CN112289702A - 基板处理设备 - Google Patents

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许瓒宁
崔基勋
姜基文
金度宪
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Abstract

一种用于处理基板的设备包括：处理腔室，在处理腔室中限定有处理空间；支撑单元，用于在处理空间中支撑基板；流体供应单元，用于将超临界流体供应到处理空间；以及控制器，其构造成控制流体供应单元，其中流体供应单元被构造成将超临界流体以第一密度或高于第一密度的第二密度选择性地供应至处理空间中。因此，当使用超临界流体干燥基板时，可以提高基板的干燥效率。

Description

基板处理设备
技术领域
本文描述的发明构思的实施例涉及一种用于处理基板的设备，并且更具体地，涉及一种用于使用超临界流体处理基板的设备。
背景技术
通常，半导体器件由诸如晶片的基板制造。具体地，通过执行沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺等来制造半导体器件，以在基板的顶表面上形成精细电路图案。
由于在执行上述工艺的同时，基板的形成有电路图案的顶表面可能被各种异物污染，因此可以执行清洁工艺以去除异物。
通常，清洁工艺包括向基板供应化学药品以去除基板上的异物的化学处理步骤，向基板供应蒸馏水以去除残留在基板上的化学药品的漂洗步骤以及除去残留在基板上的蒸馏水的干燥步骤。
超临界流体被用于干燥基板。在一个示例中，在用有机溶剂代替基板上的蒸馏水之后，将超临界流体供应到高压腔室中的基板的顶表面，使得残留在基板上的有机溶剂溶解在超临界流体中，以从基板上去除有机溶剂。异丙醇(IPA)用作有机溶剂，在该IPA在二氧化碳(CO2)中溶解性很好，并且二氧化碳的临界温度和临界压力相对较低，为超临界流体。
使用超临界流体处理基板如下。当基板被带入高压腔室中时，处于超临界状态的二氧化碳被供应到高压腔室中以对高压腔室的内部加压。然后，在重复供应超临界流体和排出高压腔室的同时，用超临界流体处理基板。当完成基板处理时，高压腔室的内部被排空，因此压力降低。
在使用超临界流体干燥基板的常规工艺中，供应低密度且100℃或更高的高温的超临界流体，使得使用超临界流体使基板上的IPA干燥。就此而言，低密度的超临界流体在其中执行超临界过程的腔室中在从顶部到底部的一个方向上移动。因此，未溶解在从顶部移动到底部并离开腔室的超临界流体中的IPA保留在基板上并吸收到基板中，从而形成图案衬套或颗粒。因此，增加了处理时间以减少残留在基板上的IPA。然而，这可能导致半导体价格上升并且半导体产量下降。
发明内容
本发明构思的实施例提供了一种基板处理设备，当使用超临界流体处理基板时，该基板处理设备可以提高基板的处理效率。
本发明构思的实施例提供一种用于处理基板的设备，当使用超临界流体干燥基板时，该设备选择性地供应具有不同密度的超临界流体。
本发明构思的目的不限于此。通过以下描述，未提及的其他目的对于本领域技术人员将变得显而易见。
根据示例性实施例，一种用于处理基板的设备包括：处理腔室，在处理腔室中限定有处理空间；支撑单元，用于在处理空间中支撑基板；流体供应单元，用于将超临界流体供应至处理空间；以及控制器，其控制所述流体供应单元，其中，所述流体供应单元构造成将第一密度或高于所述第一密度的第二密度的超临界流体选择性地供应至所述处理空间。
该设备可以包括：第一供应管线，可以在该第一供应管线处安装第一储存器，其中，可以将第一密度的超临界流体存储在第一储存器中；以及第二供应管线，可以在该第二供应管线处安装第二储存器，其中第二密度的超临界流体可以储存在第二储存器中。
第一储存器和第二储存器可以具有不同的温度。
第一储存器和第二储存器可具有不同的压力。
该设备可以包括设置在第一供应管线处以加热超临界流体的第一加热器，以及设置在第二供应管线处以加热超临界流体的第二加热器。
第一加热器和第二加热器可以具有不同的输出。
控制器可以控制第一加热器和第二加热器分别加热第一密度和第二密度的超临界流体以具有不同的温度。
该设备可以包括：储存器，用于容纳超临界流体；供应管线，用于将包含在储存器中的超临界流体供应至处理空间；第一加热器，其安装在该供应管线处并且位于该储存器的下游；旁通管线，其连接至供应管线并被构造成绕过第一加热器；以及调节构件，该调节构件允许超临界流体沿朝向旁通管线的方向和朝向第一加热器的方向当中的选定方向流动。
该设备还可以包括第二加热器，该第二加热器安装在供应管线处并且设置在旁通管线与储存器之间或者旁通管线与处理空间之间。
当超临界流体流过第一加热器时，第一密度的超临界流体可以被供应至处理空间。当超临界流体流过旁通管线时，第二密度的超临界流体可以被供应至处理空间。
当超临界流体流过第一加热器和第二加热器时，第一密度的超临界流体可以被供应至处理空间。当超临界流体流过第二加热器和旁通管线时，第二密度的超临界流体可以被供应至处理空间。
控制器可以控制流体供应单元以依次执行：加压步骤，在将基板放入处理空间之后，将超临界流体供应到处理空间以对处理空间加压；处理步骤，将超临界流体供应至处理空间以用超临界流体处理基板；和减压步骤，在完成基板处理之后，将超临界流体排出处理空间。
控制器可以控制流体供应单元，使得加压步骤包括第一加压步骤，将第二密度的超临界流体供应至处理空间以将处理空间加压至预设压力；和第二加压步骤，将第一密度的超临界流体供应至处理空间以将处理空间加压至目标压力。
控制器可以控制流体供应单元，使得可以执行减压步骤，从而可以在将超临界流体从处理空间排出期间将超临界流体供应至处理空间，并且在减压步骤中供应至处理空间的超临界流体的温度可以高于在加压步骤中供应至处理空间的超临界流体的温度。
控制器可以控制流体供应单元，使得可以执行减压步骤，从而供应至处理空间的超临界流体的每单位时间的供应量可以小于排放出处理空间的超临界流体的每单位时间的排放量。
控制器可以控制流体供应单元，使得在减压步骤中供应至处理空间的超临界流体的每单位时间的供应量可以小于在加压步骤中供应至处理空间的超临界流体的每单位时间的供应量。
控制器可以控制流体供应单元，使得减压步骤包括：第一减压步骤，将第一密度的超临界流体供应至处理空间，同时将超临界流体排出处理空间；以及第二减压步骤，在第一减压步骤之后，将超临界流体排出处理空间，而不将超临界流体供应到处理空间。
