WO2017155081A1 - 平坦加工装置 - Google Patents

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WO2017155081A1
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catalyst body
holding
flat
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鈴木辰俊
鈴木英資
鈴木大介
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東邦エンジニアリング株式会社
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    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment

Definitions

  • the present invention relates to a flat processing apparatus, and more particularly to a flat processing apparatus that can be suitably used for flat processing using a catalyst-assisted chemical processing method, but the scope of application is not limited thereto.
  • Patent Document 1 and Patent Document 2 disclose catalyst-assisted chemical processing methods.
  • the catalyst-assisted chemical processing method uses a catalyst made of a transition metal as a processing reference surface, places the workpiece in a solution that does not contain abrasive grains, etc., and uses the processing reference surface as the processing surface of the workpiece.
  • the workpiece is processed (etched) by causing the chemical reaction between the active species generated from the solution and the surface atoms of the workpiece, and removing them by moving them relative to each other in contact with or in close proximity to the workpiece.
  • a difficult-to-process substrate such as SiC or GaN can be processed flat with high accuracy of the atomic level.
  • the pad diameter is more than twice the workpiece diameter, the apparatus is large, and in processing of SiC and GaN substrates, the processing time is long, so economical processing is possible. I could not do it.
  • the substrate to be processed is rotated by being pressed against the pad surface by the back pressure of the air bag provided in the holder, the pad and the workpiece which are smooth and flat with a catalyst layer such as Pt formed on the surface
  • the substrate to be processed is adsorbed to the pad surface by the so-called water sticking effect of the solution supplied between the substrates, so that a large circumferential force of the pad acts on the substrate to be processed and the substrate to be processed is pulled away from the holder.
  • the new catalyst-assisted chemical processing device proposed earlier has caused further problems to be solved.
  • the vibration force to be reduced is the vibration force when operating one of the workpieces, or at least one of the catalyst bodies having the catalyst layer on the surface, and the vibration force that leads to the vertical vibration that strikes the workpiece.
  • an exciting force that vibrates the apparatus main body so that the surface where the workpiece and the catalyst are close to each other or in contact with each other is shaken up and down.
  • an object of this invention is to provide the flat processing apparatus which can suppress the vibration generation
  • a first holding means (62) for holding one of a workpiece (W) or a catalyst body (5) having a catalyst layer on at least a surface thereof Second holding means for holding the other of the workpiece (W) or the catalyst body (5) and bringing its surface into contact with or close to one surface of the workpiece (W) or the catalyst body (5).
  • (4) and the second holding means (4) can be moved in a direction parallel to the workpiece (W) or the other surface of the catalyst body (5) by at least an amount capable of flattening by a catalytic reaction.
  • a flat processed portion (SP1) provided with a guide member (3), at least one weight portion, and the second holding means (4) of the flat processed portion (SP1) and the The weight part is caused by the reaction force during these movements.
  • Main drive force causes each moving as offset as a whole has a (PD).
  • the movement in this case may be a single movement in one direction, or a single reciprocating movement or a reciprocating reciprocating movement.
  • the catalyst body is not limited to a general pad, and the structure of a catalyst support, a catalyst alone, or the like is not limited.
  • the workpiece or the catalyst body may be held by any one of the back surface, the side surface, the front surface, and the like, and the holding structure is not particularly limited.
  • the workpiece is not limited to a plate-like one.
  • the “amount that can be flattened by a catalytic reaction” is a moving distance amount of at least several atoms that can be averaged by a catalytic reaction.
  • the “movement amount that can be flattened by catalytic reaction” varies depending on the combination of the catalyst body and the workpiece. This is because the catalyst-assisted chemical processing needs to move at least the number of atoms that achieve the averaging by the catalytic reaction. For optimal averaging, it is preferred for averaging that more new atomic surfaces of the catalyst body are in contact or close to a particular workpiece point than the minimum amount of movement.
  • the surface of the catalyst body is formed of an ideally flat surface at the atomic level, the surface of the catalyst body is at least undulated or warped at the atomic level or more and roughened. If the catalyst body has undulations, warpage or surface roughness, if the amount of movement of the catalyst body is too small, the swell, warpage or roughness of the catalyst body will be transferred to the catalyst contact surface of the workpiece. A larger amount of workpiece movement is preferable for averaging. Therefore, in the processing of the present invention, it is necessary to move the catalyst body or the workpiece to be processed by at least several atoms that establish the averaging by the catalytic reaction. Specific numerical values depend on the state of the workpiece and the material of the catalyst body. It is preferable for the averaging to have more surfaces of the catalyst body that act on the averaging with respect to a specific workpiece point.
  • the vibration force generated by the movement reaction force of the second holding means of the flat processed portion is entirely reduced, the vibration force acts on each part of the device, and the device vibrates greatly and becomes flat. Problems that impair the machining process are eliminated.
  • the first holding means (62) for holding one of the workpiece (W) or the catalyst body (5) having a catalyst layer on at least the surface, and the first holding means (62)
  • First driving means (71) for rotating around one axis of the workpiece (W) or the catalyst body (5) around an axis intersecting the surface, and the workpiece (W) or the catalyst body
  • a second holding means (4) for holding the other of 5) and bringing its surface into contact with or close to one surface of the workpiece (W) or the catalyst body (5); and the second holding means.
  • a guide member (3) capable of moving at least an amount capable of flattening by a catalytic reaction in a direction parallel to the other surface of the workpiece (W) or the catalyst body (5).
  • a flat processed portion (SP1) and at least one weight portion are respectively moved so that the vibration force generated by the reaction force during the movement is reduced as a whole. It has a main drive unit (PD).
  • the first driving means is provided, whereby the flattening is efficiently performed.
  • the first holding means (62) for holding one of the workpiece (W) or the catalyst body (5) having a catalyst layer on at least the surface, and the first holding means (62) First driving means (71) for rotating around one axis of the workpiece (W) or the catalyst body (5) around an axis intersecting the surface, and the workpiece (W) or the catalyst body ( A second holding means (4) for holding the other of 5) and having its surface opposed to one surface of the workpiece (W) or the catalyst body (5); and the second holding means (4) ) In a direction parallel to the other surface of the workpiece (W) or the catalyst body (5), and a guide member (3) capable of reciprocating at least by an amount capable of flattening by a catalytic reaction,
  • the first holding means (62) to the second holding means (4) are the workpiece (W).
  • Second driving means (72) for moving forward in a direction crossing the surface of the catalyst body (5) to bring the surface of the workpiece (W) and the surface of the catalyst body (5) into contact with or close to each other; And at least one weight portion, and the second holding means (4) and the weight portion of the flat processing portion (SP1) are moved between them. It has a main drive part (PD) that moves each so that the vibration generated by the reaction force of time is reduced as a whole.
  • the second driving means is provided to easily finely adjust the contact state or proximity state between the surface of the workpiece and the surface of the catalyst body. be able to.
  • the main drive unit includes two or more of the second holding means and the weight part spaced apart from each other around the shaft body in the circumferential direction. Moves the weight part back and forth simultaneously in and out
  • the main drive unit moves the second holding unit and the weight unit in opposite directions with opposite phases on the same plane.
  • the second holding means and the weight part of the flat processed part are moved in the opposite direction in the opposite phase on the same plane, so the vibration force generated with the movement is reduced, and as a result, The problem that the device vibrates due to the vibration force acting on each part of the device is effectively eliminated.
  • the main drive unit (PD) moves the second holding means (4) and the weight unit in the opposite directions with the opposite phases to each other on the same straight line.
  • a flat processed portion and a weight portion are provided at the left and right positions with the main drive portion interposed therebetween, but this is performed on each of a plurality of radial straight lines centered on the main drive portion.
  • the structure which provides a part and a weight part is included.
  • the second holding means and the weight part of the flat processed part are moved in the opposite direction with the opposite phase to each other on the same straight line.
  • the weight portion is another flat processed portion having a flat processing function.
  • the other flat processed portion may be a flat processed portion based on the same principle as the flat processed portion described in the first to third inventions, or a flat processed portion based on another flattening principle. It may be.
  • the seventh invention it is possible to efficiently perform the flat processing of the workpiece by providing a plurality of flat processing portions, and at the same time, the vibration force generated by the movement is reduced as a whole, and as a result, the apparatus The problem that the device vibrates due to the vibration force acting on each part is solved.
  • the main drive section (PD) is provided at symmetrical positions separated from the drive motor (82) and the axial center (C) of the output shaft of the drive motor (82) by the same amount in the radial direction.
  • a pair of shaft portions (93, 94) that revolve with the rotation of the output shaft (C), and the second holding means (4) to the weight portion are the pair of shaft portions (93, 94). Can be reciprocated in cooperation with each other.
  • the flattening apparatus of the present invention it is possible to perform precise flattening with a small apparatus without causing damage to the workpiece, and it is also effective to generate vibration when the apparatus is in operation. It can be suppressed.
  • FIG. 1 shows a side view of the entire partial cross section of the flat processing apparatus.
  • the flat processing apparatus includes a pair of flat processing portions SP1 and SP2 at the left and right positions of the base 1.
  • the left and right flat processed portions SP1 and SP2 have the same structure and the same weight. Details of the flat processed portion SP1 will be described below with reference to FIG.
  • the bases 21 and 22 having a symmetrical L-shaped cross section are arranged in parallel on the base 1 and extend in the front-rear direction of FIG. 2 (the left-right direction of FIG. 1).
  • the thing of the left and right flat processed part SP1 and SP2 is provided integrally continuously, and is located on the same straight line.
  • a rail 31 constituting the linear guide 3 serving as a guide member is fixed on each of the left and right mounts 21 and 22 along these.
  • the rail 31 is provided with two sliders 32 that can slide along the longitudinal direction, and a rectangular support plate 4 as a second holding means is placed on the left and right sliders 32. ing. Thereby, the support plate 4 can reciprocate linearly along the rail 31.
  • the bases 21 and 22 should just have the surface which mounts rails, such as a flat bar, besides the L-shaped cross section.
  • the guide member is not limited to the above structure, and for example, a guide member may be included so as to slide along the guide shaft.
  • the support plate 4 does not need to be particularly rectangular.
  • a circular liquid storage container 51 that opens upward is placed.
  • a pad 5 as an example of a catalyst body in which a catalyst layer is formed on the entire surface with a predetermined thickness by sputtering or the like.
