KR102447216B1 - 기판건조장치 - Google Patents
기판건조장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102447216B1 KR102447216B1 KR1020170049518A KR20170049518A KR102447216B1 KR 102447216 B1 KR102447216 B1 KR 102447216B1 KR 1020170049518 A KR1020170049518 A KR 1020170049518A KR 20170049518 A KR20170049518 A KR 20170049518A KR 102447216 B1 KR102447216 B1 KR 102447216B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- supercritical
- tank
- fluid
- supercritical fluid
- line
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/54—Improvements relating to the production of bulk chemicals using solvents, e.g. supercritical solvents or ionic liquids
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Abstract
본 발명은 초임계 상태의 압력과 온도 조건을 만족시키는 초임계상태의 유체를 신속하게 생성함으로써 기판의 건조 시간을 단축하고 건조 성능을 향상시킬 수 있는 기판건조장치를 제공함에 그 목적이 있다.
이를 구현하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 기판건조장치는, 기판의 건조가 이루어지는 챔버; 상기 챔버에 초임계유체를 공급하기 위한 초임계유체 공급부;를 포함하되, 상기 초임계유체 공급부는, 초임계 압력보다 고압 상태로 유지되어 액상 유체를 생성하는 제1탱크; 초임계 온도보다 고온 상태로 유지되어 기상 유체를 생성하는 제2탱크; 상기 제1탱크와 제2탱크 간에 폐루프를 형성하는 유체순환라인; 및 상기 유체순환라인에서 분기되어 상기 챔버에 연결되는 유체공급라인;을 포함하여 구성된다.
이를 구현하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 기판건조장치는, 기판의 건조가 이루어지는 챔버; 상기 챔버에 초임계유체를 공급하기 위한 초임계유체 공급부;를 포함하되, 상기 초임계유체 공급부는, 초임계 압력보다 고압 상태로 유지되어 액상 유체를 생성하는 제1탱크; 초임계 온도보다 고온 상태로 유지되어 기상 유체를 생성하는 제2탱크; 상기 제1탱크와 제2탱크 간에 폐루프를 형성하는 유체순환라인; 및 상기 유체순환라인에서 분기되어 상기 챔버에 연결되는 유체공급라인;을 포함하여 구성된다.
Description
본 발명은 기판건조장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 장치의 구성을 간소화 함과 아울러 초임계 상태 유체를 신속하게 공급하여 기판의 건조 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 기판건조장치에 관한 것이다.
일반적으로 세정은 습식세정과 건식세정으로 분류되며, 그 중에서도 습식세정은 반도체 제조분야에서 널리 이용되고 있다. 습식세정은 각각의 단계마다 오염물질에 맞는 화학물질을 사용하여 연속적으로 오염물질을 제거하는 방식으로서, 산과 알칼리 용액을 다량 사용하여 기판에 잔류하는 오염물질을 제거하게 된다.
그러나, 이러한 습식세정에 이용되는 화학물질은 환경에 악영향을 끼치고 있는 것은 물론이고 공정이 복잡하여 제품의 생산 단가를 크게 상승시키는 요인일 뿐만 아니라 고집적 회로와 같이 정밀한 부분의 세정에 이용되는 경우, 계면장력으로 인해 미세구조의 패턴이 협착되어 무너짐에 따라서 오염물 제거가 효과적으로 이루어지지 못한다는 문제점이 있었다.
이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로, 최근에는 무독성이고, 불연성 물질이며, 값싸고 환경 친화적인 물질인 이산화탄소를 용매로 사용하는 건식 세정 방법이 개발되고 있다. 이산화탄소는 낮은 임계온도와 임계압력을 가지고 있어 초임계 상태에 쉽게 도달할 수 있으며, 계면장력이 제로(0)에 가깝고, 초임계 상태에서 높은 압축성으로 인하여 압력 변화에 따라 밀도 또는 용매세기를 변화시키기 용이하며, 감압에 의하여 기체 상태로 바뀌기 때문에 용질로부터 용매를 간단히 분리할 수 있는 장점이 있다.
