KR20170122271A - 웨이퍼 건조기 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

탱크 내 제1 웨이퍼 캐리어 상의 웨이퍼들은 그 웨이퍼들의 마란고니 건조를 달성하기 위해서 상기 탱크 내 욕조 및 상기 제1 웨이퍼 캐리어로부터 들어 올려진다. 그 들어 올려진 건조 웨이퍼들은 챔버 내 제2 웨이퍼 캐리어 상으로 놓여지며 그리고 오프셋 위치로 이동된다. 가스의 쓸어내는 흐름을 구비한 또는 구비하지 않은 챔버의 벽일 수 있는 방벽은 제1 웨이퍼 캐리어를 건조하는 동안에 발생한 침전물들이 상기 웨이퍼들로 통과하는 것을 방해한다. 정전기가 상기 오프셋 위치 내 웨이퍼 지지물로부터 방전될 수 있다.

Description

웨이퍼 건조기 장치 및 방법
관련된 출원 상호 참조
본원은 2015년 3월 10일에 출원된 WAFER DRYER APPRATUS AND METHOD 제목의 미국 임시 출원 일련 번호 62/131,172에 대한 우선권의 이익을 향유하며, 이 출원은 본원에 참조로서 편입된다.
기술 분야
본원 개시는 반도체 웨이퍼 건조기 그리고 반도체 웨이퍼들을 건조하는 방법에 관련된다.
액체 욕조들처럼, 처리되고 있는 반도체 웨이퍼들을 건조시키기 위해 과거에 마란고니 (Marangoni) 건조기들이 사용되었다.
마란고니 건조는 표면 장력 그래디언트 (gradient) 힘들을 기반으로 하며 그리고 극도로-깨끗한 건조 프로세스이다. 이 기법에서, 물보다 더 낮은 표면 장력을 가진 이소프로필 알콜 (isopropyl alcohol (IPA))과 같은 휘발성 유기 화합물이 기판 반도체 웨이퍼 근방에, 그 기판 웨이퍼가 물로부터 느리게 회수될 때에 증기의 모습으로 도입된다. 이것은 물 욕조인 것을 가정한다. 작은 양의 알콜 증기가 계속하여 보충되는 물 메니스커스 (water meniscus)와 접촉하게 되기 때문에, 그 알콜 증기는 그 물로 흡수되어 표면 장력 그레디언트 (gradient)를 생성한다. 그 그레디언트는 상기 메니스커스가 부분적으로 수축하도록 하고 그리고 명백한 유한의 흐름 각도를 나타낸다. 이것은 얇은 물 박막이 기판 표면으로부터 흐르도록 하며 그리고 그것을 건조하게 한다. 이 흐름은 비-휘발성 오염물들 및 부유 운반된 (entrained) 입자들을 제거하는데 있어서 또한 도움을 줄 것이다.
알려진 마란고니 건조기에서, 반도체 웨이퍼들은 탈이온화된 물 (DI 물)에 잠긴다. 밀폐 커버 또는 뚜껑이 상기 잠겨진 웨이퍼들을 포함하는 욕조 위에 위치하여, 밀봉된 프로세스 챔버를 생성한다. 공기가 질소 가스 (N2)와 함께 그 챔버로부터 제거되며 그리고 IPA (isopropyl alcohol) 기포기는 IPA 증기를 산출하며, 그 IPA 증기는 N2와 함께 상기 챔버로 인입된다. IPA의 얇은 레이어가 상기 DI 물 표면 상에 형성되다. 웨이퍼들은 이 IPA 레이어를 통해 그리고 IPA/N2 증기 환경 내에 위치한 웨이퍼 캐리어 상으로 천천히 통과된다.
다른 알려진 접근 방식에서, 상기 웨이퍼들은 플루오르화 수소산의 희석된 농도의 욕조 내에 잠긴다. 상기 산 욕조에 의한 처리에 이어서, 탈이온화된 물이 상기 욕조로 도입되어, 오버플로우를 통해서 상기 플루오르화 수소산을 씻어낸다. 위에서 설명된 마란고니 건조가 그 후에 수행된다.
마란고니 건조가 없는 경우에, 작은 크기의 반도체 웨이퍼 피처들 (예를 들면, 30 나노미터 피처들) 상의 DI 물의 표면 장력은 이 표면 장력으로 인한 점착성의, 당기는, 구부리는 또는 절단하는 구조들에 의한 피처 손상을 초래할 수 있다.
비록 반도체 웨이퍼들의 마란고니 건조가 유리함들을 제공하지만, 본 발명자에게 알려진 마란고니 건조기들을 이용하여 처리된 반도체 웨이퍼들은, 웨이퍼들 상에 물자국들을 뒤에 남기는 액체처럼, 처리되어 건조된 웨이퍼들 상에 물질들이 침전되는 결과를 가져온다. 이 물자국들은 120 나노미터 피처 크기 및 그 이상에서는 눈에 뜨이지 않을 수 있다. 그러나, 그것들은 75 나노미터 또는 더 작은 피처들을 가진 웨이퍼들에서 볼 때에는, 예를 들면, Surfscan 레이저를 사용하여 보인다. 이 침전들은 작은 피처들을 가진 웨이퍼들에 대해서 문제들을 생기게 할 수 있다.
그러므로, 마란고니 건조 기술들을 이용하여 반도체 웨이퍼들을 건조하는 더욱 효과적인 건조기 및 건조 방법이 필요하다.
본 발명 개시의 실시예의 모습에 따라, 하나 이상의 반도체 웨이퍼들 욕조 내 제1 웨이퍼 캐리어 상의 제1 위치로부터 상기 욕조 위의 제2 위치로 들어 올려진다. 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들이 그 욕조로부터 그리고 상기 제1 캐리어로부터 상기 제2 위치로 들어 올려질 때에 상기 하나 이상의 웨이퍼들 상으로 질소 (N2) 및 이소프로필 알콜 (IPA)의 혼합물이 흐른다. 상기 웨이퍼들의 IPA에 대한 노출은 상기 하나 이상의 웨이퍼들의 표면들이 적어도 부분적으로 상기 IPA 및 상기 욕조 내 액체 사이에서의 표면 장력 그레디언트 (gradient)에 의해; 즉, 마란고니 건조에 의해 건조되도록 하는 속도이다. 상기 건조된 웨이퍼들은 상기 제2 위치로부터, 상기 욕조 위의 위치로부터 이격된 제3 위치로 이동되며 그리고 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 더 이상 덮지 않게 한다. 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 IPA에 노출시키기 위해 상기 욕조를 배출시킴으로써 처음에는 마란고니 건조에 의해 그리고 가열된 N2 가스를 이용하는 것처럼 가속된 건조가 이어지는 것처럼, 상기 제1 웨이퍼가 건조된다. 그 건조된 웨이퍼들은, N2 가스를 이용하는 가속된 건조 단계 이전에 상기 제1 웨이퍼 캐리어로부터 떨어져 상기 제3 위치에 존재한다. 상기 제3 위치 내 상기 하나 이상의 웨이퍼들은 상기 제1 웨이퍼 캐리어의 가속된 건조로부터 발생하는 침전물들로부터 차폐된다. 상기 차폐는 챔버의 벽과 같은 방벽 그리고 상기 제3 위치 내 상기 웨이퍼들을 가스로 쓸어내는 것을 포함할 수 있다. 건조 사이클을 완료하기 위해 상기 웨이퍼들은 상기 제1 웨이퍼 캐리어 건조에 이어서 상기 제1 웨이퍼 캐리어로 돌려보내질 수 있다. 이 건조 사이클을 달성하기 위한 장치 및 시스템이 또한 본 발명 개시의 일부이다.
실시예에 따라, 반도체 웨이퍼들을 건조시키는 방법은: 액체 욕조 내 하나 이상의 반도체 웨이퍼들을 그 욕조 내 제1 웨이퍼 캐리어 상의 제1 위치로부터 상기 욕조 위의 제2 위치로 들어 올리는 동작으로, 이 들어 올리는 동작은 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 제2 웨이퍼 캐리어 상에 놓는 것을 포함할 수 있는, 동작; 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들이 그 욕조로부터 그리고 상기 제1 캐리어로부터 상기 제2 위치로 들어 올려질 때에 상기 하나 이상의 웨이퍼들 상으로 질소 (N2) 및 이소프로필 알콜 (IPA)의 혼합물을 흐르게 하여, 상기 하나 이상의 웨이퍼들의 표면들이 적어도 부분적으로 상기 IPA 및 상기 욕조 내 액체 사이에서의 표면 장력 그레디언트 (gradient)에 의해 건조되도록 함으로써 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 마란고니 건조시키는 동작; 상기 웨이퍼들을 상기 제2 위치로부터, 오목부 위에 있을 수 있는 오프셋 위치로 이동시키는 동작으로, 상기 웨이퍼들을 상기 제2 위치로 이동시키는 상기 동작은 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 그 위에 있는 상기 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 제2 위치로부터, 상기 제1 웨이퍼 캐리어 위의 위치에서 이격된 제3 위치로 이동시키는 동작을 포함하는, 동작; 그리고 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 건조시키는 동작으로, 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 노출시키기 위해 상기 욕조로부터 액체를 배출하는 동작, 상기 제1 웨이퍼 캐리어가 상기 욕조로부터 나올 때에 그리고 상기 욕조가 배출될 때에 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 N2 및 IPA의 혼합물을 흐르게 하여, 상기 제1 웨이퍼 캐리어가 적어도 부분적으로 상기 IPA 및 상기 제1 웨이퍼 캐리어 표면들 사이의 표면 장력에 의해 건조되도록 하는 동작, 그리고 상기 제1 웨이퍼 캐리어의 건조를 가속하기 위해 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 가열된 N2를 향하게 하는 동작을 포함하는, 건조 동작; 그리고 상기 제1 웨이퍼 캐리어 건조에 이어서 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제1 웨이퍼 캐리어로 돌려보내는 동작을 포함할 수 있다.
본 발명 개시의 추가적인 모습들은 상기 실시예들을 다음의 모습들 중 하나 또는 그 이상과 함께, 서로간의 모든 가능한 조합들 및 부-조합들에서 포함한다:
N2는, 가열된 N2가 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 향하는 시간의 적어도 일부 동안에, 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 방향이 정해지는, 방법.
N2는, 상기 제2 웨이퍼 캐리어가 상기 제3 위치로 이동될 때에 그리고 가열된 N2가 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 향하는 시간의 적어도 일부 동안에, 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 방향이 정해지는, 방법.
N2는, 상기 제1 웨이퍼 캐리어가 건조되고 있는 전체 시간 동안에 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 방향이 정해지는, 방법.
상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 방향이 정해진 N2는 가열된 N2인, 방법.
하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제1 웨이퍼 캐리어로 돌려보내는 상기 동작은, 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 그 위의 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 제3 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키는 동작 그리고 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제2 위치로부터 상기 제1 캐리어 상의 상기 제1 위치로 내리는 동작을 포함하는, 방법.
상기 제3 위치에서 상기 제2 웨이퍼 캐리어는 상기 액체 욕조 위의 위치로부터 전체적으로 오프셋되어 있는, 방법.
하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제2 위치로 들어 올리는 상기 동작은 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 욕조 위의 챔버 내 제2 위치로 들어 올리는 동작 그리고 그 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 챔버 내 상기 제2 위치 상에 놓는 동작을 포함하며; 그리고
상기 제2 웨이퍼 캐리어를 그 위에 있는 상기 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 제2 위치로부터 제3 위치로 이동시키는 동작은, 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 그 위에 있는 상기 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 제2 위치로부터 상기 제3 위치로 이동시키기 위해 상기 제2 챔버를 이동시키는 동작을 포함하는, 방법.
상기 제2 캐리어가 상기 제3 위치에 위치하여, 상기 제1 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 (mist) 및 비말 (droplet)들로부터 상기 제2 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 차단할 때에 적어도, 상기 챔버 내 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 둘러싸는 동작을 포함하는, 방법.
상기 제1 웨이퍼 캐리어 그리고 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들 사이에 방벽을 제공하는 동작을 포함하여, 상기 제1 웨이퍼 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들이 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들에 도달하는 것을 방해하도록 하는, 방법.
방벽을 제공하는 상기 동작은, 상기 제1 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들을 상기 하나 이상의 웨이퍼들로부터 멀리 쓸어내는 방향에서, 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 캐리어 상의 적어도 상기 하나 이상의 웨이퍼들 위로 N2 가스를 흐르게 하는 동작을 포함하는, 방법.
방벽을 제공하는 상기 동작은 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 캐리어 상의 상기 적어도 하나 이상의 웨이퍼들 및 상기 제1 웨이퍼 캐리어 사이에 차폐물을 놓는 동작을 포함하는, 방법.
상기 차폐물은, 내부에 상기 하나 이상의 웨이퍼들 및 상기 제2 캐리어가 놓여있는 챔버의 벽을 포함하는, 방법.
상기 제3 위치 내 상기 제2 캐리어로부터의 정전기를 방전시키기 위해 하나 이상의 이온화기들을 작동시키는 동작에 의한 것처럼, 상기 제3 위치 내 상기 제2 캐리어로부터의 정전기를 방전시키는 동작을 포함하는, 방법.
상기 개시는 상기 건조 방법들을 수행하는 장치 및 시스템을 또한 포함한다.
