
   するとともに、上記ＩＰＡミスト噴射孔（９３ｄ）を有
   する１本のＩＰＡミスト供給管（１３６）より構成され
   る請求項１に記載のウェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧
   装置。
3. 【請求項３】 上記ＩＰＡミスト噴霧部の上記開口の内
   径は、上記ＩＰＡミスト形成部に近い上記ＩＰＡミスト
   噴霧部の部分よりも、上記ＩＰＡミスト形成部から遠い
   上記ＩＰＡミスト噴霧部の部分の方が大きい請求項１又
   は２のいずれかに記載のウェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト
   噴霧装置。
4. 【請求項４】 上記ＩＰＡミスト噴霧部（３１）は、 ＩＰＡミスト噴射側に所定間隔をおいて開口（３ｇ）を
   有し、かつ、上記ＩＰＡミスト形成部で形成されたＩＰ
   Ａミストを供給するＩＰＡミスト供給管（３ｃ，３ｆ）
   と、 上記ＩＰＡミスト供給管の上記開口側を除く部分に形成
   され、外部の気体を取り込んで上記ＩＰＡミスト供給管
   の上記開口から噴射される上記ＩＰＡミストの噴射を促
   進させる噴射促進用通路（３ｅ）と、 上記ＩＰＡミスト供給管の上記開口側に配置され、か
   つ、上記ＩＰＡミスト供給管の上記開口から上記ＩＰＡ
   ミスト噴射孔を介して上記ウェハに向けて噴射される上
   記ＩＰＡミストの噴射方向に直線的に延びた噴射方向制
   御用通路（３ｋ）とを備えるようにした請求項１に記載
   のウェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧装置。
5. 【請求項５】 上記噴射方向制御用通路（３ｋ）は、少
   なくとも、上記噴霧部長手方向と直交する方向沿いに上
   記ＩＰＡミスト供給管の上記開口（３ｇ）から延びて上
   記噴射孔（３ｄ）まで延在しかつ直線的に案内するミス
   ト噴射方向制御用直進通路（３ｈ）を備える請求項４に
   記載のウェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧装置。
6. 【請求項６】 上記噴射方向制御用通路（３ｋ）は、上
   記噴霧部長手方向と直交する方向沿いに上記ＩＰＡミス
   ト供給管の上記開口（３ｇ）から延びた先すぼまり状の
   ミスト噴射方向制御用ミスト案内通路（３ｆ）と、上記
   ミスト噴射方向制御用ミスト案内通路に連結されて記噴
   射孔（３ｄ）まで延在しかつ直線的に案内するミスト噴
   射方向制御用直進通路（３ｈ）とを備える請求項４に記
   載のウェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧装置。
7. 【請求項７】 上記噴射促進用通路（３ｅ）は、上記開
   口に関して対称に一対配置された請求項４〜６のいずれ
   かに記載のウェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧装置。
8. 【請求項８】 上記ＩＰＡミスト噴霧部の上記開口の内
   径は、上記ＩＰＡミスト形成部に近い上記ＩＰＡミスト
   噴霧部の部分よりも、上記ＩＰＡミスト形成部から遠い
   上記ＩＰＡミスト噴霧部の部分の方が大きい請求項４〜
   ７のいずれかに記載のウェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴
   霧装置。
9. 【請求項９】 上記噴射方向制御用通路の長さは、上記
   ＩＰＡミスト形成部に近い上記ＩＰＡミスト噴霧部の部
   分よりも、上記ＩＰＡミスト形成部から遠い上記ＩＰＡ
   ミスト噴霧部の部分の方が長い請求項６〜８のいずれか
   に記載のウェハ乾燥装置用ＩＰＡミスト噴霧装置。
10. 【請求項１０】 窒素ガスと液相のイソプロピルアルコ
    ールとを混合させてミスト状態のイソプロピルアルコー
    ルのＩＰＡミストを供給しかつＩＰＡミストをＩＰＡミ
    スト噴射側とは異なる方向に向けてＩＰＡミストを噴霧
    するＩＰＡミスト噴霧孔（１０３ｇ）を有する第２のＩ
    ＰＡミスト噴霧部（１０３）をさらに備えるようにした
    請求項６〜９のいずれかに記載のウェハ乾燥装置用ＩＰ
    Ａミスト噴霧装置。
11. 【請求項１１】 純水（４０）内にウェハ（２）を浸漬
