TW201411078A - 乾燥方法及乾燥裝置 - Google Patents

Abstract

本發明係揭露一種乾燥方法，係應用於半導體、太陽能、LED等產業製程中，主要包含高溫氣體加壓步驟、降壓步驟、差壓循環判斷步驟、低壓乾燥步驟、壓力回復步驟及總循環判斷步驟，而依據差壓循環設定及總循環設定來乾燥處理槽中的被乾燥物，其中藉由重複加熱、加壓及降壓的循環而使被乾燥物表面的水分完全被去除；本發明另提供一種乾燥裝置，用於執行該乾燥方法；本發明係可達成快速乾燥製程中之被乾燥物的目的，並可維持被乾燥物之高潔淨度。

Description

乾燥方法及乾燥裝置

本發明係關於一種乾燥方法及乾燥裝置，更特別的是關於可應用於半導體、太陽能及LED等產業製程中之一種藉由加熱、加壓及降壓之乾燥方法及乾燥裝置。

乾燥技術與乾燥設備係廣泛地用於半導體、太陽能或LED等產業的製造過程中，舉例而言，於半導體製程中，為了避免基板表面或晶圓盒的灰塵、微粒等汙染物影響製程及產品良率，故基板或晶圓盒等被乾燥物的清洗及乾燥技術係為影響製程良率之關鍵，其中乾燥技術係將清洗後之基板或晶圓盒等被乾燥物上的水分完全去除，而習知用於半導體製程的技術係有異丙酮蒸氣乾燥法(IPA Vapor Dry)、旋轉乾燥法(Spin dry)、IPA及馬蘭哥尼乾燥法(Marangoni dry)等。

然而，異丙酮蒸氣乾燥法係主要使用一低蒸氣壓的異丙醇(isopropyl alcohol,IPA)的有機溶劑，其係為一種高揮發性質之化學溶劑，並且需要浸泡於溶液中操作過程較為複雜而導致達到完全乾燥製程所需耗時較長；馬蘭哥尼乾燥法係藉由液面溫度或液體組成之濃度變化所產生的表面張力進行乾燥，而具有危險性、效率低、無法完全乾燥且無法抑制氧化層產生等缺點；旋轉乾燥法係使基板高速旋轉，而使水分藉由離心力脫離基板表面，然旋轉乾燥法固 定基板並高速旋轉的方式係可能使基板內部結構產生機械應力，並旋轉乾燥法係具有粒子極限(particle_limit)及無法完全去除水痕之缺點，而限制了製程的應用性。

本發明之一目的在於提供一種乾燥方法，其係應用於半導體、太陽能或LED等產業製程中，以快速地完全乾燥被乾燥物。

本發明之另一目的在於提供一種乾燥裝置，其係應用於半導體、太陽能或LED等產業製程中，以用於執行一種可快速地完全被乾燥物之乾燥方法。

為達上述目的及其他目的，本發明之一種乾燥方法，係用於依據一差壓循環設定及一總循環設定來乾燥一處理槽中的一被乾燥物，該乾燥方法包含以下步驟：高溫氣體加壓步驟，提供高溫之氣體至該處理槽中，以使該處理槽內之壓力大於760 torr，並藉由該高溫氣體加熱該被乾燥物；降壓步驟，開啟連接該處理槽之一排氣閥以使該處理槽內之壓力降低；差壓循環判斷步驟，根據該差壓循環設定以依序地執行該高溫氣體加壓步驟及該降壓步驟至少一次以上；低壓乾燥步驟，開啟連接該處理槽之一真空裝置以使該處理槽內之壓力降低至180 torr以下；壓力回復步驟，填充氣體至該處理槽中，以使該處理槽內之壓力回升；總循環判斷步驟，根據該總循環設定依序執行該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟至少一次以上。

