KR20030082827A

KR20030082827A - 세정 건조 장치

Info

Publication number: KR20030082827A
Application number: KR1020020021323A
Authority: KR
Inventors: 김기두; 함동석
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2002-04-18
Filing date: 2002-04-18
Publication date: 2003-10-23

Abstract

반도체 기판에 대한 최종 세정 및 건조 공정을 수행하기 위한 장치가 개시되어 있다. 상기 장치는 하부의 세정 용기와 상부의 건조 용기를 포함하고, 세정 용기에는 세정액 공급부와 세정액 배출부가 연결되며, 건조 용기의 내부에는 건조 가스를 제공하는 노즐이 구비된다. 세정액 공급부는 반도체 기판이 세정 용기 내부로 이동되었을 때 반도체 기판의 최상단 부위보다 낮은 위치에서 세정 용기의 측벽에 연결되고, 세정액 배출부는 세정 용기의 하부에 연결된다. 따라서, 세정액의 표면에 형성되는 이소프로필 알콜층이 세정액의 오버플로우에 따라 불균일해지는 현상이 방지되고, 이소프로필 알콜층이 균일하게 형성된다. 이에 따라, 이소프로필 알콜층을 통해 상승하는 반도체 기판의 건조 효율이 향상된다.

Description

세정 건조 장치{Cleaning and drying apparatus}

본 발명은 반도체 기판을 세정하고 건조하는 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 반도체 기판을 순수를 사용하여 최종 세정하고 이소프로필 알콜에 의한 마란고니 효과(Marangoni effect)를 이용하여 건조하는 세정 건조 장치에 관한 것이다.

최근, 반도체 장치의 제조 기술은 소비자의 다양한 욕구를 충족시키기 위해 집적도, 신뢰도, 응답속도 등을 향상시키는 방향으로 발전하고 있다. 일반적으로, 반도체 장치는 반도체 기판으로 사용되는 실리콘 웨이퍼 상에 소정의 막을 형성하고, 상기 막을 전기적 특성을 갖는 패턴으로 형성함으로서 제조된다.

상기 패턴은 막 형성, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 연마 등과 같은 단위 공정들의 순차적 또는 반복적인 수행에 의해 형성된다. 상기와 같은 단위 공정을 수행한 후 반도체 기판에는 반응 부산물 및 공정 중에 발생한 파티클 등이 잔존하게 되는데, 상기와 같은 이물질을 제거하지 않을 경우 후속 공정에서 심각한 불량 요인을 발생시킨다. 따라서, 상기 단위 공정을 수행한 후에는 반드시 세정 공정 및 건조 공정을 수행하여야 한다. 상기 세정 공정에는 습식 세정 및 건식 세정이있으며, SC-1 용액, Lal 용액, 불산 용액 등과 같은 다양한 세정액 및 세정 가스 등에 의해 수행된다. 상기 세정 공정의 수행 후에는 최종적으로 탈이온수에 의한 세정 공정 및 건조 공정이 수행된다.

상기 건조 공정은 다음과 같이 크게 두 가지로 나눌 수 있다.

첫째, 이소프로필 알콜(IPA) 증기를 반도체 기판 표면에 응축시켜 반도체 기판 표면에 잔존하고 있는 수분 자체의 표면 장력을 작게 하여 수분과 각종 파티클을 중력 방향으로 제거하는 방법이 있으며, 일명 스프레이(spray) 방식이라 불린다.

둘째, 이소프로필 알콜 증기 또는 미스트(mist)를 반도체 기판의 표면이 아닌 탈이온수의 표면에 응축시켜 탈이온수 상부에 이소프로필 알콜층을 형성시키고, 반도체 기판이 이소프로필 알콜층을 통과하게 함으로서 수분과 파티클을 제거하는 방법이 있으며, 일명 마란고니 방식이라 불린다.

상기와 같은 탈이온수를 이용한 최종 세정 및 이소프로필 알콜을 이용한 건조 장치에 대한 일 예로서, 미합중국 특허 제5,660,642호(issued to Shewenker)에는 자연 기화된 이소프로필 알콜 증기를 사용하는 건조 장치가 개시되어 있고, 미합중국 특허 제6,068,002호(issued to Kamikawa et al.)에는 세정 탱크, 건조 유닛, 웨이퍼 홀딩 수단, 히팅 수단, 건조 가스 제공 수단 및 배출 수단 등을 구비하는 세정 건조 장치가 개시되어 있다. 또한, 미합중국 특허 제6,458,141호(issued to Asada et al.)에는 이소프로필 알콜 증기의 분사각, 초기 분사량, 전체 사용량, 프로세싱 시간 등이 개시되어 있으며, 미합중국 특허 제6,219,936호(issued toKedo et al.)에는 액상의 이소프로필 알콜을 질소 가스와 함께 분사하여 이소프로필 알콜 미스트를 형성하고, 이에 따라 탈이온수 상에 형성되는 이소프로필 알콜층에 의한 마란고니 효과를 이용하는 건조 장치가 개시되어 있다.

