JP2007059868A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】超音波振動を利用した基板処理装置において、基板上に形成された微細パターンの剥離や倒壊を防止しつつ、超音波振動の出力を上げることができる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置1の伝搬槽30内に伝搬液の流れを形成する。これにより、超音波振動子40から発生する超音波振動を分散させ、超音波振動が基板Wに与える集中的な衝撃を緩和する。また、超音波振動の出力を上げたときには、バルブ34を調節して伝搬液の流量を増加させる。これにより、基板W上に形成された微細パターンの剥離や倒壊を防止しつつ、超音波振動の出力を上げることができる。
【選択図】図1
【解決手段】基板処理装置1の伝搬槽30内に伝搬液の流れを形成する。これにより、超音波振動子40から発生する超音波振動を分散させ、超音波振動が基板Wに与える集中的な衝撃を緩和する。また、超音波振動の出力を上げたときには、バルブ34を調節して伝搬液の流量を増加させる。これにより、基板W上に形成された微細パターンの剥離や倒壊を防止しつつ、超音波振動の出力を上げることができる。
【選択図】図1
Description
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等の基板を処理液中に浸漬させて、基板に対し所定の処理を行う基板処理装置に関する。
従来より、基板の製造工程においては、処理槽内に貯留された処理液に基板を浸漬させて基板に対し所定の処理を行う基板処理装置が知られている。特に、近年では、処理槽内の処理液に超音波振動を付与し、超音波振動の物理的作用を利用して基板の処理を行う基板処理装置が実用化されている。
超音波振動を利用した従来の基板処理装置は、超音波振動子から発生した超音波振動を、純水等の伝搬液を介して処理槽へ伝搬させる。処理槽内においては、処理液中に浸漬された基板へ超音波振動が伝搬し、基板に対して所定の処理が行われる。このように、基板に対して超音波振動を作用させると、例えば基板の洗浄処理においては、基板表面に付着したパーティクルが基板表面から効率よく遊離する。このため、基板表面に付着したパーティクルが効率よく除去される。
このような従来の基板処理装置については、例えば特許文献1に開示されている。
しかしながら、上記従来の基板処理装置では、超音波振動の出力を高くすると、その超音波振動の衝撃により、基板上の微細なパターンが剥離または倒壊してしまう場合があった。例えば、図10上段のように基板Wの表面に形成されたパターン90の一部が、図10下段のように剥離して消失してしまう場合があった。特に、近年においては、基板上に形成されるパターンのアスペクト比(パターンの深さbと幅aとの比b/a)は大きくなる傾向があり、パターンの剥離や倒壊はより発生しやすい状況となっている。このような状況の下では、基板処理中に超音波振動の出力を十分に高くすることができず、超音波振動による所望の物理的作用を十分に発揮させることが困難となっていた。
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、超音波振動を利用した基板処理装置において、基板上に形成された微細パターンの剥離や倒壊を防止しつつ、超音波振動の出力を上げることができる技術を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、請求項1に係る発明は、基板を処理液中に浸漬させて基板に対して処理を行う基板処理装置であって、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内において基板を保持する保持手段と、超音波振動を発生させる超音波振動発生手段と、前記超音波振動発生手段から発生する超音波振動を前記処理槽へ伝搬させる伝搬液を貯留する伝搬槽と、前記伝搬槽内において伝搬液の流れを形成する液流形成手段と、前記液流形成手段による伝搬液の流量を調節する流量調節手段と、を備えたことを特徴とする。
