JP2001028356A - 洗浄装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】より効率的で清浄な半導体ウエハ洗浄を可能に
した洗浄装置を実現する。 【解決手段】 半導体製造工程で用いられるウエハｃを
純水又は薬液で洗浄する洗浄装置において、前記ウエハ
を収納したウエハカセット（６や２３）又はボートを、
洗浄槽内に対し傾いて設置させる傾斜機構（７や２４）
を有しているものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造設備のう
ち、特に、ウエハを純水又は薬液で洗浄する洗浄工程や
ウエハ表面を化学的に溶解するエッチング工程に使用さ
れる洗浄装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造での洗浄工程としては、硫酸
と過酸化水素の高温混液、塩酸と過酸化水素の高温混
液、及びアンモニアと過酸化水素の高温混液、希ふっ酸
等が組み合わされて使用される。また、エッチング工程
としては、バッファドふっ酸による酸化珪素膜エッチン
グ、熱燐酸による窒化珪素膜エッチングがよく知られて
いる。これ以外にも各種レジスト剥離、液によるレジス
ト剥離工程等がある。一般にこれらのことを総称して洗
浄工程と呼ばれる。これらの薬液を使用する洗浄工程が
終了したウエハは、付着した薬液を純水で洗い流すリン
ス工程により薬液が除去され、乾燥されて洗浄工程は終
了する。

【０００３】従来の薬液を用いたウエハ洗浄又はエッチ
ング工程では、薬液を循環濾過により繰り返し使用し、
薬液消費量を減らして、極力、産業廃棄物を少なくする
努力が払われてきたが、純水によるリンス工程では、洗
浄槽底部から純水を供給し、槽上部から溢れ出すオーバ
ーフローリンス（以下、ＯＦＲと略称する）が主流であ
った。ＯＲＦは、槽内の溶液を供給した純水で薄める作
用、すなわち最終的にはウエハ付着物を純水に置換する
方法である。このようなＯＦＲによる純水への置換は、
指数関数的となることから、完全に純水で置換するには
無限の時間を要するリンス方法である。このため、従来
より、純水の消費量が膨大な量となり、コスト的にも、
環境保護面からも問題となっていた。

【０００４】また、以上の問題を解消するため、槽上部
より槽下部に向かって純水又は薬液を流す下方水流槽が
発明された（文献（１）特許第２０１３６９１号「半導
体ウエハ用洗浄リンス槽」参照）。この下方水流槽の発
明により、槽内溶液の置換が速やかにできるようにな
り、洗浄やリンス効果が向上し、洗浄時間の短縮、純水
節水等の効果が得られるようになった（この点は、文献
（２）宮越、他「ＱＣ洗浄ー洗浄リンス槽内急速置換法
による新しいウエハ洗浄」第１６回空気清浄とコンタミ
ネーションコントロール研究大会予稿集、第２３７頁−
１９９８年、文献（３）宮越、他「ＱＣ洗浄ー洗浄リン
ス槽内急速置換法による新しいウエハ洗浄（２）」第１
７回空気清浄とコンタミネーションコントロール研究大
会予稿集、第２１６頁−１９９９年、に詳細に報告され
ている）。