  • the material of the pad 5 rubber or resin, ceramics, glass, metal or the like resistant to processing solution or gas is used.
  • a transition metal such as Pt can be used as the catalyst.
  • the diameter of the pad 5 may be at least slightly larger than the outer diameter of the workpiece substrate W as an example of the workpiece.
  • the container 51 does not need to be circular in particular.
  • the container 51 may store gas.
  • the main shaft 6 having a circular cross section is suspended above the container 51, and the main shaft 6 is rotatably held on the sleeve 61 in a vertical posture.
  • the main shaft 6 is rotated by a drive motor 71 (FIG. 2) as first drive means.
  • the sleeve 61 is moved up and down by a drive cylinder 72 as second drive means, and the main shaft 6 is moved back and forth with respect to the pad 5 in response to this.
  • a known holder 62 serving as a first holding means is provided at the lower end of the main shaft 6, and the substrate W to be processed is held on the lower surface thereof.
  • the main shaft 6, the drive motor 71, the drive cylinder 72, and the like are provided on the base 1 or above it.
  • a main drive unit PD is provided in the middle between the left and right flat processed portions SP1 and SP2. Details of the main drive unit PD are shown in FIG.
  • the main drive portion PD includes a bracket plate 81 provided on the base 1 in a vertical posture, and a shaft body 9 extending in the vertical direction on the bracket plate 81 can be rotated by bearing members 91 and 92 (see FIG. 3). Is held in.
  • An output shaft 821 of a drive motor 82 provided in the vertical direction along the bracket plate 81 is intruded and coupled to the center of the lower end of the shaft body 9.
  • the one end of a pair of link plates 83 and 84 extending horizontally in the left-right direction is connected to the outer periphery of the intermediate portion of the shaft body 9 so as to be relatively rotatable.
  • the link plate 83 connected to the lower side of the shaft body 9 is bent upward in the middle, and the other end is connected to the support plate 4 of the flat processed portion SP1 via the connecting shaft 831 so as to be relatively rotatable. (See FIG. 1).
  • the link plate 84 connected to the upper side of the shaft body 9 is bent downward in the middle, and the other end is connected to the support plate 4 of the flat processed portion SP2 via the connecting shaft 841 so as to be relatively rotatable. Yes.
  • the upper surfaces of the support plates 4 of the flat processed portions SP1 and SP2 are located on the same horizontal plane.
  • the intermediate portion of the shaft body 9 has the shaft centers C1 and C2 of the shaft portions 93 and 94 to which the link plates 83 and 84 are connected.
  • the shaft is eccentric from the output shaft 821 of the drive motor 82. That is, the shaft centers C1 and C2 of the shaft portion 93 to which the link plate 83 is connected and the shaft portion 94 to which the link plate 84 is connected are separated from the shaft center C of the shaft body 9 by the same amount d in the radial direction. It is located at a symmetrical position of 180 degrees.
  • the support plates 4 are reciprocated between the distances (amplitudes) 2d on the same straight line in opposite phases with each other via the link plates 83 and 84.
  • a liquid necessary for the catalytic reaction such as HF
  • HF a liquid necessary for the catalytic reaction
  • the spindle 6, that is, the substrate W to be processed is rotated by the drive motor 71, and at the same time, the substrate to be processed W is brought close to or in contact with the pad 5 by the drive cylinder 72.
  • the support plate 4 and the container 51 provided thereon are linearly reciprocated in the horizontal direction along the rail 31 by the drive motor 82.
  • the surface to be processed of the substrate W to be processed and the pad 5 on which the catalyst layer with which the substrate W abuts are relatively rotated and reciprocated in a plane intersecting the rotation axis.
  • the processing surface of the processing substrate W is flattened with high accuracy of about the atomic level by catalyst-assisted chemical processing.
  • the support plates 4 of the left and right flat processed portions SP1 and SP2 are reciprocated (vibrated) on the same straight line in opposite phases to each other, the mutual vibrations are canceled and the excitation force on the base 1 is sufficiently It becomes smaller and its vibration is prevented.
  • the surface of the pad 5 is only reciprocating minutely, so It does not act on the processed substrate, and there is no problem that the processed substrate is pulled away from the holder and sandwiched between the outer retainers as in the conventional case.
  • the substrate to be processed is rotated and the pad is reciprocated linearly, but the substrate to be processed may be reciprocated linearly to rotate the pad.
  • rotation is not necessarily required, and it is not always necessary to perform linear motion.
  • it is not necessary to reciprocate, but only to move in one direction.
  • the reciprocating drive mechanism is not limited to that of the above-described embodiment, and a normal crank mechanism that changes the rotational motion of the drive motor to linear reciprocating motion can be used.
  • a ball screw mechanism, a magnetic force repulsion mechanism, a cylinder mechanism, or the like can be used.
  • the base may be reciprocated in a direction parallel to the base surface by a ball screw mechanism or a cam mechanism.
  • Another base may be provided below the base, and the other base may be reciprocated in a direction parallel to the base surface by a ball screw mechanism, a cam mechanism, or the like.
  • another support plate is provided on the support plate 4, and a mechanism is provided for reciprocating the other support plate in a direction parallel to the plate surface of the support plate 4 (for example, in the front-rear direction of the drawing sheet of FIG. May be.
  • the workpiece is not limited to a plate-like object such as a substrate.
  • any shape that can be surface-finished may be used. Parts that can achieve catalyst-based etching are also preferable. Even when a workpiece having such a shape is targeted, the occurrence of “vibration in the vertical direction that strikes the workpiece” as described above is a problem when performing catalyst-based etching as catalyst-assisted chemical processing. Because it is seen. Preventing the occurrence of “vertical vibration that strikes the workpiece” is not limited to the case where a plate-like workpiece such as a substrate is to be processed. In each of the above embodiments, the holder 62 is moved up and down, but a structure in which the support plate 4 is moved up and down may be used.
  • a separate pad is provided in the liquid storage container.
  • the pad itself may be formed in a container shape so that the liquid necessary for the catalytic reaction can be stored. Note that the liquid does not necessarily have to be stored, and may be poured between the substrate to be processed and the pad.
  • the drive cylinder is used as the second drive means, but a ball screw mechanism, a robot arm, or the like can be used instead.
  • a pair of flat processed parts SP1 and SP2 having the same structure and the same weight are provided, but one of them may be a weight part having the same weight as the flat processed part.
  • the weight portion in this case does not need to be a weight body as a whole, and for example, a weight body having the same weight as that obtained by removing a part of the flat processed portion may be used.
  • the weight part may be a weight part using a pressure mechanism.
  • the shaft portions 93 and 94 of the shaft body 9 and the support plate 4 are connected by the link plates 83 and 84.
  • each support plate 4 is urged toward the shaft body. It is good also as a structure which provides an urging member and abuts one end of each support plate 4 on the outer periphery of each axial part 93,94.
  • the pair of support plates 4 are reciprocated in opposite directions on the same straight line so that the vibration generated by the reaction force at the time of movement is reduced to substantially zero as a whole.
  • the support plate 4 (or weight portion) does not necessarily have to be on the same straight line.
  • three or more support plates (or weight portions) are arranged at equal angular intervals in the circumferential direction around the shaft of the main drive unit. And may be reciprocated simultaneously in the inner and outer directions.
  • the weight part can be moved in such a direction as to cancel all or at least a part of the vibration (variation in the position of the center of gravity) of the apparatus.
  • the weight may be moved in the direction to directly cancel the vibration, and the vibration that causes such “vertical vibration” ( If there is a change in the position of the center of gravity of the apparatus), the weight may be moved in a direction to cancel the vibration.
  • ⁇ Gas may be used instead of the liquid required for the catalytic reaction. Or you may use a liquid and gas together.
  • the holder 62 and the support plate 4 are disposed so as to face each other in the vertical direction, but may be disposed so as to face each other in the left-right direction.
  • the holder 62 may be provided below and the support plate 4 may be provided above, and the necessary arrangement change accompanying this may be changed within the range not departing from the gist of the present invention. You may change in the left-right direction.
  • the coupling with the output shaft 821 of the drive motor 82 may be a connection using a coupling, a belt, or a gear.
  • the holder 62 may have a structure such as gripping with a cutting tool or the like, screwing or pinching with a jig, or fitting into an unevenness or hole.
  • the support plates 4 are reciprocated on the same straight line in opposite phases, but it is not always necessary to reciprocate on the same straight line.
  • An example is shown in FIG.
  • FIG. 4 Each symbol in FIG. 4 is the same as that in the above-described embodiment.
  • the bending inner ends of the support plates 4 are connected to the eccentric shaft portions 93 and 94 (see FIG. 3) of the shaft body 9 so as to be relatively rotatable.
  • Each support plate 4 is placed on a slide table 11 provided on a base 1, and the outer end of each support plate 4 is erected on the base 1 side so as to be relatively rotatable in an eccentric state.
  • the upper end of 12 is fitted so as to be slidable and rotatable.
  • the support plates 4 reciprocate in opposite phases with each other in an oval range in plan view. Accordingly, the range of movement of the support plate 4 (that is, the pad 5 (see FIG. 2)) is expanded as compared with the above-described embodiment in which each support plate 4 is linearly reciprocated. Area) can be enlarged.
  • FIG. 5 shows another structure that can realize the same operation as FIG.
  • the bent inner end of each substrate 4 placed on the slide base 11 is connected to an eccentric shaft portion (see shaft portions 93 and 94 in FIG. 3) of the shaft body 9 so as to be relatively rotatable.
  • the outer end of each substrate 4 is fitted to an eccentric shaft 131 that is rotationally driven by the motor 13 so as to be slidable and rotatable.
  • the shaft body 9 may be fixed to the base 1 as shown in FIG. 5 or may be rotationally driven by a motor synchronized with the motor 13.
  • FIG. 6 shows still another structure that can realize the same operation as FIG.
  • the bent inner ends of the respective substrates 4 placed on the slide 11 are connected to the eccentric shaft portions of the shaft bodies 9A and 9B (see the shaft portions 93 and 94 in FIG. 3) so as to be relatively rotatable.
  • the outer end of each substrate 4 is fitted to an eccentric shaft 131 that is driven to rotate by the motor 13 so as to be slidable and rotatable.
  • the support plates 4 can be reciprocated in opposite phases within an oval range in plan view.
  • the shaft bodies 9A and 9B may be fixed to the base 1 as shown in FIG. 6, or may be rotated by a motor synchronized with the motor 13.
