JP5884357B2 - 炭化珪素半導体装置 - Google Patents
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- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 38
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims description 38
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 25
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 57
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 49
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 16
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66666—Vertical transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/66068—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
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- H—ELECTRICITY
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/30—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface
- H01L29/34—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by physical imperfections; having polished or roughened surface the imperfections being on the surface
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42356—Disposition, e.g. buried gate electrode
- H01L29/4236—Disposition, e.g. buried gate electrode within a trench, e.g. trench gate electrode, groove gate electrode
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
本発明の第1実施形態について説明する。ここでは、SiC半導体装置に備えられるトレンチゲート構造のトランジスタとして反転型の縦型MOSFETを例に挙げて説明する。
まず、窒素等のn型不純物濃度が例えば1.0×1019/cm3で厚さ300μm程度のn+型基板1を用意する。このn+型基板1の表面に窒素等のn型不純物濃度が例えば3.0×1015〜1.0×1016/cm3で厚さ10〜15μm程度のSiCからなるn-型ドリフト層2をエピタキシャル成長させる。
n-型ドリフト層2の表面に、ボロンもしくはアルミニウム等のp型不純物濃度が例えば5.0×1016〜2.0×1019/cm3、厚さ2.0μm程度となるp型不純物層をエピタキシャル成長させることにより、p型ベース層3を形成する。なお、ここではp型ベース層3をエピタキシャル成長によって形成しているが、n-型ドリフト層2の表層部にp型不純物をイオン注入することでp型ベース層3を形成しても良い。
基板表面の平坦性を向上させるための平坦化工程を行う。具体的には、n+型ソース領域4およびp型ベース層3の表面を基板表面として、基板表面の表面粗さRaが1nm以下となるように平坦化工程を行う。平坦化工程については、どのような手法を用いて行っても良いが、例えばCMP(Chemical Mechanical Polishing)、CARE(CAtalyst-Referred Etching)などを用いることができる。このとき、表面粗さRaが1nm以下となるようにすればよいが、好ましくは0.5nm以下となるようにすると良く、より好ましくは0.3nm以下となるようにすると良い。
p型ベース層3の上に、図示しないエッチングマスクを成膜したのち、トレンチ6の形成予定領域においてエッチングマスクを開口させる。そして、エッチングマスクで覆った状態で、例えばCF4+O2やCl2などのエッチングガスを用いた異方性エッチングを行うことによりトレンチ6を形成する。この後、エッチングマスクを除去する。
必要に応じて、水素エッチングや犠牲酸化もしくはドライエッチングなどにより、トレンチ6の丸め処理を行ったのち、ゲート酸化膜形成工程やゲート電極形成工程を行う。例えば、熱酸化もしくはCVDでゲート酸化膜7を形成したり、ゲート酸化膜7の表面にn型不純物をドーピングしたポリシリコン層を成膜したのち、エッチバック工程等を行うことにより、トレンチ6内にゲート酸化膜7およびゲート電極8の形成工程を行う。
(第2実施形態)
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してSiC半導体装置の製造工程の一部を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
第1実施形態で説明した図2(a)、(b)に示す工程と同様の工程を行うことで、n+型基板1の上にn-型ドリフト層2を形成すると共に、n-型ドリフト層2の上にp型ベース層3を形成し、さらにp型ベース層3の所望位置にp+型コンタクト層5を形成する。
図2(c)に示す工程と同様に、基板表面の平坦性を向上させるための平坦化工程を行う。具体的には、p型ベース層3の表面を基板表面として、基板表面の表面粗さRaが1nm以下となるように平坦化工程を行う。
図3(a)に示す工程と同様に、トレンチ6の形成予定領域において開口させたエッチングマスクを配置し、例えばCF4+O2やCl2などのエッチングガスを用いた異方性エッチングを行うことによりトレンチ6を形成する。この後、エッチングマスクを除去する。このとき形成されるトレンチ6の側面は、トレンチ6を形成する前に基板表面の平坦化工程を行っていることから、平坦性が良好になる。
トレンチ6内を埋め込むようにマスク30を配置したのち、パターニングしてマスク30をトレンチ6内にのみ残す。さらに、基板表面上にマスク31を形成し、マスク31のうちn+型ソース領域4の形成予定位置を開口させる。続いて、マスク30、31の上方からn型不純物(例えば窒素)のイオン注入を行うことにより、n+型ソース領域4を形成する。そして、マスク30、31を除去した後、活性化アニール処理を行うことで注入されたイオンを活性化する。
図3(b)に示す工程と同様に、必要に応じて、水素エッチングや犠牲酸化もしくはドライエッチングなどにより、トレンチ6の丸め処理を行ったのち、ゲート酸化膜形成工程やゲート電極形成工程を行う。
上記各実施形態では、第1導電型をn型、第2導電型をp型としたnチャネルタイプのMOSFETを例に挙げて説明したが、各構成要素の導電型を反転させたpチャネルタイプのMOSFETに対しても本発明を適用することができる。また、上記説明では、トレンチゲート構造のMOSFETを例に挙げて説明したが、同様のトレンチゲート構造のIGBTに対しても本発明を適用することができる。IGBTは、上記各実施形態に対して基板1の導電型をn型からp型に変更するだけであり、その他の構造や製造方法に関しては上記各実施形態と同様である。
2 n-型ドリフト層
3 p型ベース領域
4 n+型ソース領域
5 p+型コンタクト層
6 トレンチ
7 ゲート酸化膜
8 ゲート電極
9 ソース電極
10 層間絶縁膜
11 ドレイン電極
Claims (7)
- 炭化珪素からなる第1または第2導電型の基板(1)上に、該基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)を形成する工程と、
前記ドリフト層(2)の上もしくは表層部に第2導電型の炭化珪素からなるベース層(3)を形成する工程と、
前記ベース層(3)内における該ベース層(3)の表層部に第1導電型不純物をイオン注入したのち、前記イオン注入された第1導電型不純物を活性化させることにより、前記ドリフト層(2)よりも高不純物濃度となる第1導電型の炭化珪素にて構成されたソース領域(4)を形成する工程と、
エッチングにより、前記ベース層(3)を貫通して前記ドリフト層(2)に達するトレンチ(6)を形成する工程と、
前記トレンチ(6)の表面にゲート絶縁膜(7)を形成する工程と、
前記トレンチ(6)内において、前記ゲート絶縁膜(7)の上にゲート電極(8)を形成する工程と、
前記ソース領域(4)および前記ベース層(3)に電気的に接続されるソース電極(9)を形成する工程と、
前記基板(1)の裏面側にドレイン電極(11)を形成する工程と、を含み、
前記トレンチ(6)を形成する工程では、前記トレンチ(6)を形成する前に、基板表面の平坦化を行う平坦化工程を行い、この平坦化工程の後に前記トレンチ(6)を形成するためのエッチングを行うことを特徴とするトレンチゲート構造のトランジスタを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記平坦化工程では、前記基板表面の表面粗さRaを1nm以下とする平坦化を行うことを特徴とする請求項1に記載のトレンチゲート構造のトランジスタを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記平坦化工程では、前記基板表面の表面粗さRaを0.5nm以下とする平坦化を行うことを特徴とする請求項1に記載のトレンチゲート構造のトランジスタを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記平坦化工程では、前記基板表面の表面粗さRaを0.3nm以下とする平坦化を行うことを特徴とする請求項1に記載のトレンチゲート構造のトランジスタを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記トレンチ(6)を形成する工程では、前記トレンチ(6)の表面粗さRaを10nm以下とすることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載のトレンチゲート構造のトランジスタを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記ソース領域(4)の形成工程の後に、前記ソース領域(4)および前記ベース領域(3)の表面を基板表面として前記平坦化工程を行うことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載のトレンチゲート構造のトランジスタを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記ソース領域(4)の形成工程の前に、前記ベース領域(3)の表面を基板表面として前記平坦化工程を行うことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載のトレンチゲート構造のトランジスタを備えた炭化珪素半導体装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011207181A JP5884357B2 (ja) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | 炭化珪素半導体装置 |
US14/000,901 US8975139B2 (en) | 2011-09-22 | 2012-09-04 | Manufacturing method of silicon carbide semiconductor device |
DE112012000609.7T DE112012000609T5 (de) | 2011-09-22 | 2012-09-04 | Herstellungsverfahren für eine Siliziumcarbid-Halbleitervorrichtung |
PCT/JP2012/005591 WO2013042327A1 (ja) | 2011-09-22 | 2012-09-04 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
CN201280016150.0A CN103460388B (zh) | 2011-09-22 | 2012-09-04 | 碳化硅半导体器件的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011207181A JP5884357B2 (ja) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | 炭化珪素半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013069854A JP2013069854A (ja) | 2013-04-18 |
JP5884357B2 true JP5884357B2 (ja) | 2016-03-15 |
Family
ID=47914118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011207181A Expired - Fee Related JP5884357B2 (ja) | 2011-09-22 | 2011-09-22 | 炭化珪素半導体装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8975139B2 (ja) |
JP (1) | JP5884357B2 (ja) |
CN (1) | CN103460388B (ja) |
DE (1) | DE112012000609T5 (ja) |
WO (1) | WO2013042327A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6411929B2 (ja) * | 2015-03-24 | 2018-10-24 | トヨタ自動車株式会社 | Mosfet |
DE102015208097B4 (de) * | 2015-04-30 | 2022-03-31 | Infineon Technologies Ag | Herstellen einer Halbleitervorrichtung durch Epitaxie |
JP6475142B2 (ja) * | 2015-10-19 | 2019-02-27 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
JP6658406B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2020-03-04 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP7106881B2 (ja) * | 2018-02-09 | 2022-07-27 | 株式会社デンソー | 炭化珪素基板および炭化珪素半導体装置 |
JP7176206B2 (ja) * | 2018-03-14 | 2022-11-22 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体回路装置 |
JP7462394B2 (ja) | 2019-09-10 | 2024-04-05 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 |
KR102382846B1 (ko) * | 2020-08-28 | 2022-04-05 | 부산대학교 산학협력단 | SiC 트렌치 게이트 MOSFET 구조의 임계 치수 변화를 줄이기 위한 자기 정렬 공정 방법 및 자기 정렬 공정 장치 |
CN114068675A (zh) * | 2021-11-16 | 2022-02-18 | 大连海事大学 | 一种双极分裂栅增强型功率晶体管 |
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---|---|---|---|---|
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JP2007115875A (ja) | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
JP5509520B2 (ja) * | 2006-12-21 | 2014-06-04 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP5617175B2 (ja) * | 2008-04-17 | 2014-11-05 | 富士電機株式会社 | ワイドバンドギャップ半導体装置とその製造方法 |
-
2011
- 2011-09-22 JP JP2011207181A patent/JP5884357B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-09-04 DE DE112012000609.7T patent/DE112012000609T5/de not_active Ceased
- 2012-09-04 CN CN201280016150.0A patent/CN103460388B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-04 US US14/000,901 patent/US8975139B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-09-04 WO PCT/JP2012/005591 patent/WO2013042327A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130330896A1 (en) | 2013-12-12 |
DE112012000609T5 (de) | 2014-12-11 |
JP2013069854A (ja) | 2013-04-18 |
WO2013042327A1 (ja) | 2013-03-28 |
CN103460388A (zh) | 2013-12-18 |
CN103460388B (zh) | 2017-03-29 |
US8975139B2 (en) | 2015-03-10 |
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