실시예에 따라, 반도체 웨이퍼들을 건조하기 위한 그런 시스템 또는 장치는: 제1 웨이퍼 캐리어를 그 제1 웨이퍼 캐리어 상의 하나 이상의 반도체 웨이퍼들과 함께 수납하기 위해 크기 조절된 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 구비한 제일 윗 부분, 및 바닥 부분을 가지는 웨이퍼 수납 탱크로서, 상기 탱크는 클리닝 액체의 소스에 연결하기 위해 상기 바닥 부분과 통하는 액체 입구를 가지며, 상기 탱크는 상기 탱크의 제일 윗 부분에서 적어도 하나의 오버플로우 배출구를 구비하여, 상기 입구로부터의 액체가 상기 적어도 하나의 오버플로우 배출구로 위로 향하여 흐르게 하며, 상기 탱크는 상기 탱크의 바닥 부분과 통하는 드레인 배출구를 구비한, 웨이퍼 수납 탱크; 상기 드레인 배출구에 작동 가능하게 연결되어, 상기 드레인 배출구를 통해 상기 탱크로부터 액체를 배출하는 속도를 제어하며, 그래서 상기 탱크 내 액체의 레벨이 떨어지는 속도를 제어하도록 하는 밸브; 상기 탱크 내에 위치하여, 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 그 위의 하나 이상의 반도체 웨이퍼들과 함께 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 통해 수납하는 웨이퍼 캐리어 리프터로, 상기 웨이퍼 캐리어 리프터는 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 그 위에 있는 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들을 제1의 낮추어진 웨이퍼 캐리어 위치 및 제2 거양된 웨이퍼 캐리어 위치 사이에서 들어 올리고 낮추도록 동작할 수 있으며, 상기 제1의 낮추어진 웨이퍼 캐리어 위치에서 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 그 위의 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들이 상기 탱크 내 액체에 잠길 때에, 상기 웨이퍼 캐리어 리프터는 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들을 제어된 웨이퍼 리프팅 속도로 상기 제1 웨이퍼 캐리어로부터 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부 위의 웨이퍼 전달 위치로 들어 올리도록 또한 동작할 수 있는, 웨이퍼 캐리어 리프터; 상기 탱크에 연결되며 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 덮고 커버하는 제1 건조 챔버 위치로부터, 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부로부터 오프셋된 제2 오프셋 위치로 이동가능한 웨이퍼 건조 챔버로서, 상기 웨이퍼 건조기 내 제2 위이퍼 캐리어는 상기 웨이퍼 전달 위치 내 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 수납하고 운반하도록 동작할 수 있으며, 상기 웨이퍼 건조 챔버는 상기 웨이퍼들이 상기 웨이퍼 캐리어 리프터에 의해 상기 웨이퍼 전달 위치로 상기 액체 밖으로 끌어 올려질 때에 혼합된 이소프로필 알콜 및 질소 (IPA/N2)를 상기 웨이퍼들의 표면들로 제공하기 위해서 상기 제1 건조 챔버 위치 내 상기 웨이퍼 건조 챔버와 함께, 혼합된 IPA/N2의 소스에 연결하기 위한 제1 가스 입구를 포함하며, 상기 웨이퍼들이 상기 액체 밖으로 들어 올려질 때에 표면 장력 그레디언트 건조에 의해 상기 웨이퍼들의 표면들을 적어도 부분적으로 건조시키기 위해 상기 IPA/N2 혼합물 내에 충분한 IPA가 존재하는, 웨이퍼 건조 챔버; 상기 웨이퍼 건조 챔버를 상기 제1 건조 챔버 위치와 상기 제2 오프셋 위치 사이에서 이동시키기 위한 웨이퍼 건조 챔버 이동기를 포함하며; 상기 밸브는 상기 제1 캐리어 및 웨이퍼 리프터를 노출시키기 위해 탱크가 배출될 때에 상기 IPA/N2가 상기 제1 캐리어 및 웨이퍼 리프터의 표면들을 적어도 부분적으로 건조시키도록 하는 속도로 상기 드레인을 통해 상기 탱크로부터 액체를 배출하도록 동작할 수 있으며; 상기 웨이퍼 건조 챔버 이동기는 상기 수납된 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 웨이퍼 건조 챔버 및 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 상기 웨이퍼 건조 챔버의 이동과 함께 상기 웨이퍼 전달 위치로부터 상기 오프셋 위치로 이동시키도록 동작할 수 있으며; 상기 웨이퍼 건조 챔버는 질소 (N2)를 상기 오프셋 위치 내 웨이퍼들에게 운반하기 위해서 N2의 소스에게 연결하기 위한 입구를 구비하며; 그리고 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 웨이퍼 리프터의 노출에 이어서 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 웨이퍼 리프터를 건조시키는 것을 계속하기 위해서 N2를 상기 탱크로 운반하기 위해, N2의 소스에 연결하기 위하여 상기 탱크 내에 위치한 가스 배송 완드 (wand)들 또는 바 (bar)들을 포함할 수 있다.
실시예에 따라, 반도체 웨이퍼들을 건조하기 위한 그런 시스템 또는 장치는: 내부 탱크 챔버를 한정한 탱크 몸체를 포함하는 웨이퍼 수납 탱크로서, 상기 내부 탱크 챔버는 상단 챔버 부분 및 하단 챔버 부분, 제일 윗 부분 그리고 바닥 부분을 포함하며, 제일 윗 부분은 상기 탱크 챔버와 통하는 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 구비하며 제1 웨이퍼 캐리어를 그 제1 웨이퍼 캐리어 상의 하나 이상의 반도체 웨이퍼들과 함께 수납하기 위해 크기 조절되며, 상기 탱크는 상기 하단 탱크 챔버 부분과 통하며 클리닝 액체의 소스에 연결하기 위한 액체 입구를 더 포함하며, 상기 탱크 챔버는 상기 상단 탱크 챔버 부분에 적어도 하나의 오버플로우 배출구를 구비하여, 상기 액체 입구로부터의 액체가 상기 적어도 하나의 오버플로우 배출구로 위로 향하여 흐르게 하며, 상기 탱크는 상기 하단 탱크 챔버 부분과 통하는 드레인 배출구를 구비한, 웨이퍼 수납 탱크; 상기 탱크 챔버 내에 위치하며 그리고 제1 웨이퍼 캐리어를 그 위의 하나 이상의 반도체 웨이퍼들과 함께 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 통해 수납하기 위해 배치된 웨이퍼 캐리어 리프터로서, 상기 웨이퍼 캐리어 리프터는 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 그 위에 있는 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들을 제1 하단 웨이퍼 캐리어 위치로부터 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부 위의 제2 거양된 웨이퍼 캐리어 전달 위치까지 들어 올리고 낮추도록 동작할 수 있으며, 상기 제1 하단 웨이퍼 캐리어 위치에서 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 그 위의 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들이 상기 내부 탱크 챔버 내 액체에 잠길 때에, 상기 웨이퍼 캐리어 리프터는 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들과 함께 제어된 웨이퍼 리프팅 속도로 상기 제1 웨이퍼 캐리어 위치로부터 상기 제2 거양된 웨이퍼 캐리어 전달 위치로 들어 올리도록 또한 동작할 수 있는, 웨이퍼 캐리어 리프터; 상기 탱크에 연결되며 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 덮고 커버하는 제1 건조 챔버 위치로부터, 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부로부터 오프셋된 제2 건조 챔버 위치로 이동가능한 웨이퍼 건조 챔버로서, 상기 제2 거양된 웨이퍼 캐리어 전달 위치로 들어 올려진 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 수납하도록 동작할 수 있는 상기 웨이퍼 건조 챔버 내에 제2 웨이퍼 캐리어가 놓여지며, 상기 웨이퍼 건조 챔버는 상기 웨이퍼들이 상기 웨이퍼 캐리어 리프터에 의해 상기 제2 거양된 웨이퍼 전달 위치로 향하여 상기 액체 밖으로 끌어 올려질 때에 혼합된 이소프로필 알콜 및 질소 (IPA/N2)를 상기 웨이퍼들의 표면들로 제공하기 위해서, 혼합된 IPA/N2의 소스에 연결하기 위한 제1 가스 입구를 포함하며, 상기 웨이퍼들이 상기 액체 밖으로 들어 올려질 때에 표면 장력 그레디언트 건조에 의해 상기 웨이퍼들의 표면들을 적어도 부분적으로 건조시키기 위해 상기 IPA/N2 혼합물 내에 충분한 IPA가 존재하는, 웨이퍼 건조 챔버; 상기 웨이퍼 건조 챔버를 상기 제1 건조 챔버 위치와 제2 검조 챔버 위치 사이에서 이동시키기 위한 웨이퍼 건조 챔버 이동기; 상기 탱크 챔버에 연결되며 그리고 상기 제1 캐리어 및 웨이퍼 리프터를 노출시키기 위해 탱크가 배출될 때에 상기 IPA/N2가 상기 제1 캐리어 및 웨이퍼 리프터의 표면들을 적어도 부분적으로 건조시키는 속도로 상기 드레인을 통해 상기 탱크로부터 액체를 배출하도록 동작할 수 있는 밸브를 포함하며; 상기 웨이퍼 건조 챔버 이동기는 상기 웨이퍼 건조 챔버 및 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 상기 수납된 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 제1 건조 챔버 위치로부터 상기 제2 검조 챔버 위치로 그리고 상기 제2 건조 챔버 위치로부터 상기 제1 건조 챔버 위치로 이동시키도록 동작할 수 있으며; 그리고 상기 제2 건조 챔버 위치 내 웨이퍼 건조 챔버와 함께 웨이퍼 리프터 및 제1 웨이퍼 캐리어의 노출에 이어서 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 웨이퍼 리프터 건조를 계속하기 위해 N2를 상기 제1 웨이퍼 캐리어로 운반하기 위해서 N2의 소스에 연결시키기 위해 상기 탱크 챔버 내에 배치된 적어도 하나의 가스 애플리케이터 (applicator)를 또한 포함할 수 있다.
상기 장치는 하나 이상의 추가적인 특징들을 서로간의 모든 가능한 조합들 및 부-조합들에서 포함할 수 있으며, 이 추가적인 특징들은 다음을 포함한다: (a) 상기 제2 위치 내 상기 웨이퍼 건조 챔버와 함께 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들 아래에 위치한 오목부를 구비한 오목부 한정 구조; (b) 상기 오목부 한정 구조로부터의 정전기를 방전시키기 위해 배치된 정전 방전기; (c) 웨이퍼 건조기 지지부로, 상기 웨이퍼 건조 챔버는 상기 웨이퍼 건조 챔버 이동기에 의해 상기 제1 위치와 제2 위치 사이에서 상기 웨이퍼 건조 챔버의 움직임을 활주시키기 위해 상기 웨이퍼 건조기 지지부에 미끄러질 수 있게 연결됨; (d) 적어도 상기 웨이퍼 건조 챔버가 상기 제2 위치 내에 있을 때에 상기 제2 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 가로지르게 N2 가스의 흐름을 향하게 하기 위해 N2의 소스로의 연결을 위한 가스 배출구를 구비한 웨이퍼 건조기 챔버; 및/또는 (e) 상기 제2 위치 내 상기 웨이퍼 건조 챔버와 함께 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들 아래에 위치한 오목부를 구비한 오목부 한정 구조; 상기 오목부 한정 구조로부터의 정전기를 방전시키기 위해 배치된 정전 방전기; 웨이퍼 건조기 지지부를 포함하며, 상기 웨이퍼 건조 챔버는 상기 웨이퍼 건조 챔버 이동기에 의해 상기 제1 웨이퍼 건조 챔버 위치로부터 상기 제2 웨이퍼 건조 챔버 위치로 그리고 상기 제2 웨이퍼 건조 챔버 위치로부터 상기 제1 웨이퍼 건조 챔버 위치로 상기 웨이퍼 건조 챔버의 움직임을 활주시키기 위해 상기 웨이퍼 건조기 지지부에 미끄러질 수 있게 연결되며; 그리고 상기 웨이퍼 건조기 챔버는, 적어도 상기 웨이퍼 건조 챔버가 상기 제2 위치 내에 있을 때에 상기 제2 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 가로지르게 N2 가스의 흐름을 향하게 하기 위해 N2의 소스로의 연결을 위한 가스 배출구를 구비함.
본 발명 개시의 범위 내의 이런 그리고 다른 방법 동작들 및 특징들은 다음의 설명 및 도면들로부터 명백해질 것이다.
본 발명의 효과는 본 명세서의 해당되는 부분들에 개별적으로 명시되어 있다.
도 1은 본 발명 개시의 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 건조기의 투시도이다.
도 2는 도 1의 건조기의 부분적으로 파쇄된 투시도이다.
도 3은 도 1 및 도 2의 건조기에서 사용하기 위한 필터링된 탈이온화된 물 (DI)을 생성하기 위한 예시적인 접근 방식의 개략적인 도면이다.
도 4는 도 1 및 도 2의 건조기에서 IPA를 가열하고 재순환하기 위한 예시적인 회로의 개략적인 도면이다.
도 5는 도 4의 회로에서 IPA 증기를 생성하기 위해 사용될 수 있는 예시적인 기포기의 부분적으로 파쇄된 투시도이다.
도 6은 도 1 및 도 2의 건조기에서 사용가능한 예시적인 유체 시스템의 개략적인 도면이다.
도 7은 개별 웨이퍼들을 수납하는 복수의 슬롯들을 가진 예시적인 캐리어 상에서 운반되고 있는 반도체 웨이퍼들을 도시한다.
도 8은 웨이퍼들을, 가라앉은 캐리어로부터 그 웨이퍼들이 제2 캐리어로 운반될 수 있는 운반 구역으로 위로 들어 올리는데 있어서 사용하기 위한 예시적인 리프팅 장치의 투시도이다.
도 9는 운반 구역에서 웨이퍼들을 수납하는 콤브 (comb)들을 구비한 제2 캐리어의 예이다.
도 10은 탱크를 통해서 위로 흐르며 탱크의 상단 말단으로부터 드레인으로 종속 접속한 액체로 채워진 탱크를 덮는 뚜껑이나 챔버를 구비한 본원 개시에 따른 건조기의 일 실시예를 도시한다.
도 11은 자신의 위에 하나 이상의 웨이퍼들을 구비한 제1 웨이퍼 캐리어로, 그 캐리어에 의해 상기 웨이퍼가 지지되는 제1 웨이퍼 캐리어 그리고 탱크 내 액체 욕조 내에 잠겨있는 리프팅 구조를 도시한다.
