JP4829094B2 - 基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、および、プログラム記録媒体 - Google Patents

Description

本発明は、薬液を用いた複数の処理を同一処理槽内において被処理基板に対して行う基板処理装置に係り、とりわけ被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができるとともに複数の処理を効率的に行うことができる基板処理装置に関する。

また、本発明は、薬液を用いた複数の処理を同一処理槽内において被処理基板に対して行う基板処理方法に係り、とりわけ被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができるとともに複数の処理を効率的に行うことができる基板処理方法に関する。

さらに、本発明は、薬液を用いた複数の処理を同一処理槽内において被処理基板に対して行う基板処理方法であって、被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができるとともに複数の処理を効率的に行うことができる基板処理方法を、実行するための基板処理プログラム、並びに、当該基板処理プログラムを記録したプログラム記録媒体に関する。

従来、半導体ウエハやガラス基板等の被処理基板を、処理槽内において薬液中に浸漬することによって処理することが、広く行われてきた（例えば特許文献１および特許文献２）。このような方法で被処理基板を処理している間、薬液が処理槽内に供給され続け、処理槽内の薬液は処理槽の上方開口から溢れ出す。これにより、処理槽内の薬液の濃度が所定の濃度に保たれる。

特許文献１には、被処理基板の板面内における処理の均一性を確保することを目的として、処理槽内への薬液の供給方向を変更しながら被処理基板を処理する方法が、開示されている。また、特許文献２に開示された被処理基板の処理方法では、被処理基板の板面内における処理の均一性を確保することを目的として、処理槽内に供給される薬液の濃度や温度が厳密に管理されるようになっている。
特開２００１−２７４１３３ 特開２００２−１００６０５

ところが、本件発明者らが鋭意研究を重ねたところ、処理に用いられる薬液の種類によっては公知の方法により被処理基板の板面内における処理の均一性をある程度確保することができるものの、一部の薬液を用いた場合には、被処理基板の板面内における処理の均一性が著しく低下する、ことが見出された。

一方、昨今においては、薬液を用いた複数の処理を被処理基板に対して効率的に行うことを目的として、互いに異なる種類の薬液を単一の処理槽内へ順次供給し、単一の処理槽内で複数の処理を被処理基板に対して行っていくことも実施されつつある。本件発明者らによって得られた上記知見によれば、このような被処理基板の処理において被処理基板の板面内における処理の均一性を確保するとともに処理を効率的に行うためには、薬液の種類に応じて被処理基板の処理方法を変更することが必要となる。

また、複数の処理を被処理基板に対して行う場合、被処理基板の板面内における処理の均一性についての要求が、処理毎に異なることもある。この場合、均一性の要求に応じて被処理基板の処理方法を変更することが有効である。

すなわち、本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、薬液を用いた複数の処理を同一処理槽内において被処理基板に対して行う基板処理装置および基板処理方法であって、被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができるとともに複数の処理を効率的に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。また、本発明は、薬液を用いた複数の処理を同一処理槽内において被処理基板に対して行う基板処理方法であって、被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができるとともに複数の処理を効率的に行うことができる基板処理方法を、実行するための基板処理プログラム、並びに、当該基板処理プログラムを記録したプログラム記録媒体に関する。

本件発明者らは、鋭意研究を重ねた結果として、被処理基板の板面に対する処理の進行度合いが、被処理基板の板面近傍における処理液の濃度だけでなく、被処理基板の板面近傍における処理液の液流、例えば流速にも影響を受け得る、との知見を得た。そして、本件発明は、このような知見に基づき、処理に用いられる薬液と被処理基板との反応性や、一枚の被処理基板内における処理の均一性に関する要求等に応じ、処理槽内における液体の流れを処理毎に適宜変更し、上述した課題を解決しようとするものである。

本発明による基板処理方法は、整流部材が内部に設けられ、前記整流部材の上側に位置し被処理基板を収容する第１領域と前記整流部材の下側に位置する第２領域とを含む処理槽を用いて前記被処理基板を処理する方法であって、前記処理槽の前記第２領域に第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記被処理基板が収容された前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記被処理基板を前記第１の薬液によって処理する工程と、前記処理槽の前記第１領域に第２の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記被処理基板を前記第２の薬液によって処理する工程と、を備えることを特徴とする。

このような基板処理方法によれば、薬液を用いた複数の処理を同一処理槽内において被処理基板に対して施す際、処理毎に処理槽内への薬液の供給方法を変えている。これにより、各処理に適した方法で被処理基板を処理していくことができる。この結果、被処理基板に対する複数の処理を効率的に行うことができるとともに、被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる。

なお、このような基板処理方法における第１の薬液を用いた処理の例として、被処理基板との反応性が著しく高い薬液を用いた処理、例えば、アンモニア水からなる薬液を用いたシリコンウエハのエッチング処理が挙げられる。一方、このような基板処理方法における第２の薬液を用いた処理の例としては、被処理基板との反応性が第１の薬液よりも低い薬液を用いた処理、例えば、フッ化水素水からなる薬液を用いたシリコンウエハのエッチング処理が挙げられる。ここでいう「アンモニア水からなる薬液」とは、アンモニアを主成分として含んだ水溶液を指し示し、アンモニアとともにアンモニア以外の一種類以上の成分（例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。同様に、「フッ化水素水からなる薬液」とは、フッ化水素を主成分として含んだ水溶液を指し示し、フッ化水素とともにフッ化水素以外の一種類以上の成分（例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。

本発明による基板処理方法が、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程の後に、前記処理槽の前記第２領域に水を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記水を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する工程を、さらに備えるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理槽内の上昇流を均一にすることによって、被処理基板の板面近傍における液体の流れを被処理基板の板面内にわたって略均一としながら、処理槽内の第１の薬液を水で置換することができる。これにより、被処理基板の板面内における第１の薬液を用いた処理の均一性をさらに向上させることができる。このような基板処理方法が、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する工程の後に、前記処理槽の前記第１領域に水を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に水を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌する工程を、さらに備えるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、被処理基板の近傍で液体が攪拌されるので、被処理基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去することができる。とりわけ、第１領域だけでなく第２領域にも水が供給されている場合には、被処理基板から除去された付着物を処理槽内の上方に浮かび上がらせることを促進することができる。これにより、除去された付着物が再び被処理基板に付着してしまうことを防止することができる。

また、本発明による基板処理方法において、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が、内部に処理液が貯留されその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第２領域に前記第１の薬液を供給するとともに、前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換する工程を含むようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理槽内の上昇流を均一にすることによって、被処理基板の板面近傍における液体の流れを被処理基板の板面内にわたって略均一としながら、被処理基板の板面近傍における液体を処理液から第１の薬液に置換していくことができる。これにより、被処理基板の板面内における第１の薬液を用いた処理の均一性をさらに向上させることができる。さらに、上述したように、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程の後に、前記処理槽の前記第２領域に水を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記水を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する工程が、さらに設けられているような場合には、前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記第１の薬液の単位時間あたりの供給量が、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一であるようにすることが好ましい。このような基板処理方法によれば、ウエハの板面内における処理の均一性、とりわけ、ウエハが処理槽内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿ったウエハの板面内における処理の均一性をさらに向上させることができる。

これらのような基板処理方法において、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が、前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換する工程の後に、前記処理槽の前記第２領域に前記第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記被処理基板を前記処理槽内において前記第１の薬液に浸漬しておく工程を、さらに含むようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、被処理基板の板面内における第１の薬液を用いた処理の均一性を確保しつつ、被処理基板に対する処理の程度を調節することができる。このような基板処理方法において、前記処理液は水であるようにしてもよい。あるいは、このような基板処理方法が、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程の後に、前記処理槽内の前記第２の薬液を前記水で置換する工程を、さらに備え、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程の後に、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が行われ、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程において前記第１の薬液によって置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第２の薬液を前記水で置換する工程において前記処理槽内に供給された前記水であるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理液を処理槽内に貯留する工程を別途に設ける必要がないので、処理の均一性を高い水準に維持したまま、処理に要する時間を短時間化することができる。

さらに、本発明による基板処理方法が、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程の後に、前記処理槽の前記第１領域に水を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に水を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記第２の薬液を前記水で置換する工程を、さらに備えるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、被処理基板の近傍で液体が攪拌されるので、被処理基板の板面近傍における第２の薬液の濃度を板面内にわたって略均一に保ちながら、処理槽内の第２の薬液を短時間で水に置換することができる。とりわけ、第１領域だけでなく第２領域にも水が供給されている場合には、処理槽内の浮遊物を上方に浮かび上がらせることを促進することができる。これにより、浮遊物が被処理基板に付着してしまうことを防止することができる。

さらに、本発明による基板処理方法において、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が、内部に処理液が貯留されるとともにその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第１領域に前記第２の薬液を供給して、或いは、内部に処理液が貯留されるとともにその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に前記第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第２の薬液で置換する工程を、含むようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、被処理基板の板面近傍における第２の薬液の濃度を、板面内に渡って略均一に保ちながら、所望の濃度まで短時間で上昇させていくことができる。このような基板処理方法において、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が、前記処理槽内の前記処理液を前記第２の薬液で置換する工程の後に、前記処理槽の前記第１領域に前記第２の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に前記第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記被処理基板を前記処理槽内において前記第２の薬液に浸漬しておく工程を、さらに含むようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、被処理基板の板面内における第２の薬液を用いた処理の均一性を確保しつつ、被処理基板に対する処理の程度を調節することができる。このような基板処理方法において、前記処理液は水であるようにしてもよい。あるいは、このような基板処理方法が、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程の後に、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する工程を、さらに備え、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程の後に、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が行われ、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程において前記第２の薬液によって置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する工程において前記処理槽内に供給された前記水であるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理液を処理槽内に貯留する工程を別途に設ける必要がないので、処理の均一性を高い水準に維持したまま、処理に要する時間を短時間化することができる。

さらに、本発明による基板処理方法において、まず、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が行われ、次に、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が行われ、その後、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が再度行われるようにしてもよい。

さらに、本発明による基板処理方法において、前記整流部材は多数の貫通孔を有するとともに前記処理槽内を前記第１領域と前記第２領域とに区分けする整流板からなり、前記第２領域に供給された液体は、前記整流板の貫通孔を介し、前記第２領域から前記第１領域に流入するようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、簡易な構成からなる整流部材によって、水平方向における均一性を有した上昇流を処理槽の第１領域内に形成しながら、処理槽の第２領域から領域第１領域に液体を流入させることができる。

さらに、本発明による基板処理方法の前記工程のうちの少なくとも一つの工程において、前記処理槽内の液体に超音波を発生させるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、被処理基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去することができる。