또한, 상기와 같은 세정 건조 장치는 세정 건조 챔버에 따라 싱글 챔버 방식과 듀얼 챔버 방식으로 나누어진다. 싱글 챔버 방식은 세정 및 건조 공정이 하나의 챔버에서 수행된다. 즉, 매 공정마다 반도체 기판의 세정 건조에 따라 세정액의 공급 및 배출이 수행된다. 이와 대조적으로, 듀얼 챔버 방식의 경우 세정 용기와 건조 용기가 각각 구비되며, 세정액이 제공되는 세정 용기 상부에 건조 용기가 따로 구비된다.

도 1은 듀얼 챔버 방식을 사용하는 종래의 세정 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.

도 1을 참조하면, 종래의 세정 건조 장치(100)는 세정액(102)이 수용되는 세정 용기(104)와 반도체 기판(900)의 건조 공정이 수행되는 건조 용기(106)를 구비한다. 건조 용기(106)의 하부에는 세정액(102)을 공급하기 위한 세정액 공급부(108)가 연결되어 있고, 양쪽 측벽에는 오버플로우(overflow)되는 세정액(102)을 배출하기 위한 세정액 배출구(110)가 형성되어 있다. 세정액(102)은 세정액 공급부(108)를 통해 세정 용기(104)의 하부로부터 제공되고, 양쪽 측벽으로 배출된다. 또한, 세정 용기(104)의 양쪽 측벽에는 세정액 배출구(110)를 통해 배출된 세정액(102)을 수용하기 위한 배출 용기(112)가 구비되고, 배출 용기(112)에는 세정액 배출부(114)가 연결되어 있다.

세정 용기(104)의 상부에 구비되는 건조 용기(106)는 구동부(미도시)에 의해 상하 이동되며, 상하 이동에 의해 세정 용기(104)와 분리 결합된다. 세정 용기(104)와 건조 용기(106) 사이에는 밀봉 부재(116)가 구비되며, 세정 용기(104)의 상부에는 이소프로필 알콜 및 질소 가스를 제공하기 위한 노즐이 형성되어 있는 노즐 파이프(118)가 구비되어 있으며, 노즐은 다수의 유량 제어부(120a, 120b, 120c, Mass Flow Controller ; MFC) 및 밸브들(122a, 122b, 122c)을 통해 이소프로필 알콜 공급부(124) 및 질소 가스 공급부(126)와 연결되어 있다. 한편, 미설명 부호 (128)는 다수매의 반도체 기판(900)을 지지하고, 세정 용기(104)와 건조 용기(106) 사이를 상하 이동하는 홀더이다.

상기와 같은 종래의 세정 건조 장치를 사용하여 반도체 기판을 세정 건조하는 공정을 살펴보면 다음과 같다.

먼저, 희석된 불산 용액, SC-1 용액, Lal 용액 등에 의해 세정된 다수매의 반도체 기판(900)이 건조 용기(106) 내부로 이송된다. 이때, 건조 용기(106)는 상기 구동부에 의해 상방향으로 이동되어 있는 상태이다.

이어서, 건조 용기(106)의 하강에 따라 건조 용기(106) 및 세정 용기(104)가 외부와 차단되면, 홀더(128)의 하강에 의해 반도체 기판(900)이 세정액(102) 속에 완전히 잠기게 된다. 이때, 세정액(102)의 수위가 상승되고, 오버플로우되는 세정액(102)은 세정액 배출구(110)를 통해 배출된다. 여기서, 세정액(102)으로는 탈이온수가 사용될 수 있다.

세정액(102)에 의한 최종 세정이 종료되면, 건조 용기(106) 내부로 노즐을통해 질소 가스가 제공되어 건조 용기(106) 내부가 질소 분위기로 형성된다. 이어서, 노즐을 통해 이소프로필 알콜 용액이 질소 가스와 함께 미스트 형태로 제공되면, 세정액(102)의 표면에는 이소프로필 알콜층(130)이 형성된다.

