JP2023541596A - ウェハリソグラフィプロセスのためのウェハ保持装置を機械加工する方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】例えば液浸リソグラフィまたは真空条件下でのウェハリソグラフィプロセスのためのウェハ保持装置１０を機械加工する方法であり、ウェハ保持装置１０は、導電性ダイヤモンド被覆層１２を有するキャリア本体１１を備える。電気化学セル２０は、ダイヤモンド被覆層１２、対電極２１、ダイヤモンド被覆層１２と対電極２１との間のギャップ内の電解液２２、およびダイヤモンド被覆層１２および対電極２１に電気的に接続された電圧源２３によってウェハ保持装置１０上に形成される。物質は、電気化学セル２０によってウェハ保持デバイス上で電気化学的に除去される。ウェハリソグラフィプロセスのためのウェハ保持デバイス１０を機械加工するように設計された表面機械加工装置２００についても説明する。【選択図】図１
Description
本発明は、ウェハリソグラフィプロセスのためのウェハ保持装置を機械加工する方法に関し、ウェハ保持装置は、導電性ダイヤモンド被覆層を有するキャリア本体を備える。本発明はさらに、ウェハリソグラフィプロセスのためのウェハ保持装置を機械加工するように構成された表面機械加工装置に関する。本発明の用途は、製造および機械加工、特に、例えば液浸リソグラフィまたは真空条件下でのリソグラフィなどのリソグラフィ方法のためのウェハ保持装置の洗浄にある。
本明細書では、本発明の技術的背景を表す以下の先行技術を参照する。
［１］ 国際公開第２０１８／００７４９８号
［２］ 国際公開第２０１９／０１１５１９５号
［３］ O. Debus "Auf die harte Tour - Vollstandige Oxidation von Abwasserschadstoffen mit Diamantelektroden" in "CHEMIE TECHNIK" No. 6 2004 (Volume 33)
［４］ A. Kraft "Doped Diamond: A Compact Review on a New, Versatile Electrode Material" in "Int. J. Electrochem. Sci." 2 (2007) 355 - 385
［５］ B. Marselli et al. "Electrogeneration of Hydroxyl Radicals on Boron-Doped Diamond Electrodes" in "Journal of The Electrochemical Society" 150(3), March 2003
［１］ 国際公開第２０１８／００７４９８号
［２］ 国際公開第２０１９／０１１５１９５号
［３］ O. Debus "Auf die harte Tour - Vollstandige Oxidation von Abwasserschadstoffen mit Diamantelektroden" in "CHEMIE TECHNIK" No. 6 2004 (Volume 33)
［４］ A. Kraft "Doped Diamond: A Compact Review on a New, Versatile Electrode Material" in "Int. J. Electrochem. Sci." 2 (2007) 355 - 385
［５］ B. Marselli et al. "Electrogeneration of Hydroxyl Radicals on Boron-Doped Diamond Electrodes" in "Journal of The Electrochemical Society" 150(3), March 2003