【０００５】

【課題を解決するための手段】ところが、上記した下方
水流を適用した場合は次のような問題がある。第１に、
複数枚のウエハを収納するウエハカセット又はボート
は、通常、ウエアを下部側で保持しているため、ウエハ
が洗浄やエッチング過程等で多少傾くことはさけ難い。
ところが、下方水流中では、ウエハがその下方水流によ
りウエハカセット又はボートに押し付けられて、ウエハ
が一旦傾くとその傾いた状態に保持ないしは維持され
る。このため、隣同志のウエハが互いの上部を接近する
方向に傾くと、下方水流槽において、それらウエハ間で
の流れが阻害され、均一置換が悪くなって、洗浄効果や
リンス効果にバラツキを生じ易くなる。第２に、例え
ば、新たな供給した純水による下方水流を洗浄槽内の溶
液と入り交じることなく効率的に置換する上では、槽内
の溶液を大容量のベローズポンプ等にて間欠的に急速に
排出することが効果的である。ところが、この場合は、
間欠的に排出している間に水面が下がるため、槽上部か
ら供給された純水が水面に落下し、渦を発生つまり攪拌
作用を伴うことに起因し、理想的な下方水流の形成が阻
害され、導入される純水の置換効率が悪くなる。第３
に、前記した間欠的な排出形態では、水面がウエハ近く
まで下降すると、ウエハが空気中に露出する前に排出バ
ルブを閉止して、水面がそれ以上低くなることを防ぐこ
とになる。ところが、このように排水バルブを閉じた場
合は、それまで下方へ流れていた水流が槽底部で反射し
上方へ向かい、槽内の溶液を攪拌すして効率的な置換が
阻害される。第４に、供給水流が変化した場合、ウエハ
が空気中に露出する虞があったり、無駄にオーバーフロ
ーで捨て洗浄に有効に活用できない、等の問題もある。

【０００６】本発明は以上の背景に鑑みなされたもので
あり、より効率的で清浄な半導体ウエハ洗浄を可能にし
た洗浄装置を提供することにある。他の目的は以下の内
容説明の中で明らかにする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、第１の本発明は、図１や図２に例示される如く半導
体製造工程で用いられるウエハを純水又は薬液で洗浄す
る洗浄装置において、前記ウエハを収納したウエハカセ
ット又はボートを、洗浄槽内に対し傾いて設置させる傾
斜機構を有するものである。第２の本発明は、図２，図
３に例示される如く、導体製造工程で用いられるウエハ
を純水又は薬液で洗浄する洗浄装置において、洗浄槽底
部の排水口に対応して、槽内溶液を間欠的に排出すると
共に、間欠的な排水を停止している際にも定量排水を可
能にするバイパス流路を設け、また、水面を検知する水
面検知器を設け、間欠的な排水及びその停止を制御する
ものである。第３の本発明は、図２，図３に例示される
如く、半導体製造工程で用いられるウエハを純水又薬液
で洗浄する洗浄装置において、洗浄槽内部を、多数の細
孔を設けたパンチング側板により、供給部と洗浄部に区
分けすると共に、該供給部に純水等の溶液用導入口を設
け、該洗浄部の底部に排水口を設けたものである。

【０００８】以上の構成は何れもが上記の下方水流によ
る問題を全て解消するものである。すなわち、第１の本
発明は、洗浄対象である複数枚のウエハを収納したウエ
ハカセットが、各ウエハを垂直ではなくウエハ面を上に
向ける方向つまり少し傾けて洗浄槽内に設置されること
により、各ウエハの傾き方向を揃え、カセット又はボー
ト内のウエハ同志の間隔が全て同じになる（平衡に揃っ
て並ぶ）ため、槽内に形成される下方水流が各ウエハ間
に均一に流れるようになって、上記した第１の問題つま
りウエハ間隔が乱れることによる洗浄やリンス効果の低
下を簡易かつ合理的に解消できる。第２の本発明は、下
方水流の間欠流を制御するバルブに、バルブ閉止時に
も、バイパス流路を通して排水を続けられるようにする
ことにより、下方水流が完全に停止することによる過流
発生をなくし、上記した第３の問題つまり下方水流の一
部が槽底部で反射することに起因する置換効率の悪化を
解消できると共に、水面検出器により水面の上昇時間を
計測し、供給水流量を推定に最適な洗浄を行うことを可
能とできる。第３の本発明は、純水等の溶液をパンチン
グ側板の細孔を通じて供給部へ側方から供給することに
より、水面が変化しても、新たに供給する純水等が水面
に落下することが起こらないようにして、上記した第２
の問題つまり槽上部から純水等の溶液を供給する場合の
渦発生要因をなしくて、置換効率が低下することを防ぐ
ことができる。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図１から図４を参照して説明する。図１は本発明の第
１形態を示し、図２及び図３は第２形態を示している。
各形態では、本発明の洗浄装置が薬液洗浄終了後のウエ
ハに付いた洗浄薬液を純水で洗い流す純水リンス工程で
用いられる例にて説明する。図４は第２形態の洗浄装置
が実際の半導体製造におけるリンス工程に使用される場
合の全体構成例である。

