TW201338914A

TW201338914A - 基板之製造方法

Info

Publication number: TW201338914A
Application number: TW101142441A
Authority: TW
Inventors: Harunobu Matsui; Daijitsu Harada; Atsushi Watabe; Shuhei Ueda; Masaki Takeuchi
Original assignee: Shinetsu Chemical Co
Priority date: 2011-11-15
Filing date: 2012-11-14
Publication date: 2013-10-01
Also published as: US10065285B2; EP2594366B1; TWI615238B; CN103144012A; CN103144012B; KR101762457B1; EP2594366A2; JP2013103305A; EP2594366A3; JP5712906B2; MY157611A; KR20130054179A; US20130122785A1

Abstract

本發明之解決手段為一種基板之製造方法，其特徵係使用接觸到基板、具有多數空孔的NAP層被以基底樹脂含醚樹脂之具有至少3種類樹脂形成之研磨布，包含使其伴隨研磨漿研磨基板表面的步驟。本發明之效果係根據本發明可以製造出基板表面缺陷數少、且被高平滑性化之基板。此外，由於可以延長研磨布的使用時間，所以連帶使生產成本降低及生產性提高。

Description

基板之製造方法

本發明係有關於光罩、奈米壓印、液晶彩色濾光片用等最先端技術上所採用之合成石英玻璃基板、矽基板等之基板表面低缺陷且高平滑之基板之製造方法。

在製造被導入半導體積體電路等精密機器之裝置時，係在該製造步驟採用光學微影(photo lithography)或奈米壓印等手法。在使用此類之手法時，重視基板表面的缺陷數多寡。例如對於在光學微影時被作為曝光用原版使用之光罩，如在曝光時的原版有缺陷，會擔心該缺陷直接被轉印引起圖案缺陷之不良狀況。此外，為了對應最近被視為EUV光微影術(Extreme Ultraviolet lithography)等之類的圖案超微細化，對成為原版之基板，也要求是具有基板表面更低缺陷並且平滑。

光罩或被使用於液晶之合成石英玻璃基板等，因為被要求高平坦度、高平滑性、低缺陷度，所以，對於該表面調整會經過精研步驟、拋光步驟等數個階段的步驟而製造出製品。

於精研步驟除去由錠切片後的加工歪斜，於拋光步驟將基板鏡面化進行建立確保表面的平坦度及形狀，而在最後的最後拋光步驟，則使用粒子徑小的矽膠研磨劑將基板表面平滑化，製造已除去微小缺陷之基板。例如，在專利文獻1(日本專利特開2007-213020號公報)記載著，將使用具有由酯系樹脂所形成的NAP層之研磨布與較小粒子徑的矽膠之研磨步驟放入最終研磨步驟(最後拋光步驟)，而取得低缺陷基板之方法。

此外，專利文獻2(日本特開2007-054944號公報)係揭示對研磨平板自身施以溝加工，確保研磨漿流量以研磨大型基板之方法。

再者，專利文獻3(日本專利特開2004-255467號公報)記載，藉由在最後研磨步驟(最後拋光步驟)使用對研磨布的NAP層加工規定尺寸深度的溝之氨基甲酸酯發泡性絨面革研磨布以減少缺陷之手法。

以該方式，不但是氟化氬準分子雷射，也對應超級紫外光微影之類的合成石英玻璃基板，對於基板表面缺陷要少之要求。再者，有關大型基板之方式漿料供給困難方面，要求使基板全體潤澤地遍布漿料，並且減少基板表面之缺陷數。

但是，專利文獻1方面，在製造線幅至45nm為止的光罩用基板等時作為一般的手法是足夠的，但考慮到沒有長徑40nm級的缺陷之超低缺陷基板製作有困難，縱使假設能夠製作，其產量也是非常低。研磨布及研磨劑是新品時，雖可能在最終研磨步驟具有能夠充分使用之能力，然當任何一方開始劣化時，研磨條件的平衡便急遽崩壞，特別是有關於大型基板之類的尺寸較大者，被確認有漿料增黏、凝膠化後漿料不能遍布基板全體，而基板表面開始多處發生缺陷之不良狀況，而無法長久使用。

再者，專利文獻2的方法方面，也許針對使基板全體遍布漿料是有效的，然而一考慮到由於對平板自身施以溝加工，便擔心隨著時間經過產生變化之平板變形等主要因素，會使基板的平坦度惡化。此外，如果研磨布為使用期尚短之狀態，利用專利文獻3的方法也是有可以期待製造出缺陷數少的基板之可能性，然而考慮到由於隨著研磨布的使用下去所產生的NAP層磨耗及溝形變形或溝深變淺等之理由，要取得安定而低缺陷的基板是困難的。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2007-213020號公報

