JPH10321585A

JPH10321585A - 乾燥装置および乾燥方法

Info

Publication number: JPH10321585A
Application number: JP9132046A
Authority: JP
Inventors: Akinori Matsumoto; 曉典松本; Takeshi Kuroda; 健黒田; Koji Ban; 功二伴; Touko Konishi; 瞳子小西; Naoki Yokoi; 直樹横井
Original assignee: Renesas Semiconductor Engineering Corp; Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Renesas Semiconductor Engineering Corp; Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1997-05-22
Filing date: 1997-05-22
Publication date: 1998-12-04
Also published as: CN1200562A; KR19980086453A; TW349245B; US6032382A; KR100361331B1; DE19800624A1

Abstract

(57)【要約】【課題】処理対象物の乾燥不良を抑制する。【解決手段】ノズル３４へＩＰＡ液が供給されると、
流出孔３５を通じて流出するＩＰＡ液の流れ２９が生成
される。流れ２９は、膜状となって、処理槽１１の側壁
の内側表面に沿って下降し、その後、処理槽１１の下部
に形成されている液受け部３６を通じて、外部へと回収
される。処理槽１１の側壁の内側表面がＩＰＡ液の流れ
２９で覆われるので、この内側表面へのＩＰＡ蒸気の無
用な凝縮が抑制される。その結果、ＩＰＡ蒸気が、受け
皿６の上に載置される処理対象物の表面への凝縮に、有
効に利用されるので、処理対象物の乾燥不良が抑制され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェハの
乾燥に好適な乾燥技術に関し、特に、乾燥不良を抑制す
るための改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】図２２は、この発明の背景となる従来の
乾燥装置の構成を示す正面断面図である。この乾燥装置
１５１は、半導体ウェハの乾燥を目的とした装置として
構成されている。装置１５１には、上方が開口した処理
槽１７１が備わっている。処理槽１７１の側壁の上方部
分の内側には、処理槽１７１の側壁に沿うように冷却コ
イル１６２が取り付けられている。冷却コイル１６２
は、石英管で構成されており、その内部には冷却水が流
される。

【０００３】処理槽１７１の底部の直下には、ヒータ１
７０が設置されている。さらに、処理槽１７１の内部に
は、底部と上方の開口端との間の位置に、受け皿１６６
が固定されている。この受け皿１６６の底部には、ドレ
イン用の配管１８０が接続されている。

【０００４】装置１５１を使用する際には、まず、処理
槽１７１の内部に、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）
液１６７が注ぎ込まれる。処理槽１７１の深さは、液面
が受け皿１６６の底部に達しないように調整される。そ
して、冷却コイル１６２の内部に、冷却水が流される。

【０００５】さらに、ヒータ１７０がオンされることに
より、ＩＰＡ液１６７が加熱される。その結果、ＩＰＡ
液１６７が気化して、ＩＰＡ蒸気１６５が発生する。こ
のＩＰＡ蒸気１６５は、処理槽１７１の内部に充満す
る。ＩＰＡ蒸気１６５は、冷却コイル１６２の近傍で
は、冷却されるために凝縮する。すなわち、冷却コイル
１６２は、ＩＰＡ蒸気１６５が処理槽１７１の外部へと
漏出するのを防止する働きをなしている。

【０００６】したがって、処理槽１７１の中で、底部の
付近の液貯留部１６９に、ＩＰＡ液１６７が貯留され、
その上方から冷却コイル１６２が設置される付近までの
蒸気充填部１６８に、ＩＰＡ蒸気１６５が充満する。蒸
気充填部１６８にＩＰＡ蒸気１６５が充満した後に、処
理対象物としての半導体ウェハ１６３に対する処理が開
始される。すなわち、多数の半導体ウェハ１６３と、こ
れらを積載するカセット１６４とが、水洗処理の完了後
に、保持アーム１６１に吊り下げられつつ、処理槽１７
１の上方から蒸気充填部１６８へと挿入される。半導体
ウェハ１６３を積載するカセット１６４は、図２２に示
すように、受け皿１６６の直上の位置に、保持アーム１
６１によって保持される。

【０００７】すると、蒸気充填部１６８に充満するＩＰ
Ａ蒸気１６５が、半導体ウェハ１６３およびカセット１
６４の表面に付着する水滴の中へと、凝縮し解け込んで
ゆく。その結果、水滴は実質的にＩＰＡの液滴へと置き
換えられ、半導体ウェハ１６３やカセット１６４の表面
から滑り落ちて行く。このようにして、水滴で濡れた半
導体ウェハ１６３およびカセット１６４の乾燥が実現す
る。滑り落ちたＩＰＡの液滴は、受け皿１６６によって
回収され、配管１８０を通じて外部へと排出される。

【０００８】乾燥処理が完了すると、カセット１６４
は、保持アーム１６１によって引き上げられ、処理槽１
７１の外部へと取り出される。その後、取り出されたカ
セット１６４は、つぎの処理工程へと搬送される。そし
て、処理槽１７１には、新たな半導体ウェハ１６３およ
びカセット１６４が投入される。このようにして、半導
体ウェハ１６３およびカセット１６４の乾燥処理が、反
復的に実行される。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
装置１５１は、処理対象物としての半導体ウェハ１６３
をＩＰＡ蒸気１６５に晒し、その表面へＩＰＡ蒸気１６
５を凝縮させることによって、表面の乾燥を実現するも
のであるために、ＩＰＡ蒸気１６５の凝縮量が十分に得
られない条件の下では、乾燥が十分に行われず、乾燥不
良を生じることがあるという問題点があった。

【００１０】特に、ＩＰＡ蒸気１６５が、投入された処
理対象物としての半導体ウェハ１６３だけでなく、処理
槽１７１の内壁表面などの不必要な部分にも凝縮してい
たために、ＩＰＡ蒸気１６５の凝縮量が不十分となるこ
とがあった。そして、半導体ウェハ１６３における乾燥
不良が、半導体ウェハ１６３に作り込まれる半導体デバ
イスの歩留まりを劣化させる要因の一つとなっていた。

【００１１】この発明は、従来の技術における上記した
問題点を解消するためになされたもので、乾燥不良を抑
制し得る乾燥技術を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】第１の発明の装置は、水
溶性の溶媒液を用いて処理対象物の表面を乾燥させるた
めの乾燥装置において、前記処理対象物を出し入れ可能
で上方向を向いて開口する開口部を上部に規定し、底部
において前記溶媒液を貯留可能であるとともに、貯留さ
れた当該溶媒液の上方において前記処理対象物を収容可
能な処理槽を備える。そして、前記装置は、さらに、前
記処理槽の前記底部に貯留される前記溶媒液を加熱可能
な加熱手段と、貯留される前記溶媒液が加熱されること
によって当該溶媒液から発生する蒸気が、前記開口部を
通じて前記処理槽の内部から外部へと放散することを防
止するための放散防止手段と、前記溶媒液の供給を受け
ることによって、前記処理槽の側壁の内側表面に沿っ
て、当該内側表面を覆うように流れる前記溶媒液の流れ
を生成するノズルと、前記内側表面に沿って流れた後の
前記溶媒液を回収し、前記処理槽の外部へと導く液回収
手段と、を備える。

【００１３】第２の発明の装置は、第１の発明の乾燥装
置において、前記液回収手段によって回収された前記溶
媒液を、再び前記ノズルへと戻すことにより、当該ノズ
ルへ前記溶媒液を循環的に供給する循環手段を、さらに
備える。

【００１４】第３の発明の装置は、第１または第２の発
明の乾燥装置において、前記処理槽の前記側壁の外側表
面に取り付けられ、前記溶媒液の前記流れを加熱可能な
ヒータを、さらに備える。

【００１５】第４の発明の装置では、第１ないし第３の
いずれかの発明の乾燥装置において、前記循環手段が、
前記液回収手段によって回収された前記溶媒液を、当該
溶媒液が前記ノズルへと戻されるのに先だって、加熱す
る加熱器を、備える。

【００１６】第５の発明の装置は、水溶性の溶媒液を用
いて処理対象物の表面を乾燥させるための乾燥装置にお
いて、前記処理対象物を出し入れ可能で上方向を向いて
開口する開口部を上部に規定し、底部において前記溶媒
液を貯留可能であり、しかも、貯留される当該溶媒液の
中に前記処理対象物を浸漬可能であるとともに、貯留さ
れる前記溶媒液の上方においても前記処理対象物を収容
可能な処理槽を備える。そして、前記装置は、さらに、
前記処理槽の前記底部に貯留される前記溶媒液を加熱可
能な加熱手段と、貯留される前記溶媒液が加熱されるこ
とによって当該溶媒液から発生する蒸気が、前記開口部
を通じて前記処理槽の内部から外部へと放散することを
防止するための放散防止手段と、を備える。

【００１７】第６の発明の装置は、第５の発明の乾燥装
置において、前記処理槽の前記底部に貯留される前記溶
媒液を回収し、回収された当該溶媒液から水分を除去し
た上で、再び前記処理槽へと戻すことにより、貯留され
る前記溶媒液を循環的に再処理する再処理手段を、さら
に備える。

【００１８】第７の発明の装置では、第６の発明の乾燥
装置において、前記再処理手段が、水と前記溶媒液とを
分離する分離膜によって、前記溶媒液から水分を除去す
る分離手段、を備える。

【００１９】第８の発明の装置では、第６の発明の乾燥
装置において、前記再処理手段が、回収された前記溶媒
液を蒸留することによって、前記溶媒液から水分を除去
する蒸留手段、を備える。

【００２０】第９の発明の装置では、第５ないし第８の
いずれかの発明の乾燥装置において、前記放散防止手段
が、前記開口部を挟んで互いに対向するように設けられ
る、噴出手段と排気手段と、を備えている。そして、前
記排気手段は、前記噴出手段に向かって開口する排気口
を規定し、前記噴出手段は、ガスの供給を受けることに
よって、前記排気口へ向かうとともに前記開口部を覆う
前記ガスの噴流を生成可能であり、前記排気手段は、前
記排気口を通じて吸引した前記ガスを外部へと排出可能
であり、前記処理槽の側壁が、下方から前記開口部へと
接近するにしたがって、内側へと滑らかに湾曲する湾曲
部を有している。前記乾燥装置は、さらに、前記噴出手
段に接続された配管と、当該配管を通じて前記噴出手段
へ接続され、当該噴出手段へ非反応性ガスを供給するた
めの非反応性ガス供給手段と、前記配管の少なくとも一
部に設けられ、前記配管を流れる前記非反応性ガスを冷
却するための冷却手段と、を備える。

【００２１】第１０の発明の装置では、第５ないし第８
のいずれかの発明の乾燥装置において、前記放散防止手
段が、前記開口部を挟んで互いに対向するように設けら
れる、噴出手段と排気手段と、を備えている。そして、
前記排気手段は、前記噴出手段に向かって開口する排気
口を規定し、前記噴出手段は、ガスの供給を受けること
によって、前記排気口へ向かうとともに前記開口部を覆
う前記ガスの噴流を生成可能であり、前記排気手段は、
前記排気口を通じて吸引した前記ガスを外部へと排出可
能であり、前記処理槽の側壁が、下方から前記開口部へ
と接近するにしたがって、内側へと滑らかに湾曲する湾
曲部を有している。前記乾燥装置は、出力が前記噴出手
段へと連結されており、切替え自在に複数の入力の一つ
を選択して出力へと連通させる切替バルブと、常温の非
反応性ガスを供給するための常温ガス供給手段と、冷却
された非反応性ガスを供給するための冷却ガス供給手段
と、前記切替バルブの切替え動作を制御する制御手段
と、をさらに備えている。そして、前記複数の入力の一
つに前記常温ガス供給手段が接続され、前記複数の入力
の他の一つに前記冷却ガス供給手段が接続され、前記制
御手段は、前記処理対象物が前記噴出手段によって生成
される前記噴流を横切って前記処理槽の内部へ投入され
るときに限って、前記噴流が冷却された前記非反応性ガ
スの噴流となるように、前記切替えバルブを制御する。

【００２２】第１１の発明の装置は、第５ないし第８の
いずれかの発明の乾燥装置において、前記処理槽の前記
開口部の上方の空気を冷却する冷却手段を、さらに備え
る。

【００２３】第１２の発明の装置では、第５ないし第８
のいずれかの発明の乾燥装置において、前記放散防止手
段が、前記開口部に近接した前記処理槽の部分に設けら
れ、前記開口部を通じて前記処理槽の中へと投入される
前記処理対象物を冷却可能な程度に、前記処理槽の前記
開口部付近の内側を冷却する冷却手段を、備える。

