WO2008075643A1

WO2008075643A1 - 基板処理装置および基板処理方法

Info

Publication number: WO2008075643A1
Application number: PCT/JP2007/074222
Authority: WO
Inventors: Hiroshi Tanaka; Takao Inada; Yuji Kamikawa
Original assignee: Tokyo Electron Limited
Priority date: 2006-12-21
Filing date: 2007-12-17
Publication date: 2008-06-26
Also published as: TW200847248A; TWI380355B

Abstract

　被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる基板処理方法を提供する。基板処理方法は、整流部材が内部に設けられ、整流部材の上側に位置する第１領域と整流部材の下側に位置する第２領域とを含む処理槽を用いて行われる。基板処理方法は、第１領域内に被処理基板Ｗを配置し、処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬する工程と、第２領域に薬液を供給して処理槽内の処理液を薬液で置換する工程と、第２領域に水を供給して処理槽内の薬液を水で置換する工程と、を備える。置換時に、第２領域に供給された液体は、整流部材を介して第１領域に流入し、第１領域内の少なくとも基板の近傍において上昇流が形成される。

Description

明細書

基板処理装置および基板処理方法

技術分野

[0001] 本発明は、被処理基板に対して二種類以上の処理液を用いて複数の処理を一つの処理槽内にお!/、て行う基板処理装置および基板処理方法に係り、とりわけ被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法に関する。

[0002] また、本発明は、薬液を用いた複数種類の処理を同一処理槽内において被処理基板に対して連続して行う基板処理装置および基板処理方法に係り、とりわけ被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができるとともに複数の処理を効率的に行うことができる基板処理装置および基板処理方法に関する。

[0003] さらに、本発明は、異なる種類の薬液を用いた複数の処理から一つの処理を選択し、当該選択された処理を処理槽内において被処理基板に対して行う基板処理装置および基板処理方法に係り、とりわけ被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法に関する。

背景技術

[0004] 従来、半導体ウェハやガラス基板等の被処理基板を、処理液に浸漬することによつて処理すること力広く行われてきた。そして、一つの処理槽内に二種類以上の処理液を順次供給して複数の処理を同一の処理槽内で行う基板処理装置および基板処理方法が知られている。

[0005] 特開平 8— 195372には、薬液を用いた処理と、その後に行われる純水を用いたリンス処理と、を同一槽内において実施する例が開示されている。この例では、薬液が貯留された処理槽内に被処理基板を浸漬し、処理槽内に攪拌流が形成されるようにして当該薬液を補充しながら、被処理基板が処理されていく。このような方法によれば、薬液の濃度を処理槽内において均一にすることができる。また、リンス処理は、処理槽内に攪拌流が形成されるようにして純水を処理槽内に供給する工程と、処理槽内に上昇流が形成されるようにして純水を処理槽内に供給する工程と、によって行われる。このようなリンス処理によれば、処理槽内の薬液を純水で置換することができるとともに、被処理基板をむらなくリンス処理することができる。

[0006] 特開 2001— 274133には、上述した特開平 8— 195372に記載された処理方法と同様の処理方法が開示されている（特開 2001— 274133の第 3の実施の形態）。ただし、リンス処理について、処理槽内に攪拌流が形成されるようにして純水を処理槽内に供給する工程と、処理槽内に上昇流が形成されるようにして純水を処理槽内に供給する工程と、のいずれを先に行ってもよい、と開示されている（特開 2001— 274 133の段落 0083)。

[0007] 一方、特許第 3343033号においては、処理液を処理槽内に貯留するとともに処理槽内に上昇流が形成されるようにして当該処理液を処理槽内に補充している状態で、被処理基板が処理槽内に配置されて処理される。そして、特許第 3343033号の構成を、複数種類の処理液を順次処理槽に供給しながら単一の処理槽で複数種の処理、例えばエッチング処理と水洗処理とを施すような装置に適用することができる、と開示されてレ、る（特許第 3343033号の段落 0030)。

[0008] しかしながら、特開 2001— 274133や特許第 3343033号に開示されているように、処理槽内に上昇流が形成されるようにして処理槽内に純水を供給して処理槽内の薬液を純水で置換していくと、特開平 8— 195372の〔発明が解決しょうとしている課題〕の欄に記載されているように、被処理基板の板面のうち当該被処理基板が処理槽内に配置された際に上方に配置される部分と下方に配置される部分との間で、処理の程度がばらつく虞がある。

[0009] また、本件発明者らが鋭意研究を重ねたところ、特開平 8— 195372に開示された方法によれば、処理液の種類によっては被処理基板の板面内における処理の均一性を確保することができるものの、一部の薬液を処理液として用いた場合には、被処理基板の板面内における処理の均一性が著しく低下する、ことが見出された。この点 (こつ!/ヽて、列え ίί特開 2001— 274133ゃ特開 2002— 100605等 ίこ開示されてレヽるように、被処理基板の板面内における処理の均一性を確保することを目的として、種々の研究開発が進められてきた。しかしながら、本件発明者らは、鋭意研究を重ねたところ、処理に用いられる薬液の種類によってはこれらの公知の方法により被処理基板の板面内における処理の均一性をある程度確保することができるものの、一部の薬液を用いた場合には、やはり、被処理基板の板面内における処理の均一性が著しく低下する、ことを知見した。

[0010] 本件発明者らによって得られた以上の知見によれば、このような被処理基板の処理において被処理基板の板面内における処理の均一性を確保するとともに処理を効率的に行うためには、薬液の種類に応じて被処理基板の処理方法を変更することが必要となる。また、異なる薬液を用いた処理を被処理基板に対して行う場合、被処理基板の板面内における処理の均一性についての要求力処理毎に異なることもある。この場合、均一性の要求に応じて被処理基板の処理方法を変更することが有効である。

発明の開示

[0011] すなわち、本発明は、これらの点を考慮してなされたものであり、被処理基板に対して二種類以上の処理液を用いて複数の処理を一つの処理槽内において行う基板処理装置および基板処理方法であって、とりわけ被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

[0012] また、本発明は、薬液を用いた複数種類の処理を同一処理槽内において被処理基板に対して連続して行う基板処理装置および基板処理方法であって、とりわけ被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができるとともに複数の処理を効率的に行うことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目白勺とする。

[0013] さらに、本発明は、異なる種類の薬液を用いた複数の処理から一つの処理を選択し、当該選択された処理を処理槽内において被処理基板に対して行う基板処理装置および基板処理方法であって、とりわけ被処理基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

[0014] 本件発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、基板との反応性が著しく高い薬液を用いて処理する場合、例えば、アンモニア水を用いてシリコンウェハをエッチングする場合、基板の板面に対する処理の進行度合いは、基板の板面近傍における処理液の濃度だけでなぐ基板の板面近傍における処理液の液流、例えば流速にも影響を受け得る、との知見を得た。そして、以下に説明する本発明による第 1の基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよびプログラム記録媒体は、本件はこのような知見に基づいて、上述した課題を解決しょうとするものである。

[0015] 本発明による第 1の基板処理方法は、整流部材が内部に設けられ、前記整流部材の上側に位置する第 1領域と前記整流部材の下側に位置する第 2領域とを含む処理槽の、前記第 1領域内に基板を配置し、前記処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬する工程と、前記処理槽の前記第 2領域に薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!/、て上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換する工程と、前記処理槽の前記第 2領域に水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する工程と、を備えることを特徴とする。

[0016] このような基板処理方法によれば、基板を収容するとともに処理液を貯留した処理槽内に上昇流が形成されるようにして、薬液が処理槽内に供給される。また、処理槽内が薬液によって置換された後、処理槽内に上昇流が形成されるようにして、水が処理槽内に供給される。いずれの場合も、少なくとも前記基板の近傍において上昇流が形成される。したがって、上昇流を均一にすることによって、基板の板面近傍における液体の流れ方を、板面内にわたって略均一とすることができる。この結果、液体の種類によらず、基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる。

[0017] なお、このような基板処理方法によれば、強い反応性を有したアンモニア水からなる薬液を用いた場合であっても、シリコンウェハ等の基板を略均一に処理することができる。ここでいう「アンモニア水からなる薬液」とは、アンモニアを主成分として含んだ水溶液を指し示し、アンモニアとともにアンモニア以外の一種類以上の成分 (例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。なお、前記処理液は水であることが好ましい。 [0018] また、薬液によって置換される処理液は水であることが好ましい。

[0019] 本発明による第 1の基板処理方法において、前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換する工程にて前記処理槽内に供給される前記薬液の単位時間あたりの供給量が、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する工程にて前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一であるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、ウェハの板面内における処理の均一性、とりわけ、ウェハが処理槽内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿ったウェハの板面内における処理の均一性をさらに向上させることができる。

[0020] また、本発明による第 1の基板処理方法において、前記基板を前記処理槽の前記第 1領域に配置する工程が、前記処理槽の前記第 1領域に接続された上側供給管から前記第 1領域に前記処理液を供給して、前記処理槽の前記第 2領域に接続された下側供給管から前記第 2領域に前記処理液を供給して、前記処理槽内に前記処理液を貯留する工程を、有するようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理槽内を処理液で迅速に満たすことができる。これにより、基板の処理を効率的に行うことができる。また、このような第 1の基板処理方法において、前記基板を前記処理槽の前記第 1領域に配置する工程が、前記処理液を貯留された前記処理槽の前記第 1領域内に前記基板を配置する工程を、さらに有するようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、基板を安定して処理液に浸漬された状態とすることができる。

[0021] さらに、本発明による第 1の基板処理方法において、前記整流部材は多数の貫通孔を有するとともに前記処理槽内を前記第 1領域と前記第 2領域とに区分けする整流板からなり、前記第 2領域に供給された液体は、前記整流板の貫通孔を介し、前記第 2領域から前記第 1領域に流入するようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、簡易な構成からなる整流部材によって、水平方向における均一性を有した上昇流を処理槽の第 1領域内に形成しながら、処理槽の第 2領域から第 1領域に液体を流人させること力 Sでさる。

[0022] さらに、本発明による第 1の基板処理方法が、前記薬液を供給して前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換する工程の後に、前記処理槽の前記第 2領域に薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記処理槽内において前記薬液に浸漬させておく工程を、さらに備えるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、基板の板面内における処理の均一性を確保しつつ、基板に対する処理の程度を調節することができる。

[0023] さらに、本発明による第 1の基板処理方法が、前記水を供給して前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する工程の後に、前記処理槽の前記第 1領域に水を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!/、て液体を攪拌する工程を、さらに備えるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、基板の近傍で液体が攪拌されるので、基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去することができる。また、このような第 1の基板処理方法の前記水を供給して前記処理槽内の第 1 領域内において液体を攪拌する工程において、前記処理槽の前記第 1領域に水を供給するとともに、前記処理槽の前記第 2領域に水を供給するようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、基板から除去された付着物を処理槽内の上方に浮かび上がらせることを促進すること力 Sできる。これにより、除去された付着物が再び基板に付着してしまうことを防止すること力 Sできる。

[0024] さらに、本発明による第 1の基板処理方法の前記工程のうちの少なくとも一つのェ程において、前記処理槽内の液体に超音波を発生させるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去すること力 Sでさる。

[0025] 本発明による第 1の基板処理装置は、基板を収容する第 1領域と、前記第 1領域の下方に配置された第 2領域と、を含む処理槽と、前記処理槽内の前記第 1領域と前記第 2領域との間に設けられた整流部材と、前記処理槽の前記第 2領域に接続され、少なくとも薬液および水を前記処理槽の前記第 2領域内に供給し得る下側供給管と、前記下側供給管に連結され、前記下側供給管からの液体の供給を切り換える切換機構と、前記切換機構に接続され、前記下側供給管から前記処理槽の前記第 2 領域内への液体の供給を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置が、処理液を貯留するとともに基板を収容した前記処理槽の前記第 2領域に薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換し、その後、前記処理槽の前記第 2領域に水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御する、ことを特徴とす

[0026] このような基板処理装置によれば、基板を収容するとともに処理液を貯留した処理槽内に上昇流が形成されるようにして、薬液が処理槽内に供給される。また、処理槽内が薬液によって置換された後、処理槽内に上昇流が形成されるようにして、水が処理槽内に供給される。いずれの場合も、少なくとも前記基板の近傍において上昇流が形成される。したがって、上昇流を均一にすることによって、基板の板面近傍における液体の流れ方を、板面内にわたって略均一とすることができる。この結果、液体の種類によらず、基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる。

[0027] なお、このような基板処理装置によれば、強い反応性を有したアンモニア水からなる薬液を用いた場合であっても、シリコンウェハ等の基板を略均一に処理することができる。ここでいう「アンモニア水からなる薬液」とは、アンモニアを主成分として含んだ水溶液を指し示し、アンモニアとともにアンモニア以外の一種類以上の成分 (例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。また、薬液によって置換される処理液は水であることが好ましレ、。

[0028] 本発明による第 1の基板処理装置において、前記制御装置が、前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換する際に、前記処理槽内に供給される前記薬液の単位時間あたりの供給量が、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する際に、前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一になる、ように前記切換機構を制御してもよい。

[0029] このような基板処理装置によれば、ウェハの板面内における処理の均一性、とりわけ、ウェハが処理槽内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿ったウェハの板面内における処理の均一性をさらに向上させることができる。 [0030] また、本発明による第 1の基板処理装置において、前記整流部材が多数の貫通孔が形成された整流板を有し、前記第 2領域に供給された液体は、前記整流板の貫通孔を介し、前記第 2領域から前記第 1領域に流入するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、簡易な構成からなる整流部材によって、水平方向における均一性を有した上昇流を処理槽の第 1領域内に形成しながら、処理槽の第 2領域から第 1領域に液体を流入させることができる。

[0031] さらに、本発明による第 1の基板処理装置が、前記処理槽の前記第 1領域に接続され、前記処理槽の前記第 1領域内に液体を供給し得る上側供給管を、さらに備え、前記切換機構は、前記上側供給管と連結され、前記上側供給管からの液体の供給を切り換えるようになつており、前記制御装置は、前記上側供給管から前記処理槽の前記第 1領域内への液体の供給を制御するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、第 1領域内に配置された基板に対して、上側供給管から直接液体を供給すること力できる。これにより、基板を適切に処理することができる。

[0032] また、このような第 1の基板処理装置力鉛直方向に沿った配置位置が互いに異なるようにして前記処理槽の第 1領域内に設けられた複数の吐出部材を、さらに備え、前記上側供給管は前記吐出部材に連結され、前記吐出部材を介して前記処理槽の第 1領域内に液体が吐出されるようにしてもよい。さらに、このような第 1の基板処理装置において、前記制御装置が、前記下側供給管から前記処理槽内に薬液を供給する前に、前記上側供給管から前記第 1領域に前記処理液を供給するとともに、前記下側供給管から前記第 2領域に前記処理液を供給して、前記処理槽内に前記処理液を貯留する、ように前記切換機構を制御する、ようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽内を処理液で迅速に満たすことができる。これにより、基板の処理を効率的に行うことができる。

[0033] さらに、このような第 1の基板処理装置において、前記制御装置が、前記下側供給管から前記処理槽内に水を供給した後に、前記上側供給管から前記第 1領域に水を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において液体を攪拌する、ように前記切換機構を制御する、ようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、基板の近傍で液体が攪拌されるので、基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去すること力 Sできる。また、このような第 1の基板処理装置において、前記制御装置が、前記処理槽内の第 1領域内において液体を攪拌する際に、前記上側供給管力前記第 1領域に水を供給するとともに、前記下側供給管から前記第 2領域に水を供給する、ように切換機構を制御する、ようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、基板から除去された付着物を処理槽内の上方に浮かび上がらせることを促進させること力 Sできる。これにより、除去された付着物が再び基板に付着してしまうことを防止すること力できる。

[0034] さらに、本発明による第 1の基板処理装置において、前記制御装置が、前記下側供給管から前記薬液を供給して前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換した後に、前記下側供給管から前記第 2領域に薬液を供給し続けて前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記処理槽内において前記薬液に浸漬させる、ように前記切換機構を制御する、ようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、基板の板面内における処理の均一性を確保しつつ、基板に対する処理の程度を調節することができる。

[0035] さらに、本発明による第 1の基板処理装置が、前記処理槽内の液体に超音波を発生させる超音波発生装置をさらに備えるようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去することができる。

[0036] 本発明による第 1のプログラムは、基板を収容する第 1領域と前記第 1領域の下方に配置された第 2領域とを含む処理槽と、前記処理槽内の前記第 1領域と前記第 2 領域との間に設けられた整流部材と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムであって、前記制御装置によって実行されることにより、前記処理槽の前記第 1領域内に基板を配置し、前記処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬する工程と、前記処理槽の前記第 2領域に薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換する工程と、前記処理槽の前記第 2領域に水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する工程と、を含む基板の処理方法を、基板処理装置に実施させることを特徴とする。

[0037] 本発明による第 1の記録媒体は、基板を収容する第 1領域と前記第 1領域の下方に配置された第 2領域とを含む処理槽と、前記処理槽内の前記第 1領域と前記第 2領域との間に設けられた整流部材と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によつて実行されるプログラムが記録された記録媒体であって、前記プログラムが前記制御装置によって実行されることにより、前記処理槽の前記第 1領域内に基板を配置し、前記処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬する工程と、前記処理槽の前記第 2 領域に薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!、て上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換する工程と、前記処理槽の前記第 2領域に水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する工程と、を含む基板の処理方法を、基板処理装置に実施させることを特徴とする。

[0038] また、本件発明者らは、鋭意研究を重ねた結果として、被処理基板の板面に対する処理の進行度合いが、被処理基板の板面近傍における薬液の濃度だけでなぐ被処理基板の板面近傍における処理液の液流、例えば流速にも影響を受け得る、との知見を得た。そして、以下に説明する本発明による第 2の基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよびプログラム記録媒体、並びに、本発明による第 3の基板処理方法、基板処理装置、プログラムおよびプログラム記録媒体は、このような知見に基づき、処理に用いられる薬液と被処理基板との反応性や、一枚の被処理基板内における処理の均一性に関する要求等に応じ、処理槽内における液体の流れを処理毎に適宜変更し、上述した課題を解決しょうとするものである。

[0039] 本発明による第 2の基板処理方法は、整流部材が内部に設けられ、前記整流部材の上側に位置し基板を収容する第 1領域と前記整流部材の下側に位置する第 2領域とを含む処理槽を用いて前記基板を処理する方法であって、前記処理槽の前記第 2 領域に第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記基板が収容された前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記第 1の薬液によって処理する工程と、前記処理槽の前記第 1領域に第 2の薬液を供給して或!/、は前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍におレ、て液体を攪拌しながら、前記基板を前記第 2の薬液によって処理する工程と、を備えることを特徴とする。

[0040] このような基板処理方法によれば、薬液を用いた複数種類の処理を同一処理槽内にお!/、て基板に対して施す際、処理毎に処理槽内への薬液の供給方法を変えてレ、る。これにより、各処理に適した方法で基板を処理していくことができる。この結果、基板に対する複数の処理を効率的に行うことができるとともに、基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる。

[0041] なお、このような基板処理方法における第 1の薬液を用いた処理の例として、基板との反応性が著しく高い薬液を用いた処理、例えば、アンモニア水からなる薬液を用いたシリコンウェハのエッチング処理が挙げられる。一方、このような基板処理方法における第 2の薬液を用いた処理の例としては、基板との反応性が第 1の薬液よりも低い薬液を用いた処理、例えば、フッ化水素水からなる薬液を用いたシリコンウェハのェツチング処理が挙げられる。ここでいう「アンモニア水からなる薬液」とは、アンモニアを主成分として含んだ水溶液を指し示し、アンモニアとともにアンモニア以外の一種類以上の成分 (例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。同様に、「フッ化水素水からなる薬液」とは、フッ化水素を主成分として含んだ水溶液を指し示し、フッ化水素とともにフッ化水素以外の一種類以上の成分 (例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。

[0042] 本発明による第 2の基板処理方法が、前記第 1の薬液によって前記基板を処理する工程の後に、前記処理槽の前記第 2領域に水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換する工程を、さらに備えるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理槽内の上昇流を均一にすることによって、基板の板面近傍における液体の流れを基板の板面内にわたって略均一としながら、処理槽内の第 1の薬液を水で置換すること力できる。これにより、基板の板面内における第 1の薬液を用いた処理の均一性をさらに向上させることができる。このような第 2の基板処理方法力前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換する工程の後に、前記処理槽の前記第 1 領域に水を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に水を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において液体を攪拌するェ程を、さらに備えるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、基板の近傍で液体が攪拌されるので、基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去すること力 Sできる。とりわけ、第 1領域だけでなく第 2領域にも水が供給されている場合には、基板から除去された付着物を処理槽内の上方に浮かび上がらせることを促進することができる。これにより、除去された付着物が再び基板に付着してしまうことを防止すること力 Sでさる。