  • a first holding means for holding one of the workpiece, or at least one of the catalyst bodies having a catalyst layer on the surface; and holding the other of the workpiece or the catalyst body so that the surface of the workpiece is the workpiece or the touch.
  • a second holding means for contacting or approaching one surface of the medium, and an amount capable of flattening by at least a catalytic reaction in a direction parallel to the other surface of the workpiece or the catalyst body;
  • a flat processed portion having a guide member that is movable only, and has at least one weight portion, and the second holding means and the weight portion of the flat processed portion are moved during the movement.
  • the operation method of the flat processing apparatus which has the main drive part which each moves so that the vibration force generated by the reaction force of each may be attenuated as a whole.
  • a first holding means for holding one of the workpiece or at least a catalyst body having a catalyst layer on the surface, and the first holding means intersects the surface within one surface of the workpiece or the catalyst body.
  • a first driving means for rotating about an axis; and a second holding for holding the other of the workpiece or the catalyst body and bringing the surface thereof into contact with or close to the one surface of the workpiece or the catalyst body
  • a guide member that allows the second holding means to move at least by an amount that can be flattened by a catalytic reaction in a direction parallel to the other surface of the workpiece or the catalyst body.
  • a guide member capable of reciprocating the second holding means in an amount parallel to the workpiece or the other surface of the catalyst body by an amount at least capable of being flattened by a catalytic reaction; and the first holding means or And a second driving means for advancing the second holding means in a direction crossing the surface of the workpiece or the catalyst body to bring the surface of the workpiece and the surface of the catalyst body into contact with each other or close to each other.
  • Flat processing And the at least one weight portion, and the second holding means and the weight portion of the flat processed portion are reduced as a whole by the excitation force generated by the reaction force at the time of movement.
  • the operation method of the flat processing apparatus having the main drive unit to be moved respectively.
  • a first holding means for holding one of the workpiece, or at least one of the catalyst bodies having a catalyst layer on the surface; and holding the other of the workpiece or the catalyst body so that the surface of the workpiece is the workpiece or the touch.
  • a second holding means for contacting or approaching one surface of the medium, and an amount capable of flattening by at least a catalytic reaction in a direction parallel to the other surface of the workpiece or the catalyst body;
  • a flat processed portion having a guide member that can move only, and at least one weight portion, and the second holding means and the weight portion of the flat processed portion are generated by a reaction force during the movement.
  • a guide member that allows the second holding means to move in a direction parallel to the workpiece or the other surface of the catalyst body at least by an amount that can be flattened by a catalytic reaction;
  • Each having at least one weight part, and the second holding means and the weight part of the flat processed part are respectively moved so that the exciting force generated by the reaction force at the time of movement is reduced as a whole.
  • a guide member capable of reciprocating the second holding means in an amount parallel to the workpiece or the other surface of the catalyst body by an amount at least capable of being flattened by a catalytic reaction; and the first holding means or A second driving means for advancing the second holding means in a direction crossing the surface of the workpiece or the catalyst body to bring the surface of the workpiece and the surface of the catalyst body into contact with or close to each other; Flat processing And at least one weight part, and each of the second holding means and the weight part of the flat processed part is moved so that the vibration force generated by the reaction force at the time of movement is reduced as a whole
  • a method for producing a workpiece characterized by comprising:
  • the following apparatus, operation method, and workpiece manufacturing method may be used.
  • the movement in “direction perpendicular to the direction parallel to the surface of the catalyst body” as described in [2], [4], and [6] in the [0047] column is, for example, the above-mentioned “work to be processed” This corresponds to the vibration in the “vertical direction in which an object is hit”, and in the above-described embodiment, the movement corresponds to the vibration to be directly canceled out.
  • it means movement corresponding to vibration in the direction (vertical direction) along the main axis 6.
  • the movement to the “component in the direction parallel to the surface of the catalyst body” in [1], [3], and [5] is, for example, the above-described vibration in the “vertical direction to strike the workpiece”. It is the movement that is causing the cause. In the above embodiment, it means movement in one reciprocating movement direction (horizontal direction) of one flat processed portion.
  • the “direction to cancel all or at least a part of the change in the center of gravity position of the device” in [1] to [6] is, for example, the above-mentioned “the excitation force generated by the reaction force during movement is reduced as a whole”. Means that.
  • At least one of a workpiece and a catalyst body having a catalyst layer on at least a surface facing the workpiece is positioned in a direction including at least a component in a direction parallel to the surface of the catalyst body from the first position.
  • a flat processing apparatus having a weight portion that is movable in a direction to cancel all or at least a part of a change in the center of gravity of the apparatus accompanying the movement when moving to the second position.
  • a component in a direction perpendicular to at least one of a workpiece and a catalyst body having a catalyst layer on at least a surface facing the workpiece from a first position at least parallel to the surface of the catalyst body Means for moving to a second position located in a direction including the weight, and a weight part movable in a direction to cancel out all or at least a part of the variation of the center of gravity position of the apparatus accompanying the operation of the means for operating. , A flat processing apparatus.
  • At least one of the workpiece and the catalyst body having a catalyst layer on at least the surface facing the workpiece is positioned in a direction including at least a component in a direction parallel to the surface of the catalyst body from the first position.
  • a method of operating a flat processing apparatus wherein when moving to a second position, the weight portion is moved in a direction to cancel all or at least a part of a change in the center of gravity position of the apparatus accompanying the movement.
  • a component in a direction perpendicular to at least one of a workpiece and a catalyst body having a catalyst layer on at least a surface facing the workpiece from a first position at least parallel to the surface of the catalyst body Operation of the flat processing apparatus that moves the weight part in a direction that cancels all or at least a part of the variation of the center of gravity of the apparatus accompanying the operation when operating to move to the second position located in the direction including Method.
  • At least one of the workpiece and the catalyst body having a catalyst layer on at least the surface facing the workpiece is positioned in a direction including at least a component in a direction parallel to the surface of the catalyst body from the first position.
  • a component in a direction perpendicular to a direction parallel to the surface of the catalyst body from the first position at least one of the workpiece and a catalyst body having a catalyst layer on at least the surface facing the workpiece
  • the workpiece is moved in a direction to cancel all or at least a part of the change in the center of gravity of the apparatus accompanying the operation.
  • At least one of the workpiece and the catalyst body having a catalyst layer on at least the surface facing the workpiece is positioned in a direction including at least a component in a direction parallel to the surface of the catalyst body from the first position.
  • the weight portion When moving to the second position, the weight portion is moved in such a direction as to cancel all or at least a part of the change in the center of gravity of the apparatus accompanying the movement,
  • the direction of change of the center of gravity position due to the movement from the first position to the second position and the direction of change of the center of gravity position due to the movement of the weight portion are viewed from a direction perpendicular to the surface of the catalyst body
  • the operation method of the flat processing apparatus including being on the same straight line.
  • the direction of movement from the first position to the second position further includes a component in a direction perpendicular to a direction parallel to the surface of the catalyst body, according to [3] or [7].
  • the weight part moves as follows: At least one of the catalyst body and another catalyst body having a catalyst layer on at least the surface opposed to the workpiece and another workpiece and the other workpiece is at least the other catalyst body from the third position.
  • At least one of the workpiece and the catalyst body having a catalyst layer on at least the surface facing the workpiece is positioned in a direction including at least a component in a direction parallel to the surface of the catalyst body from the first position.
  • the weight part When moving to the second position, the weight part is moved in a direction to cancel all or at least a part of the change in the center of gravity of the apparatus accompanying the movement, and the workpiece is flattened,
  • the direction of change of the center of gravity position due to the movement from the first position to the second position and the direction of change of the center of gravity position due to the movement of the weight portion are viewed from a direction perpendicular to the surface of the catalyst body
  • a method of manufacturing a workpiece including being on the same straight line.
  • the direction of movement from the first position to the second position further includes a component in a direction perpendicular to a direction parallel to the surface of the catalyst body, according to [5] or [10].
  • the movement of the weight part is At least one of the catalyst body and another catalyst body having a catalyst layer on at least the surface opposed to the workpiece and another workpiece and the other workpiece is at least the other catalyst body from the third position.
  • At least one of the workpiece and the catalyst body having a catalyst layer on at least the surface facing the workpiece is positioned in a direction including at least a component in a direction parallel to the surface of the catalyst body from the first position.
  • a flat processing device including that they are on the same straight line.
  • the weight part is At least one of the catalyst body and another catalyst body having a catalyst layer on at least the surface opposed to the workpiece and another workpiece and the other workpiece is at least another catalyst body from a third position.
  • at least one weight portion, and the second holding means and the weight portion of the flat processed portion are caused by vibration generated by a reaction force at the time of movement.
  • a flat processing apparatus having a main drive unit for moving each force so that the force is reduced as a whole.
  • a first holding means for holding at least one of the workpiece and at least the pad, and the first holding means are rotated around an axis intersecting the surface within one surface of the workpiece or the pad.
  • Flattening apparatus having a main drive unit for.
  • First holding means for holding the workpiece or at least one of the pads, and rotating the first holding means about an axis intersecting the surface within one surface of the workpiece or the pad
  • a first driving means for rotating the first holding means about an axis intersecting the surface within one surface of the workpiece or the pad
  • a first driving means for holding the other of the workpiece or the pad and having a surface thereof facing the one surface of the workpiece or the pad
  • the second holding means A guide member capable of reciprocating at least by an amount capable of flattening by a chemical reaction in a direction parallel to the other surface of the workpiece or the pad; and the first holding means or the second holding means.
  • a flat processing apparatus having a main drive unit to be moved. [19]
  • the main drive unit has two or more of the second holding means and the weight part arranged in the circumferential direction around the shaft so that the second holding means and the weight part are arranged.
  • the flat processing apparatus according to any one of [16] to [18], wherein the flat processing apparatus simultaneously reciprocates in and out.
  • the main drive unit is configured to move the second holding unit and the weight unit in the opposite direction in the opposite phase to each other on the same plane.
  • the flat processing apparatus as described.
  • the main driving unit is configured to move the second holding unit and the weight unit in the opposite direction with the opposite phase to each other on the same straight line.
  • the flat processing apparatus as described.
  • the flat processing apparatus according to any one of [16] to [21], wherein the weight portion is another flat processing portion having a flat processing function.