该设备可以包括：支撑单元，用于在处理空间中支撑基板，使得基板的图案表面向上；下供应管线，其连接至处理空间的底部，以将超临界流体供应至处理空间；以及上供应管线，其连接到处理空间的顶部以将超临界流体供应至处理空间，其中控制器可以控制流体供应单元，使得在加压步骤中，可以通过下供应管线将超临界流体供应至底部区域，并且在处理步骤中，可以通过上供应管线将超临界流体供应到基板的顶部区域。
控制器可以控制流体供应单元，使得可以执行处理步骤，从而用于将超临界流体供应至处理空间的供应步骤和用于将超临界流体从处理空间排出的排放步骤被依次重复多次，并且在重复的供应步骤中的一个供应步骤中供应至处理空间的超临界流体的密度和在重复的供应步骤中的另一供应步骤中供应至处理空间的超临界流体的密度彼此不同。
控制器可以控制流体供应单元，使得在供应步骤中供应至处理空间的每单位时间的超临界流体的量可以小于在加压步骤中供应至处理过程的每单位时间的超临界流体的量。
控制器可以控制流体供应单元，使得在供应步骤中供应至处理空间的超临界流体的温度可以高于在加压步骤中供应至处理空间的超临界流体的温度。
控制器可以控制流体供应单元，使得在排放步骤中供应至处理空间的超临界流体的温度可以高于在加压步骤中供应至处理空间的超临界流体的温度或在供应步骤中供应至处理空间的超临界流体的温度。
基板的处理可以包括以下过程，其中可以将残留在基板上的有机溶剂溶解在超临界流体中，从而从基板上去除有机溶剂。
超临界流体可以包括二氧化碳。
附图说明
通过以下参考附图的描述，上述及其他目的和特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则贯穿各个附图，相同的附图标记表示相同的部分，并且其中：
图1是示意性示出根据本发明构思的实施例的基板处理设备的平面视图；
图2是示意性地示出图1的液体处理设备的一个实施方式的视图；
图3是示意性地示出图1的超临界设备的一个实施例的视图；
图4是示意地表示用于供给超临界流体的流体供应单元的示例的视图；
图5是示出将第一密度或第二温度的超临界流体从图4的流体供应单元供应到腔室的状态的视图；
图6是示出将第二密度或第一温度的超临界流体从图6的流体供应单元供应到腔室的状态的视图；
图7是示意性地示出用于供给超临界流体的流体供应单元的另一示例的视图；
图8是示出将第一密度或第二温度的超临界流体从图7的流体供应单元供应到腔室的状态的视图；
图9是示出将第二密度或第一温度的超临界流体从图7的流体供应单元供应到腔室的状态的视图；
图10是示意性地示出图7的流体供应单元的改进的视图；
图11是示出根据本发明构思的一个实施例的基板处理方法的流程图的视图；
图12是示出腔室内的压力随时间变化的视图；
图13至图16是分别示意性地示出供给至处理腔室的二氧化碳随时间变化的浓度的视图；
图17至图19是分别示意性地示出供给至处理腔室的二氧化碳随时间变化的温度的视图；和
图20是示出传统腔室中的温度T1以及根据本发明构思的腔室内部的温度T2和压力P的曲线图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图更详细地描述本发明构思的实施例。可以以各种形式修改本发明构思的实施例。本发明构思的范围不应被解释为限于以下实施例。提供实施例以向本领域技术人员更充分地解释本发明构思。因此，为了更清楚地描述，附图中的每个元件的形状被放大。
图1是示意性示出根据本发明构思的实施例的基板处理系统的平面视图。参照图1，基板处理系统包括分度模块10、处理模块20和控制器(未示出)。在一个实施例中，分度模块10和处理模块20沿一个方向布置。以下，将分度模块10和处理模块20的布置方向称为第一方向92。从上方观察时，与第一方向92垂直的方向被称为第二方向94。垂直于第一方向92和第二方向94两者的方向被称为第三方向96。
分度模块10将基板W从存储有基板W的容器80传送到处理模块20，并且将在处理模块20中处理过的基板W传送至容器80。分度模块10的长度方向是第二方向94。分度模块10具有装载端口12和分度框架14。装载端口12在分度框架14周围与处理模块20相对。将其中容纳有基板W的容器80放置在装载端口12上。可以提供多个装载端口12。多个装载端口12可以沿着第二方向94布置。
容器80可以包括密封容器，例如FOUP(前开式统集盒)。容器80可以由操作员或诸如高架转移、高架输送机或自动引导车辆的传送装置(未示出)而放置在装载端口12上。
分度框架14具有分度机械臂120。分度框架14具有长度方向为第二方向94的导轨140。分度机械臂120可配置为在导轨140上可移动。分度机械臂120包括其上放置有基板W的手122。手122可以被配置为能够向前和向后移动，绕第三方向96旋转并沿着第三方向96移动。多个手122可以沿竖直方向被布置并且可以彼此间隔开。手122可以彼此独立地向前和向后移动。
处理模块20包括缓冲单元200、转移设备300、液体处理设备400和超临界设备500。缓冲单元200提供了空间，运送到处理模块20中的基板W和运送出处理模块20的基板W暂时滞留在该空间中。液体处理设备400执行将液体供应到基板W上以使用液体来处理基板W的液体处理工艺。超临界设备500执行干燥工艺以去除残留在基板W上的液体。传送设备300在缓冲单元200、液体处理设备400和超临界设备500之间传送基板W。
转移设备300可以具有第一方向92的长度方向。缓冲单元200可以设置在分度模块10和转移设备300之间。液体处理设备400和超临界设备500可以设置在转移设备300的侧部上。液体处理设备400和转移设备300可以沿着第二方向94布置。超临界设备500和转移设备300可以沿着第二方向94布置。缓冲单元200可以位于转移设备300的一端。
在一个示例中，液体处理设备400可以分别设置在转移设备300的两侧。超临界设备500可以分别设置在转移设备300的两侧。液体处理设备400可以比超临界设备500更靠近缓冲单元200。在转移设备300的一侧，液体处理设备400可以A×B矩阵(A和B中的每一个都是1或更大的自然数)分别沿第一方向92和第三方向96布置。此外，在转移设备300的一侧，超临界设备500可以C×D矩阵(C和D中的每个是1或更大的自然数)分别沿着第一方向92和第三方向96布置。可替代地，仅液体处理设备400可以设置在转移设备300的一侧，而仅超临界设备500可以设置在其另一侧。