【００１０】（第１形態）図１の洗浄装置は、洗浄槽１
を主体とし、洗浄槽１の上部一側に設けられて純水や薬
液（以下、純水の例で述べる）を槽内に略水平に導入す
る供給部２と、洗浄槽１の上部他側に設けられて槽内溶
液が溢れ出るオーバーフロー排出口３と、槽内の下側に
設置されたパンチング底板４と、槽底に設けられた排出
口５と、パンチング底板４上に設置されて半導体ウエハ
ｃを収納しているウエハカセット６を載せる置き台７と
を備えている。また、配管系として、排出口５に接続さ
れた槽排出管系８と、オーバーフロー排出口３から溢れ
出た溶液を受け入れるベース台９の排出口に接続された
台排出管系１０と、供給部２に純水を供給する供給配管
系１１等が付設されている。

【００１１】供給部２は、洗浄槽１の上部一側に沿って
スリット状供給口２ａを形成している。供給部２には、
供給純水溜部から専用ポンプで純水が供給配管系１１を
通じて圧送される。供給配管系１１には、流量調節弁１
１ａや開閉弁１１ｂが介在されていて、これらにより供
給量が適宜調節されたり、停止される。供給部２に供給
された純水は供給口２ａから槽内水平方向へ供給され
る。オーバーフロー排出口３は、斜め上側へ傾けた傾斜
壁部３ａにより形成され、傾斜壁部３ａの先端を通じて
槽内の過剰水をオーバーフローする。その溢れ出た溶液
は、ベース台９に受け止められて台排出管系１０から移
送される。パンチング底板４は、複数の上下細孔を開口
した板であり、排出口５から排出される液部分が局部的
に片寄らないようにしたり、槽内の下方水流を均一とな
るよう作用するもので、槽底と間隔を保って水平に配置
されている。そして、槽内の溶液は、パンチング底板４
の細孔を通じ槽底部側に導かれ、排出口５及び槽排出管
系８を通って水流ポンプ７ａの排液能に応じた流量で排
出されたり、その排出が開閉弁８ｂにより停止可能にな
っている。なお、この洗浄槽１では、下方水流を形成
し、槽内水圧を利用できることから、水流ポンプ８ａに
代えて開度可変式のバルブを用い、排液量を前記ポンプ
８ａではなくそのバルブの排出開度により調整するよう
にしてもよい。

【００１２】置き台７は、本発明の傾斜機構を形成して
おり、複数枚のウエハｃを収容するウエハカセット６
（以下、カセット６と略称する）やポート自体を所定の
角度で位置決め保持可能になっている。すなわち、この
置き台７は、カセット６やポートを保持可能な枠体から
なり、パンチング底板４上の定位置に予め取り付けられ
ている点で従来と同じであるが、保持面７ａが一方を他
方側よりも厚くした傾斜面として形成されている。この
ため、多数のウエハｃを収納しているカセット６が洗浄
槽１に入れて置き台７に保持されると、各ウエハｃはカ
セット６内で置き台７の保持面７ａの勾配に応じ下側を
支点として同方向へ傾き、全てのウエハｃが定傾斜角で
平衡に揃って並ぶことになる。

