JP5942773B2 - ガラス基板の研磨方法 - Google Patents
ガラス基板の研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5942773B2 JP5942773B2 JP2012231432A JP2012231432A JP5942773B2 JP 5942773 B2 JP5942773 B2 JP 5942773B2 JP 2012231432 A JP2012231432 A JP 2012231432A JP 2012231432 A JP2012231432 A JP 2012231432A JP 5942773 B2 JP5942773 B2 JP 5942773B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- tio
- glass substrate
- sio
- main surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 265
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims description 129
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 127
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 155
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 106
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 68
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 35
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000001900 extreme ultraviolet lithography Methods 0.000 description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 14
- 239000002585 base Substances 0.000 description 10
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 3
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 3
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 3
- 239000006260 foam Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- -1 and the like Chemical compound 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical group 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000000733 zeta-potential measurement Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
TiO2を含有するシリカガラス(以下、本明細書では、TiO2−SiO2ガラスと記す)ガラスは、石英ガラスよりも小さい熱膨張係数を有する超低熱膨張材料として知られ、またガラス中のTiO2含有量によって熱膨張係数を制御できるために、熱膨張係数が0に近いゼロ膨張ガラスが得られる。このため、TiO2−SiO2ガラスで作成されたガラス基板(TiO2−SiO2ガラス基板)をEUVL光学基材として使用することが検討されている。
EUVL光学基材として使用されるガラス基板についても、特定の研磨スラリーと、研磨パッドと、を用いて機械研磨する方法が特許文献2に記載されている。EUVL光学基材用ガラス基板の研磨では、特許文献2に記載されているように、該基板の表面粗さが所定の要求を満たすように主表面を予備研磨した後、平坦度が所定の要求を満たすように、該主表面を仕上げ研磨するのが一般的である。
特許文献4では、初期段階の使用においてワーク表面を凸状化するものを、ワークの表面初期形状が凸状となる凸系研磨剤とし、初期段階の使用においてワーク表面を凹状化するものを、ワークの表面初期形状が凹状となる凹系研磨剤としている。
特許文献4では、これら凸系研磨剤および凹系研磨剤を、研磨剤における研磨粒子の平均粒径の範囲で選定しており、凸系研磨剤の平均粒径は0.03〜0.9μmであり、凹系研磨剤の平均粒径は0.5〜3μmである、としている。