於一實施例中，該高溫氣體加壓步驟中，該處理槽內之壓力係增加至大於760 torr且小於等於1460 torr的範圍。

於一實施例中，該低壓乾燥步驟中，該處理槽內之壓力係降低至0.1-180 torr。

於一實施例中，該高溫氣體加壓步驟中，該被乾燥物之表面溫度係增加至30-160℃；此外，該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟的期間，該處理槽內部係維持在30-160℃。

於一實施例中，該高溫氣體加壓步驟中，該被乾燥物之表面溫度係增加至30-80℃；此外，該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟的期間，該處理槽內部係維持在30-80℃。

於一實施例中，該差壓循環判斷步驟後更包含：結束循環判斷步驟，其係當該總循環設定為二次以上時，根據一結束循環設定判斷是否結束。

於一實施例中，該高溫氣體加壓步驟前更包含：預處理步驟，係藉由HF last或SC1製程於一預處理槽中進行該被乾燥物之洗淨，其中該被乾燥物係為基板。

於一實施例中，該高溫氣體加壓步驟前更包含：預乾燥步驟，係藉由將該被乾燥物浸泡於一預處理槽的清洗液中再利用馬蘭哥尼效應(Marangoni effect)使該被乾燥物表面之液體去除，其中該被乾燥物係為基板。

於一實施例中，該差壓循環設定係為該高溫氣體加壓步驟及該降壓步驟依序循環執行二次。

於一實施例中，該氣體係為氮氣或潔淨氣體(Clean Dry Air,CDA)。

於一實施例中，該氣體係藉由氣體加熱器或紅外線加熱器加熱。

為達上述另一目的及其他目的，本發明復提出一種乾燥裝置，其係用於執行上述之乾燥方法，該乾燥裝置包含：處理槽，係具有用於容置該被乾燥物之容置空間；氣體供應單元，係連接該處理槽，用於提供氣體至該處理槽中；氣體加熱單元，係連接該氣體供應單元，用以加熱供應至該處理槽之氣體；降壓單元，係具有分別連接該處理槽之排氣閥及用於抽氣之真空裝置，以降低該處理槽內部氣壓；主控電腦設備，係電性連接該氣體供應單元、該氣體加熱單元及該降壓單元，該主控電腦設備係接收該差壓循環設定及該總循環設定來控制該氣體供應單元、該氣體加熱單元及該降壓單元。

於一實施例中，該處理槽上係設置有加熱裝置，用以維持該處理槽內之溫度或使該處理槽內之溫度上升。

於一實施例中，該加熱裝置係與該主控電腦設備電性連接。

於一實施例中，該處理槽內另包含一預處理槽。

於一實施例中，該乾燥裝置另包含一預處理槽，其係藉由一輸送單元與該處理槽連接，以使該被乾燥物由該預處理槽輸送至該處理槽。

於一實施例中，該處理槽內係設置有量測裝置，該量 測裝置係與該主控電腦設備電性連接，以量測或紀錄該處理槽內之溫度、壓力及溼度的至少其中一者。

於一實施例中，該氣體供應單元經由一氣體管路連接該處理槽，該氣體管路上係設置有控制閥、氣體過濾器及流量控制器的至少其中一者。

於一實施例中，該氣體加熱單元係為電熱式氣體加熱器或紅外線加熱器。

藉此，本發明係提供一種乾燥方法及乾燥裝置，其係應用於半導體、太陽能或LED等產業製程中，而可達成快速乾燥之目的，以縮短製程所需時間，並使製程中的被乾燥物可維持高潔淨度。

為充分瞭解本發明之目的、特徵及功效，茲藉由下述具體之實施例，並配合所附之圖式，對本發明做一詳細說明，說明如後：本發明一實施例之乾燥方法係可應用於半導體、太陽能及LED等產業製程中，例如半導體、太陽能或LED等產業製程中的基板或裝載基板之載具等需要清洗、乾燥之元件，舉例而言，半導體製程中之基板在每一製程的前後必須藉由洗淨流程與乾燥流程，來去除製程中附著於基板表面的污染物及水分，才能輸送往下一製程區，以保持單一製程中基板的乾燥度及/或潔淨度，進而提高製程良率。