도 12는 그 욕조의 상단 표면을 향해 아래로 방향이 정해진, 이 예에서는 N2/IPA인 마란고니 유체를 가진 액체의 욕조 내에 잠겨 있는 웨이퍼들을 도시한다.
도 13은 상기 욕조 내에 남아있는 제1 웨이퍼 캐리어를 구비한 욕조 밖으로 들어 올려지고 있는 웨이퍼들을 도시한다.
도 14는 챔버 내 위치로 그리고 욕조 위로 상향으로 이동하는 웨이퍼들을 도시한다.
도 15는 욕조 위에 제2 캐리어 상에 위치하며 그리고 잠겨있는 채로 남겨진 제1 웨이퍼 캐리어를 구비한 웨이퍼들을 도시한다.
도 16은 욕조의 배출을 도시하며, 그 욕조에서 배출될 때에 N2/IPA는 계속해서 흐르며 그리고 여기에서 상기 욕조는 제1 웨이퍼 캐리어 및 리프팅 구조에 대한 마란고니 건조 효과를 향상시키기 위해 바람직하게 배출된다.
도 17은 오프셋 위치로 이동된 웨이퍼들 및 제2 웨이퍼 캐리어를 도시한다.
도 18은 제1 웨이퍼 캐리어 및 리프팅 구조를 건조하는 것을 가속하기 위해 가열된 N2와 같은 가스를 사용하는 것을 도시한다.
도 19는 탱크 위의 위치에서 제2 캐리어 상에 재배치된 웨이퍼들을 도시한다.
도 20은 배출된 탱크 내 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 내려진 웨이퍼들을 도시한다.
도 21은 상향으로 대면한 건조기 개방부를 통해 상향으로 웨이퍼들 및 제1 웨이퍼 캐리어를 제거하기 위해 건조기를 열기 위해서 오프셋 위치로 이동된 웨이퍼 수납 챔버와 함께 제1 웨이퍼 캐리어 상의 웨이퍼들을 도시한다.
개시된 본 발명의 원칙들이 적용될 수 있을 많은 가능한 실시예들을 고려하면, 도시된 실시예들은 단지 예들일 뿐이며, 그리고 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 여겨지지 않아야 한다는 것을 인식해야만 한다. 본원에서 설명된 요소들의 모든 신규한 그리고 비-자명적인 조합들 및 부-조합들은 본 발명의 범위 내에 존재한다.
본원 개시 전체적으로, 제2 요소에 연결된 제1 요소에 대해 참조할 때에, "연결된"의 용어는 하나 이상의 추가적인 개입된 요소들에 의해 그 요소들의 간접적인 연결은 물론이며 그 요소들의 직접적인 연결 두 가지 모두를 의미하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 단수 용어들 "한", "하나", 그리고 "제1"의 용어들은 그 용어가 "단 하나"의 구절을 사용하는 것처럼 단수의 요소만을 언급한다는 것을 명시적으로 표시하는 것으로 검정된 것이 아니라면 단수 및 복수 두 가지 모두를 의미한다. 그래서, 예를 들면, 특별한 요소 두 개가 존재한다면, 존재하는 그런 요소 "하나" 또는 "한 개"가 또한 존재한다. 추가로, 본 문헌에서 사용되는 "그리고/또는"의 용어는 접속사 "그리고", 이접적 접속사 "또는", 그리고 "그리고"와 "또는"의 두 가지 모두를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, "구비한다" 및 "가진다"의 용어들은 "포함한다"와 동일한 의미를 가지며 그리고 "구비함"과 "가짐"은 "포함함"과 동일한 의미를 가진다.
도 1은 대체적으로 참조번호 10에서 표시된 본 발명 개시에 따른 건조기의 실시예의 투시 모습이다. 상기 건조기는 하우징 (12)을 포함하며, 그 하우징 내부에는 웨이퍼들을 수납하여 세탁하기 위한 액체 욕조가 제공되며, 그 욕조는 도 1에서는 보이지 않는다. 상기 하우징은, 이 실시예에서 오프셋 위치로 그리고 그 오프셋 위치로부터 화살표들 (16)에 의해 표시된 방향들에서 적어도 미끄러질 수 있는 것처럼 이 실시예에서는 움직일 수 있는 뚜껑이나 챔버 (14)를 포함한다. 오프셋된 건조 챔버 위치는 참조번호 18에서 표시되며, 여기에서 뚜껑 또는 챔버 (14)는 액체 욕조를 포함하는 탱크로 인도하는 건조기 내 개방부로부터 바람직하게 떨어져 위치하며 그 개방부를 덮지 않는다. 아래에서 설명되듯이, 빈 챔버 (14) (그 안에 어떤 웨이퍼도 배치되지 않음)가 상기 오프셋 위치에 있을 때에, 위에 하나 이상의 웨이퍼들을 구비한 제1 웨이퍼 캐리어는 상기 탱크 개방부 위에 위치할 수 있으며 그리고 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 가진 탱크 개방부로 내려질 수 있으며 그 후에 그 건조기 내 웨이퍼 리프터 또는 리프팅 구조 상에 위치하거나 배치될 수 있다. 상기 챔버는 상기 탱크 개방부를 덮으며 그리고 상기 탱크 내 제1 웨이퍼 캐리어 상의 웨이퍼들을 덮는 제1 건조 챔버 위치로 그 후에 이동될 수 있다.
상기 뚜껑 또는 챔버 (14)는 상기 욕조를 덮는 제1 위치로부터, 욕조의 한 측면에서 그 욕조로부터 전체적으로 오프셋되고 그리고 상기 건조기의 데크 영역 (22) 위에 있는 것처럼 상기 욕조로부터 이격된 제2 또는 오프셋 위치로 이동가능하다. 제2 건조 챔버 위치에서, 상향으로 대면하는 탱크 개방부는 웨이퍼 캐리어가 있는 위치로 접근될 수 있다. 바람직하게는 챔버 뚜껑 (14)은 상기 건조기 몸체에 미끄러질 수 있게 연결되며, 그래서 자신이 상기 제1 건조 챔버 위치와 제2 건조 챔버 위치 사이에서 미끄러질 수 있도록 한다. 상기 뚜껑을 다양한 위치들 사이에서 이동시키기 위해 액튜에이터가 사용된다. 그 액튜에이터는 바늘 속도 제어 밸브를 구비한 공압식 피스톤이나 스테퍼 모터처럼 전기식 액튜에이터와 같은 어떤 적합한 액튜에이터도 포함할 수 있다. 예시적인 건조기에서, 상기 뚜껑은 그 건조기가 작동하지 않을 때에 측면에 또는 오프셋 위치에 배치될 수 있다. 그 뚜껑은 상기 욕조 위에 또는 오프셋 위치에 있을 때에는 밀봉될 수 있지만, 꼭 그럴 필요는 없다. 그러나, 비록 밀봉이 보통은 필요하지 않는다고 하더라도, 그 뚜껑에는 바람직하게는 많은 개방 공간이 제공되지 않아서, N2 사용이 보존되도록 한다.
그래서, 이 도시된 실시예에서, 상기 뚜껑은 도 1에서 자신의 오프셋 건조 챔버로 오른쪽으로 미끄러지고 그리고 반대방향에서는 도 1에서 보이는 탱크 개방부를 덮는 챔버 건조 위치로 돌아올 수 있다. 대안으로, 상기 뚜껑은, 예를 들면, 상기 제1 웨이퍼 캐리어로부터 들어 올려진 웨이퍼들이 건조되는 것에 이어서 상기 탱크 내 제1 웨이퍼 캐리어가 건조되고 있는 동안에 오목부 영역 (대안의 오프셋 위치) 위의 또 다른 위치로 (예를 들면, 도 1에서 왼쪽으로) 미끄러질 수 있다.
상기 도시된 건조기는 상향으로 확장하는 배출 도관 (20)을 가지며, 이 배출 도관을 통해서 건조기로부터의 증기들이 배출되어 씻어지며 또는 그렇지 않고 처리될 수 있다.
상기 건조기는 웨이퍼들의 마란고니 건조를 달성하기 위해 사용된다. 질소 캐리어로 거품을 내는 것처럼 생성된 IPA 증기는 마란고니 건조를 달성하기 위해 사용될 수 있다. 마란고니 건조를 위해 사용된 IPA/N2는 주변 온도에 있을 수 있다. 상기 웨이퍼들은 욕조 내에서의 클리닝에 이어서, 그 건조기로 도입된 IPA로 인한 웨이퍼들의 마란고니 건조를 달성하는 속도로 뚜껑 챔버 (14)로 들어 올려진다. 상기 뚜껑은 건조시키는 챔버 부분을 덮는 상기 탱크 내 데크 (22) 그리고 상기 뚜껑 사이에서의 증기 밀봉을 형성할 수 있다.
실시예에 따라서, 상기 웨이퍼들은 뚜껑 (14)로 들어 올려지며 그리고 그 웨이퍼들이 뚜껑과 함께 들어 올려져서 상기 오프셋 위치로 또는 오목부 위치 위로 이동될 때에 건조된다. 상기 제1 웨이퍼 캐리어 (처음에는 웨이퍼들과 함께 상기 욕조 내에 위치했던 그 캐리어)는 그 후에 마란고니 건조에 의해 분리하여 건조될 수 있으며, 이때에 욕조는 이 건조를 달성하기 위한 속도로 배출되고 있으며 그리고 그 탱크를 배출한 것에 이어서 (가열될 수 있는) N2 가스를 사용한다. 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 건조시키기 위해 N2 가스가 인가될 때에 상기 챔버 (14) 및 그 내에 위치한 웨이퍼들은 상기 오프셋 위치에 또는 오목부 위치 위에 바람직하게 존재한다. 제1 웨이퍼 캐리어를 건조시키는 것은 이런 접근 방식으로 제한되지 않지만, 마란고니 건조 및 가열된 N2 가스 분사 이용의 이 조합은 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 빠르게 건조시키는 특히 효과적인 방법이다.
웨이퍼들은 마란고니 건조를 달성하기 위한 제어된 속도로 리프터에 의해 상기 욕조로부터 들어 올려진다. 예시적인 속도들은 초당 0.75 mm 부터 초당 2 mm 이며, 초당 1 mm 는 전형적인 바람직한 속도이다. 더 큰 표면 장력 건조가 필요하다면 그 속도는 더 느린 속도가 사용되도록 변할 수 있다. 이 속도는 웨이퍼들을 들어올리고 탱크를 배출하는 것을 조합함으로써 또한 달성될 수 있다. 욕조를 배출함으로써 웨이퍼 캐리어가 노출되는 속도는 보통은 웨이어 리프트 속도와 동일하며, 초당 1 mm가 전형적인 예이다.
상기 N2는 건조 프로세스 동안에 다른 단계들에서 상이한 흐름 속도들로 제공될 수 있다는 것에 유의해야 한다. 예를 들면, 웨이퍼들이 욕조로부터 나올 때에 N2/IPA가 그 웨이퍼들에 제공되고 있을 때에, 전형적인 흐름 속도는 약 20 SCFH 일 수 있으며 IPA를 N2만으로 대체할 때에 예시적인 흐름 속도는 60 LPM 이다. 건조 프로세스 동안에 IPA 증기가 대체되지 않고 있으며 N2는 건조를 위해서 사용되고 있지 않을 때에, 뚜껑 내에 있는 것과 같은 전형적인 N2 흐름 속도는 낮은 레벨에서 유지된다; 그러나 웨이퍼들이 건조기 내에 존재하는 동안에는 바람직하게 유지된다. 웨이퍼들로의 IPA 흐름은 그 웨이퍼들이 상기 오프셋에 도달하거나, 데크 위치 위에 도달하거나, 또는 오목부 위치 위에 도달할 때에 보통은 정지된다. 그러면 상기 웨이퍼들은 건조되며 그리고 욕조로부터 나온 노출된 캐리어를 건조하는 동안에 생성된 습기로부터 그 웨이퍼들을 보호하기 위해 그 웨이퍼들은 상기 오프셋 위치로 이동된다.
정지된 N2는 IPA를 대체하고 그리고 욕조로부터의 액체를 배출하는 것에 이어서 캐리어를 건조시키기 위해 바람직하게 사용딘다.
그래서, 실시예에 따라, 상기 챔버 또는 뚜껑 (14) 그리고 그 내부에 위치한 하나 이상의 웨이퍼들은 제1 웨이퍼 캐리어 건조 동안에 상기 제1 웨이퍼 캐리어 위의 제1 챔버 건조 위치로부터, 상기 건조기 데크 위 위치에 (도 1 및 도 2에서의) 오른쪽으로 이동된다. 이것은 웨이퍼들이 탱크로 진입하기를 기다리면서 상기 뚜껑이 자리잡고 있는 또한 전형적인 경우이다. 상기 뚜껑 내 웨이퍼 콤브들이나 다른 웨이퍼 캐리어 내에 유지된 웨이퍼들이 제1 웨이퍼 캐리어를 건조시키기 위해 사용되는 고온 N2 건조 사이클 동안에 제1 웨이퍼 캐리어로부터 떨어져서 이동되기 때문에 이 솔루션은 효과가 있다. 상기 뚜껑을 상기 오프셋이나 유휴 (idle) 위치로 이동시킴으로써, 그 뚜껑은 상기 데크 위에 위치하며; 이는 제1 웨이퍼 캐리어 건조 동안 생성된 습기와 에어로솔 연무가 도달할 수 없는 위치에 상기 웨이퍼들이 안전하게 보관되도록 한다. 바람직하게는 상기 제1 웨이퍼 캐리어 건조 사이클이 완료된 이후에, 상기 챔버 (14)는 상기 캐리어 위로 반대로 이동될 수 있다. 챔버 내의 웨이퍼들은 탱크 내 상기 건조된 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 다시 배치될 수 있다. 이것은 예시적인 건조 사이클을 완료시키며 그리고 상기 깨끗하게 건조된 웨이퍼들 및 상기 제1 웨이퍼 캐리어는 상기 건조기로부터 제거될 수 있다. 이런 접근 방식에 대한 향상은, 상기 오프셋 위치 내 웨이퍼들로부터 바람직하지 않은 침전들 및 오염들을 더 없애기 위해 캐리어가 건조되고 있을 때에 데크 위치에 있는 웨이퍼들 위로 N2를 흐르게 하는 것이다.