本発明による基板処理装置は、被処理基板を収容する第１領域と前記第１領域の下方に配置された第２領域とを含む処理槽と、前記処理槽内の前記第１領域と前記第２領域との間に設けられた整流部材と、前記処理槽の前記第２領域に接続され、少なくとも第１の薬液および水を前記処理槽の前記第２領域内に供給し得る下側供給管と、前記処理槽の前記第１領域に接続され、少なくとも第２の薬液および水を前記処理槽の前記第１領域内に供給し得る上側供給管と、前記下側供給管および前記上側供給管に連結され、前記下側供給管および前記上側供給管からの液体の供給を切り換える切換機構と、前記切換機構に接続され、前記下側供給管から前記処理槽の前記第２領域内への液体の供給および前記上側供給管から前記処理槽の前記第１領域内への液体の供給を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記処理槽の前記第２領域に前記第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記被処理基板が収容された前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記被処理基板を前記第１の薬液によって処理し、また、前記第１の薬液を用いた前記被処理基板の処理の前または後に、前記処理槽の前記第１領域に前記第２の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に前記第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記被処理基板を前記第２の薬液によって処理する、ように前記切換機構を制御する
ことを特徴とする。

このような基板処理装置によれば、薬液を用いた複数の処理を同一処理槽内において被処理基板に対して施す際、処理毎に処理槽内への薬液の供給方法を変えている。これにより、各処理に適した方法で被処理基板を処理していくことができる。この結果、被処理基板に対する複数の処理を効率的に行うことができるとともに、被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる。

なお、このような基板処理装置における第１の薬液を用いた処理の例として、被処理基板との反応性が著しく高い薬液を用いた処理、例えば、アンモニア水からなる第１の薬液を用いたシリコンウエハのエッチング処理が挙げられる。一方、このような基板処理装置における第２の薬液を用いた処理の例としては、被処理基板との反応性が第１の薬液よりも低い薬液を用いた処理、例えば、フッ化水素水からなる第２の薬液を用いたシリコンウエハのエッチング処理が挙げられる。ここでいう「アンモニア水からなる薬液」とは、アンモニアを主成分として含んだ水溶液を指し示し、アンモニアとともにアンモニア以外の一種類以上の成分（例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。同様に、「フッ化水素水からなる薬液」とは、フッ化水素を主成分として含んだ水溶液を指し示し、フッ化水素とともにフッ化水素以外の一種類以上の成分（例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。

本発明による基板処理装置において、前記制御装置が、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理した後に、前記処理槽の前記第２領域に水を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記水を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽内の上昇流を均一にすることによって、被処理基板の板面近傍における液体の流れを被処理基板の板面内にわたって略均一としながら、処理槽内の第１の薬液を水で置換することができる。これにより、被処理基板の板面内における第１の薬液を用いた処理の均一性をさらに向上させることができる。このような基板処理装置において、前記制御装置が、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換した後に、前記上側供給管から前記第１領域に水を供給して或いは前記上側供給管から前記第１領域および前記第２領域に水を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌する、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、被処理基板の近傍で液体が攪拌されるので、被処理基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去することができる。とりわけ、第１領域だけでなく第２領域にも水が供給されている場合には、被処理基板から除去された付着物を処理槽内の上方に浮かび上がらせることを促進することができる。これにより、除去された付着物が再び被処理基板に付着してしまうことを防止することができる。

また、本発明による基板処理装置において、前記制御装置が、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する際、内部に処理液が貯留されその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第２領域に前記第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換する、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽内の上昇流を均一にすることによって、被処理基板の板面近傍における液体の流れを被処理基板の板面内にわたって略均一としながら、被処理基板の板面近傍における液体を処理液から第１の薬液に置換していくことができる。これにより、被処理基板の板面内における第１の薬液を用いた処理の均一性をさらに向上させることができる。さらに、上述したように、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理した後に、前記処理槽の前記第２領域に水を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記水を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換するようになっている場合には、さらに、前記制御装置が、前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換する際に、前記処理槽内に供給される前記薬液の単位時間あたりの供給量が、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する際に、前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一になる、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理方法によれば、ウエハの板面内における処理の均一性、とりわけ、ウエハが処理槽内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿ったウエハの板面内における処理の均一性をさらに向上させることができる。

これらのような基板処理装置において、前記制御装置が、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する際、前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換した後に、前記処理槽の前記第２領域に前記第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記被処理基板を前記処理槽内において前記第１の薬液に浸漬しておく、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、被処理基板の板面内における第１の薬液を用いた処理の均一性を確保しつつ、被処理基板に対する処理の程度を調節することができる。このような基板処理装置において、前記処理液は水であるようにしてもよい。あるいは、このような基板処理装置において、前記制御装置が、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理した後に、前記処理槽内の前記第２の薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御し、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理した後に、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理し、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する際に前記第１の薬液によって置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第２の薬液を置換する際に前記処理槽内に供給された前記水であるようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、処理液を処理槽内に貯留する工程を別途に設ける必要がないので、処理の均一性を高い水準に維持したまま、処理に要する時間を短時間化することができる。

さらに、本発明による基板処理装置において、前記制御装置が、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理した後に、前記上側供給管から前記第１領域に水を供給して或いは前記上側供給管から前記第１領域に水を供給するとともに前記下側供給管から前記第２領域に水を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記第２の薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、被処理基板の近傍で液体が攪拌されるので、被処理基板の板面近傍における第２の薬液の濃度を板面内にわたって略均一に保ちながら、処理槽内の第２の薬液を短時間で水に置換することができる。とりわけ、第１領域だけでなく第２領域にも水が供給されている場合には、処理槽内の浮遊物を上方に浮かび上がらせることを促進することができる。これにより、浮遊物が被処理基板に付着してしまうことを防止することができる。

さらに、本発明による基板処理装置において、前記制御装置が、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する際、内部に処理液が貯留されるとともにその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第１領域に前記上側供給管から前記第２の薬液を供給して、或いは、内部に処理液が貯留されるとともにその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第１領域に前記上側供給管から前記第２の薬液を供給するとともに当該処理槽の前記第２領域に前記下側供給管から前記第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第２の薬液で置換する、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、被処理基板の板面近傍における第２の薬液の濃度を、板面内に渡って略均一に保ちながら、所望の濃度まで短時間で上昇させていくことができる。このような基板処理装置において、前記制御装置が、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する際、前記処理槽内の前記処理液を前記第２の薬液で置換した後に、前記上側供給管から前記第１領域に前記第２の薬液を供給して或いは前記上側供給管から前記第１領域に前記第２の薬液を供給するとともに前記下側供給管から前記第２領域に前記第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記被処理基板を前記処理槽内において前記第２の薬液に浸漬しておく、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、被処理基板の板面内における第２の薬液を用いた処理の均一性を確保しつつ、被処理基板に対する処理の程度を調節することができる。このような基板処理装置において、前記処理液は水であるようにしてもよい。あるいは、このような基板処理装置において、前記制御装置が、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理した後に、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御し、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理した後に、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理し、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する際に前記第２の薬液によって置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第２の薬液を置換する際に前記処理槽内に供給された前記水であるようにしてよい。このような基板処理装置によれば、処理液を処理槽内に貯留する工程を別途に設ける必要がないので、処理の均一性を高い水準に維持したまま、処理に要する時間を短時間化することができる。

さらに、本発明による基板処理装置において、制御装置が、まず、前記第２の薬液によって前記被処理基板が処理され、次に、前記第１の薬液によって前記被処理基板が処理され、その後、前記第２の薬液によって前記被処理基板が再度処理される、ように切換機構を制御してもよい。

さらに、本発明による基板処理装置において、前記整流部材が多数の貫通孔が形成された整流板を有し、前記第２領域に供給された液体は、前記整流板の貫通孔を介し、前記第１領域から前記第２領域に流入するようになっていてもよい。このような基板処理装置によれば、簡易な構成からなる整流部材によって、水平方向における均一性を有した上昇流を処理槽の第１領域内に形成しながら、処理槽の第２領域から領域第１領域に液体を流入させることができる。

さらに、本発明による基板処理装置が、鉛直方向に沿った配置位置が互いに異なるようにして前記処理槽の第１領域内に設けられた複数の吐出部材を、さらに備え、前記上側供給管は前記吐出部材に連結され、前記吐出部材を介して前記処理槽の第１領域内に液体が吐出されるようにしてもよい。

さらに、本発明による基板処理装置が、前記処理槽内の液体に超音波を発生させる超音波発生装置をさらに備えるようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、被処理基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去することができる。

本発明によるプログラムは、被処理基板を収容する第１領域と前記第１領域の下方に配置された第２領域とを含む処理槽と、前記処理槽内の前記第１領域と前記第２領域との間に設けられた整流部材と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムであって、前記制御装置によって実行されることにより、前記処理槽の前記第２領域に第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記被処理基板が収容された前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記被処理基板を前記第１の薬液によって処理する工程と、前記処理槽の前記第１領域に第２の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記被処理基板を前記第２の薬液によって処理する工程と、を含む被処理基板の処理方法を基板処理装置に実施させることを特徴とする。

本発明による記録媒体は、被処理基板を収容する第１領域と前記第１領域の下方に配置された第２領域とを含む処理槽と、前記処理槽内の前記第１領域と前記第２領域との間に設けられた整流部材と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムが記録された記録媒体であって、前記プログラムが前記制御装置によって実行されることにより、前記処理槽の前記第２領域に第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記被処理基板が収容された前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記被処理基板を前記第１の薬液によって処理する工程と、前記処理槽の前記第１領域に第２の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記被処理基板を前記第２の薬液によって処理する工程と、を含む被処理基板の処理方法を基板処理装置に実施させることを特徴とする。

発明を実施するための形態

以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。なお、以下の実施の形態においては、本発明をシリコンウエハ（半導体ウエハ）のエッチング処理およびその後のリンス処理に適用した例を説明する。ただし、本発明は、エッチング処理およびその後のリンス処理への適用に限られるものではなく、基板の様々な処理に広く適用することができる。

図１乃至図１２は本発明による基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、および、プログラム記録媒体の一実施の形態を説明するための図である。このうち図１は基板処理装置の概略構成を示す図であり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面を示す断面図であり、図３は図１に示された基板処理装置を用いて行われ得る基板処理方法を説明するための表であり、図４乃至図１２は図３に示された各工程の処理内容を説明するための図である。

図１に示すように、本実施の形態における基板処理装置１０は、ウエハＷを収容する処理槽１２と、処理槽１２内に処理液を供給する液供給設備４０と、被処理ウエハ（被処理基板）Ｗを保持する保持部材（ウエハボートとも呼ぶ）２０と、各構成要素の動作を制御する制御装置１８と、を備えている。図１に示すように、処理槽１２内には整流部材２８が設けられている。この整流部材２８によって、処理槽１２の内部が、整流部材２８の上側に位置する第１領域１２ａと、整流部材２８の下側に位置する第２領域１２ｂと、に区分けされる。

このような基板処理装置１０は、複数種類の処理液を液供給設備４０から処理槽１２内に順次供給していき、処理槽１２内に収容されたウエハＷに対して種々の処理を施していくための装置である。とりわけ本実施の形態においては、図１に示すように、基板処理装置１０が、処理槽１２内に貯留された処理液に超音波を発生させることができる超音波発生装置３０を、さらに備えている。したがって、本実施の形態における基板処理装置１０によれば、処理槽１２内に収容されたウエハＷを超音波洗浄することもできる。