转移设备300具有转移机械臂320。转移设备300具有长度方向为第一方向92的导轨340。转移机械臂320可配置为在导轨340上可移动。机械臂320包括其上放置有基板W的手322。手322可以被配置为能够向前和向后移动，绕第三方向96旋转并且沿着第三方向96移动。多个手322可以在竖直方向上被布置并彼此间隔开。手322可以彼此独立地向前和向后移动。
缓冲单元200具有其上放置基板W的多个缓冲器220。缓冲器220可以被构造成沿第三方向96彼此间隔开。缓冲器单元200具有开放的前表面和开放的后表面。前表面面对分度模块10，而后表面面对转移设备300。分度机械臂120通过前表面访问缓冲单元200。转移机械臂320可以通过后表面访问缓冲单元200。
图2是示意性地示出图1的液体处理设备400的一个实施例的视图。参照图2，液体处理设备400具有壳体410、杯状体420、支撑单元440，液体供应单元460、升降单元480以及控制器40。控制器40控制支撑单元440、液体供应单元460和升降单元480中的每一个的操作。壳体410通常形成为长方体形状。杯状体420、支撑单元440和液体供应单元460设置在壳体410中。
杯状体420具有带有敞开的顶部的处理空间。基板W在处理空间内用液体处理。支撑单元440在处理空间内支撑基板W。液体供应单元460将液体供应到由支撑单元440支撑的基板W上。液体具有多种类型。可以将多种类型的液体顺序地供应到基板W上。升降单元480调节杯状体420和支撑单元440之间的相对高度。
在一个示例中，杯状体420具有多个收集容器422、424和426。每个收集容器422、424和426具有用于收集用于处理基板的液体的收集空间。每个收集容器422、424和426形成为围绕支撑单元440的环形。随着液体处理工艺的进行，通过基板W的旋转而散射的预处理液体分别通过收集容器422、424和426的每个入口422a、424a和426a而进入收集空间。在一个示例中，杯状体420具有第一收集容器422、第二收集容器424和第三收集容器426。第一收集容器422被构造为围绕支撑单元440，第二收集容器424被构造为围绕第一收集容器422并且第三收集容器426被构造成围绕第二收集容器424。第二入口424a可以位于第一入口422a上方，液体通过第二入口424a进入第二收集容器424中，液体通过第一入口422a进入第一收集容器422中。第三入口426a可以位于第二入口424a的上方，液体通过第三入口426a供给到第三收集容器426中。
支撑单元440具有支撑板442和驱动轴444。支撑板442的顶表面通常可以形成为圆形，并且其直径可以大于基板W的直径。支撑销442a设置在支撑板442的中央以支撑基板W的后表面。支撑销442a具有从支撑板442突出的顶部，使得基板W与支撑板442间隔一定距离。卡盘销442b设置在支撑板442的边缘。
卡盘销442b从支撑板442向上突出并支撑基板W的侧部，使得当基板W旋转时基板W不会偏离支撑单元440。驱动轴444由致动器446驱动，并且连接到基板W的底表面的中心，并且使支撑板442绕其中心轴旋转。
在一个示例中，液体供应单元460具有第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466。第一喷嘴462将第一液体供给到基板W上。第一液体可以是去除膜或残留在基板W上的异物的液体。第二喷嘴464将第二液体供给到基板W上。第二液体可以是可溶于第三液体的液体。例如，第二液体可以是比第一液体更易溶于第三液体的液体。第二液体可以是中和供应在基板W上的第一液体的液体。此外，第二液体可以是中和第一液体并且同时比第一液体更易溶于第三液体的液体。
在一个示例中，第二液体可以是水。第三喷嘴466将第三液体供给到基板W上。第三液体可以是在超临界设备500中使用的超临界流体中很好溶解的液体。例如，第三液体可以是比第二液体更易溶于在超临界设备500中使用的超临界流体中的液体。在一个实例中，第三液体可以是有机溶剂。有机溶剂可以是异丙醇(IPA)。在一个示例中，超临界流体可以是二氧化碳。
第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466被支撑在不同的臂461上。这些臂461可以独立地移动。替代地，第一喷嘴462、第二喷嘴464和第三喷嘴466可以安装在同一臂上并且同时移动。
升降单元480在竖直方向上移动杯状体420。杯状体420和基板W之间的相对高度由于杯状体420的竖直运动而改变。因此，用于收集预处理液体的收集容器422、424和426根据供给到基板W上的液体的类型而改变，从而可以分别收集液体。可替代地，杯状体420可以被固定地安装，并且升降单元480可以在竖直方向上移动支撑单元440。
图。图3是示意性地示出图1的超临界设备500的一个实施例的图。根据一个实施例，超临界设备500使用超临界流体来去除基板W上的液体。在一个示例中，基板W上的液体可以是IPA。超临界设备500可将超临界流体供应到基板W上以将基板W上的IPA溶解在超临界流体中以从基板W去除IPA。
超临界设备500具有处理腔室520、流体供应单元560、支撑设备580和排放管线550。
处理腔室520提供在其中执行清洁工艺的处理空间502。处理腔室520具有上壳体522和下壳体524。上壳体522和下壳体524彼此组合以提供如上所述的处理空间502。上壳体522位于下壳体524上方。
上壳体522具有固定位置。下壳体524可以通过诸如气缸的驱动构件590上下移动。当下壳体524与上壳体522分离时，处理空间502被打开，因此基板W被带入或带出处理空间502。
在此过程中，下壳体524与上壳体522紧密接触，因此处理空间502与外界隔绝。加热器570位于处理腔室520的壁的内部。加热器570加热处理腔室520的处理空间502，使得供应到处理腔室520的内部空间中的流体保持超临界状态。处理空间502的内部具有超临界流体的气氛。
支撑装置580在处理腔室520的处理空间502内支撑基板W。被带入处理腔室520的处理空间502的基板W被放置在支撑装置580上。在一个示例中，基板W被支撑在支撑装置580上，同时其图案表面朝上。