首先請參閱第1圖並配合第2圖及第3圖所示，第1 圖係本發明一實施例中乾燥方法的流程圖；第2圖係應用於執行本發明一實施例之乾燥方法的乾燥裝置之示意圖；第3圖係為乾燥裝置之功能方塊圖。

本發明一實施例之乾燥方法係用於依據一差壓循環設定及一總循環設定來乾燥一處理槽10中的一被乾燥物100，該乾燥方法包含以下步驟：高溫氣體加壓步驟S20：提供高溫之氣體至該處理槽中，以使該處理槽10內之壓力大於760 torr，並藉由該高溫氣體加熱該被乾燥物100。

降壓步驟S30：開啟連接該處理槽10之一排氣閥41以使該處理槽10內之壓力降低。

差壓循環判斷步驟S40：根據該差壓循環設定以依序地執行該高溫氣體加壓步驟S20及該降壓步驟S30至少一次以上。

低壓乾燥步驟S60：開啟連接該處理槽10之一真空裝置42以使該處理槽10內之壓力降低至180 torr以下。

壓力回復步驟S70：填充氣體至該處理槽10中，以使該處理槽10內之壓力回升。

總循環判斷步驟S80：根據該總循環設定依序執行該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70至少一次以上。

如第2圖所示，應用本實施例之乾燥方法的乾燥裝置1係主要包含處理槽10、氣體供應單元20、氣體加熱單元30、降壓單元40及主控電腦設備50；其中，該處理槽10 係具有用於容置該被乾燥物100之容置空間；該氣體供應單元20係連接該處理槽10，用於提供氣體至該處理槽10中；該氣體加熱單元30係連接該氣體供應單元20，用以加熱供應至該處理槽10之氣體；該降壓單元40係具有分別連接該處理槽10之排氣閥41及用於抽氣之真空裝置42，以降低該處理槽內部氣壓；該主控電腦設備50係電性連接該氣體供應單元20、該氣體加熱單元30及該降壓單元40，該主控電腦設備50係接收該差壓循環設定及該總循環設定來控制該氣體供應單元20、該氣體加熱單元30及該降壓單元40。

以下係配合第2圖及第3圖所示之乾燥裝置1來說明本發明實施例之乾燥方法，此外，本實施例係以應用於半導體、太陽能或LED等產業製程中之基板作為被乾燥物之示例說明，然被乾燥物之種類係不限於此，其係可為裝載基板之載具或其他相關元件等。

首先，該高溫氣體加壓步驟S20係藉由高溫加熱單元30加熱由該氣體供應單元20輸出之氣體(例如氮氣或潔淨氣體)，被加熱後的高溫之氣體供應至該處理槽10中，以使該處理槽內之壓力大於760 torr，較佳地是，該處理槽10內之壓力係增加至大於760 torr且小於等於1460 torr的範圍；此時，高溫之氣體係加熱該被乾燥物100，其中，該被乾燥物100之表面溫度係增加至30-160℃，較佳為35-160℃，因此，殘留於被乾燥物100之表面大部份之水分將因高溫汽化而被去除，同時可防止氧化膜的產生。

其次，該降壓步驟S30係將連接於該處理槽100之排氣閥41開啟，以使氣體由該處理槽10排出，而使該處理槽10內之氣體壓力降低。

接著，該差壓循環判斷步驟S40係根據該差壓循環設定T1(第3圖)以依序地執行該高溫氣體加壓步驟S20及該降壓步驟S30至少一次以上，用以初步地去除該被乾燥物100表面大部份的水分；其中，該差壓循環設定T1係可為由使用者輸入該主控電腦設備50於一開始手動預設之參數值，該差壓循環設定T1係代表該高溫氣體加壓步驟S20及該降壓步驟S30依序循環執行之次數，本實施例中係示例該差壓循環設定T1為二次，然而，熟悉該項技術者應了解的是，該差壓循環設定T1係可依該被乾燥物100之材料種類、數量及相關製程參數來調整變換，而不限於本實施例。