【００２４】第１３の発明の装置は、第５ないし第８の
いずれかの発明の乾燥装置において、前記処理槽に隣接
して設置された冷却水洗手段を、さらに備え、当該冷却
水洗手段は、前記処理対象物を出し入れ可能で上方向を
向いて開口する開口部を上部に規定し、洗浄水を貯留可
能であり、しかも、貯留される当該洗浄水の中に前記処
理対象物を浸漬可能である水洗槽と、前記水洗槽に取り
付けられ、前記洗浄水を冷却するための冷却手段と、を
備える。

【００２５】第１４の発明の装置は、水溶性の溶媒液を
用いて処理対象物の表面を乾燥させるための乾燥装置に
おいて、前記処理対象物を出し入れ可能で上方向を向い
て開口する開口部を上部に規定し、底部において前記溶
媒液を貯留可能であるとともに、貯留された当該溶媒液
の上方において前記処理対象物を収容可能な処理槽を備
える。前記装置は、さらに、前記処理槽の前記底部に貯
留される前記溶媒液を加熱可能な加熱手段と、貯留され
る前記溶媒液が加熱されることによって当該溶媒液から
発生する蒸気が、前記開口部を通じて前記処理槽の内部
から外部へと放散することを防止するための放散防止手
段と、前記溶媒液の供給を受けることによって、前記処
理槽の内部に前記溶媒液をミスト状に噴出するノズル
と、を備える。

【００２６】第１５の発明の装置は、水溶性の溶媒液を
用いて処理対象物の表面を乾燥させるための乾燥装置に
おいて、前記処理対象物を出し入れ可能で上方向を向い
て開口する開口部を上部に規定し、底部において前記溶
媒液を貯留可能であるとともに、貯留された当該溶媒液
の上方において前記処理対象物を収容可能な処理槽を備
える。前記装置は、さらに、前記処理槽の前記底部に貯
留される前記溶媒液を加熱可能な加熱手段と、貯留され
る前記溶媒液が加熱されることによって当該溶媒液から
発生する蒸気が、前記開口部を通じて前記処理槽の内部
から外部へと放散することを防止するための放散防止手
段と、前記処理槽に隣接して設置された冷却水洗手段
と、前記加熱手段を制御する制御手段と、を備えてい
る。そして、当該冷却水洗手段は、前記処理対象物を出
し入れ可能で上方向を向いて開口する開口部を上部に規
定し、洗浄水を貯留可能であり、しかも、貯留される当
該洗浄水の中に前記処理対象物を浸漬可能である水洗槽
と、前記水洗槽に取り付けられ、当該水洗槽に前記処理
対象物が存在するか否かを検出し、検出信号を前記制御
手段へと送出するセンサと、を備えている。さらに、前
記制御手段は、前記検出信号に応答して、前記水洗槽か
ら移送され前記処理槽へと投入される前記処理対象物に
よって、前記処理槽に充満する前記蒸気が奪われる熱量
を、補償するように、前記加熱手段の出力を制御する。

【００２７】第１６の発明の装置は、第１ないし第８、
または、第１１ないし第１５のいずれかの発明の乾燥装
置において、前記放散防止手段が、前記開口部を挟んで
互いに対向するように設けられる、噴出手段と排気手段
と、を備えている。そして、前記排気手段は、前記噴出
手段に向かって開口する排気口を規定し、前記噴出手段
は、ガスの供給を受けることによって、前記排気口へ向
かうとともに前記開口部を覆う前記ガスの噴流を生成可
能であり、前記排気手段は、前記排気口を通じて吸引し
た前記ガスを外部へと排出可能であり、前記処理槽の側
壁が、下方から前記開口部へと接近するにしたがって、
内側へと滑らかに湾曲する湾曲部を有している。

【００２８】第１７の発明の方法は、水溶性の溶媒液を
用いて処理対象物の表面を乾燥させるための乾燥方法に
おいて、前記処理対象物を出し入れ可能で上方向を向い
て開口する開口部を上部に規定し、底部において前記溶
媒液を貯留可能であり、しかも、貯留される当該溶媒液
の中に前記処理対象物を浸漬可能であるとともに、貯留
される前記溶媒液の上方においても前記処理対象物を収
容可能な処理槽を準備する工程を備えている。前記方法
は、さらに、前記処理対象物を浸漬可能な量の前記溶媒
液を、前記処理槽の底部に貯留する工程と、貯留された
前記溶媒液を加熱して、当該溶媒液の前記蒸気を前記処
理槽の中に充満させる工程と、前記処理対象物を、前記
開口部を通じて外部から前記処理槽の中へと投入する投
入工程と、投入された前記処理対象物を、貯留される前
記溶媒液へと向かって、充満する前記蒸気の中を下降さ
せる下降工程とを備える。また、前記方法は、さらに、
前記処理対象物を、貯留される前記溶媒液の中に浸漬さ
せることにより、前記処理対象物の表面に付着する水分
を除去する工程と、前記処理対象物を、前記溶媒液の中
から引き上げ、充満する前記蒸気に晒すことにより、前
記処理対象物の表面に残留する前記溶媒液を除去する工
程と、前記処理対象物を、前記開口部を通じて前記処理
槽の中から外部へと取り出す工程と、を備える。

【００２９】第１８の発明の方法は、第１７の発明の乾
燥方法において、前記下降工程に先だって、前記処理対
象物を冷却する工程を、さらに備える。

【００３０】第１９の発明の方法は、第１７の発明の乾
燥方法において、前記投入工程に先立って、前記処理対
象物を、冷却された洗浄水に浸漬して水洗する工程を、
さらに備える。

【００３１】第２０の発明の方法は、第１ないし第４、
または、第１４ないし第１６のいずれかの発明の乾燥装
置を用いて前記処理対象物の表面を乾燥させる乾燥方法
において、前記乾燥装置を準備する工程と、前記処理槽
の中に前記溶媒液を供給することにより、前記処理槽の
中の一部に前記溶媒液を貯留する工程と、前記加熱手段
を駆動することにより、前記溶媒液を加熱する工程と、
前記開口部を通過させることにより、前記処理対象物を
前記処理槽の中へと挿入する工程と、を備える。前記方
法は、さらに、挿入された前記処理対象物を、前記溶媒
液の液面の上方に保持しつつ、加熱された前記溶媒液の
前記蒸気によって、前記処理対象物の表面を乾燥させる
乾燥処理工程と、当該乾燥処理工程の後に、前記開口部
を通過させることによって、前記処理対象物を前記処理
槽の外部へと取り出す工程と、を備える。

【００３２】

【発明の実施の形態】

＜1.序論＞はじめに、従来装置１５１と並んで、以下の
各実施の形態の基礎技術の一つとなり得る乾燥装置１０
０について説明する。なお、以下の各実施の形態では、
主として、乾燥装置１００を基礎とした例を示すが、同
様に従来装置１５１を基礎として実施することも可能で
ある。

【００３３】＜1-1.装置１００の構成＞図２は、乾燥装
置１００の構成を示す正面断面図である。この装置１０
０は、従来装置１５１と同様に、半導体ウェハ３の乾燥
を目的とする装置として構成されている。図２に示すよ
うに、装置１００には、処理槽１１が備わっている。処
理槽１１は、上部のみが開口した容器として構成されて
いる。すなわち、処理槽１１の上部には、上方に向かっ
て開口する開口部２２が規定されている。そして、処理
槽１１の側壁は、その上端の付近において、下方から開
口部２２へと接近するのにしたがって、内側へと滑らか
に湾曲している。

【００３４】処理槽１１の上部には、開口部２２を挟ん
で互いに対向するように、一列のノズル（噴出手段）１
３およびダクト状の排気部材（排気手段）１４が設置さ
れている。これらのノズル１３の各々には、配管１９の
一端が接続されている。この配管１９の他端は、窒素ガ
ス供給装置１８に接続されている。窒素ガス供給装置１
８は、例えば、工場設備の一つとして設置されている装
置である。排気部材１４に規定される排気口は、ノズル
１３に対向するように開口している。

【００３５】処理槽１１の上部には、さらに、開口部２
２を開閉自在に覆う蓋１５が備わっている。蓋１５の開
閉を自在とするために、例えば、図２に示すように、蓋
１５に連結するアクチュエータ２４が設置される。アク
チュエータ２４は、図示しないコントローラからの信号
に応答して、蓋１５を水平方向へ移動させることによ
り、蓋１５を開閉する。

【００３６】一方、処理槽１１の底部の直下には、ヒー
タ（第１ヒータ）１０が設置されている。さらに、処理
槽１１の内部には、底部とその上方の開口部２２との間
の位置に、受け皿６が固定されている。この受け皿６の
底部には、処理槽１１の側壁を貫通し、外部へと導かれ
ているドレイン用の配管２０の一端が接続されている。

【００３７】＜1-2.装置１００の動作＞この装置１００
は、つぎの手順で使用される。まず、処理槽１１の内部
には、水洗後の半導体ウェハ３の乾燥に適した溶媒、例
えば、ＩＰＡ液（溶媒液）７が供給される。供給される
ＩＰＡ液７の量は、液面が受け皿６の底部よりも下方に
位置するように調整される。そして、蓋１５を閉じた状
態で、ヒータ１０に通電が行われる。

【００３８】その結果、ヒータ１０が発生する熱が、処
理槽１１の底部を通して、ＩＰＡ液７へと伝えられる。
ＩＰＡ液７が加熱される結果、ＩＰＡ液７が気化するこ
とにより、ＩＰＡ蒸気５が発生する。このＩＰＡ蒸気５
は、処理槽１１の内部に充満する。すなわち、処理槽１
１は、ＩＰＡ液７を貯留する液貯留部９と、その上部の
ＩＰＡ蒸気５で満たされる蒸気充填部８とに分けられ
る。

【００３９】水洗処理が終了した半導体ウェハ３の処理
槽１１内への投入に先立って、窒素ガス供給装置１８か
ら窒素ガスが、配管１９を通じてノズル１３へと供給さ
れる。すると、ノズル１３から、窒素ガスが噴出する。
ノズル１３が列状に配列しているために、噴出する窒素
ガス、すなわち窒素ガスの噴流２１は、膜状となって開
口部２２の全体を覆う。そして、噴流２１は、ノズル１
３に対向して開口する排気部材１４の排気口へと回収さ
れる。排気部材１４は、排気口を通じて吸引した噴流２
１を、外部へと排出する。

【００４０】噴流２１が噴出している間に、蓋１５が開
かれ、処理対象物としての半導体ウェハ３の処理槽１１
内への投入が行われる。すなわち、多数の半導体ウェハ
３と、これらを積載したカセット４とが、水洗処理の完
了後に、保持アーム１６１（図２２）と同様の保持アー
ムに吊り下げられつつ、開口部２２の上方から、噴流２
１を横切り開口部２２を通過して、蒸気充填部８へと挿
入される。半導体ウェハ３を積載するカセット４は、図
２に示すように、受け皿６の上に載置される。その後、
保持アームは外部へと引き上げられる。保持アームが外
部へ除去された後には、蓋１５を閉塞し、噴流２１を停
止することが可能である。

【００４１】半導体ウェハ３およびカセット４が蒸気充
填部８の中に保持されるために、蒸気充填部８に充満す
るＩＰＡ蒸気５が、半導体ウェハ３およびカセット４の
表面に付着する水滴の中に、凝縮し解け込んでゆく。Ｉ
ＰＡは、水に対する溶解度が高いので、水滴の中に多量
に溶解する。その結果、水滴は実質的にＩＰＡの液滴へ
と置き換えられ、重量を増す。そして、ＩＰＡの液滴
は、その重量のために、半導体ウェハ３やカセット４の
表面から滑り落ちて行く。

【００４２】このようにして、水滴で濡れた半導体ウェ
ハ３およびカセット４の乾燥が実現する。滑り落ちたＩ
ＰＡの液滴は、受け皿６によって回収され、配管２０を
通じて外部へと排出される。すなわち、水滴や微量の不
純物が混入したＩＰＡ液は、ＩＰＡ液７へと混じり合う
ことなく、処理槽１１の外へと排除される。このため、
液貯留部９に貯留されるＩＰＡ液７の純度は高いままに
保たれる。

【００４３】半導体ウェハ３およびカセット４の乾燥処
理が完了すると、噴流２１が再び生成され、蓋１５が開
かれる。そうして、保持アームが処理槽１１の中に再び
挿入され、半導体ウェハ３を積載したカセット４が、こ
の保持アームによって引き上げられることによって、噴
流２１を横切り、開口部２２を通過して、処理槽１１の
外部へと取り出される。その後、取り出された半導体ウ
ェハ３およびカセット４は、つぎの処理工程へと搬送さ
れる。そして、処理槽１１の蒸気充填部８には、新たな
半導体ウェハ３およびカセット４が投入される。このよ
うに、半導体ウェハ３およびカセット４の乾燥処理が、
反復的に実行される。