이와 같이 초임계유체를 사용한 기판건조장치와 관련된 선행기술의 일례로서, 도 1은 등록특허 제10-1422332호에 개시된 반도체 기판의 초임계 건조 장치를 나타낸 것이다.
도 1에 도시된 종래의 초임계 건조 장치(10)는 히터(12)가 내장된 챔버(11)를 포함한다. 챔버(11)는 소정의 내압성이 확보된 고압 용기이며, 챔버(11)는 SUS(Steel Use Stainless)로 형성된다. 히터(12)는 챔버(11) 내의 온도를 조정할 수 있다. 또한, 챔버(11)에는 초임계 건조 처리되는 반도체 기판(W)을 유지하는 링 형상의 평평한 스테이지(13)가 구비된다. 챔버(11)에는 배관(14)이 연결되어, 질소, 이산화탄소 및 희가스(예를 들면 아르곤) 등의 불활성 가스를 챔버(11) 내에 공급할 수 있다. 챔버(11)에는 배관(16)이 연결되어, 챔버(11) 내의 기체나 초임계 유체를 이 배관(16)을 통해서 외부에 배출할 수 있다. 배관(14) 및 배관(16)에는 각각 밸브(15) 및 밸브(17)가 구비되고, 밸브(15) 및 밸브(17)를 닫는 것으로, 챔버(11) 내를 밀폐 상태로 할 수 있도록 구성되어 있다.
그러나, 이와 같은 종래기술에 따른 기판 건조 장치의 경우 초임계유체를 초임계 온도 상태로 유지하기 위한 구성으로서 히터(12)가 챔버(11)에 장착된 구조로 이루어져 있어, 장치의 구성이 복잡하고, 히터(12)의 가동에 의해 초임계 온도까지 온도를 상승시키는데 공정시간이 많이 소요되는 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 초임계 상태의 압력과 온도 조건을 만족시키는 초임계상태의 유체를 신속하게 생성함으로써 기판의 건조 시간을 단축하고 건조 성능을 향상시킬 수 있는 기판건조장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상술한 바와 같은 목적을 구현하기 위한 본 발명의 일실시예에 따른 기판건조장치는, 기판의 건조가 이루어지는 챔버; 상기 챔버에 초임계유체를 공급하기 위한 초임계유체 공급부;를 포함하되, 상기 초임계유체 공급부는, 초임계 압력보다 고압 상태로 유지되어 액상 유체를 생성하는 제1탱크; 초임계 온도보다 고온 상태로 유지되어 기상 유체를 생성하는 제2탱크; 상기 제1탱크와 제2탱크 간에 폐루프를 형성하는 유체순환라인; 및 상기 유체순환라인에서 분기되어 상기 챔버에 연결되는 유체공급라인;을 포함하여 구성된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판건조장치는, 기판의 건조가 이루어지는 챔버; 상기 챔버에 초임계유체를 공급하기 위한 초임계유체 공급부;를 포함하되, 상기 초임계유체 공급부는, 초임계 압력보다 고압 상태로 유지되어 액상 유체를 생성하는 제1탱크; 초임계 온도보다 고온 상태로 유지되어 기상 유체를 생성하는 제2탱크; 및 상기 제1탱크와 챔버 및 제2탱크 간에 폐루프를 형성하는 유체순환라인;을 포함하여 구성된다.
상기 제1탱크는 초임계 온도보다 저온 상태로 유지되고, 상기 제2탱크는 초임계 압력보다 저압 상태로 유지되도록 구성될 수 있다.
상기 초임계유체는 초임계 이산화탄소일 수 있다.
상기 유체순환라인에는 초임계유체가 순환되도록 압송하는 순환펌프가 구비될 수 있다.
상기 제1탱크와 제2탱크 및 유체순환라인 중 어느 하나에는 초임계유체 유입관이 연결되고, 상기 초임계유체 유입관에는 상기 초임계유체 유입관의 관로를 개폐하기 유입밸브가 구비될 수 있다.