이런 접근 방식은 (심지어는 상기 추가된 N2 흐름 옵션이 없더라도) 친수성 웨이퍼들 (산화 레이어가 존재함)에 대해 훌륭하게 작용하는 것으로 입증되었지만, 상기 웨이퍼들이 오프셋 위치에 있을 때에 건조기 데크 제일 위에 가깝게 근접하여 위치하기 때문에 소수성 (HF Last) 베어 실리콘 웨이퍼들에는 여전히 문제점들을 가질 수 있다. 상기 데크는 보통은 플라스틱으로 만들어지며 그리고 정전하 (static charge)를 보유할 수 있다. 이 전하는 입자들이 데크 표면에 달라붙도록 한다. 이는 데크가 (상기 뚜껑 웨이퍼 콤브들 내에 위치한) 웨이퍼들의 바닥들에 가깝게 근접하여 (0.75 인치 또는 그 미만) 있으며, 그리고 소수성 웨이퍼들은 상기 웨이퍼들의 바닥들로 입자들을 끌어당기는 전하를 가지는 경향이 있기 때문이다. 이것은 호 내의 바닥에서 그런 웨이퍼들의 입자 파손들로 이끌 수 있으며, 바닥 중간에서는 최악으로 오염되며 그리고 가장자리들을 따라서는 바닥으로부터 약 1.5 - 2 인치 위로 오염이 감소한다. 이 문제를 해결하기 위해 상기 데크를 방전시키거나 그 데크로부터 정전기를 제거하기 위해 이온 시스템 바들을 사용하는 것처럼, 상기 건조기 오프셋 위치에서 정전기 방전이 사용될 수 있다. 다른 옵션은 상기 뚜껑 내 웨이퍼들을 상기 데크 위에 있지 않은 오프셋 영역으로 이동시키는 것이다. 예를 들면, 웨이퍼들을 하전 입자들로부터 더 분리시키는 오목한 영역 위의 오프셋 위치로 상기 뚜껑이 이동될 수 있다. 다시, 정전기 방전은 상기 오목부 오프셋 위치에서 또한 사용될 수 있다. 이온 시스템 바들 또는 다른 정전기 방전 디바이스들은 표면들 상의 정전기들을 중화시키기 위해 그리고 친수성 웨이퍼 및 소수성 웨이퍼 둘 모두에게 더 높은 성능을 제공하기 위해 사용될 수 있다.
그래서, 이 예에서, 최종의 캐리어 건조 및 리프팅 구조를 달성하기 위해, 웨이퍼들이 오프셋 위치에 있는 동안 제1 웨이퍼 캐리어를 향하여 질소의 방향이 정해질 수 있다. 고온 질소 가스가 이 건조를 위해 사용될 수 있다. 오프셋 건조 챔버 위치 내에 웨이퍼들을 포함하는 챔버는 제1 웨이퍼 캐리어를 건조하는 동안에 생성된 연무 및 비말들이 상기 웨이퍼들 상으로 침전되는 것을 방지하는 방벽을 제공한다.
추가로, 제1 웨이퍼 캐리어가 오프셋 뚜껑 내 웨이퍼들로부터 입자들을 더 쓸어내기 위해 건조되고 있을 때에 질소 가스는 오프셋 챔버 건조 위치에서 상기 뚜껑 또는 챔버 (14) 내 웨이퍼들을 가로질러 방향이 정해질 수 있다. 상기 방벽은 바람직하게는 상기 챔버의 벽들, 상기 쓸어내는 가스 스트림 중 하나를 또는 가장 바람직하게는 그 둘을 조합하여 포함한다. 상기 뚜껑이 위의 데크 내에 또는 오프셋 위치에 있을 때에 N2는 상기 뚜껑 (14)으로부터 상기 욕조의 측면으로 바람직하게 배출된다. N2 배출을 위해 구멍들이나 개방부들이 상기 데크에 제공될 수 있다. 도 2에서 참조번호 18에서 지시된 상기 데크의 이 오프셋 부분 (22)에는 슬롯들이나 관통 구멍들이 제공되어, N2 웨이퍼 청소 가스의 상기 챔버를 통한 아래쪽으로의, 웨이퍼들을 가로지르는 그리고 그 슬롯들이나 관통 구멍들을 통한 밖으로의 흐름을 용이하게 한다. 추가로, 팹 (fab) 배기로부터의 음의 압력을 가진 슬롯들은, 상기 오프셋 내 또는 데크 위치 위에 있을 때에 상기 뚜껑으로부터 질소를 배출하는데 있어서 사용하기 위해 또한 제공될 수 있다. 상기 탱크 표면들 상의 증기의 흐름 및 정적 압력은 제어될 수 있다.
이 설계의 예시적인 건조기 실시예에서, 일단 건조 프로세스가 시작하면 상기 N2 흐름은 보통은 중단되지 않는다. 웨이퍼들이 건조기 내에 위치할 때에 N2의 흐름을 유지함으로써, 심지어는 웨이퍼들 건조에 이어서, 흐르는 가스의 보호성 피복이 웨이퍼들 상에 제공된다.
실시예의 모습에 따라, 반도체 웨이퍼 건조기는 웨이퍼 건조 사이클 동안에 건조기 내 제1 웨이퍼 캐리어로부터 들어 올려진 웨이퍼들을 건조하기 위해 마란고니 건조 (표면 장력 그레디언트 건조)를 활용한다. 그 들어 올려진 웨이퍼들은 챔버 (14) 내 웨이퍼 콤브들과 같은 제2 웨이퍼 캐리어에서 유지될 수 있다. 상기 챔버 (14) 및 건조된 웨이퍼들은 제1 웨이퍼 캐리어를 건조하기 위해 고온 N2 가스가 사용되기 이전에 오프셋 위치로 바람직하게 이동된다.
제1 웨이퍼 캐리어는 초기에는 마란고니 건조에 의해서 건조될 수 있다; 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 향하여 방향이 정해진 가열된 N2 가스와 같은 N2 가스를 적용함으로써 가속된 최종의 건조가 이어진다. 상기 제1 웨이퍼 캐리어는 고온 N2 바들 가까이에 위치할 수 있다. 제1 웨이퍼 캐리어는, 프로세싱 동안에 웨이퍼들을 유지하는 캐리어 로드 (rod)들처럼, 제1 웨이퍼 캐리어 상에 고온 N2를 분출시켜서 그 후에 건조될 수 있다
제1 웨이퍼 캐리어의 가속된 건조 동안에 오프셋 위치로 상기 뚜껑을 이동시키는 것은 건조기가 로딩되고 있을 때에 생성된 문제점을 해결한다. 로딩 동안에, 젖은 적하 (dripping) 웨이퍼들이 가득한 캐리어는 제1 캐리어가 건조기 탱크가 위의 중앙 위치로 건조기 위로 지나갈 때의 N2 고온 바들과 같은 N2 공급 상으로 물이 적하되는 결과를 가져온다. 그 N2 바들은 보통은 건조기 탱크 개방부의 측면들 상에 설치되는 것이 보통이다 (전면으로부터 후면으로 이어진 왼쪽 측면 상에 하나 그리고 오른쪽 측면 상에 하나). 이 물방울들은 상기 바들 상에 떨어지며, 가열된 N2 가스로 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 불어서 건조시키기 위해 상기 고온 N2 바들이 그 후에 턴 온될 때에 에어로졸 연무/습기가 된다. 고온 N2 바들은 공기 나이프들로서 설정되어, 그 흐름이 상당하게 공세적이도록 한다. 흐름 속도 및 압력을 낯추기 위한 시도들은 실패했다. 이 연무/습기는 탱크 내의 공기에서 나온 것이며 그리고 그 웨이퍼들 상에 다시 침전될 수 있다. 이 연무/습기가 건조되면 물자국들을 남긴다. 비록 이것이 120nm 피처 크기들 및 그 위에서는 눈을 끌지 않지만, 그 물자국들은 75nm에서 볼 때에는 Surfscan 레이저에 의해 볼 수 있다.
도 2를 참조하면, 예시적인 건조기 (10)는 탱크 (30)를 포함하며, 그 탱크는 하우징 내부에 있으며 상향으로 대면한 액세스 개방부 (32)에 의해 데크 (22)를 통해 접근 가능하다. 도 2에서, 챔버 (14)는 상기 개방부 (32) 위에 위치한 것으로 도시된다. 상기 탱크 (30)는 하단 탱크부 (34) 및 상단 탱크부 (36)를 구비한다. 웨이퍼들을 청소하는 동안에, 탈이온화 물 (DI)과 같은 세척 액체가 DI 입구 (38)에 의해 상기 하단 탱크부 (34)로 도입된다. 이 물은 하단 탱크부 (34)로부터 상단 탱크부 (36)로 상향으로 흐르며, 그럼으로써 탱크 내 제1 웨이퍼 캐리어 (42) 상에 위치한 하나 이상의 웨이퍼들 (40)을 세척한다. 액체는 탱크를 통해서 상향으로 그리고 그 탱크의 반대 측면들에서 각 어살 (weir)들 (44, 45)의 제일 윗부분 위로 흐른다. 그 액체 흐름 경로는 도 2에서 참조번호 46의 화살표들에 의해 표시된다. 그 액체는 탱크로부터 배출 채널들 (47, 48)로 아래로 그리고 그 배출 채널들로부터 도관들 (67, 69)을 통해서 건조기의 배출 출구로 지나간다. 상기 액체는 시스템의 액체 요구사항들을 줄이기 위해 아래에서 설명된 것처럼 재순환될 수 있다.
욕조를 위한 한 적합한 액체는 탈이온화 물 (deionized water (DI))이다. 보통은 DI는 사용 이전에 필터링된다. 액체의 혼합물들은 물론이며 다른 액체들이 대안으로 사용될 수 있다. 예를 들면, IPA 및 DI를 섞은 것이나 IPA 및 DI의 혼합물들과 함께 100% IPA가 사용될 수 있다. IPA 보다 더 낮은 표면 장력을 가져서 사용될 수 있는 가용 화학약품/솔벤트들이 또한 존재한다.
마란고니 건조 없이, 예를 들어, 30 나노미터 또는 더 작은 피처들을 가진 극도로 복잡한 디바이스들을 제조하는데 있어서, 물 (DI)의 표면 장력은, 그 표면 장력으로 인한 점착성, 당김, 구부러짐 또는 절단 구조들에 의해 피처 손상을 초래할 수 있다. 상기 욕조는 산성 화학물질이나 플루오르화 (HF) 산 또는 염화 수소산과 같은 다른 화학물질들을 포함할 수 있다. 이 화학물질들은 마란고니 건고 이전에 DI 물에 의해 욕조로부터 씻어버릴 수 있다.
예시적인 리프터는 도 2의 참조번호 50에서 일반적으로 표시되며 그리고 도시된 실시예에서 제1 웨이퍼 캐리어를 그 위에 지지되는 웨이퍼들과 함께 상기 상단 탱크부 (36)를 향하여 위로 처음에 들어 올리는 제1 리프터 (58)를 포함할 수 있다. 그 들어 올리는 것은 상기 액체 욕조로부터 나온 웨이퍼들 (40)이 상기 욕조 위에 IPA가 풍부한 환경으로 인한 마란고니 효과에 의해 건조되도록 하는 속도로 일어난다. 그래서, 상기 캐리어를 욕조 밖으로 들어 올리기 이전에, 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 들어 올리는 것은 바람직하게 중지된다. 그러면 상기 리프터의 웨이퍼를 들어올리는 부분은 상기 웨이퍼들을 상기 제1 웨이퍼 캐리어로부터 상기 챔버 (14) 내 상단 또는 제2 웨이퍼 캐리어로 들어 올린다. 상기 제2 웨이퍼 캐리어는 웨이퍼 업 (up) 위치 홀더들 (54)을 포함할 수 있으며, 이것은 웨이퍼들의 가장자리를 잡거나 맞물리는 콤브 (comb)들의 형상일 수 있다. 상기 리프터는 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 올리는 동작 그리고 웨이퍼를 상기 제1 웨이퍼 캐리어에 대해 위로 올리는 동작 둘 모두를 수행할 수 있다. 대안으로, 상기 리프터는 제1 웨이퍼 캐리어와 그 제1 웨이퍼 캐리어에 의해 운반되는 웨이퍼들을 들어 올리기 위해 사용되는 제1 리프터 그리고 상기 웨이퍼들을 제1 웨이퍼 캐리어로부터, 그 웨이퍼들이 전달되도록 그리고 챔버 (14)의 움직임에 따라 제2 웨이퍼 캐리어 상으로 이동되도록 배치된 챔버 (14) 내 전달 구역으로 들어 올리기 위한 제2 리프터를 포함할 수 있다. 챔버 (14) 내 제2 웨이퍼 캐리어 상의 웨이퍼들과 함께, 상기 챔버 (14) 및 운반된 웨이퍼들은 오프 덱 위치 (18)로 그 후에 미끄러질 수 있다. 이 위치에서, 바람직하게는 상기 챔버는 상기 건조기 개방부 (32)로부터 전체적으로 오프셋된다.