流体供应单元560将用于处理基板的清洁流体供应到处理腔室520的处理空间502中。在一个示例中，流体供应单元560具有主供应管线562、上供应管线564和下供应管线566。上供应管线564和下供应管线566从主供应管线562分支。上供应管线564可以联接到上壳体522的中心。在一个示例中，下供应管线566可以连接至下壳体524的中心。此外，排放管线联接至下壳体524。处理腔室520的处理空间502中的超临界流体通过排放管线排出处理腔室520。
图4是示意性示出根据本发明构思的一个实施例的流体供应单元560的视图。参照图4，流体供应单元560将超临界流体供应到处理空间502。
流体供应单元560具有第一储存器615和第二储存器625。第一储存器615和第二储存器625连接到流体供应源(未示出)，以从流体供应源接收二氧化碳。流体供应源可以包括连接到罐或处理腔室的循环管线。第一储存器615安装在第一供应管线610上。第二储存器625安装在第二供应管线620上。在一个示例中，第一供应管线610和第二供应管线620连接到主供应管线562。第一供应线610和第二供应线620彼此并联连接。可以在第一供应管线610和第二供应管线620中的每一个处设置用于加热超临界流体的加热器。设置在第一供应管线610中的加热器和设置在第二供应管线620中的加热器可以具有不同的输出。
在一个示例中，第一储存器615和第二储存器625中的每一个可以以超临界状态储存二氧化碳。储存在第一储存器615和第二储存器625中的超临界流体的温度、压力或密度可以彼此不同。例如，第一储存器615可以储存第一密度的超临界流体，而第二储存器625可以储存第二密度的超临界流体。第一密度不同于第二密度。例如，第二密度可以高于第一密度。
第一储存器615和第二储存器625具有不同的内部温度或/和压力。因此，第一储存器615和第二储存器625中的二氧化碳的密度可以彼此不同。例如，第一储存器615中的超临界状态的二氧化碳的密度可以为200kg/m3至400kg/m3，而第二储存器625中的超临界状态的二氧化碳的密度可以为600kg/m3至800kg/m3。
替代地，第一储存器615可以在第二温度下将二氧化碳存储在其中，并且第二储存器625可以在第一温度下将二氧化碳存储在其中。第一温度不同于第二温度。例如，第二温度可以是高于第一温度的温度。
替代地，第一储存器615可以在第一压力下将二氧化碳存储在其中，第二储存器625可以在第二压力下将二氧化碳存储在其中。第一压力和第二压力彼此不同。例如，第二压力可以高于第一压力。
替代地，第一储存器615和第二储存器625以相同的密度或/和相同的温度和/或相同的压力将二氧化碳存储在其中。设置在第一供应管线610中的第一加热器618的输出和设置在第二供应管线620中的第二加热器628的输出可以彼此不同，使得流过第一供应管线610的二氧化碳的密度或/和温度以及流过第二供应管线620的二氧化碳的密度或/和温度彼此不同。
第一供应管线610具有安装在其上的第一泵612、第一前阀614、第一后阀616和第一过滤器619。第一泵612安装在第一储存器615的前端以将二氧化碳排放到第一储存器615。第一前阀614控制从第一泵612排放到第一储存器615的二氧化碳的流量。第一后阀616控制从第一储存器615供应到第一加热器618的二氧化碳的流量。第一过滤器619位于第一加热器618的下游，以去除在第一供应管线610中流动的杂质。第一调节阀617调节从第一供应管线610供应到处理空间502的超临界流体的流量。
第二供应管线620具有安装在其上的第二泵622、第二前阀624、第二后阀626和第二过滤器629，它们的布置方式与第一供应管线610的第一泵612、第一前阀614、第一后阀616和第一过滤器619的布置方式相同。第二泵622安装在第二储存器625的前端处，以将二氧化碳排放到第二储存器625中。第二前阀624控制从第二泵622排放到第二储存器625的二氧化碳的流量。第二后阀626控制从第二储存器625供应到第二加热器628的二氧化碳的流量。第二过滤器629位于第二加热器628的下游，以去除在第二供应管线620中流动的杂质。第二调节阀627调整从第二供应管线620供应到处理空间502的超临界流体的流量。
控制器可以控制流体供应单元560的组件。当二氧化碳用于以相对较低的密度作为第一密度或相对较高的温度作为第二温度供应到处理空间502时，控制器如图5所示打开第一前阀614、第一后阀616和第一调节阀617，并且关闭第二前阀624、第二后阀626和第二调节阀627，使得第一储存器615中存储的二氧化碳通过第一供应管线610被供应到处理空间502。
当二氧化碳用于以相对较高的密度作为第二密度或相对较低的温度作为第一温度供应到处理空间502中时，控制器如图6所示打开第二前阀624、第二后阀626和第二调节阀627并且关闭第一前阀614、第一后阀616和第一调节阀617，使得第二储存器625中存储的二氧化碳通过第二供应管线620被供应到处理空间502。
图7是示意性示出流体供应单元560的另一示例的视图。参照图7，流体供应单元560具有储存器645、主供应管线562和旁通管线630。储存器645连接至流体供应源以从流体供应源接收二氧化碳。流体供应源可以包括连接到罐或处理腔室的循环管线。储存器645安装在主供应管线562处。
在一个示例中，旁通管线630允许从储存器645流出的流体绕过第二加热器648。旁通管线630在第一点631和第二点633处连接到主供应管线562。与第二点633相比，第一点631位于主供应管线562的上游。第一加热器668和第二加热器648布置在主供应管线562上。第一加热器668安装在储存器645和第一点631之间。第二加热器648安装在第一点631和第二点633之间。在一个示例中，第二加热器648可以具有比第一加热器668的输出更高的输出。
主供应管线562具有安装在其上的泵642、阀643、646和647以及过滤器649。泵642安装在储存器645的前端以将二氧化碳排放到储存器645中。前阀643控制从泵642排放到储存器645的二氧化碳的流量。后阀646调节从储存器645供应到第一加热器668的二氧化碳的流量。旁通阀632安装在旁通管线630上。过滤器649设置在第二点633的下游，以从主供应管线562去除杂质。调节阀647调节从主供应管线562供应到处理空间502的超临界流体的流量。
流体供应单元560的操作由控制器控制。当二氧化碳用于以相对低的密度作为第一密度或相对较高的温度作为第二密度供应到处理空间502时，控制器如图8所示打开前阀643、后阀646和调节阀647，并且关闭旁通阀632，使得二氧化碳经由第一加热器668和第二加热器648被供应至处理空间502。
