JP4506399B2 - 触媒支援型化学加工方法 - Google Patents
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Description
ここで、ハロゲンを含む分子がハロゲン化水素であり、前記触媒の表面でハロゲン化水素を分子解離してハロゲンラジカルを生成してなることが好ましい(請求項2)。更に、前記ハロゲン化水素が、フッ化水素又は塩化水素であることがより好ましい(請求項3)。
そして、前記加工基準面の形状又はパターンを被加工物の加工面に転写してなること(請求項4)、更に前記加工基準面の形状又はパターンを被加工物の加工面に転写することにより、被加工物の加工面の平坦化を行うこと(請求項5)、合成樹脂基材の表面にめっき若しくはコーティングによって前記触媒の薄膜を形成した加工治具を用いて加工すること(請求項6)、合成樹脂基材に前記触媒の粉末を混合し、該触媒粉末の一部が表面に露出した加工治具を用いて加工すること(請求項7)、不織布の隙間に前記触媒の粉末を担持した加工治具又は前記触媒を表面にめっき若しくはコーティングした繊維で形成した不織布からなる加工治具を用いて加工すること(請求項8)も好ましい。そして、本発明は、前記被加工物がSiC若しくはサファイヤからなるとより効果を発揮する(請求項9)。
あるいは、本発明は、被加工物に対して常態では溶解性を示さないハロゲンを含む分子が溶けた処理液中に該被加工物を配し、合成樹脂基材に白金、金又はセラミックス系固体触媒からなる触媒の粉末を混合して作成し、該触媒粉末の一部が表面に露出した加工治具を被加工物の加工面に接触若しくは極接近させて配し、前記触媒の表面で生成したハロゲンラジカルと被加工物の表面原子との化学反応で生成したハロゲン化合物を、溶出させることによって被加工物を加工することを特徴とする触媒支援型化学加工方法を提供する(請求項11)。
あるいは、本発明は、被加工物に対して常態では溶解性を示さないハロゲンを含む分子が溶けた処理液中に該被加工物を配し、不織布の隙間に白金、金又はセラミックス系固体触媒からなる触媒の粉末を担持した加工治具又は前記触媒を表面にめっき若しくはコーティングした繊維で形成した不織布からなる加工治具を被加工物の加工面に接触若しくは極接近させて配し、前記触媒の表面で生成したハロゲンラジカルと被加工物の表面原子との化学反応で生成したハロゲン化合物を、溶出させることによって被加工物を加工することを特徴とする触媒支援型化学加工方法を提供する(請求項12)。
ここで、ハロゲンを含む分子がハロゲン化水素であり、前記触媒の表面でハロゲン化水素を分子解離してハロゲンラジカルを生成してなること(請求項13)、特に前記ハロゲン化水素が、フッ化水素又は塩化水素であること(請求項14)が好ましく、また前記加工治具は、前記触媒によって加工基準面の表面を形成し、該基準面の形状又はパターンを被加工物の加工面に転写してなることがより好ましい(請求項15)。
また、合成樹脂基材の表面にめっき若しくはコーティングによって前記触媒の薄膜を形成した加工治具、合成樹脂基材に前記触媒の粉末を混合し、該触媒粉末の一部が表面に露出した加工治具、不織布の隙間に前記触媒の粉末を担持した加工治具又は前記触媒を表面にめっき若しくはコーティングした繊維で形成した不織布からなる加工治具等を用いて加工することも可能であり、この場合には従来の研磨加工、ラッピング加工と同様な加工形態を実現することができる。
2 被加工物の加工表面
3 加工容器
4 試料台
5 SiCウエハ
6 支持棒
7 白金線
10 ポリッシング装置
11 容器
12 定盤
13 回転軸
14 ホルダー
15 供給パイプ
16 回収パイプ
Claims (15)
- 被加工物に対して常態では溶解性を示さないハロゲンを含む分子が溶けた処理液中に該被加工物を配し、少なくとも表面が白金、金又はセラミックス系固体触媒からなる加工基準面を被加工物の加工面に接触若しくは極接近させて配し、前記処理液中で被加工物と前記加工基準面を相対運動させることにより、前記加工基準面の表面で生成したハロゲンラジカルと被加工物の表面原子との化学反応で生成したハロゲン化合物を、溶出させることによって被加工物を加工することを特徴とする触媒支援型化学加工方法。
- ハロゲンを含む分子がハロゲン化水素であり、前記触媒の表面でハロゲン化水素を分子解離してハロゲンラジカルを生成してなる請求項1記載の触媒支援型化学加工方法。
- 前記ハロゲン化水素が、フッ化水素又は塩化水素である請求項2記載の触媒支援型化学加工方法。
- 前記加工基準面の形状又はパターンを被加工物の加工面に転写してなる請求項1〜3何れかに記載の触媒支援型化学加工方法。
- 前記加工基準面の形状又はパターンを被加工物の加工面に転写することにより、被加工物の加工面の平坦化を行う請求項4記載の触媒支援型化学加工方法。
- 合成樹脂基材の表面にめっき若しくはコーティングによって前記触媒の薄膜を形成した加工治具を用いて加工する請求項1〜4何れかに記載の触媒支援型化学加工方法。
- 合成樹脂基材に前記触媒の粉末を混合し、該触媒粉末の一部が表面に露出した加工治具を用いて加工する請求項1〜4何れかに記載の触媒支援型化学加工方法。
- 不織布の隙間に前記触媒の粉末を担持した加工治具又は前記触媒を表面にめっき若しくはコーティングした繊維で形成した不織布からなる加工治具を用いて加工する請求項1〜4何れかに記載の触媒支援型化学加工方法。
- 前記被加工物がSiC若しくはサファイヤからなることを特徴とする請求項1〜8何れかに記載の触媒支援型化学加工方法。
- 被加工物に対して常態では溶解性を示さないハロゲンを含む分子が溶けた処理液中に該被加工物を配し、合成樹脂基材の表面にめっき若しくはコーティングによって白金、金又はセラミックス系固体触媒からなる触媒の薄膜を形成した加工治具を被加工物の加工面に接触若しくは極接近させて配し、前記加工治具の表面で生成したハロゲンラジカルと被加工物の表面原子との化学反応で生成したハロゲン化合物を、溶出させることによって被加工物を加工することを特徴とする触媒支援型化学加工方法。
- 被加工物に対して常態では溶解性を示さないハロゲンを含む分子が溶けた処理液中に該被加工物を配し、合成樹脂基材に白金、金又はセラミックス系固体触媒からなる触媒の粉末を混合して作成し、該触媒粉末の一部が表面に露出した加工治具を被加工物の加工面に接触若しくは極接近させて配し、前記触媒の表面で生成したハロゲンラジカルと被加工物の表面原子との化学反応で生成したハロゲン化合物を、溶出させることによって被加工物を加工することを特徴とする触媒支援型化学加工方法。