상기 유체순환라인은, 상기 제1탱크에서 상기 제2탱크로 초임계유체가 유동하는 제1라인과, 상기 제2탱크에서 상기 제1탱크로 초임계유체가 유동하는 제2라인으로 이루어지고, 상기 유체공급라인은 상기 제1라인 또는 제2라인에 연결될 수 있다.
상기 유체공급라인에는 상기 제1탱크와 제2탱크를 순환한 초임계유체가 상기 챔버로 공급되는 관로를 개폐하기 위한 공급밸브가 구비될 수 있다.
상기 공급밸브는, 초임계유체 공급부에 의한 초임계유체의 순환유동시에는 닫힌 상태가 되고, 설정된 회수의 순환 후에는 개방된 상태가 되어 초임계유체가 상기 유체공급라인을 통해 상기 챔버에 공급될 수 있다.
상기 유체순환라인은, 상기 제1탱크에서 상기 챔버로 초임계유체가 유동하는 제1라인과, 상기 챔버에서 상기 제2탱크로 초임계유체가 유동하는 제2라인, 및 상기 제2탱크에서 상기 제1탱크로 초임계유체가 유동하는 제3라인으로 이루어지고, 상기 제1라인과 상기 제2라인에는 초임계유체의 유동을 단속하기 위한 밸브가 각각 구비될 수 있다.
상기 제1라인과 상기 제2라인에 구비되는 밸브는, 상기 초임계유체 공급부에 의한 초임계유체의 순환유동시에는 개방된 상태가 되고, 상기 챔버에서 기판의 건조 공정시에는 닫힌 상태가 되도록 제어될 수 있다.
상기 초임계유체 공급부에 의한 초임계유체의 순환유동에 의해 상기 챔버 내부의 초임계유체가 초임계 압력과 초임계 온도 상태가 된 후에 건조대상 기판이 상기 챔버의 내부로 유입되어 상기 기판의 건조가 이루어질 수 있다.
본 발명의 일실시예에 따른 기판건조장치에 의하면, 초임계 압력보다 고압 상태로 유지되어 액상 유체를 생성하는 제1탱크와, 초임계 온도보다 고온 상태로 유지되어 기상 유체를 생성하는 제2탱크를 구비하고, 초임계유체가 제1탱크와 제2탱크 사이를 연결하는 폐루프를 따라 순환 유동되도록 구성함으로써, 제1탱크의 압력조건과 제2탱크의 온도조건을 제어하는 것만으로 초임계 상태의 압력과 온도 조건을 만족시키는 초임계상태의 유체를 신속하게 생성하여 기판 건조가 수행되는 챔버에 공급할 수 있으며, 이로써 기판의 건조 시간을 단축하고 건조 성능을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 기판건조장치에 의하면, 초임계 압력보다 고압 상태로 유지되어 액상 유체를 생성하는 제1탱크와, 초임계 온도보다 고온 상태로 유지되어 기상 유체를 생성하는 제2탱크를 구비하고, 초임계유체가 제1탱크와 챔버 및 제2탱크 사이를 연결하는 폐루프를 따라 순환 유동되도록 구성함으로써, 제1탱크의 압력조건과 제2탱크의 온도조건을 제어하는 것만으로 챔버 내부에서 초임계 상태의 압력과 온도 조건을 만족시키는 초임계상태의 유체를 신속하게 생성할 수 있으며, 이로써 기판의 건조 시간을 단축하고 건조 성능을 향상시킬 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 기판건조장치의 구성도,
도 2는 이산화탄소의 온도와 압력에 따른 상 다이어그램(phase diagram),
도 3은 본 발명이 적용되는 기판처리장치의 계통도,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 기판건조장치의 구성도,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판건조장치의 구성도.
도 2는 이산화탄소의 온도와 압력에 따른 상 다이어그램(phase diagram),
도 3은 본 발명이 적용되는 기판처리장치의 계통도,
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 기판건조장치의 구성도,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판건조장치의 구성도.
이하 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대한 구성 및 작용을 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, 도 2를 참조하여 본 발명에 적용되는 초임계유체인 이산화탄소(CO2)의 온도와 압력에 따른 상 다이어그램을 설명한다.