[專利文獻2]日本專利特開2007-054944號公報

[專利文獻3]日本專利特開2004-255467號公報

本發明有鑑於上述情事，其目的在於提供一種基板之製造方法，在最後拋光步驟減低基板表面的缺陷數，且創生高平滑性，提供IC、光罩、液晶用大型基板等所使用之合成石英玻璃基板或矽基板等之基板之製造方法。

本發明人等，為了解決上述課題，著眼於基板之製造上所採用之形成研磨布的NAP層之基底樹脂，發現使用具有包含醚樹脂之至少3種類的樹脂，特別是以醚樹脂為必須成分，進而包含酯樹脂、聚碳酸酯樹脂之2種類以上混合之NAP層之研磨布進行研磨是有幫助的。

藉由使用此研磨布，對所有的基板尺寸，都可以進行基板表面的低缺陷化及高平滑化之基板之製造。

亦即，本發明，提供以下之基板之製造方法。

<1>一種基板之製造方法，其特徵係使用接觸到基板、具有多數空孔之NAP層被以基底樹脂含醚樹脂之具有至少3種類樹脂形成之研磨布，包含使其伴隨研磨漿研磨基板表面的步驟。

<2>如<1>記載之基板之製造方法，其中，形成前述NAP層之基底樹脂，包含醚樹脂，進而包含酯樹脂及聚碳酸酯樹脂之至少2種類樹脂。

<3>如<1>或<2>記載之基板之製造方法，其中，前述研磨漿係包含膠粒(colloid particle)之研磨漿。

<4>如<3>記載之基板之製造方法，其中，前述膠粒，可由膠體二氧化矽粒子、膠體二氧化鈰粒子、矽氧化鋯膠粒選擇而來。

<5>如<1>~<4>任一項記載之基板之製造方法，其中，前述進行研磨之步驟係最後拋光(final polish)步驟。

<6>如<1>~<5>任一項記載之基板之製造方法，其中，基板為合成石英玻璃基板或者矽基板。

根據本發明，可以製造出基板表面缺陷數少、且被高平滑性化之基板。此外，由於可以延長研磨布的使用時間，所以連帶使生產成本降低及生產性提高。

[用以實施發明之型態]

以下，詳細說明本發明。

研磨布，係具有基材的不織布、與使其含浸而一起在表面形成層之樹脂，被形成在該表面之樹脂層形成NAP層之物，此場合，本發明之研磨布，形成NAP層之基底樹脂具有包含醚樹脂之至少3種類樹脂，最好是包含醚樹脂、酯樹脂、與聚碳酸酯樹脂之至少3種類樹脂者，此外，NAP層係具有多數空孔之層。

於此，以醚樹脂作為必須成分之理由如下。

進行研磨時會在研磨布與基板之間產生因摩擦所形成之研磨熱。接著，利用該研磨熱造成漿中的水分蒸發時，漿中的磨石粒凝集而容易大粒子化，此大粒子化後的磨石粒便容易在基板的表面造成磨痕。此外，由於漿中水分的蒸發，使漿的流動性惡化，令施加在研磨布與基板之間的摩擦電阻增大，連帶磨耗NAP層。

於此，考慮到在NAP層採用醚樹脂的話，因醚樹脂中的氧與漿中的水分子易於接近，而使研磨布的NAP層部分(NAP層的空孔部分)之漿保持性提高。因而，可以做出在研磨布與基板之間讓漿料潤澤地遍布之狀態，能夠抑制由研磨熱造成的磨石粒凝集及NAP層的磨耗。

此外，在進行研磨的步驟被伴隨的研磨漿，例如包含膠粒之研磨漿，為了提升研磨粒的分散性常常會添加添加劑。考慮到，此添加劑有使研磨漿的液性大幅改變成為鹼性或者酸性之場合，而利用由此引起之鹼或酸形成之加水分解，會招致NAP層崩壞。

該場合下，也在NAP層採用耐化學藥品性佳的醚樹脂的話，雖易於使水分子靠近凝聚，然而在聚醚部並不存在烴基，所以並不被加水分解。結果，即使研磨布的基材的胺甲酸乙酯部被加水分解，相比於在NAP層包含酯樹脂等之場合，該耐化學藥品性佳，還是較能夠不易引發加水分解。

