JP2007287790A - 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理基板Wは、洗浄槽12に貯留された洗浄液内に浸漬される。次に、前記洗浄槽12内の洗浄液に超音波が発生させられ、被処理基板Wが超音波洗浄される。この超音波を発生させる工程は、洗浄槽内へ洗浄液を供給しながら当該洗浄槽内に超音波を発生させる工程と、洗浄槽内への洗浄液の供給を停止した状態で当該洗浄槽内に超音波を発生させる工程と、を含んでいる。
【選択図】図1
Description
基板洗浄装置に実施させることを特徴とする。
洗浄液を洗浄槽に貯留し、洗浄槽内の洗浄液中に試験用ウエハを浸漬して洗浄液に超音波を発生させた。実験は、洗浄液を洗浄槽内に供給し続けながら洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる場合と、洗浄液の洗浄槽内への供給を停止した状態で洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる場合と、の二条件で行った。
本発明の一実施例として、図3に示すように、試験用ウエハを、洗浄液を補充しながら5分間超音波洗浄し、その後、5分間だけ洗浄液の補充を停止した状態で5分間超音波洗浄した。超音波洗浄に関するその他の条件は、上述の実験1と同様にした。また、試験用ウエハも、実験1と同様に、4000個のパーティクルを予めむらなく均一に付着させられたものを用いた。
12 洗浄槽
18 制御装置
19 記録媒体
20 保持部材
30 超音波発生装置
40 洗浄液供給装置
42 ポンプ
W ウエハ
Claims (16)
- 洗浄槽に貯留された洗浄液内に被処理基板を浸漬する工程と、
前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程と、を備え、
前記超音波を発生させる工程は、前記洗浄槽内へ洗浄液を供給しながら当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程と、前記洗浄槽内への洗浄液の供給を停止した状態で当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程と、を含むことを特徴とする基板洗浄方法。 - 前記洗浄槽内へ洗浄液を供給しながら当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程において、前記洗浄槽内に供給される洗浄液の単位時間あたりの供給量は変化することを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄方法。
- 前記洗浄槽内への洗浄液の供給を停止した状態で当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程は、前記洗浄槽内へ洗浄液を供給しながら当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程の後に行われることを特徴とする請求項1または2に記載の基板洗浄方法。
- 洗浄槽に貯留された洗浄液内に被処理基板を浸漬する工程と、
前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程と、を備え、
前記超音波を発生させる工程において、単位時間あたりの供給量を変化させながら前記洗浄槽内に洗浄液を供給することを特徴とする基板洗浄方法。 - 洗浄液を貯留する洗浄槽と、
前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる超音波発生装置と、
前記洗浄槽内に洗浄液を供給する洗浄液供給装置と、を備え、
前記洗浄液供給装置は、前記超音波発生装置が前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させている間に、前記洗浄槽内への洗浄液の供給を開始する、あるいは前記洗浄槽内への洗浄液の供給を停止する、ようになされていることを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記洗浄液供給装置は、前記超音波発生装置が前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させている間に前記洗浄槽内に洗浄液を供給する際、単位時間あたりの供給量を変化させて洗浄液を供給するようになされていることを特徴とする請求項5に記載の基板洗浄装置。
- 前記洗浄液供給装置は、前記超音波発生装置が前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させている間に、まず、前記洗浄槽内に洗浄液を供給し、その後、前記洗浄槽への洗浄液の供給を停止する、ようになされていることを特徴とする請求項5または6に記載の基板洗浄装置。
- 洗浄液を貯留する洗浄槽と、
前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる超音波発生装置と、
前記洗浄槽内に洗浄液を供給する洗浄液供給装置と、を備え、
前記洗浄液供給装置は、前記超音波発生装置が前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させている間に、単位時間あたりの供給量を変化させながら前記洗浄槽内に洗浄液を供給するようになされていることを特徴とする基板洗浄装置。 - 基板洗浄装置を制御するコンピュータによって実行されるプログラムであって、
前記コンピュータによって実行されることにより、
洗浄槽に貯留された洗浄液内に被処理基板を浸漬する工程と、
前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程と、を備え、
前記超音波を発生させる工程が、前記洗浄槽内へ洗浄液を供給しながら当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程と、前記洗浄槽内への洗浄液の供給を停止した状態で当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程と、を含む、被処理基板の洗浄方法を
基板洗浄装置に実施させることを特徴とするプログラム。 - 前記被処理基板の洗浄方法の前記洗浄槽内へ洗浄液を供給しながら当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程において、前記洗浄槽内に供給される洗浄液の単位時間あたりの供給量は変化することを特徴とする請求項9に記載のプログラム。
- 前記被処理基板の洗浄方法の前記洗浄槽内への洗浄液の供給を停止した状態で当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程は、前記洗浄槽内へ洗浄液を供給しながら当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程の後に行われることを特徴とする請求項9または10に記載のプログラム。
- 基板洗浄装置を制御するコンピュータによって実行されるプログラムであって、
前記コンピュータによって実行されることにより、
洗浄槽に貯留された洗浄液内に被処理基板を浸漬する工程と、
前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程と、を備え、
前記超音波を発生させる工程において、単位時間あたりの供給量を変化させながら前記洗浄槽内に洗浄液を供給する、被処理基板の洗浄方法を
基板洗浄装置に実施させることを特徴とするプログラム。 - 基板洗浄装置を制御するコンピュータによって実行されるプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記プログラムが前記コンピュータによって実行されることにより、
洗浄槽に貯留された洗浄液内に被処理基板を浸漬する工程と、