일반적으로 물질은 기상(기체), 액상(액체) 및 고상(고체)의 세가지의 상태(3상)가 있다. 도 2에 도시된 바와 같이 상기 3상은 기상과 액상 사이의 경계를 나타내는 증기압 곡선, 기상과 고상 사이의 경계를 나타내는 승화 곡선, 및 고상과 액상 사이의 경계를 나타내는 용해 곡선으로 구획된다. 이들 3상이 서로 겹친 점이 삼중점(triple point)이며, 상기 삼중점으로부터 증기압 곡선이 고온측으로 연장되면, 기상과 액상이 공존하는 임계점에 도달한다. 이러한 임계점에서는 기상과 액상의 밀도가 동일하고, 기체와 액체 공존 상태의 상 계면이 소실된다. 이산화탄소(CO2)의 경우 임계 온도는 31.3℃이고, 임계 압력은 7.38MPa이다.
상기 임계점보다 고온 및 고압의 상태에서는 기체 상태와 액체 상태 사이의 구별이 없어지고, 물질은 단일상인 초임계유체가 된다. 초임계유체는 임계 온도 이상에서 고밀도로 압축된 유체이다. 초임계유체는 용매 분자의 확산력이 지배적이라는 점에서 기체와 유사하고, 분자의 응집력의 영향을 무시할 수 없는 점에서 액체와 유사한 성질을 가지며, 이에 따라 초임계유체는 여러 가지 물질을 용해하는 특성이 있다. 또한, 초임계유체는 액체보다 매우 높은 침윤성을 갖고, 미세 구조체를 용이하게 침투할 수 있는 특성이 있다. 또한, 초임계유체는 초임계 상태로부터 직접 기체 상태로 전이하고 표면장력이 없으므로, 기판의 미세 패턴을 파괴시키기 않고 미세 패턴 사이의 약액 등 이물질을 세정 및 건조시킬 수 있는 특성이 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 적용되는 기판처리장치(1)는, 액상의 초임계유체가 저장되는 초임계유체 실린더(101), 액상의 초임계유체를 기화시키는 기화기(102), 기화된 초임계유체가 저장되는 초임계유체 탱크(103), 기상의 초임계유체 내에 이물질을 여과하는 정화기(104), 초임계유체를 고압으로 압송하는 고압펌프(105), 초임계유체를 승온시키는 히터(106), 기판의 린스를 위한 약액과 초임계유체를 혼합하는 린스 혼합기(107), 기판의 세정을 위한 약액과 초임계유체를 혼합하는 세정 혼합기(108), 약액이 혼합된 초임계유체를 초임계 압력과 온도 상태로 공급하기 위한 초임계유체 공급부(200), 약액과 혼합된 초임계유체에 의해 기판의 건조 공정이 수행되는 베젤(300), 기판의 처리 공정이 완료된 후에 약액을 드레인하고 기상의 초임계유체를 회수하는 분리기(109), 분리기(109)를 통과한 초임계유체에 포함된 이물을 여과시켜 초임계유체를 재활용하기 위한 재생기(110)를 포함하여 구성된다.
본 발명의 기판건조장치(400)는, 상기 초임계유체 공급부(200)와 베젤(300)로 구성된다.
이하, 도 4를 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 기판건조장치(400-1;400)의 구성 및 작용을 설명한다. 이하, 초임계유체는 초임계 이산화탄소인 경우를 예로들어 설명하지만, 초임계유체의 종류는 이에 제한되는 것은 아님을 밝혀둔다.
본 발명의 일실시예에 따른 기판건조장치(400-1;400)는, 기판의 건조가 이루어지는 챔버(300), 상기 챔버(300)에 초임계유체를 공급하기 위한 초임계유체 공급부(200-1;200)를 포함한다. 상기 초임계유체 공급부(200-1;200)는, 초임계 압력(7.38MPa)보다 고압 상태(예: 10Mpa) 로 유지되어 액상 유체를 생성하는 제1탱크(220-1;220), 초임계 온도(31.3℃)보다 고온 상태(예: 80℃)로 유지되어 기상 유체를 생성하는 제2탱크(240-1;240), 상기 제1탱크(220-1;220)와 제2탱크(240-1;240) 간에 폐루프를 형성하는 유체순환라인(250); 및 상기 유체순환라인(250)에서 분기되어 상기 챔버(300)에 연결되는 유체공급라인(260)을 포함하여 구성된다.
