JPH06252117A - ウエハ洗浄方法 - Google Patents

ウエハ洗浄方法

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JPH06252117A
JPH06252117A JP5465893A JP5465893A JPH06252117A JP H06252117 A JPH06252117 A JP H06252117A JP 5465893 A JP5465893 A JP 5465893A JP 5465893 A JP5465893 A JP 5465893A JP H06252117 A JPH06252117 A JP H06252117A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 必要以上の洗浄液を用いることなく大きな洗
浄効果が得られ、またウエハ面を高い洗浄効率で均一に
洗浄処理可能なウエハ洗浄方法を提供する。 【構成】 洗浄槽1内に洗浄液をオーバーフローさせた
状態でウエハ7の洗浄を行うウエハ洗浄方法において、
前記洗浄槽内の洗浄液の流速分布を変化させながらウエ
ハの洗浄を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの洗浄方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造工程において、ウエハ製造後
このウエハに対し、薄膜形成処理、ドーピング処理、レ
ジスト処理、露光処理、エッチング処理等の各種ウエハ
処理が施される。これらのうち必要なウエハ処理工程終
了後にウエハ上に付着した各種薬品や異物、汚れ等を除
去するために、ウエハが洗浄される。通常、ウエハは洗
浄槽内で薬品を用いて洗浄され、その後超純水を用いて
薬品が洗浄される。このようなウェット洗浄において、
従来洗浄能力の向上や効率化のため、洗浄槽に連通する
洗浄処理液循環用配管上にフィルターを設けたり、処理
液自体の質の向上を図ったり、あるいは大流量による処
理や洗浄槽下部の処理液供給口付近に多孔整流板を設け
て流速の均一化を図る等の手段が用いられている。ま
た、メガソニック発生器による超音波洗浄やウエハ支持
部の揺動機構等が用いられている。
【0003】さらに最近では、コンピュータにより洗浄
槽内の流速分布をシミュレーションのフィードバックに
より求め、この演算された流速分布シミュレーションに
基づいて、最大洗浄効果が得られるような洗浄槽の形
状、洗浄液供給口の位置や方向および口数、ウエハ支持
部の形状、ウエハの位置(高さ)およびウエハピッチ等
が定められる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来のウエハ洗浄方法における流速分布シミュレーション
を用いた場合、実際の流速分布は、異種洗浄用薬液の追
加や混合、経時的な濃度変化による液体粘度の変化、循
環ポンプの動作変動、ウエハ径のばらつき、ウエハ枚数
や流量変動等により、シミュレーションによる流速分布
と異なってくる。従って、シミュレーションのフィード
バックにより最大洗浄効果が得られる流速分布を求めて
洗浄装置を構成しても、ウエハ面で滞留(よどみ)や対
流(うず)等が発生し、所定の洗浄効果が得られなかっ
た。この場合、実際の洗浄装置で流速分布を測定し、シ
ミュレーションと異なる不具合な部分を発見しても、一
旦設計されて組み立てられた装置の構成を変更すること
は、コスト的および装置稼働時期の点で好ましくない。
また、この場合、所望の洗浄効果を得るために必要以上
に流量を増加させて洗浄を行うことも考えられるが、ラ
ンニングコストが増加する。
【0005】本発明は、上記従来技術の欠点に鑑みなさ
れたものであって、必要以上の洗浄液を用いることなく
大きな洗浄効果が得られ、またウエハ面を高い洗浄効率
で均一に洗浄処理可能なウエハ洗浄方法の提供を目的と
する。
【0006】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るウエハ洗浄方法は、洗浄槽内に洗浄液
をオーバーフローさせた状態でウエハの洗浄を行うウエ
ハ洗浄方法において、前記洗浄槽内の洗浄液の流速分布
を変化させながらウエハの洗浄を行う。
【0007】好ましい実施例においては、前記洗浄槽内
に供給する洗浄液のオンオフのタイミングを制御するこ
とにより前記洗浄液の流速分布を変化させる。
【0008】別の好ましい実施例においては、前記洗浄
槽内に供給する洗浄液の流量を制御することにより前記
洗浄液の流速分布を変化させる。
【0009】
【作用】洗浄液供給のオンオフまたは流量を電気的に制
御して洗浄槽内の流速分布を変化させることにより、洗
浄槽内のウエハ面での局部的なよどみ部分やうずの発生
が防止される。
【0010】
【実施例】図1は、本発明の実施例に係る薬液洗浄の場