以下、基板処理装置の各構成要素についてさらに詳述していく。

まず、液供給設備４０について詳述する。図１に示すように、液体供給設備４０は、処理槽１２の第２領域１２ｂに接続された下側供給管４１と、処理槽１２の第１領域１２ａに接続された第１乃至第３の上側供給管４２，４３，４４と、下側供給管４１および上側供給管４２，４３，４４と接続された純水供給管４８と、を有している。

純水供給管４８は純水源６４に連結されている。また、純水供給管４８には吐出機構６５が介設されている。この吐出機構６５を稼働させることにより、純水供給管４８から下側供給管４１および上側供給管４２，４３，４４へ処理液が供給されるようになる。また、図１に示すように、下側供給管４１および上側供給管４２，４３，４４と、純水供給管４８と、は切換機構５０を介して接続されている。この切換機構５０を操作することによって、下側供給管４１および上側供給管４２，４３，４４のうちの所望の供給管のみへ、純水供給管４８からの処理液を送り込むことができるようになる。なお、ここでいう「処理液」とは、処理に用いられる液体であり、純水（ＤＩＷ）だけでなく薬液も含む概念である。

このうち、純水源６４および吐出機構６５についてまず詳述する。純水源６４は、例えば処理液を貯留するタンク等、純水（ＤＩＷ）を貯留し得る公知の貯留設備等から構成され得る。一方、吐出機構６５は、例えばポンプ等、公知の設備や機器等から構成され得る。より具体的な吐出機構６５の例として、エア圧力を調節することによって吐出量を調節し得るエア駆動式のベローズポンプを用いることができる。

上述したように、液供給設備４０は制御装置１８に接続されている。そして、吐出機構６５は制御装置１８によって制御されるようになっている。具体的には、吐出機構６５の駆動および停止、吐出機構６５の駆動時における処理液の供給流量等が、制御装置１８によって制御されるようになっている。なお、吐出機構６５がエア駆動式のベローズポンプの場合にはエア圧力を制御することにより、吐出機構６５がエア駆動式のベローズポンプ以外の場合には、例えば入力となる電力量を制御することにより、吐出機構６５の駆動時におけるポンプの吐出量を調節することができる。

次に、切換機構５０について詳述する。図１に示すように、本実施の形態において、切換機構５０は第１乃至第６の開閉バルブ５１，５２，５３，５４，５５，５６を有している。

このうち、第１開閉バルブ５１は、下側供給管４１と連結されている。また、第２開閉バルブ５２は第１上側供給管４２と連結されている。さらに、第３開閉バルブ５３は第２上側供給管４３と連結されている。さらに、第４開閉バルブ５４は第３上側供給管４４と連結されている。そして、第１乃至第４開閉バルブ５１−５４は、純水供給管４８と、各バルブ５１−５４に連結された供給管４１−４４と、の接続状態（連通状態）を開閉するようになっている。すなわち、各開閉バルブ５１−５４を開閉させることにより、各供給管４１−４４を介した処理槽１２内への処理液の供給を制御することができる。

ところで、本実施の形態において、液供給設備４０は、異なる薬液要素を貯留した複数の薬液要素源６１，６２を有している。この液供給設備４０においては、薬液要素源６１，６２から供給される薬液要素と、純水源６４から供給される純水とを混合して、所望の濃度の薬液（処理液）を生成することができる。図示する例においては、高濃度のアンモニア水（ＮＨ₄ＯＨ）を薬液要素として貯留した第１薬液要素源６１と、フッ化水素（ＨＦ）を高濃度で含んだフッ化水素水を薬液要素として貯留した第２薬液要素源６２と、が設けられている。

図１に示すように、上述した切換機構５０の第５開閉バルブ５５が第１薬液要素源６１と連結され、第６開閉バルブ５６が第２薬液要素源６２と連結されている。したがって、第５開閉バルブ５５を開くことにより、純水供給管４８から送り込まれる純水に第１薬液要素源６１から送り込まれてくる高濃度のアンモニア水を混入させ、処理液として所望の濃度のアンモニア水（第１の薬液）を生成することができる。また、第６開閉バルブ５６を開くことにより、純水供給管４８から送り込まれる純水に第２薬液要素源６２から送り込まれてくる高濃度のフッ化水素水を混入させ、処理液として所望の濃度のフッ化水素水（第２の薬液）を生成することができる。

切換機構５０は制御装置１８に接続されている。第１乃至第６開閉バルブ５１−５６の開閉動作および開度は、制御装置１８によって制御される。これにより、各供給管４１−４４を介し、純水または所望の濃度の薬液を所望の流量で処理槽１２内へ供給することができる。

なお、このような切換機構５０の構成は、単なる例示に過ぎない。所望の供給管４１−４４を介して所望の濃度の処理液を所望の流量で処理槽１２内へ供給し得る公知の設備や機器等を、切換機構５０として用いることができる。

次に、下側供給管４１および第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４について詳述する。図１に示すように、本実施の形態において、液供給設備４０は、処理槽１２に取り付けられ処理槽１２内に処理液を吐出する第１乃至第４の吐出部材７１，７２，７３，７４をさらに有している。そして、各供給管４１−４４の端部は、処理槽１２内に処理液を吐出する第１乃至第４の吐出部材７１−７４に連結されている。

図１に示すように、各吐出部材７１，７２，７３，７４は、異なる四つの上下方向位置（鉛直方向位置）において、処理槽１２に取り付けられている。このうち第１吐出部材７１は、処理槽１２の第２領域１２ｂ内に配置されており、下側供給管４１と連結されている。第２吐出部材７２は、処理槽１２の第１領域１２ａ内の最下方に配置されており、第１上側供給管４２と連結されている。また、第３吐出部材７３は、処理槽１２の第１領域１２ａ内において第２吐出部材７２よりも上下方向（鉛直方向）における上方の位置に配置されており、第２上側供給管４３と連結されている。さらに、第４吐出部材７４は、処理槽１２の第１領域１２ａ内において第２吐出部材７２および第３吐出部材７３よりも上下方向における上方の位置に配置されており、第３上側供給管４４と連結されている。

なお、図１に示すように、第２の吐出部材７２から吐出された処理液は、主に、処理槽１２の第１領域１２ａ内に配置されたウエハＷの下方領域の周囲に供給されるようになる。また、図１に示すように、第３の吐出部材７３から吐出された処理液は、主に、処理槽１２の第１領域１２ａ内に配置されたウエハＷの中央領域の周囲に供給されるようなる。さらに、図１に示すように、第４の吐出部材７４から吐出された処理液は、主に、処理槽１２の第１領域１２ａ内に配置されたウエハＷの上方領域の周囲に供給されるようになる。

図２には、処理槽１２の断面視により、第４吐出部材７４が図示されている。なお、本実施の形態において、第１乃至第４の吐出部材７１，７２，７３，７４は上下方向における配置位置が異なるだけであり、図２に示された第４吐出部材７４は、第１乃至第３吐出部材７１，７２，７３と同一の構成となっている。図１および図２に示すように、本例において、各吐出部材７１，７２，７３，７４は、処理槽１２の対向する側壁に設けられた一対のノズルによって構成されている。ノズルは処理槽１２の壁面に沿って水平方向に延びる細長状の筒状の部材として形成されている。各吐出部材７１，７２，７３，７４をなしている二つの筒状部材は、上下方向において互いに同一位置に配置されている（図１参照）。

吐出部材７１，７２，７３，７４をなす筒状部材の一方の端部は閉鎖され、他方の端部は対応する供給管４１，４２，４３，４４と連結されている。図２に示すように、各筒状部材には、その長手方向に沿い一定の間隔を空けて配置された多数の吐出口７１ａ，７２ａ，７３ａ，７４ａが設けられている。吐出口７１ａ，７２ａ，７３ａ，７４ａの配置位置は、後述するように、保持部材２０によって保持された被処理ウエハＷの配置位置に基づき、決定されている。なお、各吐出部材７１，７２，７３，７４からの吐出方向は適宜変更することが可能となっていることが好ましい。

ただし、このような吐出部材７１，７２，７３，７４の構成は、単なる例示に過ぎず、公知の部材等を用いることができる。また、吐出部材を省略し、各供給管４１−４４が処理槽と直接連結されるようにしてもよい。

ところで、図１に示すように、純水供給管４８に、純水供給管４８内を流れる処理液の種々の条件を調整する調整装置６７を介設するようにしてもよい。このような調整装置６７として、処理液の溶存ガス濃度を調整するガス濃度調整装置や、処理液中に含まれる気泡の量を調整する気泡量調整装置や、処理液の温度を調整する温度調整装置等が選択され得る。

次に、以上のような液供給設備４０から処理液を受ける処理槽１２について詳述する。処理槽１２は、図１および図２に示すように略直方体の輪郭を有している。処理槽１２には、後述するようにウエハＷを出し入れするための上方開口１２ｃが形成されている。また、処理槽１２の底部には、貯留した処理液を排出するための排出管１３が開閉可能に設けられている。

また、図１に示すように、処理槽１２の上方開口１２ｃを取り囲むようにして、外槽１５が設けられている。この外槽１５は、処理槽１２の上方開口１２ｃからあふれ出た処理液を回収するようになっている。また、処理槽１２と同様に、外槽１５にも回収した処理液を排出するための排出管１６が開閉可能に設けられている。

このような処理槽１２および外槽１５は、例えば、耐薬品性に富んだ石英等を用いて形成される。また、処理槽１２の底部の厚みは、後に説明する超音波発生装置３０からの超音波を透過させることができるよう、処理槽１２をなす材料の種類および超音波発生装置３０から照射される超音波の周波数等を考慮して決定される。

なお、処理槽１２および外槽１５の排出管１３，１６から排出された処理液は、そのまま廃棄されてもよいし、フィルタ等を介して処理槽１２内に再度供給されるようにしてもよい。外槽１５に回収された処理液を再利用する場合、例えば、図１に点線で示すように、外槽１５と純水源６４とに接続された循環用配管１６ａを設けるようにすればよい。

次に、処理槽１２内に配置された整流部材２８について詳述する。整流部材２８は、処理槽１２の第２領域１２ｂから第１領域１２ａへ流れ込む処理液の流れを整え、処理槽１２内の第１領域１２ａ内において上昇流を形成するための部材である。なお、ここでいう「上昇流」とは、下側から上側に向かう流れを意味するものであり、上下方向（鉛直方向）と平行な流れに限定されるものではない。

図１および図２に示すように、本実施の形態において、整流部材２８は、多数の貫通孔２９を有する整流板からなっている。整流板２８はその板面が水平面と平行となるように支持されている。図２に示すように、処理槽１２の第１領域１２ａ内に収容されたウエハＷの直下の領域を含む整流板２８のほぼ全面に、円形状の貫通孔２９が形成されている。また、本例において、貫通孔２９は、整流板２８上において規則的に配置されている。したがって、このような整流板２８によれば、処理槽１２の第１領域１２ａ内の仮想水平面の各位置を略均一な流速で上下方向に沿って通過する上昇流を、処理槽１２の第１領域１２ａに形成することが可能となる。つまり、水平方向位置による速度ばらつきが低減された上下方向に沿った上昇流を、処理槽１２の第１領域１２ａの略全域にわたって形成することが可能となる。