상기 제1탱크(220-1;220)는 초임계 온도(31.3℃)보다 저온 상태(예: 20℃)로 유지되고, 상기 제2탱크(240-1;240)는 초임계 압력(7.38MPa)보다 저압 상태(예: 2Mpa)로 유지되도록 구성될 수 있다.
상기 유체순환라인(250)에는 초임계유체가 순환되도록 압송하는 순환펌프(230)가 구비된다.
상기 제1탱크(220-1;220)와 제2탱크(240-1;240) 및 유체순환라인(250) 중 어느 하나에는 초임계유체 유입관(210)이 연결되고, 상기 초임계유체 유입관(210)에는 상기 초임계유체 유입관(210)의 관로를 개폐하기 유입밸브(211)가 구비된다.
도 4에는 상기 초임계유체 유입관(210)이 제1탱크(220-1;220)에 연결된 실시예를 나타낸 것이다.
상기 유체순환라인(250)은, 상기 제1탱크(220-1;220)에서 상기 제2탱크(240-1;240)로 초임계유체가 유동하는 제1라인(251)과, 상기 제2탱크(240-1;240)에서 상기 제1탱크(220-1;220)로 초임계유체가 유동하는 제2라인(252)으로 이루어진다.
상기 유체공급라인(260)은 상기 제1라인(251) 또는 제2라인(252)에 연결될 수 있다. 도 4에는 상기 유체공급라인(260)이 제2라인(252)에 연결된 실시예를 나타낸 것이다.
상기 유체공급라인(260)에는 상기 제1탱크(220-1;220)와 제2탱크(240-1;240)를 순환한 초임계유체가 상기 챔버(300)로 공급되는 관로를 개폐하기 위한 공급밸브(261)가 구비된다.
상기 공급밸브(261)는, 초임계유체 공급부(200-1;200)에 의한 초임계유체의 순환유동시에는 닫힌 상태가 되고, 설정된 회수의 순환 후에는 개방된 상태가 되어 초임계유체가 상기 유체공급라인(260)을 통해 챔버(300)에 공급될 수 있다.
상기 챔버(300)의 내부에는 처리대상 기판(W)이 안착되는 스테이지(310)가 구비되고, 챔버(300)의 하부에는 기판 건조 공정을 마친 초임계유체 및 기판(W)으로부터 제거된 이물질이 배출되는 배출관(320)과, 배출관(320)의 유로를 개폐하는 배출밸브(321)가 구비된다.
본 실시예에 따른 기판건조장치(400-1;400)의 구성에 의하면, 제1탱크(220-1;220)의 압력조건과 제2탱크(240-1;240)의 온도조건을 제어하는 것만으로 초임계 상태의 압력과 온도 조건을 만족시키는 초임계상태의 유체를 신속하게 생성하여 기판 건조가 수행되는 챔버(300)에 공급할 수 있으며, 이로써 기판의 건조 시간을 단축하고 건조 성능을 향상시킬 수 있다.
이하, 도 5를 참조하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판건조장치(400-2;400)의 구성 및 작용을 설명하되, 전술한 실시예와 동일한 부재에는 동일한 도면부호를 부여하고, 그에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 실시예에 따른 기판건조장치(400-2;400)는, 기판의 건조가 이루어지는 챔버(300), 상기 챔버(300)에 초임계유체를 공급하기 위한 초임계유체 공급부(200-2;200)를 포함한다. 상기 초임계유체 공급부(200-2;200)는, 초임계 압력(7.38MPa)보다 고압 상태(예: 10Mpa) 로 유지되어 액상 유체를 생성하는 제1탱크(220-2;220), 초임계 온도(31.3℃)보다 고온 상태(예: 80℃)로 유지되어 기상 유체를 생성하는 제2탱크(240-2;240), 및 상기 제1탱크(220-2;220)와 챔버(300) 및 제2탱크(240-2;240) 간에 폐루프를 형성하는 유체순환라인(270)을 포함하여 구성된다.