合の洗浄装置の構成図である。洗浄槽1の外周にオーバ
ーフロー槽2が設けられる。オーバーフロー槽2には薬
液配管3が接続され、ポンプ4およびフィルター6を介
して洗浄槽1の底部と連結される。ポンプ4には、スト
ロークカウンタ5が取り付けられポンプ4のストローク
数を計測してポンプ4による薬液循環流量を検出する。
ポンプ4はコントローラ8により駆動制御される。この
場合、ストロークカウンタ5からの検出信号をコントロ
ーラ8に入力しこの入力信号に基づいてポンプ4の流量
をフィードバック制御してもよい。また、管外測定タイ
プの超音波流量計13を用いて常時薬液流量を検出し、
この検出信号をコントローラ8に送ることによりさらに
精密な流量のフィードバック制御ができる。
【0011】洗浄すべきウエハ7は洗浄槽1内の支持部
材(図示しない)上に装着され保持される。洗浄槽1内
には、洗浄用薬液が一杯に充填されオーバーフローした
薬液はオーバーフロー槽2に収容される。オーバーフロ
ー槽2内の薬液はポンプ4により矢印Aのように循環さ
れ、フィルタ6によりろ過された後、洗浄槽1の底部よ
り矢印Bのように槽内に供給される。この場合の供給流
量は一定ではなく例えばポンプ4の駆動制御により後述
のように変化させる。これにより洗浄槽1内の薬液流速
分布が変化する。この場合、薬液配管3上に設けた弁
(図示しない)のオンオフ制御により洗浄槽1の底部か
ら供給する薬液を断続的にオンオフさせて流速分布を変
化させてもよい。
【0012】このような薬液による洗浄処理後のウエハ
7は、ウエハ表面の薬液除去のために超純水によりさら
に洗浄される。このような超純水による洗浄処理装置の
構成を図2に示す。図1の例と同様に、洗浄槽1の内部
にウエハ7が図示しない支持部材上に装着される。洗浄
槽1の底部には純水配管15が接続され、ユーティリテ
ィ側から矢印Cのように送られた超純水が、矢印Bのよ
うに洗浄槽1の底部から槽内部に供給される。オーバー
フローした超純水は洗浄層1の下に設けたドレンパン
(図示しない)から外部に排出される。純水供給配管1
5上には流量制御弁10が設けられる。配管15を流れ
る超純水流量は管外測定タイプあるいはその他適当な形
式の流量計12により検出され、検出信号がコントロー
ラ8に送られ、この検出結果に基づいて制御弁10の開
度を調整し流量のフィードバック制御を行う。
【0013】この超純水による洗浄の場合にも、流速分
布を一定とせずに、流量変化あるいは超純水供給の断続
的オンオフ制御により槽内流速を変化させる。
【0014】この場合、洗浄処理の進行状況は、抵抗計
11により洗浄槽1内の超純水の比抵抗値を検出し、超
純水中の薬液量をモニターすることにより知ることがで
きる。このような比抵抗値の変化のグラフを図4に示
す。横軸は時間、縦軸は比抵抗値を表す。時間t1でウ
エハが洗浄槽内に入れられ、時間t2で取り出される。
ウエハ投入直後はウエハに付着した薬液が純水中に溶け
こむため比抵抗値が急激に下がり、洗浄されていくうち
に次第に純水中の薬液濃度が減少して比抵抗値が増加
し、徐々にウエハ投入前の超純水の値まで回復する。所
定の比抵抗値の値まで回復したらウエハを取り出す。
【0015】図3は、ウエハ洗浄処理における洗浄液
(薬液または純水)の供給制御のタイムチャートであ
る。aのグラフは従来技術に係るタイムチャートであ
り、b,cのグラフはそれぞれ本発明に係るオンオフの
タイミング制御および流量制御のタイムチャートであ
る。
【0016】従来の場合は、グラフaに示すように、洗
浄液供給配管上に設けたバルブを開き(ON)、一定流
量の洗浄液を供給し、ウエハを投入する(時間t1)。
一定流量の洗浄液供給による一様な流速分布状態で洗浄
処理終了後、ウエハを取り出し(時間t2)、その後バ
ルブを閉じる(OFF)。
【0017】これに対し、本発明に係るオンオフタイミ
ング制御においては、グラフbに示すように、ウエハ洗
浄中にバルブのON/OFFを断続的に繰り返す。この
場合、オンオフの時間間隔は一定の範囲内で変化させ
る。バルブONから流速分布が安定する時間は、槽容積
と流量から算出する。ONからOFFさせるタイミング
はこの時間以上である必要がある。通常これはパラメー
タとして設定しておく。バルブをOFFした後槽内への
洗浄液供給が止まり流速分布が乱れ流速が静止するまで
に、再びバルブをONにする。これは、流体が静止する
と洗浄処理効率が最も低い状態となるため、この時点よ
り前に流速を戻すためである。この時間は、コンピュー
タによるシミュレーションからコントローラにパラメー
タとして設定しておく。経時的に粘度が変化する場合や
処理ロット対象により流速分布が設計時と変わる場合で
は上記オンオフのタイミングを必要に応じて修正する。
このように、洗浄処理中に洗浄液供給を断続的にオンオ
フしてそのタイミングを制御することにより、洗浄槽内