また、平均粒径が0.03〜0.9μmの研磨剤として、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウム、酸化マンガン、コロイダルシリカ、ダイヤモンド、炭化珪素を挙げており、平均粒径が0.5〜3μmの研磨剤としては、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化マンガン、ダイヤモンド、炭化珪素を挙げている。
しかしながら、上述した凸系研磨剤および凹系研磨剤は、研磨剤の種類と、その平均粒径が重複しており、これらの研磨剤をどのような条件で使用した場合に、凸系研磨剤および凹系研磨剤として、それぞれ機能するのか不明である。
EUVL光学基材の主面の表面粗さの指標として、50μm〜10mmの範囲内にうねりのピッチをもつMSFR(Mid−Spatial Frequency Roughness)がある。EUVL光学基材として使用されるガラス基板は、予備研磨後の主面のMSFRが10nm以下であることが好ましい。
予備研磨後のTiO2−SiO2ガラス基板の主面にこのようなうねりが生じていると、該主面のMSFRを10nm以下とすることが困難になる。
研磨後のTiO2−SiO2ガラス基板の主面に生じるうねりが、TiO2−SiO2ガラス基板におけるTiO2の濃度分布に起因する理由としては、以下の2点が挙げられる。
TiO2の濃度が高い部位は、TiO2の濃度が低い部位に比べてガラスが比較的柔らかいため、研磨がより進行する。この結果、研磨後のTiO2−SiO2ガラス基板の主面にうねりが生じる。図1(a),(b)は、これを模式的に示した図であり、図1(a)が研磨前の状態、図1(b)が研磨後の状態を示している。TiO2の濃度が低い部位を薄いグレートーン、TiO2の濃度が高い部位を濃いグレートーンで示している。図1(a),(b)の比較により、TiO2の濃度が高い部位で研磨がより進行して、TiO2−SiO2ガラス基板の主面にうねりが生じていることが確認できる。
後述する実施例に示すように、TiO2−SiO2ガラス基板の主面は、負のゼータ電位を有している。TiO2−SiO2ガラス基板の主面のうち、TiO2の濃度が高い部位は負のゼータ電位の絶対値が小さくなる。一方、TiO2−SiO2ガラス基板の主面のうち、TiO2の濃度が低い部位は負のゼータ電位の絶対値が大きくなる。すなわち、TiO2−SiO2ガラス基板の主面には、負のゼータ電位の絶対値の大小異なる部位が存在し、ゼータ電位の分布が生じている。
機械研磨時には、TiO2−SiO2ガラス基板の主面が有する負のゼータ電位と、研磨スラリーが有する負のゼータ電位と、の間で電気的な反発力が生じるが、TiO2−SiO2ガラス基板の主面には、ゼータ電位の分布が生じているため、この電気的な反発力による影響にも分布が生じる。すなわち、TiO2の濃度が高い部位は、電気的な反発力による影響がTiO2の濃度が低い部位よりも小さいため、研磨スラリーに含まれる酸化セリウムがTiO2−SiO2ガラス基板の主面により密着した状態となり、研磨がより進行する。
また、上述したように、TiO2の濃度が高い部位は、TiO2の濃度が低い部位に比べてガラスが比較的柔らかいため、研磨がより進行する。
これらの結果、予備研磨後のTiO2−SiO2ガラス基板の主面にうねりが生じる。
本発明の研磨方法では、TiO2−SiO2ガラス基板の主面を、研磨スラリーと、研磨パッドと、を用いて機械研磨する。
研磨スラリーとは、研磨粒子と、該研磨粒子の分散媒体と、を含む流体である。したがって、研磨粒子が研磨スラリーの主成分である。本発明では、研磨粒子として、酸化セリウムを用いる。その理由は、TiO2−SiO2ガラス基板の研磨レートが高い、研磨面の表面粗さが低くなる、研磨面にスクラッチが発生しにくい等である。
一方、研磨スラリーの分散媒体としては、水、有機溶剤が挙げられ、水が好ましい。
上述したように、TiO2−SiO2ガラス基板の主面は、負のゼータ電位を有しているが、該主面におけるTiO2の濃度分布に応じて、ゼータ電位の絶対値が高い部位と、ゼータ電位の絶対値の低い部位と、が存在する。具体的には、TiO2の濃度が高い部位は、TiO2の濃度が低い部位に比べてゼータ電位の絶対値が低い。
本発明の研磨方法の第1研磨工程では、負のゼータ電位を有する研磨スラリーを使用するため、TiO2−SiO2ガラス基板の主面が有する負のゼータ電位と、研磨スラリーが有する負のゼータ電位と、の間に電気的な反発力が生じる。図2(a)に示すように、TiO2の濃度が高い部位は、この電気的な反発力による影響が、TiO2の濃度が低い部位よりも小さいため、研磨スラリーに含まれる酸化セリウムが、TiO2−SiO2ガラス基板の主面のより近い位置に存在する。図中、濃いグレートーンで示したTiO2の濃度が高い部位は、TiO2の濃度が高いこと、および、TiO2の濃度分布に起因する応力により、比較的柔らかいため、研磨がより進行する。
この結果、研磨がより進行して、図2(b)に示すように、TiO2−SiO2ガラス基板の主面にうねりが生じる。
なお、本発明の方法を用いて主面を研磨するTiO2−SiO2ガラス基板は、TiO2の濃度が1〜12質量%であることが好ましい。