【００４４】半導体ウェハ３およびカセット４の乾燥処
理が行われるときに、それらが受け皿６の上に載置され
る代わりに、保持アームによって、蒸気充填部８の中の
受け皿６の上方に保持されていてもよい。このときに
は、乾燥処理が行われる間においても、蓋１５は開いた
ままであり、噴流２１は停止されない。

【００４５】＜1-3.装置１００の利点＞処理対象物とし
ての半導体ウェハ３およびカセット４が、処理槽１１へ
投入されるとき、および、処理槽１１から外部へと取り
出されるとき、さらに場合によっては、乾燥処理が行わ
れているときにも、蓋１５が開いており、同時に噴流２
１が生成されている。蓋１５が開いているにもかかわら
ず、ＩＰＡ蒸気５は、開口部２２を覆う噴流２１に阻ま
れて、開口部２２を通過して処理槽１１の外部へと飛散
し難くなっている。すなわち、ＩＰＡ蒸気５は、ほとん
ど蒸気充填部８に留まる。すなわち、噴流２１は、ガス
の通過を阻止する一種のカーテンの役割を果たす。

【００４６】装置１００では、噴流２１がカーテンとし
ての機能を効果的に果たす上で、処理槽１１の形状が大
きな役割を演じている。図２に示すように、ＩＰＡ液７
から発生したＩＰＡ蒸気５は、処理槽１１の側壁面に沿
って上昇する。ところが、既述したように、処理槽１１
の側壁は、開口部２２の付近において、開口部２２へと
接近するのにしたがって、内側へと滑らかに湾曲してい
る。

【００４７】このために、ＩＰＡ蒸気５の流れは、処理
槽１１の上部の付近では、側壁の湾曲部に沿って内側へ
と滑らかに湾曲する。そして、ＩＰＡ蒸気５が蒸気充填
部８の上部で冷却される結果、ＩＰＡ蒸気５の流れは、
下方へ向かう流れへとつながってゆく。すなわち、蒸気
充填部８の中で、ＩＰＡ蒸気５の対流が、図２に示す流
れ２３に沿って発生する。その結果、蒸気充填部８の中
に充満するＩＰＡ蒸気５の開口部２２を通じての外部へ
の流出が、噴流２１によって効果的に阻止される。

【００４８】装置１００では、噴流２１が生成されるた
めに、従来装置１５１で必要とされた冷却コイル１６２
が必要でないので、冷却コイル１６２に供給される冷媒
の状態の変動にともなうＩＰＡ蒸気１６５の状態の不安
定性が解消される。すなわち、蒸気充填部８に充満する
ＩＰＡ蒸気５の濃度や広がりなどが安定する。その結
果、半導体ウェハ３およびカセット４等の処理対象物の
乾燥が均一に、しかも、安定して行われ易くなる。すな
わち、従来装置１５１で問題とされた乾燥不良の問題が
緩和され、半導体ウェハ３に作り込まれる半導体デバイ
スの歩留まりが向上する。

【００４９】さらに、開閉自在の蓋１５が備わるため
に、装置１００が稼働していないとき、稼働の準備が行
われているとき、あるいは、稼働中ではあっても半導体
ウェハ３やカセット４が処理槽１１の中に投入されてい
ないときなどに、蓋１５で開口部２２を閉塞することが
できる。蓋１５が閉塞されている期間では、ノズル１３
へ窒素ガスを供給する必要がないので、窒素ガスの使用
量を節減することができる。すなわち、ノズル１３およ
び排気部材１４に加えて、蓋１５も、ＩＰＡ蒸気５が開
口部２２を通じて外部へと放散することを防止する放散
防止手段として機能する。

【００５０】大規模な量産工場では、窒素ガスの使用に
ともなうコストも軽視することはできない。したがっ
て、蓋１５が備わることによる、コスト節減の効果も無
視できない。また、ノズル１３が作動する期間が短縮さ
れるので、ノズル１３の損耗が低減され、装置の寿命が
拡大するという利点も得られる。

【００５１】なお、処理槽１１に貯留される溶媒として
ＩＰＡが用いられる例を示したが、水洗後の処理対象物
の乾燥に適した溶媒であれば、他の物質が用いられても
よい。すなわち、沸点が水よりも低く、蒸発潜熱が水よ
りも小さく、しかも、水に対する溶解度の高い有機溶剤
が、一般に使用可能である。例えば、ＴＦＥＡ（トリフ
ルオロエチルエチルアルコール）、ＨＦＩＰＡ（ヘキサ
フルオロイソプロピルアルコール）、ＰＦＰＡ（ペンタ
フルオロプロピルアルコール）などが、好適である。

【００５２】また、配管１９を通じてノズル１３へ供給
されるガスとして、窒素ガスが使用される例を示した
が、一般に、化学的に安定なガス、すなわち、非反応性
のガスであれば、他の種類のガスであってもよい。例え
ば、アルゴンガスなどの不活性ガスを用いてもよい。も
っとも、窒素ガスは、非反応性のガスの中で、最も安価
で、しかも、入手し易いという利点がある。

【００５３】さらに、ノズル１３が一列に配列され、そ
のことによって、開口部２２を膜状に覆う噴流２１が生
成される例を示したが、一列のノズル１３の代わりに、
膜状の噴流２１を生成可能な単一のノズルが設置されて
もよい。

【００５４】＜2.実施の形態１＞図１および図３は、そ
れぞれ、実施の形態１の乾燥装置の構成を示す斜視断面
図および正面断面図である。この装置１０１は、処理槽
１１の側壁の内側表面、すなわち蒸気充填部の内壁面を
覆うように、ＩＰＡ液の流れが生成される点において、
装置１００とは特徴的に異なっている。装置１０１で
は、この特徴によって、ＩＰＡ蒸気５の濃度の低下の問
題が緩和され、処理対象物における乾燥不良がさらに抑
えられるという利点が得られる。

【００５５】装置１０１では、処理槽１１は、その側壁
を構成しＩＰＡ蒸気５が充填される蒸気充填部３１と、
底部にあってＩＰＡ液７を貯留するための液貯留部３２
とを備えている。そして、ＩＰＡ液を下方へと流出する
ノズル３４が、蒸気充填部３１の上部の位置に、しかも
内壁面に隣接するように設置されている。ノズル３４
は、例えば一端が閉塞された円管状であり、水平に設置
されている。そして、その下部には、複数の流出孔３５
の列が形成されている。ノズル３４の他端は、配管３９
を通じて、ＩＰＡ液供給装置３８へと接続されている。

【００５６】蒸気充填部３１の下部には、流出孔３５か
ら流出したＩＰＡ液を回収可能なように、内壁面から断
面「Ｌ」字状に内側に突出した液受け部３６が取り付け
られている。液受け部３６は、ノズル３４に対向するよ
うに、略水平に延在している。そして、液受け部３６が
設置される蒸気充填部３１の部位には、孔が形成されて
おり、この孔には配管３７が接続されている。

【００５７】装置１００と同様に、液貯留部３２の直下
には、ＩＰＡ液７を加熱するためのヒータ１０が備わっ
ている。また、蒸気充填部３１の内部に受け皿６が設置
されており、処理槽１１の上部にノズル１３、排気部材
１４、および蓋１５が備わっている点なども、装置１０
０と同様である。

【００５８】この装置１０１では、ヒータ１０が駆動さ
れることによってＩＰＡ液７が加熱されるときに、ＩＰ
Ａ液供給装置３８からノズル３４へとＩＰＡ液が供給さ
れる。供給されたＩＰＡ液は、列状に並んだ複数の流出
孔３５から、下方へ向かって流出する。このため、ＩＰ
Ａ液の流れ２９は、膜状となって、蒸気充填部３１の内
壁面に沿って、ノズル３４から液受け部３６へと向かっ
て流れる。

【００５９】すなわち、ＩＰＡ液の流れ２９は、蒸気充
填部３１の内壁面の上部から下部へと、内壁面を覆うよ
うに流れる。その後、ＩＰＡ液の流れ２９は、液受け部
３６によって回収される。そして、回収されたＩＰＡ液
は、配管３７を通じて、処理槽１１の外部へと排出され
る。

【００６０】このように、蒸気充填部３１の内壁面が、
ＩＰＡ液の流れ２９で覆われるので、蒸気充填部３１の
内壁面へのＩＰＡ蒸気５の無用な凝縮が抑制される。こ
のため、ＩＰＡ蒸気５が、半導体ウェハ３等の処理対象
物の表面への凝縮に有効に利用される。したがって、処
理対象物の乾燥不良がさらに抑制されるので、半導体ウ
ェハ３に作り込まれる半導体デバイスの歩留まりが一層
向上する。

【００６１】図１および図３では、液受け部３６によっ
て回収されたＩＰＡ液が、配管３７を通じて、外部へと
排出される例を示したが、図４の正面断面図に例示する
ように、回収されたＩＰＡ液を循環的にノズル３４へと
供給するように装置を構成してもよい。図４の装置１０
２では、配管３７と配管３９の間に、ＩＰＡ液を循環さ
せるためのポンプ４１が介挿されている。そして、液受
け部３６に回収されたＩＰＡ液が、ポンプ４１の働きに
よって、配管３７を通じて吸引され、さらに、配管３９
を通じて、ノズル３４へと送出される。

【００６２】このように、装置１０２では、ノズル３４
から液受け部３６へ、さらに、液受け部３６から再びノ
ズル３４へと、ＩＰＡ液が循環する。このため、流れ２
９を形成するためのＩＰＡ液の供給に要するコストが節
減されるという利点が得られる。

【００６３】なお、循環にともなってＩＰＡ液が徐々に
消失するなどによって、循環するＩＰＡ液の量に不足が
生じたときに、この不足を補うために、ポンプ４１ある
いは配管３９など、循環経路の中のいずれかの部位に、
ＩＰＡ液供給装置３８を接続してもよい。

【００６４】＜3.実施の形態２＞図５は、実施の形態２
の乾燥装置の構成を示す正面断面図である。この装置１
０３は、蒸気充填部３１の外壁面にヒータ４０が設置さ
れている点において、装置１０２とは特徴的に異なって
いる。ヒータ４０は、ＩＰＡ液の流れ２９を加熱可能な
ように、蒸気充填部３１の内壁面の中で流れ２９に覆わ
れる部分に対応する外壁面の部分を覆うように設置され
ている。

【００６５】装置１０３では、ヒータ１０によってＩＰ
Ａ液７が加熱されるとともに、ノズル３４から液受け部
３６へとＩＰＡ液の流れ２９が生成されるときに、ヒー
タ４０が駆動される。ヒータ４０によって発生した熱
は、ＩＰＡ液の流れ２９へと伝えられる。流れ２９が加
熱される結果、ＩＰＡ蒸気５の流れ２９の中への凝縮が
低減される。

【００６６】例えば、流れ２９を形成するＩＰＡ液の温
度が３０℃であるときには、蒸気圧は６０mmHgであり、
処理槽１１の中の蒸気圧７６０mmHgに比べて低いため
に、ＩＰＡ液の中への凝縮が発生する。これに対して、
例えば、ＩＰＡ液の温度を７０℃へと昇温すると、蒸気
圧は、処理槽１１の中の蒸気圧と、同程度の高さとな
る。このときには、ＩＰＡ液へのＩＰＡ蒸気５の凝縮
は、ほとんど発生しなくなる。

【００６７】以上のように、装置１０３では、蒸気充填
部３１の内壁面を覆うＩＰＡ液の流れ２９が加熱される
ので、流れ２９へのＰＡ蒸気５の無用な凝縮が抑制され
る。このため、ＩＰＡ蒸気５が、半導体ウェハ３等の処
理対象物の表面への凝縮に、さらに有効に利用される。
したがって、処理対象物の乾燥不良がさらに抑制される
ので、半導体ウェハ３に作り込まれる半導体デバイスの
歩留まりが一層向上する。

【００６８】なお、液受け部３６で回収されたＩＰＡ液
が、ノズル３４へと循環的に使用される代わりに、装置
１０１と同様に、ＩＰＡ液供給装置３８からノズル３４
へとＩＰＡ液が供給されてもよい。ただし、装置１０３
のように、ＩＰＡ液がノズル３４へと循環的に供給され
る形態では、ヒータ４０の負荷を軽くすることができる
という利点がある。

【００６９】＜4.実施の形態３＞図６は、実施の形態３
の乾燥装置の構成を示す正面断面図である。この装置１
０４は、ノズル３４から流出したＩＰＡ液の流れ２９を
加熱する代わりに、配管３９を通過するＩＰＡ液を、あ
らかじめ加熱した後に、ノズル３４へと供給するように
構成されている点において、装置１０３とは特徴的に異
なっている。