当二氧化碳用于以相对较高密度的第二密度或相对较低密度的第一温度供给至处理空间502时，控制器如图9所示打开前阀643，关闭后阀646，打开调节阀647并且打开旁通阀632，使得二氧化碳在绕过第二加热器648的同时经由第一加热器668供给到处理空间502。
在上述示例中，示出了第一加热器668和第二加热器648中的每一个被安装在供应管线处。然而，如图10所示，第二加热器648可以设置在供应管线中的第一点631和第二点633之间，而加热器可以不设置在储存器和第一点631之间。
图11是依次示出根据一个实施例的用于在干燥室中处理基板的设备的视图。图12示出了处理空间中的随着时间变化的压力状态。参照图11和图12，,用于处理基板的设备可以包括加压步骤S100、处理步骤S200、减压步骤S300和打开步骤S400。当将基板放入处理空间502中时，执行加压步骤S100。在加压步骤S100中，将超临界流体供应至处理空间502以对处理空间502加压。进行加压直到处理空间502的内部处于或高于二氧化碳成为超临界流体的临界压力为止。
加压步骤S100包括第一加压步骤S101和第二加压步骤S103。在第一加压步骤S101中，将超临界状态的二氧化碳供应至处理空间502，使得处理空间502被加压至预设压力P1。然后，在第二加压步骤S103中，将超临界状态的二氧化碳供应至处理空间502，使得处理空间502被加压至目标压力P2。在一个示例中，在第一加压步骤S101中向处理空间502加压的预设压力P1可以为70巴，在第二加压步骤S103中向处理空间502加压的目标压力P2可以为150巴。在第一加压步骤S101中可以以比第二加压步骤S103中更高的密度供应二氧化碳。
处理步骤S200将超临界流体供应到处理空间502以用超临界流体处理基板。处理步骤S200包括供应步骤S201和排放步骤S203。供应步骤S201和排放步骤S203依次且重复地执行。在供应步骤S201中，将二氧化碳供应到处理空间502。在排放步骤S203中，排放处理空间502。
当基板的处理完成时，执行减压步骤S300以允许排放处理空间502。在一个示例中，执行减压直到处理空间502内部的压力达到常压或与其相似的压力。当减压步骤S300完成时，执行用于打开腔室的打开步骤S400。因此，当腔室打开时，基板被从处理空间502中取出。
图13至图16是示意性地示出供应到处理腔室的二氧化碳随时间变化的浓度的视图。参照图13，二氧化碳在第一加压步骤中的密度高于第二加压步骤中的密度。例如，在第一加压步骤S101中将第二密度D2的二氧化碳供应至处理空间502。在第二加压步骤S103中，将比在第一加压步骤S101中供应的二氧化碳的密度低的第一密度D1的二氧化碳供应至处理空间502。在一个示例中，第一密度D1可以为200kg/m3至400kg/m3，并且第二密度D2可以是600kg/m3至800kg/m3。
在第二加压步骤S103中，以相对低的密度供应二氧化碳，使得增加了二氧化碳在处理空间502中的扩散速率。扩散在处理空间502中的二氧化碳有效地溶解了IPA。此外，随着时间的流逝，相对高的密度的二氧化碳首先从处理空间502中的基板的底部向顶部移动，从而以可靠的方式发生二氧化碳和IPA的混合。
在一个示例中，在第一加压步骤S101中，以第二密度D2将二氧化碳供应到处理空间502。在第一加压步骤S101中，以相对高的密度供应二氧化碳，使得在加压步骤S100开始时短时间内将大量的二氧化碳供应至处理空间502。之后，在第二加压步骤S103中，以比第二密度D2低的第一密度D1向处理空间502供给二氧化碳。
在一个示例中，在供应步骤S201的其中一个供应步骤中供应到处理空间502的二氧化碳的密度可以不同于在供应步骤S201的另一个供应步骤中供应到处理空间502的二氧化碳的密度。在一个示例中，在供应步骤S201中供应到处理空间502的二氧化碳的密度是第一密度D1或第二密度D2。在一个示例中，可以在连续的供应步骤S201中交替地执行一次第一密度D1的超临界流体的供应和第二密度D2的超临界流体的供应。
在供应步骤S201中，可以重复注入具有不同密度的二氧化碳以获得搅拌效果，其中IPA和二氧化碳在处理空间502中彼此充分混合，从而增加IPA在二氧化碳中的溶解度。
当一定量的IPA以超临界状态溶解在二氧化碳中时，IPA不再溶解在二氧化碳中。因此，执行排放步骤S203以从处理空间502排出溶解在二氧化碳中的一定量的IPA。随后，执行供应步骤S201以将超临界状态中的新二氧化碳供应到处理空间502，使得IPA持续溶解在二氧化碳中。重复执行排放步骤S203和供应步骤S201。
在一个示例中，在每个供应步骤S201中，可以供应二氧化碳，直到处理空间502中的压力变为目标压力P2为止。在每个排放步骤S203中，执行处理空间502的排放，使得处理空间502中的压力维持高于临界压力的压力。
在供应步骤S201期间，可以连续供应N次第一密度D1的超临界流体，并且可以连续供应M次第二密度D2的超临界流体。在一个示例中，M和N中的至少一个可以是2或更大。在一个示例中，M和N可以是不同的数字。在一个示例中，M可以是大于N的数。参照图14，在连续供应步骤S201中，可以供应两次第二密度D2的超临界流体，随后，在供应步骤S201中，可以供应一次第一密度的超临界流体。
根据本发明构思，将具有不同密度的二氧化碳交替地供应到处理空间502可以实现增加干燥效率、最小化IPA的残留量并减少处理步骤S200的处理时间的优点。
上面已经描述了在加压步骤和处理步骤的每一个中以不同密度将超临界二氧化碳供给至处理空间的示例。然而，如图15所示，在加压步骤S100中，可以以相同的密度供应超临界二氧化碳，并且仅在处理步骤S200中，可以以不同的密度供应超临界二氧化碳。可替代地，如图16所示，在处理步骤S200中，可以以相同的密度供应超临界二氧化碳，并且仅在加压步骤S100中，可以以不同的密度供应超临界二氧化碳。
上面已经描述了以第一密度和第二密度供给超临界流体的示例。然而，超临界流体可以以第一密度、高于第一密度的第二密度和高于第一密度且低于第二密度的第三密度供给。在一个示例中，第一密度可以是200kg/m3至400kg/m3。第二密度可以为600kg/m3至800kg/m3。第三密度可以是400kg/m3至600kg/m3。