液浸リソグラフィは、例えばウェハ構造化において、表面を構造化するためのリソグラフィ技術として一般に知られている。ウェハ表面は、露光装置と液浸液を使用して光に露光され、所定の波長の場合、開口数を拡大し、より小さい構造の製造を可能にする。ウェハは、突起（バール：burl）を有するキャリア本体を備えるウェハ保持装置上で露光するように配置され、その前面は、ウェハを収容するキャリア表面にまたがる。
バールの前側によって形成される、リソグラフィ用ウェハ保持装置のキャリヤ表面は、摩擦係数ができるだけ低く、できるだけ永久的な高度の平坦性を有するべきである。両方の要件は、ＤＬＣ(ダイヤモンド状炭素) 層やダイヤモンド層などの硬質材料コーティングによって満たすことができる (［１］または［２］を参照)。しかしながら、キャリア表面へのアブレシブ摩耗および／または腐食摩耗は、動作期間中に発生する可能性がある。アブレシブ摩耗は、キャリア表面とウェハの機械的接触によって引き起こされるが、腐食摩耗は、特に液浸液による液浸リソグラフィの場合に引き起こされる。摩耗の結果として、摩擦および平坦性に関する所望の特性が失われ、表面の汚染が発生する可能性がある。物質の蓄積の結果、平坦性が失われ、摩擦特性が汚染によってのみ決定される可能性があるため、この汚染は規定の特性にも悪影響を及ぼす。
砥石として知られているもので機械的に汚染を除去するためにウェハ保持装置を使用するプラクティスが知られている。しかしながら、砥石による洗浄は、汚染を完全に排除するわけではなく、ウェハ保持装置に機械的損傷を与える可能性があるため、欠点を有する。
さらに、別の技術分野から、電気化学的水浄化用の電極 (ダイヤモンド電極として知られているもの) にホウ素ドープダイヤモンド層を使用することが知られている (［３］から［５］を参照)。浄化される水は、ダイヤモンド電極間に電解液として配置され、その結果、電気化学セルが形成される。ダイヤモンド電極に電圧が作用すると、水が分解され、ダイヤモンド電極の表面にＯＨラジカルが形成される。ラジカルの高い酸化電位により、特に水中の有機化合物が効率的に除去される。
本発明の目的は、従来の技術の欠点を回避する、リソグラフィプロセス用のウェハ保持装置を機械加工するための改良された方法、およびリソグラフィプロセス用のウェハ保持装置を加工するための改良された表面機械加工装置を提供することである。特にリソグラフィ機械の内部および／または外部で、汚染、特にリソグラフィコーティングの残留物を、本方法および表面機械加工装置を用いて可能な限り簡単に除去することが可能であるべきである。さらに、汚染の除去は、改善された信頼性で、ウェハ保持装置への望ましくない損傷のリスクなしで可能にされるべきである。
この目的は、独立請求項の特徴を有する液浸リソグラフィプロセス用のウェハ保持装置を機械加工する方法、または表面機械加工装置によって達成される。本発明の有利な実施形態および応用は、従属請求項から明らかになるであろう。
本発明の第１の一般的な観点によれば、上記の目的は、ウェハリソグラフィプロセスのためのウェハ保持装置を機械加工する方法によって達成され、ウェハ保持装置は、導電性ダイヤモンド被覆層を有するキャリア本体を備える。本発明によれば、ダイヤモンド被覆層、対電極、ダイヤモンド被覆層と対電極との間のギャップ内の電解液、およびダイヤモンド被覆層と対電極に電気的に接続された電圧源によって、電気化学セルがウェハ保持装置に形成される。さらに、本発明によれば、電気化学セルによって、ウェハ保持装置において物質が電気化学的に除去される。
本発明の第２の一般的な観点によれば、上記の目的は、ウェハリソグラフィプロセスのためのウェハ保持装置を機械加工するように設計された表面機械加工装置により達成される。これは、導電性ダイヤモンド被覆層を有するキャリア本体を備えるウェハ保持装置と、電解液を収容するように形成された、ウェハ保持装置から離れて配置された対電極と、対電極に対して電気的動作電圧でダイヤモンド被覆層に作用するように構成された電圧源と、を備える。ウェハ保持装置上の物質を電気化学的に除去するように設計された電気化学セルは、ダイヤモンド被覆層、対電極、ダイヤモンド被覆層と対電極の間のギャップ内の電解液、および電圧源によって形成される。表面機械加工装置は、好ましくは、本発明の第１の一般的な観点またはその実施形態の１つによる方法を実行するように構成される。ウェハ保持装置、特にそのダイヤモンド被覆層は、ウェハ保持装置を機械加工するための表面機械加工装置の一部である。