一方面，形成NAP層之基底樹脂僅僅是醚樹脂之場合，機械剪斷性較弱。此外，理想上NAP層係把空孔直接在表面拔除，但為了單獨以醚樹脂形成這樣的NAP層，而有必要使用大量的界面活性劑。投入大量的界面活性劑時，界面活性劑與磨石粒結合而變得易於附著在基板表面，增加凸缺陷。再者，由於細泡在NAP層形成過程發生許多，使得NAP層的樹脂部分的密度低、容易變形。此外，由於醚樹脂耐熱水性弱，在利用研磨熱使研磨漿的溫度部分地上升時，藉由該部分地溫度上升之水分子使醚樹脂中的結合切斷，隨之NAP層崩壞。再者，聚醚結合部有藉求核置換反應引起氧開裂之可能性，擔心在使用pH1附近的酸性矽膠研磨劑等時，會在常溫的研磨條件下發生醚樹脂崩壞、亦即NAP層崩壞之虞。

本發明方面，應可解決上述問題，而混合酯樹脂是有效的。藉此，能夠彌補機械剪斷性，且NAP層形成時界面活性劑的使用量也較僅採用醚樹脂之場合還要少，除了能夠使往縱方向的空孔也容易形成，還能夠提高NAP層的樹脂密度。此外，能夠藉由變更形成酯樹脂之單體的構造使耐藥品性提高，直到某種程度的研磨過程都能一起給予醚樹脂耐藥品性。

醚樹脂與酯樹脂之混合系方面，針對荷重提高、旋轉數增加等稍微過酷的研磨條件下的耐磨耗性及機械剪斷性並不足夠，為了彌補該耐用性最好是混合聚碳酸酯樹脂。結果，可以提升NAP層的機械性強度。

於是，同時發現，在進行研磨的步驟因伴隨之研磨漿引起之鹼或酸之加水分解所造成NAP層的消耗，也會藉由在上述漿料保持性高的樹脂添加具有耐鹼性的基底樹脂、或者使用改良之物而同時被抑制，且有助於抑制研磨布的磨耗。

以該方式，藉由採用具有由醚樹脂為必須、混合種種樹脂之樹脂所構成的NAP層之研磨布，可以製造出基板表面缺陷數較少、且高度平滑。此外，由於機械性剪斷性、耐鹼或酸性提高，而能夠延長研磨布的使用壽命。

形成NAP層的基底樹脂方面，醚樹脂是必須的，而其他酯樹脂，包含聚碳酸酯樹脂，則因應狀況可選擇其他的樹脂。此場合，作為醚樹脂可採用聚六次甲基醚等之聚亞烷基醚、聚次苯基醚等之聚亞烷基醚。

此外，作為酯樹脂可以採用聚丁二酸乙二醇酯、聚丁二酸丁二醇酯、聚己二酸乙二醇酯等之丙二醇型脂肪酸聚酯。作為聚碳酸酯樹脂，可以採用聚碳酸亞乙酯、聚六亞甲基碳酸酯二醇等之聚碳酸亞烴酯。這些都可以使用市面販售的商品。在此，形成NAP層的樹脂比例，醚樹脂最好為55~85質量%、酯樹脂最好為10~35質量%，而聚碳酸酯樹脂及其他的聚氨基甲酸酯樹脂等樹脂加總的比例最好是在5~10質量%的範圍。在該範圍之外的話，可能出現被期待的NAP層的耐鹼性或耐酸性的能力不充分之場合或對於機械剪斷性變弱之場合。

此外，本發明的研磨布對於不織布基材的種類並無限制，但最好是由聚酯與聚醯胺所構成之不織布基材較佳。

本發明的研磨布，係可得以採用習知的方法，在例如溶解這些醚樹脂、酯樹脂、聚碳酸酯樹脂等之溶劑，例如，溶解成N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、四氫呋喃、二甲基乙醯胺等，而且對此添加非離子系或者陰離子系界面活性劑，使含浸不織布基材以在表面形成樹脂層後，用水溶解除去該樹脂層中的上述界面活性劑，進而進行研磨調整樹脂層表面形成NAP層之物。又，NAP層的厚度並無特別限制，但通常為400~550μm。此外，基材的厚度通常為1~2mm。

NAP層具有空孔，而此時空孔的深度自研磨布表面起最好是250~600nm，在300~500nm更佳。空孔淺於 250nm時，無法充分保持研磨漿，而有使研磨率惡化之場合。相反地，深度大於600nm時，則有引起NAP層易於變形、破壞基板平坦度等之不良狀況之場合。