【００７０】すなわち、装置１０４では、配管３９の一
部に、ヒータ４２が取り付けられており、このヒータ４
２によって配管３９を通過するＩＰＡ液が加熱される。
このため、ＩＰＡ液がノズル３４から、流れ２９として
流出したときには、ＩＰＡ液は、すでに適切な温度に昇
温されている。したがって、流れ２９へのＩＰＡ蒸気５
の凝縮が、さらに効果的に抑制される。その結果、ＩＰ
Ａ蒸気５が、半導体ウェハ３等の処理対象物の表面への
凝縮に、さらに有効に利用されるので、処理対象物の乾
燥不良が一層抑制される。

【００７１】ヒータ４２は、配管３９の代わりに、配管
３７あるいはポンプ４１に取り付けられていてもよい。
すなわち、一般に、液受け部３６からノズル３４へと至
るＩＰＡ液の循環経路の少なくとも一部に、この循環経
路を通過するＩＰＡ液を加熱するためのヒータが取り付
けられておれば、同様の効果が得られる。

【００７２】ノズル３４へ供給されるＩＰＡ液があらか
じめ加熱されることによって得られる上記した効果は、
ＩＰＡ液が、液受け部３６からノズル３４へと循環せず
に、ＩＰＡ液供給装置３８によって、ノズル３４へと供
給されるときに、特に顕著に現れる。また、ＩＰＡ液供
給装置３８によって、ＩＰＡ液がノズル３４へと供給さ
れるときには、配管３９を加熱する代わりに、ＩＰＡ液
供給装置３８自体を加熱しても、同様の効果が得られ
る。

【００７３】図７の正面断面図に、そのように構成され
た装置を例示する。図７の装置１０５では、ＩＰＡ液供
給装置３８にヒータ４２が取り付けられており、ＩＰＡ
液供給装置３８が供給するＩＰＡ液が、ヒータ４２によ
って、あらかじめ加熱される。また、ヒータ４２に加え
て、装置１０３のヒータ４０をも設置することによっ
て、流れ２９の温度を目標温度へとさらに容易に保持す
ることが可能となる。すなわち、流れ２９の昇温に由来
する上記した効果を、各ヒータの総合的な負荷を軽減し
つつ、さらに顕著に引き出すことができる。

【００７４】＜5.実施の形態４＞図８は、実施の形態４
の乾燥装置の構成を示す正面断面図である。この装置１
０６は、処理対象物としての半導体ウェハ３およびカセ
ット４が、ＩＰＡ液７の中に浸漬可能なように構成され
ている点において、装置１０１〜１０５とは、特徴的に
異なっている。すなわち、装置１０６では、処理槽１１
の下部を構成する液貯留部４６は、ＩＰＡ液７を貯留可
能であり、しかも、貯留するＩＰＡ液７の中に、半導体
ウェハ３およびカセット４を浸漬可能な容量および深さ
を有している。また、処理槽１１の上部を構成する蒸気
充填部４５も、半導体ウェハ３およびカセット４を浸漬
可能な容量および深さを有している。

【００７５】装置１００と同様に、液貯留部４６の直下
には、ＩＰＡ液７を加熱するためのヒータ１０が備わっ
ている。また、処理槽１１の上部にノズル１３、排気部
材１４、および蓋１５が備わっている点なども、装置１
００と同様である。液貯留部４６の底部には、カセット
４を載置可能な載置台４７が備わっている。

【００７６】装置１０６は、つぎの手順で使用される。
まず、処理槽１１の内部には、ＩＰＡ液７が供給され
る。供給されるＩＰＡ液７の深さは、載置台４７に載置
されたカセット４に積載された半導体ウェハ３の頭部よ
りも、液面が上方に位置するように調整される。処理槽
１１の中で、ＩＰＡ液７をこの深さに貯留する部分が、
上記した液貯留部４６に相当する。

【００７７】その後、蓋１５を閉じた状態で、ヒータ１
０に通電が行われる。ヒータ１０の熱によってＩＰＡ液
７が加熱される結果、ＩＰＡ液７が気化することによ
り、ＩＰＡ蒸気５が発生する。このＩＰＡ蒸気５は、Ｉ
ＰＡ液７の上方の空間、すなわち、蒸気充填部４５の内
部に充満する。水洗処理が終了した半導体ウェハ３（お
よびカセット４）の処理槽１１内への投入に先立って、
窒素ガスが配管１９を通じてノズル１３へと供給される
ことにより、噴流２１が形成される。

【００７８】噴流２１が噴出している間に、図９に示す
ように、蓋１５が開かれ、処理対象物としての半導体ウ
ェハ３の処理槽１１内への投入が行われる。すなわち、
多数の半導体ウェハ３と、これらを積載したカセット４
とが、水洗処理の完了後に、保持アーム４８に吊り下げ
られつつ、開口部２２の上方から、噴流２１を横切り開
口部２２を通過して、処理槽１１の中へと挿入される。

【００７９】挿入された半導体ウェハ３およびカセット
４は、蒸気充填部４５を速やかに通過して、液貯留部４
６の中の載置台４７の上に載置される。すなわち、水洗
によって水滴が付着したままの処理対象物が、ＩＰＡ液
７の中に直接に投入される。処理対象物が載置台４７の
上に載置されると、保持アーム４８は、外部へと一旦引
き上げられる。保持アームが外部へ除去された後には、
蓋１５を閉塞し、噴流２１を停止することが可能とな
る。

【００８０】水に対するＩＰＡの溶解度は、実質的に無
限大であるため、処理対象物の表面に付着する水滴は、
ＩＰＡ液７に直接に接触することによって、ＩＰＡ液７
の中に混ざり合う。このため、処理対象物の表面に付着
した水は、全てＩＰＡ液７に取り込まれる。その結果、
処理対象物の表面は、取り込まれた水滴の分だけ希釈さ
れたＩＰＡ液７に接触することとなる。

【００８１】例えば、直径が２００mmの半導体ウェハ３
が、２５枚一度に処理される場合には、ＩＰＡ液７は液
貯留部４６に３０リットル程度準備される。半導体ウェ
ハ３の一枚当たりに、２cm³の水滴が付着しているとす
ると、一回の浸漬では５０cm³の水がＩＰＡ液７の中に
持ち込まれることとなり、その結果、ＩＰＡ液７は、
０．１７％だけ希釈される。ＩＰＡ液が水との共沸点を
持つ９１％へと、ＩＰＡ液７の濃度が低下するまで、Ｉ
ＰＡ液７を用いるとすると、１回のＩＰＡ液７の供給に
よって、５０回以上の乾燥処理が実行可能となる。この
数値は、充分に実用に耐える数値である。

【００８２】処理対象物の表面の水滴が、ＩＰＡ液７に
よって除去されると、図１０に示すように、再び噴流２
１が生成され、蓋１５が開放される。その後、保持アー
ム４８が挿入され、処理対象物が保持アーム４８によっ
てＩＰＡ液７の上方へと引き上げられ、蒸気充填部４５
に充満するＩＰＡ蒸気５に晒される。ＩＰＡ液の表面張
力は２２dyne/cmであり、水の表面張力である７３dyne/
cmと比較して小さいため、処理対象物の表面にＩＰＡの
液滴が付着することなく、ＩＰＡ液７からの引き上げが
可能である。したがって、この時点において、すでに処
理対象物の表面には、水分がほとんど残留しない。

【００８３】さらに、処理対象物をＩＰＡ蒸気５に晒す
ことによって、処理対象物の表面に微量だけ残存するＩ
ＰＡの薄い液膜も除去され、処理対象物の乾燥が完了す
る。ＩＰＡ液７から引き上げられた時点で、処理対象物
の表面には水分がほとんど残留していないので、気液固
相の３相界面が表面に形成されない。したがって、乾燥
後に、表面にウォーターマークが発生することはなく、
清浄な乾燥が実現する。

【００８４】その後、処理対象物としての半導体ウェハ
３およびカセット４が、保持アーム４８に保持されつ
つ、さらに引き上げられることによって、噴流２１を横
切り、開口部２２を通過して、処理槽１１の外部へと取
り出される。その後、取り出された半導体ウェハ３およ
びカセット４は、つぎの処理工程へと搬送される。そし
て、処理槽１１には、新たな半導体ウェハ３およびカセ
ット４が投入される。このように、半導体ウェハ３およ
びカセット４の乾燥処理が、反復的に実行される。

【００８５】半導体ウェハ３およびカセット４の乾燥処
理が行われるときに、それらが載置台４７の上に載置さ
れる代わりに、保持アーム４８によって、ＩＰＡ液７の
中に保持されていてもよい。このときには、半導体ウェ
ハ３およびカセット４がＩＰＡ液７に浸漬されていると
きにも、蓋１５は開いたままであり、噴流２１は停止さ
れない。

【００８６】以上のように、装置１０６では、処理対象
物をＩＰＡ液７の中に浸漬することによって、乾燥処理
が行われる。このため、処理対象物をＩＰＡ蒸気５に晒
すのみで乾燥を実行する装置１００〜１０５に比べて、
投入される半導体ウェハ３の数量の変動、ＩＰＡ蒸気５
の流れの変動などに由来するＩＰＡ蒸気５の凝縮量の不
足によって、乾燥不良が引き起こされることがなく、安
定した乾燥処理が実現する。

【００８７】＜6.実施の形態５＞図１１は、実施の形態
５の乾燥装置の構成を示す正面断面図である。この装置
１０７は、ＩＰＡ液７を再処理しつつ液貯留部４６へと
循環的に供給する装置部分が備わる点において、装置１
０６とは、特徴的に異なっている。すなわち、装置１０
７では、液貯留部４６の底部に、配管５２，５５を通じ
て、水／ＩＰＡ分離ユニット５３が接続されている。そ
して、配管５２には、ポンプ５１が介挿されている。

【００８８】ポンプ５１は、配管５２を通じて、液貯留
部４６に貯留されるＩＰＡ液７を吸引し、さらに配管５
２を通じて水／ＩＰＡ分離ユニット５３へと送出する。
水／ＩＰＡ分離ユニット５３は、例えばオレフィンなど
の水／ＩＰＡ分離膜を中空糸状に成型した部材を備えて
おり、配管５２を通じて回収されたＩＰＡ液７を、その
中に含まれるＩＰＡ液と水分へと分離する。廃液に相当
する水分は、配管５４を通じて、装置の外部へと排出さ
れる。一方、回収されたＩＰＡ液７から抽出されたＩＰ
Ａ液、すなわち、再処理が施されたＩＰＡ液は、配管５
５を通じて、液貯留部４６へと戻される。

【００８９】このように、装置１０７では、処理対象物
の乾燥処理にともなって水分の混入を受けるＩＰＡ液７
が、循環的に再処理されるので、ＩＰＡ液７における水
分の濃度の上昇が抑えられる。このため、ＩＰＡ液７を
新たに供給することなく、長期間にわたって処理対象物
を反復的に処理することが可能となる。その結果、ＩＰ
Ａ液７を交換するための装置のダウンタイムが短縮さ
れ、乾燥処理の能率が向上する。

【００９０】＜7.実施の形態６＞図１２は、実施の形態
６の乾燥装置の構成を示す正面断面図である。この装置
１０８も、装置１０７と同様に、ＩＰＡ液７を再処理し
つつ液貯留部４６へと循環的に供給する装置部分を備え
ている。ただし、水／ＩＰＡ分離ユニット５３の代わり
に、ＩＰＡ蒸留ユニット５７が用いられている。すなわ
ち、液貯留部４６の底部に、配管５２を通じて、ＩＰＡ
蒸留ユニット５７が接続されている。ＩＰＡ蒸留ユニッ
ト５７は、さらに、配管５５を通じて、例えば蒸気充填
部４５（液貯留部４６でもよい）へと接続されている。
配管５５には、ポンプ５１が介挿されている。

【００９１】液貯留部４６に貯留される水分を含んだＩ
ＰＡ液７は、例えば重力の作用により、配管５２を通じ
て、ＩＰＡ蒸留ユニット５７に備わる蒸留槽５８へと供
給される。蒸留槽５８に貯留されるＩＰＡ液６１は、蒸
留槽５８の直下に設置されたヒータ６０によって加熱さ
れる。その結果、水分を含んだＩＰＡ液６１の中のＩＰ
Ａが選択的に蒸発することによって、蒸留槽５８の中の
ＩＰＡ液６１の上方の空間には、ＩＰＡ蒸気６２が充満
する。

【００９２】ＩＰＡ蒸気６２は、蒸留槽５８の内部に設
置される集液部５９の表面に凝縮する。凝縮したＩＰＡ
液６３は、水分を含まないＩＰＡ液である。このＩＰＡ
液６３は、集液部５９によって集められ、さらに、ポン
プ５１へと送られる。ポンプ５１は、集められたＩＰＡ
液６３、すなわち、再処理されたＩＰＡ液を、配管５５
を通じて、液貯留部４６の中へと戻す。一方、ＩＰＡが
蒸発するのにともなって、ＩＰＡ液６１の水分の濃度は
次第に高くなる。水分を高濃度に含むに至ったＩＰＡ液
６１は、配管６４を通じて、装置の外部へと適宜排出さ
れる。