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の基板処理装置であって、前記伝搬液の流れは、前記伝搬槽内における超音波振動の進行を横切る方向の流れであることを特徴とする。
請求項3に係る発明は、請求項1または2に記載の基板処理装置であって、前記超音波振動発生手段は、発生させる超音波振動の出力を調節可能であり、前記超音波振動発生手段および前記流量調節手段を連動的に制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする。
請求項4に係る発明は、請求項1から3までのいずれかに記載の基板処理装置であって、前記液流形成手段は、前記伝搬槽内に伝搬液を供給する供給手段および前記伝搬槽内から伝搬液を排出する排出手段を含むことを特徴とする。
請求項1〜4に記載の発明によれば、基板処理装置は、伝搬槽内において伝搬液の流れを形成する液流形成手段を備える。このため、超音波振動は伝搬液の流れによって分散され、超音波振動が基板に与える集中的な衝撃が緩和される。また、基板処理装置は、伝搬液の流量を調節する流量調節手段を備える。このため、超音波振動の出力を上げるときには、それに応じて伝搬液の流量を増加させることができる。したがって、基板上に形成された微細パターンの剥離や倒壊を防止しつつ、超音波振動の出力を上げることができる。
特に、請求項2に記載の発明によれば、伝搬液の流れは、伝搬槽内における超音波振動の進行を横切る方向の流れである。このため、超音波振動を効率よく分散し、超音波振動による衝撃を効率よく緩和することができる。
特に、請求項3に記載の発明によれば、基板処理装置は、超音波振動発生手段および前記流量調節手段を連動的に制御する制御手段を備える。このため、超音波振動の出力変化に基づいて、自動的に伝搬液の流量を調節することができる。
特に、請求項4に記載の発明によれば、液流形成手段は、伝搬槽内に伝搬液を供給する供給手段および伝搬槽内から伝搬液を排出する排出手段を含む。このため、伝搬槽内における伝搬液の流れを容易に形成することができる。
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
<1.基板処理装置の構成>
図1は、本発明に係る基板処理装置1を基板Wと平行な平面で切断した縦断面図である。図1には、併せて配管や制御系の構成も示している。図2は、基板処理装置1を基板Wと垂直な平面で切断した縦断面図である。この基板処理装置1は、複数の基板Wの洗浄処理を行う装置であり、主として処理槽10と、リフタ20と、伝搬槽30と、超音波振動子40と、制御部50とを備えている。
図1は、本発明に係る基板処理装置1を基板Wと平行な平面で切断した縦断面図である。図1には、併せて配管や制御系の構成も示している。図2は、基板処理装置1を基板Wと垂直な平面で切断した縦断面図である。この基板処理装置1は、複数の基板Wの洗浄処理を行う装置であり、主として処理槽10と、リフタ20と、伝搬槽30と、超音波振動子40と、制御部50とを備えている。
処理槽10は、処理液を貯留するための容器である。処理槽10に貯留された処理液中に基板Wを浸漬することにより、基板Wの洗浄処理が行われる。処理液には例えば純水が使用されるが、SC−1液等の薬液を使用してもよい。処理槽10の底部には一対の吐出部11が設けられている。吐出部11は配管12を介して処理液供給源13に接続されており、配管12の経路途中にはバルブ14が介挿されている。このため、バルブ14を開くと、処理液供給源13から配管12および吐出部11を介して処理槽10内へ処理液が吐出される。
処理槽10の上面は開放されており、その外側面の上端には外槽15が設けられている。また、外槽15には配管16が接続されており、配管16の他端側は排液ラインに接続されている。このため、吐出部11から吐出された処理液は、処理槽10内を底部から上方へ向かって流れ、やがて上部の開口から外槽15へオーバーフローする。そして、外槽15へオーバーフローした処理液は、配管16を介して排液ラインへ排出される。
リフタ20は、リフタヘッド21と保持板22との間に、水平方向にのびる3本の保持棒23を備えている。保持棒23には複数の保持溝(図示省略)が刻設されており、複数の基板Wはその保持溝に起立姿勢で保持される。リフタ20には、サーボモータやタイミングベルト等を有するリフタ駆動部24が接続されている。リフタ駆動部24を動作させると、リフタ20は昇降移動し、複数の基板Wは、処理槽10内の浸漬位置(図1,図2の位置)と処理槽10上方の引き上げ位置との間で移動する。