また、本発明による第 2の基板処理方法において、前記第 1の薬液によって前記基板を処理する工程が、内部に処理液が貯留されその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 2領域に前記第 1の薬液を供給して、前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する工程を含むようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理槽内の上昇流を均一にすることによって、基板の板面近傍における液体の流れを基板の板面内にわたって略均一としながら、基板の板面近傍における液体を処理液から第 1の薬液に置換していくことができる。これにより、基板の板面内における第 1の薬液を用いた処理の均一性をさらに向上させることができる。さらに、上述したように、前記第 1の薬液によって前記基板を処理する工程の後に、前記処理槽の前記第 2領域に水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換する工程力さらに設けられているような場合には、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記第 1の薬液の単位時間あたりの供給量が、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一であるようにすることが好ましい。このような基板処理方法によれば、ウェハの板面内における処理の均一性、とりわけ、ウェハが処理槽内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿ったウェハの板面内における処理の均一性をさらに向上させること力 Sでさる。

[0044] これらのような第 2の基板処理方法において、前記第 1の薬液によって前記基板を処理する工程が、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する工程の後に、前記処理槽の前記第 2領域に前記第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記処理槽内において前記第 1の薬液に浸漬しておく工程を、さらに含むようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、基板の板面内における第 1の薬液を用いた処理の均一性を確保しつつ、基板に対する処理の程度を調節することができる。このような第 2の基板処理方法において、前記処理液は水であるようにしてもよい。あるいは、このような第 2の基板処理方法が、前記第 2の薬液によって前記基板を処理する工程の後に、前記処理槽内の前記第 2の薬液を水で置換する工程を、さらに備え、前記第 2の薬液によって前記基板を処理する工程の後に、前記第 1の薬液によって前記基板を処理する工程が行われ、前記第 1の薬液によって前記基板を処理する工程において前記第 1の薬液によって置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第 2の薬液を前記水で置換する工程において前記処理槽内に供給された前記水であるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理液を処理槽内に貯留する工程を別途に設ける必要がないので、処理の均一性を高い水準に維持したまま、処理に要する時間を短時間化することができる。

[0045] さらに、本発明による第 2の基板処理方法が、前記第 2の薬液によって前記基板を処理する工程の後に、前記処理槽の前記第 1領域に水を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に水を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍におレ、て液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記第 2の薬液を前記水で置換する工程を、さらに備えるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、基板の近傍で液体が攪拌されるので、基板の板面近傍における第 2の薬液の濃度を板面内にわたって略均一に保ちながら、処理槽内の第 2の薬液を短時間で水に置換すること力 Sできる。とりわけ、第 1領域だけでなく第 2領域にも水が供給されている場合には、処理槽内の浮遊物を上方に浮かび上がらせることを促進することができる。これにより、浮遊物が基板に付着してしまうことを防止することができる。さらに、本発明による第 2の基板処理方法において、前記第 2の薬液によって前記基板を処理する工程が、内部に処理液が貯留されるとともにその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 1領域に前記第 2の薬液を供給して、或いは、内部に処理液が貯留されるとともにその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に前記第 2の薬液を供給して、前記第 1 領域内の少なくとも前記基板の近傍におレ、て液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第 2の薬液で置換する工程を、含むようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、基板の板面近傍における第 2の薬液の濃度を、板面内に渡つて略均一に保ちながら、所望の濃度まで短時間で上昇させていくことができる。このような第 2の基板処理方法にお!/、て、前記第 2の薬液によって前記基板を処理する工程が、前記処理槽内の前記処理液を前記第 2の薬液で置換する工程の後に、前記処理槽の前記第 1領域に前記第 2の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に前記第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記基板を前記処理槽内において前記第 2の薬液に浸漬しておく工程を、さらに含むようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、基板の板面内における第 2の薬液を用いた処理の均一性を確保しつつ、基板に対する処理の程度を調節することができる。このような第 2の基板処理方法において、前記処理液は水であるようにしてもよい。あるいは、このような第 2 の基板処理方法が、前記第 1の薬液によって前記基板を処理する工程の後に、前記処理槽内の前記第 1の薬液を水で置換する工程を、さらに備え、前記第 1の薬液によつて前記基板を処理する工程の後に、前記第 2の薬液によって前記基板を処理する工程が行われ、前記第 2の薬液によって前記基板を処理する工程にお!/、て前記第 2 の薬液によって置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換する工程において前記処理槽内に供給された前記水であるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理液を処理槽内に貯留する工程を別途に設ける必要がないので、処理の均一性を高い水準に維持したまま、処理に要する時間を短時間化すること力 Sできる。なお、処理液は水であることが好ましい。

[0047] さらに、本発明による第 2の基板処理方法において、まず、前記第 2の薬液によって前記基板を処理する工程が行われ、次に、前記第 1の薬液によって前記基板を処理する工程が行われ、その後、前記第 2の薬液によって前記基板を処理する工程が再度 fiわれるようにしてあよ!/ヽ。

[0048] さらに、本発明による第 2の基板処理方法において、前記整流部材は多数の貫通孔を有するとともに前記処理槽内を前記第 1領域と前記第 2領域とに区分けする整流板からなり、前記第 2領域に供給された液体は、前記整流板の貫通孔を介し、前記第 2領域から前記第 1領域に流入するようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、簡易な構成からなる整流部材によって、水平方向における均一性を有した上昇流を処理槽の第 1領域内に形成しながら、処理槽の第 2領域から領域第 1領域に液体を流入させることができる。

[0049] さらに、本発明による第 2の基板処理方法の前記工程のうちの少なくとも一つのェ程において、前記処理槽内の液体に超音波を発生させるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去すること力 Sでさる。

[0050] 本発明による第 2の基板処理装置は、基板を収容する第 1領域と前記第 1領域の下方に配置された第 2領域とを含む処理槽と、前記処理槽内の前記第 1領域と前記第 2領域との間に設けられた整流部材と、前記処理槽の前記第 2領域に接続され、少なくとも第 1の薬液を前記処理槽の前記第 2領域内に供給し得る下側供給管と、前記処理槽の前記第 1領域に接続され、少なくとも第 2の薬液を前記処理槽の前記第 1領域内に供給し得る上側供給管と、前記下側供給管および前記上側供給管に連結され、前記下側供給管および前記上側供給管からの液体の供給を切り換える切換機構と、前記切換機構に接続され、前記下側供給管から前記処理槽の前記第 2領域内への液体の供給および前記上側供給管から前記処理槽の前記第 1領域内への液体の供給を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、前記処理槽の前記第 2 領域に前記第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記基板が収容された前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記第 1の薬液によつて処理し、また、前記第 1の薬液を用いた前記基板の処理の前または後に、前記処理槽の前記第 1領域に前記第 2の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第 1 領域および前記第 2領域に前記第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!/、て液体を攪拌しながら、前記基板を前記第 2の薬液によって処理する、ように前記切換機構を制御する

ことを特徴とする。

[0051] このような基板処理装置によれば、薬液を用いた複数種類の処理を同一処理槽内にお!/、て基板に対して施す際、処理毎に処理槽内への薬液の供給方法を変えてレ、る。これにより、各処理に適した方法で基板を処理していくことができる。この結果、基板に対する複数の処理を効率的に行うことができるとともに、基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる。

[0052] なお、このような基板処理装置における第 1の薬液を用いた処理の例として、基板との反応性が著しく高い薬液を用いた処理、例えば、アンモニア水からなる第 1の薬液を用いたシリコンウェハのエッチング処理が挙げられる。一方、このような基板処理装置における第 2の薬液を用いた処理の例としては、基板との反応性が第 1の薬液よりも低い薬液を用いた処理、例えば、フッ化水素水からなる第 2の薬液を用いたシリコンウェハのエッチング処理が挙げられる。ここでいう「アンモニア水からなる薬液」とは、アンモニアを主成分として含んだ水溶液を指し示し、アンモニアとともにアンモニア以外の一種類以上の成分 (例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。同様に、「フッ化水素水からなる薬液」とは、フッ化水素を主成分として含んだ水溶液を指し示し、フッ化水素とともにフッ化水素以外の一種類以上の成分（例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。 [0053] 本発明による第 2の基板処理装置において、前記制御装置が、前記第 1の薬液によって前記基板を処理した後に、前記処理槽の前記第 2領域に前記下側供給管から水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽内の上昇流を均一にすることによって、基板の板面近傍における液体の流れを基板の板面内にわたって略均一としながら、処理槽内の第 1の薬液を水で置換することができる。これにより、基板の板面内における第 1の薬液を用いた処理の均一性をさらに向上させることができる。このような第 2の基板処理装置において、前記制御装置が、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換した後に、前記第 1領域に前記上側供給管から水を供給して、或いは、前記第 1領域に前記上側供給管から水を供給するとともに前記第 2 領域に前記下側供給管から水を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において液体を攪拌する、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、基板の近傍で液体が攪拌されるので、基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去することができる。とりわけ、第 1領域だけでなく第 2領域にも水が供給されている場合には、基板から除去された付着物を処理槽内の上方に浮かび上がらせることを促進することができる。これにより、除去された付着物が再び基板に付着してしまうことを防止すること力できる。

[0054] また、本発明による第 2の基板処理装置において、前記制御装置が、前記第 1の薬液によって前記基板を処理する際、内部に処理液が貯留されその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 2領域に前記下側供給管から前記第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽内の上昇流を均一にすることによって、基板の板面近傍における液体の流れを基板の板面内にわたつて略均一としながら、基板の板面近傍における液体を処理液から第 1の薬液に置換していくことができる。これにより、基板の板面内における第 1の薬液を用いた処理の均一性をさらに向上させることができる。さらに、上述したように、前記第 1の薬液によつて前記基板を処理した後に、前記処理槽の前記第 2領域に水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換するようになっている場合には、さらに、前記制御装置が、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する際に前記処理槽内に供給される前記薬液の単位時間あたりの供給量が、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する際に前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一になる、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理方法によれば、ウェハの板面内における処理の均一性、とりわけ、ウェハが処理槽内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿ったウェハの板面内における処理の均一性をさらに向上させることができる。なお、処理液は水であることが好ましい。これらのような第 2の基板処理装置において、前記制御装置が、前記第 1の薬液によって前記基板を処理する際、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換した後に、前記処理槽の前記第 2領域に前記下側供給管から前記第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記処理槽内において前記第 1の薬液に浸漬しておぐように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、基板の板面内における第 1の薬液を用いた処理の均一性を確保しつつ、基板に対する処理の程度を調節すること力 Sできる。このような第 2の基板処理装置において、前記処理液は水であるようにしてもよい。あるいは、このような第 2の基板処理装置において、前記制御装置が、前記第 2の薬液によって前記基板を処理した後に、前記処理槽内の前記第 2の薬液を水で置換する、ように前記切換機構を制御し、前記第 2の薬液によって前記基板を処理した後に、前記第 1の薬液によって前記基板を処理し、前記第 1の薬液によって前記基板を処理する際に前記第 1の薬液によって置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第 2の薬液を置換する際に前記処理槽内に供給された前記水であるようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、処理液を処理槽内に貯留する工程を別途に設ける必要がないので、処理の均一性を高い水準に維持したまま、処理に要する時間を短時間化することができる。

[0056] さらに、本発明による第 2の基板処理装置において、前記制御装置が、前記第 2の薬液によって前記基板を処理した後に、前記上側供給管から前記第 1領域に水を供給して或いは前記上側供給管から前記第 1領域に水を供給するとともに前記下側供給管から前記第 2領域に水を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にぉレ、て液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記第 2の薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、基板の近傍で液体が攪拌されるので、基板の板面近傍における第 2の薬液の濃度を板面内にわたって略均一に保ちながら、処理槽内の第 2の薬液を短時間で水に置換すること力 Sでさる。とりわけ、第 1領域だけでなく第 2領域にも水が供給されている場合には、処理槽内の浮遊物を上方に浮かび上がらせることを促進することができる。これにより、浮遊物が基板に付着してしまうことを防止することができる。

[0057] さらに、本発明による第 2の基板処理装置において、前記制御装置が、前記第 2の薬液によって前記基板を処理する際、内部に処理液が貯留されるとともにその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 1領域に前記上側供給管から前記第 2の薬液を供給して、或いは、内部に処理液が貯留されるとともにその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 1領域に前記上側供給管から前記第 2の薬液を供給するとともに当該処理槽の前記第 2領域に前記下側供給管から前記第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!/、て液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第 2の薬液で置換する、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、基板の板面近傍における第 2の薬液の濃度を、板面内に渡って略均一に保ちながら、所望の濃度まで短時間で上昇させて!/、くこと力 Sできる。このような第 2の基板処理装置にお!/、て、前記制御装置が、前記第 2の薬液によって前記基板を処理する際、前記処理槽内の前記処理液を前記第 2の薬液で置換した後に、前記上側供給管から前記第 1領域に前記第 2の薬液を供給して或いは前記上側供給管から前記第 1領域に前記第 2の薬液を供給するとともに前記下側供給管から前記第 2領域に前記第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記基板を前記処理槽内において前記第 2の薬液に浸漬しておぐように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、基板の板面内における第 2 の薬液を用いた処理の均一性を確保しつつ、基板に対する処理の程度を調節すること力 Sできる。このような第 2の基板処理装置において、前記処理液は水であるようにしてもよい。あるいは、このような第 2の基板処理装置において、前記制御装置が、前記第 1の薬液によって前記基板を処理した後に、前記処理槽内の前記第 1の薬液を水で置換する、ように前記切換機構を制御し、前記第 1の薬液によって前記基板を処理した後に、前記第 2の薬液によって前記基板を処理し、前記第 2の薬液によって前記基板を処理する際に前記第 2の薬液によって置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第 2の薬液を置換する際に前記処理槽内に供給された前記水であるようにしてよい。このような基板処理装置によれば、処理液を処理槽内に貯留する工程を別途に設ける必要がないので、処理の均一性を高い水準に維持したまま、処理に要する時間を短時間化することができる。

[0058] さらに、本発明による第 2の基板処理装置において、制御装置が、まず、前記第 2 の薬液によって前記基板が処理され、次に、前記第 1の薬液によって前記基板が処理され、その後、前記第 2の薬液によって前記基板が再度処理される、ように切換機構を制御してもよい。

[0059] さらに、本発明による第 2の基板処理装置において、前記整流部材が多数の貫通孔が形成された整流板を有し、前記第 2領域に供給された液体は、前記整流板の貫通孔を介し、前記第 2領域から前記第 1領域に流入するようになっていてもよい。このような基板処理装置によれば、簡易な構成からなる整流部材によって、水平方向における均一性を有した上昇流を処理槽の第 1領域内に形成しながら、処理槽の第 2 領域から領域第 1領域に液体を流入させることができる。

[0060] さらに、本発明による第 2の基板処理装置が、鉛直方向に沿った配置位置が互いに異なるようにして前記処理槽の第 1領域内に設けられた複数の吐出部材を、さらに備え、前記上側供給管は前記吐出部材に連結され、前記吐出部材を介して前記処理槽の第 1領域内に液体が吐出されるようにしてもよい。

[0061] さらに、本発明による第 2の基板処理装置が、前記処理槽内の液体に超音波を発生させる超音波発生装置をさらに備えるようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去することができる。

[0062] 本発明による第 2のプログラムは、基板を収容する第 1領域と前記第 1領域の下方に配置された第 2領域とを含む処理槽と、前記処理槽内の前記第 1領域と前記第 2 領域との間に設けられた整流部材と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムであって、前記制御装置によって実行されることにより、前記処理槽の前記第 2領域に第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記基板が収容された前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1 領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記第 1の薬液によって処理する工程と、前記処理槽の前記第 1領域に第 2の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記基板を前記第 2の薬液によって処理する工程と、を含む基板の処理方法を基板処理装置に実施させることを特徴とする。

[0063] 本発明による第 2の記録媒体は、基板を収容する第 1領域と前記第 1領域の下方に配置された第 2領域とを含む処理槽と、前記処理槽内の前記第 1領域と前記第 2領域との間に設けられた整流部材と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によつて実行されるプログラムが記録された記録媒体であって、前記プログラムが前記制御装置によって実行されることにより、前記処理槽の前記第 2領域に第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記基板が収容された前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記第 1の薬液によって処理する工程と、前記処理槽の前記第 1領域に第 2の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!/、て液体を攪拌しながら、前記基板を前記第 2の薬液によって処理する工程と、を含む基板の処理方法を基板処理装置に実施させることを特徴とする。 [0064] 本発明による第 3の基板処理方法は、整流部材が内部に設けられ、前記整流部材の上側に位置し基板を収容する第 1領域と前記整流部材の下側に位置する第 2領域とを含む処理槽内で、第 1の薬液および第 2の薬液のいずれかを用いて基板を処理する方法であって、前記第 1の薬液および前記第 2の薬液のうちのいずれにより基板を処理するのかを設定する工程と、前記設定された薬液により前記基板を処理する工程と、を備え、前記設定された薬液により前記基板を処理する工程において、設定された薬液が前記第 1の薬液である場合、前記処理槽の前記第 2領域に第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記基板が収容された前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記第 1の薬液によって処理し、一方、設定された薬液が前記第 2の薬液である場合、前記処理槽の前記第 1領域に第 2の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!/、て液体を攪拌しながら、前記基板を前記第 2の薬液によって処理することを特徴とする。

[0065] このような基板処理方法によれば、薬液を用いた複数種類の処理を同一処理槽内にお!/、て基板に対して施す際、処理毎に処理槽内への薬液の供給方法を変えてレ、る。これにより、各処理に適した方法で基板を処理していくことができる。この結果、基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる。

[0066] なお、このような基板処理方法における第 1の薬液を用いた処理の例として、基板との反応性が著しく高い薬液を用いた処理、例えば、アンモニア水からなる薬液を用いたシリコンウェハのエッチング処理が挙げられる。一方、このような基板処理方法における第 2の薬液を用いた処理の例としては、基板との反応性が第 1の薬液よりも低い薬液を用いた処理、例えば、フッ化水素水からなる薬液を用いたシリコンウェハのェツチング処理が挙げられる。ここでいう「アンモニア水からなる薬液」とは、アンモニアを主成分として含んだ水溶液を指し示し、アンモニアとともにアンモニア以外の一種類以上の成分 (例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。同様に、「フッ化水素水からなる薬液」とは、フッ化水素を主成分として含んだ水溶液を指し示し、フッ化水素とともにフッ化水素以外の一種類以上の成分 (例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。

本発明による第 3の基板処理方法が、前記設定された薬液により前記基板を処理する工程の後に、前記処理槽内の前記薬液を水によって置換する工程をさらに備え、前記設定された薬液が第 1の薬液である場合、前記処理槽の前記第 2領域に前記水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記基板が収容された前記第 1 領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記第 1の薬液を前記水で置換し、一方、前記設定された薬液が第 2の薬液である場合、前記処理槽の前記第 1領域に前記水を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に前記水を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!/、て液体を攪拌しながら、前記第 2の薬液を前記水で置換するようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、処理槽内に第 1 の薬液が貯留されている場合、処理槽内の上昇流を均一にすることによって、基板の板面近傍における液体の流れを基板の板面内にわたって略均一としながら、処理槽内の第 1の薬液を水で置換することができる。これにより、基板の板面内における第 1の薬液を用いた処理の均一性をさらに向上させることができる。また、処理槽内に第 2の薬液が貯留されている場合、基板の近傍で液体が攪拌されるので、基板の板面近傍における第 2の薬液の濃度を板面内にわたって略均一に保ちながら、処理槽内の第 2の薬液を短時間で水に置換することができる。とりわけ、第 1領域だけでなく第 2領域にも水が供給されている場合には、処理槽内の浮遊物を上方に浮かび上力 Sらせることを促進すること力 Sできる。これにより、浮遊物が基板に付着してしまうことを防止すること力できる。また、このような本発明による第 3の基板処理方法において、前記設定された薬液が前記第 1の薬液である場合、前記設定された薬液により前記基板を処理する工程は、内部に処理液が貯留されその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 2領域に前記第 1の薬液を供給して、前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する工程を含み、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記第 1の薬液の単位時間あたりの供給量は、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一であるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、基板の板面内における処理の均一性、とりわけ、基板が処理槽内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿った基板の板面内における処理の均一性をさらに向上させること力 Sできる。なお、前記処理液は水であることが好ましい。

[0068] また、本発明による第 3の基板処理方法にお!/、て、前記整流部材は多数の貫通孔を有するとともに前記処理槽内を前記第 1領域と前記第 2領域とに区分けする整流板を有し、前記第 2領域に供給された液体は、前記整流板の貫通孔を介し、前記第 2 領域から前記第 1領域に流入するようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、簡易な構成からなる整流部材によって、水平方向における均一性を有した上昇流を処理槽の第 1領域内に形成しながら、処理槽の第 1領域に液体を流入させることができる。