- 被加工物に対して常態では溶解性を示さないハロゲンを含む分子が溶けた処理液中に該被加工物を配し、不織布の隙間に白金、金又はセラミックス系固体触媒からなる触媒の粉末を担持した加工治具又は前記触媒を表面にめっき若しくはコーティングした繊維で形成した不織布からなる加工治具を被加工物の加工面に接触若しくは極接近させて配し、前記触媒の表面で生成したハロゲンラジカルと被加工物の表面原子との化学反応で生成したハロゲン化合物を、溶出させることによって被加工物を加工することを特徴とする触媒支援型化学加工方法。
- ハロゲンを含む分子がハロゲン化水素であり、前記触媒の表面でハロゲン化水素を分子解離してハロゲンラジカルを生成してなる請求項10〜12何れかに記載の触媒支援型化学加工方法。
- 前記ハロゲン化水素が、フッ化水素又は塩化水素である請求項13記載の触媒支援型化学加工方法。
- 前記加工治具は、前記触媒によって加工基準面の表面を形成し、該基準面の形状又はパターンを被加工物の加工面に転写してなる請求項10〜14何れかに記載の触媒支援型化学加工方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150108354A (ko) | 2013-01-18 | 2015-09-25 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판의 제조방법, 마스크 블랭크의 제조방법 및 전사용 마스크의 제조방법 |
US9558961B2 (en) | 2015-06-02 | 2017-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor device |
US9581895B2 (en) | 2012-12-28 | 2017-02-28 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing mask blank substrate, method of manufacturing substrate with reflective film and method of manufacturing semiconductor device |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7651625B2 (en) | 2006-08-28 | 2010-01-26 | Osaka University | Catalyst-aided chemical processing method and apparatus |
JP2008136983A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Osaka Univ | 触媒支援型化学加工方法及び加工装置 |
JP2008081389A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-04-10 | Osaka Univ | 触媒支援型化学加工方法及び装置 |
JP2008166709A (ja) * | 2006-12-05 | 2008-07-17 | Ebara Corp | 基板研磨装置、及び基板研磨設備 |
JP4756708B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2011-08-24 | シャープ株式会社 | 被加工物の加工方法および配線形成方法並びに半導体基板の製造方法 |
JP5315573B2 (ja) * | 2007-10-12 | 2013-10-16 | 国立大学法人 熊本大学 | 加工装置および加工方法 |
JP4887266B2 (ja) * | 2007-10-15 | 2012-02-29 | 株式会社荏原製作所 | 平坦化方法 |
US8734661B2 (en) | 2007-10-15 | 2014-05-27 | Ebara Corporation | Flattening method and flattening apparatus |
JP5343250B2 (ja) * | 2009-02-19 | 2013-11-13 | 国立大学法人 熊本大学 | 触媒支援型化学加工方法及びそれを用いた加工装置 |
KR101754550B1 (ko) | 2009-12-15 | 2017-07-05 | 고꾸리쯔 다이가꾸 호우징 오사까 다이가꾸 | 연마 공구 및 연마 장치 |
WO2011099216A1 (ja) | 2010-02-15 | 2011-08-18 | Kobayashi Hikaru | 半導体装置の製造方法、半導体装置、並びに転写用部材 |
JP5884357B2 (ja) | 2011-09-22 | 2016-03-15 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置 |
CN104023889B (zh) | 2011-12-06 | 2017-04-12 | 国立大学法人大阪大学 | 固体氧化物的加工方法及其装置 |
JP5935168B2 (ja) | 2012-08-20 | 2016-06-15 | 東邦エンジニアリング株式会社 | 基板研磨装置 |
JP5820404B2 (ja) | 2013-02-05 | 2015-11-24 | 株式会社東芝 | 平坦化方法及び平坦化装置 |
JP6534507B2 (ja) * | 2013-07-03 | 2019-06-26 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板加工装置 |
JP6328502B2 (ja) * | 2013-07-04 | 2018-05-23 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置 |
JP6534506B2 (ja) * | 2013-07-05 | 2019-06-26 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板加工装置 |