然後，該低壓乾燥步驟S60係開啟連接該處理槽10之一真空裝置42，以使該處理槽內之壓力降低至180 torr以下，較佳地是，該處理槽10內之壓力係降低至0.1-180 torr；當該處理槽10內之壓力下降至愈接近真空狀態時，該被乾燥物100表面之水分的蒸發速率愈快；其中，該真空裝置42係可例如為一真空泵。

接下來，該壓力回復步驟S70中係藉由該氣體供應單元20填充氣體至該處理槽10的容置空間中，較佳地是藉由該氣體加熱單元30使氣體被加熱後再供應至，以使該處理槽10內之壓力回升，藉此補充該被乾燥物100在蒸發過 程中被帶走之潛熱，並防止該被乾燥物100上殘留水分或表面形成水痕(watermark)。

最後，該總循環判斷步驟S80係根據該總循環設定T2(第3圖)依序執行該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70至少一次以上，藉以達成該被乾燥物100完全乾燥之目的；其中，該總循環設定T2係可為由使用者輸入該主控電腦設備50於一開始手動預設之參數值，該總循環設定T2係代表該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70依序循環執行之次數，其係可依該被乾燥物100之材料種類、數量及相關製程參數來調整變換。

此外，該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70中，該處理槽10內部係可維持於30-160℃的範圍內，較佳為35-160℃，換言之，該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70係均於高溫下進行。

據此，上述本發明一實施例之乾燥方法係可達成該被乾燥物100在高溫下經過加壓與降壓的差壓控制來達成快速乾燥及高潔淨度之目的。舉例而言，本發明一實施例以50片基板執行乾燥流程後，基板邊緣以3mm作為排除量時，所量測之微粒量係可達到0.1 um小於30 PPW之功效，其中該微粒量測係可藉由KLA Tencor Surfscan SP1/TBI儀器進行量測，藉此，本發明一實施例相較於習知技術係更可達成快速乾燥及高潔淨度之功效。

請參照第4圖，其係為本發明另一實施例之乾燥方法的流程圖，本發明另一實施例係於該差壓循環判斷步驟S40 後更包含：結束循環判斷步驟S50，其係當該總循環設定為二次以上時，根據一結束循環設定T3(第3圖)判斷是否結束，意即，於本實施例中，由於該被乾燥物100在該高溫氣體加壓步驟S10至該壓力回復步驟S80進行二次以上之後可達到預期的乾燥程度，換言之，本發明另一實施例中，每一乾燥流程的最後一次循環係不一定要再經過低壓乾燥步驟S60及壓力回復步驟S70，其係可於完成差壓循環判斷步驟S40之後直接結束該乾燥流程，以更加縮短乾燥時間。

類似於該差壓循環設定或該總循環設定，該結束循環設定係可為由使用者輸入該主控電腦設備50於一開始手動預設之參數值，該結束循環設定係代表完成該總循環設定及該差壓循環設定之次數後，結束乾燥流程；同樣地，熟悉該項技術者應了解的是，該結束循環設定係可依該被乾燥物100之材料種類、數量及相關製程參數與經驗法則來調整變換，而不限於本實施例。

請參照第5圖，其係為本發明又一實施例之乾燥方法的流程圖，本發明另一實施例係於該高溫氣體加壓步驟S20前可選擇性地執行一預處理步驟S11及一預乾燥步驟S12的其中一者。

該預處理步驟S11中，係藉由HF last或SC1製程於一預處理槽60中進行該被乾燥物100之洗淨，其係可去除表面增生之氧化層或污染物與改變該被乾燥物100表面性質，再進行後續之該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復 步驟S70，而可增進潔淨之效果。