本発明は、電気化学セルの電極を提供するために、ウェハ保持装置の表面上に、特にバール上に配置されるドープされたダイヤモンドの適性を利用する。ダイヤモンド被覆層は、洗浄電極として使用される。本発明者らは、従来の水処理から知られているように、電気化学セルの動作中のラジカルの生成を利用して、ラジカルの作用下でウェハ保持装置の表面上の汚染物質を激減させることができることを確認した。水処理とは対照的に、ウェハ保持装置の本発明による機械加工の場合、汚染物質は電気化学セルの電解液に含まれず、むしろウェハ保持装置の表面に存在する。
ウェハ保持装置の表面をダイヤモンドでコーティングすることは、複数の機能を有利に満足させる。第１に、ウェハ保持装置の動作中の表面の摩擦が低く、機械的耐久性が高いことが、ダイヤモンド被覆層によって提供される。第２に、ダイヤモンドは、電解液中の水が分解され、所望のＯＨラジカルが生成されるような高い動作電圧で電気化学セルを作用させることができるので、特に有利な電極材料を表す。
本発明の結果として、ウェハ保持装置は、能動的かつ目標を定めた方法で汚染物質を除去することを可能にするセルフクリーニング機能を備えることができる。本発明のその場での適用が可能であり、したがって、リソグラフィ機械の停止時間が有利に最小化される。
「ウェハ保持装置」という用語は、リソグラフィに適したすべてのウェハホルダまたはキャリアを指す。ウェハ保持装置のキャリア本体は、通常、構造化された表面を有するフラットパネルであり、その上にウェハを収容するバールが配置される。キャリア本体は、導電性または電気絶縁性であることができる。導電性キャリア本体の好ましいケースでは、導電性ダイヤモンド被覆層が、バールの前面にそれぞれ配置される複数の別個の被覆層部分から構成されていれば十分である。被覆層部分全体がダイヤモンド被覆層を形成する。電気化学セルの動作電圧による被覆層部分の作用は、キャリア本体を介して行われる。別の非導電性キャリア本体の場合、導電性ダイヤモンド被覆層は、構造化表面がウェハを収容し、電圧源に電気的に接続される限り、構造化表面上に露出したコヒーレント層として、特に好ましくは継ぎ目のない閉じた層として設けられることが好ましい。オプションで、導電性ダイヤモンド被覆層は、構造化表面上に複数のダイヤモンド被覆層部分を含むことができ、これらの部分は、露出したコヒーレント層として、特に好ましくは継ぎ目のない閉じた層としてそれぞれ形成され、互いにおよび／または電圧源に電気的に接続される。
ダイヤモンド被覆層と対電極、およびこれらの間の電解液によって形成される電気化学セル（または電解セル）は、ダイヤモンド被覆層と対電極に電圧が作用する場合、電解液中にＯＨラジカルを発生させる。この目的のために、電解液には水が含まれている。対電極とダイヤモンド被覆層との間の間隔は、好ましくは５ｍｍ未満の範囲で選択される。電解液は、超純水（異物を全く含まないか、ごく僅かしか含まない水）であることが好ましい。超純水の使用は、液浸液として、また望ましくない電気化学反応を最小限に抑えるという点で、特に利点がある。
ＯＨラジカルは、電解液に隣接する表面上、すなわち特にダイヤモンド被覆層上の物質の除去をもたらす。物質の除去の大きさおよび速度は、電気化学セルの動作パラメータ、特に印加電圧およびセルに対する電圧の作用の持続時間によって決定される。電気化学セルの動作パラメータは、具体的な使用条件に応じて、特に試験または基準値を使用して、当業者によって選択される。ダイヤモンド被覆層と対電極との間の電圧は、電気化学セル内で遊離ＯＨラジカルが形成されるように選択され、好ましくは少なくとも２．２Ｖ、特に好ましくは少なくとも２．４Ｖである。