【００９３】このように、装置１０８においても、処理
対象物の乾燥処理にともなって水分の混入を受けるＩＰ
Ａ液７が、循環的に再処理されるので、ＩＰＡ液７にお
ける水分の濃度の上昇が抑えられる。このため、ＩＰＡ
液７を新たに供給することなく、長期間にわたって処理
対象物を反復的に処理することが可能となるので、装置
のダウンタイムが短縮され、乾燥処理の能率が向上す
る。

【００９４】＜8.実施の形態７＞図１３は、実施の形態
７の乾燥装置の構成を示す正面断面図である。この装置
１０９も、装置１０７，１０８と同様に、ＩＰＡ液７を
再処理しつつ液貯留部４６へと循環的に供給する装置部
分を備えている。ただし、水／ＩＰＡ分離ユニット５３
とＰＡ蒸留ユニット５７の双方が併用されている点が特
徴的である。すなわち、ＩＰＡ液７を循環的に再処理す
る経路に、水／ＩＰＡ分離ユニット５３とＰＡ蒸留ユニ
ット５７とが、互いに直列に介挿されている。

【００９５】ポンプ５１は、配管５２を通じて、液貯留
部４６に貯留されるＩＰＡ液７を吸引し、さらに配管５
２を通じて水／ＩＰＡ分離ユニット５３へと送出する。
水／ＩＰＡ分離ユニット５３は、配管５２を通じて回収
されたＩＰＡ液７を、その中に含まれるＩＰＡ液と水分
へと分離する。廃液に相当する水分は、配管５４を通じ
て、装置の外部へと排出される。

【００９６】一方、回収されたＩＰＡ液７から抽出され
たＩＰＡ液は、配管６５を通じて、ＩＰＡ蒸留ユニット
５７へと供給される。ＩＰＡ蒸留ユニット５７による蒸
留を通じて得られる水分を含まないＩＰＡ液、すなわち
再処理されたＩＰＡ液は、ポンプ５１へと送られる。ポ
ンプ５１は、再処理されたＩＰＡ液を、配管５５を通じ
て、液貯留部４６の中へと戻す。

【００９７】以上のように、処理対象物の乾燥処理にと
もなって水分の混入を受けるＩＰＡ液７が、水／ＩＰＡ
分離ユニット５３とＩＰＡ蒸留ユニット５７の双方を通
じて、循環的に再処理されるので、ＩＰＡ液７における
水分の濃度の上昇が、さらに効果的に抑えられる。この
ため、水分の濃度が低く純度の高いＩＰＡ液７を用いた
乾燥処理が、連続的に行われ得る。したがって、乾燥処
理を、良好な品質で、しかも、能率よく行い得る。

【００９８】なお、循環経路に介挿される水／ＩＰＡ分
離ユニット５３とＩＰＡ蒸留ユニット５７の順序は、図
１３とは逆であってもよい。

【００９９】＜9.実施の形態８＞図１４は、実施の形態
８の乾燥装置の構成を示す正面断面図である。この装置
１１０では、配管１９を流れる窒素ガスを冷却するため
の冷却器７１が、配管１９の一部に備わる点において、
装置１０６（図８）とは特徴的に異なっている。冷却器
７１には、例えば、電子冷熱素子、水冷機構、あるい
は、空冷機構等が用いられる。また、冷却器７１には、
信号線を通じてコントローラ７２が接続されている。

【０１００】図１５に示すように、半導体ウェハ３を積
載するカセット４が、水洗終了後に、保持アーム１に吊
り下げられつつ、処理槽１１の上方から噴流２１を横切
りつつ開口部２２へと挿入されるときに、噴流２１とし
て噴出する窒素ガスは、冷却器７１の働きによって、常
温よりも低い温度へと冷却されている。すなわち、半導
体ウェハ３およびカセット４は、開口部２２へと挿入さ
れるときに、冷却された窒素ガスの噴流２１に晒され
る。

【０１０１】その結果、水滴で表面が濡れたままの半導
体ウェハ３およびカセット４が、通常の水洗に用いられ
る水温２５℃より低い温度、例えば４〜２３℃にまで、
均一に冷却される。その後、半導体ウェハ３およびカセ
ット４は、図１６に示すように、開口部２２を通過し、
さらに、蒸気充填部４５の中を緩やかに通過して、ＩＰ
Ａ液７の中へと投入される。

【０１０２】半導体ウェハ３およびカセット４が蒸気充
填部４５を通過するときには、それらは、蒸気充填部４
５に充満するＩＰＡ蒸気５に晒される。このとき、冷却
された半導体ウェハ３およびカセット４の表面には、Ｉ
ＰＡ蒸気５が多量かつ均一に凝縮する。そして、それら
の表面に付着した水滴が、効率よく大きなＩＰＡの液滴
となって、表面を離れて落下してゆく。

【０１０３】すなわち、ＩＰＡ液７への投入の前に、表
面に付着する水滴の多くが、あらかじめ除去される。し
かも、半導体ウェハ３およびカセット４は、それらの表
面温度がＩＰＡ蒸気５の温度へと漸近しつつ、ＩＰＡ液
７へと投入される。このため、乾燥むらのない、良好な
乾燥処理が実現する。

【０１０４】ＩＰＡ液７への浸漬を可能にするために、
液貯留部４６には大量のＩＰＡ液７が貯留されるので、
ヒータ１０によるＩＰＡ液７の昇温には、安全性を確保
する上で限度がある。装置１１０では、処理対象物がＩ
ＰＡ液７への投入に先立って冷却されるので、ＩＰＡ液
７の温度をさほどに高くしなくても、処理対象物とＩＰ
Ａ蒸気５との間の温度差が、十分に確保される。その結
果、安全性を確保しつつ、乾燥むらのない、良好な乾燥
処理を実現することができる。

【０１０５】処理対象物の表面の水滴が、ＩＰＡ液７に
よって除去されると、図１６に示したように、処理対象
物が保持アーム４８によってＩＰＡ液７の上方へと引き
上げられ、蒸気充填部４５に充満するＩＰＡ蒸気５に晒
される。それによって、処理対象物の表面に微量だけ残
存するＩＰＡの薄い液膜が除去され、処理対象物の乾燥
が完了する。

【０１０６】コントローラ７２は、半導体ウェハ３およ
びカセット４が投入されるときに、噴流２１として十分
に冷却された窒素ガスを噴出可能なように、冷却器７１
をオン・オフする時期を調節する。例えば、新たな半導
体ウェハ３およびカセット４が投入されるよりも、幾分
早めに冷却器７１がオンされ、噴流２１を形成する窒素
ガスがあらかじめ十分に冷却される。コントローラ７２
は、例えば、保持アーム４８の動きを制御する図示しな
い制御装置からの信号を受信することによって、カセッ
ト４の動きに応じた冷却器７１の制御を遂行することが
可能となる。

【０１０７】半導体ウェハ３およびカセット４が開口部
２２を通過して処理槽１１の中に挿入された後には、例
えば、冷却器７１はオフ状態に戻される。このようにし
て、乾燥不良を抑制すると同時に、不必要な冷却を節減
することが可能である。なお、不必要な冷却が特に問題
とされないときには、コントローラ７２を設置すること
なく、装置１１０が稼働する期間には、冷却器７１が常
時オンするように、装置１１０を構成してもよい。

【０１０８】装置１１０は、配管１９を流れる窒素ガス
を冷却するように構成されたが、あらかじめ冷却された
窒素ガスを、配管１９へと供給するように構成されて
も、同様の効果が得られる。図１７は、そのように構成
された乾燥装置の構成を示す正面断面図である。

【０１０９】この装置１１１では、配管１９には切替バ
ルブ７３の出力が接続されている。そして、切替バルブ
７３の二入力の中の一方入力には、常温の窒素ガスを供
給する窒素ガス供給装置１８が配管７４を通じて接続さ
れ、他方入力には、冷却された窒素ガスを供給する冷却
窒素ガス供給装置７５が、配管７６を通じて接続されて
いる。切替バルブ７３には、さらに、信号線を通じてコ
ントローラ７２が接続されている。

【０１１０】噴流２１として常温の窒素ガスを噴出すべ
きときには、切替バルブ７３は、常温の窒素ガスを搬送
する配管７４を選択して配管１９へと連通させ、常温の
窒素ガスをノズル１３へと供給する。一方、噴流２１と
して、冷却された窒素ガスを噴出すべきとき、すなわ
ち、処理対象物が噴流２１を横切って処理槽１１の中へ
と投入されるときには、切替バルブ７３は、冷却された
窒素ガスを搬送する配管７６を選択して配管１９へと連
通させ、冷却された窒素ガスをノズル１３へと供給す
る。このような切替バルブ７３における切り替え動作
は、コントローラ７２によって制御される。

【０１１１】以上のように、装置１１１においても、必
要に応じて、常温の窒素ガスと冷却された窒素ガスとの
いずれかが選択的に、噴流２１として噴出するように構
成されているので、装置１１０と同様に、乾燥不良が抑
制されるとともに、冷却された窒素ガスの使用量が節減
されるという効果が得られる。

【０１１２】ノズル１３によって、冷却された窒素ガス
の噴流２１が生成される代わりに、処理対象物としての
半導体ウェハ３およびカセット４が、噴流２１を横断す
る前に、あらかじめ冷却されるように、装置が構成され
てもよい。図１８に、そのように構成された装置を例示
する。装置では、装置１０６（図８）の上方に、大気を
冷却するための冷却器８０が設置されている。冷却器８
０はコントローラ８１の指示にもとづいて、下方へと向
かう冷却された空気の流れ８２を生成する。

【０１１３】半導体ウェハ３およびカセット４は、保持
アーム４８に保持されつつ、処理槽８３に貯留される薬
液８４に浸漬されて、薬液８４による洗浄処理が施され
た後に、処理槽８５に貯留される洗浄水８６に浸漬され
ることにより、水洗処理が施される。その後、もう一つ
の処理槽８７に貯留される洗浄水８８に浸漬されて、さ
らに水洗処理が加えられる。

【０１１４】洗浄水８８による水洗処理が完了すると、
コントローラ８１の指示にもとづいて、冷却器８０が動
作を開始し、冷却器８０から直下に位置する処理槽１１
へ向けて、冷却された空気の流れ８２を生成する。流れ
８２が生成されている間に、半導体ウェハ３およびカセ
ット４は、洗浄水８８から引き上げられ、処理槽１１の
上方へ移送され、さらに、処理槽１１の内部へと挿入さ
れる。

【０１１５】この過程の中で、水洗完了後の半導体ウェ
ハ３およびカセット４は、冷却された空気の流れ８２の
中を通過することとなる。その結果、乾燥処理の対象と
しての半導体ウェハ３およびカセット４が、処理槽１１
の中へ挿入されるのに先立って、冷却されることとな
る。したがって、装置１１０，１１１と同様に、安全性
を確保しつつ、乾燥むらのない、良好な乾燥処理を実現
することができる。

【０１１６】＜10.実施の形態９＞図１９は、実施の形
態９の乾燥装置の構成を示す正面断面図である。この装
置１１２の処理槽９０の下部を構成する液貯留部９は、
ＩＰＡ液７を貯留可能であり、しかも、貯留するＩＰＡ
液７の中に、半導体ウェハ３およびカセット４を浸漬可
能な容量および深さを有している。液貯留部９の底部に
は、カセット４を載置可能な載置台４７が取り付けられ
ている。また、液貯留部９の直下には、ＩＰＡ液７を加
熱するためのヒータ１０が設置されている。

【０１１７】また、蒸気充填部８の上方には、冷却部９
１が備わっている。冷却部９１の上方は、処理対象物を
出し入れ可能なように開放されており、開口部２２は、
好ましくは、蓋１５によって開閉自在に覆われている。
冷却部９１の内側には、内壁面に沿うように冷却コイル
９２が取り付けられている。また、冷却部９１の外側に
は、外壁面に沿うように、例えば電子冷熱素子を有する
冷却器９３が取り付けられている。

【０１１８】装置１１２では、従来装置１５１と同様
に、冷却コイル９２に冷却水などの冷媒を供給すること
によって、ＩＰＡ蒸気５の外部への放散が防止される。
また、冷却コイル９２とともに冷却器９３が設けられる
ことによって、冷却能力が高められている。すなわち、
装置１１２では、冷却コイル９２、冷却器９３、およ
び、蓋１５が、放散防止手段を構成している。

【０１１９】装置１１２では、冷却コイル９２および冷
却器９３は、共同して高い冷却能力を発揮するので、単
にＩＰＡ蒸気５の放散を防止するだけでなく、洗浄処理
が完了した半導体ウェハ３などの処理対象物を予冷する
働きをもなす。すなわち、図２０に示すように、洗浄処
理が完了した半導体ウェハ３およびカセット４が、開口
部２２を通じて、上方から処理槽１１の中へと挿入され
るときに、冷却コイル９２および冷却器９３で囲まれた
領域、すなわち、冷却部９１の内部を通過する。