伝搬槽30は、超音波振動の伝搬媒体となる純水等の伝搬液(伝搬水)を貯留する容器である。伝搬液には、例えば脱気水が使用される。伝搬槽30は処理槽10の下方に配置されており、伝搬槽30に貯留された伝搬液に処理槽10の底部が浸漬された状態となっている。
伝搬槽30は、配管31を介して伝搬液供給源32に接続されており、配管31の経路途中には、流量計33とバルブ34とが介挿されている。このため、バルブ34を開くと、伝搬液供給源32から配管31を介して伝搬槽30へ、伝搬液が供給される。バルブ34は、開度を調節することができる可変流量バルブである。このため、バルブ34の開度を調節すると、伝搬槽30内へ供給される伝搬液の流量が調節される。また、配管31内における伝搬液の流量は、流量計34により計測される。一方、伝搬槽30は、配管35を介して排液ラインに接続されている。このため、伝搬槽30内に所定量以上に貯留された伝搬液は、配管35を介して排液ラインへ排出される。
超音波振動子40は、伝搬槽30の底部裏面に取り付けられている。超音波振動子40を動作させると超音波振動が発生し、発生した超音波振動は、伝搬槽30の底部、伝搬槽30内の伝搬液、処理槽10の底部、処理槽10内の処理液を順に振動させ、処理液中に浸漬された基板Wへ到達する。超音波振動子40から発生する超音波振動の出力は、後述する制御部50からの制御により調節可能となっている。
図3は、伝搬槽30内おける伝搬液の流れと、伝搬液中の超音波振動の進行の向きとを示した図である。超音波振動子40から発生した超音波振動は、伝搬槽30の底部から処理槽10の底部へ向かって、伝搬液中を上方へ進行する(図3の破線矢印)。一方、伝搬液の供給および排出を行う配管31および配管35は、処理槽10を挟んで互いに反対側に設けられている。このため、配管31から伝搬液を供給しつつ配管35へ伝搬液を排出すると、伝搬槽30内には処理槽10の底部に沿った伝搬液の流れが形成される(図3の白抜き矢印)。すなわち、伝搬槽30内においては、超音波振動の進行を横切るような伝搬液の流れが形成される。
図1に戻り、制御部50は、例えばCPUやメモリを備えたコンピュータにより構成される。制御部50は、流量計34と電気的に接続され、流量計34から計測結果を受信する。また、制御部50は、上記のリフタ駆動部24、超音波振動子40、およびバルブ14,34と電気的に接続され、所定のプログラムに基づいてこれらの動作を制御する。制御部50は、超音波振動子40を制御することにより、超音波振動子40から発生する超音波振動の出力を調節する。また、制御部50は、流量計34から受信する計測結果に基づいてバルブ34の開度を制御することにより、伝搬液の流量を調節する。すなわち、この基板処理装置1は、超音波振動の出力と、伝搬液の流量とを、それぞれ調節できる構成となっている。
<2.基板処理装置の動作>
図4は、上記の基板処理装置1による洗浄処理の流れを示したフローチャートである。図4を参照しつつ、基板処理装置1による洗浄処理時の動作について以下に説明する。なお、以下の動作は、制御部50が、リフタ駆動部24、超音波振動子40、バルブ14,34等を制御することにより進行する。
図4は、上記の基板処理装置1による洗浄処理の流れを示したフローチャートである。図4を参照しつつ、基板処理装置1による洗浄処理時の動作について以下に説明する。なお、以下の動作は、制御部50が、リフタ駆動部24、超音波振動子40、バルブ14,34等を制御することにより進行する。
基板処理装置1において基板Wの洗浄処理を行うときには、まず、図示しない搬送ロボットによって、複数の基板Wをリフタ20上へ載置する。そして、リフタ20を降下させ、処理槽10に貯留された処理液中へ複数の基板Wを浸漬する(ステップS1)。なお、リフタ20を先に降下させ、その後に処理槽10内へ処理液を貯留してもよい。