이어서, 홀더(128)가 상승되고, 반도체 기판(900)은 이소프로필 알콜층(130)을 통과하여 상승된다. 이때, 마란고니 효과에 의해 반도체 기판(900) 상의 수분이 제거되며, 반도체 기판(900) 상에는 이소프로필 알콜만 잔류하게 된다.

반도체 기판(900)이 완전히 상승하면, 노즐을 통해 히터(미도시)에 의해 가열된 질소 가스가 제공되고, 반도체 기판(900) 상에 잔류된 이소프로필 알콜이 제거되어 최종적으로 완전 건조된다.

상기와 같은 세정 건조 공정에서, 세정 용기(104)에는 세정액 공급부(108)를 통해 세정액(102)이 일정량 계속적으로 제공된다. 따라서, 세정액(102) 표면에 형성되는 이소프로필 알콜층(130)은 세정 용기(104)의 양쪽 측벽에 형성된 세정액 배출구(110)를 통해 일부 배출되는 현상이 발생한다. 이에 따라, 세정액(102) 표면의 중앙 부위에는 도시된 바와 같이 이소프로필 알콜층(130)이 형성되지 않으므로, 반도체 기판(900) 상에 묻어있는 수분이 부분적으로 제거되지 않는 현상이 발생한다. 상기와 같이 제거되지 않은 수분은 가열된 질소 가스에 의해 제거되면서 반도체 기판(900) 상에 워터 마크(water mark)를 발생시키며, 또한 수분에 함유된 파티클이 반도체 기판(900) 상에 잔류하게 된다. 상기와 같이 발생된 워터 마크 및 파티클은 후속 공정의 불량을 야기시키는 요인으로 작용한다.

반도체 기판에 대한 세정 및 건조 공정은 반도체 기판의 제조 공정에서 수행되는 각각의 단위 공정마다 매번 수행되어야 하므로 상기 워터 마크 또는 파티클과 같은 반도체 기판의 불량 요인은 반도체 장치의 생산성 및 제조 원가에 큰 영향을 주게 된다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 세정 용기에 수용되는 세정액 상에 균일한 이소프로필 알콜층을 형성시키는 세정 건조 장치를 제공하는데 있다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 건조 장치를 설명하기 위한 개략적인 구성도이다.

도 3은 도 2에 도시한 세정 용기 내부의 세정액 수위를 조절하기 위한 제어부를 설명하기 위한 도면이다.

도 4는 도 2에 도시한 노즐 파이프를 설명하기 위한 사시도이다.

도 5는 건조 용기 내부로 제공되는 이소프로필 알콜 및 질소 가스 공급부의 다른 예를 설명하기 위한 도면이다.

* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *

200 : 세정 건조 장치202 : 세정액

204 : 이소프로필 알콜층210 : 프로세스 챔버

212 : 세정 용기214 : 건조 용기

216 : 홀더218 : 제1밀봉 부재

220 : 세정액 공급부230 : 세정액 배출부

240 : 건조 가스 공급부242 : 노즐 파이프

244 : 이소프로필 알콜 공급부246 : 질소 가스 공급부

260 : 수위 센서262 : 제어부

900 : 반도체 기판

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은,

상부가 개방되어 있으며 피처리물을 세정하기 위한 세정액을 수용하는 세정 용기와, 상기 세정 용기의 상부와 대응되는 하부 개구를 갖고 상기 세정 용기 상부에 구비되며 상기 피처리물을 건조시키기 위한 이소프로필 알콜이 제공되는 건조 용기와, 상기 피처리물을 지지하고 상기 세정 용기 및 상기 건조 용기 사이에서 상하로 이동하는 홀더를 포함하는 프로세스 챔버,

상기 피처리물이 세정 용기 내에 위치될 때 상기 피처리물의 최상단 부위보다 낮은 위치에서 상기 세정 용기의 측벽에 연결되고, 상기 피처리물이 완전히 잠기도록 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급부, 및

상기 세정 용기의 바닥에 연결되고, 상기 세정 용기에 수용된 세정액을 배출하는 세정액 배출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 건조 장치를 제공한다.

