JP2006032641A - 半導体ウェーハのエッチング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】エッチング装置1の構成として、エッチング槽2と、エッチング槽2に対して出し入れされ、複数枚の半導体ウェーハWを収納するウェーハマガジン10を備え、ウェーハマガジン10の内部に収納された半導体ウェーハWを回転させてエッチングを行うにあたり、このウェーハマガジン10内に、半導体ウェーハWの前後または略直下に位置するように整流部材5を配設している。これにより、ウェーハマガジン10内部で回転する半導体ウェーハWの間で発生する3次元乱流を抑制し、半導体ウェーハWの外周部の平坦度を良好なものにすることができる。
【選択図】図1
Description
導体ウェーハとの間隔が0.1〜3.0mmとなるようにしているので、前記した請求項2の発明と同様に、半導体ウェーハにより起こる回転流をバランスよく調整することができ、3次元乱流の発生をより一層好適に抑制することができる
[第1実施形態]
図1は、本実施形態の半導体ウェーハのエッチング装置1(以下、「エッチング装置1」を示した斜視図である。
このエッチング装置1は、エッチング液(エッチャントともいう)が入ったエッチング槽2に対して、ウェーハマガジン10に収納された複数枚の半導体ウェーハWを浸漬させ、このウェーハマガジン10内部の半導体ウェーハWを、それぞれの半導体ウェーハWの中心軸周りに回転させてエッチングを行う装置であり、また、エッチング装置1を構成するウェーハマガジン10の内部に対して、ウェーハマガジン10内の半導体ウェーハWの付近に対して、当該半導体ウェーハWの前後に整流部材5を配設しているものである。
なお、本実施形態においては、ウェーハマガジン10内の半導体ウェーハが全て同一方向に回転する態様を示している。
ここで、本発明のエッチング装置1において、エッチングの対象とされる半導体ウェーハWとしては、例えば、シリコンウェーハ、ガリウム・砒素ウェーハ等が挙げられる。
また、これらの半導体ウェーハWのサイズとしては、4〜12インチ程度のものが使用される。
ここで、エッチング装置1aを構成する整流部材5としては、半導体ウェーハWの下半分を覆う略半月形状からなる板状の整流板を採用しており、ウェーハマガジン10a内部において、縦列状態に配列される複数枚の半導体ウェーハWの前後を挟むようにして配設されている。また、この整流部材5は、例えばポリ塩化ビニル、ポリプロピレン等の材料で構成することができ、特に、ポリ塩化ビニルとすることが好ましい。
また、この整流部材5は、後記する側面板101a,101b同士を連接する2本の連接パイプ160に対して、ボルト止めより固定保持されている。
なお、これら図2ないし図4は、ウェーハマガジン10に半導体ウェーハWを収納した状態を示している。
従って、ウェーハマガジン10の内部にエッチング対象の半導体ウェーハWを収納するには、上部バー110が図4中のA地点にある状態から、上部バー100を大径ギヤ40に沿って下降させてB地点に移動させて、ウェーハマガジン10の上部を開放状態とさせた後、複数枚の半導体ウェーハWをウェーハマガジン10の内部に収納させてから、再び上部バー110を大径ギヤ40に沿って上昇させて、もとのA地点に戻すようにすればよい。
図1に示すように、エッチングを行う際には、図示しないエッチング液供給装置からエッチング液をエッチング槽2の中に循環供給した状態として、エッチング対象となる複数枚の半導体ウェーハWを縦列状態で収納したウェーハマガジン10を、エッチング槽中2に浸漬させる。ここで、ウェーハマガジン10の内部においては、複数枚の半導体ウェーハWが、ウェーハマガジン10の側面板101a,101bを連結する正転バーXに形成されている回転連動部mにより接触支持されている。
(1)エッチング槽2と、このエッチング槽2に対して出し入れされ、複数枚の半導体ウェーハを縦列状態で並べて収納するウェーハマガジン10と、このウェーハマガジンの内部に収納された半導体ウェーハWを回転手段により回転させてエッチングを行う半導体ウェーハのエッチング装置1において、ウェーハマガジン10aの内部に対して板状の整流部材5を配設するようにしたので、エッチング時において半導体ウェーハWの外周部に発生する3次元乱流を抑制することができ、外周部も含めた半導体ウェーハWの平坦度を向上させることができる。
次に、本発明の半導体ウェーハのエッチング装置1の第2実施形態について、図面を用いて説明する。
前記した第1実施形態にあっては、エッチング装置1を構成するウェーハマガジン10内の複数枚の半導体ウェーハWは、全て同一の回転方向(正転方向)に回転するものであった。
一方、第2実施形態のエッチング装置1にあっては、ウェーハマガジン10の内部で回転される複数枚の半導体ウェーハWのうち、1枚おきの半導体ウェーハWをその中心軸回りに正転回転し、正転回転されない半導体ウェーハWをその中心軸回りに反転回転させるという点で相違する。
なお、以下の説明では、既に第1実施形態で説明した部分又は部材と同様な部材等については、同一符号を付して、その説明を省略している。
また、図9は図8のIX−IX断面図である。