[0069] さらに、本発明による第 3の基板処理方法が、前記第 1の薬液および前記第 2の薬液のいずれにより前記基板を処理するのかについての情報を入力する工程をさらに備え、この前記入力された情報に基づき、前記第 1の薬液および前記第 2の薬液のいずれにより前記基板を処理するのかを設定するようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、第 1の薬液または第 2の薬液のどちらにより処理を行うのかについての設定を、例えば操作者等が外部から入力することができるようになる。

[0070] さらに、本発明による第 3の基板処理方法において、前記工程のうちの少なくとも一つの工程において、前記処理槽内の液体に超音波を発生させるようにしてもよい。このような基板処理方法によれば、基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去すること力 Sでさる。

[0071] 本発明による第 3の基板処理装置は、第 1の薬液および第 2の薬液のいずれかを用いて基板を処理する基板処理装置であって、前記基板を収容する第 1領域と、前記第 1領域の下方に配置された第 2領域と、を含む処理槽と、前記処理槽内の前記第 1領域と前記第 2領域との間に設けられた整流部材と、前記処理槽の前記第 2領域に接続され、少なくとも第 1の薬液を前記処理槽の前記第 2領域内に供給し得る下側供給管と、前記処理槽の前記第 1領域に接続され、少なくとも第 2の薬液を前記処理槽の前記第 1領域内に供給し得る上側供給管と、前記下側供給管および前記上側供給管に連結され、前記下側供給管および前記上側供給管からの液体の供給を切り換える切換機構と、前記切換機構に接続され、前記下側供給管から前記処理槽の前記第 2領域内への液体の供給および前記上側供給管から前記処理槽の前記第 1領域内への液体の供給を制御する制御装置と、を備え、前記制御装置は、基板に対して第 1の薬液および第 2の薬液のいずれにより処理を行うのかの設定を行う設定部を有し、前記設定部における設定内容に基づいて前記切換機構を制御するように構成され、前記制御装置は、前記設定された薬液が第 1の薬液である場合、前記処理槽の前記第 2領域に前記第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域力前記基板が収容された前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記第 1の薬液によって処理し、一方、前記設定された薬液が第 2の薬液である場合、前記処理槽の前記第 1領域に前記第 2の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に前記第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!/、て液体を攪拌しながら、前記基板を前記第 2の薬液によつて処理する、ように前記切換機構を制御することを特徴とする。

[0072] このような基板処理装置によれば、薬液を用いた複数種類の処理を同一処理槽内にお!/、て基板に対して施す際、処理毎に処理槽内への薬液の供給方法を変えてレ、る。これにより、各処理に適した方法で基板を処理していくことができる。この結果、基板の板面内における処理の均一性を向上させることができる。

[0073] なお、このような基板処理装置における第 1の薬液を用いた処理の例として、基板との反応性が著しく高い薬液を用いた処理、例えば、アンモニア水からなる第 1の薬液を用いたシリコンウェハのエッチング処理が挙げられる。一方、このような基板処理装置における第 2の薬液を用いた処理の例としては、基板との反応性が第 1の薬液よりも低い薬液を用いた処理、例えば、フッ化水素水からなる第 2の薬液を用いたシリコンウェハのエッチング処理が挙げられる。ここでいう「アンモニア水からなる薬液」とは、アンモニアを主成分として含んだ水溶液を指し示し、アンモニアとともにアンモニア以外の一種類以上の成分 (例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。同様に、「フッ化水素水からなる薬液」とは、フッ化水素を主成分として含んだ水溶液を指し示し、フッ化水素とともにフッ化水素以外の一種類以上の成分（例えば界面活性剤）が微量に混入された水溶液も含む概念である。

本発明による第 3の基板処理装置にお!/、て、制御装置は、前記設定された薬液によって前記基板を処理した後に、前記設定された薬液が第 1の薬液である場合、前記下側供給管から前記第 2領域に水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換し、一方、前記設定された薬液が第 2の薬液である場合、前記上側供給管から前記第 1領域に水を供給して、或いは、前記上側供給管から前記第 1領域に水を供給するとともに前記下側供給管から前記第 2領域に水を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記第 2の薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、処理槽内に第 1の薬液が貯留されている場合、処理槽内の上昇流を均一にすることによって、基板の板面近傍における液体の流れを基板の板面内にわたって略均一としながら、処理槽内の第 1の薬液を水で置換することができる。これにより、基板の板面内における第 1の薬液を用いた処理の均一性をさらに向上させることができる。また、処理槽内に第 2の薬液が貯留されている場合、基板の近傍で液体が攪拌されるので、基板の板面近傍における第 2の薬液の濃度を板面内にわたつて略均一に保ちながら、処理槽内の第 2の薬液を短時間で水に置換することができる。とりわけ、第 1領域だけでなく第 2領域にも水が供給されている場合には、処理槽内の浮遊物を上方に浮かび上がらせることを促進することができる。これにより、浮遊物が基板に付着してしまうことを防止することができる。また、このような本発明による第 3の基板処理装置において、前記制御装置は、前記設定された薬液が前記第 1の薬液である場合、前記第 1の薬液により前記基板を処理する際に、内部に処理液が貯留されその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 2領域に前記第 1の薬液を供給して、前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換し、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する際に、前記処理槽内に供給される前記第 1の薬液の単位時間あたりの供給量と、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換する際に、前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と、が実質的に同一となる、ように前記切換機構を制御してもよい。このような基板処理装置によれば、基板の板面内における処理の均一性、とりわけ、基板が処理槽内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿った基板の板面内における処理の均一性をさらに向上させることができる。なお、前記処理液は水であることが好ましい。

[0075] また、本発明による第 3の基板処理装置にお!/、て、前記整流部材は多数の貫通孔が形成された整流板を有し、前記第 2領域に供給された液体は、前記整流板の貫通孔を介し、前記第 2領域から前記第 1領域に流入するようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、簡易な構成からなる整流部材によって、水平方向における均一性を有した上昇流を処理槽の第 1領域内に形成しながら、処理槽の第 1領域に液体を流入させることができる。

[0076] さらに、本発明による第 3の基板処理装置が、鉛直方向に沿った配置位置が互いに異なるようにして前記処理槽の前記第 1領域内に設けられた複数の吐出部材を、さらに備え、前記上側供給管は前記吐出部材に連結され、前記吐出部材を介して前記処理槽の前記第 1領域内に液体が吐出されるようにしてもよい。

[0077] さらに、本発明による第 3の基板処理装置が、前記第 1の薬液および前記第 2の薬液の!/、ずれにより前記基板を処理するのかにつ!/、ての情報を入力するための入力部を、さらに備え、前記設定部は、前記入力部において入力された情報に基づき、前記第 1の薬液および前記第 2の薬液のいずれにより前記基板を処理するのかを設定するように構成されていてもよい。このような基板処理装置によれば、設定部における設定を、例えば操作者等が外部から入力することができるようになる。

[0078] さらに、本発明による第 3の基板処理装置が、前記処理槽内の液体に超音波を発生させる超音波発生装置をさらに備えるようにしてもよい。このような基板処理装置によれば、基板の板面に付着した付着物を高い除去率で除去することができる。

[0079] 本発明による第 3のプログラムは、基板を収容する第 1領域と前記第 1領域の下方に配置された第 2領域とを含む処理槽と、前記処理槽内の前記第 1領域と前記第 2 領域との間に設けられた整流部材と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムであって、前記制御装置によって実行されることにより、前記第 1の薬液および前記第 2の薬液のうちのいずれにより基板を処理するのかを設定する工程と、前記設定された薬液により前記基板を処理する工程と、を備え、前記設定された薬液により前記基板を処理する工程にお!/、て、設定された薬液が前記第 1の薬液である場合、前記処理槽の前記第 2領域に第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記基板が収容された前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!、て上昇流を形成しながら、前記基板を前記第 1の薬液によって処理し、一方、設定された薬液が前記第 2の薬液である場合、前記処理槽の前記第 1領域に第 2の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に第 2の薬液を供給して、前記第 1 領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!/、て液体を攪拌しながら、前記基板を前記第 2の薬液によって処理する、基板の処理方法を基板処理装置に実行させることを特徴とする。

[0080] また、本発明による第 3の記録媒体は、基板を収容する第 1領域と前記第 1領域の下方に配置された第 2領域とを含む処理槽と、前記処理槽内の前記第 1領域と前記第 2領域との間に設けられた整流部材と、を備えた基板処理装置を制御する制御装置によって実行されるプログラムが記録された記録媒体であって、前記プログラムが前記制御装置によって実行されることにより、前記第 1の薬液および前記第 2の薬液のうちの!/、ずれにより基板を処理するのかを設定する工程と、前記設定された薬液により前記基板を処理する工程と、を備え、前記設定された薬液により前記基板を処理する工程において、設定された薬液が前記第 1の薬液である場合、前記処理槽の前記第 2領域に第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記基板が収容された前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記第 1の薬液によつて処理し、一方、設定された薬液が前記第 2の薬液である場合、前記処理槽の前記第 1領域に第 2の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記基板を前記第 2の薬液によって処理する、基板の処理方法を基板処理装置に実行させることを特徴とする。

図面の簡単な説明

[図 1]図 1は、本発明による基板処理装置の第 1乃至第 3の実施の形態の概略構成を示す図である。

[図 2]図 2は、図 1の II Il泉に沿った断面図である。

[図 3]図 3は、本発明による基板処理方法の第 1乃至第 3の実施の形態を説明するための図である。

[図 4]図 4は、本発明による基板処理方法の第 1乃至第 3の実施の形態を説明するための図である。

[図 5]図 5は、本発明による基板処理方法の第 1乃至第 3の実施の形態を説明するための図である。

[図 6]図 6は、本発明による基板処理方法の第 1乃至第 3の実施の形態を説明するための図である。

[図 7]図 7は、本発明による基板処理方法の第 1乃至第 3の実施の形態を説明するための図である。

[図 8]図 8は、本発明による基板処理方法の第 1乃至第 3の一実施の形態を説明するための図である。

[図 9]図 9は、本発明による基板処理方法の第 2の実施の形態を説明するための表である。

[図 10]図 10は、本発明による基板処理方法の第 2および第 3の実施の形態を説明するための図である。

[図 11]図 11は、本発明による基板処理方法の第 2および第 3の実施の形態を説明するための図である。

[図 12]図 12は、本発明による基板処理方法の第 2および第 3の実施の形態を説明するための図である。

[図 13]図 13は、本発明による基板処理方法の第 3の実施の形態を説明するための表である。

[図 14]図 14は、本発明による基板処理方法の第 3の実施の形態を説明するための表である。

発明を実施するための形態

[0082] 以下、図面を参照して本発明によるいくつかの実施の形態について説明する。なお、以下に説明する実施の形態においては、本発明をシリコンウェハ（半導体ウェハ )のエッチング処理およびその後のリンス処理に適用した例を説明する。ただし、本発明は、エッチング処理およびその後のリンス処理への適用に限られるものではなく、広く基板の処理に適用することができる。

[0083] 〔第 1の実施の形態〕

まず、図 1乃至図 8を参照して、本発明による基板処理装置および基板処理方法、基板処理プログラム、および、プログラム記録媒体の第 1の実施の形態を説明する。図 1乃至図 8は、基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、および、プログラム記録媒体の第 1の実施の形態を説明するための図である。このうち図 1は基板処理装置の概略構成を示す図であり、図 2は図 1の II II線に沿った断面を示す断面図であり、図 3乃至図 8は図 1に示された基板処理装置を用いて行われ得る基板処理方法を説明するための図である。

[0084] 図 1に示すように、本実施の形態における基板処理装置 10は、ウェハ Wを収容する処理槽 12と、処理槽 12内に処理液を供給する液供給設備 40と、被処理ウェハ（被処理基板) Wを保持する保持部材（ウェハボートとも呼ぶ） 20と、各構成要素の動作を制御する制御装置 18と、を備えている。図 1に示すように、処理槽 12内には整流部材 28が設けられている。この整流部材 28によって、処理槽 12の内部が、整流部材 28の上側に位置する第 1領域 12aと、整流部材 28の下側に位置する第 2領域 1 2bと、に区分けされる。

[0085] このような基板処理装置 10は、複数種類の処理液を液供給設備 40から処理槽 12 内に順次供給していき、処理槽 12内に収容されたウェハ Wに対して種々の処理を施していくための装置である。とりわけ本実施の形態においては、図 1に示すように、基板処理装置 10が、処理槽 12内に貯留された処理液に超音波を発生させることができる超音波発生装置 30を、さらに備えている。したがって、本実施の形態における基板処理装置 10によれば、処理槽 12内に収容されたウェハ Wを超音波洗浄することもできる。

[0086] 以下、基板処理装置の各構成要素についてさらに詳述していく。

[0087] まず、液供給設備 40について詳述する。図 1に示すように、液体供給設備 40は、処理槽 12の第 2領域 12bに接続された下側供給管 41と、処理槽 12の第 1領域 12a に接続された第 1乃至第 3の上側供給管 42, 43, 44と、下側供給管 41および上側供給管 42, 43, 44と接続された純水供給管 48と、を有している。

[0088] 純水供給管 48は純水源 64に連結されている。また、純水供給管 48には吐出機構

65が介設されている。この吐出機構 65を稼働させることにより、純水供給管 48から下側供給管 41および上側供給管 42, 43, 44へ処理液が供給されるようになる。また、図 1に示すように、下側供給管 41および上側供給管 42, 43, 44と、純水供給管 48と、は切換機構 50を介して接続されている。この切換機構 50を操作することによつて、下側供給管 41および上側供給管 42, 43, 44のうちの所望の供給管のみへ、純水供給管 48からの処理液を送り込むことができるようになる。なお、ここでいう「処理液」とは、処理に用いられる液体であり、純水（DIW)だけでなく薬液も含む概念である。

[0089] このうち、純水源 64および吐出機構 65についてまず詳述する。純水源 64は、例えば処理液を貯留するタンク等、純水（DIW)を貯留し得る公知の貯留設備等から構成され得る。一方、吐出機構 65は、例えばポンプ等、公知の設備や機器等から構成され得る。より具体的な吐出機構 65の例として、エア圧力を調節することによって吐出量を調節し得るエア駆動式のベローズポンプを用いることができる。

[0090] 上述したように、液供給設備 40は制御装置 18に接続されている。そして、吐出機構 65は制御装置 18によって制御されるようになっている。具体的には、吐出機構 65 の駆動および停止、吐出機構 65の駆動時における処理液の供給流量等力 S、制御装置 18によって制御されるようになっている。なお、吐出機構 65がエア駆動式のベローズポンプの場合にはエア圧力を制御することにより、吐出機構 65がエア駆動式のベローズポンプ以外の場合には、例えば入力となる電力量を制御することにより、吐出機構 65の駆動時におけるポンプの吐出量を調節することができる。

[0091] 次に、切換機構 50について詳述する。図 1に示すように、本実施の形態において、切換機構 50(ま第 1乃至第 6の開閉ノノレフ、、 51 , 52, 53, 54, 55, 56を有してレヽる。

[0092] このうち、第 1開閉バルブ 51は、下側供給管 41と連結されている。また、第 2開閉バルブ 52は第 1上側供給管 42と連結されている。さらに、第 3開閉バルブ 53は第 2上側供給管 43と連結されている。さらに、第 4開閉バルブ 54は第 3上側供給管 44と連結されている。そして、第 1乃至第 4開閉バルブ 51— 54は、純水供給管 48と、各バルブ 51— 54に連結された供給管 41—44と、の接続状態 (連通状態）を開閉するようになっている。すなわち、各開閉バルブ 51— 54を開閉させることにより、各供給管 41 44を介した処理槽 12内への処理液の供給を制御することができる。

[0093] ところで、本実施の形態において、液供給設備 40は、異なる薬液要素を貯留した複数の薬液要素源 61 , 62を有している。この液供給設備 40においては、薬液要素源 61 , 62から供給される薬液要素と、純水源 64から供給される純水とを混合して、所望の濃度の薬液（処理液）を生成することができる。図示する例においては、高濃度のアンモニア水（NH OH)を薬液要素として貯留した第 1薬液要素源 61と、フッ化

4

水素 (HF)を高濃度で含んだフッ化水素水を薬液要素として貯留した第 2薬液要素原 62と、力 S設けられている。

[0094] 図 1に示すように、上述した切換機構 50の第 5開閉バルブ 55が第 1薬液要素源 61 と連結され、第 6開閉バルブ 56が第 2薬液要素源 62と連結されている。したがって、第 5開閉バルブ 55を開くことにより、純水供給管 48から送り込まれる純水に第 1薬液要素源 61から送り込まれてくる高濃度のアンモニア水を混入させ、処理液として所望の濃度のアンモニア水（第 1の薬液）を生成することができる。また、第 6開閉バルブ 5 6を開くことにより、純水供給管 48から送り込まれる純水に第 2薬液要素源 62から送り込まれてくる高濃度のフッ化水素水を混入させ、処理液として所望の濃度のフッ化水素水（第 2の薬液）を生成することができる。

[0095] 切換機構 50は制御装置 18に接続されている。第 1乃至第 6開閉バルブ 51— 56の開閉動作および開度は、制御装置 18によって制御される。これにより、各供給管 41 —44を介し、純水または所望の濃度の薬液を所望の流量で処理槽 12内へ供給すること力 Sでさる。

[0096] なお、このような切換機構 50の構成は、単なる例示に過ぎない。所望の供給管 41 —44を介して所望の濃度の処理液を所望の流量で処理槽 12内へ供給し得る公知の設備や機器等を、切換機構 50として用いることができる。

[0097] 次に、下側供給管 41および第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44について詳述する。図 1に示すように、本実施の形態において、液供給設備 40は、処理槽 12に取り付けられ処理槽 12内に処理液を吐出する第 1乃至第 4の吐出部材 71 , 72, 73, 74 をさらに有している。そして、各供給管 41— 44の端部は、処理槽 12内に処理液を吐出する第 1乃至第 4の吐出部材 71— 74に連結されている。

[0098] 図 1に示すように、各吐出部材 71 , 72, 73, 74は、異なる四つの鉛直方向位置において、処理槽 12に取り付けられている。このうち第 1吐出部材 71は、処理槽 12の第 2領域 12b内に配置されており、下側供給管 41と連結されている。第 2吐出部材 7 2は、処理槽 12の第 1領域 12a内の最下方に配置されており、第 1上側供給管 42と連結されている。また、第 3吐出部材 73は、処理槽 12の第 1領域 12a内において第 2 吐出部材 72よりも鉛直方向における上方の位置に配置されており、第 2上側供給管 43と連結されている。さらに、第 4吐出部材 74は、処理槽 12の第 1領域 12a内において第 2吐出部材 72および第 3吐出部材 73よりも鉛直方向における上方の位置に配置されており、第 3上側供給管 44と連結されている。

[0099] なお、図 1に示すように、第 2の吐出部材 72から吐出された処理液は、主に、処理槽 12の第 1領域 12a内に配置されたウェハ Wの下方領域の周囲に供給されるようになる。また、図 1に示すように、第 3の吐出部材 73から吐出された処理液は、主に、処理槽 12の第 1領域 12a内に配置されたウェハ Wの中央領域の周囲に供給されるようなる。

[0100] さらに、図 1に示すように、第 4の吐出部材 74から吐出された処理液は、主に、処理槽 12の第 1領域 12a内に配置されたウェハ Wの上方領域の周囲に供給されるようになる。 [0101] 図 2には、処理槽 12の断面視により、第 4吐出部材 74が図示されている。なお、本実施の形態において、第 1乃至第 4の吐出部材 71 , 72, 73, 74は鉛直方向における配置位置が異なるだけであり、図 2に示された第 4吐出部材 74は、第 1乃至第 3吐出部材 71 , 72, 73と同一の構成となっている。図 1および図 2に示すように、本例において、各吐出部材 71 , 72, 73, 74は、処理槽 12の対向する側壁に設けられた一対のノズルによって構成されている。ノズルは処理槽 12の壁面に沿って水平方向に延びる細長状の筒状の部材として形成されている。各吐出部材 71 , 72, 73, 74をなして!/、る二つの筒状部材は、鉛直方向にお!/、て互いに同一位置に配置されて!/、る ( 図 1参照)。

[0102] 吐出部材 71 , 72, 73, 74をなす筒状部材の一方の端部は閉鎖され、他方の端部は対応する供給管 41 , 42, 43, 44と連結されている。図 2に示すように、各筒状部材には、その長手方向に沿い一定の間隔を空けて配置された多数の吐出口 71a, 7 2a, 73a, 74aカ設けられている。吐出口 71a, 72a, 73a, 74aの酉己置位置は、後述するように、保持部材 20によって保持された被処理ウェハ Wの配置位置に基づき、決定されている。なお、各吐出部材 71 , 72, 73, 74からの吐出方向は適宜変更することが可能となって!/、ること力 S好ましレ、。