상기와 같이 세정액을 공급하는 세정액 공급부가 세정 용기의 측벽에 연결되고, 세정액 배출부가 세정 용기의 하부에 연결되므로 세정액의 오버플로우에 따른 이소프로필 알콜층의 불균일 현상이 방지된다. 따라서, 상기 건조 용기로 제공되는 이소프로필 알콜은 세정 용기에 수용된 세정액 표면에 균일한 이소프로필 알콜층을 형성하게 되고, 균일한 이소프로필 알콜층을 통해 상승하는 반도체 기판의 건조 효율이 향상된다.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.

도 2을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 세정 건조 장치(200)는 반도체 기판(900)의 세정 및 건조 공정이 수행되는 프로세스 챔버(210)와, 세정액(202)을 제공하기 위한 세정액 공급부(220), 상기 세정액(202)을 배출하기 위한 세정액 배출부(230), 반도체 기판(900)의 건조를 위한 건조 가스를 제공하는 건조 가스 공급부(240)를 포함한다.

프로세스 챔버(210)는 상부가 개방되어 있으며 반도체 기판(900)을 세정하기 위한 세정액(202)을 수용하는 세정 용기(212)와, 세정 용기(212)의 상부와 대응되는 하부 개구를 갖고 세정 용기(212) 상부에 구비되며 반도체 기판(900)을 건조시키기 위한 이소프로필 알콜이 제공되는 건조 용기(214)와, 반도체 기판(900)을 지지하고 세정 용기(212) 및 건조 용기(214) 사이에서 상하로 이동하는 홀더(216)를 포함한다. 세정 용기(212)와 건조 용기(214) 사이에는 제1밀봉 부재(218)가 구비되며, 건조 용기(214)는 구동부(미도시)에 의해 상하 이동되며, 이에 따라 세정 용기(212)와 결합 및 분리된다. 즉, 건조 용기(214)는 반도체 기판(900)의 로딩 및 언로딩시에 상승하여 세정 용기(212)로부터 분리되고, 세정 건조 공정의 수행시에는 하강하여 세정 용기(212)와 결합한다. 홀더(216)는 로딩된 다수매의 반도체 기판(900)을 지지하고, 세정시에는 하강하여 세정액(202)에 반도체 기판(900)들이 잠기도록 하고, 건조시에는 상승하여 세정액(202)으로부터 반도체 기판(900)들을 이탈시킨다. 한편, 건조 용기(214)의 상부에는 이소프로필 알콜 및 질소 가스를 제공하는 노즐이 형성된 노즐 파이프(242)가 양측에 각각 구비되어 있다.

세정 용기(212)의 양측 벽에는 세정액(202)을 제공하기 위한 세정액 공급부(220)가 연결되어 있다. 세정액 공급부(220)는 반도체 기판(900)이 세정액(202) 속에 잠겼을 때 반도체 기판(900)의 최상단 부위보다 낮은 위치에 연결되고, 반도체 기판(900)이 세정액(202) 속에 충분히 잠기도록 세정액(202)을 공급한다. 세정액 배출부(230)는 세정 용기(212)의 하부에 연결되며 세정 용기(212) 내부의 세정액(202)을 배출한다. 여기서, 세정 용기(212)의 바닥은 세정액(202)의 배출이 용이하도록 세정액 배출부(230)의 연결 부위를 향하여 경사지게 형성되어 있다.

건조 용기(214)에 구비되는 노즐 파이프(242)에는 이소프로필 알콜 용액을 공급하는 이소프로필 알콜 공급부(244)와 질소 가스를 제공하는 질소 가스 공급부(246)가 연결된다. 이소프로필 알콜 및 질소 가스는 각각의 공급 라인에 설치된 유량 제어부(248a, 248b, 248c) 및 밸브(250a, 250b, 250c)에 의해 공급 유량이 제어되며, 각각의 공급 라인은 하나의 공급 라인으로 통합되어 노즐 파이프(242)와 연결된다. 여기서, 건조 용기(214)의 내부로 제공되는 이소프로필 알콜은 질소 가스와 함께 미스트의 형태로 제공된다. 상기 각각의 공급 라인이 통합되는 부위는 벤추리(ventury) 노즐 타입으로 연결될 수 있고, 라인 내부의 압력 및 속도 변화에 의해 이소프로필 알콜이 미스트의 형태로 형성된다. 또한, 질소 가스를 가열시키기 위한 히터(252)가 더 구비된다.

한편, 미설명 부호 204는 노즐 파이프(242)로부터 공급된 이소프로필 알콜 미스트에 의해 세정액 표면에 형성된 이소프로필 알콜층을 의미한다.