상기 유체순환라인(270)에는 초임계유체가 순환되도록 압송하는 순환펌프(230)가 구비된다.
상기 제1탱크(220-2;220)와 제2탱크(240-2;240) 및 유체순환라인(270) 중 어느 하나에는 초임계유체 유입관(210)이 연결되고, 상기 초임계유체 유입관(210)에는 상기 초임계유체 유입관(210)의 관로를 개폐하기 유입밸브(211)가 구비된다.
도 5에는 상기 초임계유체 유입관(210)이 제1탱크(220-2;220)에 연결된 실시예를 나타낸 것이다.
상기 유체순환라인(270)은, 상기 제1탱크(220-2;220)에서 챔버(300)로 초임계유체가 유동하는 제1라인(271)과, 상기 챔버(300)에서 제2탱크(240-2;240)로 초임계유체가 유동하는 제2라인(272), 및 상기 제2탱크(240-2;240)에서 제1탱크(220-2;220)로 초임계유체가 유동하는 제3라인(273)으로 이루어지고, 상기 제1라인(271)과 제2라인(272)에는 초임계유체의 유동을 단속하기 위한 제1밸브(281)와 제2밸브(282)가 구비된다.
상기 제1라인(271)과 상기 제2라인(272)에 구비되는 제1밸브(281)와 제2밸브(282)는, 초임계유체 공급부(200-2;200)에 의한 초임계유체의 순환유동시에는 개방된 상태가 되고, 상기 챔버(300)에서 기판의 건조 공정시에는 닫힌 상태가 되도록 제어될 수 있다.
상기 초임계유체 공급부(200-2;200)에 의한 초임계유체의 순환유동에 의해 챔버(300) 내부의 초임계유체가 초임계 압력과 초임계 온도 상태가 된 후에 건조대상 기판(W)이 챔버(300)의 내부로 유입되어 상기 기판의 건조가 이루어질 수 있다.
본 실시예에 따른 기판건조장치(400-2;400)의 구성에 의하면, 제1탱크(220-2;220)의 압력조건과 제2탱크(240-2;240)의 온도조건을 제어하는 것만으로 챔버(300) 내부에서 초임계 상태의 압력과 온도 조건을 만족시키는 초임계상태의 유체를 신속하게 생성할 수 있으며, 이로써 기판의 건조 시간을 단축하고 건조 성능을 향상시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예들에서는 종래기술과 달리 챔버(300)에 히터를 별도로 구비하지 않더라도 초임계유체의 온도를 유지할 수 있게 되므로 기판건조장치(400)의 구성을 간소화 할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구되는 본 발명의 기술적 사상에 벗어남 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 자명한 변형실시가 가능하며, 이러한 변형실시는 본 발명의 범위에 속한다.