【００１３】以上の洗浄装置を用いた半導体ウエハの純
水リンス操作では、純水が供給部２の供給口２ａを通じ
て洗浄槽１に満たされ、供給口２ａから供給される純水
の一部がオーバーフロー排出口３から溢れ出し、かつ一
部がパンチング底板４を通って排水口５から出ていくよ
うに、排水口５を通る液量にて調整制御される。そし
て、このように２方向の水平及び下方水流を形成する
と、洗浄槽１の水面に発生していた淀みは、水面を通っ
て流れるオーバーフロー水流により押し出され発生しな
くなる。また、パンチング底板４の水流に対する適度な
抵抗のため、パンチング底板４を通る水量は一様とな
り、槽内下方へ向かう均一な下方水流を作り、槽内に滞
留部を生じることもなく、槽底部に溜まった塵埃も速や
かにパンチング底板４を通って排出される。更に、オー
バーフロー排水口３は、傾斜壁部３ａにより緩やかなテ
ーパーが付けられているので、供給口２ａから供給され
た純水は表面に一様な流れを作り、槽内に渦流を発生さ
せることなく溢れ出ていく。このため、このオーバーフ
ロー水流は、洗浄槽１に対する蓋の作用をし、外部から
塵埃等が槽内へ混入することや、槽内溶液への空気の溶
け込みも防ぐことができる。加えて、置き台６は保持面
６ａが傾いているので、該保持面６ａに載せられたカセ
ット６は定角度に傾いた状態で設置され、カセット６内
の各ウエハｃはその面を上方に傾けた状態で、間隔が揃
った状態となっている。このため、供給口２ａから供給
された下方水流は、それらウエハｃ同志の間隔を通っ
て、排水口５に向かって流れ、全てのウエハｃが同じよ
うに均一にリンスされることになる。

【００１４】なお、以上の説明では、排水口５から一定
水量を排水する例で述べたが、次のように制御するとよ
り有効となる。すなわち、排水口５からの排水量を槽内
水面がカセット６の上面に達するまで急速に排水（急速
排水）し、次に、排水口５からの排水量を非常に少なく
するか、ゼロにして水面が上昇してオーバーフロー排水
口３から溢れ出すまで待ち、その後、当初の急速排水を
行い、これを繰り返すことである。このように、純水リ
ンス又は薬液洗浄過程（エッチングを含む）において、
洗浄槽１内の水流を時間的に変化させることにより、槽
内での渦発生を防ぐと共に、槽内溶液を効率的に短時間
で置換することができる。また、以上の例は純水リンス
に適用した場合であるが、純水に代えて洗浄薬液を使用
すると、薬液洗浄やエッチングを効率的に行うこともで
きる。

【００１５】（第２形態）図２，図３の洗浄装置は、洗
浄槽１５を主体とし、この洗浄槽１５がパンチング側板
１６により供給部１７と洗浄部１８に区画されており、
供給部１７へ純水や薬液（以下、純水の例で述べる）を
導入する導入口１９と、洗浄部１８の下側に配置された
パンチング底板２０及びこの下方に設けられた排出口２
１と、洗浄部１８の上部に設けられた２つの水面計２２
ａ、２２ｂと、パンチング底板２０上に設けられてウエ
ハカセット２３（以下、カセット２３と略称する）を傾
いた状態に設置する傾斜機構２４と、排出口２１に一端
を接続している排出管２５に介在されたバイパス弁２６
とを有し、複数枚のウエハｃがカセット２３に収納され
た状態で洗浄部１８に出し入れされる。