本発明の好ましい一実施形態によれば、物質の除去は、ウェハ保持装置の表面上の異物の電気化学的分解を含む。電気化学セルは、ウェハ保持装置の表面の異物を電気化学的に分解するように設計されている。表面上の異物の分解は、表面に付着した異物の脱離および／またはＯＨラジカルの作用による異物の化学変換である。電気化学セルの動作パラメータ、特に印加電圧およびセルへの電圧の作用の持続時間は、有利には、異物は反応的に分解されるが、ウェハ保持装置の表面は変化しないままである（またはＯＨラジカルとの反応はごくわずかである)ように選択することができる。
異物は、ウェハまたはウェハ保持装置の一部ではない任意の物質を含む。異物は、リソグラフィコーティングの残留物を含むことが特に好ましい。表面から分離された異物および／または電解質液による異物の分解の反応生成物は、ウェハ保持装置の表面から洗い流されることがさらに好ましい。電解質液は、汚染物質が運び去られるように機械加工中に交換するのが有利である。
本発明のさらに好ましい変形によれば、物質の除去は、ダイヤモンド被覆層の表面上のダイヤモンドの電気化学的分解を含む。この実施形態の場合、電気化学セルは、ダイヤモンド被覆層の表面上でダイヤモンドを電気化学的に分解するように設計されている。本発明者らは、電気化学反応をさらに使用して、ダイヤモンド被覆層からダイヤモンドを的を絞った方法で激減させ、その平坦性を修正できることを確認した。ダイヤモンドを電気化学的に分解し、炭素を除去できるように、電気化学セルの動作パラメータを調整する。有利には、数ナノメートルまでの除去が可能である。電気化学セルは、有利には、ダイヤモンド被覆層への制御不能な損傷が排除されるように、再現可能に操作することができる。
ダイヤモンド被覆層は、有利には、電気化学的機械加工によって平坦度補正および／または粗面化を受けることができる。ダイヤモンド被覆層の表面上でのダイヤモンドの電気化学的分解は、ダイヤモンド被覆層の厚さの修正をもたらし、ひいてはバールの高さ、および／または例えば、特にバールの前面の摩擦学的に有用な粗面化などの粗さの目標設定をもたらす。本発明のこの実施形態により、固有の洗浄機能を有し、バールがまたがるキャリア表面の平坦性を補正する能力を有する液浸リソグラフィ用のウェハ保持装置が有利に作成される。
物質の除去を局所的に選択的に調整することは、特にダイヤモンド被覆層からの物質の除去にとって有利であり得る。物質の除去は、ウェハ保持装置の表面上の位置の関数として調整することができる。この目的のために、本発明のさらなる変形によれば、対電極は、電気化学セルがダイヤモンド被覆層のサブ領域で形成され、物質の局所的に制限された除去が行われるように寸法決めおよび配置される。対電極は、好ましくは、ダイヤモンド被覆層のサブ領域上に延在し、電気化学セルは、物質の局所的に制限された除去のために設計される。対電極のサイズの調整は、電解液の小規模な誘導と有利に組み合わせることができ、その結果、周囲からの電気化学セルの境界および局所処理の選択性が改善される。物質の除去を局所的に選択的に調整することは、特に、一群のバールに又は単一のバールにさえ、ＯＨラジカルの生成を制限することを含むことができる。これにより、例えば摩擦学的に有用な粗面化など、粗さの局所的な補正および／または目標とする局所的な調整が有利に可能になる。
本発明の特に有利な変形によれば、対電極はダイヤモンド被覆層と平行に移動でき、物質の除去はダイヤモンド被覆層の異なるサブ領域で異なる反応条件で実行できる。デバイスに関して、この目的のために、対電極は、ダイヤモンド被覆層と平行に移動可能に配置され、電気化学セル、特に電圧源の制御は、物質の除去がダイヤモンド被覆層の異なるサブ領域で異なる反応条件で実行されるように設計することができる。例えば、電圧源の制御は、電気化学セルの動作パラメータが、所定の位置に依存する物質の除去を達成するために、対電極とダイヤモンド被覆層の相互配置の関数として変化するような方法で提供され得る。