1 : 기판처리장치 101 : 초임계유체 실린더
102 : 기화기 103 : 초임계유체 탱크
104 : 정화기 105 : 고압펌프
106 : 히터 107 : 린스 혼합기
108 : 세정 혼합기 109 : 분리기
110 : 재생기 200 : 초임계유체 공급부
210 : 초임계유체 유입관 211 : 유입밸브
220,220-1,220-2 : 제1탱크 230 : 순환펌프
240,240-1,240-2 : 제2탱크 250 : 유체순환라인
251 : 제1라인 252 : 제2라인
260 : 유체공급라인 261 : 공급밸브
270 : 유체순환라인 271 : 제1라인
272 : 제2라인 273 : 제3라인
281 : 제1밸브 282 : 제2밸브
300 : 챔버 400,400-1,400-2 : 기판건조장치
102 : 기화기 103 : 초임계유체 탱크
104 : 정화기 105 : 고압펌프
106 : 히터 107 : 린스 혼합기
108 : 세정 혼합기 109 : 분리기
110 : 재생기 200 : 초임계유체 공급부
210 : 초임계유체 유입관 211 : 유입밸브
220,220-1,220-2 : 제1탱크 230 : 순환펌프
240,240-1,240-2 : 제2탱크 250 : 유체순환라인
251 : 제1라인 252 : 제2라인
260 : 유체공급라인 261 : 공급밸브
270 : 유체순환라인 271 : 제1라인
272 : 제2라인 273 : 제3라인
281 : 제1밸브 282 : 제2밸브
300 : 챔버 400,400-1,400-2 : 기판건조장치
Claims (12)
- 기판의 건조가 이루어지는 챔버;
상기 챔버에 초임계유체를 공급하기 위한 초임계유체 공급부;를 포함하되,
상기 초임계유체 공급부는,
초임계 압력보다 고압 상태로 유지되어 액상 유체를 생성하는 제1탱크;
초임계 온도보다 고온 상태로 유지되어 기상 유체를 생성하는 제2탱크;
상기 제1탱크와 제2탱크 간에 폐루프를 형성하는 유체순환라인; 및
상기 유체순환라인에서 분기되어 상기 챔버에 연결되는 유체공급라인을 포함하고,
상기 제1탱크는 초임계 온도보다 저온 상태로 유지되고,
상기 제2탱크는 초임계 압력보다 저압 상태로 유지되는, 기판건조장치. - 기판의 건조가 이루어지는 챔버;
상기 챔버에 초임계유체를 공급하기 위한 초임계유체 공급부;를 포함하되,
상기 초임계유체 공급부는,
초임계 압력보다 고압 상태로 유지되어 액상 유체를 생성하는 제1탱크;
초임계 온도보다 고온 상태로 유지되어 기상 유체를 생성하는 제2탱크; 및
상기 제1탱크와 챔버 및 제2탱크 간에 폐루프를 형성하는 유체순환라인을 포함하고,
상기 제1탱크는 초임계 온도보다 저온 상태로 유지되고,
상기 제2탱크는 초임계 압력보다 저압 상태로 유지되는, 기판건조장치. - 삭제
- 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 초임계유체는 초임계 이산화탄소인 것을 특징으로 하는 기판건조장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 유체순환라인에는 초임계유체가 순환되도록 압송하는 순환펌프가 구비된 것을 특징으로 하는 기판건조장치. - 제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 제1탱크와 제2탱크 및 유체순환라인 중 어느 하나에는 초임계유체 유입관이 연결되고, 상기 초임계유체 유입관에는 상기 초임계유체 유입관의 관로를 개폐하기 유입밸브가 구비된 것을 특징으로 하는 기판건조장치. - 제1항에 있어서,
상기 유체순환라인은, 상기 제1탱크에서 상기 제2탱크로 초임계유체가 유동하는 제1라인과, 상기 제2탱크에서 상기 제1탱크로 초임계유체가 유동하는 제2라인으로 이루어지고,
상기 유체공급라인은 상기 제1라인 또는 제2라인에 연결된 것을 특징으로 하는 기판건조장치. - 제1항에 있어서,
상기 유체공급라인에는 상기 제1탱크와 제2탱크를 순환한 초임계유체가 상기 챔버로 공급되는 관로를 개폐하기 위한 공급밸브가 구비된 것을 특징으로 하는 기판건조장치. - 제8항에 있어서,
상기 공급밸브는, 초임계유체 공급부에 의한 초임계유체의 순환유동시에는 닫힌 상태가 되고, 설정된 회수의 순환 후에는 개방된 상태가 되어 초임계유체가 상기 유체공급라인을 통해 상기 챔버에 공급되는 것을 특징으로 하는 기판건조장치. - 제2항에 있어서,
상기 유체순환라인은, 상기 제1탱크에서 상기 챔버로 초임계유체가 유동하는 제1라인과, 상기 챔버에서 상기 제2탱크로 초임계유체가 유동하는 제2라인, 및 상기 제2탱크에서 상기 제1탱크로 초임계유체가 유동하는 제3라인으로 이루어지고,
상기 제1라인과 상기 제2라인에는 초임계유체의 유동을 단속하기 위한 밸브가 각각 구비된 것을 특징으로 하는 기판건조장치. - 제10항에 있어서,
상기 제1라인과 상기 제2라인에 구비되는 밸브는, 상기 초임계유체 공급부에 의한 초임계유체의 순환유동시에는 개방된 상태가 되고, 상기 챔버에서 기판의 건조 공정시에는 닫힌 상태가 되도록 제어되는 것을 특징으로 하는 기판건조장치. - 제11항에 있어서,
상기 초임계유체 공급부에 의한 초임계유체의 순환유동에 의해 상기 챔버 내부의 초임계유체가 초임계 압력과 초임계 온도 상태가 된 후에 건조대상 기판이 상기 챔버의 내부로 유입되어 상기 기판의 건조가 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판건조장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170049518A KR102447216B1 (ko) | 2017-04-18 | 2017-04-18 | 기판건조장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020170049518A KR102447216B1 (ko) | 2017-04-18 | 2017-04-18 | 기판건조장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180116803A KR20180116803A (ko) | 2018-10-26 |