整流板２８は、処理槽１２と同様の材料から形成され得る。また、整流板２８の厚みは、上述した処理槽１２の底部の厚みと同様に、超音波発生装置３０からの超音波を透過させることができるよう、整流板２８をなす材料の種類および超音波発生装置３０から照射される超音波の周波数等を考慮して決定される。

なお、このような構成からなる整流部材２８は単なる例示であって、公知の種々の整流部材を用いることができる。

次に、ウエハＷを保持する保持部材２０について説明する。図１および図２に示すように、保持部材２０は、略水平方向に延びる４本の棒状部材２２と、４本の棒状部材２２を片側から片持支持する基部２４と、を有している。棒状部材２２は、一度に処理される複数のウエハＷ、例えば５０枚のウエハＷを下方から支持するようになっている。このため、各棒状部材２２には、その長手方向に沿い一定間隔を空けて配列された溝（図示せず）が形成されている。ウエハＷは、この溝に係合し、各ウエハＷの板面が棒状部材の延びる方向と略直交するようにして、すなわち、各ウエハＷの板面が上下方向に沿うようにして、保持部材２０によって保持されるようになる（図１参照）。

ところで、図２から理解できるように、上述した吐出部材７１−７４の吐出口７１ａ−７４ａの配置ピッチは、保持部材２０に保持されたウエハＷの配置ピッチと略同一となっている。とりわけ処理槽１２の第１領域１２ａに処理液を直接供給する第２乃至第４の吐出部材７２，７３，７４の各吐出口７２ａ，７３ａ，７４ａは、保持部材２０に保持された隣り合うウエハＷの間に処理液を吐出することができるよう、配列されている。

一方、保持部材２０の基部２４は、図示しない昇降機構に連結されている。この昇降機構によってウエハＷを保持した保持部材２０を降下させることにより、処理槽１２の第１領域１２ａ内にウエハＷを収容することが可能となり、また、処理槽１２に貯留された処理液中にウエハＷを浸漬することも可能となる。

なお、昇降機構は制御装置１８に接続されている。処理槽１２の第１領域１２ａ内へのウエハＷの収容、および、処理槽１２の第１領域１２ａからのウエハＷの排出は、制御装置１８によって制御されるようになっている。

次に、超音波発生装置３０について説明する。図１に示すように、超音波発生装置３０は、処理槽１２の底部外面に取り付けられた振動子３８と、振動子３８を駆動するための高周波駆動電源３２と、高周波駆動電源３２に接続された超音波発振器３４と、を有している。本実施の形態においては、複数の振動子３８が設けられており、各振動子３８が処理槽１２の底部外面を部分的に占めるよう配列されている。また、図１に示すように、超音波発生装置３０は超音波発振器３４および各振動子３８に接続された駆動切換機構３６をさらに有している。この駆動切換機構３６によって、複数の振動子３８を全体駆動することと、一つまたは二以上の振動子３８を個別的に駆動することと、のいずれもが可能となっている。

振動子３８が駆動されて振動すると、処理槽１２の底部および整流部材２８を介し、処理槽１２の第１領域１２ａ内に貯留された処理液まで超音波が伝播する。これにより、処理槽１２内の処理液に超音波が発生させられる。なお、超音波発生装置３０は制御装置１８に接続されており、制御装置１８によって処理液への超音波の付与が制御されるようになっている。

次に、制御装置１８について説明する。上述したように、制御装置１８は、基板処理装置１０の各構成要素に接続され、各構成要素の動作を制御するようになっている。本実施の形態において、制御装置１８は、ＣＰＵからなるコントローラ１９ａと、このコントローラ１９ａに接続された記録媒体１９ｂと、を有している。記録媒体１９ｂには、後述する被処理ウエハＷの処理方法を実行するためのプログラムが、各種の設定データ等とともに格納されている。記録媒体１９ｂは、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリー、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭなどのディスク状記録媒体、その他の公知な記録媒体から構成され得る。

次に、主に図３乃至図１１を用い、このような構成からなる基板処理装置１０によって行われ得るウエハＷの処理方法について説明する。ここで、図３の上側供給管の欄には、各工程において上側供給管４２，４３，４４から供給される液体を表示している。また、図３の下側供給管の欄には、各工程において下側供給管４１から供給される液体を表示している。さらに、図３の外槽の欄には、各工程において処理槽１２から外槽１５に溢れ出す液体に含まれる一つを表示している。そして、図３の上側供給管、下側供給管、および外槽の欄に示された「ＤＩＷ」は純水を表し、「ＮＨ₃」はアンモニア水を表し、「ＨＦ」はフッ化水素水を表している。

なお、以下に説明する処理方法は、ウエハＷに対し、フッ化水素水を用いたエッチング処理およびその後のリンス処理、アンモニア水を用いたエッチング処理およびその後のリンス処理、純水を用いた処理、並びに、二回目のフッ化水素水を用いたエッチング処理およびその後のリンス処理を順に実施していくものである。

まず、第１の工程として、図３および図４に示すように、処理槽１２内に純水を処理液として貯留する。具体的には、制御装置１８からの信号によって吐出機構６５が駆動され、純水源６４に貯留された純水が純水供給管４８内を切換機構５０へ向けて送り込まれる。純水供給管４８内を流れる純水は、調整装置６７によって、溶存ガス濃度、気泡の混入量、温度等を調整される。このとき、切換機構５０の第５開閉バルブ５５および第６開閉バルブ５６は、制御装置１８からの信号に基づき、閉鎖されている。したがって、純水供給管４８から送り込まれてくる純水に、第１薬液要素源６１および第２薬液要素源６２からの薬液要素が、混入されることはない。すなわち、処理槽１２内に処理液として純水が供給されるようなる。

またこのとき、切換機構５０の第１乃至第４の開閉バルブ５１，５２，５３，５４は、制御装置１８からの信号に基づき、すべて開放されている。したがって、下側供給管４１および第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４の全ての供給管から、処理槽１２内に純水が供給される。このため、単位時間当たりの純水の供給量（例えば、８０ｌ／ｍｉｎ以上）を多く設定することができる。この結果、処理槽１２内に純水を短時間で効率的に貯留することができる。

次に、第２の工程として、処理槽１２の第１領域１２ａ内にウエハＷを収容する。具体的には、制御装置１８からの信号に基づき、昇降機構（図示せず）が保持部材２０を降下させる。このとき、保持部材２０は、所定枚（例えば５０枚）の被処理ウエハＷを保持している。この結果、複数枚のウエハＷが、処理槽１２の第１領域１２ａ内に収容されるようになるとともに、処理槽１２内に貯留された純水中に浸漬されるようになる。

この第２の工程の間、切換機構４０の開閉状態および吐出機構６５の稼働状態は、上述した第１の工程からそのままの状態に維持される。したがって、下側供給管４１および第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４の全ての供給管から処理槽１２内に純水が供給され続け、処理槽１２から外槽１５へと純水が溢れ出るようになる。

なお、この第１の工程と第２の工程とを、逆の順番で実施することもできる。また、第１の工程と第２の工程とを並行して実施するようにしてもよい。

次に、第３の工程として、図３および図５に示すように、下側供給管４１並びに第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４を介して処理槽１２にフッ化水素水（第２の薬液）が供給される。具体的には、切換機構５０の第６開閉バルブ５６が開放される。これにより、純水供給管４８から送り込まれてくる純水に、第２薬液要素源６２からの高濃度のフッ化水素水が混入されるようになる。一方、切換機構５０の第６開閉バルブ５６以外の開閉状態および吐出機構６５の稼働状態は、上述した第１および第２の工程からそのままの状態に維持される。この結果、図５に示すように、所定濃度に薄められたフッ化水素水（第２の薬液）が処理液として、下側供給管４１および第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４の全ての供給管を介し、処理槽１２の第１領域１２ａおよび第２領域１２ｂへ所定流量（例えば、８０ｌ／ｍｉｎ以上）で供給されるようになる。

このようにして、処理槽１２内にフッ化水素水が供給されると、それまで処理槽１２に貯留されていた液体が、処理槽１２へのフッ化水素水の流入量と略同一量だけ、処理槽１２の上方開口１２ｃから外槽１５に排出されていく。この結果、処理槽１２内の純水がフッ化水素水（第２の薬液）によって置換されていく。

上述したように、第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４はそれぞれ一対の第２乃至第４吐出部材７２，７３，７４に連結されている。第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４から送り込まれるフッ化水素水は、この第２乃至第４吐出部材７２，７３，７４を介し、処理槽１２の第１領域１２ｂ内へ直接吐出される。本実施の形態において、各対の吐出部材７２，７３，７４は、対向する処理槽１２の一対の壁面に、対向するようにして対称的に配置されている。また、第２乃至第４の吐出部材７２，７３，７４の各吐出口７２ａ，７３ａ，７４ａは、保持部材２０に保持された隣り合うウエハＷの間に純水を吐出することができるよう、配列されている。

したがって、対向する各対の吐出部材７２，７３，７４のうちの一方の吐出部材から吐出されたフッ化水素水と、他方の吐出部材から吐出されたフッ化水素水とが、ウエハＷとウエハＷとの間の隙間において衝突する。また、第２乃至第４吐出部材７２，７３，７４は、互いに異なる上下方向位置に配置されている。このため、処理槽１２の第１領域１２ａ内において（少なくとも被処理ウエハＷの板面の周囲において）、処理槽１２内に貯留された液体が激しく攪拌されるようになる。

したがって、処理槽１２内の少なくとも被処理ウエハＷの周囲に供給されたフッ化水素水は、それまでに処理槽１２内の少なくとも被処理ウエハＷの周囲に貯留されていた液体とすぐさま混ざり合う。この結果、フッ化水素水の濃度は、処理槽１２内の少なくとも被処理ウエハＷの周囲において略均一に保たれながら、上昇していくことになる。すなわち、第１領域１２ａ内のウエハＷの周囲にフッ化水素水が供給されるとフッ化水素水によるウエハＷのエッチングが開始されることになるが、この工程中において、ウエハＷの板面内における第２の薬液（フッ化水素水）を用いた処理の均一性は確保され得る。

ところで、本実施の形態においては、この工程中、下側供給管４１から処理槽１２の第２領域１２ｂ内にもフッ化水素水が供給されている。上述したように、下側供給管４１は一対の第１吐出部材７１に連結されている。下側供給管４１から送り込まれるフッ化水素水は、この第１吐出部材７１を介し、処理槽１２の第２領域１２ｂへ吐出される。本実施の形態において、一対の第１吐出部材７１は、対向する処理槽１２の一対の壁面に、対向するようにして対称的に配置されている。また、図８に示すように、各第１吐出部材７１は斜め下方に向けてフッ化水素水を吐出し、異なる吐出部材７１から吐出されたフッ化水素水は第２領域１２ｂ内において対称的な流れを形成する。

