JP2019155232A - 洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents
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Abstract
Description
水を含む処理液と、触媒金属表面とを相互作用させ、触媒機能によって被処理物表面の直接的な加水分解あるいは被処理物表面の酸化と該酸化膜の加水分解を進行させ、加水分解による分解生成物を被処理物表面から除去する触媒援用エッチングプロセスを用いて、被処理物の表面に付着した付着微粒子を除去する第1洗浄工程を含むことを特徴とする、洗浄方法。
前記触媒金属が微粒子であり、前記第1洗浄工程は、触媒金属微粒子を分散させた水を含む処理液の存在下で、処理パッドと被処理物表面とを接触させながら相対的に変位させて行うことを特徴とする、(1)記載の洗浄方法。
前記触媒金属が繊維状の細線であり、前記第1洗浄工程は、表面に触媒金属細線からなる不織布若しくは織布を設けた処理パッドを用い、前記処理液の存在下で、処理パッドと被処理物表面とを接触させながら相対的に変位させて行うことを特徴とする、(1)又は(2)記載の洗浄方法。
前記第1洗浄工程によって被処理物表面の付着微粒子を除去した後、当該第1洗浄工程によって付着する金属系微粒子を、酸若しくはアルカリ溶液により、溶解除去させる第2洗浄工程を含むことを特徴とする、(1)〜(3)何れか1に記載の洗浄方法。
前記第1洗浄工程での水を含む処理液の流れは、除去ユニットに処理液を供給して該除去ユニットの周囲から処理液を外側に流す工程と、該除去ユニットの周囲から処理液を排出する工程とを含む、(1)〜(4)何れか1に記載の洗浄方法。
前記第1洗浄工程での水を含む処理液の流れは、除去ユニットの周囲に処理液を供給する工程と、該除去ユニットの周囲から処理液を内側に吸い込んで排出する工程とを含む、(1)〜(4)何れか1に記載の洗浄方法。
前記第1洗浄工程での水を含む処理液の流れは、除去ユニットに処理液を供給して該除去ユニットの周囲から処理液を外側に流す工程と、その処理液がオーバーフローにより洗浄領域から排出される工程を含む、(1)〜(4)何れか1に記載の洗浄方法。
前記第1洗浄工程は、水を含む処理液が入った処理槽内で、バッチ処理されることを特徴とする、(1)〜(4)何れか1に記載の洗浄方法。
前記触媒金属が、遷移金属元素である、(1)〜(8)何れか1に記載の洗浄方法。
前記第1洗浄工程における水を含む処理液は、純水又は超純水に、酸化促進剤、pH調整液、緩衝液、分解生成物の溶解を助ける錯体溶液の少なくとも1種を混合したものである、(1)〜(9)何れか1に記載の洗浄方法。
被処理物を保持する保持手段と、
処理パッドと、
前記処理パッドと前記保持手段に保持された被処理物表面とを接触させながら相対的に変位させる駆動手段と、
前記処理パッドと被処理物表面との間に触媒金属微粒子を分散させた水を含む処理液を供給する処理液供給手段と、
を備え、水と触媒金属表面とを相互作用させ、触媒機能によって被処理物表面の直接的な加水分解あるいは被処理物表面の酸化と該酸化膜の加水分解を進行させ、加水分解による分解生成物を被処理物表面から除去する触媒援用エッチングプロセスを用いて、被処理物の表面に付着した付着微粒子を除去することを特徴とする、洗浄装置。
前記処理パッドとして、表面に触媒金属細線からなる不織布若しくは織布を設けた処理パッドを用いることを特徴とする、(11)記載の洗浄装置。
弾性回転球の回転により加工面に沿った前記加工液の高剪断流を形成する回転球型加工ヘッドにより、高周波数領域(1μm×1μm領域)において、表面粗さが0.13nmRMS以下になるような加工を行う工程、
弾性回転球の回転により加工面に沿った前記加工液の高剪断流を形成する回転球型加工ヘッドにより、中周波数領域(100μm×100μm領域)において、表面粗さが0.15nmRMS以下になるような加工を行う工程、
前記回転球型加工ヘッドによる単位加工痕又は前記加工液をノズルから噴出させ、加工面に沿った加工液の高剪断流を形成するノズル型加工ヘッドによる単位加工痕を、加工面に対して相対的に走査するとともに、加工ヘッドの滞在時間を数値制御して空間的に除去量を決める数値制御EEMにより、低周波数領域(1mm以上から前記反射面の有効領域)において、形状誤差が1nmRMS以下になるような加工を行う工程、
のうち少なくとも1つの工程を含むものである。
EEM加工工程は、前述のように光学素子材料1と化学的な反応性のある加工微粒子4を分散した加工液を加工面に沿って流動させて、該加工微粒子4と加工面界面での化学的な相互作用により、該加工微粒子4に化学結合した表面原子を、加工液の煎断流によって該加工微粒子4と共に除去するEEMプロセスを用いている。加工液の剪断流を発生させる方法によって、主に回転球型加工ヘッド方式EEMとノズル型加工ヘッド方式EEMとがある。
図2に、回転球型加工ヘッド方式EEMを簡略的に示す。回転球型加工ヘッド方式EEMは、純水若しくは超純水に加工微粒子4を一様に分散した加工液を入れた加工槽内に、弾性回転球11と光学素子材料1とを配し、該光学素子材料1の表面2に対して前記弾性回転球11を一定荷重Fにて押圧しながら回転させることにより、該弾性回転球11と表面2間に加工液を巻き込んで流動させ、該加工液の流動による流体動圧と荷重との釣り合いによって所定の間隔を維持しながら加工するのである。図2中符号Pは加工液の流れを示している。前記弾性回転球11として、ポリウレタンからなる球体を用い、該弾性回転球11をモータ駆動される回転軸の先端に設けている。ここで、前記弾性回転球11として円板状や円柱状のものを用いることも可能である。