图17至图19是分别示意性地示出了供应到处理腔室的二氧化碳随时间变化的温度的视图。
参照图17，在该实施方式中，在排放处理空间的同时供应超临界二氧化碳。在一个示例中，在加压步骤S100中供应到处理空间502的二氧化碳的温度是第一温度T1。
在排放步骤S203中供应到处理空间502的二氧化碳具有相对高的温度。在排放步骤S203中供应到处理空间502的二氧化碳的温度可以高于在加压步骤S100中供应到处理空间502的二氧化碳的温度。在一个示例中，在排放步骤S203中供应到处理空间502的二氧化碳的温度是第二温度T2。
在减压步骤S300中供应到处理空间502的二氧化碳的温度可以高于在加压步骤S100中供应到处理空间502的二氧化碳的温度。在一个示例中，在减压步骤S300中供应到处理空间502的二氧化碳的温度是第二温度T2。
在加压步骤、处理步骤和第一减压步骤S301中，将超临界状态的二氧化碳供应至处理空间502。在一个示例中，在第一加压步骤S101中以每单位时间的供给量Q1供给二氧化碳，并且在第二加压步骤S103中以每单位时间的供给量Q2供给二氧化碳。Q1可以大于Q2。
在供应步骤S201中供应的每单位时间的二氧化碳的量小于在加压步骤S100中供应的每单位时间的二氧化碳的量。在一个示例中，在供应步骤S201中供应的每单位时间的二氧化碳的量为Q3。Q3小于Q2。可以在排放步骤S203中将二氧化碳供应到处理空间502。在排放步骤S203中供应至处理空间502的二氧化碳的每单位时间的供应量小于在供应步骤S201中供应至处理空间502的二氧化碳的每单位时间的供应量。在一个示例中，在排放阶段中供应的二氧化碳的每单位时间的供应量为Q4。在排放步骤S203中，每单位时间的二氧化碳的排放量大于每单位时间的二氧化碳的供应量。在一个示例中，在排放步骤S203中每单位时间的排放量为V3。建立V3＞Q4的关系。
在第一减压步骤S300中供应至处理空间502的超临界流体的每单位时间的供应量小于在加压步骤S100或供应步骤S201中供应至处理空间502的超临界流体的每单位时间的供应量。在一个示例中，在第一减压步骤S301中，每单位时间的二氧化碳的供应量是Q4，其低于Q3。在第一减压步骤S301中供应至处理空间502的二氧化碳的每单位时间的供应量小于来自处理空间502的二氧化碳的每单位时间的排放量。在一个示例中，在第一减压步骤S301中的二氧化碳的每单位时间的排放量V2高于V3。建立V2＞Q4的关系。
在第二减压步骤S303中，排放处理空间502而不向其供应二氧化碳。在一个示例中，在第二减压步骤S303中，其每单位时间的排放量是比V2高的V1。
图20是示出传统腔室中的温度T1以及根据本发明构思的腔室内部的温度T2和压力P的曲线图。参照图20，当减压步骤S300排放处理空间502时，传统处理腔室内的温度T1由于突然的压力下降而迅速降低。因此，随着处理空间502内的温度降低，IPA在二氧化碳中的溶解度降低。当处理空间502内的温度下降到低于31摄氏度时，处于超临界状态的二氧化碳变为亚临界状态。在二氧化碳的亚临界状态下，IPA在二氧化碳中的溶解度大大降低。因此，亚临界状态的二氧化碳与IPA形成混合物，而污染基板。
根据本发明构思，通过在排放步骤S203和压力下降的减压步骤S300中供应相对高温的二氧化碳，可以将腔室内的温度T2保持在高温。因此，具有将IPA在二氧化碳中的溶解度维持在高水平的优点。此外，由于温度补偿，腔室内的二氧化碳保持在超临界状态。因此，维持了IPA在二氧化碳中的溶解度。因此，当对处理空间502进行减压时，溶解在超临界状态的二氧化碳中的IPA被排放到腔室外。在一个示例中，第二温度的下限被设置为高于二氧化碳的临界温度的值，从而将腔室内的二氧化碳维持在超临界状态。
上面已经描述了在执行减压步骤S300的同时将第二温度T2的二氧化碳连续供应到处理空间502的示例。然而，可以仅在第一减压步骤S301中供应处于第二温度T2的二氧化碳。
上面已经描述了其中在减压步骤S300开始的同时开始减压步骤S300中的供应二氧化碳的示例。然而，在另一示例中，可以在减压步骤S300的中间开始减压步骤S300中的二氧化碳供应。在又一个示例中，可以在处理步骤S200的中间开始减压步骤S300中的二氧化碳供应。
上面已经描述了在排放步骤S203和减压步骤S300中将相对高温度的二氧化碳供应到处理空间502的示例。然而，如图18所示，仅在减压步骤S300中，可以将作为相对高温度的第二温度下的二氧化碳供应到处理空间502。或者，如图19所示，可以仅在排放步骤S203中将第二温度下的二氧化碳供应至处理空间502。
上面已经描述了其中在减压步骤S300中供应至处理空间502的二氧化碳的温度是第二温度的示例。然而，在减压步骤S300中供应至处理空间502的二氧化碳的温度高于在供应步骤S201中供应至处理空间502的作为二氧化碳的温度的第二温度。
根据本发明构思的一个实施例，可以实现当使用超临界流体干燥基板时可以提高基板的干燥效率的基板处理方法和基板处理设备。
根据本发明构思的一个实施例，当使用超临界流体干燥基板时，可以提供具有不同密度的超临界流体，使得可以使残留在基板上的IPA最小化。
本发明构思的效果不限于上述效果。本发明构思所述领域的技术人员可以从本说明书和附图清楚地理解未提及的效果。
尽管已经参考示例性实施例描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应当理解，以上实施例不是限制性的，而是说明性的。
附图标记
502：处理空间
520：处理腔室。

Claims (20)

1.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：
处理腔室，其中限定有处理空间；
支撑单元，用于在所述处理空间中支撑所述基板；
流体供应单元，用于将超临界流体供应至所述处理空间；和
控制器，其被配置为控制所述流体供应单元，
其中，所述流体供应单元被配置为将所述超临界流体以第一密度或高于所述第一密度的第二密度选择性地供应至所述处理空间中。
2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述设备包括：
第一供应管线，在所述第一供应管线处安装第一储存器，其中第一密度的超临界流体储存在所述第一储存器中；和
第二供应管线，在所述第二供应管线处安装第二储存器，其中第二密度的超临界流体储存在所述第二储存器中。