챔버 (14)를 상기 오프셋 위치 및/또는 오목부 위치로 그리고 그 위치들로부터 이동시키기 위해 그리고 웨이퍼 캐리어 및 웨이퍼들을 들어 올리기 위해 어떤 적합한 모터 또는 액튜에이터가 사용될 수 있다. 예를 들면, 그리고 위에서 언급된 것처럼, 전기 스테퍼 모터는 상기 챔버 (14)를 화살표 (16) 방향들에서, 탱크를 덮는 위치로부터 오프셋 또는 오목부 (244) (도 18) 덮는 위치들까지 뒤로 그리고 앞으로 이동시키기 위해 탱크 체인이나 벨트를 구동할 수 있다. 가이드 바 (56)가 사용될 수 있어서, 챔버의 미끄러지는 움직임을 인도하기 위해 상기 챔버 (14)에 미끄러짐 가능하게 맞물린다. 스테퍼 모터는 프로세스 동안에 캐리어를 그 위의 웨이퍼들과 함께 들어 올리고 그리고 캐리어로부터 웨이퍼들을 또한 들어 올리는 것을 달성하기 위해서 상기 리프팅 구조를 들어올리기 위해 또한 사용될 수 있다. 리프팅 모터는 상기 리프팅 구조 (58)에 연결된 체인 (60)에 의해 보통 연결될 수 있다. 그 체인은 상기 구조를 제어된 속도로 정밀학 들어 올리기 위해 상기 모터에 의해 구동될 수 있다.
상기 도시된 웨이퍼 리프팅 구조는 수직 가이드 바들을 포함할 수 있으며,그 바들 중 둘은 참조번호 70에서 표시되며, 이는 상기 리프터 그리고 상기 제1 웨이퍼 캐리어가 들어 올려질 때에 그 리프터에 의해 지지되는 제1 웨이퍼 캐리어 (42)의 상향 움직임을 인도하기 위한 것이다. 추가로, 상기 웨이퍼들을 상기 제1 웨이퍼 캐리어 밖으로 들어 올리기 위한 웨이퍼 리프터 부분 (71)은 상기 제1 웨이퍼 캐리어가 들어 올려질 때에 또한 들어 올려진다. 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 말단 위치까지 들어 올린 것에 이어서, 웨이퍼 인게이징 프로젝션 (74)을 포함하는 웨이퍼 리프터 (71)는 상기 제1 웨이퍼 캐리어에 상대적으로 위쪽으로 확장되어, 상기 웨이퍼들을 상기 캐리어에서 떨어져서 상기 챔버 (14) 내 제2 웨이퍼 캐리어로 들어 올린다. 챔버를 상기 오프셋 위치로 이동시킨 다음에, 마란고니 건조를 최적화하는 속도로 상기 탱크를 배출함으로써 달성된 마란고리 건조에 의한 것처럼 상기 웨이퍼 캐리어 및 리프팅 구조는 건조된다. 이 예에서 상기 욕조가 배출된 이후에, 제1 웨이퍼 캐리어 건조를 가속하기 위해 공기 나이프 (도 18, 234)로부터의 가열된 N2 가스와 같은 가스가 상기 리프팅 구조 및 제1 웨이퍼 캐리어로 향해 방향이 정해진다. 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 향해서 가스 방향을 정하기 이전의 임의 시점에서 상기 챔버 (14)는 상기 오프셋 위치 (18)로 바람직하게 이동된다.
N2/IPA 증기는 챔버 (14)를 통해 아래쪽으로 그리고 상기 프로세스 동안에 적절한 시각들에서 탱크 (30)의 상단 부분 (36)으로 흐르게 하기 위해 챔버 (14)의 상단 말단에서 챔버 (14)의 매니폴드 부분 (80) 또는 디스펜서 챔버로 인입된다. 이것과 동일한 가스 디스펜서가, 상기 챔버 (14)가 상기 오프셋 위치 및/또는 오목부 위치로 이동될 때에 그리고/또는 그 이후에 N2 가스와 같은 가스를 상기 챔버로 방향을 정하기 위해 사용될 수 있다.
도 2에서, 탱크 (36)의 상단 부분의 한 측면을 따라 참조번호 64의 플레넘 (plenum)이 보이며 그리고 상기 상단 탱크 챔버의 반대편 측면에 참조번호 66의 플레넘 (66)이 보인다. 가스 (예를 들면, IPA 증기 및 N2 가스)가 재순환을 위해 탱크로부터 배출구로 흐르게 방향을 정하는 도관들 (68, 77)에 각 플레넘들이 연결된다.
웨이퍼들이 건조기 내에 있을 때에 N2의 흐름을 유지함으로써, 심지어는 웨이퍼들이 건조된 다음에도, 흐르는 가스의 보호성 피복이 상기 웨이퍼들 위에 제공된다.
도 3은 건조기 (10)에서 사용될 수 있는 예시적인 탈이온화 (DI) 물 공급, 여과 및 재순환 시스템을 도시한다.
도 3을 참조하면, DI 공급원 (100)은 입구 도관 (102) 그리고 압력 레큘레이터 (104) 및 제어 밸브 (106)를 통해 참조번호 108의 분기에 연결된다. 분기 (108)에서, 이 예에서의 DI는 두 개의 병렬 분기들 (110, 112)로 분할되며, 이 분기들은 상기 물을 소망되는 여과 수준으로 필터링하기 위해 각자의 병렬 필터들 (114, 116)을 통해 지나가게 한다. 필터링된 (세련된) DI 물은 각 출구들 (117. 118 및 120)을 통해 탱크 (36)로 인도된다. 이 예에서 참조번호 116의 출구는 더 높은 DI 물 요구사항들의 필요한 경우의 프로세스 애플리케이션들을 위한 높은 흐름 출구이다. 참조번호 118의 출구는 탱크가 웨이퍼들을 기다리는 유휴 상태에 건조기가 있을 때와 같은 더 낮은 흐름의 DI 물 공급을 제공하기 위한 낮은 흐름 출구이다. 탱크 출구 (120)는 건조기 시스템을 헹구기 위한 DI를 공급하는 린스 출구이다.
DI 공급 시스템을 배출하기 위한, 참조번호 126의 화살표에 의해 보통 표시되는 직렬 파이프들 및 밸브들을 경유하여 연결된 프로세스 배출 라인 (124)과 함께 DI 리턴 라인 (122)은 도 3에서 또한 도시된다. 그래서 시스템 (99)은 세련된 DI 물을 건조기에 제공하는 효과적인 방식을 제공한다.
도 4 및 도 5를 참조하여, 예시적인 IPA 증기 공급 및 재순환 시스템 (99)이 도시된다.
N2/IPA 혼합물을 획득하기 위한 한 접근 방식은 석영 베젤과 같은 베젤 (103) 내에 포함된, 예를 들면, 기포기 (101) (도 5) 내 IPA를 통해 N2를 거품내는 것이다. N2 흐름은 PTFE 또는 세라믹과 같은 다공성 물질에 연결되거나 그 다공성 물질을 통해 거품이 내지는 것이 일반적이다. 도 5는 IPA 증기를 생성하는데 있어서 사용하기 위한 예시적인 기포발생기 (101)를 도시한다. 그 기포발생기 (101)는 하우징 또는 베젤 (103)을 포함하며, IPA 입구 (105)를 통해 액체 IPA가 그 하우징이나 베젤로 인입되어 그 베젤을 채운다. N2는 이 예에서 입구 (107)로부터 베젤 내부로 하향으로 흐르며 그리고 그 베젤의 베이스에서 매니폴드 (108)를 통해서 분배되어, 참조번호 111의 화살표에 의해 표시된 것처럼 그 베젤을 통해 위 방향으로 흐른다. N2는 액체 IPA 내에 잠긴 다공성 멤브레인 (113)을 통해 지나간다. N2가 IPA를 통해 지나간 이후에, 기포들이 생성되며 그리고 IPA 증기를 위로 그리고 베젤 (103) 밖으로 출구 (115)를 경유하여 운반한다.
도 4는 도 4의 예시적인 IPA 재순환 시스템 내 도 5의 기포발생기를 도시한다. 히터 (140)는 가열된 액체를 베젤 (103)의 베이스 내 열 교환기 (142)를 통해 순환시킬 수 있어서, 원하는 대로 IPA를 가열한다.
IPA 공급원으로부터의 액체 IPA는 도관 (143)에 연결되며 그리고 밸브들 (145, 149) 및 IPA 필터 (144)를 통해 입구 (105)로 기포발생기 (101)로 인도된다. 상기 시스템을 배출하기가 소망될 때에 필터 (104) 또한 밸브 (151)를 통해 프로세스 배출 라인 (146)으로 연결된다. 베젤 (103)로부터의 IPA는 출구 (151)를 통해 라인 또는 도관 (148)로 지나갈 수 있다. 이 IPA는 이 라인을 통해 펌프 (150)에 의해 퍼내진다. 펌프 (150)로부터 상기 IPA는 밸브 (153) 및 필터 (152)를 통해 지나가고 그리고 라인 (105)으로 기포발생기로 입구로 반대로 지나간다. 상기 시스템의 이 부분을 원하는 대로 배출하기 위해서 상기 필터 (152)는 프로세스 배출부 (146)로 밸브 (155)를 통해 또한 연결된다. 이 도면들에서 약자 AOV는 열고 닫기 위해 상기 밸브가 (예를 들면, 제어기에 의해서) 자동적으로 제어된다는 것을 표시한다. 추가로, 드레인 (151)이 밸브 (157)를 통해 라인 (154)으로 IPA 재생 출구 (156)로 연결된다. IPA 도달 출구 (156)가 그러면 필터링되고 재사용될 수 있다. 상기 건조기 (10)를 위한 이 예시적인 IPA 시스템은 마란고니 건조에서 사용하기 위한 IPA 증기를 산출하는 효과적인 방식을 제공하며, 그러면서도 건조 프로세스를 달성하기 위해 필요한 IPA의 요망되는 부피를 줄인다. 도 4에서, N2 가스 입구 (107)는 N2 공급원에 연결된다. N2 플러시 입구 (160) 또한 제공되어, 깨끗하게 하기 위한 또는 분출하기 위한 목적들을 위해 상기 시스템을 통한 N2의 통과를 가능하게 한다. 시스템 (99)으로부터의 N2/IPA 증기는 챔버 (14)의 상단 말단 (도 2)에서 가스 디스펜서 (80)으로의 통과를 위해 출구 (162)로 인도된다. 상기 베젤은 상기 베젤 (103)을 배출시키기 위해 사용될 수 있는 선택적으로 개방 가능한 배출 라인 (159)을 또한 구비한다.
도 6은 예시적인 건조기 탱크 배관 시스템 (161)을 개시한다. 도 6에서 볼 수 있는 것처럼, 기포발생기로부터의 N2/IPA 증기는 라인 (162)을 경유하여 챔버 (14) 내 디스펜서 (80) 또는 N2/IPA 매니폴더로 인도되며 (또한 도 2 참조), 그럼으로서 건조기 (10)의 탱크 (30)로 인도된다. 도 2와 관련하여 이전에 설명되었던 건조기의 요소들은 도 6에서 동일한 번호들이 부여되었으며, 그러므로 더 설명되지 않을 것이다. 낮은 흐름 DI 공급 라인 (118)은 밸브들 (163, 167) 및 흐름 미터기 (171)를 통해 참조번호 180의 라인에 연결된다. 추가로, 높은 흐름 DI 공급 라인 (116)은 밸브 (169) 및 흐름 미터기 (173)를 통해 참조번호 180의 라인에 연결된다. 라인 (180)은 상기 탱크 (30)의 하단 부분 (34)에서 DI 입구 (38)로 인도한다. DI 물 진입 입구 (38)는 (웨이퍼들이 탱크 내 제1 웨이퍼 캐리어 상에 존재할 때에) 탱크 내의 막 지나간 웨이퍼들을 각 어살들 (44, 45)로 참조번호 182의 화살표들에 의해 표시된 것처럼 위쪽으로 흐르게 한다. 그 물은 상기 어살들 위로 그리고 각 배출 채널들 (47, 48)로 그리고 각 배출 도관들 (67, 69)로 그리고 그 후에 프로세스 배출 라인 (124)으로 엎질러진다 (흐르는 물은 참조번호 183에서 개략적으로 표시됨).
높은 흐름 동작 동안에, 낮은 흐름 공급 라인 및 높은 흐름 공급 라인 둘 모두에서의 밸브들 (167, 169)은 그 흐름을 증가시키기 위해 열린다. 대조적으로, 낮은 DI 공급 프로세스 동안에, 높은 흐름 DI 공급에서의 밸브 (169)는 보통은 닫혀 있으며 그리고 낮은 흐름 DI 공급 라인만이 열린다. 탱크 배출부 (184)가 도 6에서 보이며 그리고 각 분기들 (186, 188)을 통해 그리고 각 밸브들 (189, 191)을 통해서 프로세스 배출 라인 (124)에 연결된다. 탱크를 배출시키기 위해서, 상기 밸브들 (189, 191)은 선택적으로 열린다. 예를 들면, 상기 건조기 내 제1 웨이퍼 캐리어 및 리프팅 구조의 마란고니 건조를 달성하기 위해서 상기 밸브들 (189, 191)은 상기 욕조로부터의 액체 배출을 제어하기 위해 동작된다.
도 7은 캐리어의 각 슬롯들 내에 위치한 복수의 웨이퍼들 (40)을 가진 예시의 제1 웨이퍼 캐리어 (42)를 도시한다. 다양한 대안의 캐리어 유형들이 사용될 수 있다. 이 캐리어들은 프로세스 위치로부터 프로세스 위치로 이동되며 그리고 이 경우에는 자신들이 이동될 때에 로드 (rod)에 의해 매달린 것으로 보인다. 제1 웨이퍼 캐리어는, 탱크로의 탱크 액세스 개방부 (32) (도 2) 위에 배치될 수 있으며 그리고 탱크 (30) 내 리프터 (50) 상으로 내려진다.