【００１６】パンチング側板１６は、供給部１７に導入
される純水を洗浄部１８側へ水平水流で供給する多数の
細孔を有している。この細孔分布は、洗浄部１８の容量
や形状等を考慮し、運転条件に応じて洗浄部１８内で上
記した水平水流と下方水流を形成し易いように設定され
る。そして、パンチング側板１６は、その両側が洗浄槽
１５の対応部に複数の止め具２７で位置規制されること
により取り外し可能に組み付けられている。供給部１７
には、導入口１９が下部に設けられ、供給純水溜部から
専用ポンプで純水が供給配管及び導入口１９を通じて圧
送される。洗浄部１８は、パンチング側板１６と対向す
る側の上部にスリット状のオーバーフロー排出口２８を
形成しており、供給部１７に導入された純水がパンチン
グ側板１６の細孔を通じて洗浄部１８に導入されて、そ
の表面水流がオーバーフロー排出口２８から過剰水をオ
ーバーフローする。また、洗浄部１８には、パンチング
側板１６と対向する前側に位置し、両側の角部に水面計
２２ａ、２２ｂが配置されている。水面計２２ａは洗浄
部１８内の水面がカセット２３に接近したことを検出
し、水面計２２ｂは水面がオーバーフロー排出口２８か
ら溢れ出るまで上昇したことを検出する。

【００１７】パンチング底板２０は、第１形態のものと
同じく複数の上下細孔を略均等に開口した板であり、上
面側に突設された傾斜機構２４を有し、複数枚のウエハ
ｃを収容するカセット２３やポート自体を所定の角度で
位置決め保持可能になっている。すなわち、この傾斜機
構２４は、規制箇所的に異なる３種類の押さえ部材２４
ａ，２４ｂ，２４ｃにて構成されている。押さえ部材２
４ａは、最も短く、カセット２３を外側から位置規制す
る。押さえ部材２４ｂは、カセット２３の両側を外側か
ら位置規制する。押さえ部材２４ｃは、押さえ部材２４
ａと対向する側に位置して、カセット２３を底面側から
保持及び位置規制する。そして、カセット２３が多数の
ウエハｃを収納した状態で洗浄部１８に入れて傾斜機構
２４により保持及び位置規制されると、各ウエハｃはカ
セット２３内でパンチング底板２０と押さえ部材２４ｃ
との間に形成される段差に応じた勾配にて、下側を支点
として同方向へ傾き、全てのウエハｃが定傾斜角で平衡
に揃って並ぶことになる。そして、洗浄部１８の溶液
は、パンチング底板２０を通じ底側に導かれ、排出口２
１及び排出管２５を通って排出されると共に、その排出
態様がバイパス流路を有するバイパス弁２６により制御
される。すなわち、バイパス弁２６は、洗浄部１８の溶
液が間欠的に排出されると共に、当該間欠的な排水を停
止している際にも定量排水を可能にするバイパス流路を
有したものである。

【００１８】以上のような構成であることから、第２形
態の洗浄装置１５では、例えば、純水供給量を制御可能
な純水供給設備に導入口１９を接続して純水を供給部１
７へ導入すると、その純水は供給部１７からパンチング
側板１６の細孔を通って洗浄部１８内へ流入する。洗浄
部１８に流入した純水は、バイパス弁２６が閉止の場合
でも、バイパス弁２６の内部に設けられたバイパス流路
を通って、排水口２１から排出するが、バイパス弁２６
のバイパス流路の流出量を純水が導入口１９から供給さ
れる量より少なく設定すると、洗浄部１８に純水が溜ま
り水面が上昇すると共に、供給部１７の純水表面も同じ
ように上昇し、オーバーフロー排水口２８から過剰水が
溢れ出す。このような状態で、薬液洗浄が終了した薬液
の付着した複数枚のウエハｃを収納したカセット２３
を、傾斜機構２４に保持及び位置決め設置すると、カセ
ット２３内のウエハｃは、重力の作用により、全て同じ
方向に傾き、ウエハｃ同志の間隔が一定に保持される。
この状態から、バイパス弁２６を開けると、洗浄部１８
内の溶液は、バイパス弁２６から大量に排水され、洗浄
部１８及び供給部１７の水面が共に下降する。このと
き、カセット２３内の複数のウエハｃ間隔が等しく保た
れているので、各ウエハｃ間に均等に純水が流れ、ウエ
ハｃに付着している洗浄薬液が純水で洗い流され除去さ
れる。洗浄部１８の水面がカセット２３の近くまで達す
ると、水面センサー２２ａがそれを検出し、バイパス弁
２６がその信号を受信して閉止される。すると、導入口
１９から導入される純水水量がバイパス弁２６から流出
する量より多くなるため、洗浄部１８及び供給部１７の
水面は、再び、上昇を始め、オーバーフロー排水口２８
から溢れ出す。水面が溢れ出すまで上昇したことは、水
面センサー２２ｂで検出し、水面センサー２２ａが水面
を検出してから水面センサー２２ｂが水面を検出するま
での時間から、供給水量を制御装置で設定された放置時
間を調整し、該放置時間が経過した後、再び、バイパス
弁２６が開けられ水面は下降を始める。