  • the main drive section includes a drive motor and a pair of shaft sections that are provided at symmetrical positions separated from each other in the radial direction by the same amount from the shaft center of the output shaft of the drive motor, and that rotate with the rotation of the output shaft.

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Abstract

本発明は触媒支援型化学加工による平坦化を行う装置において、装置作動時の振動発生を効果的に抑えることができる平坦加工装置を提供することを目的とする。 本発明の平坦加工装置は、被加工物Ｗの裏面を保持するホルダ６２と、ホルダ６２を被加工物Ｗの表面内で当該表面に交差する軸回りに回転させる駆動モータと、パッドを保持してその表面を、被加工物Ｗの表面に対向位置させる支持板４と、支持板４をパッドの表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ往復移動可能とするリニアガイド３と、ホルダ６２ないし支持板４を被加工物Ｗないしパッドの表面に交差する方向へ前進させて被加工物Ｗの表面とパッドの表面を互いに当接ないし近接させる駆動シリンダとを備えた平坦加工部ＳＰ１，ＳＰ２ を一対有するとともに、これら平坦加工部ＳＰ１，ＳＰ２の支持板４を同一直線上で互いに逆位相で往復移動させる主駆動部ＰＤを有する。

Description

平坦加工装置
　本発明は平坦加工装置に関し、特に触媒支援型化学加工方法を利用した平坦加工に好適に使用できるものであるが、適用範囲はこれに限られない平坦加工装置に関するものである。
　特許文献１や特許文献２には触媒支援型化学加工方法が開示されている。触媒支援型化学加工方法は、加工基準面に遷移金属からなる触媒を使用し、砥粒等を含まない溶液中に被加工物を配置して、上記加工基準面を被加工物の被加工面に接触ないし近接させて両者を相対運動させ、溶液から生じた活性種と被加工物の表面原子との化学反応で化合物を生成させこれを除去することによって被加工物を加工（エッチング）するもので、ＳｉＣやＧａＮ等の難加工基板の表面を原子レベル程度の高い精度で平坦加工することができる。
　ところで、上記加工基準面となる、触媒層たる遷移金属層を形成したパッドの表面と、被加工物たる被加工基板の表面（被加工面）を相対運動させて平坦加工する装置として、従来は特許文献１に示されているように、大径の円形パッドを定盤上で回転させ、旋回移動するパッド表面の円周部に、回転するホルダに保持させた小径の被加工基板の表面を当接ないし近接させている。
特開２００６－１１４６３２ 特開２００７－２８３４１０
　しかし従来の加工装置では、パッド直径が被加工物直径の２倍以上であるため装置が大型であり、ＳｉＣやＧａＮ基板の加工においては、加工時間が長時間となるため、経済的な加工が出来なかった。また、ホルダ内に設けたエアバッグの背圧で被加工基板はパッド面に押し付けられた状態で回転するものの、表面にＰｔ等の触媒層が形成されて滑らかな平面となったパッドと被加工基板の間へ供給された溶液の、いわゆる水貼り効果によって被加工基板がパッド面に吸着し、このためパッドの大きな周回力が被加工基板に作用して当該被加工基板がホルダから引き離されてパッドの外周方向へ飛ばされ、外方に位置しているリテーナに挟まれる等によって破損する危険があった。そして、これは歩留まりを悪化させて加工コストの上昇をもたらしていた。そこで、発明者は先に以上の課題を解決すべく新たな平坦加工装置を提案した（PCT/JP2015/86493）。
　ところで先に提案した新たな触媒支援型化学加工装置で、さらに解決すべき課題を生じた。それは、加工レートや平均化を促進するためにパッドを収納した容器を載置する支持板を高速移動させたかったが、従来は支持板を移動させる際の反力による起振力が原因の振動が起こっていた。振動が起こると、加工表面に影響が出るので起振力を減殺することが必要であった。減殺したい起振力は被加工物、ないし少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の一方を動作させた際の起振力で、被加工物を打ち付けるような上下方向の振動につながる起振力であり、例としては被加工物と触媒が近接又は当接している面が上下に揺れる原因になるような装置本体を振動させる起振力である。
　そこで本発明は、装置作動時の振動発生を効果的に抑えることができる平坦加工装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本第１発明では、被加工物（Ｗ）、ないし少なくとも表面に触媒層を有する触媒体（５）の一方を保持する第１保持手段（６２）と、前記被加工物（Ｗ）ないし前記触媒体（５）の他方を保持してその表面を、前記被加工物（Ｗ）ないし前記触媒体（５）の一方の表面に当接ないし近接させる第２保持手段（４）と、前記第２保持手段（４）を前記被加工物（Ｗ）ないし前記触媒体（５）の他方の表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動可能とする案内部材（３）とを備えた平坦加工部（ＳＰ１）を有するとともに、少なくとも一つのウエイト部を有し、かつ、前記平坦加工部（ＳＰ１）の前記第２保持手段（４）と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させる主駆動部（ＰＤ）を有する。なお、この場合の移動は、一方向への単発的な移動であっても、あるいは単発の往復移動や繰り返しの往復移動であっても良い。また、触媒体としては一般的なパッドに限られず、触媒を担持するもの、触媒の単体等、その構造は制約されない。さらに、被加工物や触媒体の保持は、その背面、側面、前面等、いずれを保持するものであっても良く、保持構造も特に限定されない。被加工物も板状のものに限られないことはもちろんである。
　「触媒反応による平坦化が可能な量」とは、少なくとも触媒反応による平均化が成立する原子数個以上の移動距離量のことである。触媒体と被加工物の組み合わせによって「触媒反応による平坦化が可能な移動量」は変化する。この移動量は少なくとも触媒反応による平均化を成立させる原子数個分以上を移動させる必要が触媒支援型化学加工にはあるのが理由である。最適な平均化を行うには、最低量の移動量よりも特定の被加工物の点に対して触媒体の新しい原子の面が多く当接ないし近接した方が平均化には好ましい。理由は触媒体の表面は原子レベルで理想的に平らな面で構成されていない限り、触媒体表面には少なくとも原子レベル以上のうねりや反りや表面の荒れが発生している。触媒体にうねりや反りや表面の荒れがある場合には、触媒体の移動量が小さすぎると触媒体のうねりや反りや荒れを被加工物の触媒接触面に転写してしまうので触媒体もしくは、被加工物の移動量は多い方が平均化には好ましい。したがって、本発明の加工は少なくとも触媒反応による平均化を成立させる原子数個以上、触媒体もしくは、被加工物を移動させる必要がある。具体的な数値は被加工物と触媒体の材料の状態に依存している。特定の被加工物の点に対して平均化に作用する触媒体の面は多い方が平均化には好ましい。
　本第１発明においては、小型の装置によって被加工物の破損を生じることなく精密な平坦化加工が可能である。そしてこれに加えて、平坦加工部の第２保持手段の移動反力に伴って生じる起振力が全体的に減殺されるから、装置各部に起振力が作用して装置が大きく振動し平坦化加工を損なう不具合が解消される。
　本第２発明では、被加工物（Ｗ）、ないし少なくとも表面に触媒層を有する触媒体（５）の一方を保持する第１保持手段（６２）と、前記第１保持手段（６２）を前記被加工物（Ｗ）ないし前記触媒体（５）の一方の表面内で当該表面に交差する軸回りに回転させる第１駆動手段（７１）と、前記被加工物（Ｗ）ないし前記触媒体（５）の他方を保持してその表面を、前記被加工物（Ｗ）ないし前記触媒体（５）の一方の表面に当接ないし近接させる第２保持手段（４）と、前記第２保持手段（４）を前記被加工物（Ｗ）ないし前記触媒体（５）の他方の表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動可能とする案内部材（３）とを備えた平坦加工部（ＳＰ１）を有するとともに、少なくとも一つのウエイト部を有し、かつ、前記平坦加工部（ＳＰ１）の前記第２保持手段（４）と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させる主駆動部（ＰＤ）を有する。
　本第２発明においては、本第１発明の作用効果に加えて、第１駆動手段を設けたことによって平坦化が効率的に行われる。
　本第３発明では、被加工物（Ｗ）、ないし少なくとも表面に触媒層を有する触媒体（５）の一方を保持する第１保持手段（６２）と、前記第１保持手段（６２）を前記被加工物（Ｗ）ないし前記触媒体（５）の一方の表面内で当該表面に交差する軸回りに回転させる第１駆動手段（７１）と、前記被加工物（Ｗ）ないし前記触媒体（５）の他方を保持してその表面を、前記被加工物（Ｗ）ないし前記触媒体（５）の一方の表面に対向位置させる第２保持手段（４）と、前記第２保持手段（４）を前記被加工物（Ｗ）ないし前記触媒体（５）の他方の表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ往復移動可能とする案内部材（３）と、前記第１保持手段（６２）ないし前記第２保持手段（４）を前記被加工物（Ｗ）ないし前記触媒体（５）の表面に交差する方向へ前進させて前記被加工物（Ｗ）の表面と前記触媒体（５）の表面を互いに当接ないし近接させる第２駆動手段（７２）とを備えた平坦加工部（ＳＰ１）を有するとともに、少なくとも一つのウエイト部を有し、かつ、前記平坦加工部（ＳＰ１）の前記第２保持手段（４）と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させる主駆動部（ＰＤ）を有する。
　本第３発明においては、本第１発明の作用効果に加えて、第２駆動手段を設けたことによって被加工物の表面と触媒体の表面の当接状態ないし近接状態を容易に微調整することができる。
　本第４発明では、前記主駆動部は、その軸体を中心に前記第２保持手段と前記ウエイト部とを周方向へ２個以上互いに間隔をおいて配置して前記第２保持手段および前記ウエイト部を内外方向へ同時に往復移動させるものである
　本第５発明では、前記主駆動部は、前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、同一平面上で互いに逆位相で反対方向に移動させるものである。
　本第５発明においては、平坦加工部の第２保持手段とウエイト部が同一平面上で互いに逆位相で反対方向へ移動させられるから、移動に伴って生じる起振力が減殺され、この結果、装置各部に起振力が作用して装置が振動する不具合が効果的に解消される。
　本第６発明では、前記主駆動部（ＰＤ）は、前記第２保持手段（４）と前記ウエイト部とを、同一直線上で互いに逆位相で反対方向へ移動させるものである。なお、本第６発明は、主駆動部を挟んで左右位置に平坦加工部とウエイト部を設けるものであるが、これは主駆動部を中心とした放射状の複数の直線上にそれぞれ、平坦加工部とウエイト部を設ける構成を含んでいる。
　本第６発明においては、平坦加工部の第２保持手段とウエイト部が同一直線上で互いに逆位相で反対方向へ移動させられるから、移動に伴って生じる起振力が減殺され、この結果、装置各部に起振力が作用して装置が振動する不具合が効果的に解消される。なお、この場合、ウエイト部を平坦加工部と実質的に同重量のものにすれば、起振力が零近くまで減殺される。
　本第７発明では、前記ウエイト部が平坦加工の機能を備えている他の平坦加工部である。この場合の他の平坦加工部は、本第１発明から本第３発明に記載の平坦加工部と同一原理に基づく平坦加工部であっても良いし、他の平坦化原理に基づく平坦加工部であっても良い。
　本第７発明においては、平坦加工部を複数設けることによって被加工物の平坦加工を効率的に行うことができると同時に、移動に伴って生じる起振力が全体として減殺され、この結果、装置各部に起振力が作用して装置が振動する不具合が解消される。
　本第８発明では、前記主駆動部（ＰＤ）は、駆動モータ（８２）と、当該駆動モータ（８２）の出力軸の軸心（Ｃ）から径方向へ同量離れた互いに対称位置に設けられて出力軸（Ｃ）の回転と共に旋回移動する一対の軸部（９３，９４）とを有し、前記第２保持手段（４）ないし前記ウエイト部が前記一対の軸部（９３，９４）にそれぞれ連携して往復移動させられるようになっている。