3.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第一储存器和所述第二储存器具有不同的温度。
4.根据权利要求2所述的设备，其中，所述第一储存器和所述第二储存器具有不同的压力。
5.根据权利要求2所述的设备，其中，所述设备包括：
第一加热器，其设置在所述第一供应管线上以加热所述超临界流体；和
第二加热器，其设置在所述第二供应管线处以加热所述超临界流体。
6.根据权利要求5所述的设备，其中，所述第一加热器和所述第二加热器具有不同的输出。
7.根据权利要求5所述的设备，其中，所述控制器被配置为控制所述第一加热器和第二加热器分别加热所述第一密度的所述超临界流体和所述第二密度的所述超临界流体以具有不同的温度。
8.根据权利要求1所述的设备，其中，所述设备包括：
储存器，用于容纳所述超临界流体；
供应管线，用于将容纳在储存器中的所述超临界流体供应至所述处理空间；
第一加热器，其安装在所述供应管线上，并位于所述储存器的下游；
旁通管线，其连接至所述供应管线并被配置为绕过所述第一加热器；和
调节构件，其构造成允许所述超临界流体在朝向所述旁通管线的方向和朝向所述第一加热器的方向当中的选定方向上流动。
9.根据权利要求8所述的设备，其中，所述设备还包括第二加热器，所述第二加热器安装在所述供应管线处并且设置在所述旁通管线与所述储存器之间，或者在所述旁通管线与所述处理空间之间。
10.根据权利要求8所述的设备，其中，当所述超临界流体流过所述第一加热器时，所述第一密度的所述超临界流体被供应至所述处理空间，
其中，当所述超临界流体流过所述旁通管线时，所述第二密度的所述超临界流体被供应至所述处理空间。
11.根据权利要求9所述的设备，其中，当所述超临界流体流过所述第一加热器和所述第二加热器时，所述第一密度的所述超临界流体被供应至所述处理空间，
其中，当所述超临界流体流过所述第二加热器和所述旁通管线时，所述第二密度的所述超临界流体被供应至所述处理空间。
12.根据权利要求1至11中的一项所述的设备，其中，所述控制器被配置为控制所述流体供应单元以依次执行：
加压步骤，在将所述基板放入所述处理空间后，将所述超临界流体供给至所述处理空间以对所述处理空间进行加压；
处理步骤，将所述超临界流体供应至所述处理空间以用所述超临界流体处理所述基板；和
减压步骤，在完成所述基板的处理之后，将所述超临界流体排放出所述处理空间。
13.根据权利要求12所述的设备，其中，所述控制器被配置为控制所述流体供应单元，使得所述加压步骤包括：
第一加压步骤，将所述第二密度的所述超临界流体供应至所述处理空间以将所述处理空间加压至预设压力；和
第二加压步骤，将所述第一密度的所述超临界流体供应至所述处理空间以将所述处理空间加压至目标压力。
14.根据权利要求12所述的设备，其中，所述控制器被配置为控制所述流体供应单元，使得执行所述减压步骤，从而：
在将所述超临界流体从所述处理空间排出时，将所述超临界流体供应至所述处理空间；和
在所述减压步骤中供应至所述处理空间的所述超临界流体的温度高于在所述加压步骤中供应至所述处理空间的所述超临界流体的温度。
15.根据权利要求14所述的设备，其中，所述控制器被配置为控制所述流体供应单元，使得执行所述减压步骤，从而供应至所述处理空间的所述超临界流体的每单位时间的供应量小于离开所述处理空间的所述超临界流体的每单位时间的排放量。
16.根据权利要求14所述的装置，其中，所述控制器被配置为控制所述流体供应单元，使得在所述减压步骤中供应至所述处理空间的所述超临界流体的每单位时间的供应量小于在加压步骤中供应至所述处理空间的所述超临界流体的每单位时间的供应量。
17.根据权利要求14所述的设备，其中，所述控制器被配置为控制所述流体供应单元，使得所述减压步骤包括：
第一减压步骤，将所述第一密度的所述超临界流体供应至所述处理空间，同时将所述超临界流体排出所述处理空间；和
第二减压步骤，在第一减压步骤之后将所述超临界流体排出所述处理空间，而不将所述超临界流体供应至所述处理空间。
18.根据权利要求12所述的设备，其中，所述设备包括：
支撑单元，用于在所述处理空间中支撑所述基板，使得所述基板的图案表面向上；
下供应管线，其连接至所述处理空间的底部以将所述超临界流体供应至所述处理空间；和
上供应管线，其连接至所述处理空间的顶部以将所述超临界流体供应至所述处理空间，
其中，所述控制器被配置为控制所述流体供应单元，使得：
在所述加压步骤中，所述超临界流体通过所述下供应管线被供应至所述基板的底部区域；和
在所述处理步骤中，所述超临界流体通过所述上供应管线被供应至所述基板的顶部区域。
19.根据权利要求12所述的设备，其中，所述控制器被配置为控制所述流体供应单元，使得执行所述处理步骤，从而：
用于将所述超临界流体供应至所述处理空间的供应步骤和用于将所述超临界流体从所述处理空间排出的排放步骤被依次重复多次；和
在重复的供应步骤中的一个供应步骤中供应至所述处理空间的所述超临界流体的密度与在重复的供应步骤中的另一供应步骤中供应至所述处理空间的所述超临界流体的密度彼此不同。
20.根据权利要求19所述的设备，其中，所述控制器被配置为控制所述流体供应单元，使得在所述供应步骤中供应至所述处理空间的每单位时间的所述超临界流体的量小于在所述加压步骤中供应至所述处理空间的每单位时间的所述超临界流体的量。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102455949B1 (ko) * 2022-04-07 2022-10-18 (주)빅텍스 스노우젯 분사장치

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104380438A (zh) * 2012-04-17 2015-02-25 普莱克斯技术有限公司 用于将纯化多相二氧化碳输送至处理工具的系统
CN106158707A (zh) * 2015-05-15 2016-11-23 细美事有限公司 基板干燥装置以及方法
CN207834261U (zh) * 2017-06-29 2018-09-07 凯斯科技股份有限公司 基板处理装置
KR20180136863A (ko) * 2017-06-15 2018-12-26 삼성전자주식회사 기판 건조 장치, 반도체 소자의 제조설비 및 그를 이용한 기판 건조 방법