なお、これら図7ないし図9は、ウェーハマガジン10aの内部に半導体ウェーハWを収納した状態を示している。
また、回転連動部mと環状部nは、上部バー110等各位置の正転バーXと反転バーYにおける回転連動部mと環状部nが隣り合わないよう、それぞれが交互に形成されている。
以上より、正転バーX及び反転バーYが回転した場合にあっては、当該バーの回転運動は、回転連動部mが接触する半導体ウェーハWのみに伝達される。また、前記したように、回転連動部mは、正転バーXと反転バーYでそれぞれ交互に配設されており、かつ、正転バーXと反転バーYは反対方向に回転するから、隣り合う半導体ウェーハWのそれぞれが反対方向に回転することになる。
(4)エッチング装置1を構成するウェーハマガジン10a内部において縦列状態で並んで収納される複数枚の半導体ウェーハWが、1枚おきに互いに異なる回転方向で回転されるため、エッチング液が、隣り合う面が反対方向に回転する半導体ウェーハWの中心部にまで進行することとなり、半導体ウェーハWの全域に亘ってまんべんなくエッチングを行うことができる。従って、半導体ウェーハWの径の大小に関わらず、隣接する半導体ウェーハWについてのエッチングのバラツキがなくなり、更には、ウェーハマガジン10a全体の各半導体ウェーハWの平坦度の均一化を図ることができる。
なお、以下の説明では、既に第1実施形態及び第2実施形態で説明した部分又は部材と同様な部材等については、同一符号を付して、その説明を省略している。
図12及び図13に示した態様におけるエッチング装置1にあっては、ウェーハマガジン10,10a内において整流部材5が半導体ウェーハWの略直下に対して配設されているものであるが、当該整流部材5の配設位置としては、エッチングされる半導体ウェーハWとの間隔qを0.1〜3.0mmとなるように配設することが好ましい。整流部材5とエッチングされる半導体ウェーハWとの間隔qをかかる範囲とすることにより、第1実施形態及び第2実施形態で示した整流部材5と同様に、半導体ウェーハWにより起こる回転流をバランスよく調整することができ、3次元乱流の発生をより一層好適に抑制することができる。
また、前記した実施形態では、大径ギヤ40の回転が噛合される正転ギヤxに伝達され、当該正転ギヤxの回転が、当該正転ギヤxと噛合される反転ギヤyに伝達され、正転ギヤxの回転により反転ギヤyが連動して正転ギヤxと反対方向に回転する態様を示したが、これには限定されず、大径ギヤ40と反転ギヤyが噛合される構成として、大径ギヤ40の回転がまず反転ギヤyに伝達され、当該反転ギヤyの回転が正転ギヤxに伝達され、正転ギヤxと反転ギヤyが反対方向に回転するような機構としてもよい。
その他、本発明の実施における具体的な構造及び形状等は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等としてもよい。
2 …エッチング槽
5 …整流部材
10,10a… ウェーハマガジン
m …回転連動部
m1 …接触支持部
n …環状部
n1 …対応部
rm …接触支持部の外径
Claims (6)
- エッチング液を貯留するエッチング槽と、当該エッチング槽に対して出し入れされ、複数枚の半導体ウェーハを収納するウェーハマガジンと、当該ウェーハマガジンの内部に収納された半導体ウェーハを回転手段により回転させてエッチングを行う半導体ウェーハのエッチング装置において、
前記ウェーハマガジン内に、前記半導体ウェーハの前後に位置するように整流部材を配設したことを特徴とする半導体ウェーハのエッチング装置。 - 請求項1に記載の半導体ウェーハのエッチング装置において、
前記整流部材とエッチングする半導体ウェーハとの被さる部分の幅が0〜10mmであることを特徴とする半導体ウェーハのエッチング装置。 - エッチング液を貯留するエッチング槽と、当該エッチング槽に対して出し入れされ、複数枚の半導体ウェーハを収納するウェーハマガジンと、当該ウェーハマガジンの内部に収納された半導体ウェーハを回転手段により回転させてエッチングを行う半導体ウェーハのエッチング装置において、
前記ウェーハマガジン内に、前記半導体ウェーハの略直下に位置するように整流部材を配設したことを特徴とする半導体ウェーハのエッチング装置。 - 請求項3に記載の半導体ウェーハのエッチング装置において、
前記整流部材とエッチングする半導体ウェーハとの間隔が0.1〜3.0mmであることを特徴とする半導体ウェーハのエッチング装置。 - 請求項1ないし請求項4の何れかに記載の半導体ウェーハのエッチング装置において、
前記整流部材の厚さが、エッチングする半導体ウェーハと略同じ厚さであることを特徴とする半導体ウェーハのエッチング装置。 - 請求項1ないし請求項5の何れかに記載の半導体ウェーハのエッチング装置において、
前記回転手段が、前記ウェーハマガジンの内部で回転される複数枚の半導体ウェーハのうち1枚おきの半導体ウェーハをその中心軸回りに正転回転させる正転部と、
正転回転されない半導体ウェーハをその中心軸回りに反転回転させる反転部を備えていることを特徴とする半導体ウェーハのエッチング装置。
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