したがって、一方の第１吐出部材７１から吐出されたフッ化水素水と、他方の第１吐出部材７１から吐出されたフッ化水素水とが、第２領域１２ｂの中央部において互いに衝突し、第１吐出部材７１からの吐出方向に沿った流れが打ち消される。このようにして、第２領域１２ｂ内における特定方向に沿った局所的なフッ化水素水の流れが、処理槽１２の壁面および整流板２８によって打ち消されるとともに、第２領域１２ｂ内の圧力が略均一に上昇するようになる。この結果、整流板２８の多数の貫通孔２９のそれぞれを略同一量のフッ化水素水が通過して、第２領域１２ｂから第１領域１２ａへと上下方向に沿って流れ込む。

すなわち、第２領域１２ｂに供給されたフッ化水素水は、整流板２８を通過して、整流板２８の全面にわたって略均一な上昇流（並進流）として、第１領域１２ａに流入する。そして、この第２領域１２ｂから第１領域１２ａに流入するフッ化水素水によって、第１領域１２ａ内での液流が全体として上方に向かうようになる。したがって、処理槽１２内を漂う浮遊物、例えばエッチング処理によってウエハＷから除去されたパーティクルを処理槽１２内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽１５へと流し出すことができる。これにより、ウエハＷに浮遊物（パーティクル）が付着してしまうことを防止することができる。

次に、第４の工程として、図３および図６に示すように、フッ化水素水（第２の薬液）を処理槽１２へ補充しながら、ウエハＷをフッ化水素水（第２の薬液）中に浸漬しておく。具体的には、切換機構５０の開閉状態および吐出機構６５の稼働状態を、上述した第３の工程からそのままの状態に維持しておく。したがって、処理槽１２の第１領域１２ａおよび第２領域１２ｂへ所定流量（例えば、８０ｌ／ｍｉｎ以上）でフッ化水素水が供給され続ける。この工程は、例えば数分間実施される。

この工程中、図６に示すように、処理槽１２への新たなフッ化水素水の供給にともない、それまで処理槽１２に貯留されていたフッ化水素水が、処理槽１２への新たなフッ化水素水の流入量と同一量だけ、処理槽１２の上方開口１２ｃから外槽１５に排出されていく。また、上述したように、新たなフッ化水素水は、処理槽１２の第１領域１２ａ内の少なくともウエハＷの周囲において薬液が攪拌されるようにして、処理槽１２内に供給される。したがって、新たに供給されたフレッシュなフッ化水素水は、それまでに処理槽１２内に貯留されていたフッ化水素水とすぐさま混ざり合う。すなわち、処理槽１２の第１領域１２ａ内に配置された被処理ウエハＷの周囲においてフッ化水素水の濃度が一定に維持される。この結果、この工程中におけるエッチング量を被処理ウエハＷの板面内にわたって略均一とすることができる。

また、この工程中においても、第３の工程と同様に、下側供給管４１から処理槽１２の第２領域１２ｂ内にもフッ化水素水が供給されている。そして、上述したように、第２領域１２ｂに供給されたフッ化水素水は、整流板２８を通過して、整流板２８の全面にわたって略均一な上昇流（並進流）として、第１領域１２ａに流入する。この結果、処理槽１２内を漂う浮遊物を処理槽１２内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽１５へと流し出すことができる。これにより、ウエハＷに浮遊物（パーティクル）が付着してしまうことを防止することができる。

次に、第５の工程として、図３および図７に示すように、下側供給管４１並びに第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４を介して処理槽１２に純水が供給され、処理槽１２内のフッ化水素水が純水によって置換されていく。具体的には、制御信号１８からの信号により、切換機構５０の第６開閉バルブ５６が閉鎖される。これにより、純水供給管４８から送り込まれてくる純水に対する、第２薬液要素源６２からの高濃度のフッ化水素水の混入が停止する。一方、その他の切換機構５０の各開閉バルブの開閉状態および吐出機構６５の稼働状態は、上述した第４の工程からそのままの状態に維持される。この結果、図７に示すように、純水が、下側供給管４１および第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４を介し、処理槽１２へ所定流量（例えば、８０ｌ／ｍｉｎ以上）で供給されるようになる。

このようにして、処理槽１２内に純水が供給されると、それまで処理槽１２に貯留されていた液体が処理槽１２への純水の流入量と略同一量だけ、処理槽１２の上方開口１２ｃから外槽１５に排出されていく。この結果、処理槽１２内のフッ化水素水（第２の薬液）が純水によって置換されていく。なお、第１領域１２ａ内のウエハＷの周囲において、フッ化水素水が純水に置換されると、フッ化水素水によるウエハＷのエッチングが終了する。

第３の工程におけるフッ化水素水の供給と同様に、第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４から第１領域１２ａに純水を供給することによって、処理槽１２内に貯留された液体が激しく攪拌されるようになる。したがって、処理槽１２内の少なくとも被処理ウエハＷの周囲に供給された純水は、それまでに処理槽１２内の少なくとも被処理ウエハＷの周囲に貯留されていた液体とすぐさま混ざり合う。この結果、フッ化水素水の濃度は、処理槽１２内の少なくとも被処理ウエハＷの周囲において略均一に保たれながら、低下していくことになる。すなわち、この工程中、処理槽１２内に残存するフッ化水素水（第２に薬液）による処理は、ウエハＷの板面において略均一に行われるようになる。

また、第３の工程におけるフッ化水素水の供給と同様に、下側供給管４１から第２領域１２ｂに純水を供給することによって、第１領域１２ａ内での液流が全体として上方に向かうようになる。したがって、処理槽１２内を漂う浮遊物を処理槽１２内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽１５へと流し出すことができる。これにより、ウエハＷに浮遊物（パーティクル）が付着してしまうことを防止することができる。

以上のように、フッ化水素の濃度は、第３の工程において上昇し始めてから第５の工程において低下するまでの間、第１領域１２ａ内のウエハＷの板面近傍内において略均一に保たれる。したがって、第３の工程から第５の工程までの間に、ウエハＷをその板面の全領域にわたって略均一のエッチング量でエッチングすることができる。また、処理槽１２へのフッ化水素水（第２の薬液）の供給は下側供給管４１並びに第１乃至第３の上側供給管４２，４３，４４を用いて行われる。したがって、処理槽１２内へのフッ化水素水の供給量を多く設定することができ、これにより、フッ化水素水を用いた処理を短時間で行うことができる。

次に、第６の工程として、図３および図８に示すように、下側供給管４１を介して処理槽１２の第２領域１２ｂへアンモニア水（第１の薬液）が供給され、処理槽１２内の純水がアンモニア水によって置換されていく。具体的には、まず、制御信号１８からの信号により、吐出機構６５の出力が低下する。また、切換機構５０の第５開閉バルブ５５が開放される。これにより、純水供給管４８から送り込まれてくる純水に、第１薬液要素源６１からの高濃度のアンモニア水が混入されるようになる。また、第２乃至第４開閉バルブ７２，７３，７４が閉鎖する。この結果、図８に示すように、所定濃度に薄められたアンモニア水（薬液）が処理液として、下側供給管４１を介し、処理槽１２の第２領域１２ｂへ所定流量（例えば、４０〜５０ｌ／ｍｉｎ）で供給されるようになる。

上述したように、下側供給管４１は一対の第１吐出部材７１に連結されている。下側供給管４１から送り込まれるアンモニア水は、この第１吐出部材７１を介し、処理槽１２の第２領域１２ｂへ吐出される。本実施の形態において、一対の第１吐出部材７１は、対向する処理槽１２の一対の壁面に、対向するようにして対称的に配置されている。また、図８に示すように、各第１吐出部材７１は斜め下方に向けてアンモニア水を吐出し、異なる吐出部材７１から吐出されたアンモニア水は第２領域１２ｂ内において対称的な流れを形成する。

したがって、一方の第１吐出部材７１から吐出されたアンモニア水と、他方の第１吐出部材７１から吐出されたアンモニア水とが、第２領域１２ｂの中央部において互いに衝突し、第１吐出部材７１からの吐出方向に沿った流れが打ち消される。このようにして、第２領域１２ｂ内における特定方向に沿った局所的なアンモニア水の流れが、処理槽１２の壁面および整流板２８によって打ち消されるとともに、第２領域１２ｂ内の圧力が略均一に上昇するようになる。この結果、整流板２８の多数の貫通孔２９のそれぞれを略同一量のアンモニア水が通過して、第２領域１２ｂから第１領域１２ａへと上下方向に沿って流れ込む。すなわち、第２領域１２ｂから第１領域１２ａ内へのアンモニア水の流入は、整流板２８上の略全領域にわたって略均一に行われるようになる。

以上のようにして、処理槽１２の第１領域１２ａ内に上昇流が形成され、処理槽１２内の純水が、処理槽１２の下側からアンモニア水（第１の薬液）によって置換されていく。また、図８に示すように、アンモニア水の処理槽１２内への供給にともない、それまで処理槽１２に貯留されていた処理液が、処理槽１２への薬液の流入量と略同一量だけ、処理槽１２の上方開口１２ｃから外槽１５に排出されていく。すなわち、本実施の形態によれば、処理槽１２内の純水を第２の薬液（アンモニア水）によって効率的に置換していき、置換に要する薬液の量を節約することができる。

なお、第１領域１２ａ内のウエハＷの周囲にアンモニア水が供給されると、アンモニア水によるウエハＷのエッチングが開始される。上述したように、本実施の形態によれば、整流板２８上の略全領域から略均一にアンモニア水が第１領域１２ａ内に流入する。したがって、第１領域１２ａ内に配置された状態での横方向（水平方向）に対応する方向に沿ったウエハＷに対する処理の均一性を確保することができる。

また、上述したように、第２領域１２ｂから第１領域１２ａに流入するアンモニア水によって、第１領域１２ａ内での液流が全体として上方に向かうようになる。したがって、処理槽１２内を漂う浮遊物、例えばエッチング処理によってウエハＷから除去されたパーティクルを処理槽１２内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽１５へと流し出すことができる。これにより、ウエハＷに浮遊物（パーティクル）が付着してしまうことを防止することができる。

次に、第７の工程として、図３および図９に示すように、アンモニア水（薬液）を処理槽１２へ補充しながら、ウエハＷをアンモニア水（薬液）中に浸漬しておく。具体的には、切換機構５０の開閉状態および吐出機構６５の稼働状態を、上述した第３の工程からそのままの状態に維持しておく。したがって、処理槽１２の第２領域１２ｂへ所定流量（例えば、４０〜５０ｌ／ｍｉｎ）でアンモニア水が供給され続ける。この工程は、例えば数分間実施される。

この工程中、処理槽１２の第１領域１２ａ内に薬液の上昇流が形成される。また、図９に示すように、第２領域１２ｂから第１領域１２ａへの新たなアンモニア水の流入にともない、それまで処理槽１２に貯留されていたアンモニア水が、処理槽１２への新たなアンモニア水の流入量と同一量だけ、処理槽１２の上方開口１２ｃから外槽１５に排出されていく。すなわち、処理槽１２の第１領域１２ａ内に配置された被処理ウエハＷの周囲においてアンモニア水の濃度が一定に保たれるだけでなく、被処理ウエハＷの板面上におけるアンモニア水の流れ方、例えば流速が、板面内にわたって略均一となっている。したがって、処理されるべきシリコンウエハＷがアンモニア水に対して鋭い反応性を有するにもかかわらず、この工程中におけるエッチング量を被処理ウエハＷの板面内にわたって略均一とすることができる。