KR20190000529A (ko) * 2017-06-23 2019-01-03 주식회사 케이씨텍 기판처리장치 및 기판처리방법
CN109148327A (zh) * 2017-06-15 2019-01-04 三星电子株式会社 基板干燥装置、制造半导体器件的设备及干燥基板的方法
KR20190041158A (ko) * 2017-10-12 2019-04-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007251081A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法
NL2000862C2 (nl) * 2007-09-17 2009-03-18 Omniaccess B V Werkwijze en inrichting voor het ontzuren van papier.
JP5088335B2 (ja) * 2009-02-04 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び基板処理システム
JP5544666B2 (ja) * 2011-06-30 2014-07-09 セメス株式会社 基板処理装置
US10046371B2 (en) * 2013-03-29 2018-08-14 Semes Co., Ltd. Recycling unit, substrate treating apparatus and recycling method using the recycling unit
US9275847B2 (en) * 2013-03-29 2016-03-01 Semes Co., Ltd. Recycling unit and substrate treating apparatus
KR101757812B1 (ko) * 2015-05-29 2017-07-14 세메스 주식회사 인산 재생 유닛 및 방법, 그리고 기판 처리 장치 및 방법
US10770272B2 (en) * 2016-04-11 2020-09-08 Applied Materials, Inc. Plasma-enhanced anneal chamber for wafer outgassing
JP6620078B2 (ja) * 2016-09-05 2019-12-11 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
KR102447216B1 (ko) 2017-04-18 2022-09-27 주식회사 케이씨텍 기판건조장치
JP6913761B2 (ja) * 2017-04-21 2021-08-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 改善された電極アセンブリ
KR102037906B1 (ko) * 2017-06-23 2019-11-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11004675B2 (en) * 2017-09-14 2021-05-11 Semes Co., Ltd. Substrate cleaning composition, substrate treating method, and substrate treating apparatus
KR102143139B1 (ko) * 2018-04-30 2020-08-12 세메스 주식회사 기판 처리 장치
US11201035B2 (en) * 2018-05-04 2021-12-14 Tokyo Electron Limited Radical source with contained plasma
KR20200009841A (ko) * 2018-07-20 2020-01-30 세메스 주식회사 기판 처리 방법
KR102225957B1 (ko) * 2018-09-12 2021-03-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102234619B1 (ko) * 2018-10-19 2021-04-05 세메스 주식회사 액 공급 노즐 및 기판 처리 장치
JP6793762B2 (ja) * 2019-01-10 2020-12-02 上村工業株式会社 表面処理装置
KR102219883B1 (ko) * 2019-07-15 2021-02-25 세메스 주식회사 기판 처리 방법
KR102300087B1 (ko) * 2020-01-21 2021-09-09 주식회사 노아닉스 의료용 튜브 이너 코팅장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104380438A (zh) * 2012-04-17 2015-02-25 普莱克斯技术有限公司 用于将纯化多相二氧化碳输送至处理工具的系统
CN106158707A (zh) * 2015-05-15 2016-11-23 细美事有限公司 基板干燥装置以及方法
KR20180136863A (ko) * 2017-06-15 2018-12-26 삼성전자주식회사 기판 건조 장치, 반도체 소자의 제조설비 및 그를 이용한 기판 건조 방법
CN109148327A (zh) * 2017-06-15 2019-01-04 三星电子株式会社 基板干燥装置、制造半导体器件的设备及干燥基板的方法
KR20190000529A (ko) * 2017-06-23 2019-01-03 주식회사 케이씨텍 기판처리장치 및 기판처리방법
CN207834261U (zh) * 2017-06-29 2018-09-07 凯斯科技股份有限公司 基板处理装置
KR20190041158A (ko) * 2017-10-12 2019-04-22 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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