次に、バルブ14を開き、処理槽10へ処理液を供給する(ステップS2)。処理液は、処理液供給源13から配管12を通って供給され、吐出部11から処理槽10内へ吐出される。これにより、処理槽10内には、処理槽10の上部へ向かう処理液の流れが形成される。処理槽10の上部においては、処理液が外槽15へオーバーフローする。
次に、バルブ34を開き、伝搬槽30へ伝搬液を供給する(ステップS3)。伝搬液は、伝搬液供給源32から配管31を通って伝搬槽30へ供給される。伝搬槽30内に所定量以上の伝搬液が貯留され、配管35へ伝搬液が排出されると、伝搬槽30内には、図3に示したような伝搬液の流れが形成される。伝搬液の供給は、後述する超音波振動の付与が終了するまで継続する。なお、伝搬槽30に伝搬液を供給するときには、制御部50がバルブ34を制御することにより、伝搬液の供給量を調節する。また、伝搬液の供給量が調節されると、それに伴って伝搬槽30内における伝搬液の流量も調節される。
次に、超音波振動子40を動作させ、超音波振動を発生させる(ステップS4)。超音波振動子40から発生した超音波振動は、伝搬槽30底部、伝搬槽30内の伝搬液、処理槽10底部、処理槽10内の処理液を順に伝搬し、処理液中に浸漬された基板Wへ到達する。なお、超音波振動子40を動作させるときには、制御部50が超音波振動子40を制御することにより、超音波振動の出力を調節する。
基板Wに付着したパーティクルは、超音波振動の衝撃を受けて基板Wの表面から遊離する。また、処理槽10内には、上方へ向かう処理液の流れが形成されているため、基板Wの表面から遊離したパーティクルは、処理液の流れに乗って処理槽10の上部へ運搬される。パーティクルは、処理槽10の上部において処理液とともに外槽15へ運搬され、配管16を介して排液ラインへ排出される。
超音波振動の付与を所定時間継続した後、超音波振動子40の動作を停止させ、処理液の供給のみを継続する(ステップS5)。処理液中に残存するパーティクルは、処理液の流れに乗って外槽15へ運搬され、配管16を介して排液ラインへ排出される。これにより、処理槽10内に残存するパーティクルが基板Wへ再付着することを防止する。
その後、伝搬液の供給および処理液の供給を停止し(ステップS6,ステップS7)、リフタ20を上昇させて処理槽10内から基板Wを引き上げる(ステップS8)。以上をもって、基板処理装置1における基板Wの洗浄処理を終了する。なお、基板Wを処理槽10の上方に引き上げた状態で、または基板Wを他装置へ搬送した後に、基板Wに対して乾燥処理を行う。
上記のステップS4においては、伝搬槽30内に伝搬液の流れが形成されており、その伝搬液中において超音波振動を進行させる。このため、伝搬液の流れが抵抗となり、超音波振動の進行の向きが分散する。特に、伝搬液は、超音波振動の進行を横切る方向に流れているため、超音波振動の進行の向きは効率よく分散される。したがって、超音波振動が基板Wに与える集中的な衝撃が緩和される。
また、超音波振動の出力および伝搬液の流量は、ともに制御部50からの制御により調節される。このため、超音波振動の出力を上げるときには、それに応じて伝搬液の流量を増加させることができる。このようにすれば、超音波振動の出力を上げてパーティクルの除去効率を向上させる一方、超音波振動の集中的な衝撃を緩和することによって、基板W上に形成された微細パターンの剥離や倒壊を防止することができる。
超音波振動の出力と伝搬液の流量との対応関係は、予め実験等により定めておき、制御部50に記憶させておけばよい。例えば、図5に示したように、超音波振動の出力が低いときには伝搬液の流量も低くし、超音波振動の出力が高いときには伝搬液の流量も高くなるように、対応関係を設定すればよい。そして、処理を行うときには、その対応関係に基づいて、制御部50は、超音波振動子40とバルブ34とを連動的に制御すればよい。特に、超音波振動の出力を処理中に変化させる場合には、超音波振動の出力変化と上記対応関係とに基づいて、伝搬液の流量を調節すればよい。
また、処理対象となる基板Wの種類や、処理の種類(いわゆる処理レシピ)によって、使用する超音波振動の出力と伝搬液の流量とを、あらかじめ定めておいてもよい。
また、この基板処理装置1は、伝搬液の流量を調節することにより、超音波振動による衝撃をより細かく調節することができる。このため、伝搬液の流量を調節することにより、複数の装置の間で不可避的に発生する超音波振動の微差を補正することができる。