図3に、ノズル型加工ヘッド方式EEMを簡略的に示す。ノズル型加工ヘッド方式EEMは、加工ノズル21と光学素子材料2を加工槽内の加工液中に浸漬し、該加工ノズル21の先端面を光学素子材料2の表面2に対して平行に配するとともに、噴出方向を表面2に対して垂直に配し、光学素子材料2の表面原子と化学的な反応性のある加工微粒子4を均一に分散させた加工液を、前記加工ノズル21の噴出口22から液中にて噴出させ、前記表面2近傍に沿って加工液の高剪断流を発生させ、表面原子と化学結合した加工微粒子4を高剪断流にて取り除いて表面原子を除去し、加工を進行させる。図3中符号Pは加工液の流れを示している。
第1洗浄工程は、水を含む処理液と、触媒金属表面とを相互作用させ、触媒機能によって光学素子材料1の直接的な加水分解あるいは光学素子材料1の酸化と該酸化膜の加水分解を進行させ、加水分解による分解生成物を光学素子材料1から除去する触媒援用エッチングプロセスを用いて、光学素子材料表面2のうち少なくとも反射面となる表面に付着した前記加工微粒子4を含む付着微粒子3を除去する工程である。光学素子材料1が酸化物であれば、直接的な加水分解になり、酸化物でなければ、酸化と該酸化膜の加水分解を進行させることになる。
第2洗浄工程は、前記第1洗浄工程によって光学素子材料表面2の付着微粒子3を除去した後、当該第1洗浄工程によって付着する金属系微粒子6を、酸若しくはアルカリ溶液により、溶解除去させる工程である。
1 光学素子材料
2 表面
3 付着微粒子
4 加工微粒子
5 汚染微粒子
6 金属系微粒子
11 弾性回転球
21 加工ノズル
22 噴出口
31 除去ユニット
32 サポート部
33 処理パッド
34 流路
35 弾性回転球
P 加工液の流れ
Q 処理液の流れ
Claims (12)
- 水を含む処理液と、触媒金属表面とを相互作用させ、触媒機能によって被処理物表面の直接的な加水分解あるいは被処理物表面の酸化と該酸化膜の加水分解を進行させ、加水分解による分解生成物を被処理物表面から除去する触媒援用エッチングプロセスを用いて、被処理物の表面に付着した付着微粒子を除去する第1洗浄工程を含むことを特徴とする、洗浄方法。
- 前記触媒金属が微粒子であり、前記第1洗浄工程は、触媒金属微粒子を分散させた水を含む処理液の存在下で、処理パッドと被処理物表面とを接触させながら相対的に変位させて行うことを特徴とする、請求項1記載の洗浄方法。
- 前記触媒金属が繊維状の細線であり、前記第1洗浄工程は、表面に触媒金属細線からなる不織布若しくは織布を設けた処理パッドを用い、前記処理液の存在下で、処理パッドと被処理物表面とを接触させながら相対的に変位させて行うことを特徴とする、請求項1又は2記載の洗浄方法。
- 前記第1洗浄工程によって被処理物表面の付着微粒子を除去した後、当該第1洗浄工程によって付着する金属系微粒子を、酸若しくはアルカリ溶液により、溶解除去させる第2洗浄工程を含むことを特徴とする、請求項1〜3何れか1項に記載の洗浄方法。
- 前記第1洗浄工程での水を含む処理液の流れは、除去ユニットに処理液を供給して該除去ユニットの周囲から処理液を外側に流す工程と、該除去ユニットの周囲から処理液を排出する工程とを含む、請求項1〜4何れか1項に記載の洗浄方法。
- 前記第1洗浄工程での水を含む処理液の流れは、除去ユニットの周囲に処理液を供給する工程と、該除去ユニットの周囲から処理液を内側に吸い込んで排出する工程とを含む、請求項1〜4何れか1項に記載の洗浄方法。
- 前記第1洗浄工程での水を含む処理液の流れは、除去ユニットに処理液を供給して該除去ユニットの周囲から処理液を外側に流す工程と、その処理液がオーバーフローにより洗浄領域から排出される工程を含む、請求項1〜4何れか1項に記載の洗浄方法。
- 前記第1洗浄工程は、水を含む処理液が入った処理槽内で、バッチ処理されることを特徴とする、請求項1〜4何れか1項に記載の洗浄方法。
- 前記触媒金属が、遷移金属元素である、請求項1〜8何れか1項に記載の洗浄方法。
- 前記第1洗浄工程における水を含む処理液は、純水又は超純水に、酸化促進剤、pH調整液、緩衝液、分解生成物の溶解を助ける錯体溶液の少なくとも1種を混合したものである、請求項1〜9何れか1項に記載の洗浄方法。
- 被処理物を保持する保持手段と、
処理パッドと、
前記処理パッドと前記保持手段に保持された被処理物表面とを接触させながら相対的に変位させる駆動手段と、
前記処理パッドと被処理物表面との間に触媒金属微粒子を分散させた水を含む処理液を供給する処理液供給手段と、
を備え、水と触媒金属表面とを相互作用させ、触媒機能によって被処理物表面の直接的な加水分解あるいは被処理物表面の酸化と該酸化膜の加水分解を進行させ、加水分解による分解生成物を被処理物表面から除去する触媒援用エッチングプロセスを用いて、被処理物の表面に付着した付着微粒子を除去することを特徴とする、洗浄装置。 - 前記処理パッドとして、表面に触媒金属細線からなる不織布若しくは織布を設けた処理パッドを用いることを特徴とする、請求項11記載の洗浄装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021066071A1 (ja) * | 2019-10-04 | 2021-04-08 | 株式会社ジェイテックコーポレーション | 有機微粒子による加工方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270395A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウエハ基板の研磨洗浄処理におけるガス雰囲気調整方法及び該調整方法を実施するための装置 |