JP6206847B2 (ja) | 2014-03-12 | 2017-10-04 | 国立大学法人大阪大学 | ワイドバンドギャップ半導体基板の加工方法及びその装置 |
US10199242B2 (en) | 2014-12-31 | 2019-02-05 | Osaka University | Planarizing processing method and planarizing processing device |
JP6187948B1 (ja) | 2016-03-11 | 2017-08-30 | 東邦エンジニアリング株式会社 | 平坦加工装置、その動作方法および加工物の製造方法 |
JP2019155232A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | 株式会社ジェイテックコーポレーション | 洗浄方法及び洗浄装置 |
WO2021199426A1 (ja) | 2020-04-03 | 2021-10-07 | 三菱電機株式会社 | 研磨方法、半導体基板の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299294A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | 化学的機械的研磨処理システム及び半導体装置の製造方法 |
JP2002334856A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 光触媒を用いた微細加工方法及び装置 |
WO2003105209A1 (ja) * | 2002-06-06 | 2003-12-18 | 関西ティー・エル・オー株式会社 | 太陽電池用多結晶シリコン基板の製造方法 |
JP2005142457A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Kansai Tlo Kk | 太陽電池を製造する方法 |
-
2004
- 2004-10-13 JP JP2004299263A patent/JP4506399B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002299294A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-11 | Toshiba Corp | 化学的機械的研磨処理システム及び半導体装置の製造方法 |
JP2002334856A (ja) * | 2001-05-09 | 2002-11-22 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 光触媒を用いた微細加工方法及び装置 |
WO2003105209A1 (ja) * | 2002-06-06 | 2003-12-18 | 関西ティー・エル・オー株式会社 | 太陽電池用多結晶シリコン基板の製造方法 |
JP2005142457A (ja) * | 2003-11-10 | 2005-06-02 | Kansai Tlo Kk | 太陽電池を製造する方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9581895B2 (en) | 2012-12-28 | 2017-02-28 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing mask blank substrate, method of manufacturing substrate with reflective film and method of manufacturing semiconductor device |
KR20170118981A (ko) | 2012-12-28 | 2017-10-25 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판, 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크, 마스크 블랭크용 기판의 제조방법 및 다층 반사막 부착 기판의 제조방법, 그리고 반도체 장치의 제조방법 |
US10025176B2 (en) | 2012-12-28 | 2018-07-17 | Hoya Corporation | Mask blank substrate, substrate with multilayer reflective film, reflective mask blank, reflective mask, method of manufacturing mask blank substrate, method of manufacturing substrate with reflective film and method of manufacturing semiconductor device |
KR20150108354A (ko) | 2013-01-18 | 2015-09-25 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 기판의 제조방법, 마스크 블랭크의 제조방법 및 전사용 마스크의 제조방법 |
US10310373B2 (en) | 2013-01-18 | 2019-06-04 | Hoya Corporation | Method for manufacturing mask blank substrate, method for manufacturing mask blank and method for manufacturing transfer mask |
US9558961B2 (en) | 2015-06-02 | 2017-01-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacturing method of semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006114632A (ja) | 2006-04-27 |
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