該預乾燥步驟S11中，係藉由將該被乾燥物100浸泡於一預處理槽60的清洗液中，再利用馬蘭哥尼效應(Marangoni effect)使該被乾燥物表面之清洗液與水分等液體去除，殘存於該被乾燥物100表面的清洗液係沿著最佳路徑流回該預處理槽60中該清洗液之液面，而可減少乾燥所需的時間並增進乾燥效果；其中，該清洗液係為異丙醇。

上述本發明一實施例之乾燥方法主要係以應用於半導體、太陽能或LED等產業製程中之基板作為被乾燥物之示例，以利於詳細說明上述本發明一實施例之乾燥方法，而熟析該領域之技術者應瞭解的是，上述製程中例如升壓、降壓及溫度之參數範圍係可依該被乾燥物之材料、種類、數量及設備等因素來調整變換，以達到所需之乾燥效果。舉例而言，當本發明之乾燥方法應用於裝載基板之載具(例如晶圓盒)作為被乾燥物100時，不同於上述本發明一實施例之處尤其在於，所執行的乾燥方法之高溫氣體加壓步驟S70中，該被乾燥物100之表面溫度係藉由高溫之氣體加熱而增加至30-80℃，並該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟的期間該處理槽內部係維持在30-80℃，其他例如各步驟之循環次數、加壓與降壓等參數設定係同樣依被乾燥物之數量或設備等來調整變換。

以下係參照第2圖再進一步詳細說明應用上述本發明一實施例之乾燥裝置的各種實施態樣。

於本實施例中，該處理槽10上係設置有加熱裝置11， 用以維持該處理槽10內之溫度或使該處理槽10內之溫度上升；該加熱裝置11係可環繞地設置於該處理槽10側壁或為一貼附式桶狀加熱器，而可提供該處理槽10均勻之加熱，並於執行該乾燥方法的過程中使該處理槽10的內部維持高溫環境。

此外，如第2圖所示，該乾燥裝置1另可進一步包含一預處理槽，該預處理槽60係藉由一輸送單元61與該處理槽連接50，以使該被乾燥物100由該預處理槽60輸送至該處理槽10，該預處理槽60係可用於裝載清洗液或化學藥劑，以進行例如另一實施例之預處理步驟S11或預乾燥步驟S12，而於執行該預處理步驟S11或該預乾燥步驟S12並離開該預處理槽60之後，再藉由該輸送單元61將該被乾燥物100輸送至該處理槽10，接著進行後續之該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70。

或者，該處理槽10內可進一步包含一預處理槽60，即該預處理槽60係容置於該處理槽10的容置空間中(圖未示)，相同於上述，該預處理槽60係可用於裝載清洗液或化學藥劑，以進行例如另一實施例之預處理步驟S11或預乾燥步驟S12，而於執行該預處理步驟S11或該預乾燥步驟S12並離開該預處理槽60之後，再進行後續之該高溫氣體加壓步驟S20至該壓力回復步驟S70。

另外，該處理槽10內可係設置有量測裝置12，用以量測處理槽內之溫度、壓力或溼度，藉以監控該處理槽10內的環境狀態。

本實施例之乾燥裝置1中，該氣體供應單元20經由一氣體管路21連接該處理槽10，該氣體管路21上係設置有控制閥22、氣體過濾器23及流量控制器24的至少其中一者，該控制閥22係用於開啟或關閉氣體之流通，該氣體過濾器23係用於過濾該氣體供應單元20所輸出之氣體，該流量控制器24係用於控制該氣體管路21中氣體之流量，以控制輸入該處理槽10中的氣體流率。其中，該氣體供應單元20所供應之氣體係為氮氣或潔淨氣體。

本實施例之乾燥裝置中，該氣體加熱單元30係可為電熱式氣體加熱器或紅外線加熱器，以使提供至該處理槽10內的氣體係藉由該電熱式氣體加熱器或紅外線加熱器加熱。

本實施例之乾燥裝置1中，該降壓單元40係具有分別連接該處理槽10之排氣閥41及用於抽氣之真空裝置42，以降低該處理槽10內部氣壓，其中，該真空裝置42係可包含一真空閥44及一真空泵43，用以抽取該處理槽10內部之氣體以達成降壓。