[0103] ただし、このような吐出部材 71 , 72, 73, 74の構成は、単なる例示に過ぎず、公知の部材等を用いることができる。また、吐出部材を省略し、各供給管 41— 44が処理槽と直接連結されるようにしてあよい。

[0104] ところで、図 1に示すように、純水供給管 48に、純水供給管 48内を流れる処理液の種々の条件を調整する調整装置 67を介設するようにしてもよい。このような調整装置 67として、処理液の溶存ガス濃度を調整するガス濃度調整装置や、処理液中に含まれる気泡の量を調整する気泡量調整装置や、処理液の温度を調整する温度調整装置等が選択され得る。

[0105] 次に、以上のような液供給設備 40から処理液を受ける処理槽 12について詳述する

[0106] 処理槽 12は、図 1および図 2に示すように略直方体の輪郭を有している。処理槽 1 2には、後述するようにウェハ Wを出し入れするための上方開口 12cが形成されている。また、処理槽 12の底部には、貯留した処理液を排出するための排出管 13が開閉可能に設けられている。

[0107] また、図 1に示すように、処理槽 12の上方開口 12cを取り囲むようにして、外槽 15 が設けられている。この外槽 15は、処理槽 12の上方開口 12cからあふれ出た処理液を回収するようになっている。また、処理槽 12と同様に、外槽 15にも回収した処理液を排出するための排出管 16が開閉可能に設けられている。

[0108] このような処理槽 12および外槽 15は、例えば、耐薬品性に富んだ石英等を用いて形成される。また、処理槽 12の底部の厚みは、後に説明する超音波発生装置 30からの超音波を透過させること力できるよう、処理槽 12をなす材料の種類および超音波発生装置 30から照射される超音波の周波数等を考慮して決定される。

[0109] なお、処理槽 12および外槽 15の排出管 13, 16から排出された処理液は、そのまま廃棄されてもよいし、フィルタ等を介して処理槽 12内に再度供給されるようにしてもよい。外槽 15に回収された処理液を再利用する場合、例えば、図 1に点線で示すように、外槽 15と純水源 64とに接続された循環用配管 16aを設けるようにすればよい。

[0110] 次に、処理槽 12内に配置された整流部材 28について詳述する。整流部材 28は、処理槽 12の第 2領域 12bから第 1領域 12aへ流れ込む処理液の流れを整え、処理槽 12内の第 1領域 12a内において上昇流を形成するための部材である。なお、ここでいう「上昇流」とは、下側から上側に向かう流れを意味するものであり、鉛直方向と平行な流れに限定されるものではなレ、。

[0111] 図 1および図 2に示すように、本実施の形態において、整流部材 28は、多数の貫通孔 29を有する整流板からなっている。整流板 28はその板面が水平面と平行となるように支持されている。図 2に示すように、処理槽 12の第 1領域 12a内に収容されたゥェハ Wの直下の領域を含む整流板 28のほぼ全面に、円形状の貫通孔 29が形成されている。

[0112] また、本例において、貫通孔 29は、整流板 28上において規則的に配置されている。したがって、このような整流板 28によれば、処理槽 12の第 1領域 12a内の仮想水平面の各位置を略均一な流速で鉛直方向に沿って通過する上昇流を、処理槽 12の第 1領域 12aに形成することが可能となる。つまり、水平方向位置による速度ばらつきが低減された鉛直方向に沿った上昇流を、処理槽 12の第 1領域 12aの略全域にわたつて形成することが可能となる。

[0113] 整流板 28は、処理槽 12と同様の材料から形成され得る。また、整流板 28の厚みは、上述した処理槽 12の底部の厚みと同様に、超音波発生装置 30からの超音波を透過させることができるよう、整流板 28をなす材料の種類および超音波発生装置 30から照射される超音波の周波数等を考慮して決定される。

[0114] なお、このような構成からなる整流部材 28は単なる例示であって、公知の種々の整流部材を用いることができる。

[0115] 次に、ウェハ Wを保持する保持部材 20について説明する。図 1および図 2に示すように、保持部材 20は、略水平方向に延びる 4本の棒状部材 22と、 4本の棒状部材 22 を片側から片持支持する基部 24と、を有している。棒状部材 22は、一度に処理される複数のウェハ W、例えば 50枚のウェハ Wを下方から支持するようになっている。このため、各棒状部材 22には、その長手方向に沿い一定間隔を空けて配列された溝（図示せず）が形成されている。ウェハ Wは、この溝に係合し、各ウェハ Wの板面が棒状部材の延びる方向と略直交するようにして、すなわち、各ウェハ Wの板面が鉛直方向に沿うようにして、保持部材 20によって保持されるようになる（図 1参照）。

[0116] ところで、図 2から理解できるように、上述した吐出部材 71— 74の吐出口 71a— 74 aの配置ピッチは、保持部材 20に保持されたウェハ Wの配置ピッチと略同一となっている。とりわけ処理槽 12の第 1領域 12aに処理液を直接供給する第 2乃至第 4の吐出部材 72, 73, 74の各吐出口 72a, 73a, 74aは、保持部材 20に保持された隣り合うウェハ Wの間（図 2における矢印の方向）に処理液を吐出することができるよう、配歹 IJされている。

[0117] 一方、保持部材 20の基部 24は、図示しない昇降機構に連結されている。この昇降機構によってウェハ Wを保持した保持部材 20を降下させることにより、処理槽 12の第 1領域 12a内にウェハ Wを収容することが可能となり、また、処理槽 12に貯留された処理液中にウェハ Wを浸漬することも可能となる。

[0118] なお、昇降機構は制御装置 18に接続されている。処理槽 12の第 1領域 12a内へのウェハ Wの収容、および、処理槽 12の第 1領域 12aからのウェハ Wの排出は、制御装置 18によって制御されるようになっている。

[0119] 次に、超音波発生装置 30について説明する。図 1に示すように、超音波発生装置

30は、処理槽 12の底部外面に取り付けられた振動子 38と、振動子 38を駆動するための高周波駆動電源 32と、高周波駆動電源 32に接続された超音波発振器 34と、を有している。本実施の形態においては、複数の振動子 38が設けられており、各振動子 38が処理槽 12の底部外面を部分的に占めるよう配列されている。また、図 1に示すように、超音波発生装置 30は超音波発振器 34および各振動子 38に接続された駆動切換機構 36をさらに有している。この駆動切換機構 36によって、複数の振動子 38を全体駆動することと、一つまたは二以上の振動子 38を個別的に駆動することと、のいずれもが可能となっている。

[0120] 振動子 38が駆動されて振動すると、処理槽 12の底部および整流部材 28を介し、処理槽 12の第 1領域 12a内に貯留された処理液まで超音波が伝播する。これにより、処理槽 12内の処理液に超音波が発生させられる。なお、超音波発生装置 30は制御装置 18に接続されており、制御装置 18によって処理液への超音波の付与が制御されるようになつている。

[0121] 次に、制御装置 18について説明する。上述したように、制御装置 18は、基板処理装置 10の各構成要素に接続され、各構成要素の動作を制御するようになっている。本実施の形態において、制御装置 18は、 CPUからなるコントローラ 19aと、このコントローラ 19aに接続された記録媒体 19bと、を有している。記録媒体 19bには、後述する被処理ウェハ Wの処理方法を実行するためのプログラム力各種の設定データ等とともに格納されている。記録媒体 19bは、 ROMや RAMなどのメモリー、ハードディスク、 CD— ROMなどのディスク状記録媒体、その他の公知な記録媒体から構成され得る。

[0122] 次に、主に図 3乃至図 8を用い、このような構成からなる基板処理装置 10によって行われ得るウェハ Wの処理方法につ!/、て説明する。

[0123] まず、第 1の工程として、図 3に示すように、処理槽 12内に純水を処理液として貯留する。具体的には、制御装置 18からの信号によって吐出機構 65が駆動され、純水源 64に貯留された純水が純水供給管 48内を切換機構 50へ向けて送り込まれる。純水供給管 48内を流れる純水は、調整装置 67によって、溶存ガス濃度、気泡の混入量、温度等を調整される。このとき、切換機構 50の第 5開閉バルブ 55および第 6開閉バルブ 56は、制御装置 18からの信号に基づき、閉鎖されている。したがって、純水供給管 48から送り込まれてくる純水に、第 1薬液要素源 61および第 2薬液要素源 62 からの薬液要素が、混入されることはない。すなわち、処理槽 12内に処理液として純水が供給されるようなる。

[0124] またこのとき、切換機構 50の第 1乃至第 4の開閉バルブ 51 , 52, 53, 54は、制御装置 18からの信号に基づき、すべて開放されている。したがって、下側供給管 41および第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44の全ての供給管から、処理槽 12内に純水が供給される。このため、単位時間当たりの純水の供給量（例えば、 40〜901/min) を多く設定すること力できる。この結果、処理槽 12内に純水を短時間で効率的に貯留すること力 Sでさる。

[0125] 次に、第 2の工程として、処理槽 12の第 1領域 12a内にウェハ Wを収容する。具体的には、制御装置 18からの信号に基づき、昇降機構（図示せず）が保持部材 20を降下させる。このとき、保持部材 20は、所定枚（例えば 50枚）の被処理ウェハ Wを保持している。この結果、複数枚のウェハ W力 S、処理槽 12の第 1領域 12a内に収容されるようになるとともに、処理槽 12内に貯留された純水中に浸漬されるようになる。

[0126] この第 2の工程の間、切換機構 40の開閉状態および吐出機構 65の稼働状態は、上述した第 1の工程からそのままの状態に維持される。したがって、下側供給管 41および第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44の全ての供給管から処理槽 12内に純水が供給され続け、処理槽 12から外槽 15へと純水が溢れ出るようになる。

[0127] なお、この第 1の工程と第 2の工程とを、逆の順番で実施することもできる。また、第

1の工程と第 2の工程とを並行して実施するようにしてもよい。

[0128] 次に、第 3の工程として、図 4に示すように、下側供給管 41を介して処理槽 12の第

2領域 12bへアンモニア水（第 1の薬液）が供給され、処理槽 12内の純水がアンモニァ水によって置換されていく。具体的には、まず、制御信号 18からの信号により、吐出機構 65の出力が低下する。また、切換機構 50の第 5開閉バルブ 55が開放される。これにより、純水供給管 48から送り込まれてくる純水に、第 1薬液要素源 61からの高濃度のアンモニア水が混入されるようになる。また、第 2乃至第 4開閉バルブ 72, 7 3, 74が閉鎖する。この結果、図 4に示すように、所定濃度に薄められたアンモニア水 (薬液）が処理液として、下側供給管 41を介し、処理槽 12の第 2領域 12bへ所定流量（例えば、 40〜501/min)で供給されるようになる。

[0129] 上述したように、下側供給管 41は一対の第 1吐出部材 71に連結されている。下側供給管 41から送り込まれる薬液は、この第 1吐出部材 71を介し、処理槽 12の第 2領域 12bへ吐出される。本実施の形態において、一対の第 1吐出部材 71は、対向する処理槽 12の一対の壁面に、対向するようにして対称的に配置されている。また、図 4 に示すように、各第 1吐出部材 71は斜め下方に向けて薬液を吐出し、異なる吐出部材 71から吐出された薬液は第 2領域 12b内において対称的な流れを形成する。

[0130] したがって、一方の第 1吐出部材 71から吐出された薬液と、他方の第 1吐出部材 7 1から吐出された薬液とが、第 2領域 12bの中央部において互いに衝突し、第 1吐出部材 71からの吐出方向に沿った流れが打ち消される。このようにして、第 2領域 12b 内における特定方向に沿った局所的な薬液の流れ力 S、処理槽 12の壁面および整流板 28によって打ち消されるとともに、第 2領域 12b内の圧力が略均一に上昇するようになる。この結果、整流板 28の多数の貫通孔 29のそれぞれを略同一量の薬液が通過して、第 2領域 12bから第 1領域 12aへと鉛直方向に沿って流れ込む。すなわち、第 2領域 12bから第 1領域 12a内への薬液の流入は、整流板 28上の略全領域にわたって略均一に行われるようになる。

[0131] 以上のようにして、処理槽 12の第 1領域 12a内に上昇流（並進流）が形成され、処理槽 12内の純水が、処理槽 12の下側から薬液によって置換されていく。また、図 4 に示すように、薬液の処理槽 12内への供給にともない、それまで処理槽 12に貯留されていた処理液が、処理槽 12への薬液の流入量と略同一量だけ、処理槽 12の上方開口 12cから外槽 15に排出されていく。すなわち、本実施の形態によれば、処理槽 1 2内の純水を薬液（アンモニア水）によって効率的に置換していき、置換に要する薬液の量を節約することができる。

[0132] なお、第 1領域 12a内のウェハ Wの周囲にアンモニア水が供給されると、アンモニァ水によるウェハ Wのエッチングが開始される。上述したように、本実施の形態によれば、整流板 28上の略全領域から略均一に薬液が第 1領域 12a内に流入する。したがつて、第 1領域 12a内に配置された状態での横方向（水平方向）に対応する方向に沿ったウェハ Wに対する処理の均一性を確保することができる。

[0133] また、上述したように、第 2領域 12bから第 1領域 12aに流入するアンモニア水によつて、第 1領域 12a内での液流が全体として上方に向力、うようになる。したがって、処理槽 12内を漂う浮遊物、例えばエッチング処理によってウェハ Wから除去されたパ一ティクルを処理槽 12内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽 15へと流し出すこと力 Sできる。これにより、ウェハ Wに浮遊物 (パーティクル）が付着してしまうことを防止すること力 Sでさる。

[0134] 次に、第 4の工程として、図 5に示すように、アンモニア水（薬液）を処理槽 12へ補充しながら、ウェハ Wをアンモニア水（薬液）中に浸漬しておく。具体的には、切換機構 50の開閉状態および吐出機構 65の稼働状態を、上述した第 3の工程からそのままの状態に維持しておく。したがって、処理槽 12の第 2領域 12bへ所定流量 (例えば、 40〜501/min)でアンモニア水が供給され続ける。この工程は、例えば数分間の間、実施される。

[0135] この工程中、処理槽 12の第 1領域 12a内に薬液の上昇流が形成される。また、図 5 に示すように、第 2領域 12bから第 1領域 12aへの新たなアンモニア水の流入にともない、それまで処理槽 12に貯留されていたアンモニア水力処理槽 12への新たなァンモユア水の流入量と同一量だけ、処理槽 12の上方開口 12cから外槽 15に排出されていく。すなわち、処理槽 12の第 1領域 12a内に配置された被処理ウェハ Wの周囲においてアンモニア水の濃度が一定に保たれるだけでなぐ被処理ウェハ Wの板面上におけるアンモニア水の流れ方、例えば流速が、板面内にわたって略均一となつている。したがって、処理されるべきシリコンウェハ Wがアンモニア水に対して鋭い反応性を有するにもかかわらず、この工程中におけるエッチング量を被処理ウェハ W の板面内にわたって略均一とすることができる。

[0136] なお、上述した第 3の工程と同様に、第 2領域 12bから第 1領域 12aに流入するアンモニァ水によって、第 1領域 12a内での液流が全体として上方に向力、うようになる。

[0137] したがって、処理槽 12内を漂う浮遊物を処理槽 12内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽 15へと流し出すことができる。これにより、ウェハ Wに浮遊物 (パーテイクル）カ付着してしまうことを防止することカできる。

[0138] 次に、第 5の工程として、図 6に示すように、下側供給管 41を介して処理槽 12の第

2領域 12bへ純水が供給され、処理槽 12内のアンモニア水が純水によって置換されていく。具体的には、制御信号 18からの信号により、切換機構 50の第 5開閉バルブ 55が閉鎖される。これにより、純水供給管 48から送り込まれてくる純水に対する、第 1 薬液要素源 61からの高濃度のアンモニア水の混入が停止する。一方、その他の切換機構 50の各開閉バルブの開閉状態および吐出機構 65の稼働状態は、上述した第 4の工程からそのままの状態に維持される。この結果、処理槽 12の第 2領域 12bへ所定流量 (例えば、 40〜501/min)で純水が供給されるようになる。つまり、第 3のェ程から第 5の工程まで、処理槽 12の第 2領域 12bに供給される処理液の供給量は、略一定となっている。

[0139] 上述したように、また、図 6に示すように、各第 1吐出部材 71は斜め下方に向けて純水を吐出し、異なる吐出部材 71から吐出された純水は第 2領域 12b内において対称的な流れを形成するようになる。したがって、一方の第 1吐出部材 71から吐出された純水と、他方の第 1吐出部材 71から吐出された純水とが、第 2領域 12bの中央部において互いに衝突し、第 1吐出部材 71からの吐出方向に沿った流れが打ち消される。このようにして、第 2領域 12b内における特定方向に沿った局所的な純水の流れが、処理槽 12の壁面および整流板 28によって打ち消されるとともに、第 2領域 12b内の圧力が略均一に上昇するようになる。この結果、整流板 28の多数の貫通孔 29のそれぞれを略同一量の純水が通過して、第 2領域 12bから第 1領域 12aへと鉛直方向に沿って流れ込む。すなわち、第 2領域 12bから第 1領域 12a内への純水の流入は、整流板 28上の略全領域にわたって略均一に行われるようになる。

[0140] 以上のようにして、処理槽 12の第 1領域 12a内に上昇流が形成され、処理槽 12内のアンモニア水（薬液）が、処理槽 12の下側から純水によって置換されていく。また、図 4に示すように、純水の処理槽 12内への供給にともない、それまで処理槽 12に貯留されていたアンモニア水が、処理槽 12への純水の流入量と略同一量だけ、処理槽 12の上方開口 12cから外槽 15に排出されていく。すなわち、本実施の形態によれば、処理槽 12内の薬液（アンモニア水）を純水によって効率的に置換していくことができる。

[0141] また、上述した第 3および第 4の工程と同様に、この第 5の工程においても、第 2領域 12bから第 1領域 12aに流入する純水によって、第 1領域 12a内での液流が全体として上方に向力、うようになる。したがって、処理槽 12内を漂う浮遊物を処理槽 12内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽 15へと流し出すことができる。これにより、ゥェハ Wに浮遊物（パーティクル）力 S付着してしまうことを防止すること力 Sできる。

[0142] なお、第 1領域 12a内のウェハ Wの周囲において、アンモニア水が純水に置換されると、アンモニア水によるウェハ Wのエッチングが終了する。上述したように、本実施の形態によれば、整流板 28上の略全領域から略均一に純水が第 1領域 12a内に流入する。

[0143] したがって、第 1領域 12a内に配置された状態での横方向（水平方向）に対応する方向に沿ったウェハ Wに対する処理の均一性を確保することができる。

[0144] また、アンモニア水によるウェハ Wのエッチングが開始してから終了するまでの間、処理槽 12の第 1領域 12a内にアンモニア水の上昇流が常に形成されている。したがつて、第 1領域 12a内に配置された状態での横方向（水平方向）に対応する方向に沿ったウェハ Wに対するエッチング量の均一性を確保することができる。

[0145] また、上述したように、処理槽 12内（とりわけ被処理ウェハ Wの周囲）の処理液（純水）は下側から徐々に薬液（アンモニア水）によって置換されていく。同様に、上述したように、処理槽 12内（とりわけ被処理ウェハ Wの周囲）の薬液（アンモニア水）は下側から徐々に純水によって置換されていく。したがって、図 8に示すように、処理槽 12 の第 1領域 12a内に配置されたウェハ Wのうち上側部分の周囲における薬液の濃度 (図 8の一点鎖線）と、下側部分の周囲における薬液の濃度（図 8の実線）とは、処理槽 12内へ薬液の供給を開始した後の一定時間の間、および、処理槽 12内へ純水の供給を開始した後の一定時間の間、異なる値をとるようになる。すなわち、ウェハ Wの板面のうち、ウェハ Wが処理槽 12内に配置された際に上方に配置される部分と下方に配置される部分との間で、薬液による処理が実質的に開始されるタイミング並びに薬液による処理が実質的に終了するタイミングは異なる。し力もながら、上述した第 3 の工程における処理槽 12の第 2領域 12b内への薬液の単位時間あたりの供給流量と、第 5の工程における処理槽 12の第 2領域 12b内への純水の単位時間あたりの供給流量と、を略同一にすることにより、ウェハ Wの板面のうちのウェハ Wが処理槽 12 内に配置された際に上方に配置される部分と下方に配置される部分との間で、実質的に薬液による処理が行われている時間を略同一にすることができる（図 8参照）。したがって、ウェハ Wが処理槽 12内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿つたウェハ Wの板面における処理の均一性を確保することもできる。

[0146] さらに、被処理ウェハに対する処理が進行し得る第 3の工程から第 5の工程においては、被処理ウェハ Wの板面の周囲にて、均一な薬液の上昇流が形成されている。すなわち、被処理ウェハ Wの板面上におけるアンモニア水の流れ方、例えば流速が、板面内にわたって略均一となっている。したがって、処理されるべきシリコンウェハ Wがアンモニア水に対して鋭い反応性を有するにもかかわらず、エッチング量を被処理ウェハ Wの板面内にわたって略均一とすることができる。