도 3을 참조하면, 세정 용기(212) 내부에는 세정액(202)의 수위를 감지하기 위한 수위 센서(260)가 세정 용기(212)의 내부 측벽에 구비된다. 제어부(262)는 수위 센서(260)로부터 감지된 세정액(202)의 수위에 따라 세정액 공급부(220)의 유량 제어부(222) 및 밸브(224)의 동작을 제어한다. 또한, 세정액(202)의 수위에 따라 세정액 배출부(230)의 유량 제어부(232) 및 밸브(234)의 동작을 제어한다. 즉, 수위 센서(260)의 수위에 따라 세정액 공급부(220) 및 세정액 배출부(230)의 동작을 적절히 제어함으로서 세정 용기(212) 내부의 세정액(202) 수위를 항상 일정하게 유지한다. 한편 도시되지는 않았으나, 제어부(262)는 건조 용기(214) 내부로 제공되는 이소프로필 알콜 및 질소 가스의 유량도 제어할 수 있다. 상기와 같이 세정 용기(212) 내부의 세정액(202) 수위가 항상 일정하게 유지됨으로서 세정액(202) 표면에 형성되는 이소프로필 알콜층(204)이 항상 균일하게 유지될 수 있다.

도 4를 참조하면, 한 쌍의 노즐 파이프(242)는 건조 용기(214)의 일측을 관통하여 건조 용기(214) 내부로 서로 평행하게 연장되어 있다. 즉, 반도체 기판(900)의 상부 양측에서 이소프로필 알콜 및 질소 가스를 제공할 수 있도록 구비된다. 노즐 파이프(242)와 건조 용기(214)가 접촉되는 부위 즉, 노즐 파이프(242)가 건조 용기(214)를 관통하는 부위에는 제2밀봉 부재(264)가 구비된다. 노즐 파이프(242)들은 건조 용기(214) 외부에서 하나의 라인으로 연결되고 상기 라인은 이소프로필 알콜 공급부(244, 도 2 참조) 및 질소 가스 공급부(246, 도 2 참조)와 연결된다. 노즐 파이프(242)에는 이소프로필 알콜 및 질소 가스를 균일하게 제공하기 위해 다수개의 노즐(242a)이 형성되어 있다. 노즐(242a)은 이소프로필 알콜 및 질소 가스가 수직면에 대하여 소정의 각도를 갖고 분사되도록 배치된다. 상기 각도는 공정의 조건에 따라 다양하게 변경될 수 있다.

도 5를 참조하면, 이소프로필 알콜 공급부(310)와 질소 가스 공급부(320)는 이소프로필 알콜 증기를 발생시키기 위한 증기 발생부(330)와 연결되어 있다. 질소 가스 공급부(320)와 증기 발생부(330)를 연결하는 라인에는 질소 가스를 가열하기 위한 제1히터(322)가 연결되고, 증기 발생부(330)에는 이소프로필 알콜 증기를 발생시키기 위한 제2히터(332)가 연결된다. 질소 가스의 유량은 다이아프램밸브(324)에 의해 제어되며, 이외에도 다양한 방법이 사용될 수 있다. 증기 발생부(330)로 제공되는 이소프로필 알콜 용액의 유량은 유량 제어부(312) 및 밸브(314)에 의해 제어될 수 있다. 한편, 증기 발생부(330)로부터 발생된 이소프로필 알콜 증기와 질소 가스는 다시 한번 유량 제어부(334) 및 밸브(336)를 통해 유량이 제어되며, 노즐 파이프(242)의 노즐을 통해 건조 용기(214) 내부로 제공된다.

이밖에도 이소프로필 알콜의 증기 발생 방법은 버블(bubble) 방식 등과 같은 다양한 방법에 의해 발생될 수 있다.

이하, 상기 본 발명의 실시예에 따른 세정 건조 장치를 사용하여 반도체 기판의 최종 세정 및 건조 공정을 도시한 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다.

먼저, 구동부의 작동에 의해 건조 용기(214)가 상승하고, 다수매의 반도체 기판(900)들이 홀더(216)로 로딩된다. 이어서, 건조 용기(214)가 하강하여 세정 용기(212)와 결합되면, 반도체 기판(900)들이 세정액(202)으로 사용되는 탈이온수 속에 잠기도록 홀더(216)가 하강한다. 이때, 제어부(262)는 세정액(202)의 수위를 감지하는 수위 센서(260)의 신호에 따라 세정액 공급부(220) 및 세정액 배출부(230)의 유량 제어부(222, 232) 및 밸브(224, 234)의 동작을 제어한다.