【０１２０】この領域に存在する空気などの気体は、冷
却コイル９２および冷却器９３によって冷却されてい
る。このため、処理対象物としての半導体ウェハ３およ
びカセット４が、この領域を通過する際に冷却される。
処理対象物は、この領域を緩やかに通過した後に、さら
に蒸気充填部４５の中を緩やかに通過して、ＩＰＡ液７
の中へと投入される。

【０１２１】このように、装置１１２においても、処理
対象物は、蒸気充填部８に充満するＩＰＡ蒸気５に晒さ
れるのに先だって、冷却されることとなる。したがっ
て、装置１１０，１１１と同様に、安全性を確保しつ
つ、乾燥むらのない、良好な乾燥処理を実現することが
できる。

【０１２２】なお、図１９および図２０には、冷却部９
１の内部の気体を冷却するために、冷却コイル９２と冷
却器９３の双方が設置された例を示したが、十分な冷却
能力が得られるのであれば、それらの中の一方のみが備
わっていてもよい。

【０１２３】＜11.実施の形態１０＞図２１は、実施の
形態１０の乾燥装置の構成を示す正面断面図である。こ
の装置１１４には、装置１０６（図８）と、それに隣接
する冷却水洗装置１１３とが備わっている。冷却水洗装
置１１３は、半導体ウェハ３などの処理対象物に対し
て、装置１０６で乾燥処理を実行する直前に、洗浄水を
用いて水洗処理を行うとともに冷却を行うための装置と
して構成されている。

【０１２４】すなわち、装置１１３には、床等に設置さ
れる基台９４、その上に据え付けられる処理槽８７、処
理槽８７の側壁の外側表面に取り付けられた冷却器９
３、処理槽８７の底部に設けられた載置台４７、およ
び、処理槽８７の上方に開口した開口部を開閉自在に覆
う蓋９５が備わっている。

【０１２５】処理槽８７の中には、洗浄水８８が貯留さ
れる。冷却器９３は、この洗浄水８８を、例えば４℃か
ら２３℃の範囲内で設定された温度に冷却する。カセッ
ト４に積載された半導体ウェハ３は、装置１０６による
乾燥処理の直前、すなわち、洗浄処理の最終工程で、処
理槽８７に貯留される洗浄水８８へと浸漬される。それ
によって、処理対象物としての半導体ウェハ３およびカ
セット４は、水洗処理されると同時に、洗浄水８８の温
度にまで冷却される。

【０１２６】その後、半導体ウェハ３を積載したカセッ
ト４は、保持アーム４８に保持されつつ、経路９６に沿
って、洗浄水８８から引き上げられ、置１０６に備わる
処理槽１１の上方へと水平移動し、さらに、開口部２２
を通過して処理槽１１の内部へと投入される。処理対象
物としての半導体ウェハ３およびカセット４は、ＩＰＡ
蒸気５が充満する蒸気充填部４５の中を緩やかに通過し
た後に、液貯留部４６に貯留されるＩＰＡ液７の中へと
投入される。

【０１２７】このように、装置１１４においても、処理
対象物は、蒸気充填部４５に充満するＩＰＡ蒸気５に晒
されるのに先だって、冷却されることとなる。したがっ
て、装置１１０〜１１２と同様に、安全性を確保しつ
つ、乾燥むらのない、良好な乾燥処理を実現することが
できる。

【０１２８】＜12.実施の形態１１＞図２２は、実施の
形態１１の乾燥装置の構成を示す正面断面図である。こ
の装置１１５は、蒸気充填部４５の上部に、ＩＰＡ液の
ミストを噴霧するためのミスト噴霧ノズル９７が備わる
点において、装置１０６（図８）とは特徴的に異なって
いる。ミスト噴霧ノズル９７は、例えば蒸気充填部４５
の内壁面に隣接するように設置される。

【０１２９】ミスト噴霧ノズル９７は、例えばノズル３
４（図１）と同様の一端が閉塞された円管状であり、水
平に設置されている。そして、その側壁には、開口部２
２から蒸気充填部４５へと通過する処理対象物、蒸気充
填部４５に収納される処理対象物、あるいはそれらの双
方へ向かうように、ＩＰＡ液をミスト状に噴出可能な微
細な孔（図示を略する）が複数個形成されている。ミス
ト噴霧ノズル９７の他端は、図示しない配管を通じて、
例えばＩＰＡ液供給装置３８（図３）へと接続されてお
り、ＩＰＡ液供給装置３８からＩＰＡ液の供給を受ける
ことによって、ＩＰＡ液のミスト９８を噴出する。

【０１３０】図２３に示すように、開口部２２を通じ
て、上方からカセット４に積載された半導体ウェハ３な
どの処理対象物が、処理槽１１の中へと挿入されるとき
に、開口部２２から蒸気充填部４５へと向かう際、蒸気
充填部４５を通過して液貯留部４６に貯留されるＩＰＡ
液７へと向かう際、あるいはそれらの双方において、ミ
スト噴霧ノズル９７から噴出するミスト９８を浴びる。
すなわち、処理対象物は、蒸気充填部４５に充満するＩ
ＰＡ蒸気５に晒される前、あるいは、晒されると同時に
（または、それら双方において）、ミスト９８を浴びる
こととなる。

【０１３１】処理対象物がミスト９８を浴びることによ
って、その表面は急速度でＩＰＡ液に濡れることとな
る。このため、表面に付着した水滴が、効率よく大きな
ＩＰＡの液滴となって、表面を離れて落下してゆく。す
なわち、ＩＰＡ液７への投入の前に、表面に付着する水
滴の多くが、あらかじめ除去される。このため、乾燥む
らのない、良好な乾燥処理が実現する。

【０１３２】ミスト９８を処理対象物へ浴びせることに
よる利点は、処理対象物をＩＰＡ液７の中へ投入せず
に、ＩＰＡ蒸気５に晒すことによってのみ乾燥処理を遂
行するときにも、同様に得られる。図２４は、そのよう
に構成された装置を例示する正面断面図である。この装
置１１６の処理槽９９の下部を構成する液貯留部９は、
ＩＰＡ液７を貯留可能である。液貯留部９の底部には、
カセット４を載置可能な受け皿６が取り付けられてい
る。また、液貯留部９の直下には、ＩＰＡ液７を加熱す
るためのヒータ１０が設置されている。

【０１３３】また、蒸気充填部８の上方には、冷却部９
１が備わっている。冷却部９１の上方は、処理対象物を
出し入れ可能なように開放されており、開口部は、好ま
しくは、蓋１５によって開閉自在に覆われている。冷却
部９１の内側には、内壁面に沿うように冷却コイル９２
が取り付けられている。装置１１６では、従来装置１５
１と同様に、冷却コイル９２に冷却水などの冷媒を供給
することによって、ＩＰＡ蒸気５の外部への放散が防止
される。すなわち、装置１１６では、冷却コイル９２、
および、蓋１５が、放散防止手段を構成している。

【０１３４】蒸気充填部８の上部において、その内壁面
に隣接するように、ミスト噴霧ノズル９７が水平に設置
されている。ミスト噴霧ノズル９７は、例えば、ＩＰＡ
液供給装置３８からＩＰＡ液の供給を受けることによっ
て、ＩＰＡ液のミスト９８を、開口部２２から蒸気充填
部８へと通過する処理対象物、蒸気充填部８に収納され
る処理対象物、あるいはそれらの双方へ向かうように、
噴出する。

【０１３５】このため、開口部を通じて、上方からカセ
ット４に積載された半導体ウェハ３などの処理対象物
が、処理槽９９の中へと挿入されるときに、開口部から
蒸気充填部８へと向かう際、蒸気充填部８に保持され
る、あるいはそれらの双方において、ミスト噴霧ノズル
９７から噴出するミスト９８を浴びる。すなわち、処理
対象物は、蒸気充填部４５に充満するＩＰＡ蒸気５に晒
される前、あるいは、晒されると同時に（または、それ
ら双方において）、ミスト９８を浴びることとなる。

【０１３６】その結果、処理対象物の表面は、急速度で
ＩＰＡ液に濡れる。すなわち、処理対象物の表面へＩＰ
Ａ蒸気５が凝縮するよりも速く、ミスト９８によって、
大量のＩＰＡ液が表面へと供給される。このため、乾燥
むらのない、良好な乾燥処理が実現する。しかも、乾燥
処理に要する時間を短縮して、作業効率を高めることも
可能となる。さらに、ヒータ１０によるＩＰＡ液７の昇
温を、比較的低く抑えて、安全性を高めることも可能で
ある。

【０１３７】＜13.実施の形態１２＞図２５は、実施の
形態１２の乾燥装置の構成を示す図である。この装置１
１７には、装置１０１（図１）の他に、それに隣接する
水洗用の処理槽８７（図１８）、および、コントローラ
１２０が備わっている。さらに、処理槽８７には、半導
体ウェハ３などの処理対象物の有無を検知するセンサ１
３０が取り付けられており、コントローラ１２０はセン
サ１３０からの検知信号を受信し、この検知信号にもと
づいて、ヒータ１０の出力を制御する。

【０１３８】センサ１３０は、例えば、赤外線等のビー
ム１２３を出力する発振機１２１と、ビーム１２３を受
信する受信機１２２とを備えている。半導体ウェハ３等
の処理対象物が、処理槽８７に貯留される洗浄水８８の
中に投入されると、ビーム１２３が遮蔽されるので、受
信機１２２は、処理対象物の有無を検知することが可能
となる。

【０１３９】コントローラ１２０は、例えば、センサ１
３０が処理対象物の投入を検知したときに、ヒータ１０
の出力を高め、その後、例えば一定時間にわたって、高
い出力を維持する。このため、処理対象物が、洗浄水８
８から引き上げられ、処理槽１１の中へと投入されたと
きに、処理槽１１の中に充満するＩＰＡ蒸気の熱が処理
対象物へと奪われることにともなうＩＰＡ蒸気の温度お
よび濃度の一時的な低下が抑制される。すなわち、ＩＰ
Ａ蒸気が処理対象物によって奪われる熱量を補償するよ
うに、コントローラ１２０によるヒータ１０の出力の制
御が行われる。

【０１４０】ＩＰＡ蒸気の温度および濃度が一時的に低
下すると、投入直後に開始される処理対象物へのＩＰＡ
蒸気の凝縮が、その後、一旦休止ないし弱まり、処理対
象物が不十分に乾燥した状態となる。その後、ＩＰＡ蒸
気の濃度および温度の回復にともなって、再び凝縮が開
始される。このように乾燥処理が一時中断することは、
乾燥不良の原因の一つとなり得る。

【０１４１】装置１１７では、ＩＰＡ蒸気の温度および
濃度の低下が抑えられるので、乾燥処理が一時中断する
ことに由来する乾燥不良が抑制される。すなわち、乾燥
むらのない、良好な乾燥処理を実現することが可能とな
る。しかも、乾燥処理に要する時間を短縮して、作業効
率を高めることも可能となる。

【０１４２】コントローラ１２０が、ヒータ１０の出力
を高める時期は、洗浄水８８へと処理対象物が投入され
たことをセンサ１３０が検出した時期と、必ずしも同時
でなくてもよい。例えば、センサ１３０によって、処理
対象物が洗浄水８８から引き上げられた時期、あるい
は、処理対象物が処理槽１１へと投入される時期に相当
するように設定された一定時間の後に、ヒータ１０の出
力を高くするように制御が行われてもよい。一般に、処
理槽１１の中に投入される処理対象物へと奪われる熱量
を補償可能なように、制御が行われればよい。ヒータ１
０の出力を高く維持する期間の長さも、この目的に沿う
ように、適切に設定される。

【０１４３】＜14.変形例＞以上に述べた実施の形態１
〜１２の各々は、適宜、組み合わせて実施することが可
能である。図２６にその一例を示す。すなわち、図２６
に示される装置１１８は、実施の形態１の装置１０１
（図１）と同様に、蒸気充填部４５の内壁面をＩＰＡ液
の流れ２９で覆うように構成されている。装置１１８
は、それと同時に、実施の形態４の装置１０６（図８）
と同様に、液貯留部４６に貯留されるＩＰＡ液７の中
へ、処理対象物としての半導体ウェハ３およびカセット
４を浸漬可能なように構成されている。

【０１４４】この装置１１８においても、蒸気充填部４
５の内壁面がＩＰＡ液の流れ２９で覆われるので、装置
１０１と同様に、蒸気充填部４５の内壁面へのＩＰＡ蒸
気５の無用な凝縮が抑えられるので、ＩＰＡ蒸気５の濃
度の低下の問題が緩和され、処理対象物における乾燥不
良が、装置１０６よりもさらに抑えられるという利点が
得られる。