[0147] 以上のようにして、第 3の工程から第 5の工程までの間に、ウェハ Wをその板面の全領域にわたって略均一のエッチング量でエッチングすることができる。

[0148] 次に、第 6の工程として、図 7に示すように、下側供給管 41並びに第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44を介して処理槽 12に純水が供給される。具体的には、まず、制御信号 18からの信号により、吐出機構 65の出力が上昇する。また、切換機構 50の第 2乃至第 4開閉バルブ 52, 53, 54が開放される。この結果、図 7に示すように、純水力下側供給管 41および第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44を介し、処理槽 12 へ所定流量 (例えば、 801/min以上）で供給されるようになる。

[0149] 上述したように、第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44はそれぞれ一対の第 2乃至第 4吐出部材 72, 73, 74に連結されている。第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44から送り込まれる純水は、この第 2乃至第 4吐出部材 72, 73, 74を介し、処理槽 12の第 1領域 12a内へ直接吐出される。本実施の形態において、各対の吐出部材 72, 7 3, 74は、対向する処理槽 12の一対の壁面に、対向するようにして対称的に配置されている。また、第 2乃至第 4の吐出部材 72, 73, 74の各吐出口 72a, 73a, 74aは、保持部材 20に保持された隣り合うウェハ Wの間に純水を吐出することができるよう、配列されている。

[0150] したがって、対向する各対の吐出部材 72, 73, 74のうちの一方の吐出部材から吐出された純水と、他方の吐出部材から吐出された純水とが、ウェハ Wとウェハ Wとの間の隙間において衝突する。また、第 2乃至第 4吐出部材 72, 73, 74は、互いに異なる鉛直方向位置に配置されている。このため、処理槽 12の第 1領域 12a内において（少なくとも被処理ウェハ Wの板面の周囲において）、処理槽 12内に貯留された液体（純水）が激しく攪拌されるようになる。加えて、第 3乃至第 5の工程に比べ、本工程においては処理槽 12内への液体の処理液の単位時間あたりの供給量が増大している。これらの結果、第 5の工程では除去しきれずにウェハ Wの周囲に滞留していたィオンレベルの薬液をも、ウェハ Wの周囲力確実に流し去ることができる。また、同様に、第 5の工程では除去しきれずにウェハ Wに付着して!/、た付着物（パーティクル）を当該ウェハ Wから除去することができる。

[0151] なお、本工程においては、保持部材 20によって下方から支持されるウェハ Wに対して下方のみからでなぐ両側方力もも処理液（純水）が吐出されている。したがって、第 3乃至第 5の工程と比較して、単位時間当たりの処理液の供給量が増大したとしても、保持部材 20によってウェハ Wを安定して支持することができる。

[0152] また、本実施の形態において、下側供給管 41から処理槽 12の第 2領域 12b内にも純水が供給されている。第 2領域 12bに供給された純水は、上述したように、整流板 28を通過して、整流板 28の全面にわたって略均一な上昇流（並進流）として、第 1領域 12aに流入する。そして、この第 2領域 12bから第 1領域 12aに流入する純水によつて、第 1領域 12a内での液流が全体として上方に向力、うようになる。したがって、ゥェハ Wの周囲に残留していた薬液やウェハ Wから除去された付着物を処理槽 12内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽 15へと流し出すことができる。これにより、ウェハ Wのリンス処理をより確実に行うことができるとともに、除去された付着物が再びウェハ Wに付着してしまうことを防止することができる。

[0153] このような第 6の工程は、例えば数分間行われる。第 6の工程が終了すると、保持部材 20部材が上昇し、ウェハ Wが処理槽 12内から排出される。以上のようにして被処理ウェハ Wに対する一連の処理が終了する。 [0154] 以上のような本実施の形態によれば、第 1領域 12a内において上昇流が形成されるようにして、被処理ウェハ Wを収容するとともに処理液（純水）を貯留した処理槽 12内の第 2領域 12bに薬液（アンモニア水）が供給される。また、処理槽 12内が薬液によつて置換された後、第 1領域 12a内において上昇流が形成されるようにして、純水が処理槽 12の第 2領域 12bに供給される。いずれの場合も、少なくとも被処理ウェハ W の周囲において略均一な上昇流が形成される。したがって、被処理ウェハ Wが処理槽 12内に配置された際の横方向に相当する方向に沿った被処理ウェハ Wの板面における処理の均一性を確保することができる。

[0155] また、被処理ウェハ Wの近傍において、処理槽 12内の処理液は下側から徐々に薬液によって置換されていく。同様に、被処理ウェハ Wの近傍において、処理槽 12 内の薬液は下方から徐々に水によって置換されていく。したがって、被処理ウェハ W の板面のうち、被処理ウェハ Wが処理槽 12内に配置された際に上方に配置される部分および下方に配置される部分の間で、薬液による処理が実質的に開始されるタイミング並びに薬液による処理が実質的に終了するタイミングは異なるものの、実質的に薬液による処理が行われている時間を略同一にすることができる。したがって、被処理ウェハ Wが処理槽 12内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿った被処理ウェハ Wの板面における処理の均一性を確保することができる。

[0156] さらに、少なくとも処理槽 12の第 1領域 12a内に配置された被処理ウェハ Wの周囲において、薬液の上昇流が形成される。したがって、薬液の濃度が一定に保たれるだけでなぐ被処理ウェハ Wの板面上における薬液の流れ方、例えば流速が、板面内にわたって略均一となっている。このため、用いられる薬液の種類に依存することなぐ被処理ウェハ Wの板面における処理の均一性を確保することができる。

[0157] これらにより、本実施の形態によれば、用いられる薬液の種類によらず、被処理ゥェハ Wを、その板面内における処理の程度の均一性を確保しながら、処理することができる。

[0158] なお、上述した実施の形態に対して種々の変更を加えることができる。例えば、上述した実施の形態におレ、て、処理槽 12内に貯留された処理液（純水）を薬液（アンモニァ水）で置換する際に、下側供給管 41のみから薬液が処理槽 12内に供給され、処理槽 12内に貯留された薬液（アンモニア水）を純水で置換する際に、下側供給管 41のみから純水が処理槽 12内に供給される例を示した力これに限られない。下側供給管 41から処理槽 12内に薬液または純水を供給するとともに、並行して、第 1 乃至第 3上側供給管 42, 43, 44のうちの少なくともいずれか一つの供給管から処理槽 12内に薬液または純水を供給するようにしてもよい。第 1領域 12a内における液体の流動について上昇流が支配的となっていれば、あるいは、少なくとも第 1領域 12a 内に収容されたウェハ Wの周囲にお!/、て上昇流が形成されて!/、れば、ウェハ Wをその板面内にわたって略均一に処理することができる。

[0159] また、上述した実施の形態において、第 6の工程中に全ての供給管 41 , 42, 43, 4 4から処理槽 12内に処理液（純水）が供給される例を示した力 S、これに限られない。

[0160] 例えば、下側供給管 41からの純水の供給を停止してもよい。また、第 1乃至第 3上側供給管 41 , 42, 43のうちの一つまたは二つから、純水が供給されるようにしてもよい。少なくとも第 1領域 12a内に収容されたウェハ Wの周囲に処理液が吐出され、貯留された液体がウェハ Wの周囲で攪拌されていれば、当該ウェハ Wに対するリンス処理をより確実に行うことができる。また、ウェハ Wから高い除去効率で付着物を除去すること力 Sでさる。

[0161] さらに、上述した実施の形態において、薬液としてアンモニア水を用いる例を示した

1S これに限られず、薬液として種々の液体を用いることができる。上述したように、薬液の種類によらず、被処理ウェハ Wをその板面内において略均一に処理することができる。

[0162] さらに、上述した実施の形態において、基板処理装置 10が超音波発生装置 30を含む例を示したが、これに限られず、超音波発生装置 30は任意である。一方で、上述した基板処理方法中の各工程、例えば、上述した第 3の工程 (薬液による処理液の置換）、第 4の工程 (ウェハ Wの薬液への浸漬）および第 5の工程 (純水による薬液の置換）において、超音波発生装置 30から処理槽 12内の処理液に超音波を発生させるようにしてもよい。このような方法によれば、被処理ウェハ Wから高い除去効率でパーティクルを除去することができる。

[0163] さらに、上述した実施の形態において、整流部材 28が多数の貫通孔 29を有する整流板からなる例を示した力これに限られず、種々の公知の整流部材を適用すること力できる。また、処理槽 12の第 1領域 12a内に配置された被処理ウェハ Wの周囲において均一な上昇流を形成するため、処理槽 12の第 2領域 12b内に補助整流板を設けるようにしてもよい。例えば、下側供給管 41を介した第 2領域 12b内への液体の供給口（上述した実施の形態においては、第 1吐出部材 71の吐出口 71 a)に対面するようにして板状の補助整流板を設けることにより、下側供給管 41を介して供給された液体の供給方向に沿った局所的な流れを打ち消すことができる。また、下側供給管 41から第 1吐出部材 71を介して処理槽 12の第 2領域 12b内に処理液が流れ込む例を示したが、これに限られず、第 1吐出部材 71を省略することもできる。

[0164] さらに、上述した実施の形態において、鉛直方向に沿った異なる三つの位置から、処理槽 12の第 1領域 12a内へ処理液を供給する例を示したが、これに限られない。上下方向に沿った一つまたは二つの位置からのみ、第 1領域 12a内へ処理液が供給されるようにしてもよい。あるいは、上下方向に沿った四つ以上の位置から、第 1領域 12a内へ処理液が供給されるようにしてもよい。

[0165] なお、以上の説明においては、基板処理装置および基板処理方法を、ウェハ Wに対するエッチング処理およびリンス処理に適用した例を示している力 S、そもそもこれに限られず、 LCD基板や CD基板に対するエッチング処理およびリンス処理に適用すること力 Sでき、さらにはエッチング処理およびリンス処理以外の種々の処理に適用することあでさる。

[0166] 〔第 2の実施の形態〕

次に、主に図 9乃至図 12を参照して、本発明による基板処理装置および基板処理方法、基板処理プログラム、および、プログラム記録媒体の第 2の実施の形態を説明する。

[0167] 第 2の実施の形態においては、薬液を用いた複数種類の処理を被処理基板に対して単一の処理槽内で連続的に施していく例を説明する。とりわけ、以下の第 2の実施の形態においては、第 1の実施の形態において既に説明した基板処理装置 10を用い、被処理基板との反応性が異なる二種類の薬液（第 1の薬液および第 2の薬液）による二種類の処理が、被処理基板としてのウェハに施されていく。そして、以下に説明するように、二種類の処理のうちのウェハとの反応性がより高い第 1の薬液を用いた処理は、図 1乃至図 8を参照しながら第 1の実施の形態として既に説明したアンモユア水によりウェハを処理する方法と略同一となっている。したがって、以下の説明において、第 2の実施の形態のうちの上述した第 1の実施の形態と同一部分については、重複する説明を省略する。

[0168] 以下、図 9乃至図 12を主に参照するとともに、第 1の実施の形態において参照した図 1乃至図 8を適宜参照して、第 2の実施の形態について説明する。ここで、図 9乃至図 12は、基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、および、プログラム記録媒体の第 2の実施の形態を説明するための図である。このうち図 9は基板処理方法を説明するための表であり、図 10乃至図 12は図 9に示された各工程の処理内容を説明するための図である。

[0169] 第 2の実施の形態においては、第 1の実施の形態で既に説明した基板処理装置 10

(図 1および図 2参照）が用いられる。したがって、図 1に示すように、基板処理装置 1 0の液供給設備 40は、高濃度のアンモニア水（NH OH)を薬液要素として貯留した

4

第 1薬液要素源 61と、フッ化水素 (HF)を高濃度で含んだフッ化水素水を薬液要素として貯留した第 2薬液要素源 62と、を有している。図 1に示すように、切換機構 50 の第 5開閉バルブ 55が第 1薬液要素源 61と連結され、第 6開閉バルブ 56が第 2薬液要素源 62と連結されている。そして、第 5開閉バルブ 55を開くことにより、純水供給管 48から送り込まれる純水に第 1薬液要素源 61から送り込まれてくる高濃度のァンモユア水を混入させ、処理液として所望の濃度のアンモニア水（第 1の薬液）を生成すること力 Sできる。また、第 6開閉バルブ 56を開くことにより、純水供給管 48から送り込まれる純水に第 2薬液要素源 62から送り込まれてくる高濃度のフッ化水素水を混入させ、処理液として所望の濃度のフッ化水素水（第 2の薬液）を生成することができ

[0170] 次に、主に図 9乃至図 12を用い、第 2の実施の形態におけるウェハ Wの処理方法について説明する。ここで、図 9の上側供給管の欄には、各工程において上側供給管 42, 43, 44から供給される液体を表示している。また、図 9の下側供給管の欄には、各工程において下側供給管 41から供給される液体を表示している。さらに、図 9 の外槽の欄には、各工程において処理槽 12から外槽 15に溢れ出す液体に含まれる一つを表示している。そして、図 9の上側供給管、下側供給管、および外槽の欄に示された「DFW」は純水を表し、「NH」はアンモニア水を表し、「HF」はフッ化水素水を表している。

[0171] なお、以下に説明する処理方法では、上述したように、ウェハ Wとの反応性が高い第 1の薬液（アンモニア水）を用いた処理と、ウェハ Wとの反応性が第 1の薬液（アンモニァ水）よりも低!/、第 2の薬液（フッ化水素水）を用いた処理と、の二種類の処理が、基板処理装置 10の処理槽 12内においてウェハ Wに対して実施される。さらに具体的には、ウェハ Wに対し、フッ化水素水（第 2の薬液）を用いたエッチング処理およびその後のリンス処理、アンモニア水（第 1の薬液）を用いたエッチング処理、その後のリンス処理および純水を用いた処理、並びに、二回目のフッ化水素水を用いたエッチング処理およびその後のリンス処理を順に実施していくものである。以下、各工程について説明する。

[0172] まず、図 9に示すように、第 1の工程として、処理槽 12内に純水を処理液として貯留する。具体的には、図 3を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 1の工程と同様にして、処理槽 12内に純水を貯留する。すなわち、制御装置 18からの信号によって吐出機構 65が駆動され、純水源 64に貯留された純水が純水供給管 48内を切換機構 50へ向けて送り込まれる。純水供給管 48内を流れる純水は、調整装置 67によって、溶存ガス濃度、気泡の混入量、温度等を調整される。このとき、切換機構 50の第 5開閉バルブ 55および第 6開閉バルブ 56は、制御装置 18からの信号に基づき、閉鎖されている。したがって、純水供給管 48から送り込まれてくる純水に、第 1薬液要素源 61および第 2薬液要素源 62からの薬液要素が、混入されることはない。すなわち、処理槽 12内に処理液として純水が供給されるようなる。

[0173] またこのとき、切換機構 50の第 1乃至第 4の開閉バルブ 51 , 52, 53, 54は、制御装置 18からの信号に基づき、すべて開放されている。したがって、下側供給管 41および第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44の全ての供給管から、処理槽 12内に純水が供給される。このため、単位時間当たりの純水の供給量 (例えば、 801/min以上）を多く設定すること力できる。この結果、処理槽 12内に純水を短時間で効率的に貯留すること力 Sでさる。

[0174] 次に、第 2の工程として、処理槽 12の第 1領域 12a内にウェハ Wを収容する。具体的には、上述した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 2の工程と同様にして、処理槽 12の第 1領域 12a内にウェハ Wを収容する。すなわち、制御装置 18からの信号に基づき、昇降機構（図示せず）が保持部材 20を降下させる。このとき、保持部材 20は、所定枚（例えば 50枚）の被処理ウェハ Wを保持している。この結果、複数枚のウェハ Wが、処理槽 12の第 1領域 12a内に収容されるようになるとともに、処理槽 12 内に貯留された純水中に浸漬されるようになる。

[0175] この第 2の工程の間、切換機構 40の開閉状態および吐出機構 65の稼働状態は、上述した第 1の工程からそのままの状態に維持される。したがって、下側供給管 41および第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44の全ての供給管から処理槽 12内に純水が供給され続け、処理槽 12から外槽 15へと純水が溢れ出るようになる。

[0176] なお、この第 1の工程と第 2の工程とを、逆の順番で実施することもできる。また、第

[0177] 次に、第 3の工程として、図 9および図 10に示すように、下側供給管 41並びに第 1 乃至第 3上側供給管 42, 43, 44を介して処理槽 12にフッ化水素水（第 2の薬液）が供給される。具体的には、切換機構 50の第 6開閉バルブ 56が開放される。これにより、純水供給管 48から送り込まれてくる純水に、第 2薬液要素源 62からの高濃度のフッ化水素水が混入されるようになる。一方、切換機構 50の第 6開閉バルブ 56以外の開閉状態および吐出機構 65の稼働状態は、上述した第 1および第 2の工程からそのままの状態に維持される。この結果、図 10に示すように、所定濃度に薄められたフッ化水素水（第 2の薬液）が処理液として、下側供給管 41および第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44の全ての供給管を介し、処理槽 12の第 1領域 12aおよび第 2領域 1 2bへ所定流量 (例えば、 801/min以上）で供給されるようになる。

[0178] このようにして、処理槽 12内にフッ化水素水が供給されると、それまで処理槽 12に貯留されていた液体力処理槽 12へのフッ化水素水の流入量と略同一量だけ、処理槽 12の上方開口 12cから外槽 15に排出されていく。この結果、処理槽 12内の純水がフッ化水素水（第 2の薬液）によって置換されて!/、く。 [0179] 上述したように、第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44はそれぞれ一対の第 2乃至第 4吐出部材 72, 73, 74に連結されている。第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44から送り込まれるフッ化水素水は、この第 2乃至第 4吐出部材 72, 73, 74を介し、処理槽 12の第 1領域 12b内へ直接吐出される。本実施の形態において、各対の吐出部材 72, 73, 74は、対向する処理槽 12の一対の壁面に、対向するようにして対称的に配置されている。また、第 2乃至第 4の吐出部材 72, 73, 74の各吐出口 72a, 73a , 74aは、保持部材 20に保持された隣り合うウェハ Wの間に純水を吐出することができるよう、配列されている。

[0180] したがって、対向する各対の吐出部材 72, 73, 74のうちの一方の吐出部材から吐出されたフッ化水素水と、他方の吐出部材から吐出されたフッ化水素水とが、ウェハ Wとウェハ Wとの間の隙間において衝突する。また、第 2乃至第 4吐出部材 72, 73, 74は、互いに異なる上下方向位置に配置されている。このため、処理槽 12の第 1領域 12a内において（少なくとも被処理ウェハ Wの板面の周囲において）、処理槽 12内に貯留された液体が激しく攪拌されるようになる。

[0181] したがって、処理槽 12内の少なくとも被処理ウェハ Wの周囲に供給されたフッ化水素水は、それまでに処理槽 12内の少なくとも被処理ウェハ Wの周囲に貯留されていた液体とすぐさま混ざり合う。この結果、フッ化水素水の濃度は、処理槽 12内の少なくとも被処理ウェハ Wの周囲において略均一に保たれながら、上昇していくことになる。すなわち、第 1領域 12a内のウェハ Wの周囲にフッ化水素水が供給されるとフッ化水素水によるウェハ Wのエッチングが開始されることになる力この工程中において、ウェハ Wの板面内における第 2の薬液（フッ化水素水）を用いた処理の均一性は確保され得る。

[0182] ところで、本実施の形態においては、この工程中、下側供給管 41から処理槽 12の第 2領域 12b内にもフッ化水素水が供給されている。上述したように、下側供給管 41 は一対の第 1吐出部材 71に連結されている。下側供給管 41から送り込まれるフッ化水素水は、この第 1吐出部材 71を介し、処理槽 12の第 2領域 12bへ吐出される。本実施の形態において、一対の第 1吐出部材 71は、対向する処理槽 12の一対の壁面に、対向するようにして対称的に配置されている。また、図 10に示すように、各第 1吐出部材 71は斜め下方に向けてフッ化水素水を吐出し、異なる吐出部材 71から吐出されたフッ化水素水は第 2領域 12b内において対称的な流れを形成する。

[0183] したがって、一方の第 1吐出部材 71から吐出されたフッ化水素水と、他方の第 1吐出部材 71から吐出されたフッ化水素水と力 S、第 2領域 12bの中央部において互いに衝突し、第 1吐出部材 71からの吐出方向に沿った流れが打ち消される。このようにして、第 2領域 12b内における特定方向に沿った局所的なフッ化水素水の流れ力処理槽 12の壁面および整流板 28によって打ち消されるとともに、第 2領域 12b内の圧力が略均一に上昇するようになる。この結果、整流板 28の多数の貫通孔 29のそれぞれを略同一量のフッ化水素水が通過して、第 2領域 12bから第 1領域 12aへと上下方向に沿って流れ込む。