此外，開口徑的大小方面，長徑最好為25~70μm，以35~60μm更佳。開口徑比25μm還小者，會出現磨石粒無法充分進入空孔，使研磨率惡化之場合。相反地，開口徑大於70μm，則有磨石粒不易被保持在空孔之場合。

本發明所使用之研磨布，可適當使用在NAP層施以切溝加工者。大型基板之類的大尺寸基板，因其相較於小的光罩用合成石英基板等比較難以使基板全體遍布漿料，所以，藉由使用進行過溝加工之研磨布，可以更加強化對基板的漿料供給性。例如，溝的形狀可例舉V字、U字型等。此外，溝的間距，可以因應研磨條件適當選擇，而在15~40mm的範圍的間距為佳。溝的間距太狹窄時，會出現研磨布易於變形而常常引起基板的平坦度及形狀崩壞等不良狀況之場合；間距過大時，則有由於溝效果造成更加得不到漿料供給性之場合。

伴隨研磨之漿料係以膠粒為主成分，其研磨粒的一次粒子徑最好是5~2,000nm，在10~1,500nm更佳，而以20~1,200nm特佳。粒子徑太小時，雖然有助於使基板表面高平滑化，相反地，由於膠粒易於附著在基板表面而有使研磨後的洗淨性惡化之場合。此外，相反地粒子徑過大時，雖從研磨率提高、研磨時間縮短的效果而言是可以期待生產性的提升，然會常常看到基板表面的面粗細度變差，在最後拋光步驟使用不便之情形。

又，作為膠狀的研磨劑，可以使用市面販售品或使用固形研磨粒分散於純水者，如果是膠體二氧化矽粒子，可以使用例如FUJIMI INCORPORATED(股)製COMPOL-50、COMPOL-80、COMPOL-120、COMPOL-EXIII、日產化學工業(股)製ST-XL、ST-YL、ST-ZL、Dupont製SYTON、扶桑化學工業(股)製GP系列等。此外，如果是二氧化鈰，可以使用昭和電工(股)製NX系列、三井金屬鑛業(股)製MIREK系列；如果為矽氧化鋯，可以使用第一稀元素化學工業(股)製的氧化矽氧化鋯系列、安定化矽氧化鋯系列、Ferro製Zyrox系列等等。

藉由使用上述的研磨布，伴隨研磨漿進行研磨基板，可以延長研磨布的使用期限、抑制被高感度缺陷檢查裝置檢測出的缺陷數、以及使基板表面的平滑性提升。

本發明製造方法的對象的基板，特別是能夠使用於半導體相關電子材料之合成石英玻璃基板或者矽基板，特別能夠適合於用作光罩用、奈米壓印用、液晶彩色濾光板用、磁性裝置用等。其大小並無特別規定，然作為研磨對象，例如，可舉出四角形的基板方面有5吋見方或6吋見方基板、圓形的玻璃基板方面有6吋、8吋晶圓、若為大型者則有G8(1,220×1,400mm見方)、G10(1,620×1,780mm見方)尺寸等等。

適用於本發明之基板，例如可以藉由將合成石英玻璃錠成形、退火、切片加工、切角、精研(lapping)、經過用以將基板表面鏡面化之研磨步驟而得到。

把這樣做法所得到的基板，本發明之製造方法最好是被適用在最後拋光步驟。

又，作為關於本發明之研磨方法，一般上為分批式的雙面研磨，然有關大型基板之類的尺寸較大者，即使在單面研磨步驟也能使用。此外，利用與枚葉式研磨等其他研磨方法組合起來而實施之方法亦可。又，研磨壓係60~140gf/cm²，研磨取代最好是2~8μm。

以下，顯示實施例及比較例，具體說明本發明，但本發明並不受到下列之實施例的限制。

[實施例1]

把已被切片之合成石英玻璃基板原料(6吋見方，厚度6.35mm)，以進行行星運動之雙面精研機進行精研(lapping)之後，以進行行星運動之雙面拋光機進行粗研磨，準備原料基板。

使用在基底樹脂包含醚樹脂、酯樹脂、聚碳酸酯樹脂等3種類以65：30：5之比例(質量%)之具有平均開口徑為50μm之多數空孔之NAP層之研磨布，作為研磨劑採用SiO₂濃度為40質量%之矽膠水分散液(Fujimi Incorporated(股)製，粒子直徑76.8nm)。研磨壓係100gf/cm²，研磨取代係在粗研磨步驟要除去帶入的傷痕而進行研磨充分的量(2μm以上)。