【０１４５】

【発明の効果】第１の発明の装置では、ノズルに溶媒液
を供給することによって、処理槽の側壁の内側表面を覆
う溶媒液の流れを生成することができる。それによっ
て、側壁の内側表面への溶媒液の蒸気の無用な凝縮を抑
えることが可能となる。その結果処理対象物への蒸気の
凝縮効率が高められ、乾燥不良が抑制される。

【０１４６】第２の発明の装置では、溶媒液がノズルへ
循環的に供給されるので、溶媒液の供給に要するコスト
が節減される。

【０１４７】第３の発明の装置では、ノズルから流出す
る溶媒液が、ヒータによって加熱されるので、流出する
溶媒液への蒸気の無用な凝縮が抑制される。このため、
蒸気が、処理対象物の表面への凝縮に、さらに有効に利
用される。したがって、処理対象物の乾燥不良がさらに
抑制される。

【０１４８】第４の発明の装置では、溶媒液があらかじ
め加熱された後に、ノズルへと供給されるので、溶媒液
がノズルら流出したときには、溶媒液は、すでに昇温さ
れている。したがって、ノズルから流出する溶媒液への
蒸気の凝縮が、さらに効果的に抑制される。その結果、
蒸気が、処理対象物の表面への凝縮に、さらに有効に利
用されるので、処理対象物の乾燥不良が一層抑制され
る。

【０１４９】第５発明の装置では、処理対象物を処理槽
の底部に貯留される溶媒液の中に浸漬することによっ
て、表面に付着した水滴が除去され、その後、処理槽の
中に充満する蒸気に晒すことによって残留する溶媒液の
除去が行われる。このため、投入される処理対象物の数
量の変動、充満する蒸気の流れの変動などに由来する蒸
気の凝縮量の不足によって、乾燥不良が引き起こされる
ことがなく、安定した乾燥処理が実現する。

【０１５０】第６の発明の装置では、処理対象物の乾燥
処理にともなって水分の混入を受ける溶媒液が、循環的
に再処理されるので、溶媒液おける水分の濃度の上昇が
抑えられる。このため、溶媒液を新たに供給することな
く、長期間にわたって処理対象物の乾燥処理を反復的に
実行することが可能となる。その結果、溶媒液を交換す
るための装置のダウンタイムが短縮され、乾燥処理の能
率が向上する。

【０１５１】第７の発明の装置では、分離膜を備えた分
離手段が用いられるので、溶媒液の再処理が、簡単な構
成で、しかも、加熱などのエネルギー消費をともなうこ
となく、実現する。

【０１５２】第８発明の装置では、蒸留手段が用いられ
るので、溶媒液の再処理が、簡単な構成で実現する。

【０１５３】第９の発明の装置では、処理対象物が開口
部を通じて外部から処理槽へと投入されるときに、冷却
手段によって冷却された非反応性ガスの噴流を、噴出手
段によって生成することが可能である。すなわち、処理
対象物は、非反応性ガスの噴流によってあらかじめ冷却
された後に、処理槽の中に充満する溶媒液の蒸気の中を
通過して、溶媒液の中へと浸漬される。冷却された処理
対象物が溶媒液の蒸気の中を通過するときには、処理対
象物の表面に、溶媒液の蒸気が多量かつ均一に凝縮す
る。その結果、溶媒液への投入の前に、表面に付着する
水滴の多くが、あらかじめ除去される。このため、さら
に乾燥むらのない、良好な乾燥処理が実現する。

【０１５４】第１０の発明の装置では、処理対象物が、
噴出手段によって生成される噴流を横切って外部から処
理槽の内部へと投入されるときに限って、冷却された非
反応性ガスの噴流が生成される。このため、良好な乾燥
処理が実現するとともに、冷却された非反応性ガスの使
用量が節減され、処理に要するコストを引き下げること
ができる。

【０１５５】第１１の発明の装置では、処理対象物が、
開口部を通じて外部から処理槽の中へと投入される直前
に、冷却された空気の中を通過する。このため、処理対
象物は、あらかじめ冷却された後に、処理槽の中に充満
する溶媒液の蒸気の中を通過して、溶媒液の中へと浸漬
されることとなる。冷却された処理対象物が溶媒液の蒸
気の中を通過するときには、処理対象物の表面に、溶媒
液の蒸気が多量かつ均一に凝縮するので、溶媒液への投
入の前に、表面に付着する水滴の多くが、あらかじめ除
去される。このため、さらに乾燥むらのない、良好な乾
燥処理が実現する。

【０１５６】第１２の発明の装置では、冷却手段によっ
て開口部付近の内側が冷却されるので、処理槽の中に充
満する溶媒液の蒸気が外部へと放散するのを防止するこ
とができる。しかも、冷却手段が十分な冷却能力を有し
ているので、処理対象物は開口部を通じて処理槽の中へ
と投入されるときに冷却される。すなわち、処理対象物
は、あらかじめ冷却された後に、処理槽の中に充満する
溶媒液の蒸気の中を通過して、溶媒液の中へと浸漬され
ることとなる。冷却された処理対象物が溶媒液の蒸気の
中を通過するときには、処理対象物の表面に、溶媒液の
蒸気が多量かつ均一に凝縮するので、溶媒液への投入の
前に、表面に付着する水滴の多くが、あらかじめ除去さ
れる。このため、さらに乾燥むらのない、良好な乾燥処
理が実現する。

【０１５７】第１３の発明の装置では、処理対象物を、
洗浄処理の最終工程として、洗浄槽に貯留され冷却手段
で冷却された洗浄水へ浸漬した後に、開口部を通じて処
理槽の内部へと投入することが可能である。そうするこ
とによって、処理対象物は、あらかじめ冷却された後
に、処理槽の中に充満する溶媒液の蒸気の中を通過し
て、溶媒液の中へと浸漬されることとなる。冷却された
処理対象物が溶媒液の蒸気の中を通過するときには、処
理対象物の表面に、溶媒液の蒸気が多量かつ均一に凝縮
するので、溶媒液への投入の前に、表面に付着する水滴
の多くが、あらかじめ除去される。このため、さらに乾
燥むらのない、良好な乾燥処理が実現する。

【０１５８】第１４の発明の装置では、処理対象物は、
処理槽の中へ投入されると、ノズルから噴出される溶媒
液のミストを浴びる。その結果、処理対象物の表面へ溶
媒液の蒸気が凝縮するよりも速く、溶媒液のミストによ
って、大量の溶媒液が表面へと供給される。このため、
乾燥むらのない、良好な乾燥処理が実現する。しかも、
乾燥処理に要する時間を短縮して、作業効率を高めるこ
とが可能となる。さらに、加熱手段による溶媒液の昇温
を、比較的低く抑えて、安全性を高めることも可能とな
る。

【０１５９】第１５の発明の装置では、水洗槽から移送
され処理槽へと投入される処理対象物によって、処理槽
に充満する蒸気が奪われる熱量が補償されるように、加
熱手段の出力が制御されるので、処理対象物の投入にと
もなう溶媒液の蒸気の温度および濃度の低下が抑えられ
る。このため、乾燥処理が一時中断することに由来する
乾燥不良が抑制され、乾燥むらのない、良好な乾燥処理
が実現する。しかも、乾燥処理に要する時間を短縮し
て、作業効率を高めることが可能となる。

【０１６０】第１６の発明の装置では、噴出手段へ、ガ
スとして非反応性ガスを供給することによって、非反応
性ガスの噴流が生成され、その結果、処理槽の開口部を
覆う一種のカーテンが形成される。さらに、処理槽の側
壁が、湾曲部を有しているので、溶媒液から発生した蒸
気の外部への流出が、非反応性ガスのカーテンによって
効果的に阻まれる。このため、従来装置が必要とした冷
却コイルが不要となるので、処理槽の内部に充満する蒸
気の状態が安定する。その結果、処理対象物の乾燥不良
が、さらに効果的に抑制される。また、冷却コイルの設
置に要した処理槽の上層部が不要となるので、装置の小
型化が実現する。さらに、複雑で高価な冷却コイルが不
要であるために、装置の製造コストおよび補修コストの
節減、補修の迅速化が実現する。

【０１６１】第１７の発明の方法では、処理対象物を処
理槽の底部に貯留される溶媒液の中に浸漬することによ
って、表面に付着した水滴が除去され、その後、処理槽
の中に充満する蒸気に晒すことによって残留する溶媒液
の除去が行われる。このため、投入される処理対象物の
数量の変動、充満する蒸気の流れの変動などに由来する
蒸気の凝縮量の不足によって、乾燥不良が引き起こされ
ることがなく、安定した乾燥処理が実現する。

【０１６２】第１８の発明の方法では、処理対象物は、
あらかじめ冷却された後に、処理槽の中に充満する溶媒
液の蒸気の中を通過して、溶媒液の中へと浸漬される。
冷却された処理対象物が溶媒液の蒸気の中を通過すると
きには、処理対象物の表面に、溶媒液の蒸気が多量かつ
均一に凝縮するので、溶媒液への投入の前に、表面に付
着する水滴の多くが、あらかじめ除去される。このた
め、さらに乾燥むらのない、良好な乾燥処理が実現す
る。

【０１６３】第１９の発明の方法では、処理対象物は、
冷却された洗浄水によって水洗されるとともに冷却され
た後に、処理槽の中に充満する溶媒液の蒸気の中を通過
して、溶媒液の中へと浸漬される。冷却された処理対象
物が溶媒液の蒸気の中を通過するときには、処理対象物
の表面に、溶媒液の蒸気が多量かつ均一に凝縮するの
で、溶媒液への投入の前に、表面に付着する水滴の多く
が、あらかじめ除去される。このため、さらに乾燥むら
のない、良好な乾燥処理が実現する。

【０１６４】第２０の発明の方法では、第１〜第４、第
１４〜第１６の発明の装置の中のいずれかを用いて、処
理対象物に対する乾燥処理が行われる。このため、乾燥
処理工程の中で、処理対象物の表面は、十分な量の溶媒
液の供給を受ける。その結果、処理対象物の乾燥不良が
抑制され、良好な処理結果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１の装置の斜視断面図である。