　上記カッコ内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を参考的に示すものである。
　以上のように、本発明の平坦加工装置によれば、被加工物の破損を生じることなく、小型の装置で精密な平坦化加工が可能であるとともに、装置作動時の振動発生も効果的に抑えられる。
本発明の一実施形態を示す、平坦加工装置の部分断面全体側面図である。 平坦加工部の詳細を示す垂直断面図である。 主駆動部の断面図である。 本発明の一実施形態を示す、平坦加工装置の部分断面全体側面図である。 本発明の一実施形態を示す、平坦加工装置の部分断面全体側面図である。 本発明の一実施形態を示す、平坦加工装置の部分断面全体側面図である。
　なお、以下に説明する実施形態はあくまで一例であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で当業者が行う種々の設計的改良も本発明の範囲に含まれる。
　図１には平坦加工装置の部分断面全体側面図を示す。平坦加工装置は基台１の左右位置に一対の平坦加工部ＳＰ１，ＳＰ２を備えている。左右の平坦加工部ＳＰ１，ＳＰ２は同一構造で同一重量である。平坦加工部ＳＰ１についてその詳細を、図２を参照しつつ以下に説明する。
　図２において、基台１上に対称形のＬ字断面とした架台２１，２２が平行に配設されて、図２の前後方向（図１の左右方向）へ延びている。なお、各架台２１，２２は左右の平坦加工部ＳＰ１，ＳＰ２のものが連続して一体に設けられて同一直線上に位置させられている。左右の各架台２１，２２上にはこれらに沿ってそれぞれ、案内部材であるリニアガイド３を構成するレール３１が固定されている。レール３１には長手方向の二箇所にこれに沿って摺動移動可能なスライダ３２が設けられており、左右前後のスライダ３２上には第２保持手段としての四角形の支持板４が載設されている。これにより、支持板４はレール３１に沿って往復直線移動可能である。なお、架台２１，２２はＬ字断面以外に、フラットバーなどレールを載せる面が出ているものであればよい。また、案内部材は上記構造に限られるものではなく、例えばガイド軸を包持してこれに沿って摺動するようなものでも良い。支持板４は特に四角形である必要は無い。
　支持板４の上面中心部には上方へ開放する円形の液貯留用の容器５１が載設されている。容器５１の底面には、表面全面に触媒層がスパッタリング等によって所定厚で形成された触媒体の一例としてのパッド５が設けられている。パッド５の材料としては加工溶液や気体に対する耐性のあるゴムや樹脂、セラミックス、ガラス、金属等を使用する。触媒としてはＰｔ等の遷移金属が使用できる。ここで、パッド５の直径は、被加工物の一例としての被加工基板Ｗの外径より少なくともやや大きい程度のものとすれば良い。なお、容器５１は特に円形である必要は無い。また、容器５１は気体を貯留するものであっても良い。
　容器５１の上方には円形断面の主軸６が垂設されており、主軸６はスリーブ６１に垂直姿勢で回転可能に保持されている。主軸６は第１駆動手段としての駆動モータ７１（図２）によって回転させられる。スリーブ６１は第２駆動手段としての駆動シリンダ７２によって昇降させられ、これに応じて上記主軸６はパッド５に対し遠近前後動させられる。主軸６の下端には第１保持手段としての公知のホルダ６２が設けられており、これの下面に被加工基板Ｗが保持されている。なお、主軸６や駆動モータ７１、駆動シリンダ７２等は基台１上やそれより上方に設けられている。
　図１において、左右の平坦加工部ＳＰ１，ＳＰ２の中間には主駆動部ＰＤが設けられている。主駆動部ＰＤの詳細を図３に示す。主駆動部ＰＤは基台１に垂直姿勢で設けられたブラケット板８１を備えており、当該ブラケット板８１上で上下方向へ延びる軸体９が軸受け部材９１，９２（図３参照）によって回転可能に保持されている。軸体９の下端中心には、ブラケット板８１に沿って上下方向に設けられた駆動モータ８２の出力軸８２１が進入結合されている。
　上記軸体９の中間部外周には、それぞれ左右方向へ水平に延びる一対のリンク板８３，８４の一端部が相対回動可能に連結されている。軸体９の下側に連結されたリンク板８３は途中で上方へ屈曲して、その他端部は連結軸８３１を介して相対回動可能に平坦加工部ＳＰ１の支持板４に連結されている（図１参照）。一方、軸体９の上側に連結されたリンク板８４は途中で下方へ屈曲して、その他端部は連結軸８４１を介して相対回動可能に平坦加工部ＳＰ２の支持板４に連結されている。ここで、平坦加工部ＳＰ１，ＳＰ２の支持板４の上面は同一水平面上に位置している。
　軸体９の上記中間部は、図３中の拡大図に示すように、各リンク板８３，８４が連結された軸部９３，９４の軸心Ｃ１，Ｃ２が軸体９の軸心Ｃ（駆動モータ８２の出力軸８２１の軸心）から偏心させられている。すなわち、リンク板８３が連結された軸部９３とリンク板８４が連結された軸部９４の各軸心Ｃ１，Ｃ２は、軸体９の軸心Ｃから径方向へ同量ｄだけ離れて互いに１８０度の対称位置に位置している。
　したがって、駆動モータ８２によって軸体９がその軸心Ｃを中心に回転させられると、軸部９３，９４の各軸心Ｃ１，Ｃ２は軸体９の軸心Ｃ回りに旋回移動させられる。これに伴い、リンク板８３，８４を介して各支持板４は同一直線上で互いに逆位相で距離（振幅）２ｄの間を往復移動させられる。この際の往復移動の一例は、２ｄ＝３ｍｍ、軸体９の回転数（支持板４の往復振動数）は５００ｒｐｍである。
　このような構造の平坦加工装置で被加工基板Ｗの下面（被加工面）の平坦加工を行う場合には、左右の支持板４上の容器５１内に、触媒反応に必要な液体、例えばＨＦ、ＨＣｌ、純水等を満たし、駆動モータ７１で主軸６すなわち被加工基板Ｗを回転させると同時に、駆動シリンダ７２によって被加工基板Ｗをパッド５に近接ないし当接させる。この状態で、駆動モータ８２によって支持板４およびその上に設けた容器５１をレール３１に沿う水平方向で直線往復動させる。
　すなわち、被加工基板Ｗの被加工面とこれが当接する触媒層を形成したパッド５とを、相対回転させつつその回転軸に交差する平面内で相対往復動させる。これにより、被加工基板Ｗの被加工面が触媒支援型化学加工によって原子レベル程度の高い精度で平坦加工される。この際、左右の平坦加工部ＳＰ１，ＳＰ２の支持板４は同一直線上で互いに逆位相で往復移動（振動）させられるから、互いの振動が相殺されて基台１に対する起振力は十分に小さくなり、その振動が防止される。
　ここで、被加工基板Ｗが水貼り効果でパッド５の表面に吸着しても、当該パッド５の表面は微小な往復運動をしているだけであるから、従来のような大きな周回力を被加工基板に作用させることはなく、従来のように被加工基板がホルダから引き離されて外方のリテーナに挟まれ破損する等の問題は生じない。
（他の実施形態）　
　上記実施形態では、被加工基板を回転させ、パッドを直線往復動させたが、被加工基板を直線往復動させ、パッドを回転させるようにしても良い。この場合、回転は必ずしも必要では無く、さらに必ずしも直線動である必要は無い。また往復動でなく、一方への移動のみでも良い。
　往復駆動機構は上記実施形態のものに限られるものではなく、駆動モータの回転運動を直線往復運動に変える通常のクランク機構が使用できる。さらには、ボールねじ機構、磁力による吸引反発機構やシリンダ機構等を使用することもできる。
　上記実施形態において、基台をさらにボールねじ機構やカム機構等によって基台面に平行な方向へ往復移動させるようにしても良い。このようにすると、被加工基板の平坦化が中心部と外周部でより均等化される。上記基台の下にさらに他の基台を設けて当該他の基台をさらにボールねじ機構やカム機構等によって上記基台面に平行な方向へ往復移動させるようにしても良い。また、支持板４上にさらに他の支持板を設けて、当該他の支持板を上記支持板４の板面に平行な方向へ（例えば図１の紙面前後方向へ）往復移動させる機構を設けても良い。被加工物は基板のような板状のものに限定されない。面加工が出来る形状であればよい。触媒基準エッチングが成立可能な部品なども好ましい。このような形状の被加工物を対象とした場合でも，触媒支援型化学加工として触媒基準エッチングを行う場合には，上述したような「被加工物を打ち付けるような上下方向の振動」発生は問題視されるからである。「被加工物を打ち付けるような上下方向の振動」発生を防ぐべきことは，基板のような板状の被加工物を加工対象とする場合に限ったものではない。
　上記各実施形態ではホルダ６２を昇降移動させるようにしたが、支持板４を昇降移動させる構造としても良い。
　上記実施形態では液貯留用の容器内に別体のパッドを設けたが、パッド自体を容器状に形成して触媒反応に必要な液体を貯留できるようにしても良い。なお、液は必ずしも貯留する必要は無く、被加工基板とパッドの間にかけ流し状態としても良い。
　上記実施形態では第２駆動手段として駆動シリンダを使用したが、これに代えてボールねじ機構やロボットアーム等を使用することができる。
　上記実施形態では一対の同一構造同一重量の平坦加工部ＳＰ１，ＳＰ２を設けたが、一方を平坦加工部と同一重量のウエイト部としても良い。この場合のウエイト部は全体をウエイト体とする必要は無く、例えば平坦加工部の一部の部品を取り去ってそれと同重量のウエイト体を設けたものでも良い。なお、ウェイト部は加圧機構を利用したウェイト部でも良い。また、上記実施形態ではリンク板８３，８４によって軸体９の軸部９３，９４と支持板４を連結しているが、これに限られず、例えば各支持板４を軸体方向へ付勢する付勢部材を設けて、各支持板４の一端を各軸部９３，９４の外周に当接させる構造としても良い。
　上記実施形態では一対の支持板４を同一直線上で互いに反対方向へ往復移動させることによって移動時の反力によって生じる起振力が全体として実質的に零になるまで減殺されるようにしたが、支持板４（あるいはウエイト部）は必ずしも同一直線上にある必要は無く、例えば主駆動部の軸体を中心に周方向へ3個以上の複数の支持板（あるいはウエイト部）を等角度間隔で配置して内外方向へ同時に往復移動させるようにしても良い。
　要するに，上述したような「被加工物を打ち付けるような上下方向の振動」発生を防ぐように，当該上下方向の振動が装置に発生した場合（そのような重心位置の変動が装置に発生した場合）に，当該装置の振動（重心位置の変動）の全部又は少なくとも一部を打ち消す向きに，ウエイト部が移動可能であればよい。この場合，打ち消したい対象である「上下方向の振動」に対して，これを直接打ち消す向きにウエイトを移動させても良いし，このような「上下方向の振動」を引き起こす原因とされる振動（装置の重心位置の変動）があれば，その振動を打ち消す向きにウエイトを移動させても良い。
　触媒反応に必要な液体に代えて気体を使用しても良い。または液体と気体を一緒に使用しても良い。上記実施形態ではホルダ６２および支持板４を上下方向に対向させて配設したが、左右方向で対向させて位置させても良い。触媒反応に少なくとも気体やミストを使用する場合には、ホルダ６２を下方に支持板４を上方に設けても良く、これに伴う必要な構成の配置変更は本発明の要旨を逸脱しない範囲で上下左右方向に変更しても良い。駆動モータ８２の出力軸８２１との結合は、カップリングやベルト、歯車を使った接続でも良い。ホルダ６２はバイトなどで掴んだりネジ止めや治具で挟んだり凹凸や穴にはめ込む等の構造でも良い。
　上記実施形態では、支持板４を同一直線上で互いに逆位相で往復移動させたが、必ずしも同一直線上で往復移動させる必要は無い。その一例を図４に示す。図４の各符号は既に説明した上記実施形態と同様である。図４において、各支持板４の屈曲する内端は軸体９の偏心した軸部９３，９４（図３参照）にそれぞれ相対回動可能に連結されている。各支持板４は基台1上に設けた摺動台１１上に載置されており、各支持板４の外端は基台１側に偏心状態で相対回転可能に立設された軸体１２の上端に摺動回転可能に嵌装されている。このような構造によれば、駆動モータ８２の回転に伴って各支持板４は平面視で長円形の範囲で互いに逆位相で往復移動する。これにより、各支持板４を直線往復動させる上記実施形態に比して支持板４（すなわちパッド５（図２参照））の移動範囲が広がるから、被加工基板Ｗの表面均一化の範囲（面積）を拡大することができる。
　図５には図４と同じ動作を実現できる他の構造を示す。摺動台１１上に載置された各基板４の屈曲する内端は、軸体９の偏心した軸部（図３の軸部９３，９４を参照）に相対回動可能に連結されており、一方、各基板４の外端はモータ１３によって回転駆動される偏心軸１３１に摺動回転可能に嵌装されている。両モータ１３を同期回転させることによって、各支持板４を平面視で長円形の範囲で互いに逆位相で往復移動させることができる。なお、軸体９は図５に示すように基台１側に固定しても、あるいはモータ１３と同期させたモータで回転駆動させても良い。
　図６には図４と同じ動作を実現できるさらに他の構造を示す。摺動台１１上に載置された各基板４の屈曲する内端は、それぞれ軸体９Ａ、９Ｂの偏心した軸部（図３の軸部９３，９４を参照）に相対回動可能に連結されており、一方、各基板４の外端はモータ１３によって回転駆動される偏心軸１３１に摺動回転可能に嵌装されている。両モータ１３を同期回転させることによって、各支持板４を平面視で長円形の範囲で互いに逆位相で往復移動させることができる。なお、軸体９Ａ，９Ｂは図６に示すように基台１側に固定しても、あるいはモータ１３と同期させたモータで回転駆動させても良い。