도 8은 참조번호 190에서 대체적으로 표시된 웨이퍼 리프터의 예시적인 모습을 도시한다. 상기 리프터는 지지부 (192)를 포함하며, 그 지지부는 트래이 (194)를 그 트레이의 마주보는 측면들에서 슬롯으로 된 각 웨이퍼 홀더들 (196, 198)과 함께 운반한다. 상기 지지부 (192)가 제1 웨이퍼 캐리어로부터 멀리 거상될 때에, 상기 웨이퍼들은 상기 트레이 (194)의 웨이퍼 홀더들 (196, 198)에 의해 위 방향으로 그리고 상기 제1 웨이퍼 캐리어로부터 멀리 들어 그리고 뚜껑 (14) 쪽으로 들어 올려진다. 대안으로, 도 2에서 보여진 모습의 리프터는, 상기 제1 웨이퍼 캐리어로부터 웨이퍼들을 들어 올리기 위해 제1 웨이퍼 캐리어에 대해 윗 방향으로 올려진 리프팅 프로젝션 (74)과 함께 사용될 수 있다. 예시적인 제2 캐리어 또는 상단 캐리어 (200)가 또한 도 8에 보인다. 대안으로, 상기 제2 캐리어는 도 2에서 보이는 모습을 취할 수 있다. 예시적인 제2 캐리어 (200)는 프레임 (202)과 함께, 그 프레임의 마주보는 측면들에 있는 각 콤브들 (204, 206)를 포함할 수 있다. 도 9에서 볼 수 있는 것처럼, 상기 프레임 (202)은 그 프레임의 한 측면에 콤브들 (206)의 각 쌍들을 그리고 그 프레임의 맞은편 측면에 콤브들 (208)의 유사한 쌍을 가진다. 웨이퍼들이 상기 프레임 (202)을 통해 들어 올려진 이후에, 참조번호 206의 콤브들은 적소에 그 웨이퍼들을 유지하기 위해 낮추어진다. 그래서 상기 캐리어 (200)는 뚜껑 내에 위치할 때에 웨이퍼들을 보유하기 위해 건조기의 뚜껑이나 챔버 (14) 내에 위치할 수 있는 예시적인 캐리어이다. 상기 웨이퍼들이 챔버 (14)로 들어 올려질 때에, 그 웨이퍼들은 상기 콤브들에게 전달되며, 그 콤브들은 상기 웨이퍼들 및 제2 캐리어가 탱크 덮는 위치로 복귀하는 것은 물론이며 상기 챔버 내에서 오프셋 위치 및/또는 리셋 위치로 운반되는 것을 가능하게 한다.
예시적인 건조 방법들은 도 10 내지 도 21과 관련하여 아래에서 설명된다. 이 도면들 내 건조기 컴포넌트들은 도 2에서와 동일한 번호들이 부여되며 그래서 더 이상 설명되지 않을 것이다.
도 10은 예시적인 건조기 (10) 실시예의 부분적으로 파쇄된 모습으로, 웨이퍼 수납 탱크 (30)가 욕조 (220) 내 탈이온화 물 또는 다른 액체로 채워지고 그리고 계속해서 상향으로 그 탱크의 상단 가장자리들을 넘어서 배출 플레넘 (47, 48)으로 종속 접속 (cascade)하는 것을 보여준다. 종속 접속한 물은 참조번호 46에서 표시된다. 욕조의 상단 레벨은 도 10에서 참조번호 222에서 표시된다. 보통은, 이 액체는 이 유휴 상태에서는 낮은 흐름 속도로 흐르고 있다.
도 11은 도 10의 건조기를, 제1 웨이퍼 캐리어 (42) 상에 위치하며 탱크 (30) 내부의 욕조 내에 잠겨있는 웨이퍼들 (40) 그리고 도 10에 관련하여 설명된 것처럼 액체 흐름에 의해 세척되고 있는 웨이퍼들과 함께 도시한다; 세척하는 것을 제외하면 상기 액체의 흐름 속도는 유휴 상태에서보다 더 높은 흐름 속도인 것이 보통이다. 도 11의 세척 상태에 도달하기 위해, 상기 챔버 (14)는 상기 제1 웨이퍼 캐리어 (42) 및 하나 이상의 운반된 웨이퍼들 (40)이 상기 탱크 액세스 개방부 (32) (도 2) 위에 위치하며 그리고 상기 탱크 (30)로 낮추어지는 것을 가능하게 하기 위한 위치 (예를 들면, 오프셋 위치)로 이동되었다. 욕조 (200)는 상기 웨이퍼들 (40)을 커버하는 상태의 레벨 (222)에 있다.
도 12는 후속하는 프로세싱 상태에 있는 도 10의 건조기를 도시하며, 여기에서 액체 흐름은 중단되었으며 그리고 증기 형상인 이 예에서의 N2/IPA인 마란고니 건조 유체는 디스펜서 (80)로부터 아래로 챔버 (14)로부터 웨이퍼들 (40)로 향하는 흐름을 시작하여 상기 탱크 (30) 내 액체 욕조 (220)의 표면 상의 IPA 필름을 형성한다. 참조번호 224의 화살표들은 이 가스 흐름을 개략적으로 표시한다. 상기 웨이퍼들은 이 예에서 이 상태로 여전히 잠겨 있다.
도 13은 리프터 (50)가 상기 웨이퍼들 (40) 그리고 상기 욕조 (220)의 표면 (222)을 향하여 상기 웨이퍼들을 지지하는 제1 웨이퍼 캐리어 (42) 둘 모두를 들어 올리는 상태에 있는 도 10의 건조기를 도시한다. 상기 웨이퍼들은 마란고니 건조를 달성하는 속도로 상기 욕조의 표면으로부터 나온다. 도 13에서, 상기 웨이퍼들 (40)의 상단 말단들의 일부 (226)는 상기 욕조 표면으로부터 나왔다. 상기 리프터 (50)는 상기 캐리어를 들어 올리지 않으면서 상기 웨이퍼들을 위 방향으로 또한 들어 올릴 수 있지만, 캐리어를 들어 올림으로써, 이 예시적인 건조기에서 상기 제1 웨이퍼 캐리어 건조를 가속하기 위해 사용된 웨이퍼 캐리어 건조 가스의 소스에 그 리프터가 더 가깝게 위치되기 때문에 이는 덜 바람직하다는 것에 유의해야 한다. 대안으로, 마란고니 효과를 이용하여 상기 웨이퍼들을 건조시키기 위해 웨이퍼들이 리프터를 통해서 나타날 때에 상기 욕조가 배출될 수 있다는 것을 또한 이해해야 한다.
도 14는 웨이퍼들 (40) 그리고 제1 웨이퍼 캐리어 (42)가 도 13에서 보이는 것보다 더 멀리 위쪽으로 들어 올려진 것을 도시한다. 도 14에서, 리프터 (50)는 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 욕조 (200)의 표면 (222) 아래에 여전히 잠겨진 위치로 끌어올리며, 거기에서 상기 웨이퍼 캐리어는 이 예에서 가장 높은 위치에 배치된다.
도 15는 웨이퍼들 (40)을 제1 웨이퍼 캐리어 (42)에 대해 윗 방향으로 뚜껑 내 이동 구역으로 그리고 이 예에서 콤브들 (54)을 포함하는 제2 웨이퍼 캐리어로 들어 올리는 리프터의 동작을 도시한다.
도 16은 제2 웨이퍼 캐리어를 포함하는 홀더들 (54) 상의 자신의 위치에 있는 웨이퍼들 (40)을 도시한다. IPA/N2 증기 (224)는 이 예에서 계속해서 흐를 수 있다. 추가로, 액체 욕조 (220)는 상기 제1 웨이퍼 캐리어 (42)를 노출시키기 위해 배출구 (184)를 통해서 배출되고 있다 (도 16에서 제1 웨이퍼 캐리어 (42)는 일부만이 잠긴 것으로 보인다). 배출하는 것은 빠른 속도로 또는 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 리프팅 구조의 마란고니 건조의 결과를 가져오는 속도로 달성될 수 있다.
도 17은 챔버 (14) 및 웨이퍼들 (40)이 상기 탱크 개방부 및 욕조를 더 이상 덮지 않는 곳인 오프셋 위치로 이동된 뚜껑 또는 챔버 (14)를 도시한다. 도 17에서, 상기 욕조는 배출되었다. 참조번호 224에 의해 표시된 N2는 바람직하게 웨이퍼들 (40)을 가로질러 아래쪽으로 방향이 정해져서, 상기 오프셋 위치 내 웨이퍼들을 계속해서 쓸어내린다.
도 18은 가속된 방식으로 이 요소들을 건조시키는 것을 완료하기 위해서, 제1 웨이퍼 캐리어 (42) 및 웨이퍼 리프팅 구조 (50)를 향하여 방향이 정해진 N2 가스 (230) (가열될 수 있음)를 도시한다. 상기 N2 가스는 상기 탱크 (30)의 상단 말단의 마주보는 측면들을 따라 배치된 각 공기 나이프들 (234)로 가스 입구 (232)를 경유하여 제공된다
도 19는 현재 빈 탱크 (30) 및 건조된 제1 웨이퍼 캐리어 (42)를 덮는 위치로 챔버 (14) 및 웨이퍼들 (40)이 돌아온 것을 도시한다.
도 20은 리프터에 의해 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 재비치되고 (내려지고) 있는 웨이퍼들 (40)을 도시한다.
도 21은 자신의 오프셋 위치 (18)로 미끄러지는 챔버 (14)를 도시하며, 이는 건조된 제1 웨이퍼 캐리어 (42) 및 건조된 웨이퍼들 (40)이 상기 탱크 (30) 위에 있는 위치로 들어 올려지는 것을 가능하게 하여, 상기 캐리어 및 웨이퍼들이 자신의 다음 프로세스 목적지로 이동될 수 있도록 한다. 그러면 상기 욕조는 도 10 상태로 돌아가는 프로세스를 이용하여 채워질 수 있으며, 다음의 웨이퍼 캐리어 및 웨이퍼들을 기다린다. 상기 뚜껑은 상기 오프셋 위치로 이동되어, 클리닝 및 상기 프로세스의 반복을 위해서 웨이퍼들을 상기 욕조로 가라앉히는 것을 허용한다.
아래의 표 1은 빠른 건조 사이클을 위한 예시적인 동작 파라미터들을 제공한다.
파라미터들 세팅
채움 (fill) 타임아웃 (sec) 600
배출 타임아웃 (sec) 300
블라인드 배출 타임아웃 (sec) 5
올림 (raise) 타임아웃 (sec) 240
잠금 (lock) 타임아웃 (sec) 10
느린 배출 타임아웃 (sec) 300
뚜껑 개방 시간 (sec) 20
뚜껑 폐쇄 시간 (sec) 20
올림/내림 속도 (mm/sec) 10
프로세스 속도-1 (mm/sec) 1.5
프로세스 속도-2 (mm/sec) 0.5
자동 사이클 시간 (min) 0
표 1 - 10분 미만의 건조 사이클을 위한 예시적인 IPA 건조기 상태
상기 개시된 방법들 중 어떤 것도 제어 신호들을 제공하기 위해 그리고 시스템 컴포넌트들로부터 센서 신호들을 수신하기 위해 상기 시스템 내 다양한 밸브들 및 구동 모터들에 연결된 제어기 또는 다른 컴퓨터의 제어 하에 있을 수 있다. 상기 시스템을 제어하는 상기 제어기 또는 컴퓨터는 하나 이상의 컴퓨터-판독가능 매체 (예를 들면, 하나 이상의 광학 매체 디스크들, (DRAM 또는 SRMA과 같은) 휘발성 메모리 컴포넌트들, 또는 (하드 드라이브와 같은) 비휘발성 메모리 컴포넌트와 같은 컴퓨터-판독가능 매체) 상에 저장된 컴퓨터-실행가능 명령어들을 이용하여 프로그램된다. 상기 컴퓨터-실행가능 명령어들은, 예를 들면, (예컨대, 범용 프로세서 (예를 들면, RISC (reduced instruction set computing) 또는 CISC (complex instruction set computing) 프로세서를 구비한) 단일의 로컬 컴퓨터 상에서, 또는 (인터넷, 광역 네트워크, 로컬-영역 네트워크, (예를 들면, 클라우드 컴퓨팅 네트워크와 같은) 클라이언트-서버 네트워크, 또는 다른 그와 같은 네트워크를 경유하여) 하나 이상의 네트워크 컴퓨터들을 이용하여 네트워크 환경에서 실행될 수 있다.
상기 건조기 제어는 소프트웨어 대신에 하나 이상의 하드웨어 로직 컴포넌트들에 의해 적어도 부분적으로 수행될 수 있다는 것 또한 잘 이해되어야 한다. 예를 들면, 그리고 제한없이, 사용될 수 있는 하드웨어 로직 컴포넌트들의 예시적인 유형들은 FPGA (Field-programmable Gate Arrays), ASIC (Application-specific Integrated Circuits), ASSP (Application-specific Standard Products), SOC (System-on-a-chip systems), 그리고 CPLD (Complex Programmable Logic Devices)을 포함한다.
본 발명의 전술한 그리고 다른 목적들, 특징들 및 유리함들은 동반 도면들을 참조하여 계속되는 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
개시된 본 발명의 원칙들이 적용될 수 있는 많은 가능한 실시예들을 고려하면, 상기 예시된 실시예들은 본 발명의 바람직한 예들일 뿐이며 그리고 본 발명의 범위를 제한하는 것으로 여겨지지 않아아 한다는 것을 인식해야 한다.