【図２】各実施の形態の基礎となる装置の正面断面図
である。

【図３】実施の形態１の装置の正面断面図である。

【図４】実施の形態１の別の装置例の正面断面図であ
る。

【図５】実施の形態２の装置の正面断面図である。

【図６】実施の形態３の装置の正面断面図である。

【図７】実施の形態３の別の装置例の正面断面図であ
る。

【図８】実施の形態４の装置の正面断面図である。

【図９】実施の形態４の装置を用いた処理の工程図で
ある。

【図１０】実施の形態４の装置を用いた処理の工程図
である。

【図１１】実施の形態５の装置の正面断面図である。

【図１２】実施の形態６の装置の正面断面図である。

【図１３】実施の形態７の装置の正面断面図である。

【図１４】実施の形態８の装置の正面断面図である。

【図１５】実施の形態８の装置を用いた処理の工程図
である。

【図１６】実施の形態８の装置を用いた処理の工程図
である。

【図１７】実施の形態８の別の装置例の正面断面図で
ある。

【図１８】実施の形態８のさらに別の装置例の構成を
示す図である。

【図１９】実施の形態９の装置の正面断面図である。

【図２０】実施の形態９の装置を用いた処理の工程図
である。

【図２１】実施の形態１０の装置の正面断面図であ
る。

【図２２】実施の形態１１の装置の正面断面図であ
る。

【図２３】実施の形態１１の装置を用いた処理の工程
図である。

【図２４】実施の形態１１の別の装置例の正面断面図
である。

【図２５】実施の形態１２の装置の構成を示す図であ
る。

【図２６】変形例の装置を示す正面断面図である。

【図２７】従来の装置の正面断面図である。

【符号の説明】

３半導体ウェハ（処理対象物）、４カセット（処理
対象物）、５ＩＰＡ蒸気（蒸気）、７ＩＰＡ液（溶
媒液）、１０ヒータ（加熱手段）、１１，９０，９９
処理槽、１３ノズル（噴出手段）、１４排気部材
（排気手段）、１８窒素ガス供給装置（非反応性ガス
供給手段、常温ガス供給手段）、１９配管、２１噴
流、２２開口部、３４ノズル、２９流れ、３６
液受け部（液回収手段）、４１ポンプ（循環手段）、
４０ヒータ、４２ヒータ（加熱器）、５３水／Ｉ
ＰＡ分離ユニット（分離手段，再処理手段）、５７Ｉ
ＰＡ蒸留ユニット（蒸留手段）、７１，８０，９３冷
却器（冷却手段）、７３切替バルブ、７５冷却窒素ガ
ス供給装置（冷却ガス供給手段）、７２コントローラ
（制御手段）、８７処理槽（水洗槽）、９２冷却コ
イル（冷却手段）、９７ミスト噴霧ノズル（ノズ
ル）、１１３冷却水洗装置（冷却水洗手段）、１２０
コントローラ（制御手段）、１２１センサ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者黒田健兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社内 (72)発明者伴功二東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者小西瞳子東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内 (72)発明者横井直樹東京都千代田区丸の内二丁目２番３号三菱電機株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】水溶性の溶媒液を用いて処理対象物の表
面を乾燥させるための乾燥装置において、前記処理対象物を出し入れ可能で上方向を向いて開口す
る開口部を上部に規定し、底部において前記溶媒液を貯
留可能であるとともに、貯留された当該溶媒液の上方に
おいて前記処理対象物を収容可能な処理槽と、前記処理槽の前記底部に貯留される前記溶媒液を加熱可
能な加熱手段と、貯留される前記溶媒液が加熱されることによって当該溶
媒液から発生する蒸気が、前記開口部を通じて前記処理
槽の内部から外部へと放散することを防止するための放
散防止手段と、前記溶媒液の供給を受けることによって、前記処理槽の
側壁の内側表面に沿って、当該内側表面を覆うように流
れる前記溶媒液の流れを生成するノズルと、前記内側表面に沿って流れた後の前記溶媒液を回収し、
前記処理槽の外部へと導く液回収手段と、を備える乾燥装置。
【請求項２】請求項１に記載の乾燥装置において、前記液回収手段によって回収された前記溶媒液を、再び
前記ノズルへと戻すことにより、当該ノズルへ前記溶媒
液を循環的に供給する循環手段を、さらに備える乾燥装
置。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の乾燥装
置において、前記処理槽の前記側壁の外側表面に取り付けられ、前記
溶媒液の前記流れを加熱可能なヒータを、さらに備える
乾燥装置。
【請求項４】請求項１ないし請求項３のいずれかに記
載の乾燥装置において、前記循環手段が、前記液回収手段によって回収された前記溶媒液を、当該
溶媒液が前記ノズルへと戻されるのに先だって、加熱す
る加熱器を、備える乾燥装置。
【請求項５】水溶性の溶媒液を用いて処理対象物の表
面を乾燥させるための乾燥装置において、前記処理対象物を出し入れ可能で上方向を向いて開口す
る開口部を上部に規定し、底部において前記溶媒液を貯
留可能であり、しかも、貯留される当該溶媒液の中に前
記処理対象物を浸漬可能であるとともに、貯留される前
記溶媒液の上方においても前記処理対象物を収容可能な
処理槽と、前記処理槽の前記底部に貯留される前記溶媒液を加熱可
能な加熱手段と、貯留される前記溶媒液が加熱されることによって当該溶
媒液から発生する蒸気が、前記開口部を通じて前記処理
槽の内部から外部へと放散することを防止するための放
散防止手段と、を備える乾燥装置。
【請求項６】請求項５に記載の乾燥装置において、前記処理槽の前記底部に貯留される前記溶媒液を回収
し、回収された当該溶媒液から水分を除去した上で、再
び前記処理槽へと戻すことにより、貯留される前記溶媒
液を循環的に再処理する再処理手段を、さらに備える乾
燥装置。
【請求項７】請求項６に記載の乾燥装置において、前記再処理手段が、水と前記溶媒液とを分離する分離膜
によって、前記溶媒液から水分を除去する分離手段、を
備える乾燥装置。
【請求項８】請求項６に記載の乾燥装置において、前記再処理手段が、回収された前記溶媒液を蒸留するこ
とによって、前記溶媒液から水分を除去する蒸留手段、
を備える乾燥装置。
【請求項９】請求項５ないし請求項８のいずれかに記
載の乾燥装置において、前記放散防止手段が、前記開口部を挟んで互いに対向す
るように設けられる、噴出手段と排気手段と、を備え、前記排気手段は、前記噴出手段に向かって開口する排気
口を規定し、前記噴出手段は、ガスの供給を受けることによって、前
記排気口へ向かうとともに前記開口部を覆う前記ガスの
噴流を生成可能であり、前記排気手段は、前記排気口を通じて吸引した前記ガス
を外部へと排出可能であり、前記処理槽の側壁が、下方から前記開口部へと接近する
にしたがって、内側へと滑らかに湾曲する湾曲部を有し
ており、前記乾燥装置は、前記噴出手段に接続された配管と、当該配管を通じて前記噴出手段へ接続され、当該噴出手
段へ非反応性ガスを供給するための非反応性ガス供給手
段と、前記配管の少なくとも一部に設けられ、前記配管を流れ
る前記非反応性ガスを冷却するための冷却手段と、をさらに備える乾燥装置。
【請求項１０】請求項５ないし請求項８のいずれかに
記載の乾燥装置において、前記放散防止手段が、前記開口部を挟んで互いに対向す
るように設けられる、噴出手段と排気手段と、を備え、前記排気手段は、前記噴出手段に向かって開口する排気
口を規定し、前記噴出手段は、ガスの供給を受けることによって、前
記排気口へ向かうとともに前記開口部を覆う前記ガスの
噴流を生成可能であり、前記排気手段は、前記排気口を通じて吸引した前記ガス
を外部へと排出可能であり、前記処理槽の側壁が、下方から前記開口部へと接近する
にしたがって、内側へと滑らかに湾曲する湾曲部を有し
ており、前記乾燥装置は、出力が前記噴出手段へと連結されており、切替え自在に
複数の入力の一つを選択して出力へと連通させる切替バ
ルブと、常温の非反応性ガスを供給するための常温ガス供給手段
と、冷却された非反応性ガスを供給するための冷却ガス供給
手段と、前記切替バルブの切替え動作を制御する制御手段と、を
さらに備え、前記複数の入力の一つに前記常温ガス供給手段が接続さ
れ、前記複数の入力の他の一つに前記冷却ガス供給手段が接
続され、前記制御手段は、前記処理対象物が前記噴出手段によっ
て生成される前記噴流を横切って前記処理槽の内部へ投
入されるときに限って、前記噴流が冷却された前記非反
応性ガスの噴流となるように、前記切替えバルブを制御
する乾燥装置。
【請求項１１】請求項５ないし請求項８のいずれかに
記載の乾燥装置において、前記処理槽の前記開口部の上方の空気を冷却する冷却手
段を、さらに備える乾燥装置。
【請求項１２】請求項５ないし請求項８のいずれかに
記載の乾燥装置において、前記放散防止手段が、前記開口部に近接した前記処理槽の部分に設けられ、前
記開口部を通じて前記処理槽の中へと投入される前記処
理対象物を冷却可能な程度に、前記処理槽の前記開口部
付近の内側を冷却する冷却手段を、備える乾燥装置。
【請求項１３】請求項５ないし請求項８のいずれかに
記載の乾燥装置において、前記処理槽に隣接して設置された冷却水洗手段を、さら
に備え、当該冷却水洗手段は、前記処理対象物を出し入れ可能で上方向を向いて開口す
る開口部を上部に規定し、洗浄水を貯留可能であり、し
かも、貯留される当該洗浄水の中に前記処理対象物を浸
漬可能である水洗槽と、前記水洗槽に取り付けられ、前記洗浄水を冷却するため
の冷却手段と、を備える乾燥装置。
【請求項１４】水溶性の溶媒液を用いて処理対象物の
表面を乾燥させるための乾燥装置において、前記処理対象物を出し入れ可能で上方向を向いて開口す
る開口部を上部に規定し、底部において前記溶媒液を貯
留可能であるとともに、貯留された当該溶媒液の上方に
おいて前記処理対象物を収容可能な処理槽と、前記処理槽の前記底部に貯留される前記溶媒液を加熱可
能な加熱手段と、貯留される前記溶媒液が加熱されることによって当該溶
媒液から発生する蒸気が、前記開口部を通じて前記処理
槽の内部から外部へと放散することを防止するための放
散防止手段と、前記溶媒液の供給を受けることによって、前記処理槽の
内部に前記溶媒液をミスト状に噴出するノズルと、を備える乾燥装置。
【請求項１５】水溶性の溶媒液を用いて処理対象物の
表面を乾燥させるための乾燥装置において、前記処理対象物を出し入れ可能で上方向を向いて開口す
る開口部を上部に規定し、底部において前記溶媒液を貯
留可能であるとともに、貯留された当該溶媒液の上方に
おいて前記処理対象物を収容可能な処理槽と、前記処理槽の前記底部に貯留される前記溶媒液を加熱可
能な加熱手段と、貯留される前記溶媒液が加熱されることによって当該溶
媒液から発生する蒸気が、前記開口部を通じて前記処理
槽の内部から外部へと放散することを防止するための放
散防止手段と、前記処理槽に隣接して設置された冷却水洗手段と、前記加熱手段を制御する制御手段と、を備え、当該冷却水洗手段は、前記処理対象物を出し入れ可能で上方向を向いて開口す
る開口部を上部に規定し、洗浄水を貯留可能であり、し
かも、貯留される当該洗浄水の中に前記処理対象物を浸
漬可能である水洗槽と、前記水洗槽に取り付けられ、当該水洗槽に前記処理対象
物が存在するか否かを検出し、検出信号を前記制御手段
へと送出するセンサと、を備え、前記制御手段は、前記検出信号に応答して、前記水洗槽
から移送され前記処理槽へと投入される前記処理対象物
によって、前記処理槽に充満する前記蒸気が奪われる熱
量を、補償するように、前記加熱手段の出力を制御する
乾燥装置。
【請求項１６】請求項１ないし請求項８、または、請
求項１１ないし請求項１５のいずれかに記載の乾燥装置
において、前記放散防止手段が、前記開口部を挟んで互いに対向す
るように設けられる、噴出手段と排気手段と、を備え、前記排気手段は、前記噴出手段に向かって開口する排気
口を規定し、前記噴出手段は、ガスの供給を受けることによって、前
記排気口へ向かうとともに前記開口部を覆う前記ガスの
噴流を生成可能であり、前記排気手段は、前記排気口を通じて吸引した前記ガス
を外部へと排出可能であり、前記処理槽の側壁が、下方から前記開口部へと接近する
にしたがって、内側へと滑らかに湾曲する湾曲部を有し
ている乾燥装置。
【請求項１７】水溶性の溶媒液を用いて処理対象物の
表面を乾燥させるための乾燥方法において、前記処理対象物を出し入れ可能で上方向を向いて開口す
る開口部を上部に規定し、底部において前記溶媒液を貯
留可能であり、しかも、貯留される当該溶媒液の中に前
記処理対象物を浸漬可能であるとともに、貯留される前
記溶媒液の上方においても前記処理対象物を収容可能な
処理槽を準備する工程と、前記処理対象物を浸漬可能な量の前記溶媒液を、前記処
理槽の底部に貯留する工程と、貯留された前記溶媒液を加熱して、当該溶媒液の前記蒸
気を前記処理槽の中に充満させる工程と、前記処理対象物を、前記開口部を通じて外部から前記処
理槽の中へと投入する投入工程と、投入された前記処理対象物を、貯留される前記溶媒液へ
と向かって、充満する前記蒸気の中を下降させる下降工
程と、前記処理対象物を、貯留される前記溶媒液の中に浸漬さ
せることにより、前記処理対象物の表面に付着する水分
を除去する工程と、前記処理対象物を、前記溶媒液の中から引き上げ、充満
する前記蒸気に晒すことにより、前記処理対象物の表面
に残留する前記溶媒液を除去する工程と、前記処理対象物を、前記開口部を通じて前記処理槽の中
から外部へと取り出す工程と、を備える乾燥方法。
【請求項１８】請求項１７に記載の乾燥方法におい
て、前記下降工程に先だって、前記処理対象物を冷却する工
程を、さらに備える乾燥方法。
【請求項１９】請求項１７に記載の乾燥方法におい
て、前記投入工程に先立って、前記処理対象物を、冷却され
た洗浄水に浸漬して水洗する工程を、さらに備える乾燥
方法。
【請求項２０】請求項１ないし請求項４、または、請
求項１４ないし請求項１６のいずれかに記載の乾燥装置
を用いて前記処理対象物の表面を乾燥させる乾燥方法に
おいて、前記乾燥装置を準備する工程と、前記処理槽の中に前記溶媒液を供給することにより、前
記処理槽の中の一部に前記溶媒液を貯留する工程と、前記加熱手段を駆動することにより、前記溶媒液を加熱
する工程と、前記開口部を通過させることにより、前記処理対象物を
前記処理槽の中へと挿入する工程と、挿入された前記処理対象物を、前記溶媒液の液面の上方
に保持しつつ、加熱された前記溶媒液の前記蒸気によっ
て、前記処理対象物の表面を乾燥させる乾燥処理工程
と、当該乾燥処理工程の後に、前記開口部を通過させること
によって、前記処理対象物を前記処理槽の外部へと取り
出す工程と、を備える乾燥方法。