<3.変形例>
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではない。たとえば、上記の基板処理装置1では、処理槽10へ処理液を供給しつつ超音波振動子40を動作させていたが、超音波振動子40を動作させるときには処理液の供給を停止してもよい。
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記の例に限定されるものではない。たとえば、上記の基板処理装置1では、処理槽10へ処理液を供給しつつ超音波振動子40を動作させていたが、超音波振動子40を動作させるときには処理液の供給を停止してもよい。
また、処理槽10内に超音波振動による衝撃を検知するためのセンサを設け、そのセンサの計測結果を制御部50において受信できるようにしてもよい。このような構成とすれば、制御部50は、センサから受信した計測結果に基づいてバルブ34を調節することができる。これにより、超音波振動の実測値に基づいて伝搬液の流量を調節でき、より正確な制御が可能となる。
また、上記の基板処理装置1では配管16を排液ラインへ接続していたが、配管16を配管12に接続してもよい。このような構成にすれば、外槽15へオーバーフローした処理液を再び処理槽10内へ供給することができる。したがって、処理液の消費量を低減することができる。
また、上記の基板処理装置1では配管35を排液ラインへ接続していたが、配管35を配管31に接続してもよい。このような構成にすれば、伝搬槽30から排出された伝搬液を再び伝搬槽30へ供給することができる。したがって、伝搬液の消費量を低減することができる。
また、上記の基板処理装置1は、基板の洗浄処理を行う装置であったが、エッチング処理等の他の処理を行う装置であってもよい。
<4.実施例>
図6は、上記構成を有する基板処理装置1において、伝搬槽30内の伝搬液を静止させた状態(すなわち、伝搬液の流れを停止した状態)で超音波振動子40を所定時間動作させ、処理槽10内の処理液中に浸漬された基板Wに発生する欠陥の数を調べた結果(比較例)を示した図である。図6の横軸は、超音波振動子40から発生する超音波振動の出力を示している。また、図6の縦軸は、基板W1枚あたりに発生した欠陥の数を示している。なお、図6の調査では、超音波振動の周波数は1000Hzとし、伝搬液および処理液には純水を使用した。また、処理対象となる基板Wには、90nm世代のゲートパターンが形成された直径200mmのテスト用半導体ウエハを使用した。図6の結果によると、超音波振動の出力の増加に伴い、基板W上に発生する欠陥の数も増加することが分かった。
図6は、上記構成を有する基板処理装置1において、伝搬槽30内の伝搬液を静止させた状態(すなわち、伝搬液の流れを停止した状態)で超音波振動子40を所定時間動作させ、処理槽10内の処理液中に浸漬された基板Wに発生する欠陥の数を調べた結果(比較例)を示した図である。図6の横軸は、超音波振動子40から発生する超音波振動の出力を示している。また、図6の縦軸は、基板W1枚あたりに発生した欠陥の数を示している。なお、図6の調査では、超音波振動の周波数は1000Hzとし、伝搬液および処理液には純水を使用した。また、処理対象となる基板Wには、90nm世代のゲートパターンが形成された直径200mmのテスト用半導体ウエハを使用した。図6の結果によると、超音波振動の出力の増加に伴い、基板W上に発生する欠陥の数も増加することが分かった。
図7は、図6の調査と同一の条件において、超音波振動の出力が100Wのときと200Wのときについて、基板Wに発生する欠陥の数を繰り返し調査し、そのばらつきと平均値とを調べた結果(比較例)を示した図である。図7の結果によると、超音波振動の出力が100Wのときには、基板W1枚あたりに0〜120個程度の欠陥が発生することが分かった。また、超音波振動の出力が200Wのときには、基板W1枚あたりに5〜110個程度の欠陥が発生することが分かった。