請同時參照第2圖及第3圖，本實施例之乾燥裝置1中，該主控電腦設備50係電性連接該氣體供應單元20、該氣體加熱單元30及該降壓單元40，並更可電性連接例如該處理槽10上的加熱裝置11、該預處理槽60、該輸送單元61或氣體管路21上的控制閥22、氣體過濾器23及流量控制器24等，用以達成乾燥裝置1中每一個運作之單元的控制而利於自動化整合；並且，該主控電腦設備50係接收該 差壓循環設定T1、該總循環設定T2及/或該結束循環設定T3來進行乾燥流程中運作之單元的控制，藉以完成被乾燥物100的乾燥流程。

綜上所述，本發明之該等實施例的乾燥方法及乾燥裝置相較於習知技術係可大幅降低有機溶劑的使用量，並可避免如旋轉乾燥法造成之機械應力的產生，尤其是，本發明中該等實施例更可達成快速乾燥之目的而大幅縮短了製程所需時間，並使製程中的被乾燥物可維持高潔淨度。

本發明在上文中已以較佳實施例揭露，然熟習本項技術者應理解的是，該實施例僅用於描繪本發明，而不應解讀為限制本發明之範圍。應注意的是，舉凡與該實施例等效之變化與置換，均應設為涵蓋於本發明之範疇內。因此，本發明之保護範圍當以申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧處理槽

11‧‧‧加熱裝置

12‧‧‧量測裝置

20‧‧‧氣體供應單元

21‧‧‧氣體管路

22‧‧‧控制閥

23‧‧‧氣體過濾器

24‧‧‧流量控制器

30‧‧‧氣體加熱單元

40‧‧‧降壓單元

41‧‧‧排氣閥

42‧‧‧真空裝置

43‧‧‧真空泵

44‧‧‧真空閥

50‧‧‧主控電腦設備

60‧‧‧預處理槽

61‧‧‧輸送單元

100‧‧‧被乾燥物

T1‧‧‧差壓循環設定

T2‧‧‧總循環設定

T3‧‧‧結束循環設定

S11-S80‧‧‧步驟

第1圖為本發明一實施例中乾燥方法的流程圖。

第2圖係應用於執行本發明一實施例之乾燥方法的乾燥裝置之示意圖。

第3圖係為乾燥裝置之功能方塊圖。

第4圖係為本發明另一實施例之乾燥方法的流程圖。

第5圖係為本發明又一實施例之乾燥方法的流程圖。

S20-S80‧‧‧步驟

Claims (21)