　なお，上記実施形態によれば，次のような動作方法及び加工物の製造方法であってもよいことは言うまでもない。
　被加工物、ないし少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の一方を保持する第１保持手段と、前記被加工物ないし前記触媒体の他方を保持してその表面を、前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面に当接ないし近接させる第２保持手段と、前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の他方の表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動可能とする案内部材とを備えた平坦加工部を有するとともに、少なくとも一つのウエイト部を有し、かつ、前記平坦加工部の前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させる主駆動部を有する平坦加工装置の動作方法。
　被加工物、ないし少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の一方を保持する第１保持手段と、前記第１保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面内で当該表面に交差する軸回りに回転させる第１駆動手段と、前記被加工物ないし前記触媒体の他方を保持してその表面を、前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面に当接ないし近接させる第２保持手段と、前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の他方の表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動可能とする案内部材とを備えた平坦加工部を有するとともに、少なくとも一つのウエイト部を有し、かつ、前記平坦加工部の前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させる主駆動部を有する平坦加工装置の動作方法。
　被加工物、ないし少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の一方を保持する第１保持手段と、前記第１保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面内で当該表面に交差する軸回りに回転させる第１駆動手段と、前記被加工物ないし前記触媒体の他方を保持してその表面を、前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面に対向位置させる第２保持手段と、前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の他方の表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ往復移動可能とする案内部材と、前記第１保持手段ないし前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の表面に交差する方向へ前進させて前記被加工物の表面と前記触媒体の表面を互いに当接ないし近接させる第２駆動手段とを備えた平坦加工部を有するとともに、少なくとも一つのウエイト部を有し、かつ、前記平坦加工部の前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させる主駆動部を有する平坦加工装置の動作方法。
　被加工物、ないし少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の一方を保持する第１保持手段と、前記被加工物ないし前記触媒体の他方を保持してその表面を、前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面に当接ないし近接させる第２保持手段と、前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の他方の表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動可能とする案内部材とを有する平坦加工部と、少なくとも一つのウエイト部とを備え、前記平坦加工部の前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させることを特徴とする加工物の製造方法。
　被加工物、ないし少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の一方を保持する第１保持手段と、前記第１保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面内で当該表面に交差する軸回りに回転させる第１駆動手段と、前記被加工物ないし前記触媒体の他方を保持してその表面を、前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面に当接ないし近接させる第２保持手段と、前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の他方の表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動可能とする案内部材とを有する平坦加工部と、少なくとも一つのウエイト部とを備え、前記平坦加工部の前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させることを特徴とする加工物の製造方法。
　被加工物、ないし少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の一方を保持する第１保持手段と、前記第１保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面内で当該表面に交差する軸回りに回転させる第１駆動手段と、前記被加工物ないし前記触媒体の他方を保持してその表面を、前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面に対向位置させる第２保持手段と、前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の他方の表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ往復移動可能とする案内部材と、前記第１保持手段ないし前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の表面に交差する方向へ前進させて前記被加工物の表面と前記触媒体の表面を互いに当接ないし近接させる第２駆動手段とを有する平坦加工部と、少なくとも一つのウエイト部とを備え、前記平坦加工部の前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させることを特徴とする加工物の製造方法。
　さらに、上記実施形態によれば，次のような装置，動作方法及び加工物の製造方法であってもよいことは言うまでもない。
　以下，［００４７］欄の[2]，[4]，[6]でいう「前記触媒体の表面に平行な方向に対して垂直な方向」への移動とは，例えば，前述した「被加工物を打ち付けるような上下方向」の振動に対応するものであり，上記実施形態において，本来的に直接的に相殺したい振動に相当する移動である。上記実施形態でいうと，主軸６に沿った方向（上下方向）の振動に相当する移動を意味する。
　[1]，[3]，[5]でいう「前記触媒体の表面に平行な方向の成分」への移動とは，例えば，前述した「被加工物を打ち付けるような上下方向」の振動を引き起こす起因になっている移動である。上記実施形態でいうと，一方の平坦加工部の往復移動方向（水平方向）への移動を意味する。
　[1]～[6]でいう「装置の重心位置の変動の全部又は少なくとも一部を打ち消す向き」は，例えば，前述した「移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺される」ことを意味する。これを[1]，[3]，[5]について上記実施形態でいうと，一方の平坦加工部（例えば，平坦加工部ＳＰ１）の移動に対して，他方の平坦加工部（例えば，平坦加工部ＳＰ２）を，同一直線上で互いに逆位相で往復させることを意味する。
 [1]被加工物及び該被加工物に対向させる少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の少なくとも一方が，第１位置から少なくとも前記触媒体の表面に平行な方向の成分を含む向きに位置する第２位置へ移動する場合に，該移動に伴う装置の重心位置の変動の全部又は少なくとも一部を打ち消す向きに移動可能であるウエイト部を有する，平坦加工装置。
 [2]被加工物及び該被加工物に対向させる少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の少なくとも一方を，第１位置から少なくとも前記触媒体の表面に平行な方向に対して垂直な方向の成分を含む向きに位置する第２位置へ移動させるように動作する手段と，該動作する手段の動作に伴う装置の重心位置の変動の全部又は少なくとも一部を打ち消す向きに移動可能であるウエイト部と，を有する平坦加工装置。
 [3]被加工物及び該被加工物に対向させる少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の少なくとも一方が，第１位置から少なくとも前記触媒体の表面に平行な方向の成分を含む向きに位置する第２位置へ移動する場合に，該移動に伴う装置の重心位置の変動の全部又は少なくとも一部を打ち消す向きにウエイト部を移動させる，平坦加工装置の動作方法。
 [4]被加工物及び該被加工物に対向させる少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の少なくとも一方を，第１位置から少なくとも前記触媒体の表面に平行な方向に対して垂直な方向の成分を含む向きに位置する第２位置へ移動させるように動作する場合に，該動作に伴う装置の重心位置の変動の全部又は少なくとも一部を打ち消す向きにウエイト部を移動させる，平坦加工装置の動作方法。
 [5]被加工物及び該被加工物に対向させる少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の少なくとも一方が，第１位置から少なくとも前記触媒体の表面に平行な方向の成分を含む向きに位置する第２位置へ移動する場合に，該移動に伴う装置の重心位置の変動の全部又は少なくとも一部を打ち消す向きにウエイト部を移動させて，該被加工物に平坦加工を行う，加工物の製造方法。
 [6]被加工物及び該被加工物に対向させる少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の少なくとも一方を，第１位置から少なくとも前記触媒体の表面に平行な方向に対して垂直な方向の成分を含む向きに位置する第２位置へ移動させるように動作する場合に，該動作に伴う装置の重心位置の変動の全部又は少なくとも一部を打ち消す向きにウエイト部を移動させて，該被加工物に平坦加工を行う，加工物の製造方法。
 [7]被加工物及び該被加工物に対向させる少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の少なくとも一方が，第１位置から少なくとも前記触媒体の表面に平行な方向の成分を含む向きに位置する第２位置へ移動する場合に，該移動に伴う装置の重心位置の変動の全部又は少なくとも一部を打ち消す向きにウエイト部を移動させるものであり，
　　前記第１位置から前記第２位置へ移動することによる前記重心位置の変動の向きと前記ウエイト部の移動による前記重心位置の変動の向きが，前記触媒体の表面に垂直な方向から見た場合に同一直線上にあることを含む，平坦加工装置の動作方法。
 [8]前記第１位置から前記第２位置への移動の向きは，更に，前記触媒体の表面に平行な方向に対して垂直な方向の成分を含む，[3]又は[7]に記載の平坦加工装置の動作方法。
 [9]前記ウエイト部の移動は，
　　前記被加工物と別の被加工物及び該別の被加工物に対向させる少なくとも表面に触媒層を有する前記触媒体と別の触媒体の少なくとも一方が，第３位置から少なくとも前記別の触媒体の表面に平行な方向の成分を含む向きに位置する第４位置へ移動することである，［3］,[7]又は[8]に記載の平坦加工装置の動作方法。
 [10]被加工物及び該被加工物に対向させる少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の少なくとも一方が，第１位置から少なくとも前記触媒体の表面に平行な方向の成分を含む向きに位置する第２位置へ移動する場合に，該移動に伴う装置の重心位置の変動の全部又は少なくとも一部を打ち消す向きにウエイト部を移動させて，該被加工物に平坦加工を行うものであり，
　　前記第１位置から前記第２位置へ移動することによる前記重心位置の変動の向きと前記ウエイト部の移動による前記重心位置の変動の向きが，前記触媒体の表面に垂直な方向から見た場合に同一直線上にあることを含む，加工物の製造方法。
 [11]前記第１位置から前記第２位置への移動の向きは，更に，前記触媒体の表面に平行な方向に対して垂直な方向の成分を含む，［5］又は[10]に記載の加工物の製造方法。
 [12]前記ウエイト部の移動は，
　　前記被加工物と別の被加工物及び該別の被加工物に対向させる少なくとも表面に触媒層を有する前記触媒体と別の触媒体の少なくとも一方が，第３位置から少なくとも前記別の触媒体の表面に平行な方向の成分を含む向きに位置する第４位置へ移動することである，［5］，[10]又は[11]に記載の加工物の製造方法。
 [13]被加工物及び該被加工物に対向させる少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の少なくとも一方を，第１位置から少なくとも前記触媒体の表面に平行な方向の成分を含む向きに位置する第２位置へ移動させる手段と，該移動に伴う装置の重心位置の変動の全部又は少なくとも一部を打ち消す向きに移動可能であるウエイト部と，を有し，
　　前記第１位置から前記第２位置へ移動させることによる前記重心位置の変動の向きと前記ウエイト部の移動による前記重心位置の変動の向きが，前記触媒体の表面に垂直な方向から見た場合に同一直線上にあることを含む，平坦加工装置。
 [14]前記第１位置から前記第２位置への移動の向きは，更に，前記触媒体の表面に平行な方向に対して垂直な方向の成分を含む，［1］又は[13]に記載の平坦加工装置。
 [15]前記ウエイト部は，
　　前記被加工物と別の被加工物及び該別の被加工物に対向させる少なくとも表面に触媒層を有する前記触媒体と別の触媒体の少なくとも一方を，第３位置から少なくとも前記別の触媒体の表面に平行な方向の成分を含む向きに位置する第４位置へ移動させる手段を更に有する，［１］，[13]又は[14]に記載の平坦加工装置。
　本発明の適用範囲は前述したように触媒支援型化学加工方法を利用した平坦加工に限られないのであり、この場合には以下の構成を採用することができる。
[16] 被加工物、ないし少なくともパッドの一方を保持する第１保持手段と、前記被加工物ないし前記パッドの他方を保持してその表面を、前記被加工物ないし前記パッドの一方の表面に当接ないし近接させる第２保持手段と、前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記パッドの他方の表面に平行な方向で少なくとも化学反応による平坦化が可能な量だけ移動可能とする案内部材とを備えた平坦加工部を有するとともに、少なくとも一つのウエイト部を有し、かつ、前記平坦加工部の前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させる主駆動部を有する平坦加工装置。
[17] 被加工物、ないし少なくともパッドの一方を保持する第１保持手段と、前記第１保持手段を前記被加工物ないし前記パッドの一方の表面内で当該表面に交差する軸回りに回転させる第１駆動手段と、前記被加工物ないし前記パッドの他方を保持してその表面を、前記被加工物ないし前記パッドの一方の表面に当接ないし近接させる第２保持手段と、前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記パッドの他方の表面に平行な方向で少なくとも化学反応による平坦化が可能な量だけ移動可能とする案内部材とを備えた平坦加工部を有するとともに、少なくとも一つのウエイト部を有し、かつ、前記平坦加工部の前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させる主駆動部を有する平坦加工装置。
[18] 被加工物、ないし少なくともパッドの一方を保持する第１保持手段と、前記第１保持手段を前記被加工物ないし前記パッドの一方の表面内で当該表面に交差する軸回りに回転させる第１駆動手段と、前記被加工物ないし前記パッドの他方を保持してその表
面を、前記被加工物ないし前記パッドの一方の表面に対向位置させる第２保持手段と、前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記パッドの他方の表面に平行な方向で少なくとも化学反応による平坦化が可能な量だけ往復移動可能とする案内部材と、前記第１保持手段ないし前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記パッドの表面に交差する方向へ前進させて前記被加工物の表面と前記パッドの表面を互いに当接ないし近接させる第２駆動手段とを備えた平坦加工部を有するとともに、少なくとも一つのウエイト部を有し、かつ、前記平坦加工部の前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させる主駆動部を有する平坦加工装置。
[19] 前記主駆動部は、その軸体を中心に前記第２保持手段と前記ウエイト部とを周方向へ２個以上互いに間隔をおいて配置して前記第２保持手段および前記ウエイト部を内外方向へ同時に往復移動させるものである[16] ないし[18]のいずれか一つに記載の平坦加工装置。
[20] 前記主駆動部は、前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、同一平面上で互いに逆位相で反対方向に移動させるものである[16] ないし[19]のいずれか一つに記載の平坦加工装置。
[21] 前記主駆動部は、前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、同一直線上で互いに逆位相で反対方向に移動させるものである[16] ないし[20]のいずれか一つに記載の平坦加工装置。
[22]前記ウエイト部が平坦加工の機能を備えている他の平坦加工部である[16] ないし[21]のいずれか一つに記載の平坦加工装置
[23] 前記主駆動部は、駆動モータと、当該駆動モータの出力軸の軸心から径方向へ同量離れた互いに対称位置に設けられて出力軸の回転と共に旋回移動する一対の軸部とを有し、前記第２保持手段ないし前記ウエイト部が前記一対の軸部にそれぞれ連携して往復移動させられるようになっている[20] ないし[22]のいずれか一つに記載の平坦加工装置。
　１…基台、３…リニアガイド（案内部材）、４…支持板（第２保持手段）、５…パッド（触媒体）、７１…駆動モータ（第１駆動手段）、６２…ホルダ（第１保持手段）、７２…駆動シリンダ（第２駆動手段）、８２…駆動モータ、９３，９４…軸部、ＳＰ１，ＳＰ２…平坦加工部、ＰＤ…主駆動部、Ｗ…被加工物。

Claims (8)

  1. 被加工物、ないし少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の一方を保持する第１保持手段と、前記被加工物ないし前記触媒体の他方を保持してその表面を、前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面に当接ないし近接させる第２保持手段と、前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の他方の表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動可能とする案内部材とを備えた平坦加工部を有するとともに、少なくとも一つのウエイト部を有し、かつ、前記平坦加工部の前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させる主駆動部を有する平坦加工装置。
  2. 被加工物、ないし少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の一方を保持する第１保持手段と、前記第１保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面内で当該表面に交差する軸回りに回転させる第１駆動手段と、前記被加工物ないし前記触媒体の他方を保持してその表面を、前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面に当接ないし近接させる第２保持手段と、前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の他方の表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ移動可能とする案内部材とを備えた平坦加工部を有するとともに、少なくとも一つのウエイト部を有し、かつ、前記平坦加工部の前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させる主駆動部を有する平坦加工装置。
  3. 被加工物、ないし少なくとも表面に触媒層を有する触媒体の一方を保持する第１保持手段と、前記第１保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面内で当該表面に交差する軸回りに回転させる第１駆動手段と、前記被加工物ないし前記触媒体の他方を保持してその表面を、前記被加工物ないし前記触媒体の一方の表面に対向位置させる第２保持手段と、前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の他方の表面に平行な方向で少なくとも触媒反応による平坦化が可能な量だけ往復移動可能とする案内部材と、前記第１保持手段ないし前記第２保持手段を前記被加工物ないし前記触媒体の表面に交差する方向へ前進させて前記被加工物の表面と前記触媒体の表面を互いに当接ないし近接させる第２駆動手段とを備えた平坦加工部を有するとともに、少なくとも一つのウエイト部を有し、かつ、前記平坦加工部の前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、これらの移動時の反力によって生じる起振力が全体として減殺されるようにそれぞれ移動させる主駆動部を有する平坦加工装置。
  4. 前記主駆動部は、その軸体を中心に前記第２保持手段と前記ウエイト部とを周方向へ２個以上互いに間隔をおいて配置して前記第２保持手段および前記ウエイト部を内外方向へ同時に往復移動させるものである請求項１ないし３のいずれか一つに記載の平坦加工装置。
  5. 前記主駆動部は、前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、同一平面上で互いに逆位相で反対方向に移動させるものである請求項１ないし４のいずれか一つに記載の平坦加工装置。
  6. 前記主駆動部は、前記第２保持手段と前記ウエイト部とを、同一直線上で互いに逆位相で反対方向に移動させるものである請求項１ないし５のいずれか一つに記載の平坦加工装置。
  7. 前記ウエイト部が平坦加工の機能を備えている他の平坦加工部である請求項１ないし６のいずれか一つに記載の平坦加工装置
  8. 前記主駆動部は、駆動モータと、当該駆動モータの出力軸の軸心から径方向へ同量離れた互いに対称位置に設けられて出力軸の回転と共に旋回移動する一対の軸部とを有し、前記第２保持手段ないし前記ウエイト部が前記一対の軸部にそれぞれ連携して往復移動させられるようになっている請求項５ないし７のいずれか一つに記載の平坦加工装置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6187948B1 (ja) * 2016-03-11 2017-08-30 東邦エンジニアリング株式会社 平坦加工装置、その動作方法および加工物の製造方法
WO2020044927A1 (ja) * 2018-08-31 2020-03-05 東邦エンジニアリング株式会社 触媒基準装置
JP2020097022A (ja) * 2018-12-17 2020-06-25 株式会社荏原製作所 触媒基準エッチングに使用される触媒、触媒を備える処理パッド、および触媒基準エッチング装置
CN112405330B (zh) * 2020-12-08 2021-09-07 杭州众硅电子科技有限公司 一种抛光装置
CN112720130B (zh) * 2020-12-29 2022-09-06 内蒙古长城计算机系统有限公司 一种计算机外壳毛刺打磨装置
CN116786079B (zh) * 2023-04-04 2024-03-08 天津市科碳环保工程有限公司 一种活性炭再生活化处理加工设备

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002283226A (ja) * 2001-03-28 2002-10-03 Mitsubishi Materials Silicon Corp 研磨装置
JP2004223636A (ja) * 2003-01-21 2004-08-12 Nikon Corp 研磨方法、研磨装置、研磨シミュレーション方法、半導体デバイス、及び半導体デバイスの製造方法
JP2008049430A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ウエハーの研磨方法
JP2009117782A (ja) * 2007-10-15 2009-05-28 Ebara Corp 平坦化方法及び平坦化装置
JP2013255961A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Takatori Corp 基板の研磨装置
JP2015514599A (ja) * 2012-04-27 2015-05-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 化学機械研磨中のアクティブ基板歳差運動のための方法および装置
WO2015159973A1 (ja) * 2014-04-18 2015-10-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法

Family Cites Families (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5245790A (en) 1992-02-14 1993-09-21 Lsi Logic Corporation Ultrasonic energy enhanced chemi-mechanical polishing of silicon wafers
EP0641626B1 (fr) * 1993-09-06 1997-10-01 Voumard Machines Co. S.A. Procédé et dispositif d'usinage, notamment rectifieuse avec mouvement oscillant équilibré
US5938504A (en) 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
KR100219499B1 (ko) * 1996-10-30 1999-10-01 윤종용 씨.엠.피(cmp) 장치 및 그를 이용한 평탄화 방법
TW375550B (en) 1997-06-19 1999-12-01 Komatsu Denshi Kinzoku Kk Polishing apparatus for semiconductor wafer
US5957754A (en) * 1997-08-29 1999-09-28 Applied Materials, Inc. Cavitational polishing pad conditioner
JP2000158331A (ja) 1997-12-10 2000-06-13 Canon Inc 基板の精密研磨方法および装置
JP2000033555A (ja) 1998-07-17 2000-02-02 Sony Corp 研磨装置
JP4122103B2 (ja) * 1999-02-17 2008-07-23 不二越機械工業株式会社 ウェーハの研磨装置
US7516536B2 (en) 1999-07-08 2009-04-14 Toho Engineering Kabushiki Kaisha Method of producing polishing pad
US6869343B2 (en) 2001-12-19 2005-03-22 Toho Engineering Kabushiki Kaisha Turning tool for grooving polishing pad, apparatus and method of producing polishing pad using the tool, and polishing pad produced by using the tool
US6722963B1 (en) 1999-08-03 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with a carrier and membrane
JP2001345297A (ja) 2000-05-30 2001-12-14 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法及び研磨装置
US6540590B1 (en) 2000-08-31 2003-04-01 Multi-Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and method having a rotating retaining ring
US6527625B1 (en) 2000-08-31 2003-03-04 Multi-Planar Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus and method having a soft backed polishing head
US6585562B2 (en) 2001-05-17 2003-07-01 Nevmet Corporation Method and apparatus for polishing control with signal peak analysis
WO2003083918A1 (fr) 2002-04-03 2003-10-09 Toho Engineering Kabushiki Kaisha Tampon a polir et procede de fabrication de substrat a semi-conducteurs utilisant ce tampon a polir
JP2004017229A (ja) 2002-06-18 2004-01-22 Shimadzu Corp 基板研磨装置
JP4309680B2 (ja) * 2003-03-04 2009-08-05 キヤノンマシナリー株式会社 反力減衰駆動装置
JP2004327561A (ja) * 2003-04-22 2004-11-18 Ebara Corp 基板処理方法及び基板処理装置
US20050247673A1 (en) 2004-05-07 2005-11-10 International Business Machines Corporation Confinement of fluids on surfaces
JP4506399B2 (ja) 2004-10-13 2010-07-21 株式会社荏原製作所 触媒支援型化学加工方法
JP3872081B2 (ja) 2004-12-29 2007-01-24 東邦エンジニアリング株式会社 研磨用パッド
JP4838614B2 (ja) * 2006-03-29 2011-12-14 株式会社岡本工作機械製作所 半導体基板の平坦化装置および平坦化方法
JP4873694B2 (ja) 2006-04-12 2012-02-08 国立大学法人 熊本大学 触媒支援型化学加工方法
JP2008081389A (ja) 2006-08-28 2008-04-10 Osaka Univ 触媒支援型化学加工方法及び装置
JP2008136983A (ja) 2006-12-05 2008-06-19 Osaka Univ 触媒支援型化学加工方法及び加工装置
JP5007384B2 (ja) 2006-10-18 2012-08-22 株式会社荏原製作所 触媒支援型化学加工方法及び装置
US7651625B2 (en) 2006-08-28 2010-01-26 Osaka University Catalyst-aided chemical processing method and apparatus
JP2008166709A (ja) * 2006-12-05 2008-07-17 Ebara Corp 基板研磨装置、及び基板研磨設備
JP5433954B2 (ja) 2008-02-08 2014-03-05 株式会社ニコン 研磨装置
JP5632132B2 (ja) 2009-02-27 2014-11-26 株式会社荏原製作所 基板処理方法
JP5493781B2 (ja) * 2009-12-01 2014-05-14 株式会社ジェイテクト 複合研削盤における回転バランス調整方法
KR101754550B1 (ko) 2009-12-15 2017-07-05 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸 연마 공구 및 연마 장치
JP4680314B1 (ja) 2010-02-04 2011-05-11 東邦エンジニアリング株式会社 研磨パッド用補助板およびそれを用いた研磨パッドの再生方法
JP2012235072A (ja) 2011-05-09 2012-11-29 Sumco Corp ウェーハ表面処理方法
JP5789869B2 (ja) 2011-07-28 2015-10-07 東邦エンジニアリング株式会社 研磨パッド用補助板および研磨パッド用補助板を備えた研磨装置
CN104979184B (zh) * 2011-10-07 2018-02-02 旭硝子株式会社 碳化硅单晶基板及研磨液
JP5935168B2 (ja) * 2012-08-20 2016-06-15 東邦エンジニアリング株式会社 基板研磨装置
JP6282437B2 (ja) * 2012-10-18 2018-02-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 研磨パッドコンディショナ用ダンパ
US9815170B2 (en) 2013-07-19 2017-11-14 Nagoya Institute Of Technology Metallic abrasive pad and method for manufacturing same
JP6206847B2 (ja) 2014-03-12 2017-10-04 国立大学法人大阪大学 ワイドバンドギャップ半導体基板の加工方法及びその装置
US10199242B2 (en) 2014-12-31 2019-02-05 Osaka University Planarizing processing method and planarizing processing device
JP6187948B1 (ja) * 2016-03-11 2017-08-30 東邦エンジニアリング株式会社 平坦加工装置、その動作方法および加工物の製造方法
KR20170115217A (ko) * 2016-04-06 2017-10-17 삼성전자주식회사 연마 패드 측정 장치 및 이를 이용한 화학적 기계적 연마 설비

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002283226A (ja) * 2001-03-28 2002-10-03 Mitsubishi Materials Silicon Corp 研磨装置
JP2004223636A (ja) * 2003-01-21 2004-08-12 Nikon Corp 研磨方法、研磨装置、研磨シミュレーション方法、半導体デバイス、及び半導体デバイスの製造方法
JP2008049430A (ja) * 2006-08-24 2008-03-06 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ウエハーの研磨方法
JP2009117782A (ja) * 2007-10-15 2009-05-28 Ebara Corp 平坦化方法及び平坦化装置
JP2015514599A (ja) * 2012-04-27 2015-05-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 化学機械研磨中のアクティブ基板歳差運動のための方法および装置
JP2013255961A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Takatori Corp 基板の研磨装置
WO2015159973A1 (ja) * 2014-04-18 2015-10-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法

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