本発明の研磨方法の第2研磨工程では、正のゼータ電位を有する研磨スラリーを使用するため、TiO2−SiO2ガラス基板の主面が有する負のゼータ電位と、研磨スラリーが有する正のゼータ電位と、の間に電気的な吸引力が生じる。図3(a)に示すように、TiO2の濃度が低い部位は、この電気的な吸引力による影響が、TiO2の濃度が高い部位よりも大きいため、研磨スラリーに含まれる酸化セリウムが、TiO2−SiO2ガラス基板の主面のより近い位置に存在する。図中、薄いグレートーンで示したTiO2の濃度が低い部位は、TiO2の濃度が低いこと、および、TiO2の濃度分布に起因する応力により、比較的硬いため、研磨が進行しにくい。
この結果、研磨が均一に進行して、図3(b)に示すように、図3(a)でTiO2−SiO2ガラス基板の主面に生じていたうねりが除去される。これにより、研磨後のTiO2−SiO2ガラス基板の主面のMSFRを10nm以下となる。
第1研磨工程終了時において、TiO2−SiO2ガラス基板の主面が凹形状になるのは、該主面のうち外周付近は、TiO2−SiO2ガラス基板の主面が有する負のゼータ電位と、研磨スラリーが有する負のゼータ電位と、の電気的な反発力の作用が、該主面の中心付近に比べて大きく影響し、該主面の外周付近における研磨量が中心付近に比べて小さくなるからである。
第2研磨工程により、TiO2−SiO2ガラス基板の主面が凸形状へと変化するのは、該主面のうち外周付近は、TiO2−SiO2ガラス基板の主面が有する負のゼータ電位と、研磨スラリーが有する正のゼータ電位と、の電気的な吸引力の作用が、該主面の中心付近に比べて大きく影響し、該主面の外周付近における研磨量が中心付近に比べて大きくなるからである。
なお、研磨スラリーのpHの調整は、酸やアルカリを用いて調整できる。
研磨スラリーのpHを酸性(pH<7)に調整するには、無機酸及び/又は有機酸を用いることができる。例えば、無機酸としては、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸などが挙げられ、硝酸が好ましい。有機酸としては、シュウ酸、クエン酸などが挙げられる。
研磨スラリーのpHをアルカリ性(pH>7)に調整するには、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化カルシウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、アンモニア水、炭酸水素ナトリウム水溶液などのアルカリ性水溶液を使用すればよい。
また、pHが中性(pH=7)の研磨スラリーを使用する場合、粉末の状態の酸化セリウムを、分散媒体となる純水に投入し、分散剤を添加することなしに撹拌して得られる研磨スラリーをそのまま使用すればよい。
このため、第1研磨工程および第2研磨工程は、研磨スラリーのpHが4以上となる条件で実施することが好ましい。研磨スラリーのpHが4以上であれば、機械研磨実施時において、TiO2−SiO2ガラス基板の主面のゼータ電位が常に負になるため、上述した本発明の研磨方法による作用が好ましく発揮される。
本発明の研磨方法の第1研磨工程および第2研磨工程で使用する研磨スラリーは、平均粒子径が100〜3000nmの酸化セリウムを含有することがより好ましく、平均粒子径が500〜2000nmの酸化セリウムを含有することがさらに好ましい。
なお、研磨後のTiO2−SiO2ガラス基板の洗浄は、洗浄液として、硝酸、硫酸、塩酸、リン酸等の無機酸を用いて実施すればよい。
スウェード系研磨パッドにおけるナップ層の厚さは0.3〜1.0mm程度が実用上で好ましい。また、スウェード系研磨パッドとしては、適度の圧縮弾性率を有する軟質の樹脂発泡体が好ましく使用でき、具体的には例えばエーテル系、エステル系、カーボネート系などの樹脂発泡体が挙げられる。
また、研磨パッドとしては、アスカーC硬度が70以下のものを使用することが、研磨時におけるTiO2−SiO2ガラス基板の主面にキズが生じるのを防止できることから好ましい。研磨パッドのアスカーC硬度は、65以下であることがより好ましく、60以下であることがさらに好ましい。
上述したように、第2研磨工程は、第1研磨工程によりTiO2−SiO2ガラス基板の主面に発生したうねりの除去を目的とする。したがって、このうねりの除去が可能な研磨量であればよいことになる。第1研磨工程によりTiO2−SiO2ガラス基板の主面に発生するうねりの高低差は、第1研磨工程での研磨条件によらず、数十nm程度である。第2研磨工程における研磨量を100nm以上とすれば、第1研磨工程によりTiO2−SiO2ガラス基板の主面に発生したうねりの除去が可能である。
[実施例1]
本実施例では、TiO2−SiO2ガラス基板の主面を以下の手順で機械研磨した。