1. 一種乾燥方法，係用於依據一差壓循環設定及一總循環設定來乾燥一處理槽中的一被乾燥物，該乾燥方法包含以下步驟：高溫氣體加壓步驟，提供高溫之氣體至該處理槽中，以使該處理槽內之壓力大於760 torr，並藉由該高溫氣體加熱該被乾燥物；降壓步驟，開啟連接該處理槽之一排氣閥以使該處理槽內之壓力降低；差壓循環判斷步驟，根據該差壓循環設定以依序地執行該高溫氣體加壓步驟及該降壓步驟至少一次以上；低壓乾燥步驟，開啟連接該處理槽之一真空裝置以使該處理槽內之壓力降低至180 torr以下；壓力回復步驟，填充氣體至該處理槽中，以使該處理槽內之壓力回升；及總循環判斷步驟，根據該總循環設定依序執行該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟至少一次以上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之乾燥方法，其中於該高溫氣體加壓步驟中，該處理槽內之壓力係增加至大於760 torr且小於等於1460 torr的範圍。
3. 如申請專利範圍第1項所述之乾燥方法，其中於該低壓乾燥步驟中，該處理槽內之壓力係降低至0.1-180 torr。
4. 如申請專利範圍第1項所述之乾燥方法，其中於該高溫氣體加壓步驟中，該被乾燥物之表面溫度係增加至30-160 ℃。
5. 如申請專利範圍第4項所述之乾燥方法，其中於該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟的期間，該處理槽內部係維持在30-160℃。
6. 如申請專利範圍第1項所述之乾燥方法，其中於該高溫氣體加壓步驟中，該被乾燥物之表面溫度係增加至30-80℃。
7. 如申請專利範圍第6項所述之乾燥方法，其中於該高溫氣體加壓步驟至該壓力回復步驟的期間，該處理槽內部係維持在30-80℃。
8. 如申請專利範圍第1項所述之乾燥方法，其中該差壓循環判斷步驟後更包含：結束循環判斷步驟，其係當該總循環設定為二次以上時，根據一結束循環設定判斷是否結束。
9. 如申請專利範圍第1項所述之乾燥方法，其中該高溫氣體加壓步驟前更包含：預處理步驟，係藉由HF last或SC1製程於一預處理槽中進行該被乾燥物之洗淨，其中該被乾燥物係為基板。
10. 如申請專利範圍第1項所述之乾燥方法，其中於該高溫氣體加壓步驟前更包含：預乾燥步驟，係藉由將該被乾燥物浸泡於一預處理槽的清洗液中再利用馬蘭哥尼效應(Marangoni effect)使該被乾燥物表面之液體去除，其中該被乾燥物係為基板。
11. 如申請專利範圍第1項所述之乾燥方法，其中該差壓循環設定係為該高溫氣體加壓步驟及該降壓步驟依序循環執行二次。
12. 如申請專利範圍第1項所述之乾燥方法，其中該氣體係為氮氣或潔淨氣體(Clean Dry Air,CDA)。
13. 如申請專利範圍第1項所述之乾燥方法，其中該氣體係藉由氣體加熱器或紅外線加熱器加熱。
14. 一種乾燥裝置，其係用於執行如申請專利範圍第1項至第13項中任一項所述之乾燥方法，該乾燥裝置包含：處理槽，係具有用於容置該被乾燥物之容置空間；氣體供應單元，係連接該處理槽，用於提供氣體至該處理槽中；氣體加熱單元，係連接該氣體供應單元，用以加熱供應至該處理槽之氣體；降壓單元，係具有分別連接該處理槽之排氣閥及用於抽氣之真空裝置，以降低該處理槽內部氣壓；及主控電腦設備，係電性連接該氣體供應單元、該氣體加熱單元及該降壓單元，該主控電腦設備係接收該差壓循環設定及該總循環設定來控制該氣體供應單元、該氣體加熱單元及該降壓單元。
15. 如申請專利範圍第14項所述之乾燥裝置，其中該處理槽上係設置有加熱裝置，用以維持該處理槽內之溫度或使該處理槽內之溫度上升。
16. 如申請專利範圍第15項所述之乾燥裝置，其中該加熱裝置係與該主控電腦設備電性連接。
17. 如申請專利範圍第14項所述之乾燥裝置，其中該處理槽內另包含一預處理槽。
18. 如申請專利範圍第14項所述之乾燥裝置，其中該乾燥裝置另包含一預處理槽，其係藉由一輸送單元與該處理槽連接，以使該被乾燥物由該預處理槽輸送至該處理槽。
19. 如申請專利範圍第14項所述之乾燥裝置，其中該處理槽內係設置有量測裝置，該量測裝置係與該主控電腦設備電性連接，以量測或紀錄該處理槽內之溫度、壓力及溼度的至少其中一者。
20. 如申請專利範圍第14項所述之乾燥裝置，其中該氣體供應單元經由一氣體管路連接該處理槽，該氣體管路上係設置有控制閥、氣體過濾器及流量控制器的至少其中一者。
21. 如申請專利範圍第14項所述之乾燥裝置，其中該氣體加熱單元係為電熱式氣體加熱器或紅外線加熱器。