【００１９】このようにして、洗浄槽内の水面は、下
降、上昇を繰り返し、カセット２３に収納されている各
ウエハｃが純水で一様に洗浄される。また、このような
水面の上昇、下降の繰り返しにより、洗浄部１８内の溶
液はパンチング側板１６を介し供給される新たな純水と
混じり合うことなく、速やかに置換されるので、洗浄効
果が向上し、純水使用量の低減、洗浄時間の短縮等が図
られると共に、供給純水量の変化に対し、放置時間を調
整することにより、洗浄の効率化が図られる。なお、以
上の説明では、純水によるリンス工程について説明した
が、純水を洗浄薬液又はエッチング薬液にすれば、効率
の良い均一な薬液洗浄及びエッチングが実現される。

【００２０】図４は第２形態の洗浄装置を半導体製造の
リンス工程に使用した一例であり、以下、その全体構成
を概説する。図４において、符号３０ａ〜３０ｗは自動
弁、３１は硫酸供給配管、３２は過水供給配管、３３は
アンモニア水供給配管、３４はふっ酸供給配管、３５は
塩酸供給配管、３６〜３９は純水供給配管、４０〜４２
は窒素ガス供給配管、４３ａ〜４３ｃはガスフィルタ
ー、４４は排水配管、４４ａは一般排水、４４ｂはふっ
酸排水、４５と４５ａと４５ｃは排水配管、４６ａは温
排水配管、４６ｂは排水配管、４７は水流量計、４８〜
５０はガス流量計、５１ａ〜５１ｏは水面センサー、５
２ａ〜５２ｅは温度センサー、５３はアンモニア水と過
水の混酸洗浄（ＳＣ１）、塩酸と過水の混酸洗浄（ＳＣ
２）及び希ふっ酸洗浄（ＤＨＦ）の各洗浄を行う洗浄
槽、５４は硫酸過水洗浄（ＳＰＨ）を行うための洗浄
槽、５５は洗浄薬液を純水で洗い流すためのリンス槽
（本発明品）、５６はバイパス弁、５７は常時閉型弁、
５８は排水配管、５９は制御装置、６０はヒーター電
源、６１及び６２はヒーター、６３及び６４はバブラー
管、６５及び６６は排気管、６７は純水余熱タンク、６
８は排水トラップタンク、６９は硫酸排水希釈タンク、
７０はポンプ、７１は温純水供給配管である。

【００２１】以上のような構成であるので、洗浄槽５３
を空にし、次に、温純水供給配管７１により水面センサ
ー５１ａが水面を検知するまで純水余熱タンクで予め加
熱された純水を供給し、次に、塩酸供給配管３５により
水面センサー５１ｂが水面を検知するまで塩酸を供給
し、最後に、水面センサー５１ｅが水面を検知するまで
過水を供給すると、ＳＣ２洗浄液が調合でき、ガス供給
配管３６から窒素ガスをバブラー管６３に供給して攪拌
し、温度センサー４２ａが作動するとヒーター６２の電
源を遮断し、温度センサー４２ｂが作動するとヒーター
６２に電源を入れることにより温度を一定にするとＳＣ
２洗浄が行える。同じようにして、洗浄槽５３では、Ｓ
Ｃ１洗浄、ＤＨＦによる自然酸化膜の除去が行える。ま
た、洗浄槽５４では、空にした状態で過水を過水供給配
管３２により水面センサー５１ｉが水面を検知するまで
供給し、次に、硫酸を硫酸供給配管３１により水面セン
サー４１ｊが水面を検知するまで供給し、ガス供給配管
３７から窒素ガスをバブラー管６４に供給し、攪拌する
と、ＳＨＰ洗浄が行える。洗浄槽５３及び洗浄槽５４で
の洗浄が終了したウエハは、リンス槽５５に搬送され、
上記第２形態例で説明した手順で純水によりリンスされ
る。なお、以上の形態例では、ウエハ搬送ロボット及び
ウエハ乾燥装置については説明を簡便にするため省略し
たが、実際の洗浄装置ではそれらの装置を有している構
成となっている。