図8は、上記構成を有する基板処理装置1において、伝搬槽30内に伝搬液の流れを形成しつつ、超音波振動子40を動作させ、処理槽10内の処理液中に伝搬される超音波振動の音圧を調べた結果を示した図である。図8の横軸は、伝搬槽30内における伝搬液の流量を示している。また、図8の縦軸は、処理槽10内の処理液中において計測された超音波振動の音圧値を示している。なお、図8の調査では、超音波振動子40から発生させる超音波振動の出力は500Wとし、超音波振動の周波数は1000Hzとした。また、伝搬液および処理液には純水を使用した。図8の結果によると、伝搬液の流量を上げることにより処理槽10内における超音波振動の音圧値が低下し、伝搬液の流量を下げることにより処理槽10内における超音波振動の音圧値が上昇することが分かった。すなわち、伝搬液の流量を調節することにより、超音波振動の音圧を調節できることが分かった。
図9は、上記構成を有する基板処理装置1において、伝搬槽30内に3.8L/minの伝搬液の流れを形成しつつ、超音波振動子40を所定時間動作させ、処理槽10内の処理液中に浸漬された基板Wに発生する欠陥の数を繰り返し調査して、そのばらつきと平均値とを調べた結果を示した図である。図9の横軸は、超音波振動子40から発生する超音波振動の出力を示している。また、図9の縦軸は、基板1枚あたりに発生した欠陥の数を示している。なお、図9の調査では、超音波振動の周波数は1000Hzとし、伝搬液および処理液には純水を使用した。また、処理対象となる基板Wには、90nm世代のゲートパターンが形成された直径200mmのテスト用半導体ウエハを使用した。図9の結果によると、超音波振動の出力を100Wとしたときにも、超音波振動の出力を200Wとしたときにも、基板W上に発生した欠陥の数は0個であった。図7の結果と図9の結果とを比較すると、伝搬槽30内に伝搬液の流れを形成したことにより、基板W上に発生する欠陥の数が顕著に低減したことが分かった。
以上の調査より、伝搬槽30内における伝搬液の流量を調節すると、処理槽10内の処理液中に浸漬された基板Wに作用する超音波振動の音圧値を調節でき、それにより、基板W上に発生する欠陥の数を低減できることが確認された。なお、上記の実施例では、超音波振動の周波数を1000Hzに設定したが、他の周波数帯であっても、同様の効果が得られるものと考えられる。例えば、超音波振動の周波数が700〜2000Hzであっても、本発明の効果は十分に得られるものと考えられる。
1 基板処理装置
10 処理槽
11 吐出部
13 処理液供給源
15 外槽
20 リフタ
30 伝搬槽
32 伝搬液供給源
34 バルブ
40 超音波振動子
50 制御部
W 基板
10 処理槽
11 吐出部
13 処理液供給源
15 外槽
20 リフタ
30 伝搬槽
32 伝搬液供給源
34 バルブ
40 超音波振動子
50 制御部
W 基板
Claims (4)
- 基板を処理液中に浸漬させて基板に対して処理を行う基板処理装置であって、
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内において基板を保持する保持手段と、
超音波振動を発生させる超音波振動発生手段と、
前記超音波振動発生手段から発生する超音波振動を前記処理槽へ伝搬させる伝搬液を貯留する伝搬槽と、
前記伝搬槽内において伝搬液の流れを形成する液流形成手段と、
前記液流形成手段による伝搬液の流量を調節する流量調節手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記伝搬液の流れは、前記伝搬槽内における超音波振動の進行を横切る方向の流れであることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置であって、
前記超音波振動発生手段は、発生させる超音波振動の出力を調節可能であり、
前記超音波振動発生手段および前記流量調節手段を連動的に制御する制御手段をさらに備えたことを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から3までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記液流形成手段は、前記伝搬槽内に伝搬液を供給する供給手段および前記伝搬槽内から伝搬液を排出する排出手段を含むことを特徴とする基板処理装置。
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