研磨には両面ポリッシュ装置を使用した。第1研磨工程では、研磨スラリーとして、酸化セリウムからなる研磨粒子(三井金属鉱業株式会社製、ミレーク801A(商品名)、平均粒子径1.9nm)を、分散剤(ユシロ化学工業株式会社製、ユシルーブDSP−20(商品名))とともに、分散媒体となる純水に投入し、pHを7に調整したものを使用した。研磨スラリーにおける酸化セリウムの含有率は20質量%であった。この研磨スラリーのゼータ電位を、大塚電子株式会社製ゼータ電位測定システムELSZ−1により測定したところ−40mVであった。
この研磨スラリーと、アスカーC硬度が70以下の研磨パッド(株式会社FILWEL製、N7512(商品名)を用いて、研磨量が6μmとなるように機械研磨した。
研磨後のTiO2−SiO2ガラス基板の主面のMSFRを、ZYGO社製走査型白色干渉表面形状測定機NewViewにより測定したところ34nmであった。
第2研磨工程では、研磨スラリーとして、酸化セリウムからなる研磨粒子(三井金属鉱業株式会社製、ミレーク801A(商品名)、平均粒子径1.9nm)を、分散剤を添加することなしに、分散媒体となる純水に投入し、pHを6に調整したものを使用した。研磨スラリーにおける酸化セリウムの含有率は20質量%であった。この研磨スラリーのゼータ電位を測定したところ+25mVであった。
この研磨スラリーと、アスカーC硬度が70以下の研磨パッド(株式会社FILWEL製、N7512(商品名)を用いて、研磨量が6μmとなるように機械研磨した。
研磨後のTiO2−SiO2ガラス基板の主面のMSFRを測定したところ8nmであった。
第1研磨工程と第2研磨工程の順序を逆にした以外は、実施例1と同様の手順を実施した。研磨後のTiO2−SiO2ガラス基板の主面のMSFRを測定したところ34nmであった。
実施例1の第1研磨工程のみを実施した。研磨後のTiO2−SiO2ガラス基板の主面のMSFRを測定したところ34nmであった。
Claims (5)
- 酸化セリウムを主成分とする研磨スラリーを用いて、TiO2を含有するシリカガラス基板(TiO2−SiO2ガラス基板)の主面を機械研磨する方法であって、研磨スラリーのゼータ電位が負であり、かつ、ゼータ電位の絶対値が5mVよりも大きくなる条件で、TiO2−SiO2ガラス基板の主面を機械研磨する第1研磨工程、および、研磨スラリーのゼータ電位が正であり、かつ、ゼータ電位の絶対値が5mVよりも大きくなる条件で、TiO2−SiO2ガラス基板の主面を機械研磨する第2研磨工程を、この順に実施することを特徴とする、TiO2−SiO2ガラス基板の研磨方法。
- 前記第1研磨工程において、研磨スラリーのpHが4以上の条件で実施する、請求項1に記載のTiO2−SiO2ガラス基板の研磨方法。
- 前記第2研磨工程において、研磨スラリーのpHが4以上の条件で実施する、請求項1または2に記載のTiO2−SiO2ガラス基板の研磨方法。
- 前記第1研磨工程、および、前記第2研磨工程で、アスカーC硬度が70以下の研磨パッドを使用する、請求項1〜3のいずれかに記載のTiO2−SiO2ガラス基板の研磨方法。
- 前記第2研磨工程での研磨量を100nm以上とする、請求項1〜4のいずれかに記載のTiO2−SiO2ガラス基板の研磨方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012231432A JP5942773B2 (ja) | 2012-10-19 | 2012-10-19 | ガラス基板の研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012231432A JP5942773B2 (ja) | 2012-10-19 | 2012-10-19 | ガラス基板の研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014083597A JP2014083597A (ja) | 2014-05-12 |
JP5942773B2 true JP5942773B2 (ja) | 2016-06-29 |
Family
ID=50787184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012231432A Active JP5942773B2 (ja) | 2012-10-19 | 2012-10-19 | ガラス基板の研磨方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5942773B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6665852B2 (ja) * | 2015-02-26 | 2020-03-13 | 堺化学工業株式会社 | 負帯電性基板の研磨方法、及び、高表面平滑性の負帯電性基板の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100442873B1 (ko) * | 2002-02-28 | 2004-08-02 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 폴리싱 슬러리 및 이를 사용한 화학적기계적 폴리싱 방법 |