[0184] すなわち、第 2領域 12bに供給されたフッ化水素水は、整流板 28を通過して、整流板 28の全面にわたって略均一な上昇流（並進流）として、第 1領域 12aに流入する。そして、この第 2領域 12bから第 1領域 12aに流入するフッ化水素水によって、第 1領域 12a内での液流が全体として上方に向力、うようになる。したがって、処理槽 12内を漂う浮遊物、例えばエッチング処理によってウェハ Wから除去されたパーティクルを処理槽 12内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽 15へと流し出すことができる。これにより、ウェハ Wに浮遊物（パーティクル）が付着してしまうことを防止することができる。

[0185] 次に、第 4の工程として、図 9および図 11に示すように、フッ化水素水（第 2の薬液）を処理槽 12へ補充しながら、ウェハ Wをフッ化水素水（第 2の薬液）中に浸漬しておく。具体的には、切換機構 50の開閉状態および吐出機構 65の稼働状態を、上述した第 3の工程からそのままの状態に維持しておく。したがって、処理槽 12の第 1領域 12aおよび第 2領域 12bへ所定流量 (例えば、 801/min以上）でフッ化水素水が供給され続ける。この工程は、例えば数分間実施される。

[0186] この工程中、図 11に示すように、処理槽 12への新たなフッ化水素水の供給にともない、それまで処理槽 12に貯留されていたフッ化水素水力処理槽 12への新たなフッ化水素水の流入量と同一量だけ、処理槽 12の上方開口 12cから外槽 15に排出されていく。また、上述したように、新たなフッ化水素水は、処理槽 12の第 1領域 12a内の少なくともウェハ Wの周囲において液体が攪拌されるようにして、処理槽 12内に供給される。したがって、新たに供給されたフレッシュなフッ化水素水は、それまでに処理槽 12内に貯留されていたフッ化水素水とすぐさま混ざり合う。すなわち、処理槽 12 の第 1領域 12a内に配置された被処理ウェハ Wの周囲においてフッ化水素水の濃度が一定に維持される。この結果、この工程中におけるエッチング量を被処理ウェハ W の板面内にわたって略均一とすることができる。

[0187] また、この工程中においても、第 3の工程と同様に、下側供給管 41から処理槽 12 の第 2領域 12b内にもフッ化水素水が供給されている。そして、上述したように、第 2 領域 12bに供給されたフッ化水素水は、整流板 28を通過して、整流板 28の全面にわたって略均一な上昇流（並進流）として、第 1領域 12aに流入する。この結果、処理槽 12内を漂う浮遊物を処理槽 12内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽 15へと流し出すこと力 Sできる。これにより、ウェハ Wに浮遊物 (パーティクル）が付着してしまうことを防止すること力できる。

[0188] 次に、第 5の工程として、図 9および図 12に示すように、下側供給管 41並びに第 1 乃至第 3上側供給管 42, 43, 44を介して処理槽 12に純水が供給され、処理槽 12 内のフッ化水素水が純水によって置換されていく。具体的には、制御信号 18からの信号により、切換機構 50の第 6開閉バルブ 56が閉鎖される。これにより、純水供給管 48から送り込まれてくる純水に対する、第 2薬液要素源 62からの高濃度のフッ化水素水の混入が停止する。一方、その他の切換機構 50の各開閉バルブの開閉状態および吐出機構 65の稼働状態は、上述した第 4の工程からそのままの状態に維持される。この結果、図 12に示すように、純水が、下側供給管 41および第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44を介し、処理槽 12へ所定流量 (例えば、 801/min以上）で供給されるようになる。

[0189] このようにして、処理槽 12内に純水が供給されると、それまで処理槽 12に貯留されていた液体が処理槽 12への純水の流入量と略同一量だけ、処理槽 12の上方開口 1 2cから外槽 15に排出されていく。この結果、処理槽 12内のフッ化水素水（第 2の薬液）が純水によって置換されていく。なお、第 1領域 12a内のウェハ Wの周囲において、フッ化水素水が純水に置換されると、フッ化水素水によるウェハ Wのエッチングが終了する。

[0190] 第 3の工程におけるフッ化水素水の供給と同様に、第 1乃至第 3上側供給管 42, 4 3, 44から第 1領域 12aに純水を供給することによって、処理槽 12内に貯留された液体が激しく攪拌されるようになる。したがって、処理槽 12内の少なくとも被処理ウェハ Wの周囲に供給された純水は、それまでに処理槽 12内の少なくとも被処理ウェハ W の周囲に貯留されていた液体とすぐさま混ざり合う。この結果、フッ化水素水の濃度は、処理槽 12内の少なくとも被処理ウェハ Wの周囲において略均一に保たれながら、低下していくことになる。すなわち、この工程中、処理槽 12内に残存するフッ化水素水（第 2に薬液）による処理は、ウェハ Wの板面において略均一に行われるようになる。

[0191] また、第 3の工程におけるフッ化水素水の供給と同様に、下側供給管 41から第 2領域 12bに純水を供給することによって、第 1領域 12a内での液流が全体として上方に向力、うようになる。したがって、処理槽 12内を漂う浮遊物を処理槽 12内で上方に浮かび上がらせ、さらには、外槽 15へと流し出すことができる。これにより、ウェハ Wに浮遊物 (パーティクル）力 S付着してしまうことを防止すること力できる。

[0192] また、第 5の工程においては、第 1の実施の形態による基板処理方法の第 6の工程と同様の作用効果を得ることもできる。

[0193] 以上のように、フッ化水素の濃度は、第 3の工程において上昇し始めてから第 5の工程において低下するまでの間、第 1領域 12a内のウェハ Wの板面近傍内において略均一に保たれる。したがって、第 3の工程から第 5の工程までの間に、ウェハ Wをその板面の全領域にわたって略均一のエッチング量でエッチングすることができる。また、処理槽 12へのフッ化水素水（第 2の薬液）の供給は下側供給管 41並びに第 1 乃至第 3の上側供給管 42, 43, 44を用いて行われる。したがって、処理槽 12内へのフッ化水素水の供給量を多く設定することができ、これにより、フッ化水素水を用いた処理を短時間で行うことができる。

[0194] 次に、図 9に示すように、第 6の工程として、下側供給管 41を介して処理槽 12の第 2領域 12bへアンモニア水（第 1の薬液）が供給され、処理槽 12内の純水がアンモニァ水によって置換されていく。具体的には、図 4を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 3の工程と同様にして、処理槽 12内の純水をアンモニァ水によって置換する。すなわち、下側供給管 41から第 2領域 12bにアンモニア水（第 1の薬液）を供給して整流部材 28を介し第 2領域 12bから第 1領域 12aにアンモニァ水（第 1の薬液）を流入させ、第 1領域 12a内の少なくともウェハ Wの近傍において上昇流を形成しながら、処理槽 12内の純水をアンモニア水（第 1の薬液）によって置換する。そして、この第 6の工程においては、図 4を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 3の工程と同様の作用効果を得ることができる。した力 Sつて、この第 6の工程における処理内容の詳細および得られる作用効果については、上述した第 1の実施の形態での説明を参照するものとし、ここでは重複する説明を省略する。

[0195] 次に、図 9に示すように、第 7の工程として、アンモニア水（第 1の薬液）を処理槽 12 へ補充しながら、ウェハ Wをアンモニア水（第 1の薬液）中に浸漬しておく。具体的には、図 5を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 4の工程と同様にして、ウェハ Wをアンモニア水（第 1の薬液）中に浸漬し、当該ウェハ Wを処理する。すなわち、下側供給管 41から第 2領域 12bにアンモニア水（第 1の薬液)を供給し続けて整流部材 28を介し第 2領域 12bから第 1領域 12aにアンモニア水（第 1 の薬液）を流入させ、第 1領域 12a内の少なくともウェハ Wの近傍において上昇流を形成しながら、ウェハ Wをアンモニア水（第 1の薬液）中に浸漬して処理する。そして、この第 7の工程においては、図 5を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 4の工程と同様の作用効果を得ることができる。したがって、この第 7の工程における処理内容の詳細および得られる作用効果については、上述した第 1の実施の形態での説明を参照するものとし、ここでは重複する説明を省略する。

[0196] 次に、図 9に示すように、第 8の工程として、下側供給管 41を介して処理槽 12の第 2領域 12bへ純水が供給され、処理槽 12内のアンモニア水が純水によって置換されていく。具体的には、図 6を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 5の工程と同様にして、処理槽 12内のアンモニア水を純水によって置換し、ウェハ Wにリンス処理を施す。すなわち、下側供給管 41から第 2領域 12bに純水を供給して整流部材 28を介し第 2領域 12bから第 1領域 12aに純水を流入させ、第 1領域 12a内の少なくともウェハ Wの近傍において上昇流を形成しながら、処理槽 12内のアンモニア水（第 1の薬液）を純水によって置換する。そして、この第 8の工程においては、図 6を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 5の工程と同様の作用効果を得ることができる。したがって、この第 8の工程における処理内容の詳細および得られる作用効果については、上述した第 1の実施の形態での説明を参照するものとし、ここでは重複する説明を省略する。

[0197] 次に、図 9に示すように、第 9の工程として、下側供給管 41並びに第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44を介して処理槽 12に純水が供給され続ける。具体的には、図 7を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 6の工程と同様にして、処理槽 12に純水を供給して、純水により基板を処理する。すなわち、上側供給管 42, 43, 44から第 1領域 12aに純水を供給するとともに下側供給管 41から第 2領域 12bに純水を供給して第 1領域 12a内の少なくともウェハ Wの近傍において液体を攪拌させながら、純水により基板を処理する。そして、この第 9の工程においては、図 7を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 6の工程と同様の作用効果を得ることができる。したがって、この第 9の工程における処理内容の詳細および得られる作用効果については、上述した第 1の実施の形態での説明を参照するものとし、ここでは重複する説明を省略する。

[0198] 以上のようにして、フッ化水素水を用いたエッチング処理（第 3および第 4工程）およびその後のリンス処理（第 5工程）、アンモニア水を用いたエッチング処理（第 6および第 7工程）およびその後のリンス処理（第 8工程）、並びに、純水を用いた処理（第 9の工程）が行われていく。そして、図 9に示すように、本実施の形態においては、さらに、フッ化水素水を用いたエッチング処理（第 10および第 11工程）およびその後のリンス処理 (第 12工程）が行われる。

[0199] 具体的に説明すると、図 9に示すように、フッ化水素水を用いたエッチング処理は、第 10の工程としての純水をフッ化水素水で置換する工程と、第 11の工程としてのゥェハ Wをフッ化水素水に浸漬して処理する工程と、を含んでいる。また、リンス処理は、第 12の工程としてのフッ化水素を純水で置換する工程を含んでいる。このうち第 1 0の工程は、図 10を参照しながら既に詳述した第 3の工程と同一にすることができる。また、第 11の工程は、図 11を参照しながら既に詳述した第 4の工程と同一にすること力できる。さらに、第 12の工程は、図 12を参照しながら既に詳述した第 5の工程と同一にすること力 Sできる。したがって、ここでは、第 10乃至第 12の工程についての重複する説明を省略する。

[0200] このようにして第 12の工程が終了すると、保持部材 20部材が上昇し、ウェハ Wが処理槽 12内から排出される。以上のようにして被処理ウェハ Wに対する一連の処理が終了する。

[0201] 以上のような本実施の形態によれば、互いに異なる種類の薬液を用いた複数の処理を同一処理槽 12内においてウェハ Wに対して連続して施す際、薬液の種類に応じて処理槽 12内への薬液の供給方法を変えている。これにより、各薬液に適した方法でウェハ Wを処理していくことができる。この結果、ウェハ Wに対する複数の処理を短時間で行うことができるとともに、ウェハ Wの板面内における処理の均一性を向上させること力 Sでさる。

[0202] 具体的には、処理槽内の少なくとも被処理ウェハ Wの周囲において上昇流が形成されるようにして第 1の薬液（アンモニア水）が処理槽 12内に供給される。したがって、第 1の薬液が処理槽 12内に供給されている間、処理槽 12内の上昇流を均一にすることによって、ウェハ Wの板面近傍における第 1の薬液の濃度だけでなぐウェハ W の板面近傍における液体の流れ方も、板面内にわたって略均一とすることができる。この結果、用いられる薬液の種類に依存することなぐウェハ Wの板面内における第 1の薬液を用いた処理の均一性を大幅に向上させることができる。

[0203] その一方で、処理槽 12内の少なくともウェハ Wの周囲において液体が攪拌されるようにして第 2の薬液 (フッ化水素水）が処理槽 12内に供給される。したがって、第 2 の薬液が処理槽 12内に供給されている間、第 2の薬液の単位時間あたりの供給量を多く設定しながら、ウェハ Wの板面近傍における第 2の薬液の濃度を略均一に保つこと力 Sでさる。

[0204] この結果、ウェハ Wの板面内における処理の均一性を確保しながら、第 2の薬液を用いた処理を短時間で行うことができる。

[0205] これらのことから、本実施の形態によれば、ウェハ Wに対する複数の処理を短時間で行うことができるとともに、ウェハ Wの板面内における処理の均一性を向上させること力 Sできる。

[0206] また、本実施の形態によれば、第 1領域 12a内において上昇流が形成されるようにして、被処理ウェハ Wを収容するとともに処理液（純水）を貯留した処理槽 12内の第 2領域 12bに第 1の薬液（アンモニア水）が供給される。また、処理槽 12内が第 1の薬液（アンモニア水）によって置換された後、第 1領域 12a内において上昇流が形成されるようにして、水（純水）が処理槽 12の第 2領域 12bに供給される。いずれの場合も、少なくとも被処理ウェハ Wの周囲において略均一な上昇流が形成される。したがつて、被処理ウェハ Wが処理槽 12内に配置された際の横方向に相当する方向に沿つた被処理ウェハ Wの板面における第 1の薬液（アンモニア水）を用いた処理の均一性を確保すること力 Sできる。

[0207] さらに、本実施の形態によれば、被処理ウェハ Wの近傍において、処理槽 12内の処理液（純水）は下側から徐々に第 1の薬液（アンモニア水）によって置換されていく。同様に、被処理ウェハ Wの近傍において、処理槽 12内の第 1の薬液（アンモニア水）は下方から徐々に水（純水）によって置換されて!/、く。したがって、被処理ウェハ Wの板面のうち、被処理ウェハ Wが処理槽 12内に配置された際に上方に配置される部分および下方に配置される部分の間で、第 1の薬液（アンモニア水）による処理が実質的に開始されるタイミング並びに第 1の薬液（アンモニア水）による処理が実質的に終了するタイミングは異なるものの、実質的に第 1の薬液による処理が行われている時間を略同一にすることができる。したがって、被処理ウェハ Wが処理槽 12内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿った被処理ウェハ Wの板面における処理の均一性を確保することができる。

[0208] なお、上述した第 2の実施の形態に対して種々の変更を加えることができる。例えば、上述した第 1の実施の形態に対する変形例を、第 2の実施の形態において第 1 の実施の形態と同様の部分に適用することができる。以下、第 2の実施の形態に対する変形の一例を具体的に説明する。

[0209] 上述した第 2の実施の形態において、フッ化水素水を用いて処理する工程 (第 3および第 4の工程、並びに、第 10および第 11の工程）において、下側供給管 41から処理槽 12の第 2領域 12bにフッ化水素水を供給するとともに上側供給管 42, 43, 44から処理槽 12の第 1領域 12aにフッ化水素水を供給する例を示した力 S、これに限られず、上側供給管 42, 43, 44から処理槽 12の第 1領域 12aのみへフッ化水素水を供給するようにしてもよい。また、上述した実施の形態において、全ての上側供給管 42 , 43, 44から処理槽 12の第 1領域 12a内にフッ化水素水が供給される例を示したが、これに限られず、第 1乃至第 3上側供給管 41 , 42, 43のうちの一つまたは二つからフッ化水素水が供給されるようにしてもよい。

[0210] また、上述した第 2の実施の形態において、アンモニア水を用いて処理する工程（第 6および第 7の工程）、並びに、アンモニア水を純水で置換する工程（第 8の工程）において、下側供給管 41のみから第 1の薬液（アンモニア水）または純水が処理槽 1 2内に供給される例を示したが、これに限られない。下側供給管 41から処理槽 12内に第 1の薬液または純水を供給するとともに、並行して、第 1乃至第 3上側供給管 42 , 43, 44のうちの少なくともいずれか一つの供給管から処理槽 12内に第 1の薬液または純水を供給するようにしてもよい。第 1領域 12a内における液体の流動について上昇流が支配的となっていれば、あるいは、少なくとも第 1領域 12a内に収容されたウェハ Wの周囲にお!/、て上昇流が形成されて!/、れば、ウェハ Wをその板面内にわたつて略均一に処理することができる。

[0211] さらに、上述した第 2の実施の形態において、フッ化水素水を純水で置換する工程

(第 5および第 12の工程）、並びに、純水を用いて処理する工程（第 9の工程）において、全ての供給管 41 , 42, 43, 44から処理槽 12内に処理液（純水）が供給される例を示した力 S、これに限られない。例えば、下側供給管 41からの純水の供給を停止してもよい。また、第 1乃至第 3上側供給管 41 , 42, 43のうちの一つまたは二つから、純水が供給されるようにしてもよい。少なくとも第 1領域 12a内に収容されたウェハ W の周囲に処理液が吐出され、貯留された液体がウェハ Wの周囲で攪拌されていれば、当該ウェハ Wに対するリンス処理をより確実に行うことができる。また、ウェハ Wから高!/、除去効率で付着物を除去することができる。

[0212] さらに、上述した第 2の実施の形態において、第 1の薬液を用いた処理を、アンモニァ水を用いたシリコンウェハのエッチング処理とし、第 2の薬液を用いた処理を、フッ化水素水を用いたシリコンウェハのエッチング処理とした例を示した力、これに限られず、種々変更することができる。例えば、第 1の薬液を用いた処理を、被処理基板との反応性が比較的に高い薬液を用いた処理とし、第 2の薬液を用いた処理を、被処理基板との反応性が第 1の薬液よりも低い薬液を用いた処理としてよい。また、第 1の薬液を用いた処理を、処理の進行度合レ、を高!/、精度で管理しなければならな!/、処理とし、第 2の薬液を用いた処理を、処理の進行度合いを高い精度で管理しなくてもよい処理としてもよい。このとき、第 1の薬液と第 2の薬液とが同一種類であってもよい。また、上述した実施の形態において、ウェハ Wに対し、フッ化水素水を用いたエツチング処理およびその後のリンス処理、アンモニア水を用いたエッチング処理およびその後のリンス処理、純水を用いた処理、並びに、二回目のフッ化水素水を用いたェツチング処理およびその後のリンス処理を順に実施していく例を説明した。しかしながら、当然に、ウェハ Wの対して施される処理は、この例に限定されず、第 1の薬液を用いた処理と、第 2の薬液を用いた処理と、を適宜組み合わせたものとすることができ

[0213] さらに、上述した第 2の実施の形態において、基板処理装置 10が超音波発生装置 30を含む例を示したが、これに限られず、超音波発生装置 30は任意である。一方で、上述した基板処理方法中の各工程、例えば、上述した第 3乃至第 12の工程のうちのいずれか一つ以上の工程において、超音波発生装置 30から処理槽 12内の処理液に超音波を発生させるようにしてもよい。このような方法によれば、被処理ウェハ W 力、ら高い除去効率でパーティクルを除去することができる。

[0214] さらに、上述した第 2の実施の形態において、整流部材 28が多数の貫通孔 29を有する整流板からなる例を示した力これに限られず、種々の公知の整流部材を適用すること力 Sできる。また、処理槽 12の第 1領域 12a内に配置された被処理ウェハ Wの周囲において均一な上昇流を形成するため、処理槽 12の第 2領域 12b内に補助整流板を設けるようにしてもよい。例えば、下側供給管 41を介した第 2領域 12b内への液体の供給口（上述した実施の形態においては、第 1吐出部材 71の吐出口 71a)に対面するようにして板状の補助整流板を設けることにより、下側供給管 41を介して供給された液体の供給方向に沿った局所的な流れを打ち消すことができる。また、下側供給管 41から第 1吐出部材 71を介して処理槽 12の第 2領域 12b内に処理液が流れ込む例を示したが、これに限られず、第 1吐出部材 71を省略することもできる。

[0215] さらに、上述した第 2の実施の形態において、鉛直方向に沿った異なる三つの位置から、処理槽 12の第 1領域 12a内へ処理液を供給する例を示した力これに限られない。鉛直方向に沿った一つまたは二つの位置からのみ、第 1領域 12a内へ処理液力供給されるようにしてもよい。あるいは、鉛直方向に沿った四つ以上の位置から、第 1領域 12a内へ処理液が供給されるようにしてもよい。