なお、上述した第６の工程と同様に、第２領域１２ｂから第１領域１２ａに流入するアンモニア水によって、第１領域１２ａ内での液流が全体として上方に向かうようになる。したがって、処理槽１２内を漂う浮遊物を処理槽１２内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽１５へと流し出すことができる。これにより、ウエハＷに浮遊物（パーティクル）が付着してしまうことを防止することができる。

次に、第８の工程として、図３および図１０に示すように、下側供給管４１を介して処理槽１２の第２領域１２ｂへ純水が供給され、処理槽１２内のアンモニア水が純水によって置換されていく。具体的には、制御信号１８からの信号により、切換機構５０の第５開閉バルブ５５が閉鎖される。これにより、純水供給管４８から送り込まれてくる純水に対する、第１薬液要素源６１からの高濃度のアンモニア水の混入が停止する。一方、その他の切換機構５０の各開閉バルブの開閉状態および吐出機構６５の稼働状態は、上述した第６および第７の工程からそのままの状態に維持される。この結果、処理槽１２の第２領域１２ｂへ所定流量（例えば、４０〜５０ｌ／ｍｉｎ）で純水が供給されるようになる。つまり、第６の工程から第８の工程まで、処理槽１２の第２領域１２ｂに供給される処理液の供給量は、略一定となっている。

上述したように、また、図１０に示すように、各第１吐出部材７１は斜め下方に向けて純水を吐出し、異なる吐出部材７１から吐出された純水は第２領域１２ｂ内において対称的な流れを形成するようになる。したがって、一方の第１吐出部材７１から吐出された純水と、他方の第１吐出部材７１から吐出された純水とが、第２領域１２ｂの中央部において互いに衝突し、第１吐出部材７１からの吐出方向に沿った流れが打ち消される。このようにして、第２領域１２ｂ内における特定方向に沿った局所的な純水の流れが、処理槽１２の壁面および整流板２８によって打ち消されるとともに、第２領域１２ｂ内の圧力が略均一に上昇するようになる。この結果、整流板２８の多数の貫通孔２９のそれぞれを略同一量の純水が通過して、第２領域１２ｂから第１領域１２ａへと上下方向に沿って流れ込む。すなわち、第２領域１２ｂから第１領域１２ａ内への純水の流入は、整流板２８上の略全領域にわたって略均一に行われるようになる。

以上のようにして、処理槽１２の第１領域１２ａ内に上昇流が形成され、処理槽１２内のアンモニア水（薬液）が、処理槽１２の下側から純水によって置換されていく。また、図１０に示すように、純水の処理槽１２内への供給にともない、それまで処理槽１２に貯留されていたアンモニア水が、処理槽１２への純水の流入量と略同一量だけ、処理槽１２の上方開口１２ｃから外槽１５に排出されていく。すなわち、本実施の形態によれば、処理槽１２内の第１の薬液（アンモニア水）を純水によって効率的に置換していくことができる。

また、上述した第６および第７の工程と同様に、この第８の工程においても、第２領域１２ｂから第１領域１２ａに流入する純水によって、第１領域１２ａ内での液流が全体として上方に向かうようになる。したがって、処理槽１２内を漂う浮遊物を処理槽１２内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽１５へと流し出すことができる。これにより、ウエハＷに浮遊物（パーティクル）が付着してしまうことを防止することができる。

なお、第１領域１２ａ内のウエハＷの周囲において、アンモニア水（第１の薬液）が純水に置換されると、アンモニア水によるウエハＷのエッチングが終了する。上述したように、本実施の形態によれば、整流板２８上の略全領域から略均一に純水が第１領域１２ａ内に流入する。したがって、第１領域１２ａ内に配置された状態での横方向（水平方向）に対応する方向に沿ったウエハＷに対する処理の均一性を確保することができる。

また、アンモニア水によるウエハＷのエッチングが開始してから終了するまでの間、処理槽１２の第１領域１２ａ内にアンモニア水の上昇流が常に形成されている。したがって、第１領域１２ａ内に配置された状態での横方向（水平方向）に対応する方向に沿ったウエハＷに対するエッチング量の均一性を確保することができる。

また、上述したように、処理槽１２内（とりわけ被処理ウエハＷの周囲）の処理液（純水）は下側から徐々にアンモニア水（第１の薬液）によって置換されていく。同様に、上述したように、処理槽１２内（とりわけ被処理ウエハＷの周囲）のアンモニア水（第１の薬液）は下側から徐々に純水によって置換されていく。したがって、図１２に示すように、処理槽１２の第１領域１２ａ内に配置されたウエハＷのうち上側部分の周囲における第１の薬液の濃度（図１２の一点鎖線）と、下側部分の周囲における第１の薬液の濃度（図１１の実線）とは、処理槽１２内へアンモニア水の供給を開始した後の一定時間の間、および、処理槽１２内へ純水の供給を開始した後の一定時間の間、異なる値をとるようになる。すなわち、ウエハＷの板面のうち、ウエハＷが処理槽１２内に配置された際に上方に配置される部分と下方に配置される部分との間で、アンモニア水（第１の薬液）による処理が実質的に開始されるタイミング並びにアンモニア水（第１の薬液）による処理が実質的に終了するタイミングは異なる。しかしながら、上述した第６の工程における処理槽１２の第２領域１２ｂ内へのアンモニア水（第１の薬液）の単位時間あたりの供給流量と、第８の工程における処理槽１２の第２領域１２ｂ内への純水（水）の単位時間あたりの供給流量と、を略同一にすることにより、実質的にアンモニア水による処理が行われている時間を略同一にすることができる（図１２参照）。したがって、ウエハＷが処理槽１２内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿ったウエハＷの板面におけるアンモニア水（第１の薬液）を用いた処理の均一性を確保することもできる。

さらに、被処理ウエハに対する処理が進行し得る第６の工程から第８の工程においては、被処理ウエハＷの板面の周囲にて、均一なアンモニア水（第１の薬液）の上昇流が形成されている。すなわち、被処理ウエハＷの板面上におけるアンモニア水の流れ方、例えば流速が、板面内にわたって略均一となっている。したがって、処理されるべきシリコンウエハＷがアンモニア水に対して鋭い反応性を有するにもかかわらず、エッチング量を被処理ウエハＷの板面内にわたって略均一とすることができる。

以上のようにして、第６の工程から第８の工程までの間に、ウエハＷをその板面の全領域にわたって略均一のエッチング量でエッチングすることができる。

次に、第９の工程として、図３および図１１に示すように、下側供給管４１並びに第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４を介して処理槽１２に純水が供給される。具体的には、まず、制御信号１８からの信号により、吐出機構６５の出力が上昇する。また、切換機構５０の第２乃至第４開閉バルブ５２，５３，５４が開放される。この結果、図１１に示すように、純水が、下側供給管４１および第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４を介し、処理槽１２へ所定流量（例えば、８０ｌ／ｍｉｎ以上）で供給されるようになる。 この工程は、例えば数分間行われる。

上述したように、第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４はそれぞれ一対の第２乃至第４吐出部材７２，７３，７４に連結されている。第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４から送り込まれる純水は、この第２乃至第４吐出部材７２，７３，７４を介し、処理槽１２の第１領域１２ａ内へ直接吐出される。本実施の形態において、各対の吐出部材７２，７３，７４は、対向する処理槽１２の一対の壁面に、対向するようにして対称的に配置されている。また、第２乃至第４の吐出部材７２，７３，７４の各吐出口７２ａ，７３ａ，７４ａは、保持部材２０に保持された隣り合うウエハＷの間に純水を吐出することができるよう、配列されている。

したがって、対向する各対の吐出部材７２，７３，７４のうちの一方の吐出部材から吐出された純水と、他方の吐出部材から吐出された純水とが、ウエハＷとウエハＷとの間の隙間において衝突する。また、第２乃至第４吐出部材７２，７３，７４は、互いに異なる上下方向位置に配置されている。このため、処理槽１２の第１領域１２ａ内において（少なくとも被処理ウエハＷの板面の周囲において）、処理槽１２内に貯留された液体（純水）が激しく攪拌されるようになる。加えて、第６乃至第８の工程に比べ、本工程においては処理槽１２内への液体の処理液の単位時間あたりの供給量が増大している。これらの結果、第８の工程では除去しきれずにウエハＷの周囲に滞留していたイオンレベルの薬液をも、ウエハＷの周囲から確実に流し去ることができる。同様に、第８の工程では除去しきれずにウエハＷに付着していた付着物（パーティクル）を当該ウエハＷから除去することができる。

なお、本工程においては、保持部材２０によって下方から支持されるウエハＷに対して下方のみからでなく、両側方からも処理液（純水）が吐出されている。したがって、第６乃至第８の工程と比較して、単位時間当たりの処理液の供給量が増大したとしても、保持部材２０によってウエハＷを安定して支持することができる。

また、本実施の形態において、下側供給管４１から処理槽１２の第２領域１２ｂ内にも純水が供給されている。第２領域１２ｂに供給された純水は、上述したように、整流板２８を通過して、整流板２８の全面にわたって略均一な上昇流（並進流）として、第１領域１２ａに流入する。そして、この第２領域１２ｂから第１領域１２ａに流入する純水によって、第１領域１２ａ内での液流が全体として上方に向かうようになる。したがって、ウエハＷの周囲に残留していた薬液や、ウエハＷから除去された付着物等の浮遊物（パーティクル）を処理槽１２内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽１５へと流し出すことができる。これにより、ウエハＷのリンス処理をより確実に行うことができるとともに、除去された付着物（パーティクル）等が再びウエハＷに付着してしまうことを防止することができる。

以上のようにして、フッ化水素水を用いたエッチング処理（第３および第４工程）およびその後のリンス処理（第５工程）、アンモニア水を用いたエッチング処理（第６および第７工程）およびその後のリンス処理（第８工程）、並びに、純水を用いた処理（第９の工程）が行われていく。そして、図３に示すように、本実施の形態においては、さらに、フッ化水素水を用いたエッチング処理（第１０および第１１工程）およびその後のリンス処理（第１２工程）が行われる。

具体的に説明すると、図３に示すように、フッ化水素水を用いたエッチング処理は、第１０の工程としての純水をフッ化水素水で置換する工程と、第１１の工程としてのウエハＷをフッ化水素水に浸漬しておく工程と、を含んでいる。また、リンス処理は、第１２の工程としてのフッ化水素を純水で置換する工程を含んでいる。このうち第１０の工程は、図５を参照しながら既に詳述した第３の工程と同一にすることができる。また、第１１の工程は、図６を参照しながら既に詳述した第４の工程と同一にすることができる。さらに、第１２の工程は、図７を参照しながら既に詳述した第５の工程と同一にすることができる。したがって、ここでは、第１０乃至第１２の工程についての重複する説明を省略する。