の流速分布が変化する。
【0018】また、本発明によるウエハ洗浄方法におい
ては、洗浄液供給流量は例えばグラフcのように変化す
る。このように流量を変化させる方法としては、洗浄液
供給配管上に制御弁を設けその開度を調整する方法、配
管上のオンオフ弁の駆動時間を制御する方法、定量スト
ロークポンプのストローク数を制御する方法、配管を複
数に分岐し各分岐管上にバルブを設け開状態のバルブ数
の選択により流量調整する方法等が実施可能である。こ
のように、洗浄処理中に洗浄液供給流量を変化させるこ
とにより洗浄槽内の流速分布が変化する。
【0019】図5は、シミュレーションによる洗浄槽1
内の流速分布の例を示す。ウエハ7は支持部材14上に
装着され、洗浄液が洗浄槽1の底部の供給管1aから矢
印Bのように内部に供給される。Gは槽外へのオーバー
フローの流れを示す。Fは対流によるうず部分を示す。
また、Eは滞留(よどみ)の起こり易い場所を示す。こ
のようにシミュレーションにより求めた流速分布は、本
発明によれば、矢印Bのオンオフタイミング制御あるい
は流量制御により洗浄処理中に変化する。従って、よど
み部分Eやうず部分Fの大きさや位置が変わり、ウエハ
面が効率よく均一に洗浄される。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るウエ
ハ洗浄方法においては、薬液あるいは超純水による洗浄
処理中に洗浄すべきウエハ面およびその周辺の流速分布
が変化するため、従来のように大量の洗浄液を流すこと
なく、よどみ部分の洗浄不良や流速の大小による洗浄処
理進行程度の差が解消され、洗浄作用の信頼性が向上し
ウエハ面が効率よく均一に洗浄処理される。
【0021】また、流速分布変化のためのバルブのオン
オフコントロールや流量コントロールは、電気的制御に
より行うことができるため、ハードウェアを交換するこ
となく効率よく流速分布制御ができ洗浄処理時間の短縮
が図られスループットが向上する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例に係る薬液処理による洗浄装
置の構成図である。
【図2】 本発明の実施例に係る純水による洗浄装置の
構成図である。
【図3】 洗浄液供給のタイミングチャートの説明図で
ある。
【図4】 洗浄液の比抵抗値曲線のグラフである。
【図5】 シミュレーションによる洗浄槽内の流速分布
の説明図である。
【符号の説明】
1…洗浄槽、2…オーバーフロー槽、3…薬液配管、4
…ポンプ、7…ウエハ、8…コントローラ、10…制御
弁。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 洗浄槽内に洗浄液をオーバーフローさせ
    た状態でウエハの洗浄を行うウエハ洗浄方法において、
    前記洗浄槽内の洗浄液の流速分布を変化させながらウエ
    ハの洗浄を行うことを特徴とするウエハ洗浄方法。
  2. 【請求項2】 前記洗浄槽内に供給する洗浄液のオンオ
    フのタイミングを制御することにより前記洗浄液の流速
    分布を変化させることを特徴とする請求項1に記載のウ
    エハ洗浄方法。
  3. 【請求項3】 前記洗浄槽内に供給する洗浄液の流量を
    制御することにより前記洗浄液の流速分布を変化させる
    ことを特徴とする請求項1に記載のウエハ洗浄方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999042227A1 (fr) * 1998-02-18 1999-08-26 Spc Electronics Corporation Procede et dispositif de lavage a plusieurs niveaux de debit
JP2007287790A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
CN115921410A (zh) * 2022-12-14 2023-04-07 西安奕斯伟材料科技有限公司 清洗系统及方法

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WO1999042227A1 (fr) * 1998-02-18 1999-08-26 Spc Electronics Corporation Procede et dispositif de lavage a plusieurs niveaux de debit
JP2007287790A (ja) * 2006-04-13 2007-11-01 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体
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