JP2003266283A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
JP2006114632A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Kazuto Yamauchi | 触媒支援型化学加工方法 |
WO2014104276A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、マスクブランク用基板の製造方法及び多層反射膜付き基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法 |
WO2015008572A1 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 金属製研磨パッドおよびその製造方法 |
JP2015045847A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-03-12 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置 |
WO2015159973A1 (ja) * | 2014-04-18 | 2015-10-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法 |
JP6188152B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2017-08-30 | 国立大学法人大阪大学 | Si基板の平坦化加工方法及びその装置 |
JP2019152829A (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | 株式会社ジェイテックコーポレーション | 光学素子の製造方法 |
-
2018
- 2018-03-08 JP JP2018042036A patent/JP2019155232A/ja active Pending
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10270395A (ja) * | 1997-03-26 | 1998-10-09 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | ウエハ基板の研磨洗浄処理におけるガス雰囲気調整方法及び該調整方法を実施するための装置 |
JP2003266283A (ja) * | 2002-03-15 | 2003-09-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
JP2006114632A (ja) * | 2004-10-13 | 2006-04-27 | Kazuto Yamauchi | 触媒支援型化学加工方法 |
WO2014104276A1 (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、マスクブランク用基板の製造方法及び多層反射膜付き基板の製造方法並びに半導体装置の製造方法 |
WO2015008572A1 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | 国立大学法人名古屋工業大学 | 金属製研磨パッドおよびその製造方法 |
JP2015045847A (ja) * | 2013-07-29 | 2015-03-12 | Hoya株式会社 | 基板の製造方法、マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法、及び基板製造装置 |
JP6188152B2 (ja) * | 2014-02-27 | 2017-08-30 | 国立大学法人大阪大学 | Si基板の平坦化加工方法及びその装置 |
WO2015159973A1 (ja) * | 2014-04-18 | 2015-10-22 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置、基板処理システム、および基板処理方法 |
JP2019152829A (ja) * | 2018-03-06 | 2019-09-12 | 株式会社ジェイテックコーポレーション | 光学素子の製造方法 |
JP6831541B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2021-02-17 | 株式会社ジェイテックコーポレーション | 光学素子の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021066071A1 (ja) * | 2019-10-04 | 2021-04-08 | 株式会社ジェイテックコーポレーション | 有機微粒子による加工方法 |
JP7464216B2 (ja) | 2019-10-04 | 2024-04-09 | 株式会社ジェイテックコーポレーション | 有機微粒子による加工方法 |
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