このようにして第１２の工程が終了すると、保持部材２０部材が上昇し、ウエハＷが処理槽１２内から排出される。以上のようにして被処理ウエハＷに対する一連の処理が終了する。

以上のような本実施の形態によれば、互いに異なる種類の薬液を用いた複数の処理を同一処理槽１２内においてウエハＷに対して施す際、薬液の種類に応じて処理槽１２内への薬液の供給方法を変えている。これにより、各薬液に適した方法でウエハＷを処理していくことができる。この結果、ウエハＷに対する複数の処理を短時間で行うことができるとともに、ウエハＷの板面内における処理の均一性を向上させることができる。

具体的には、処理槽内の少なくとも被処理ウエハＷの周囲において上昇流が形成されるようにして第１の薬液（アンモニア水）が処理槽１２内に供給される。したがって、第１の薬液が処理槽１２内に供給されている間、処理槽１２内の上昇流を均一にすることによって、ウエハＷの板面近傍における第１の薬液の濃度だけでなく、ウエハＷの板面近傍における液体の流れ方も、板面内にわたって略均一とすることができる。この結果、用いられる薬液の種類に依存することなく、ウエハＷの板面内における第１の薬液を用いた処理の均一性を大幅に向上させることができる。

その一方で、処理槽１２内の少なくともウエハＷの周囲において液体が攪拌されるようにして第２の薬液（フッ化水素水）が処理槽１２内に供給される。したがって、第２の薬液が処理槽１２内に供給されている間、第２の薬液の単位時間あたりの供給量を多く設定しながら、ウエハＷの板面近傍における第２の薬液の濃度を略均一に保つことができる。この結果、ウエハＷの板面内における処理の均一性を確保しながら、第２の薬液を用いた処理を短時間で行うことができる。

これらのことから、本実施の形態によれば、ウエハＷに対する複数の処理を短時間で行うことができるとともに、ウエハＷの板面内における処理の均一性を向上させることができる。

また、本実施の形態によれば、第１領域１２ａ内において上昇流が形成されるようにして、被処理ウエハＷを収容するとともに処理液（純水）を貯留した処理槽１２内の第２領域１２ｂに第１の薬液（アンモニア水）が供給される。また、処理槽１２内が第１の薬液（アンモニア水）によって置換された後、第１領域１２ａ内において上昇流が形成されるようにして、水（純水）が処理槽１２の第２領域１２ｂに供給される。いずれの場合も、少なくとも被処理ウエハＷの周囲において略均一な上昇流が形成される。したがって、被処理ウエハＷが処理槽１２内に配置された際の横方向に相当する方向に沿った被処理ウエハＷの板面における第１の薬液（アンモニア水）を用いた処理の均一性を確保することができる。

さらに、本実施の形態によれば、被処理ウエハＷの近傍において、処理槽１２内の処理液（純水）は下側から徐々に第１の薬液（アンモニア水）によって置換されていく。同様に、被処理ウエハＷの近傍において、処理槽１２内の第１の薬液（アンモニア水）は下方から徐々に水（純水）によって置換されていく。したがって、被処理ウエハＷの板面のうち、被処理ウエハＷが処理槽１２内に配置された際に上方に配置される部分および下方に配置される部分の間で、第１の薬液（アンモニア水）による処理が実質的に開始されるタイミング並びに第１の薬液（アンモニア水）による処理が実質的に終了するタイミングは異なるものの、実質的に薬液による処理が行われている時間を略同一にすることができる。したがって、被処理ウエハＷが処理槽１２内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿った被処理ウエハＷの板面における処理の均一性を確保することができる。

なお、上述した実施の形態に対して種々の変更を加えることができる。例えば、上述した実施の形態において、フッ化水素水を用いて処理する工程（第３および第４の工程、並びに、第１０および第１１の工程）において、下側供給管４１から処理槽１２の第２領域１２ｂにフッ化水素水を供給するとともに上側供給管４２，４３，４４から処理槽１２の第１領域１２ａにフッ化水素水を供給する例を示したが、これに限られず、上側供給管４２，４３，４４から処理槽１２の第１領域１２ａのみへフッ化水素水を供給するようにしてもよい。また、上述した実施の形態において、全ての上側供給管４２，４３，４４から処理槽１２の第１領域１２ａ内にフッ化水素水が供給される例を示したが、これに限られず、第１乃至第３上側供給管４１，４２，４３のうちの一つまたは二つからフッ化水素水が供給されるようにしてもよい。

また、上述した実施の形態において、アンモニア水を用いて処理する工程（第６および第７の工程）、並びに、アンモニア水を純水で置換する工程（第８の工程）において、下側供給管４１のみから第１の薬液（アンモニア水）または純水が処理槽１２内に供給される例を示したが、これに限られない。下側供給管４１から処理槽１２内に第１の薬液または純水を供給するとともに、並行して、第１乃至第３上側供給管４２，４３，４４のうちの少なくともいずれか一つの供給管から処理槽１２内に第１の薬液または純水を供給するようにしてもよい。第１領域１２ａ内における液体の流動について上昇流が支配的となっていれば、あるいは、少なくとも第１領域１２ａ内に収容されたウエハＷの周囲において上昇流が形成されていれば、ウエハＷをその板面内にわたって略均一に処理することができる。

さらに、上述した実施の形態において、フッ化水素水を純水で置換する工程（第５および第１２の工程）、並びに、純水を用いて処理する工程（第９の工程）において、全ての供給管４１，４２，４３，４４から処理槽１２内に処理液（純水）が供給される例を示したが、これに限られない。例えば、下側供給管４１からの純水の供給を停止してもよい。また、第１乃至第３上側供給管４１，４２，４３のうちの一つまたは二つから、純水が供給されるようにしてもよい。少なくとも第１領域１２ａ内に収容されたウエハＷの周囲に処理液が吐出され、貯留された液体がウエハＷの周囲で攪拌されていれば、当該ウエハＷに対するリンス処理をより確実に行うことができる。また、ウエハＷから高い除去効率で付着物を除去することができる。

さらに、上述した実施の形態において、第１の薬液を用いた処理を、アンモニア水を用いたシリコンウエハのエッチング処理とし、第２の薬液を用いた処理を、フッ化水素水を用いたシリコンウエハのエッチング処理とした例を示したが、これに限られず、種々変更することができる。例えば、第１の薬液を用いた処理を、被処理基板との反応性が比較的に高い薬液を用いた処理とし、第２の薬液を用いた処理を、被処理基板との反応性が第１の薬液よりも低い薬液を用いた処理としてよい。また、第１の薬液を用いた処理を、処理の進行度合いを高い精度で管理しなければならない処理とし、第２の薬液を用いた処理を、処理の進行度合いを高い精度で管理しなくてもよい処理としてもよい。また、上述した実施の形態において、ウエハＷに対し、フッ化水素水を用いたエッチング処理およびその後のリンス処理、アンモニア水を用いたエッチング処理およびその後のリンス処理、純水を用いた処理、並びに、二回目のフッ化水素水を用いたエッチング処理およびその後のリンス処理を順に実施していく例を説明した。しかしながら、当然に、ウエハＷの対して施される処理は、この例に限定されず、第１の薬液を用いた処理と、第２の薬液を用いた処理と、を適宜組み合わせたものとすることができる。

さらに、上述した実施の形態において、基板処理装置１０が超音波発生装置３０を含む例を示したが、これに限られず、超音波発生装置３０は任意である。一方で、上述した基板処理方法中の各工程、例えば、上述した第３乃至第１２の工程のうちのいずれか一つ以上の工程において、超音波発生装置３０から処理槽１２内の処理液に超音波を発生させるようにしてもよい。このような方法によれば、被処理ウエハＷから高い除去効率でパーティクルを除去することができる。

さらに、上述した実施の形態において、整流部材２８が多数の貫通孔２９を有する整流板からなる例を示したが、これに限られず、種々の公知の整流部材を適用することができる。また、処理槽１２の第１領域１２ａ内に配置された被処理ウエハＷの周囲において均一な上昇流を形成するため、処理槽１２の第２領域１２ｂ内に補助整流板を設けるようにしてもよい。例えば、下側供給管４１を介した第２領域１２ｂ内への液体の供給口（上述した実施の形態においては、第１吐出部材７１の吐出口７１ａ）に対面するようにして板状の補助整流板を設けることにより、下側供給管４１を介して供給された液体の供給方向に沿った局所的な流れを打ち消すことができる。また、下側供給管４１から第１吐出部材７１を介して処理槽１２の第２領域１２ｂ内に処理液が流れ込む例を示したが、これに限られず、第１吐出部材７１を省略することもできる。

さらに、上述した実施の形態において、上下方向沿った異なる三つの位置から、処理槽１２の第１領域１２ａ内へ処理液を供給する例を示したが、これに限られない。上下方向に沿った一つまたは二つの位置からのみ、第１領域１２ａ内へ処理液が供給されるようにしてもよい。あるいは、上下方向に沿った四つ以上の位置から、第１領域１２ａ内へ処理液が供給されるようにしてもよい。

なお、以上の説明においては、基板処理装置および基板処理方法を、ウエハＷに対するエッチング処理およびリンス処理に適用した例を示しているが、そもそもこれに限られず、ＬＣＤ基板やＣＤ基板に対するエッチング処理およびリンス処理に適用することができ、さらにはエッチング処理およびリンス処理以外の種々の処理に適用することもできる。

図１は、本発明による基板処理装置の一実施の形態の概略構成を示す図である。 図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。 図３は、図１に示された基板処理装置を用いて行われ得る基板処理方法を説明するための表である。 図４は、図３の基板処理方法に含まれた一つの工程を説明するための図である。 図５は、図３の基板処理方法に含まれた一つの工程を説明するための図である。 図６は、図３の基板処理方法に含まれた一つの工程を説明するための図である。 図７は、図３の基板処理方法に含まれた一つの工程を説明するための図である。 図８は、図３の基板処理方法に含まれた一つの工程を説明するための図である。 図９は、図３の基板処理方法に含まれた一つの工程を説明するための図である。 図１０は、図３の基板処理方法に含まれた一つの工程を説明するための図である。 図１１は、図３の基板処理方法に含まれた一つの工程を説明するための図である。 図１２は、処理槽内におけるアンモニア水の濃度の変化を説明するための図である。

符号の説明

１０ 基板処理装置
１２ 処理槽
１８ 制御装置
１９ｂ 記録媒体
２８ 整流部材（整流板）
２９ 貫通孔
３０ 超音波発生装置
４１ 下側供給管
４２ 第１上側供給管
４３ 第２上側供給管
４４ 第３上側供給管
５０ 切換機構
Ｗ 基板

Claims (39)