Claims (53)

  1. 반도체 웨이퍼들을 건조시키는 방법으로,
    액체 욕조 내 하나 이상의 반도체 웨이퍼들을 그 욕조 내 제1 웨이퍼 캐리어 상의 제1 위치로부터 상기 욕조 위의 제2 위치로 들어 올리는 동작;
    상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들이 그 욕조로부터 그리고 상기 제1 캐리어로부터 상기 제2 위치로 들어 올려질 때에 상기 하나 이상의 웨이퍼들 상으로 질소 (N2) 및 이소프로필 알콜 (IPA)의 혼합물을 흐르게 하여, 상기 하나 이상의 웨이퍼들의 표면들이 적어도 부분적으로 상기 IPA 및 상기 욕조 내 액체 사이에서의 표면 장력 그레디언트 (gradient)에 의해 건조되도록 하는 동작;
    상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제2 위치로부터, 상기 욕조 위의 위치로부터 이격된 제3 위치로 이동시키는 동작;
    상기 제1 웨이퍼를 건조시키는 동작;
    상기 제3 위치 내 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 건조시키는 것으로부터 발생하는 침전물들로부터 차폐하는 동작; 그리고
    상기 제1 웨이퍼 캐리어 건조에 이어서 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제1 웨이퍼 캐리어로 돌려보내는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    하나 이상의 반도체 웨이퍼들을 들어 올리는 상기 동작은 액체 욕조 내 하나 이상의 반도체 웨이퍼들을 그 욕조 내 제1 웨이퍼 캐리어 상의 제1 위치로부터 그 욕조 위의 제2 위치로 들어 올리고 그리고 그 하나 이상의 웨이퍼들을 제2 웨이퍼 캐리어 상에 놓는 동작을 포함하며;
    상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제2 위치로부터 상기 제3 위치로 이동시키는 동작은 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 그 위에 있는 상기 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 제2 위치로부터, 상기 제1 웨이퍼 캐리어 위의 위치에서 이격된 제3 위치로 이동시키는 동작을 포함하며; 그리고
    상기 제1 웨이퍼 캐리어를 건조시키는 동작은 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 노출시키기 위해 상기 욕조로부터 액체를 배출하는 동작; 상기 제1 웨이퍼 캐리어가 상기 욕조로부터 나올 때에 그리고 상기 욕조가 배출될 때에 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 N2 및 IPA의 혼합물을 흐르게 하여, 상기 제1 웨이퍼 캐리어가 적어도 부분적으로 상기 IPA 및 상기 제1 웨이퍼 캐리어 표면들 사이의 표면 장력에 의해 건조되도록 하는 동작, 그리고 상기 제1 웨이퍼 캐리어의 건조를 가속하기 위해 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 가열된 N2를 향하게 하는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    N2는, 가열된 N2가 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 향하는 시간의 적어도 일부 동안에, 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 방향이 정해지는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    N2는, 상기 제2 웨이퍼 캐리어가 상기 제3 위치로 이동될 때에 그리고 가열된 N2가 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 향하는 시간의 적어도 일부 동안에, 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 방향이 정해지는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    N2는, 상기 제1 웨이퍼 캐리어가 건조되고 있는 전체 시간 동안에 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 방향이 정해지는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 방향이 정해진 N2는 가열된 N2인, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  7. 제2항에 있어서,
    하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제1 웨이퍼 캐리어로 돌려보내는 상기 동작은,
    상기 제2 웨이퍼 캐리어를 그 위의 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 제3 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키는 동작 그리고
    상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제2 위치로부터 상기 제1 캐리어 상의 상기 제1 위치로 내리는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 제3 위치에서 상기 제2 웨이퍼 캐리어는 상기 액체 욕조 위의 위치로부터 전체적으로 오프셋되어 있는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  9. 제2항에 있어서,
    하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제2 위치로 들어 올리는 상기 동작은 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 욕조 위의 챔버 내 제2 위치로 들어 올리는 동작 그리고 그 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 챔버 내 상기 제2 위치 상에 놓는 동작을 포함하며; 그리고
    상기 제2 웨이퍼 캐리어를 그 위에 있는 상기 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 제2 위치로부터 제3 위치로 이동시키는 동작은, 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 그 위에 있는 상기 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 제2 위치로부터 상기 제3 위치로 이동시키기 위해 상기 제2 챔버를 이동시키는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제2 캐리어가 상기 제3 위치에 위치하여, 상기 제1 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 (mist) 및 비말 (droplet)들로부터 상기 제2 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 차단할 때에 적어도, 상기 챔버 내 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 둘러싸는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 제1 웨이퍼 캐리어 그리고 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들 사이에 방벽을 제공하는 동작을 포함하여, 상기 제1 웨이퍼 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들이 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들에 도달하는 것을 방해하도록 하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    방벽을 제공하는 상기 동작은,
    상기 제1 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들을 상기 하나 이상의 웨이퍼들로부터 멀리 쓸어내는 방향에서, 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 캐리어 상의 적어도 상기 하나 이상의 웨이퍼들 위로 N2 가스를 흐르게 하는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  13. 제11항에 있어서,
    방벽을 제공하는 상기 동작은 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 캐리어 상의 상기 적어도 하나 이상의 웨이퍼들 및 상기 제1 웨이퍼 캐리어 사이에 차폐물을 놓는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  14. 제11항에 있어서,
    방벽을 제공하는 상기 동작은, 상기 제1 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들을 상기 하나 이상의 웨이퍼들로부터 멀리 쓸어내는 방향에서, 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 캐리어 상의 상기 적어도 하나 이상의 웨이퍼들 위로 N2 가스를 흐르게 하는 동작을 포함하며 그리고
    방벽을 제공하는 상기 동작은, 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 캐리어 상의 상기 적어도 하나 이상의 웨이퍼들 및 상기 제1 웨이퍼 캐리어 사이에 차폐물을 놓는 동작을 또한 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 차폐물은, 내부에 상기 하나 이상의 웨이퍼들 및 상기 제2 캐리어가 놓여있는 챔버의 벽을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  16. 제2항에 있어서,
    상기 제3 위치 내 상기 제2 캐리어로부터의 정전기를 방전시키는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  17. 제2항에 있어서,
    상기 제3 위치 내 상기 제2 캐리어로부터의 정전기를 방전시키기 위해 하나 이상의 이온화기들을 작동시키는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  18. 제1항에 있어서,
    상기 제1 웨이퍼 캐리어를 건조시키는 동작은 가열된 N2를 상기 제1 웨이퍼 캐리어로 향하여 방향을 정하는 동작을 포함하며 그리고
    상기 제3 부분 내 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 차폐하는 상기 동작은, 가열된 N2가 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 방향이 정해지는 시간의 적어도 일부 동안에 상기 제1 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들을 상기 하나 이상의 웨이퍼들로부터 멀리 쓸어내는 방향에서, 상기 제3 부분 내 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 N2의 방향을 정하는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제1 웨이퍼 캐리어를 건조하는 동작은,
    상기 제1 웨이어 캐리어를 노출시키기 위해 상기 욕조로부터 액체를 배출하는 동작; 그리고
    상기 제1 웨이퍼 캐리어가 상기 욕조로부터 나올 때에 그리고 상기 욕조가 배출될 때에 상기 제1 웨이퍼 상으로 N2 및 IPA의 혼합물을 흐르게 하여, 상기 제1 웨이퍼 캐리어가 적어도 부분적으로 상기 IPA 및 상기 제1 웨이퍼 캐리어 표면들 사이의 표면 장력에 의해 건조되도록 하는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 하나 이상의 웨이퍼들이 상기 제3 위치로 이동될 때에 상기 N2를 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 방향을 정하는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 제1 웨이퍼 캐리어가 건조되고 있는 전체 시간 동안에 상기 N2를 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 방향을 정하는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  22. 제17항에 있어서,
    상기 하나 이상의 웨이퍼들이 상기 제3 위치에 위치하여, 상기 제1 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들로부터 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 차단할 때에 적어도, 상기 하나 이상의 웨이터들을 둘러싸는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  23. 제17항에 있어서,
    상기 차폐하는 동작은
    상기 하나 이상의 웨이퍼들 및 상기 제2 캐리어가 내부에 놓여있는 챔버의 벽을 상기 제3 위치 내에 놓는 동작을 포함하며,
    상기 벽은, 상기 제1 웨이퍼 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들이 상기 제3 부분에 있는 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 통과하는 것에 대한 방벽을 포함하도록 놓여있는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  24. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 N2는, 상기 제2 웨이퍼 캐리어가 상기 제3 위치로 이동될 때에 그리고 가열된 N2가 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 방향이 정해지는 시간의 적어도 일부 동안에, 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 방향이 정해지는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 제1 웨이퍼 캐리어가 건조되고 있는 전체 시간 동안에 상기 N2는 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 항하여 방향이 정해지는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  26. 제24항 또는 제25항에 있어서,
    상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 방향이 정해진 상기 N2는 가열된 N2인, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  27. 제24항 내지 제26항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제1 웨이퍼 캐리어로 돌려보내는 상기 동작은, 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 그 위에 있는 상기 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 제3 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키는 동작 그리고 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제2 위치로부터 상기 제1 캐리어 상의 상기 제1 위치로 내리는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  28. 제24항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 위치에서 상기 제2 웨이퍼 캐리어는 상기 액체 욕조 위의 위치로부터 전체적으로 오프셋되어 있는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  29. 제24항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 제2 위치로 들어 올리는 상기 동작은 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 욕조 위의 챔버 내의 상기 제2 위치로 들어 올리는 동작 그리고 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 상기 챔버 내 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상에 놓는 동작을 포함하며; 그리고
    상기 제2 웨이퍼 캐리어를 그 위에 있는 상기 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 제2 위치로부터 제3 위치로 이동시키는 상기 동작은, 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 그 위에 있는 상기 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 이동시키기 위해 상기 제2 챔버를 상기 제2 위치로부터 상기 제3 위치로 이동시키는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 제2 캐리어가 상기 제3 위치에 위치하여, 상기 제1 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들로부터 상기 제2 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 차단할 때에 적어도, 상기 챔버 내 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 둘러싸는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  31. 제24항 내지 제30항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 웨이퍼 캐리어 그리고 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들 사이에 방벽을 제공하는 동작을 포함하여, 상기 제1 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들이 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들에 도달하는 것을 방해하도록 하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  32. 제31항에 있어서,
    방벽을 제공하는 상기 동작은,
    상기 제1 웨이퍼 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들을 상기 하나 이상의 웨이퍼들로부터 멀리 쓸어내는 방향에서, 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 캐리어 상의 상기 적어도 하나 이상의 웨이퍼들 위로 N2 가스를 흐르게 하는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  33. 제31항 또는 제32항에 있어서,
    방벽을 제공하는 상기 동작은 상기 제3 위치에 있는 상기 제2 캐리어 상의 상기 적어도 하나 이상의 웨이퍼들 및 상기 제1 웨이퍼 캐리어 사이에 차폐물을 놓는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  34. 제33항에 있어서,
    상기 차폐물은, 내부에 상기 하나 이상의 웨이퍼들 및 상기 제2 캐리어가 놓여있는 챔버의 벽을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  35. 제24항 내지 제34항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 위치 내 상기 제2 캐리어로부터의 정전기를 방전시키는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  36. 제35항에 있어서,
    상기 제3 위치 내 상기 제2 캐리어로부터의 정전기를 방전시키기 위해 하나 이상의 이온화기들을 작동시키는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  37. 제1항에 있어서,
    상기 제1 웨이퍼 캐리어를 건조시키는 동작은 가열된 N2를 상기 제1 웨이퍼 캐리어로 향하여 방향을 정하는 동작을 포함하며 그리고
    상기 제3 부분 내 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 차폐하는 상기 동작은, 가열된 N2가 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 방향이 정해지는 시간의 적어도 일부 동안에 상기 제1 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들을 상기 하나 이상의 웨이퍼들로부터 멀리 쓸어내는 방향에서, 상기 제3 부분 내 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 향하여 N2의 방향을 정하는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  38. 제1항 또는 제37항에 있어서,
    상기 제1 웨이퍼 캐리어를 건조시키는 동작은,
    상기 제1 웨이퍼 캐리어를 노출시키기 위해 상기 욕조로부터 액체를 배출하는 동작; 그리고
    상기 제1 웨이퍼 캐리어가 상기 욕조로부터 나올 때에 그리고 상기 욕조가 배출될 때에 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상으로 N2 및 IPA의 혼합물을 흐르게 하여, 상기 제1 웨이퍼 캐리어가 적어도 부분적으로 상기 IPA 및 상기 제1 웨이퍼 캐리어 표면들 사이의 표면 장력에 의해 건조되도록 하는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  39. 제38항에 있어서,
    상기 하나 이상의 웨이퍼들이 상기 제3 위치로 이동될 때에 상기 N2를 상기 하나 이상의 웨이퍼들로 향하게 하는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  40. 제37항 내지 제39항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 웨이퍼 캐리어가 건조되고 있는 동안의 전체 시간 동안에 상기 N2를 상기 하나 이상의 웨이퍼들로 향하게 하는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  41. 제40항에 있어서,
    상기 하나 이상의 웨이퍼들이 상기 제3 위치에 위치하여, 상기 제1 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들로부터 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 차단할 때에 적어도, 상기 하나 이상의 웨이터들을 둘러싸는 동작을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  42. 제1항에 있어서,
    차폐하는 상기 동작은 상기 하나 이상의 웨이퍼들 및 상기 제2 캐리어가 내부에 놓여있는 챔버의 벽을 상기 제3 위치에 놓는 동작을 포함하며,
    상기 벽은, 상기 제1 웨이퍼 캐리어의 건조 동안에 생성된 연무 및 비말들이 상기 제3 부분에 있는 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 통과하는 것에 대한 방벽을 포함하도록 놓여있는, 반도체 웨이퍼 건조 방법.