KR102447216B1 true KR102447216B1 (ko) | 2022-09-27 |
Family
ID=64098964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020170049518A KR102447216B1 (ko) | 2017-04-18 | 2017-04-18 | 기판건조장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102447216B1 (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102278629B1 (ko) | 2019-07-22 | 2021-07-19 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
KR102190893B1 (ko) | 2020-03-19 | 2020-12-14 | 윤석봉 | 양압을 통해 외부 파티클의 유입을 방지하는 가열 건조장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012049446A (ja) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Toshiba Corp | 超臨界乾燥方法及び超臨界乾燥システム |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3017637B2 (ja) * | 1994-04-15 | 2000-03-13 | シャープ株式会社 | 洗浄装置 |
KR102188348B1 (ko) * | 2013-12-27 | 2020-12-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-
2017
- 2017-04-18 KR KR1020170049518A patent/KR102447216B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012049446A (ja) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | Toshiba Corp | 超臨界乾燥方法及び超臨界乾燥システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20180116803A (ko) | 2018-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5620234B2 (ja) | 半導体基板の超臨界乾燥方法および基板処理装置 | |
JP5450494B2 (ja) | 半導体基板の超臨界乾燥方法 | |
JP6005702B2 (ja) | 半導体基板の超臨界乾燥方法および基板処理装置 | |
KR101367468B1 (ko) | 반도체 기판의 초임계 건조 방법 및 초임계 건조 장치 | |
US6602349B2 (en) | Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces | |
KR101329317B1 (ko) | 기판건조장치 및 기판건조방법 | |
US7520938B2 (en) | Method for high-pressure processing | |
JP2013055230A (ja) | 半導体基板の超臨界乾燥方法 | |
JP5985156B2 (ja) | 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置 | |
KR102413443B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
JP2011249454A (ja) | 超臨界乾燥方法 | |
KR102447216B1 (ko) | 기판건조장치 | |
JP2013062417A (ja) | 半導体基板の超臨界乾燥方法及び装置 | |
KR101156385B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20190002060A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
US20130104943A1 (en) | Substrate treating apparatus and chemical recycling method | |
WO2001087505A1 (en) | Supercritical fluid cleaning process for precision surfaces | |
KR102515859B1 (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 | |
KR101155612B1 (ko) | 기판 건조 장치 및 방법 | |
JPH08197021A (ja) | 超臨界流体を利用した洗浄装置 | |
JP4252295B2 (ja) | メタルマスクの洗浄方法及び装置 | |
KR102387533B1 (ko) | 유체 저장 탱크 | |
JP2000308862A (ja) | 超臨界又は亜臨界流体を用いた洗浄方法及びその装置 | |
JP2003347261A (ja) | 洗浄装置、および洗浄方法 | |
KR102573018B1 (ko) | 기판건조방법 및 기판처리장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
N231 | Notification of change of applicant | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |