JP5732790B2 - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について説明する。ここではSiC半導体装置に備えられる素子として反転型のトレンチゲート構造の縦型MOSFETについて説明する。
まず、窒素、リン等のn型不純物濃度が例えば1.0×1019/cm3で厚さ300μm程度のn+型基板1を用意する。このn+型基板1の表面に窒素、リン等のn型不純物濃度が例えば3.0〜7.0×1015/cm3で厚さ15μm程度のSiCからなるn-型ドリフト層2をエピタキシャル成長させる。続いて、n-型ドリフト層2の表面に、p型不純物濃度が例えば5.0×1016〜2.0×1019/cm3、厚さ2.0μm程度となるボロンもしくはアルミニウム等のp型不純物層をエピタキシャル成長させることにより、p型ベース領域3を形成する。
p型ベース領域3の上に、例えばLTO等で構成されるマスク20を成膜する。そして、マスク20の上にレジスト21を配置し、露光・現像などのフォトリソグラフィ工程を経てレジスト21のうちp+型コンタクト層5の形成予定領域を開口させる。
レジスト21を用いてマスク20をCHF3などのSiCに対する選択比の高いエッチングガスを用いてパターニングして、p+型コンタクト層5の形成予定領域上においてマスク20を開口させたのち、レジスト21を除去する。そして、マスク20にてp型ベース領域3のうちのp+型コンタクト層5の形成予定領域以外を覆った状態で、p型不純物(例えばボロンもしくはアルミニウム等)をイオン注入する。そして、注入されたイオンを活性化することで、ボロンもしくはアルミニウム等のp型不純物濃度(表面濃度)が例えば1.0×1020/cm3、厚さ0.3μm程度のp+型コンタクト層5を形成する。その後、マスク20をHFなどのエッチング液を用いて除去する。
p型ベース領域3およびp+型コンタクト層5の上に、例えばLTO等で構成されるマスク22を成膜する。そして、マスク22の上にレジスト23を配置し、露光・現像などのフォトリソグラフィ工程を経てレジスト23のうちn+型ソース領域4の形成予定領域を開口させる。
レジスト23を用い、マスク22をCHF3などのSiCに対する選択比の高いエッチングガスを用いてパターニングし、n+型ソース領域4の形成予定領域上においてマスク22を開口させる。そして、マスク22にてp型ベース領域3のうちのn+型ソース領域4の形成予定領域以外を覆った状態で、n型不純物をイオン注入する。このとき、n+型ソース領域4の深い位置から浅い位置に至るまでボックスプロファイルによってn型不純物として窒素をイオン注入することで、例えば1×1020/cm3程度で第1領域4aが形成されるようにする。次いで、n+型ソース領域4の浅い位置にn型不純物としてリンをイオン注入する。これにより、ソース電極9とのコンタクト部となる第2領域4bを窒素のみが導入される第1領域4aよりも基本的には高不純物濃度、具体的には1.0×1020/cm3以上、例えば5.0×1020〜1.0×1021/cm3程度で形成されるようにする。
マスク22を除去した後、改めてp型ベース領域3やn+型ソース領域4等の上に、LTO等で構成されるエッチングマスク24を成膜する。 そして、マスク24の上にレジスト25を配置し、露光・現像などのフォトリソグラフィ工程を経てレジスト25のうちトレンチ6の形成予定領域をCHF3などのSiCに対する選択比の高いエッチングガスを用いて開口させる。
レジスト25を除去した後、エッチングマスク24で覆った状態で、例えばSF6やCl2などのエッチングガスを用いた異方性エッチングを行うことによりトレンチ6を形成する。
この後、エッチングマスク24を除去する。例えば、エッチングマスク24がLTO等のようなSiO2で構成されている場合には、HFなどのエッチング液を用いて、エッチングマスク24を除去することができる。
犠牲酸化等によるダメージ除去を行う。例えば、1080℃、60分間の熱酸化処理を行ったのち、形成された酸化膜をフッ酸などで除去するという工程を行う。これにより、トレンチ6内やn+型ソース領域4の最表面を含む、SiCの露出表面が犠牲酸化され、これまでのプロセス、特にトレンチ形成工程において形成されたダメージを除去することが可能となる。
ゲート絶縁膜7を例えばCVD法によって酸化膜を成膜することにより形成する。ゲート絶縁膜7の形成工程をゲート酸化によって行っても良いが、CVD法などに行うことで、更にn+型ソース領域4の第2領域4bの表面が増速酸化されることを抑制することが可能となる。
続いて、コンタクトホール内を埋め込むように電極材料を成膜したのち、これをパターニングすることでソース電極9のうちp型SiCとオーミック接触が図れる金属部分を形成する。さらに、n+型基板1の裏面側にドレイン電極11を形成する。そして、層間絶縁膜10のうちゲート電極8に繋がるコンタクトホールを別断面に形成したのち、コンタクトホール内を埋め込むようにn型SiCとオーミック接触が図れる金属材料を成膜してからパターニングし、さらにシンター処理を行うことでソース電極9および図示しないゲート配線を形成する。これにより、図1に示したトレンチゲート構造の縦型MOSFETが完成する。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してコンタクト部の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
上記各実施形態では、n+型ソース領域4の第1領域4aを窒素、第2領域4bをリンという2種類のイオン種で形成する場合について説明したが、これら各第1領域4a、4bを同じイオン種で形成しても良い。つまり、浅い第2領域4bが深い第1領域4aよりもより高不純物濃度とされるようにイオン注入を行えば良い。
2 n-型ドリフト層
3 p型ベース領域
4 n+型ソース領域
5 p+型コンタクト層
6 トレンチ
7 ゲート絶縁膜
8 ゲート電極
9 ソース電極
10 層間絶縁膜
11 ドレイン電極
20、22、24 マスク
30 金属シリサイド膜
40 凹部
Claims (7)
- 炭化珪素からなる第1または第2導電型の基板(1)と、
前記基板(1)の上に形成され、前記基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)と、
前記ドリフト層(2)の上に形成された第2導電型の炭化珪素からなるベース領域(3)と、
前記ベース領域(3)の表層部に形成され、前記ドリフト層(2)よりも高濃度の第1導電型の炭化珪素にて構成されたソース領域(4)と、
前記ソース領域(4)の表面から前記ベース領域(3)よりも深くまで形成され、一方向を長手方向として形成されたトレンチ(6)と、
前記トレンチ(6)の内壁面に形成されたゲート絶縁膜(7)と、
前記トレンチ(6)内において、前記ゲート絶縁膜(7)の上に形成されたゲート電極(8)と、
前記ゲート電極(8)を覆い、かつ、前記ソース領域(4)および前記ベース領域(3)のコンタクト層(5)を部分的に露出させるコンタクトホールが形成された層間絶縁膜(10)と、
前記コンタクトホールを介して、前記ソース領域(4)および前記ベース領域(3)のコンタクト層(5)に電気的に接続されたソース電極(9)と、
前記基板(1)の裏面側に形成されたドレイン電極(11)とを備えてなる炭化珪素半導体装置であって、
前記ゲート絶縁膜(7)は、前記トレンチ(6)内より前記ソース領域(4)の上まで形成されていると共に、前記ソース領域(4)に接して形成されており、
前記ソース領域(4)は、第1領域(4a)と、該第1領域(4a)よりも浅く、かつ、高不純物濃度とされた部分を有する第2領域(4b)とを有して構成され、前記第2領域(4b)のうち前記ゲート絶縁膜(7)および前記層間絶縁膜(10)にて覆われた部分では、該第2領域(4b)のうち前記ソース領域(4)の最表面における第1導電型不純物の不純物濃度が前記最表面よりも深い位置と比べて比較的低不純物濃度とされていると共に前記ソース領域(4)の最表面から前記トレンチ(6)の入口における角部において前記ゲート絶縁膜(7)に接しており、前記第2領域(4b)のうち前記コンタクトホールに位置する部分では、前記比較的低不純物濃度とされた部分よりも深い位置まで前記ソース電極(9)もしくは該ソース電極(9)を構成する金属がシリサイド化した金属シリサイド膜(30)が形成されていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。 - 前記ソース領域(4)における前記第2領域(4b)のうち、前記比較的低不純物濃度とされた部分の第1導電型不純物の不純物濃度が1.0×1019/cm3 未満とされ、前記ソース領域(4)のうち第2領域(4b)のうち前記比較的低不純物濃度とされた部分よりも深い部分の第1導電型不純物の不純物濃度が1.0×1020/cm3以上とされていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記ソース領域(4)における前記第2領域(4b)のうち、前記比較的低不純物濃度とされた部分の第1導電型不純物の不純物濃度が1.0×1018/cm3 未満とされ、前記ソース領域(4)のうち第2領域(4b)のうち前記比較的低不純物濃度とされた部分よりも深い部分の第1導電型不純物の不純物濃度が1.0×1020/cm3以上とされていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記コンタクトホールと対応する位置において、前記ソース領域(4)および前記ベース領域(3)のコンタクト層(5)が部分的に除去された凹部(40)が形成され、該凹部(40)に前記ソース電極(9)が入り込むことにより、前記比較的低不純物濃度とされた部分よりも深い位置まで前記ソース電極(9)もしくは該ソース電極(9)を構成する金属がシリサイド化した金属シリサイド膜(30)が形成されていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素半導体装置。
- 炭化珪素からなる第1または第2導電型の基板(1)上に、該基板(1)よりも低不純物濃度とされた第1導電型の炭化珪素からなるドリフト層(2)を形成する工程と、
前記ドリフト層(2)の上に第2導電型の炭化珪素からなるベース領域(3)を形成する工程と、
前記ベース領域(3)内における該ベース領域(3)の表層部に第1導電型不純物をイオン注入することにより、前記ドリフト層(2)よりも高濃度の第1導電型の炭化珪素にて構成されたソース領域(4)を形成する工程と、
前記ソース領域(4)の表面から前記ベース領域(3)を貫通して前記ドリフト層(2)に達するトレンチ(6)を形成する工程と、
前記トレンチ(6)の形成後に、前記トレンチ(6)内を含むダメージ層を除去するダメージ除去工程と、
前記ダメージ除去工程後に、前記トレンチ(6)の表面および前記ソース領域(4)の上にゲート絶縁膜(7)を形成する工程と、
前記トレンチ(6)内において、前記ゲート絶縁膜(7)の上にゲート電極(8)を形成する工程と、
前記ゲート電極(8)および前記ソース領域(4)の上の前記ゲート絶縁膜(7)を覆う層間絶縁膜(10)を形成する工程と、
前記層間絶縁膜(10)に対して、前記ソース領域(4)および前記ベース領域(3)のコンタクト層(5)を部分的に露出させるコンタクトホールを形成する工程と、
前記層間絶縁膜(10)の上に、前記コンタクトホールを通じて前記ソース領域(4)および前記ベース領域(3)のコンタクト層(5)に電気的に接続されるソース電極(9)を形成する工程と、
前記基板(1)の裏面側にドレイン電極(11)を形成する工程と、を含み、
前記ソース領域(4)を形成する工程では、前記ソース領域(4)を、第1領域(4a)と、該第1領域(4a)よりも浅く、かつ、高不純物濃度とされる部分を有する第2領域(4b)とを有した構成として形成し、前記第2領域(4b)のうち前記ソース領域(4)の最表面における第1導電型不純物の不純物濃度が前記最表面よりも深い位置と比べて比較的低不純物濃度とされるようにし、
前記ゲート絶縁膜(7)を形成する工程では、前記ソース領域(4)の最表面から前記トレンチ(6)の入口における角部に接するように前記ゲート絶縁膜(7)を形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記ソース電極(9)を形成する工程では、前記第2領域(4b)のうち前記コンタクトホールから露出させられた部分に残った前記比較的低不純物濃度とされた部分と前記ソース電極(9)を構成する金属とをシリサイド化反応させ、金属シリサイド膜(30)を形成することを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
- 前記コンタクトホールを形成する工程に続けて、前記層間絶縁膜(10)をマスクとして前記コンタクトホールにて露出させられた前記ソース領域(4)および前記ベース領域(3)の前記コンタクト層(5)に凹部(40)を形成する工程を行い、前記凹部(40)を形成することにより、前記第2領域(4b)のうち前記コンタクトホールから露出させられた部分に残った前記比較的低不純物濃度とされた部分を除去することを特徴とする請求項5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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