반도체 기판(900)들에 대한 최종 세정이 종료되면, 질소 가스 공급부(246) 및 히터(252)를 통해 가열된 질소 가스가 건조 용기(214) 내부의 노즐 파이프(242)를 통해 건조 용기(214) 내부로 제공되고, 이에 따라 건조 용기(214) 내부는 질소 분위기가 형성된다.

이어서, 질소 가스에 의해 미스트 형태로 이소프로필 알콜 용액이 건조 용기(214) 내부로 균일하게 제공되고, 이소프로필 알콜 미스트는 세정액(202) 표면에 균일한 이소프로필 알콜층(204)을 형성한다.

균일한 이소프로필 알콜층(204)이 형성되면, 홀더(216)는 반도체 기판(900)들이 이소프로필 알콜층(204)을 통과하도록 상승시킨다. 이때, 반도체 기판(900)들의 표면과 접촉되는 이소프로필 알콜층(204)과 세정액(202) 사이에서 마란고니 효과가 발생되고, 이에 따라 반도체 기판(900)들의 표면으로부터 수분이 제거된다.

반도체 기판(900)들이 완전히 상승하면, 노즐 파이프(242)를 통해 가열된 질소 가스가 제공되고, 이에 따라 반도체 기판(900)들은 완전 건조된다. 이어서, 건조 용기(214)가 구동부에 의해 상승하고, 반도체 기판(900)들이 이송 로봇에 의해 언로딩된다.

상기와 같은 반도체 기판의 최종 세정 건조 공정에서 균일한 이소프로필 알콜층은 반도체 기판의 건조 효율을 향상시킨다.

상기와 같은 본 발명에 따르면, 반도체 기판의 세정 건조 장치에 있어서, 세정 용기에 세정액을 공급하는 세정액 공급부는 세정 용기의 양쪽 측벽에 연결되고, 세정 용기로부터 세정액을 배출하는 세정액 배출부는 세정 용기의 하부에 연결된다. 세정액 공급부는 반도체 기판이 세정 용기 내부로 이동되었을 때 반도체 기판이 세정액 속으로 완전히 잠기도록 세정액을 공급하며, 반도체 기판의 최상단 부위보다 낮은 위치에서 세정 용기에 연결된다.

따라서, 세정액이 세정 용기의 측벽으로 배출되지 않으므로, 세정액 표면에 형성되는 이소프로필 알콜층이 세정액을 따라 세정 용기의 측벽으로 배출되지 않는다. 이에 따라, 이소프로필 알콜층은 세정액 표면에서 균일하게 형성되며, 이를 통해 상승하는 반도체 기판의 건조 효율이 상승된다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

상부가 개방되어 있으며 피처리물을 세정하기 위한 세정액을 수용하는 세정 용기와, 상기 세정 용기의 상부와 대응되는 하부에 개구를 갖고 상기 세정 용기 상부에 구비되며 상기 피처리물을 건조시키기 위한 이소프로필 알콜이 제공되는 건조 용기와, 상기 피처리물을 지지하고 상기 세정 용기 및 상기 건조 용기 사이에서 상하로 이동하는 홀더를 포함하는 프로세스 챔버;

상기 피처리물이 세정 용기 내에 위치될 때 상기 피처리물의 최상단 부위보다 낮은 위치에서 상기 세정 용기의 측벽에 연결되고, 상기 피처리물이 완전히 잠기도록 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급부; 및

상기 세정 용기의 바닥에 연결되고, 상기 세정 용기에 수용된 세정액을 배출하는 세정액 배출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 건조 장치.
제1항에 있어서, 상기 세정 용기의 바닥은 상기 세정액 배출부가 연결된 부위를 향해 경사지게 형성된 것을 특징으로 하는 세정 건조 장치.
제1항에 있어서, 상기 세정액의 수위를 감지하기 위한 수위 센서; 및

상기 수위 센서에 의해 감지된 세정액의 수위에 따라 상기 세정액 공급부와 상기 세정액 배출부의 동작을 제어하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 건조 장치.
제1항에 있어서, 상기 이소프로필 알콜은 증기 또는 미스트(mist) 형태로 제공되는 것을 특징으로 하는 세정 건조 장치.
제1항에 있어서, 상기 건조 용기에 연결되고, 상기 피처리물을 최종 건조하기 위해 가열된 질소 가스를 제공하는 질소 가스 공급부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 세정 건조 장치.