【００２６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る洗浄
装置にあっては、ウエハリンスに使用する純水等が各ウ
エハ面間を一様に流れ、均一な洗浄リンス効果が得られ
ると共に、洗浄効果が向上するため、使用純水等の節水
と共に洗浄時間の短縮が図られる等の効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明を適用した第１形態の洗浄装置を模式的
に示す構成図である。

【図２】本発明を適用した第２形態の洗浄装置を模式的
に示す構成図である。

【図３】上記第２形態の洗浄装置を模式的に示す構成図
である。

【図４】本発明の洗浄装置を採用した半導体製造例の全
体構成図である。

【符号の説明】

１，１５は洗浄装置 ２は供給部 ５，２１は排水口 ２２ａ，２２ｂは水面計（水面検知器） ６，２３はカセット（ウエハカセット） ７は置き台（傾斜機構） １６はパンチング側板 １７は供給部 １８は洗浄部 １９は導入口 ２４は傾斜機構 ２６はバイパス弁（バイパス流路） ｃはウエハ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB44 BB04 BB82 BB87 BB92 BB93 BB96 CB01 CC01 CD42 CD43

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体製造工程で用いられるウエハを純水
   又は薬液で洗浄する洗浄装置において、 前記ウエハを収納したウエハカセット又はボートを、洗
   浄槽内に対し傾いて設置させる傾斜機構を有する、こと
   を特徴とした洗浄装置。
2. 【請求項２】半導体製造工程で用いられるウエハを純水
   等の溶液で洗浄する洗浄装置において、 洗浄槽底部の排水口に対応して、槽内溶液を間欠的に排
   出すると共に、間欠的な排水を停止している際にも定量
   排水を可能にするバイパス流路を設けた、ことを特徴と
   した洗浄装置。
3. 【請求項３】前記バイパス流路が、弁本体に内蔵してい
   るバイバス弁により構成されている請求項２に記載の洗
   浄装置。
4. 【請求項４】半導体製造工程で用いられるウエハを純水
   又は薬液で洗浄する洗浄装置において、 洗浄槽内部を、多数の細孔を設けたパンチング側板によ
   り、供給部と洗浄部に区分けすると共に、該供給部に純
   水等の溶液用導入口を設け、該洗浄部の底部に排水口を
   設けた、ことを特徴とした洗浄装置。
5. 【請求項５】前記パンチング側板を洗浄槽内に取り外し
   可能に設けた請求項４に記載の洗浄装置。
6. 【請求項６】前記洗浄槽又は前記洗浄部に設けられて、
   前記ウエハを収納したウエハカセット又はボートを、洗
   浄槽内に対し傾いて設置させる傾斜機構を有する請求項
   ２〜５の何れかに記載の洗浄装置。
7. 【請求項７】前記傾斜機構は、ウエハカセット又はボー
   トを保持する置き台が傾斜している請求項１〜６の何れ
   かに記載の洗浄装置。
8. 【請求項８】前記洗浄槽又は前記供給部に、水面を検知
   する水面検知器を有する請求項１〜７の何れかに記載の
   洗浄装置。