    可能な乾燥室（１）と、 上記乾燥室内の上記純水の液面上の空間（４）内に、窒
    素ガスと液相のイソプロピルアルコールとを混合させた
    ミスト状態のイソプロピルアルコールのＩＰＡミストを
    上記ウェハの温度より高い温度で噴霧させる請求項１〜
    ８のいずれかに記載のミスト噴霧装置（３）とを備え
    て、 上記乾燥室の上記純水を排出するか又は上記ウェハを上
    記乾燥室内で上昇させることにより、上記乾燥室内で上
    記純水から上記ウェハが液面より上方に露出するとき、
    上記ウェハの表裏両面に付着した純水が上記ミスト状の
    上記イソプロピルアルコールにより置換され、その後、
    上記ウェハの表裏両面から上記イソプロピルアルコール
    が蒸発することにより乾燥されるようにしたことを特徴
    とするウェハ乾燥装置。
12. 【請求項１２】 上記乾燥室は、上記ウェハを収容する
    収容部（１ｂ）と、該収容部に供給された上記純水がオ
    ーバーフローして流れ込むオーバーフロー部（１ａ）と
    を有するとともに、 上記乾燥室を収容し、かつ、上記乾燥室の上記収容部の
    上方に第１閉鎖空間（４）を形成可能とし、上記オーバ
    ーフロー部の純水が流れ込み、かつ、上記オーバーフロ
    ー部の上記純水内に入り込み上記第１閉鎖空間と隔離さ
    れた第２閉鎖空間（２９）を形成する仕切り壁（５１）
    を有する処理室（５０）とを備えるようにした請求項１
    １に記載のウェハ乾燥装置。
13. 【請求項１３】 上記液相のイソプロピルアルコールを
    上記ウェハの温度より少なくとも５℃以上高い温度でか
    つ上記窒素ガスの噴射開口近傍で噴射させてミスト状の
    イソプロピルアルコールを上記空間内に噴霧させる請求
    項１１又は１２に記載のウェハ乾燥装置。
14. 【請求項１４】 上記ウェハは常温であり、上記ミスト
    は大略３０℃以上である請求項１２又は１３に記載のウ
    ェハ乾燥装置。
15. 【請求項１５】 上記ミスト状の上記イソプロピルアル
    コールは、上記イソプロピルアルコール自体が単体で上
    記窒素ガス中を浮遊している状態である請求項１２から
    １４のいずれかに記載のウェハ乾燥装置。
16. 【請求項１６】 上記ウェハの温度より５℃から６０℃
    高い温度で上記イソプロピルアルコールをミスト状に噴
    霧させるようにした請求項１２から１５のいずれかに記
    載のウェハ乾燥装置。
17. 【請求項１７】 ウェハ（２）を乾燥室（１）内の純水
    （４０）内に浸漬するとともに、上記乾燥室内の上記純
    水の液面上の空間（４）内に、窒素ガスと液相のイソプ
    ロピルアルコールとを混合させてミスト状態のイソプロ
    ピルアルコールのＩＰＡミストを上記ウェハの温度より
    高い温度で噴霧させ、 次いで、上記乾燥室の上記純水を排出するか又は上記ウ
    ェハを上記乾燥室内で上昇させることにより、上記乾燥
    室内で上記純水から上記ウェハが液面より上方に露出す
    るとき、上記ウェハの表裏両面に付着した純水が上記ミ
    スト状の上記イソプロピルアルコールにより置換され、
    その後、上記ウェハの表裏両面から上記イソプロピルア
    ルコールが蒸発することにより乾燥されるようにしたこ
    とを特徴とするウェハ乾燥方法。
18. 【請求項１８】 上記液相のイソプロピルアルコールを
    上記ウェハの温度より少なくとも５℃以上高い温度でか
    つ上記窒素ガスの噴射開口近傍で噴射させてミスト状の
    イソプロピルアルコールを上記空間内に噴霧させる請求
    項１７に記載のウェハ乾燥方法。
19. 【請求項１９】 上記ウェハは常温であり、上記ミスト
    は大略３０℃以上である請求項１７又は１８に記載のウ
    ェハ乾燥方法。
20. 【請求項２０】 上記ミスト状の上記イソプロピルアル
    コールは、上記イソプロピルアルコール自体が単体で上
    記窒素ガス中を浮遊している状態である請求項１７から
    １９のいずれかに記載のウェハ乾燥方法。
21. 【請求項２１】 上記ウェハの温度より５℃から６０℃
    高い温度で上記イソプロピルアルコールをミスト状に噴
    霧させるようにした請求項１７から２０のいずれかに記
    載のウェハ乾燥方法。