  43. 반도체 웨이퍼들을 건조시키기 위한 장치로서:
    내부 탱크 챔버를 한정한 탱크 몸체를 포함하는 웨이퍼 수납 탱크로서, 상기 내부 탱크 챔버는 상단 챔버 부분 및 하단 챔버 부분, 제일 윗 부분 그리고 바닥 부분을 포함하며, 제일 윗 부분은 상기 탱크 챔버와 통하는 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 구비하며 제1 웨이퍼 캐리어를 그 제1 웨이퍼 캐리어 상의 하나 이상의 반도체 웨이퍼들과 함께 수납하기 위해 크기 조절되며, 상기 탱크는 상기 하단 탱크 챔버 부분과 통하며 클리닝 액체의 소스에 연결하기 위한 액체 입구를 더 포함하며, 상기 탱크 챔버는 상기 상단 탱크 챔버 부분에 적어도 하나의 오버플로우 배출구를 구비하여, 상기 액체 입구로부터의 액체가 상기 적어도 하나의 오버플로우 배출구로 위로 향하여 흐르게 하며, 상기 탱크는 상기 하단 탱크 챔버 부분과 통하는 드레인 배출구를 구비한, 웨이퍼 수납 탱크;
    상기 탱크 챔버 내에 위치하며 그리고 제1 웨이퍼 캐리어를 그 위의 하나 이상의 반도체 웨이퍼들과 함께 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 통해 수납하기 위해 배치된 웨이퍼 캐리어 리프터로서, 상기 웨이퍼 캐리어 리프터는 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 그 위에 있는 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들을 제1 하단 웨이퍼 캐리어 위치로부터 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부 위의 제2 거양된 웨이퍼 캐리어 전달 위치까지 들어 올리고 낮추도록 동작할 수 있으며, 상기 제1 하단 웨이퍼 캐리어 위치에서 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 그 위의 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들이 상기 내부 탱크 챔버 내 액체에 잠길 때에, 상기 웨이퍼 캐리어 리프터는 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들과 함께 제어된 웨이퍼 리프팅 속도로 상기 제1 웨이퍼 캐리어 위치로부터 상기 제2 거양된 웨이퍼 캐리어 전달 위치로 들어 올리도록 또한 동작할 수 있는, 웨이퍼 캐리어 리프터;
    상기 탱크에 연결되며 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 덮고 커버하는 제1 건조 챔버 위치로부터, 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부로부터 오프셋된 제2 건조 챔버 위치로 이동가능한 웨이퍼 건조 챔버로서, 상기 제2 거양된 웨이퍼 캐리어 전달 위치로 들어 올려진 상기 제1 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 수납하도록 동작할 수 있는 상기 웨이퍼 건조 챔버 내에 제2 웨이퍼 캐리어가 놓여지며, 상기 웨이퍼 건조 챔버는 상기 웨이퍼들이 상기 웨이퍼 캐리어 리프터에 의해 상기 제2 거양된 웨이퍼 전달 위치로 향하여 상기 액체 밖으로 끌어 올려질 때에 혼합된 이소프로필 알콜 및 질소 (IPA/N2)를 상기 웨이퍼들의 표면들로 제공하기 위해서, 혼합된 IPA/N2의 소스에 연결하기 위한 제1 가스 입구를 포함하며, 상기 웨이퍼들이 상기 액체 밖으로 들어 올려질 때에 표면 장력 그레디언트 건조에 의해 상기 웨이퍼들의 표면들을 적어도 부분적으로 건조시키기 위해 상기 IPA/N2 혼합물 내에 충분한 IPA가 존재하는, 웨이퍼 건조 챔버;
    상기 웨이퍼 건조 챔버를 상기 제1 건조 챔버 위치와 제2 검조 챔버 위치 사이에서 이동시키기 위한 웨이퍼 건조 챔버 이동기;
    상기 탱크 챔버에 연결되며 그리고 상기 제1 캐리어 및 웨이퍼 리프터를 노출시키기 위해 탱크가 배출될 때에 상기 IPA/N2가 상기 제1 캐리어 및 웨이퍼 리프터의 표면들을 적어도 부분적으로 건조시키는 속도로 상기 드레인을 통해 상기 탱크로부터 액체를 배출하도록 동작할 수 있는 밸브를 포함하며;
    상기 웨이퍼 건조 챔버 이동기는 상기 웨이퍼 건조 챔버 및 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 상기 수납된 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 제1 건조 챔버 위치로부터 상기 제2 검조 챔버 위치로 그리고 상기 제2 건조 챔버 위치로부터 상기 제1 건조 챔버 위치로 이동시키도록 동작할 수 있으며; 그리고
    상기 제2 건조 챔버 위치 내 웨이퍼 건조 챔버와 함께 웨이퍼 리프터 및 제1 웨이퍼 캐리어의 노출에 이어서 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 웨이퍼 리프터 건조를 계속하기 위해 N2를 상기 제1 웨이퍼 캐리어로 운반하기 위해서 N2의 소스에 연결시키기 위해 상기 탱크 챔버 내에 배치된 적어도 하나의 가스 애플리케이터 (applicator)를 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  44. 제43항에 있어서,
    상기 제2 위치 내 상기 웨이퍼 건조 챔버와 함께 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들 아래에 위치한 오목부를 구비한 오목부 한정 구조를 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  45. 제43항에 있어서,
    상기 오목부 한정 구조로부터의 정전기를 방전시키기 위해 배치된 정전 방전기를 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  46. 제43항에 있어서,
    웨이퍼 건조기 지지부를 포함하며,
    상기 웨이퍼 건조 챔버는 상기 웨이퍼 건조 챔버 이동기에 의해 상기 제1 위치와 제2 위치 사이에서 상기 웨이퍼 건조 챔버의 움직임을 활주시키기 위해 상기 웨이퍼 건조기 지지부에 미끄러질 수 있게 연결된, 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  47. 제43항에 있어서,
    상기 웨이퍼 건조기 챔버는, 적어도 상기 웨이퍼 건조 챔버가 상기 제2 위치 내에 있을 때에 상기 제2 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 가로지르게 N2 가스의 흐름을 향하게 하기 위해 N2의 소스로의 연결을 위한 가스 배출구를 구비한, 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  48. 제43항에 있어서,
    상기 제2 위치 내 상기 웨이퍼 건조 챔버와 함께 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들 아래에 위치한 오목부를 구비한 오목부 한정 구조;
    상기 오목부 한정 구조로부터의 정전기를 방전시키기 위해 배치된 정전 방전기;
    웨이퍼 건조기 지지부를 포함하며,
    상기 웨이퍼 건조 챔버는 상기 웨이퍼 건조 챔버 이동기에 의해 상기 제1 웨이퍼 건조 챔버 위치로부터 상기 제2 웨이퍼 건조 챔버 위치로 그리고 상기 제2 웨이퍼 건조 챔버 위치로부터 상기 제1 웨이퍼 건조 챔버 위치로 상기 웨이퍼 건조 챔버의 움직임을 활주시키기 위해 상기 웨이퍼 건조기 지지부에 미끄러질 수 있게 연결되며; 그리고
    상기 웨이퍼 건조기 챔버는, 적어도 상기 웨이퍼 건조 챔버가 상기 제2 위치 내에 있을 때에 상기 제2 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 가로지르게 N2 가스의 흐름을 향하게 하기 위해 N2의 소스로의 연결을 위한 가스 배출구를 구비한, 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  49. 제43항 또는 제44항에 있어서,
    상기 오목부 한정 구조로부터의 정전기를 방전시키기 위해 배치된 정전 방전기를 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  50. 제49항에 있어서,
    웨이퍼 건조기 지지부를 포함하며,
    상기 웨이퍼 건조 챔버는 상기 웨이퍼 건조 챔버 이동기에 의해 상기 제1 위치와 제2 위치 사이에서 상기 웨이퍼 건조 챔버의 움직임을 활주시키기 위해 상기 웨이퍼 건조기 지지부에 미끄러질 수 있게 연결된, 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  51. 제49항 또는 제50항에 있어서,
    상기 웨이퍼 건조기 챔버는, 적어도 상기 웨이퍼 건조 챔버가 상기 제2 위치 내에 있을 때에 상기 제2 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 가로지르게 N2 가스의 흐름을 향하게 하기 위해 N2의 소스로의 연결을 위한 가스 배출구를 구비한, 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  52. 제49항 내지 제51항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 위치 내 상기 웨이퍼 건조 챔버와 함께 상기 제2 웨이퍼 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들 아래에 위치한 오목부를 구비한 오목부 한정 구조;
    상기 오목부 한정 구조로부터의 정전기를 방전시키기 위해 배치된 정전 방전기;
    웨이퍼 건조기 지지부를 포함하며,
    상기 웨이퍼 건조 챔버는 상기 웨이퍼 건조 챔버 이동기에 의해 상기 제1 웨이퍼 건조 챔버 위치로부터 상기 제2 웨이퍼 건조 챔버 위치로 그리고 상기 제2 웨이퍼 건조 챔버 위치로부터 상기 제1 웨이퍼 건조 챔버 위치로 상기 웨이퍼 건조 챔버의 움직임을 활주시키기 위해 상기 웨이퍼 건조기 지지부에 미끄러질 수 있게 연결되며; 그리고
    상기 웨이퍼 건조기 챔버는, 적어도 상기 웨이퍼 건조 챔버가 상기 제2 위치 내에 있을 때에 상기 제2 캐리어 상의 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 가로지르게 N2 가스의 흐름을 향하게 하기 위해 N2의 소스로의 연결을 위한 가스 배출구를 구비한, 반도체 웨이퍼 건조 장치.
  53. 반도체 웨이퍼들을 건조시키기 위한 시스템으로서:
    제1 웨이퍼 캐리어를 그 제1 웨이퍼 캐리어 상의 하나 이상의 반도체 웨이퍼들과 함께 수납하기 위해 크기 조절된 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 구비한 제일 윗 부분, 및 바닥 부분을 가지는 웨이퍼 수납 탱크로서, 상기 탱크는 클리닝 액체의 소스에 연결하기 위해 상기 바닥 부분과 통하는 액체 입구를 가지며, 상기 탱크는 상기 탱크의 제일 윗 부분에서 적어도 하나의 오버플로우 배출구를 구비하여, 상기 입구로부터의 액체가 상기 적어도 하나의 오버플로우 배출구로 위로 향하여 흐르게 하며, 상기 탱크는 상기 탱크의 바닥 부분과 통하는 드레인 배출구를 구비한, 웨이퍼 수납 탱크;
    상기 드레인 배출구에 작동 가능하게 연결되어, 상기 드레인 배출구를 통해 상기 탱크로부터 액체를 배출하는 속도를 제어하며, 그래서 상기 탱크 내 액체의 레벨이 떨어지는 속도를 제어하도록 하는 밸브;
    상기 탱크 내에 위치하여, 상기 제1 웨이퍼 캐리어를 그 위의 하나 이상의 반도체 웨이퍼들과 함께 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 통해 수납하는 웨이퍼 캐리어 리프터로, 상기 웨이퍼 캐리어 리프터는 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 그 위에 있는 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들을 제1의 낮추어진 웨이퍼 캐리어 위치 및 제2 거양된 웨이퍼 캐리어 위치 사이에서 들어 올리고 낮추도록 동작할 수 있으며, 상기 제1의 낮추어진 웨이퍼 캐리어 위치에서 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 그 위의 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들이 상기 탱크 내 액체에 잠길 때에, 상기 웨이퍼 캐리어 리프터는 상기 하나 이상의 반도체 웨이퍼들을 제어된 웨이퍼 리프팅 속도로 상기 제1 웨이퍼 캐리어로부터 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부 위의 웨이퍼 전달 위치로 들어 올리도록 또한 동작할 수 있는, 웨이퍼 캐리어 리프터;
    상기 탱크에 연결되며 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부를 덮고 커버하는 제1 건조 챔버 위치로부터, 상기 웨이퍼 캐리어 수납 개방부로부터 오프셋된 제2 오프셋 위치로 이동가능한 웨이퍼 건조 챔버로서, 상기 웨이퍼 건조기 내 제2 위이퍼 캐리어는 상기 웨이퍼 전달 위치 내 상기 하나 이상의 웨이퍼들을 수납하고 운반하도록 동작할 수 있으며, 상기 웨이퍼 건조 챔버는 상기 웨이퍼들이 상기 웨이퍼 캐리어 리프터에 의해 상기 웨이퍼 전달 위치로 상기 액체 밖으로 끌어 올려질 때에 혼합된 이소프로필 알콜 및 질소 (IPA/N2)를 상기 웨이퍼들의 표면들로 제공하기 위해서 상기 제1 건조 챔버 위치 내 상기 웨이퍼 건조 챔버와 함께, 혼합된 IPA/N2의 소스에 연결하기 위한 제1 가스 입구를 포함하며, 상기 웨이퍼들이 상기 액체 밖으로 들어 올려질 때에 표면 장력 그레디언트 건조에 의해 상기 웨이퍼들의 표면들을 적어도 부분적으로 건조시키기 위해 상기 IPA/N2 혼합물 내에 충분한 IPA가 존재하는, 웨이퍼 건조 챔버;
    상기 웨이퍼 건조 챔버를 상기 제1 건조 챔버 위치와 상기 제2 오프셋 위치 사이에서 이동시키기 위한 웨이퍼 건조 챔버 이동기를 포함하며;
    상기 밸브는 상기 제1 캐리어 및 웨이퍼 리프터를 노출시키기 위해 탱크가 배출될 때에 상기 IPA/N2가 상기 제1 캐리어 및 웨이퍼 리프터의 표면들을 적어도 부분적으로 건조시키도록 하는 속도로 상기 드레인을 통해 상기 탱크로부터 액체를 배출하도록 동작할 수 있으며;
    상기 웨이퍼 건조 챔버 이동기는 상기 수납된 하나 이상의 웨이퍼들과 함께 상기 웨이퍼 건조 챔버 및 상기 제2 웨이퍼 캐리어를 상기 웨이퍼 건조 챔버의 이동과 함께 상기 웨이퍼 전달 위치로부터 상기 오프셋 위치로 이동시키도록 동작할 수 있으며;
    상기 웨이퍼 건조 챔버는 질소 (N2)를 상기 오프셋 위치 내 웨이퍼들에게 운반하기 위해 N2의 소스에게 연결하기 위한 입구를 구비하며; 그리고
    상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 웨이퍼 리프터의 노출에 이어서 상기 제1 웨이퍼 캐리어 및 웨이퍼 리프터를 건조시키는 것을 계속하기 위해서 N2를 상기 탱크로 운반하기 위해, N2의 소스에 연결하기 위하여 상기 탱크 내에 위치한 가스 배송 완드 (wand)들 또는 바 (bar)들을 포함하는, 반도체 웨이퍼 건조 시스템.
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