研磨結束後，洗淨、乾燥後即採用雷射共軛焦光學系高感度缺陷檢查裝置(Lasertec(股)製)實施缺陷檢查，長徑40nm級以上的缺陷為平均1.1個。此外，基板表面的面粗細度(Rms)係0.12nm。

[實施例2]

把被切薄片之8吋之矽晶圓(厚度1.0mm)，與實施例1同樣地進行研磨，準備原料基板。除了設定研磨壓為50gf/cm²以外，與實施例1同樣地實施研磨之後，長徑40nm級以上的缺陷為平均1.3個。基板表面的面粗細度(Rms)係0.14nm。

[比較例1]

與實施例1相同使用原料基板，除了使用NAP層被形成基底樹脂僅由酯樹脂所構成、具有平均開口徑為50μm的多數空孔之研磨布以外，在與實施例1相同條件下實施研磨。結果，在同樣地使用雷射共軛焦光學系高感度缺陷檢查裝置實施缺陷檢查之後，40nm級以上的缺陷為平均5.7個。此外，基板表面的面粗細度(Rms)係0.20nm。

[比較例2]

與實施例1相同使用原料基板，除了使用NAP層被形成基底樹脂僅由聚碳酸酯樹脂所構成、具有平均開口徑為50μm的多數空孔之研磨布以外，全按照與實施例1相同條件下實施研磨。結果，在同樣地使用雷射共軛焦光學系高感度缺陷檢查裝置實施缺陷檢查之後，長徑40nm級以上的缺陷為平均25個。此外，基板表面的面粗細度(Rms)係0.22nm。

[實施例3]

把已被切片之合成石英玻璃基板原料(6吋見方，厚度6.35mm)，以進行行星運動之雙面精研機進行精研之後，以進行行星運動之雙面拋光機進行粗研磨，準備原料基板。作為研磨布使用對實施例1的研磨布以間距30mm切開U字型溝之研磨布，作為研磨劑使用SiO₂濃度為40質量%的矽膠水分散液(扶桑化學工業(股)製，粒子徑長23nm)以外，係按照與實施例1相同條件下實施研磨。研磨結束後，洗淨、乾燥後即採用雷射共軛焦光學系高感度缺陷檢查裝置(Lasertec(股)製)實施缺陷檢查，長徑40nm級以上的缺陷為平均0.4個。此外，基板表面的面粗細度(Rms)係0.08nm。

[實施例4]

把已被切片之6吋晶圓(厚度0.775mm)，以進行行星運動之雙面精研機進行精研之後，以進行行星運動之雙面拋光機進行粗研磨，準備原料基板。與實施例3相同使用研磨布，在作為研磨劑使用SiO₂濃度為20質量%之矽膠水分散液(扶桑化學工業(股)製，粒子徑93.5nm)之研磨壓80gf/cm²之條件下實施研磨。研磨結束後，洗淨．乾燥後的基板表面的面粗細度(Rms)係0.15nm。此外，因研磨所引起之所謂刮傷或凹痕之損傷並未被檢出。

[實施例5]

把已被切片之合成石英玻璃基板原料(G6尺寸：800×960mm見方)，以進行行星運動之雙面精研機進行精研之後，以進行行星運動之雙面拋光機進行粗研磨，準備原料基板。使用具有在基底樹脂包含醚樹脂、酯樹脂、聚碳酸酯樹脂等3種類以65：30：5之比例(質量%)、有平均開口徑為50μm之多數空孔之NAP層、並且以間距15mm被切開U字型溝之研磨布，作為研磨劑使用SiO₂濃度為40質量%之矽膠水分散液(日產化學工業(股)製，粒子徑78.0nm)。研磨壓係90gf/cm²，研磨取代為10μm。研磨結束後，洗淨、乾燥後即採用雷射共軛焦光學系高感度缺陷檢查裝置(Lasertec(股)製)實施缺陷檢查，長徑0.22μm級以上的缺陷為平均0個。此外，基板表面的面粗細度(Rms)係0.17nm。

[實施例6]

與實施例5相同使用原料基板及研磨布，使用研磨布經過5小時、經過100小時、經過200小時、經過300小時時，為了缺陷檢查隨即將同條件下研磨後之基板進行蝕刻10nm，使用反射光學系高感度缺陷檢查裝置(Lasertec(股)製)實施缺陷檢查，長徑0.22μm級以上的缺陷在使用研磨布經過5小時為平均2個，經過300小時也是相同數目。此外，基板表面的面粗細度(Rms)同等為0.17nm。