[0216] なお、以上の説明においては、基板処理装置および基板処理方法を、異なる種類の薬液を用レ、た複数の処理を連続してウェハ Wに施す例に適用して!/、るが、そもそもこれに限られず、 LCD基板や CD基板に対するエッチング処理およびリンス処理に適用することができ、さらにはエッチング処理およびリンス処理以外の種々の処理に適用することあでさる。

[0217] 〔第 3の実施の形態〕

次に、主に図 13および図 14を参照して、本発明による基板処理装置および基板処理方法、基板処理プログラム、および、プログラム記録媒体の第 3の実施の形態を説明する。

[0218] 第 3の実施の形態においては、種類の異なる複数の薬液から一つの薬液を選択するとともに、選択された一つの薬液を用いた処理を被処理基板に対して単一の処理槽内で選択的に施す例を説明する。とりわけ、以下の第 3の実施の形態においては、第 1の実施の形態において既に説明した装置と実質的に同一な基板処理装置 10 を用い、被処理基板との反応性が異なる二種類の薬液（第 1の薬液および第 2の薬液)から選択された一つの薬液による処理力被処理基板としてのウェハに施される。そして、以下に説明するように、二種類の処理のうちのウェハとの反応性がより高い第 1の薬液を用いた処理は、図 1乃至図 8を参照しながら第 1の実施の形態として既に説明したアンモニア水によりウェハを処理する方法と略同一となっている。一方、以下に説明するように、二種類の処理のうちのウェハとの反応性がより低い第 2の薬液を用レ、た処理は、図 9乃至図 12を参照しながら第 2の実施の形態で既に説明したフッ化水素水によりウェハを処理するウェハを処理する方法と略同一となっている。したがって、以下の説明において、上述した第 1の実施の形態あるいは第 2の実施の形態と同一部分については、重複する説明を省略する。

[0219] 以下、図 13および図 14を主に参照するとともに、第 1の実施の形態および第 2の実施の形態において参照した図 1乃至図 12を適宜参照して、第 3の実施の形態について説明する。ここで、図 13および図 14は、基板処理装置、基板処理方法、基板処理プログラム、および、プログラム記録媒体の第 3の実施の形態を説明するための図である。このうち図 13は第 1の薬液を用いた場合における基板処理方法を説明するための表であり、図 14は第 2の薬液を用いた場合における基板処理方法を説明するための表である。

[0220] 第 3の実施の形態においては、第 1の実施の形態で既に説明した基板処理装置 10

4

[0221] また、第 1の実施の形態および第 2の実施の形態においては説明しな力、つた力図 1に示すように、基板処理装置 10の制御装置 18は、ウェハ Wに対してアンモニア水 (第 1の薬液）またはフッ化水素水（第 2の薬液）のどちらにより処理を行うのかの設定を行う設定器 19cと、ウェハ Wに対してアンモニア水またはフッ化水素水のどちらにより処理を行うのかについての情報を操作者等が入力するための、例えばタツチパネル等からなる入力器 19dと、をさらに有している。設定器 19cにおける設定は、入力器 19dにおいて操作者等により外部から入力された情報に基づいて行われるようになっている。なお、設定器 19cにおける設定は、入力器 19dからの情報に限定されることはなぐ例えば遠隔操作によりホストコンピュータ等から送られた情報に基づいて fiわれるようになって!/、てもよ!/、。

[0222] 次に、主に図 13および図 14を用い、第 3の実施の形態におけるウェハ Wの処理方法について説明する。ここで、図 13および図 14の上側供給管の欄には、各工程において上側供給管 42, 43, 44から供給される液体を表示している。また、図 13および図 14の下側供給管の欄には、各工程において下側供給管 41から供給される液体を表示している。さらに、図 13および図 14の外槽の欄には、各工程において処理槽 12から外槽 15に溢れ出す液体に含まれる一つを表示している。そして、図 9の上側供給管、下側供給管、および外槽の欄に示された「DIW」は純水を表し、 ΓΝΗ」はアンモニア水を表し、「HF」はフッ化水素水を表している。

[0223] なお、以下に説明する処理方法では、上述したように、ウェハ Wとの反応性が高い第 1の薬液（アンモニア水）を用いた処理と、ウェハ Wとの反応性が第 1の薬液（アンモニァ水）よりも低!/、第 2の薬液（フッ化水素水）を用いた処理と、の二種類の処理が、基板処理装置 10の処理槽 12内においてウェハ Wに対して選択的に実施される。以下、各工程について説明する。

[0224] まず、図 13および図 14に示すように、第 1の工程として、アンモニア水（第 1の薬液 )およびフッ化水素水（第 2の薬液）の!/、ずれを、ウェハ Wの処理に用いるかを設定する。具体的には、タツチパネル等からなる制御装置 18の入力器 19dにより、ウェハ Wに対してアンモニア水およびフッ化水素水のいずれにより処理を行うのかについての情報を操作者が入力する。

[0225] 次に、図 13および図 14に示すように、第 2の工程として、入力器 19dに入力された情報に基づいて、設定器 19cにおいてウェハ Wに対してアンモニア水およびフッ化水素水のいずれにより処理を行うのかについての設定が行われる。以下に説明するように、いずれの薬液を用いるかによつて、ウェハ Wに対する処理方法、より詳細には、処理層 12内への薬液および純水の供給方法が、異なってくる。以下においては、まず、アンモニア水（第 1の薬液）によりウェハ Wを処理する処理方法を、主に図 13 を参照しながら説明する。そしてその後、フッ化水素水（第 2の薬液）によりウェハ Wを処理する処理方法を、主に図 14を参照しながら説明する。

[0226] 図 13に示すように、アンモニア水（第 1の薬液）によりウェハ Wを処理する処理方法

(第 3の工程乃至第 8の工程）は、上述した第 1の実施の形態において、アンモニア水を用いてウェハ Wを処理する方法と同様となっている。したがって、ここでは概略のみを説明し、上述した第 1の実施の形態での説明を参照するものとして、重複する説明を省略する。

[0227] まず、薬液を設定する工程に引き続く第 3の工程として、処理槽 12内に純水を処理液として貯留する。次に、第 4の工程として、処理槽 12の第 1領域 12a内にウェハ W を収容する。具体的には、図 3を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 1の工程と同様にして、処理槽 12内に純水が貯留され、第 1の実施の形態による基板処理方法の第 2の工程と同様にして、処理槽 12内にウェハ Wが配置されるようにしてもよい。この結果、複数枚のウェハ W力処理槽 12の第 1領域 12a内に収容されるようになるとともに、処理槽 12内に貯留された純水中に浸漬されるようになる。

[0228] 次に、図 13に示すように、第 5の工程として、下側供給管 41を介して処理槽 12の第 2領域 12bへアンモニア水（第 1の薬液）が供給され、処理槽 12内の純水がアンモユア水によって置換されていく。具体的には、図 4を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 3の工程と同様にして、処理槽 12内の純水をアンモユア水によって置換する。すなわち、下側供給管 41から第 2領域 12bにアンモニア水（第 1の薬液）を供給して整流部材 28を介し第 2領域 12bから第 1領域 12aにアンモニァ水（第 1の薬液）を流入させ、第 1領域 12a内の少なくともウェハ Wの近傍において上昇流を形成しながら、処理槽 12内の純水をアンモニア水（第 1の薬液）によつて置換する。そして、この第 5の工程においては、図 4を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 3の工程と同様の作用効果を得ることができる。

[0229] 次に、図 13に示すように、第 6の工程として、アンモニア水（第 1の薬液）を処理槽 1 2へ補充しながら、ウェハ Wをアンモニア水（第 1の薬液）中に浸漬しておく。具体的には、図 5を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 4のェ程と同様にして、ウェハ Wをアンモニア水（第 1の薬液）中に浸漬し、当該ウェハ Wを処理する。すなわち、下側供給管 41から第 2領域 12bにアンモニア水（第 1の薬液）を供給し続けて整流部材 28を介し第 2領域 12bから第 1領域 12aにアンモニア水（第 1の薬液）を流入させ、第 1領域 12a内の少なくともウェハ Wの近傍において上昇流を形成しながら、ウェハ Wをアンモニア水（第 1の薬液）中に浸漬して処理する。そして、この第 6の工程においては、図 5を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 4の工程と同様の作用効果を得ることができる。

[0230] 次に、図 13に示すように、第 7の工程として、下側供給管 41を介して処理槽 12の第 2領域 12bへ純水が供給され、処理槽 12内のアンモニア水が純水によって置換されていく。具体的には、図 6を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 5の工程と同様にして、処理槽 12内のアンモニア水を純水によって置換し、ウェハ Wにリンス処理を施す。すなわち、下側供給管 41から第 2領域 12bに純水を供給して整流部材 28を介し第 2領域 12bから第 1領域 12aに純水を流入させ、第 1 領域 12a内の少なくともウェハ Wの近傍において上昇流を形成しながら、処理槽 12 内のアンモニア水（第 1の薬液）を純水によって置換する。そして、この第 7の工程においては、図 6を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 5 の工程と同様の作用効果を得ることができる。

[0231] 次に、図 13に示すように、第 8の工程として、下側供給管 41並びに第 1乃至第 3上側供給管 42, 43, 44を介して処理槽 12に純水が供給される。具体的には、図 7を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 6の工程と同様にして、処理槽 12に純水を供給して、純水により基板を処理する。すなわち、上側供給管 42, 43, 44から第 1領域 12aに純水を供給するとともに下側供給管 41から第 2領域 12bに純水を供給して第 1領域 12a内の少なくともウェハ Wの近傍において液体を攪拌させながら、純水により基板を処理する。そして、この第 8の工程においては、図 7を参照しながら説明した第 1の実施の形態による基板処理方法の第 6の工程と同様の作用効果を得ることができる。

[0232] このようにして、アンモニア水を用いたエッチング処理（第 5および第 6工程）およびその後のリンス処理（第 7工程）、並びに、純水を用いた処理（第 8の工程）が行われていく。

[0233] このような基板処理方法によれば、第 1領域 12a内において上昇流が形成されるようにして、被処理ウェハ Wを収容するとともに処理液（純水）を貯留した処理槽 12内の第 2領域 12bに第 1の薬液（アンモニア水）が供給される。また、処理槽 12内が第 1 の薬液（アンモニア水）によって置換された後、第 1領域 12a内において上昇流が形成されるようにして、水（純水）が処理槽 12の第 2領域 12bに供給される。いずれの場合も、少なくとも被処理ウェハ Wの周囲において略均一な上昇流が形成される。したがって、被処理ウェハ Wが処理槽 12内に配置された際の横方向に相当する方向に沿った被処理ウェハ Wの板面における第 1の薬液（アンモニア水）を用いた処理の均一十生を確保すること力 Sできる。

[0234] さらに、このような基板処理方法によれば、被処理ウェハ Wの近傍において、処理槽 12内の処理液（純水）は下側から徐々に第 1の薬液（アンモニア水）によって置換されていく。同様に、被処理ウェハ Wの近傍において、処理槽 12内の第 1の薬液（ァンモユア水）は下方から徐々に水（純水）によって置換されていく。したがって、被処理ウェハ Wの板面のうち、被処理ウェハ Wが処理槽 12内に配置された際に上方に配置される部分および下方に配置される部分の間で、第 1の薬液（アンモニア水）による処理が実質的に開始されるタイミング並びに第 1の薬液（アンモニア水）による処理が実質的に終了するタイミングは異なるものの、実質的に第 1の薬液による処理が行われている時間を略同一にすることができる。したがって、被処理ウェハ Wが処理槽 12内に配置された際の上下方向に相当する方向に沿った被処理ウェハ Wの板面における処理の均一性を確保することができる。

[0235] 次に、主に図 14を参照しながら、フッ化水素水（第 2の薬液）を用いてウェハ Wを処理する場合について説明する。図 14に示すように、フッ化水素水（第 2の薬液）によりウェハ Wを処理する処理方法（第 3の工程乃至第 7の工程）は、上述した第 2の実施の形態において、フッ化水素水を用いてウェハ Wを処理する方法と同様となっている。したがって、ここでは概略のみを説明し、上述した第 2の実施の形態での説明を参照するものとして、重複する説明を省略する。

[0236] まず、薬液を設定する工程に引き続く第 3の工程として、処理槽 12内に純水を処理液として貯留する。次に、第 4の工程として、処理槽 12の第 1領域 12a内にウェハ W を収容する。この結果、複数枚のウェハ W力 S、処理槽 12の第 1領域 12a内に収容されるようになるとともに、処理槽 12内に貯留された純水中に浸漬されるようになる。なお、第 3の工程および第 4の工程については、ウェハ Wの処理に用いられる薬液として、第 1の薬液が用いられた場合および第 2の薬液が用いられた場合において同様とすること力 Sでさる。

[0237] 次に、図 14に示すように、第 5の工程として、下側供給管 41を介して処理槽 12の第 2領域 12bへフッ化水素水（第 2の薬液）が供給され、処理槽 12内の純水がフッ化水素水によって置換されていく。具体的には、図 10を参照しながら説明した第 2の実施の形態による基板処理方法の第 3の工程と同様にして、処理槽 12内の純水をフッ化水素水によって置換する。すなわち、上側供給管 42, 43, 44から第 1領域 12aにフッ化水素水（第 2の薬液)を供給するとともに下側供給管 41から第 2領域 12bにフッ化水素水（第 2の薬液）を供給し、第 1領域 12a内の少なくともウェハ Wの近傍において液体を攪拌しながら、処理槽 12内の純水をフッ化水素水（第 2の薬液）によって置換する。そして、この第 5の工程においては、図 10を参照しながら説明した第 2の実施の形態による基板処理方法の第 3の工程と同様の作用効果を得ることができる。

[0238] 次に、図 14に示すように、第 6の工程として、フッ化水素水（第 2の薬液）を処理槽 1 2へ補充しながら、ウェハ Wをフッ化水素水（第 2の薬液）中に浸漬しておく。具体的には、図 11を参照しながら説明した第 2の実施の形態による基板処理方法の第 4の工程と同様にして、ウェハ Wをフッ化水素水（第 2の薬液）中に浸漬し、当該ウェハ W を処理する。すなわち、上側供給管 42, 43, 44から第 1領域 12aにフッ化水素水（第 2の薬液)を供給するとともに下側供給管 41から第 2領域 12bにフッ化水素水（第 2の薬液）を供給し、第 1領域 12a内の少なくともウェハ Wの近傍において液体を攪拌しながら、ウェハ Wをフッ化水素水（第 2の薬液）中に浸漬して処理する。そして、この第 6の工程においては、図 11を参照しながら説明した第 2の実施の形態による基板処理方法の第 4の工程と同様の作用効果を得ることができる。

[0239] 次に、図 14に示すように、第 7の工程として、処理槽 12へ純水が供給され、処理槽 12内のフッ化水素水が純水によって置換されていく。具体的には、図 12を参照しな力 ¾説明した第 2の実施の形態による基板処理方法の第 5の工程と同様にして、処理槽 12内のフッ化水素水を純水によって置換し、ウェハ Wにリンス処理を施す。すなわち、上側供給管 42, 43, 44から第 1領域 12aに純水を供給するとともに下側供給管 41から第 2領域 12bに純水を供給し、第 1領域 12a内の少なくともウェハ Wの近傍において液体を攪拌しながら、処理槽 12内のフッ化水素水（第 2の薬液）を純水によつて置換する。そして、この第 7の工程においては、図 12を参照しながら説明した第 2 の実施の形態による基板処理方法の第 5の工程と同様の作用効果を得ることができ

[0240] このようにして、フッ化水素水を用いたエッチング処理（第 5および第 6工程）およびその後のリンス処理（第 7工程）が行われていく。以上のようにして第 7の工程が終了すると、保持部材 20部材が上昇し、ウェハ Wが処理槽 12内から排出される。以上のようにして被処理ウェハ Wに対する一連の処理が終了する。

[0241] 以上のような本実施の形態によれば、互いに異なる種類の薬液から一つの薬液を選択し、当該選択された薬液を用いた処理を同一処理槽 12内においてウェハ Wに対して施す際、選択された薬液の種類に応じて処理槽 12内への薬液の供給方法を変えている。これにより、各薬液に適した方法でウェハ Wを処理していくことができる。この結果、ウェハ Wに対する複数の処理を短時間で行うことができるとともに、ゥェハ Wの板面内における処理の均一性を向上させることができる。

[0242] 具体的には、処理槽内の少なくとも被処理ウェハ Wの周囲において上昇流が形成されるようにして第 1の薬液（アンモニア水）が処理槽 12内に供給される。したがって、第 1の薬液が処理槽 12内に供給されている間、処理槽 12内の上昇流を均一にすることによって、ウェハ Wの板面近傍における第 1の薬液の濃度だけでなぐウェハ W の板面近傍における液体の流れ方も、板面内にわたって略均一とすることができる。この結果、用いられる薬液の種類に依存することなぐウェハ Wの板面内における第 1の薬液を用いた処理の均一性を大幅に向上させることができる。

[0243] その一方で、処理槽 12内の少なくともウェハ Wの周囲において液体が攪拌されるようにして第 2の薬液 (フッ化水素水）が処理槽 12内に供給される。したがって、第 2 の薬液が処理槽 12内に供給されている間、第 2の薬液の単位時間あたりの供給量を多く設定しながら、ウェハ Wの板面近傍における第 2の薬液の濃度を略均一に保つこと力 Sでさる。

[0244] この結果、ウェハ Wの板面内における処理の均一性を確保しながら、第 2の薬液を用いた処理を短時間で行うことができる。

[0245] これらのことから、本実施の形態によれば、ウェハ Wに対する複数の処理を短時間で行うことができるとともに、ウェハ Wの板面内における処理の均一性を向上させること力 Sできる。

[0246] なお、上述した第 3の実施の形態に対して種々の変更を加えることができる。例えば、上述した第 1の実施の形態に対する変形例を、第 3の実施の形態において第 1 の実施の形態と同様の部分に適用することができる。同様に、上述した第 2の実施の形態に対する変形例を、第 3の実施の形態において第 2の実施の形態と同様の部分に適用すること力できる。以下、第 3の実施の形態に対する変形の一例を具体的に説明する。

[0247] 上述した第 3の実施の形態において、ウェハ Wの処理に用いられる薬液としてアンモニァ水（第 1の薬液）が設定された場合、アンモニア水を用いて処理する工程 (第 5 および第 6の工程）、並びに、アンモニア水を純水で置換する工程（第 7の工程）において、下側供給管 41のみから第 1の薬液（アンモニア水）または純水が処理槽 12内に供給される例を示したが、これに限られない。下側供給管 41から処理槽 12内に第 1の薬液または純水を供給するとともに、並行して、第 1乃至第 3上側供給管 42, 43 , 44のうちの少なくともいずれか一つの供給管から処理槽 12内に第 1の薬液または純水を供給するようにしてもよい。第 1領域 12a内における液体の流動について上昇流が支配的となっていれば、あるいは、少なくとも第 1領域 12a内に収容されたウェハ Wの周囲にお!/、て上昇流が形成されて!/、れば、ウェハ Wをその板面内にわたって略均一に処理することができる。

[0248] また、上述した第 3の実施の形態において、ウェハ Wの処理に用いられる薬液としてフッ化水素水（第 1の薬液）が設定された場合、フッ化水素水を用いて処理するェ程（第 5および第 6の工程）において、下側供給管 41から処理槽 12の第 2領域 12b にフッ化水素水を供給するとともに上側供給管 42, 43, 44から処理槽 12の第 1領域 12aにフッ化水素水を供給する例を示したが、これに限られず、上側供給管 42, 43 , 44から処理槽 12の第 1領域 12aのみへフッ化水素水を供給するようにしてもよい。また、上述した実施の形態において、全ての上側供給管 42, 43, 44から処理槽 12 の第 1領域 12a内にフッ化水素水が供給される例を示したが、これに限られず、第 1 乃至第 3上側供給管 41 , 42, 43のうちの一つまたは二つからフッ化水素水が供給されるようにしてあよレヽ。

[0249] さらに、上述した第 3の実施の形態において、ウェハ Wの処理に用いられる薬液としてフッ化水素水（第 1の薬液）が設定された場合、フッ化水素水を純水で置換する工程（第 7工程）において、全ての供給管 41 , 42, 43, 44から処理槽 12内に処理液 (純水）が供給される例を示したが、これに限られない。例えば、下側供給管 41からの純水の供給を停止してもよい。また、第 1乃至第 3上側供給管 41 , 42, 43のうちの一つまたは二つから、純水力 S供給されるようにしてもよい。少なくとも第 1領域 12a内に収容されたウェハ Wの周囲に処理液が吐出され、貯留された液体がウェハ Wの周囲で攪拌されていれば、当該ウェハ Wに対するリンス処理をより確実に行うことができる。また、ウェハ Wから高い除去効率で付着物を除去することができる。