JP5455143B2 (ja) * | 2007-12-29 | 2014-03-26 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、多層反射膜付き基板の製造方法、及び反射型マスクブランクの製造方法、並びに反射型マスクの製造方法 |
US8966939B2 (en) * | 2010-03-29 | 2015-03-03 | Hoya Corporation | Method for producing glass substrate for information recording medium |
JP5759171B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2015-08-05 | Hoya株式会社 | ハードディスク用ガラス基板の製造方法 |
-
2012
- 2012-10-19 JP JP2012231432A patent/JP5942773B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014083597A (ja) | 2014-05-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5332249B2 (ja) | ガラス基板の研磨方法 | |
JP4858154B2 (ja) | マスクブランクス用ガラス基板の研磨方法。 | |
JP5725015B2 (ja) | Euvリソグラフィ光学部材用基材の製造方法 | |
JP4506689B2 (ja) | 予備研磨されたガラス基板表面を仕上げ加工する方法 | |
JP5090633B2 (ja) | ガラス基板の研磨方法 | |
JP2011240483A (ja) | ガラス基板の研磨方法およびガラス基板 | |
KR20110128738A (ko) | 합성 석영 유리 기판 및 그의 제조 방법 | |
JP2016113356A (ja) | 予備研磨されたガラス基板表面を仕上げ加工する方法 | |
JP2006176341A (ja) | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法,マスクブランクスの製造方法,露光用マスクの製造方法,及び,半導体装置の製造方法 | |
JP2008307631A (ja) | ガラス基板研磨方法 | |
JP6308039B2 (ja) | マスクブランク用ガラス基板の製造方法 | |
JP2005066781A (ja) | 電子デバイス用ガラス基板の製造方法及びマスクブランクスの製造方法並びに転写マスクの製造方法 | |
JP5942773B2 (ja) | ガラス基板の研磨方法 | |
TW201338914A (zh) | 基板之製造方法 | |
TWI754009B (zh) | 光罩基底 | |
JP2015136773A (ja) | ガラス基板の研磨方法 | |
JP4647967B2 (ja) | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法,マスクブランクスの製造方法,露光用マスクの製造方法,及び,半導体装置の製造方法 | |
JP5942774B2 (ja) | ガラス基板の研磨方法 | |
US20160168020A1 (en) | Method of finishing pre-polished glass substrate surface | |
JP6803186B2 (ja) | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 | |
JP6384303B2 (ja) | ガラス基板の研磨方法 | |
JP4283061B2 (ja) | 電子デバイス用ガラス基板の製造方法及びマスクブランクスの製造方法並びに転写マスクの製造方法 | |
KR20100128260A (ko) | 블랭크 마스크 기판, 블랭크 마스크 및 그의 제조 방법 | |
KR20230171390A (ko) | 기판 및 그 제조 방법 | |
JP6350054B2 (ja) | 研磨パッドの洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150730 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160426 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160428 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160509 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5942773 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |