JP2020097022A - 触媒基準エッチングに使用される触媒、触媒を備える処理パッド、および触媒基準エッチング装置 - Google Patents
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Abstract
Description
せるための揺動アーム50と、触媒をコンディショニングするためのコンディショニング部60と、制御装置90と、を備えている。テーブル20は、基板の一種としてのウェハWfを保持するように構成されている。一実施形態において、基板はSi基板とすることができ、処理対象面はSi基板上に形成されたSiO2膜とすることができる。また、一実施形態において、処理対象面は、SiC基板やSiC膜のような他のSi系材料や金属の膜でもよい。図1に示される実施形態では、テーブル20は、ウェハWfの被処理面が上方を向くようにウェハWfを保持する。
、その場合、各ノズルから異なる処理液PLを供給しても良い。また、エッチング処理後にCARE装置10において、ウェハWf表面の洗浄を行う場合、ノズル40からは洗浄用薬液や水を供給しても良い。さらに、ノズル40は、ヘッド30の内部を通って、処理パッドおよび触媒31の表面から処理液PLを供給するように構成してもよい(図3参照)。
から放射状に延びる溝のパターンや、同心円状の複数の溝が形成されるパターンや、これらの組み合わせとすることができる。
ましく、10原子量%から50原子量%の含有率が更に望ましい。
を示している。図13は、NiベースにTiを添加した合金触媒を用いてCARE処理した場合における処理回数に対するSiO2膜の除去速度を示している。図13の横軸は処理回数であり、縦軸は除去速度(nm/min)である。図13に示されるように、Ni単体を触媒として使用した場合(Ti at.0%)、処理回数にともない除去速度は単調に低下している。一方、NiにTiを添加したNi−Ti合金触媒においては、少なくとも2回目の処理以降において除去速度は比較的に安定している。図13に示される結果の一部においては、触媒に電位を与えて処理を行っている。図13に示されるように、Ni−Ti合金触媒においては電位を与えても除去速度はあまり変化しない。
[形態1]形態1によれば、触媒基準エッチングに使用される触媒が提供され、かかる触媒は、処理対象物にエッチングを促進させる第1元素と、エッチングにより生じたエッチング生成物が吸着、および/または前記第1元素が変質するのを抑制する第2元素と、を有する。
20…テーブル
21…壁
30…ヘッド
31…触媒
32…弾性部材
33…圧力室
40…ノズル
50…揺動アーム
90…制御装置
314…処理パッド
318…触媒電極
320…カウンター電極
335…通路
336…開口部
PL…処理液
Wf…ウェハ
Claims (13)
- 触媒基準エッチングに使用される触媒であって、
処理対象物にエッチングを促進させる第1元素と、
エッチングにより生じたエッチング生成物が吸着、および/または前記第1元素が変質するのを抑制する第2元素と、を有する、
触媒。 - 請求項1に記載の触媒であって、
前記触媒は前記第1元素および前記第2元素を含む合金または混合物である、
触媒。 - 請求項2に記載の触媒であって、
前記第1元素は、ニッケル(Ni)またはルテニウム(Ru)である、
触媒。 - 請求項1から3のいずれか一項に記載の触媒であって、前記第2元素は、前記第2元素単体を触媒として触媒基準エッチング処理をした場合において処理時間にともなう除去速度の低下量が、前記第1元素単体を触媒として触媒基準エッチング処理をした場合において処理時間にともなう除去速度の低下量よりも小さい、元素である、
触媒。 - 請求項1から4のいずれか一項に記載の触媒であって、
前記第2元素は、アルミニウム、チタン、バナジウム、クロム、銅、モリブデン、ロジウム、タングステン、イリジウム、および白金からなるグループから選択される、
触媒。 - 触媒基準エッチングに使用されるヘッドであって、
処理パッドを有し、
前記処理パッドの表面に請求項1から5のいずれか一項に記載の触媒を有する、
ヘッド。 - 請求項6に記載のヘッドであって、
前記処理パッドは非弾性部材を有し、
前記触媒は前記非弾性部材の上に配置されている、
ヘッド。 - 請求項7に記載のヘッドであって、
前記ヘッドは圧力室を画定する弾性部材を有し、
前記非弾性部材は前記弾性部材に取り付けられている、
ヘッド。 - 請求項6から8のいずれか一項に記載のヘッドであって、
前記ヘッドは、処理液を処理対象物上に供給するための開口部を備える、
ヘッド。 - 触媒基準エッチング方法であって、
請求項1から5のいずれか一項に記載の触媒を準備する工程と、
処理液の存在下で前記触媒を処理対象物に接触または近接させる工程と、を有する、
触媒基準エッチング方法。 - 請求項10に記載の触媒基準エッチング方法であって、
前記処理液は塩基性である、
触媒基準エッチング方法。 - 請求項10または11に記載の触媒基準エッチング方法であって、
前記触媒に電圧を印加する工程を有する、
触媒基準エッチング方法。 - 請求項10から12のいずれか一項に記載の触媒基準エッチング方法であって、
前記触媒と処理対象物とを接触または近接させた状態で、相対的に運動させる工程を有する、
触媒基準エッチング方法。
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