[0250] さらに、上述した第 3の実施の形態において、第 1の薬液を用いた処理を、アンモニァ水を用いたシリコンウェハのエッチング処理とし、第 2の薬液を用いた処理を、フッ化水素水を用いたシリコンウェハのエッチング処理とした例を示した力、これに限られず、種々変更することができる。例えば、第 1の薬液を用いた処理を、被処理基板との反応性が比較的に高い薬液を用いた処理とし、第 2の薬液を用いた処理を、被処理基板との反応性が第 1の薬液よりも低い薬液を用いた処理としてよい。また、第 1の薬液を用いた処理を、処理の進行度合レ、を高!/、精度で管理しなければならな!/、処理とし、第 2の薬液を用いた処理を、処理の進行度合いを高い精度で管理しなくてもよい処理としてあよい。

[0251] さらに、上述した第 3の実施の形態において、基板処理装置 10が超音波発生装置 30を含む例を示したが、これに限られず、超音波発生装置 30は任意である。一方で、上述した基板処理方法中の各工程、例えば、上述した第 3乃至第 12の工程のうちのいずれか一つ以上の工程において、超音波発生装置 30から処理槽 12内の処理液に超音波を発生させるようにしてもよい。このような方法によれば、被処理ウェハ W 力、ら高い除去効率でパーティクルを除去することができる。

[0252] さらに、上述した第 3の実施の形態において、整流部材 28が多数の貫通孔 29を有する整流板からなる例を示した力これに限られず、種々の公知の整流部材を適用すること力 Sできる。また、処理槽 12の第 1領域 12a内に配置された被処理ウェハ Wの周囲において均一な上昇流を形成するため、処理槽 12の第 2領域 12b内に補助整流板を設けるようにしてもよい。例えば、下側供給管 41を介した第 2領域 12b内への液体の供給口（上述した実施の形態においては、第 1吐出部材 71の吐出口 71a)に対面するようにして板状の補助整流板を設けることにより、下側供給管 41を介して供給された液体の供給方向に沿った局所的な流れを打ち消すことができる。また、下側供給管 41から第 1吐出部材 71を介して処理槽 12の第 2領域 12b内に処理液が流れ込む例を示したが、これに限られず、第 1吐出部材 71を省略することもできる。

[0253] さらに、上述した第 3の実施の形態において、鉛直方向に沿った異なる三つの位置から、処理槽 12の第 1領域 12a内へ処理液を供給する例を示した力これに限られない。鉛直方向に沿った一つまたは二つの位置からのみ、第 1領域 12a内へ処理液力供給されるようにしてもよい。あるいは、鉛直方向に沿った四つ以上の位置から、第 1領域 12a内へ処理液が供給されるようにしてもよい。

[0254] なお、以上の説明においては、基板処理装置および基板処理方法を、異なる種類の薬液から一つの薬液を選択し、選択された薬液を用いた処理をウェハ Wに施す例に適用しているが、そもそもこれに限られず、 LCD基板や CD基板に対するエツチング処理およびリンス処理に適用することができ、さらにはエッチング処理およびリンス処理以外の種々の処理に適用することもできる。

Claims

請求の範囲

[1] 整流部材が内部に設けられ、前記整流部材の上側に位置する第 1領域と前記整流部材の下側に位置する第 2領域とを含む処理槽の、前記第 1領域内に基板を配置し、前記処理槽に貯留された処理液に基板を浸漬する工程と、

前記処理槽の前記第 2領域に薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!/、て上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換する工程と、

前記処理槽の前記第 2領域に水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!/、て上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する工程と、を備える

ことを特徴とする基板処理方法。

[2] 前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記薬液の単位時間あたりの供給量は、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一である

ことを特徴とする請求項 1に記載の基板処理方法。

[3] 前記基板を前記処理槽の前記第 1領域に配置する工程は、

前記処理槽の前記第 1領域に接続された上側供給管から前記第 1領域に前記処理液を供給するとともに、前記処理槽の前記第 2領域に接続された下側供給管から前記第 2領域に前記処理液を供給して、前記処理槽内に前記処理液を貯留するェ程を、有する

ことを特徴とする請求項 1に記載の基板処理方法。

[4] 前記基板を前記処理槽の前記第 1領域に配置する工程は、前記処理液を貯留された前記処理槽の前記第 1領域内に前記基板を配置する工程を、さらに有することを特徴とする請求項 3に記載の基板処理方法。

[5] 前記処理液は水であることを特徴とする請求項 3に記載の基板処理方法。

[6] 前記整流部材は多数の貫通孔を有するとともに前記処理槽内を前記第 1領域と前記第 2領域とに区分けする整流板からなり、

前記第 2領域に供給された液体は、前記整流板の貫通孔を介し、前記第 2領域から前記第 1領域に流入する

ことを特徴とする請求項 1に記載の基板処理方法。

[7] 前記薬液はアンモニア水からなる

ことを特徴とする請求項 1に記載の基板処理方法。

[8] 前記薬液を供給して前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換する工程の後に、前記処理槽の前記第 2領域に薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記処理槽内において前記薬液に浸漬させておく工程を、さらに備える

ことを特徴とする請求項 1に記載の基板処理方法。

[9] 前記水を供給して前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する工程の後に、前記処理槽の前記第 1領域に水を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にぉレ、て液体を攪拌する工程を、さらに備える

ことを特徴とする請求項 1に記載の基板処理方法。

[10] 前記水を供給して前記処理槽内の第 1領域内において液体を攪拌する工程において、前記第 1領域に水を供給するとともに、前記処理槽の前記第 2領域に水を供給する

ことを特徴とする請求項 9に記載の基板処理方法。

[11] 前記工程のうちの少なくとも一つの工程において、前記処理槽内の液体に超音波を発生させる

ことを特徴とする請求項 1乃至 10のいずれか一項に記載の基板処理方法。

[12] 基板を収容する第 1領域と、前記第 1領域の下方に配置された第 2領域と、を含む処理槽と、

前記処理槽内の前記第 1領域と前記第 2領域との間に設けられた整流部材と、前記処理槽の前記第 2領域に接続され、少なくとも薬液および水を前記処理槽の前記第 2領域内に供給し得る下側供給管と、

前記下側供給管に連結され、前記下側供給管からの液体の供給を切り換える切換機構と、

前記切換機構に接続され、前記下側供給管から前記処理槽の前記第 2領域内への液体の供給を制御する制御装置と、を備え、

前記制御装置は、

処理液を貯留するとともに基板を収容した前記処理槽の前記第 2領域に薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換し、

その後、前記処理槽の前記第 2領域に水を供給して前記整流部材を介し前記第 2 領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にぉレ、て上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御する

ことを特徴とする基板処理装置。

[13] 前記制御装置は、

前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換する際に、前記処理槽内に供給される前記薬液の単位時間あたりの供給量が、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する際に、前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一になる、ように前記切換機構を制御する

ことを特徴とする請求項 12に記載の基板処理装置。

[14] 前記整流部材は多数の貫通孔が形成された整流板を有し、

前記第 2領域に供給された液体は、前記整流板の貫通孔を介し、前記第 2領域から前記第 1領域に流入するようになる

ことを特徴とする請求項 12に記載の基板処理装置。

[15] 前記処理槽の前記第 1領域に接続され、前記処理槽の前記第 1領域内に液体を供給し得る上側供給管を、さらに備え、前記切換機構は、前記上側供給管と連結され、前記上側供給管からの液体の供給を切り換えるようになつており、

前記制御装置は、前記上側供給管から前記処理槽の前記第 1領域内への液体の供給を制御する

ことを特徴とする請求項 12に記載の基板処理装置。

[16] 鉛直方向に沿った配置位置が互いに異なるようにして前記処理槽の第 1領域内に設けられた複数の吐出部材を、さらに備え、

前記上側供給管は前記吐出部材に連結され、前記吐出部材を介して前記処理槽の第 1領域内に液体が吐出される

ことを特徴とする請求項 15に記載の基板処理装置。

[17] 前記制御装置は、

前記下側供給管から前記処理槽内に薬液を供給する前に、前記上側供給管から前記第 1領域に前記処理液を供給するとともに、前記下側供給管から前記第 2領域に前記処理液を供給して、前記処理槽内に前記処理液を貯留する、ように前記切換機構を制御する

ことを特徴とする請求項 15に記載の基板処理装置。

[18] 前記制御装置は、

前記下側供給管から前記処理槽内に水を供給した後に、前記上側供給管から前記第 1領域に水を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において液体を攪拌する、ように前記切換機構を制御する

ことを特徴とする請求項 15に記載の基板処理装置。

[19] 前記制御装置は、

前記処理槽内の第 1領域内において液体を攪拌する際に、前記上側供給管から前記第 1領域に水を供給するとともに、前記下側供給管から前記第 2領域に水を供給する、ように切換機構を制御する

ことを特徴とする請求項 18に記載の基板処理装置。

[20] 前記制御装置は、

前記下側供給管から前記薬液を供給して前記処理槽内の前記処理液を前記薬液で置換した後に、前記下側供給管から前記第 2領域に薬液を供給し続けて前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記処理槽内にぉレ、て前記薬液に浸漬させる、ように前記切換機構を制御する

ことを特徴とする請求項 12に記載の基板処理装置。

[21] 前記処理槽内の液体に超音波を発生させる超音波発生装置をさらに備える

ことを特徴とする請求項 12に記載の基板処理装置。

[22] 前記処理液は水である

ことを特徴とする請求項 13に記載の基板処理装置。

[23] 前記薬液はアンモニア水からなる

ことを特徴とする請求項 12に記載の基板処理装置。

[24] 整流部材が内部に設けられ、前記整流部材の上側に位置し基板を収容する第 1領域と前記整流部材の下側に位置する第 2領域とを含む処理槽を用いて前記基板を処理する方法であって、

前記処理槽の前記第 2領域に第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2 領域から前記基板が収容された前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第

1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記第 1の薬液によって処理する工程と、

前記処理槽の前記第 1領域に第 2の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第 1 領域および前記第 2領域に第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!/、て液体を攪拌しながら、前記基板を前記第 2の薬液によって処理する工程と、を備える

ことを特徴とする基板処理方法。

[25] 前記第 1の薬液と前記基板との反応性は、前記第 2の薬液と前記基板との反応性よりも高い

ことを特徴とする請求項 24に記載の基板処理方法。

[26] 前記第 1の薬液はアンモニア水からなり、前記第 2の薬液はフッ化水素水からなることを特徴とする請求項 24に記載の基板処理方法。

[27] 前記第 1の薬液によって前記基板を処理する工程の後に、前記処理槽の前記第 2 領域に水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換する工程を、さらに備えることを特徴とする請求項 24に記載の基板処理方法。

[28] 前記第 1の薬液によつて前記基板を処理する工程は、

内部に処理液が貯留されその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 2領域に前記第 1の薬液を供給して、前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する工程を含む

ことを特徴とする請求項 24に記載の基板処理方法。

[29] 前記第 1の薬液によって前記基板を処理する工程は、内部に処理液が貯留されその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 2領域に前記第 1の薬液を供給して、前記整流部材を介し記第 2領域から前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する工程を含み、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記第 1の薬液の単位時間あたりの供給量は、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一である

ことを特徴とする請求項 27に記載の基板処理方法。

[30] 前記処理液は水である

ことを特徴とする請求項 29に記載の基板処理方法。

[31] 前記第 2の薬液によって前記基板を処理する工程の後に、前記処理槽内の前記第 2の薬液を水で置換する工程を、さらに備え、

前記第 2の薬液によって前記基板を処理する工程の後に、前記第 1の薬液によつて前記基板を処理する工程が行われ、前記第 1の薬液によって前記基板を処理する工程において前記第 1の薬液によつて置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第 2の薬液を前記水で置換する工程におレ、て前記処理槽内に供給された前記水である

ことを特徴とする請求項 28に記載の基板処理方法。

[32] 基板を収容する第 1領域と、前記第 1領域の下方に配置された第 2領域と、を含む処理槽と、

前記処理槽内の前記第 1領域と前記第 2領域との間に設けられた整流部材と、前記処理槽の前記第 2領域に接続され、少なくとも第 1の薬液を前記処理槽の前記第 2領域内に供給し得る下側供給管と、

前記処理槽の前記第 1領域に接続され、少なくとも第 2の薬液を前記処理槽の前記第 1領域内に供給し得る上側供給管と、

前記下側供給管および前記上側供給管に連結され、前記下側供給管および前記上側供給管からの液体の供給を切り換える切換機構と、

前記切換機構に接続され、前記下側供給管から前記処理槽の前記第 2領域内への液体の供給および前記上側供給管から前記処理槽の前記第 1領域内への液体の供給を制御する制御装置と、を備え、

前記制御装置は、

前記処理槽の前記第 2領域に前記第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記基板が収容された前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記第 1の薬液によって処理し、

また、前記第 1の薬液を用いた前記基板の処理の前または後に、前記処理槽の前記第 1領域に前記第 2の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に前記第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記基板を前記第 2の薬液によって処理する、ように前記切換機構を制御する

ことを特徴とする基板処理装置。

[33] 前記第 1の薬液と前記基板との反応性は、前記第 2の薬液と前記基板との反応性よりも高い

ことを特徴とする請求項 32に記載の基板処理装置。

[34] 前記第 1の薬液はアンモニア水からなり、前記第 2の薬液はフッ化水素水からなることを特徴とする請求項 32に記載の基板処理装置。

[35] 前記制御装置は、

前記第 1の薬液によって前記基板を処理した後に、前記処理槽の前記第 2領域に前記下側供給管から水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御することを特徴とする請求項 32に記載の基板処理装置。

[36] 前記制御装置は、

前記第 1の薬液によって前記基板を処理する際、内部に処理液が貯留されその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 2領域に前記下側供給管から前記第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する、ように前記切換機構を制御する

ことを特徴とする請求項 32に記載の基板処理装置。

[37] 前記制御装置は、

前記第 1の薬液によって前記基板を処理する際、内部に処理液が貯留されその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 2領域に前記下側供給管から前記第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換し、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する際に前記処理槽内に供給される前記薬液の単位時間あたりの供給量が、前記処理槽内の前記薬液を前記水で置換する際に前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一になる、ように前記切換機構を制御することを特徴とする請求項 35に記載の基板処理装置。

[38] 前記処理液は水である

ことを特徴とする請求項 37に記載の基板処理装置。

[39] 前記制御装置は、

前記第 2の薬液によって前記基板を処理した後に、前記処理槽内の前記第 2の薬液を水で置換する、ように前記切換機構を制御し、

前記第 2の薬液によって前記基板を処理した後に、前記第 1の薬液によって前記基板を処理し、

前記第 1の薬液によって前記基板を処理する際に前記第 1の薬液によって置換される前記処理液は、前記処理槽内の前記第 2の薬液を置換する際に前記処理槽内に供給された前記水である

ことを特徴とする請求項 36に記載の基板処理装置。

[40] 整流部材が内部に設けられ、前記整流部材の上側に位置し基板を収容する第 1領域と前記整流部材の下側に位置する第 2領域とを含む処理槽内で、第 1の薬液および第 2の薬液の!/、ずれかを用いて基板を処理する方法であって、

前記第 1の薬液および前記第 2の薬液のうちのいずれにより基板を処理するのかを設定する工程と、

前記設定された薬液により前記基板を処理する工程と、を備え、

前記設定された薬液により前記基板を処理する工程において、

設定された薬液が前記第 1の薬液である場合、前記処理槽の前記第 2領域に第 1 の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域力前記基板が収容された前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記第 1の薬液によって処理し、一方、設定された薬液が前記第 2の薬液である場合、前記処理槽の前記第 1領域に第 2の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にお!/、て液体を攪拌しながら、前記基板を前記第 2の薬液によって処理する

ことを特徴とする基板処理方法。

[41] 前記第 1の薬液と前記基板との反応性は、前記第 2の薬液と前記基板との反応性よりも高い

ことを特徴とする請求項 40に記載の基板処理方法。

[42] 前記第 1の薬液はアンモニア水からなり、前記第 2の薬液はフッ化水素水からなることを特徴とする請求項 40に記載の基板処理方法。

[43] 前記設定された薬液により前記基板を処理する工程の後に、前記処理槽内の前記薬液を水によって置換する工程をさらに備え、

前記設定された薬液が第 1の薬液である場合、前記処理槽の前記第 2領域に前記水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記基板が収容された前記第 1 領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記第 1の薬液を前記水で置換し、

一方、前記設定された薬液が第 2の薬液である場合、前記処理槽の前記第 1領域に前記水を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に前記水を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記第 2の薬液を前記水で置換する

ことを特徴とする請求項 40に記載の基板処理方法。

[44] 前記設定された薬液が前記第 1の薬液である場合、前記設定された薬液により前記基板を処理する工程は、内部に処理液が貯留されその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 2領域に前記第 1の薬液を供給して、前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する工程を含み、

前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記第 1の薬液の単位時間あたりの供給量は、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換する工程において前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と実質的に同一である

ことを特徴とする請求項 43に記載の基板処理方法。

[45] 前記処理液は水であることを特徴とする請求項 44に記載の基板処理方法。

[46] 前記第 1の薬液および前記第 2の薬液のいずれにより前記基板を処理するのかについての情報を入力する工程をさらに備え、

前記入力された情報に基づき、前記第 1の薬液および前記第 2の薬液のいずれにより前記基板を処理するのかを設定する

ことを特徴とする請求項 40に記載の基板処理方法。

[47] 第 1の薬液および第 2の薬液のいずれかを用いて基板を処理する基板処理装置であってゝ

前記基板を収容する第 1領域と、前記第 1領域の下方に配置された第 2領域と、を含む処理槽と、

前記制御装置は、基板に対して第 1の薬液および第 2の薬液のいずれにより処理を行うのかの設定を行う設定部を有し、前記設定部における設定内容に基づいて前記切換機構を制御するように構成され、

前記制御装置は、

前記設定された薬液が第 1の薬液である場合、前記処理槽の前記第 2領域に前記第 1の薬液を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記基板が収容された前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記基板を前記第 1の薬液によって処理し、一方、前記設定された薬液が第 2の薬液である場合、前記処理槽の前記第 1領域に前記第 2の薬液を供給して或いは前記処理槽の前記第 1領域および前記第 2領域に前記第 2の薬液を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において液体を攪拌しながら、前記基板を前記第 2の薬液によって処理する、ように前記切換機構を制御する

ことを特徴とする基板処理装置。

[48] 前記第 1の薬液と前記基板との反応性は、前記第 2の薬液と前記基板との反応性よりも高い

ことを特徴とする請求項 47に記載の基板処理装置。

[49] 前記第 1の薬液はアンモニア水からなり、前記第 2の薬液はフッ化水素水からなることを特徴とする請求項 47に記載の基板処理装置。

[50] 制御装置は、前記設定された薬液によって前記基板を処理した後に、

前記設定された薬液が第 1の薬液である場合、前記下側供給管から前記第 2領域に水を供給して前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記水を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記第 1の薬液を前記水で置換し、

一方、前記設定された薬液が第 2の薬液である場合、前記上側供給管から前記第 1領域に水を供給して、或いは、前記上側供給管から前記第 1領域に水を供給するとともに前記下側供給管から前記第 2領域に水を供給して、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍にぉレ、て液体を攪拌しながら、前記処理槽内の前記第 2の薬液を前記水で置換する、ように前記切換機構を制御する

ことを特徴とする請求項 47に基板処理装置。

[51] 前記制御装置は、前記設定された薬液が前記第 1の薬液である場合、

前記第 1の薬液により前記基板を処理する際に、内部に処理液が貯留されその第 1領域内に前記基板が収容された前記処理槽の前記第 2領域に前記第 1の薬液を供給して、前記整流部材を介し前記第 2領域から前記第 1領域に前記第 1の薬液を流入させ、前記第 1領域内の少なくとも前記基板の近傍において上昇流を形成しながら、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換し、前記処理槽内の前記処理液を前記第 1の薬液で置換する際に、前記処理槽内に供給される前記第 1の薬液の単位時間あたりの供給量と、前記処理槽内の前記第 1 の薬液を前記水で置換する際に、前記処理槽内に供給される前記水の単位時間あたりの供給量と、が実質的に同一となる、ように前記切換機構を制御する

ことを特徴とする請求項 50に記載の基板処理装置。

[52] 前記処理液は水である

ことを特徴とする請求項 51に記載の基板処理装置。

[53] 前記第 1の薬液および前記第 2の薬液のいずれにより前記基板を処理するのかについての情報を入力するための入力部を、さらに備え、

前記設定部は、前記入力部において入力された情報に基づき、前記第 1の薬液および前記第 2の薬液のいずれにより前記基板を処理するのかを設定するように構成されている

ことを特徴とする請求項 47に記載の基板処理装置。