本発明による電解加工を有するウェハ保持装置は、有利には新しい機能を達成する。電気化学セルの動作に必要な電解液は、液浸リソグラフィ機の動作中に液浸液によって提供されることが好ましい。それに応じて、ウェハ保持装置の機械加工は、液浸リソグラフィ機内でその場で実行されることが好ましい。表面機械加工装置は、本発明のこの変形例の場合、液浸リソグラフィ機の一部であることが好ましい。あるいは、ウェハ保持装置の表面の機械加工は、リソグラフィ機の外部の別個の構造で実行することができる。
本発明のさらに好ましい実施形態によれば、対電極は、液浸リソグラフィ機のウェハ保持装置の方を向いている、および／またはダイヤモンド表面を有する露光レンズに接続することができる。電解液を提供する液浸液は、露光レンズとダイヤモンド被覆層との間に配置される。特に、ウェハ保持装置の局部機械加工は、対電極を露光レンズに結合することによって有利に促進される。ダイヤモンド表面を有する対電極（ダイヤモンド電極）の使用は、電気化学セルに印加できる電圧および対電極上の汚染回避に関して特に有利である。
本発明のさらなる詳細および利点は、添付の図面を参照して以下に説明される。
ここで、本発明の実施形態の特徴が図１に概略的に示されていることを強調しておく。明確にするために、個々の部品は縮尺どおりには表されていない。例として、液浸リソグラフィ用のウェハ保持装置の機械加工について言及する。本発明は、この用途に限定されるものではなく、真空中でのリソグラフィ用のウェハ保持装置（ＥＵＶチャック）の機械加工に対応して使用することができる。それぞれのリソグラフィ方法およびウェハ保持装置の設計の詳細は、これらが従来技術から既知である限り、説明しない。
本発明の実施形態は、特に、電気化学セルの対電極がリソグラフィ機の露光レンズに結合されるリソグラフィ機の一部としての表面機械加工装置の提供を例として参照して以下に説明される。実際の本発明の実施は、この変形に限定されないことが強調される。反対に、対電極が露光レンズとは独立して設けられる、および／または表面機械加工装置がリソグラフィ機の外部に配置され操作されるという点で、特に変更が可能である。
図１は、ウェハ保持装置１０、露光レンズ１１０、およびウェハ保持装置１０に対して露光レンズ１１０を調整するための作動装置３０を備えるリソグラフィ機械１００を概略的に示す。例えば、露光用の光源および投影システム、ウェハ保持装置１０上にウェハを配置するためのツール、およびリソグラフィ機１００の制御ユニットは、図１には表されていない。
ウェハ保持装置１０は、キャリア本体１１を備え、その構造化表面は、複数の突出したバール１３によって形成される。実際には、キャリア本体１１は、例えば、直径３０ｃｍで、それぞれ１ｍｍ未満の直径の数千個のバール１３を有する。キャリア本体１１は、例えば、固有の導電性を有するシリコン浸透シリコンカーバイド（ＳｉＳｉＣ）から構成される。バール１３の平坦な前面は、ウェハ（図示せず）を収容するためにキャリア表面にまたがる。
いずれの場合もバール１３の平坦な前面上に複数のダイヤモンド被覆層部分を含むダイヤモンド被覆層１２が、担体本体１１の表面上に設けられる。ダイヤモンド被覆層１２は、０．５μｍから２０μｍの厚さを有し、ホウ素をドープしたダイヤモンド（ホウ素濃度、たとえば４０００ｐｐｍ）で構成されている。ダイヤモンド被覆層１２は、例えば、ホウ素を含むガスの存在下でメタンと水素を用いたＣＶＤによる炭素分離によって作製される。
表面機械加工装置２００は、図示の例の場合、リソグラフィ機１００の一部である。表面機械加工装置２００の電気化学セル２０は、ダイヤモンド被覆層１２、特に電解液２２によって湿らされたダイヤモンド被覆層部分と、対電極２１と、によって形成される。一方ではダイヤモンド被覆層１２および他方では対電極２１は、電気化学セル２０の動作電圧を提供するために電圧源２３に電気的に接続される。電圧源２３は、例えば、最大３Ｖの制御可能な出力電圧を有する可変電源である。
対電極２１は、例えば、露光レンズ１１０のウェハ保持装置１０の方を向く側に配置されたホウ素ドープダイヤモンドからなる環状電極層を含む。ダイヤモンド層または対電極２１の厚さは、８μｍである。対電極とバール１３の前面との間の距離は、例えば１ｍｍである。
露光レンズ１１０および対電極２１は、露光レンズ１１０および対電極２１をウェハ保持装置１０に対して位置決めすることができる作動装置３０に結合されている。作動装置３０は、例えば、キャリア本体１１の表面に平行な変位のために設計されたｘ－ｙ平行移動ドライブを備える。
作動装置３０および電圧源２３は、制御装置４０に結合されている。例えばコンピュータ回路を含む制御装置４０は、キャリア本体１１の表面の電解加工および露光レンズ１１０および対電極２１を位置決めするための作動装置３０の所定の動作パラメータに従って、電圧源２３を作動させるように設計されている。例えば、ウェハ保持デバイス１０の表面に対する位置の関数として、動作パラメータ、特に、対電極２１への電圧および電圧の作用の持続時間を調整することが提供され得る。
図１とは対照的に、対電極２１は、露光レンズ１１０から分離された洗浄ヘッド上に設けることもでき、この洗浄ヘッドは、作動装置３０または代替駆動装置で動かすことができる。さらなる変更によれば、図１とは対照的に、対電極２１は、すべてのバールの配置を覆うように、ウェハ保持装置１０の表面に対して表面的に平行に延在することができる。
バール１３上にウェハを配置し、液浸液を通してウェハを露光し、その後、露光されたウェハを処理することを含む、もともと知られている液浸リソグラフィのプロセスは、リソグラフィ機１００の動作中に実行される。実際の製造条件でウェハを取り扱うと、汚染物質１が発生する。汚染物質１は、たとえば、個々のまたはすべてのバール１３上のリソグラフィコーティングの残留物によって形成される。
汚染物質１を除去するために、キャリア本体１１の表面と対電極２１との間に電解液２２として浸液が供給される。電圧源２３の電圧をダイヤモンド被覆層１２および対電極２１に作用させることにより、以下に従ってＯＨラジカルが電解液２２中に形成される。
このＯＨラジカルはバール１３から汚染物質１を剥離させる。電解液２２の補充により、剥離した汚染物質の残留物はキャリア本体１１の表面から除去される。
例えば、テストウェハを用いたウェハ保持装置１０の保守中に、バール１３がまたがるキャリア表面の凹凸が確認された場合、凹凸は、電解加工を用いてダイヤモンド被覆層部分から除去することによって釣り合わせることができる。この目的のために、電圧源２３の動作電圧は、ダイヤモンドが電気化学的に分解されるように調整され、これによりダイヤモンド材料の除去が可能になる。
ウェハ保持装置１０の表面の電解加工は、すべてのバール１３に対して同時に行われる、または図１に示すように、単一バールまたは一群のバールを有するキャリア本体１１の表面部分への制限と、それに続く対電極２１および電解質液２２のさらなるバールへの移動による段階的な方法で、ウェハ保持装置１０の表面全体または表面の一部が機械加工されるまで行われる。
上記の説明、図面、および特許請求の範囲に開示された本発明の特徴は、その様々な設計において本発明を達成するために、個々にまたは組み合わせまたはサブコンビネーションの両方で重要であり得る。
Claims (17)
- ウェハリソグラフィプロセスのためのウェハ保持装置（１０）を機械加工する方法であって、前記ウェハ保持装置（１０）は、導電性ダイヤモンド被覆層（１２）を有するキャリア本体（１１）を備え、
前記ダイヤモンド被覆層（１２）と、対電極（２１）と、前記ダイヤモンド被覆層（１２）と前記対電極（２１）との間のギャップ内の電解液（２２）と、前記ダイヤモンド被覆層（１２）と前記対電極（２１）に電気的に接続された電圧源（２３）とによって、電気化学セル（２０）が前記ウェハ保持装置（１０）に形成され、
前記電気化学セル（２０）によって、前記ウェハ保持装置において物質が電気化学的に除去されることを特徴とする方法。 - 前記物質の除去は、前記ウェハ保持装置（１０）の表面上の異物（１）の電気化学的分解を含む、請求項１に記載の方法。
- 前記異物の分解の反応生成物が前記ウェハ保持装置（１０）の表面から前記電解液で洗い流される、および／または、
前記異物がリソグラフィコーティングの残留物を含む、請求項２に記載の方法。 - 前記物質の除去は、前記ダイヤモンド被覆層（１２）の表面上のダイヤモンドの電気化学的分解を含む、請求項１から３のいずれかに記載の方法。
- 前記ダイヤモンド被覆層（１２）は、粗面化および／または平坦度補正を受ける、請求項４に記載の方法。
- 前記対電極（２１）は、前記電気化学セル（２０）が前記ダイヤモンド被覆層（１２）のサブ領域で形成され、局所的に制限された物質除去が行われるように配置される、請求項１から５のいずれかに記載の方法。
- 前記対電極（２１）は、前記ダイヤモンド被覆層（１２）と平行に移動され、前記物質の除去は、前記ダイヤモンド被覆層（１２）の異なるサブ領域において、異なる反応条件で実行される、請求項６に記載の方法。
- 前記ウェハ保持装置（１０）の機械加工は、液浸リソグラフィ機（１００）内でその場で実行される、請求項１から７のいずれかに記載の方法。
- 前記対電極（２１）は、前記液浸リソグラフィ機（１００）の前記ウェハ保持装置（１０）に向けられた露光レンズ（１１０）に接続される、請求項８に記載の方法。
- 前記電解液（２２）は超純水を含む、請求項１から９のいずれかに記載の方法。
- ウェハリソグラフィプロセスのためのウェハ保持装置（１０）を機械加工するように設計された表面機械加工装置（２００）であって、
導電性ダイヤモンド被覆層（１２）を有するキャリア本体（１１）を備えるウェハ保持装置（１０）と、
電解液（２２）を収容するように形成された、前記ウェハ保持装置（１０）から離れて配置された対電極（２１）と、
前記対電極（２１）に対して電気的動作電圧で前記ダイヤモンド被覆層（１２）に作用するように構成された電圧源と、
を備え、
前記ウェハ保持装置（１０）上の物質を電気化学的に除去するように設計された電気化学セル（２０）が、前記ダイヤモンド被覆層（１２）と、前記対電極（２１）と、前記ダイヤモンド被覆層（１２）と前記対電極（２１）の間のギャップ内の前記電解液（２２）と、電圧源（２３）とによって形成されることを特徴とする表面機械加工装置。 - 前記電気化学セル（２０）は、前記ウェハ保持装置（１０）の表面上の異物を電気化学的に分解するように構成される、請求項１１に記載の表面機械加工装置。
- 前記電気化学セル（２０）は、前記ダイヤモンド被覆層（１２）の表面上でダイヤモンドを電気化学的に分解するように構成される、請求項１１または１２に記載の表面機械加工装置。
- 前記対電極（２１）は、前記ダイヤモンド被覆層（１２）のサブ領域上に延在し、前記電気化学セル（２０）は、局所的に制限された物質の除去のために構成される、請求項１１から１３のいずれかに記載の表面機械加工装置。
- 前記対電極（２１）は、前記ダイヤモンド被覆層（１２）と平行に移動可能に配置され、
前記電気化学セル（２０）は、前記物質の除去が前記ダイヤモンド被覆層（１２）の異なるサブ領域において異なる反応条件で実行されるように構成される、請求項１４に記載の表面機械加工装置。 - 液浸リソグラフィ機（１００）の一部である、請求項１１から１５のいずれかに記載の表面機械加工装置。
- 前記対電極（２１）は、前記液浸リソグラフィ機（１００）の前記ウェハ保持装置（１０）に向けられた露光レンズに接続される、および／または、
前記対電極（２１）はダイヤモンド表面を有する、請求項１６に記載の表面機械加工装置。
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