1. 整流部材が内部に設けられ、前記整流部材の上側に位置し被処理基板を収容する第１領域と前記整流部材の下側に位置する第２領域とを含む処理槽を用いて前記被処理基板を処理する方法であって、
   前記処理槽の前記第２領域に第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記被処理基板が収容された前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記被処理基板を前記第１の薬液によって処理する工程と、
   前記処理槽の前記第１領域に第２の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記被処理基板を前記第２の薬液によって処理する工程と、を備える
   ことを特徴とする基板処理方法。
2. 前記第１の薬液と前記被処理基板との反応性は、前記第２の薬液と前記被処理基板との反応性よりも高い
   ことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記第１の薬液はアンモニア水からなり、前記第２の薬液はフッ化水素水からなる
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の基板処理方法。
4. 前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程の後に、前記処理槽の前記第２領域に水を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記水を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する工程を、さらに備える
   ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板処理方法。
5. 前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する工程の後に、前記処理槽の前記第１領域に水を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に水を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌する工程を、さらに備える
   ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法。
6. 前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程は、
   内部に処理液が貯留されその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第２領域に前記第１の薬液を供給するとともに、前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換する工程を含む
   ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
7. 前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程は、内部に処理液が貯留されその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第２領域に前記第１の薬液を供給するとともに、前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換する工程を含み、
   前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記第１の薬液の単位時間あたりの供給量は、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一である
   ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理方法。
8. 前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程は、
   前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換する工程の後に、前記処理槽の前記第２領域に前記第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記被処理基板を前記処理槽内において前記第１の薬液に浸漬しておく工程を、さらに含む
   ことを特徴とする請求項６または７に記載の基板処理方法。
9. 前記処理液は水である
   ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
10. 前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程の後に、前記処理槽内の前記第２の薬液を前記水で置換する工程を、さらに備え、
    前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程の後に、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が行われ、
    前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程において前記第１の薬液によって置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第２の薬液を前記水で置換する工程において前記処理槽内に供給された前記水である
    ことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
11. 前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程の後に、前記処理槽の前記第１領域に水を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に水を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記第２の薬液を前記水で置換する工程を、さらに備える
    ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の基板処理方法。
12. 前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程は、
    内部に処理液が貯留されるとともにその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第１領域に前記第２の薬液を供給して、或いは、内部に処理液が貯留されるとともにその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に前記第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第２の薬液で置換する工程を、含む
    ことを特徴とする請求項１乃至９および請求項１１のいずれか一項に記載の基板処理方法。
13. 前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程は、
    前記処理槽内の前記処理液を前記第２の薬液で置換する工程の後に、前記処理槽の前記第１領域に前記第２の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に前記第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記被処理基板を前記処理槽内において前記第２の薬液に浸漬しておく工程を、さらに含む
    ことを特徴とする請求項１２に記載の基板処理方法。
14. 前記処理液は水である
    ことを特徴とする請求項１２または１３に記載の基板処理方法。
15. 前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程の後に、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する工程を、さらに備え、
    前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程の後に、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が行われ、
    前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程において前記第２の薬液によって置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する工程において前記処理槽内に供給された前記水である
    ことを特徴とする請求項１２または１３に記載の基板処理方法。
16. まず、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が行われ、
    次に、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が行われ、
    その後、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する工程が再度行われる
    ことを特徴とする請求項請求項１乃至９並びに請求項１１乃至１４のいずれか一項に記載の基板処理方法。
17. 前記整流部材は多数の貫通孔を有するとともに前記処理槽内を前記第１領域と前記第２領域とに区分けする整流板からなり、
    前記第２領域に供給された液体は、前記整流板の貫通孔を介し、前記第２領域から前記第１領域に流入する
    ことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
18. 前記工程のうちの少なくとも一つの工程において、前記処理槽内の液体に超音波を発生させる
    ことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれか一項に記載の基板処理方法。
19. 被処理基板を収容する第１領域と、前記第１領域の下方に配置された第２領域と、を含む処理槽と、
    前記処理槽内の前記第１領域と前記第２領域との間に設けられた整流部材と、
    前記処理槽の前記第２領域に接続され、少なくとも第１の薬液および水を前記処理槽の前記第２領域内に供給し得る下側供給管と、
    前記処理槽の前記第１領域に接続され、少なくとも第２の薬液および水を前記処理槽の前記第１領域内に供給し得る上側供給管と、
    前記下側供給管および前記上側供給管に連結され、前記下側供給管および前記上側供給管からの液体の供給を切り換える切換機構と、
    前記切換機構に接続され、前記下側供給管から前記処理槽の前記第２領域内への液体の供給および前記上側供給管から前記処理槽の前記第１領域内への液体の供給を制御する制御装置と、を備え、
    前記制御装置は、
    前記処理槽の前記第２領域に前記第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記被処理基板が収容された前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記被処理基板を前記第１の薬液によって処理し、
    また、前記第１の薬液を用いた前記被処理基板の処理の前または後に、前記処理槽の前記第１領域に前記第２の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に前記第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記被処理基板を前記第２の薬液によって処理する、ように前記切換機構を制御する
    ことを特徴とする基板処理装置。
20. 前記第１の薬液と前記被処理基板との反応性は、前記第２の薬液と前記被処理基板との反応性よりも高い
    ことを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
21. 前記第１の薬液はアンモニア水からなり、前記第２の薬液はフッ化水素水からなる
    ことを特徴とする請求項１９または２０に記載の基板処理装置。
22. 前記制御装置は、
    前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理した後に、前記処理槽の前記第２領域に水を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記水を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御する
    ことを特徴とする請求項１９乃至２１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
23. 前記制御装置は、
    前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換した後に、前記上側供給管から前記第１領域に水を供給して或いは前記上側供給管から前記第１領域および前記第２領域に水を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌する、ように前記切換機構を制御する
    ことを特徴とする請求項２２に記載の基板処理装置。
24. 前記制御装置は、
    前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する際、内部に処理液が貯留されその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第２領域に前記第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換する、ように前記切換機構を制御する
    ことを特徴とする請求項１９乃至２３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
25. 前記制御装置は、
    前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する際、内部に処理液が貯留されその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第２領域に前記第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換し、
    前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換する際に、前記処理槽内に供給される前記薬液の単位時間あたりの供給量が、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する際に、前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一になる、ように前記切換機構を制御する
    ことを特徴とする請求項２２に記載の基板処理装置。
26. 前記制御装置は、
    前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する際、前記処理槽内の前記処理液を前記第１の薬液で置換した後に、前記処理槽の前記第２領域に前記第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記被処理基板を前記処理槽内において前記第１の薬液に浸漬しておく、ように前記切換機構を制御する
    ことを特徴とする請求項２４または２５に記載の基板処理装置。
27. 前記処理液は水である
    ことを特徴とする請求項２４乃至２６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
28. 前記制御装置は、
    前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理した後に、前記処理槽内の前記第２の薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御し、
    前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理した後に、前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理し、
    前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理する際に前記第１の薬液によって置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第２の薬液を置換する際に前記処理槽内に供給された前記水である
    ことを特徴とする請求項２４乃至２６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
29. 前記制御装置は、
    前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理した後に、前記上側供給管から前記第１領域に水を供給して或いは前記上側供給管から前記第１領域に水を供給するとともに前記下側供給管から前記第２領域に水を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記第２の薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御する
    ことを特徴とする請求項１９乃至２７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
30. 前記制御装置は、
    前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する際、内部に処理液が貯留されるとともにその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第１領域に前記上側供給管から前記第２の薬液を供給して、或いは、内部に処理液が貯留されるとともにその第１領域内に前記被処理基板が収容された前記処理槽の前記第１領域に前記上側供給管から前記第２の薬液を供給するとともに当該処理槽の前記第２領域に前記下側供給管から前記第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第２の薬液で置換する、ように前記切換機構を制御する
    ことを特徴とする請求項１９乃至２７および請求項２９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
31. 前記制御装置は、
    前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する際、前記処理槽内の前記処理液を前記第２の薬液で置換した後に、前記上側供給管から前記第１領域に前記第２の薬液を供給して或いは前記上側供給管から前記第１領域に前記第２の薬液を供給するとともに前記下側供給管から前記第２領域に前記第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記被処理基板を前記処理槽内において前記第２の薬液に浸漬しておく、ように前記切換機構を制御する
    ことを特徴とする請求項３０に記載の基板処理装置。
32. 前記処理液は水である
    ことを特徴とする請求項３０または３１に記載の基板処理装置。
33. 前記制御装置は、
    前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理した後に、前記処理槽内の前記第１の薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御し、
    前記第１の薬液によって前記被処理基板を処理した後に、前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理し、
    前記第２の薬液によって前記被処理基板を処理する際に前記第２の薬液によって置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第２の薬液を置換する際に前記処理槽内に供給された前記水である
    ことを特徴とする請求項３０または３１に記載の基板処理装置。
34. 制御装置は、
    まず、前記第２の薬液によって前記被処理基板が処理され、
    次に、前記第１の薬液によって前記被処理基板が処理され、
    その後、前記第２の薬液によって前記被処理基板が再度処理される、ように切換機構を制御する
    ことを特徴とする請求項１９乃至２７並びに請求項２９乃至３２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
35. 前記整流部材は多数の貫通孔が形成された整流板を有し、
    前記第２領域に供給された液体は、前記整流板の貫通孔を介し、前記第１領域から前記第２領域に流入するようになる
    ことを特徴とする請求項１９乃至３４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
36. 鉛直方向に沿った配置位置が互いに異なるようにして前記処理槽の第１領域内に設けられた複数の吐出部材を、さらに備え、
    前記上側供給管は前記吐出部材に連結され、前記吐出部材を介して前記処理槽の第１領域内に液体が吐出される
    ことを特徴とする請求項１９乃至３５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
37. 前記処理槽内の液体に超音波を発生させる超音波発生装置をさらに備える
    ことを特徴とする請求項１９乃至３６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
38. 被処理基板を収容する第１領域と前記第１領域の下方に配置された第２領域とを含む処理槽と、前記処理槽内の前記第１領域と前記第２領域との間に設けられた整流部材と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムであって、
    前記制御装置によって実行されることにより、
    前記処理槽の前記第２領域に第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記被処理基板が収容された前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記被処理基板を前記第１の薬液によって処理する工程と、
    前記処理槽の前記第１領域に第２の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記被処理基板を前記第２の薬液によって処理する工程と、を含む被処理基板の処理方法を
    基板処理装置に実施させることを特徴とするプログラム。
39. 被処理基板を収容する第１領域と前記第１領域の下方に配置された第２領域とを含む処理槽と、前記処理槽内の前記第１領域と前記第２領域との間に設けられた整流部材と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムが記録された記録媒体であって、
    前記プログラムが前記制御装置によって実行されることにより、
    前記処理槽の前記第２領域に第１の薬液を供給するとともに前記整流部材を介して前記第２領域から前記被処理基板が収容された前記第１領域に前記第１の薬液を流入させ、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記被処理基板を前記第１の薬液によって処理する工程と、
    前記処理槽の前記第１領域に第２の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第１領域および前記第２領域に第２の薬液を供給して、前記第１領域内の少なくとも前記被処理基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記被処理基板を前記第２の薬液によって処理する工程と、を含む被処理基板の処理方法を
    基板処理装置に実施させることを特徴とする記録媒体。

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