[實施例7]

把已被切片之合成石英玻璃基板原料(G8尺寸：1,220×1,400mm見方)，以進行搖動運動之單面精研機進行精研之後，以進行搖動運動之單面拋光機進行粗研磨，準備原料基板。與實施例5相同使用研磨布，作為研磨劑使用SiO₂濃度為40質量%之矽膠水分散液(日產化學工業(股)製，粒子徑78.0nm)。研磨壓係80gf/cm²，研磨取代為10μm。研磨結束後，洗淨、乾燥後即採用反射光學系高感度缺陷檢查裝置(Lasertec(股)製)實施缺陷檢查，長徑0.22μm級以上的缺陷為平均2個。此外，基板表面的面粗細度(Rms)係0.15nm。

[實施例8]

與實施例7相同使用原料基板及研磨布，使用研磨布經過5小時、經過40小時、經過100小時、經過200小時時，為了缺陷檢查隨即將同條件下研磨後之基板進行蝕刻10nm，使用反射光學系高感度缺陷檢查裝置 (Lasertec(股)製)實施缺陷檢查，長徑0.22μm級以上的缺陷在使用研磨布經過5小時為平均15個，經過200小時也是相同數目。此外，基板表面的面粗細度(Rms)同等為0.15nm。

[比較例3]

與實施例5相同使用原料基板，除了使用NAP層被形成基底樹脂僅由酯樹脂所構成、具有平均開口徑為50μm的多數開口徑之研磨布以外，在與實施例5相同條件下實施研磨。結果，在同樣地使用反射光學系高感度缺陷檢查裝置實施缺陷檢查之後，長徑0.22μm級以上的缺陷為平均5個。此外，基板表面的面粗細度(Rms)係0.20nm。

[比較例4]

與實施例6相同使用原料基板，除了使用NAP層被形成基底樹脂僅由酯樹脂所構成、具有平均開口徑為50μm的多數開口徑之研磨布以外，在與實施例6相同條件下實施研磨。在同樣地使用反射光學系高感度缺陷檢查裝置實施缺陷檢查之後，長徑0.22μm級以上的缺陷在使用研磨布經過5小時為平均10個。經過200小時為平均20個，經過300小時以後為30個以上。此外，基板表面的面粗細度(Rms)係0.22nm。

[比較例5]

與實施例7相同使用原料基板，除了使用NAP層被形成基底樹脂僅由酯樹脂所構成、具有平均開口徑為50μm的多數開口徑之研磨布以外，在與實施例7相同條件下實施研磨。結果，在同樣地使用反射光學系高感度缺陷檢查裝置實施缺陷檢查之後，長徑0.22μm級以上的缺陷為平均15個。此外，基板表面的面粗細度(Rms)係0.18nm。

[比較例6]

與實施例8相同使用原料基板，除了使用NAP層被形成基底樹脂僅由酯樹脂所構成、具有平均開口徑為50μm的多數開口徑之研磨布以外，在與實施例8相同條件下實施研磨。在同樣地使用反射光學系高感度缺陷檢查裝置實施缺陷檢查之後，長徑0.22μm級以上的缺陷在使用研磨布經過5小時為平均30個，但是，經過40小時成為平均500個，經過100小時以後就成為5,000個以上。此外，基板表面的面粗細度(Rms)係0.20nm。

Claims

一種基板之製造方法，其特徵係包含使用接觸到基板、具有多數空孔之NAP層，被以基底樹脂含醚樹脂之具有至少3種類樹脂形成之研磨布，使其伴隨研磨漿而研磨基板表面的步驟。
如申請專利範圍第1項記載之基板之製造方法，其中，形成前述NAP層之基底樹脂，包含醚樹脂，進而包含酯樹脂及聚碳酸酯樹脂之至少2種類樹脂。
如申請專利範圍第1或2項記載之基板之製造方法，其中，前述研磨漿係包含膠粒(colloid particle)之研磨漿。
如申請專利範圍第3項記載之基板之製造方法，其中，前述膠粒，可由膠體二氧化矽粒子、膠體二氧化鈰粒子、膠體二氧化鋯粒子選擇而來。
如申請專利範圍第1或2項記載之基板之製造方法，其中，前述進行研磨之步驟係最後拋光(final polish)步驟。
如申請專利範圍第1或2項記載之基板之製造方法，其中，基板為合成石英玻璃基板或者矽基板。