前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程と、を備え、
前記超音波を発生させる工程が、前記洗浄槽内へ洗浄液を供給しながら当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程と、前記洗浄槽内への洗浄液の供給を停止した状態で当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程と、を含む、被処理基板の洗浄方法を
基板洗浄装置に実施させることを特徴とする記録媒体。 - 前記被処理基板の洗浄方法の前記洗浄槽内へ洗浄液を供給しながら当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程において、前記洗浄槽内に供給される洗浄液の単位時間あたりの供給量は変化することを特徴とする請求項13に記載の記録媒体。
- 前記被処理基板の洗浄方法の前記洗浄槽内への洗浄液の供給を停止した状態で当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程は、前記洗浄槽内へ洗浄液を供給しながら当該洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程の後に行われることを特徴とする請求項13または14に記載の記録媒体。
- 基板洗浄装置を制御するコンピュータによって実行されるプログラムが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記プログラムが前記コンピュータによって実行されることにより、
洗浄槽に貯留された洗浄液内に被処理基板を浸漬する工程と、
前記洗浄槽内の洗浄液に超音波を発生させる工程と、を備え、
前記超音波を発生させる工程において、単位時間あたりの供給量を変化させながら前記洗浄槽内に洗浄液を供給する、被処理基板の洗浄方法を
基板洗浄装置に実施させることを特徴とする記録媒体。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006110957A JP4890919B2 (ja) | 2006-04-13 | 2006-04-13 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体 |
KR1020070030913A KR101061946B1 (ko) | 2006-04-13 | 2007-03-29 | 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 프로그램 기록 매체 |
US11/783,748 US8449684B2 (en) | 2006-04-13 | 2007-04-11 | Substrate cleaning method, substrate cleaning system and program storage medium |
EP07007508A EP1848023B1 (en) | 2006-04-13 | 2007-04-12 | Substrate cleaning method, substrate cleaning system and program storage medium |
TW096112939A TW200746284A (en) | 2006-04-13 | 2007-04-12 | Method, apparatus for cleaning substrate and program recording medium |
DE602007000223T DE602007000223D1 (de) | 2006-04-13 | 2007-04-12 | Verfahren und System zur Reinigung eines Substrats und Programmspeichermedium |
KR1020110020020A KR101062255B1 (ko) | 2006-04-13 | 2011-03-07 | 기판 세정 방법, 기판 세정 장치 및 프로그램 기록 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006110957A JP4890919B2 (ja) | 2006-04-13 | 2006-04-13 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007287790A true JP2007287790A (ja) | 2007-11-01 |
JP4890919B2 JP4890919B2 (ja) | 2012-03-07 |
Family
ID=38230031
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006110957A Active JP4890919B2 (ja) | 2006-04-13 | 2006-04-13 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8449684B2 (ja) |
EP (1) | EP1848023B1 (ja) |
JP (1) | JP4890919B2 (ja) |
KR (2) | KR101061946B1 (ja) |
DE (1) | DE602007000223D1 (ja) |
TW (1) | TW200746284A (ja) |
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-
2006
- 2006-04-13 JP JP2006110957A patent/JP4890919B2/ja active Active
-
2007
- 2007-03-29 KR KR1020070030913A patent/KR101061946B1/ko active IP Right Grant
- 2007-04-11 US US11/783,748 patent/US8449684B2/en active Active
- 2007-04-12 EP EP07007508A patent/EP1848023B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-04-12 DE DE602007000223T patent/DE602007000223D1/de active Active
- 2007-04-12 TW TW096112939A patent/TW200746284A/zh unknown
-
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US20070240736A1 (en) | 2007-10-18 |
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US8449684B2 (en) | 2013-05-28 |
KR101062255B1 (ko) | 2011-09-06 |
EP1848023B1 (en) | 2008-11-05 |
KR20070101768A (ko) | 2007-10-17 |
KR101061946B1 (ko) | 2011-09-05 |
EP1848023A1 (en) | 2007-10-24 |
TWI358761B (ja) | 2012-02-21 |
JP4890919B2 (ja) | 2012-03-07 |
TW200746284A (en) | 2007-12-16 |
KR20110038000A (ko) | 2011-04-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090114 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
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