JP2006176341A - マスクブランクス用ガラス基板の製造方法,マスクブランクスの製造方法,露光用マスクの製造方法,及び,半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 マスクブランクス用のガラス基板1の被測定面における凹凸形状を測定する凹凸形状測定工程と、測定結果にもとづいて、被測定面の平坦度を所定の基準値以下に制御する平坦度制御工程と、表面加工の施されたガラス基板1表面を基板押圧手段67により研磨布61に押圧しつつ、ガラス基板1を回転させて研磨する際、ガラス基板1表面の所定の各点における研磨量が一定となるように、各点ごとに押圧力を設定し、押圧力にてガラス基板1を各点ごとに研磨布に押し当てて、ガラス基板1を研磨する研磨工程と、を有する。
【選択図】 図4
Description
たとえば、露光光源がF2エキシマレーザーの場合は、要求されるガラス基板の平坦度は250nm以下であり、露光光源がEUV光の場合は、50nm以下となっている。すなわち、縦142mm×横142mmの矩形領域において、P−V値(基準面に対する最大高さと最小高さの差)で、50nm以下の平坦度が必要とされている。その理由は、ガラス基板の平坦度が悪いと露光転写後のパターンの寸法精度が悪くなるからである。
たとえば、特許文献1には、基板表面を、酸化セリウムを主材とする研磨剤を用いて研磨した後、コロイダルシリカを用いて仕上げ研磨する精密研磨方法の技術が開示されている。このような研磨方法でガラス基板を研磨する場合、通常、複数のガラス基板をセットし、その両面を同時に研磨するバッチ式の両面研磨機が使用されている。
たとえば、特許文献2,3,4には、ガラス基板表面の凹凸形状を測定するとともに、凸部位の凸度に応じた加工条件で凸部位を含む領域を、表面加工することにより、ガラス基板表面を平坦化する平坦化方法の技術が開示されている。
また、プラズマエッチング、ガスクラスターイオンビームや、磁性流体を利用した局所加工でガラス基板表面の平坦度を調整した場合、一般にこれらの局所加工後、ガラス基板表面に面荒れが生じるため、局所加工後に、面荒れの改善を目的として、ガラス基板表面を研磨(仕上げ研磨)する必要がある。
この技術によれば、ガイドリングの材質を基板と同一材料とすることでスクラッチの発生を抑制することができ、また、ガイドリングを分割型にし、基板形状に応じて、ガイドリングの任意箇所を研磨布に押圧することで、研磨前の被研磨基板の形状にかかわらず、平坦性の高い角形基板を得ることができる。
すなわち、局所加工後の平坦度50nm以下のマスクブランクス用ガラス基板は、面荒れの改善を目的として研磨(仕上げ研磨)する必要があるが、たとえば、研磨時の加工圧力を低減したり、研磨時間を極短時間としたりしても、ガラス基板の表面荒れは改善されるものの、折角、局所加工で調整した平坦度を悪化させてしまうという問題があった。
また、上記問題により、最終目的である超LSIデバイスのさらなる高密度化や高精度化を実現できないといった問題があった。
このようにすると、ガラス基板表面の平坦度を維持又は向上させつつ、ガラス基板表面の面荒れを改善することができ、高平坦度と高平滑性を実現することができる。
このようにすると、数十nmの平坦度を有するガラス基板に対し、平坦度を維持又は向上させつつ研磨加工を施すことができる。
このようにすると、基板押圧手段によって、研磨作業を効率よく行うことができる。なお、一般的に、基板押圧手段は、各領域に押圧力制御手段が配設され、各押圧力を制御する構造のものが使用される。
このようにすると、ガラス基板の外周部近傍における研磨布の復元力の悪影響を低減することができるので、ガラス基板の高平坦度を確実に実現することができる。
このようにしても、ガラス基板表面の平坦度を維持又は向上させつつ、ガラス基板表面の面荒れを改善することができ、高平坦度と高平滑性を実現することができる。
このようにすると、たとえば、矩形状のガラス基板における辺の中央部と角部近傍における研磨布の復元力の悪影響を、より精度よく低減することができるので、ガラス基板の高平坦度をさらに確実に実現することができる。
このようにすると、平坦度及び平滑性に優れ、露光転写後のパターンの寸法精度を向上させることの可能な高品質なマスクブランクスを製造することができる。
このようにすると、平坦度及び平滑性に優れ、露光転写後のパターンの寸法精度を向上させることの可能な高品質な露光用マスクを製造することができる。
このようにすると、現状レベルよりさらなる高密度化や高精度化を実現できる超LSIデバイス等の半導体装置を製造することができる。
図1は、本発明の実施形態にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法を説明するための概略フローチャート図を示している。
同図において、本発明のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板を準備する準備工程(P1)と、ガラス基板表面の凹凸形状を測定する凹凸形状測定工程(P2)と、局所加工によってガラス基板表面の平坦度を制御する平坦度制御工程(P3)と、ガラス基板表面を仕上げ研磨する研磨工程(P4)とを有する。
準備工程は、片面又は両面を精密研磨し、ガラス基板の表面粗さを、所望の表面粗さにしたガラス基板を準備する工程である。その表面粗さは、自乗平均平方根粗さRMSで0.4nm以下とすることが、後の凹凸形状測定工程の測定精度や、平坦度制御工程での加工効率の点から好ましい。
一般的に、準備工程(P1)は、ガラス基板の両面を粗研磨する粗研磨工程と、粗研磨されたガラス基板の片面又は両面を精密研磨する精密研磨工程とを有し、段階的な研磨が行なわれる。この際、粗研磨工程では、比較的研磨砥粒の大きい酸化セリウムを分散させた研磨剤が使用され、精密研磨工程では、比較的研磨砥粒の小さいコロイダルシリカを分散させた研磨剤が使用される。
ただし、F2エキシマレーザー露光用マスクブランクス用ガラス基板の場合は、露光光源の吸収を可及的に抑えるために、弗素をドープした合成石英ガラスなどが用いられる。
また、EUVマスクブランクス用ガラス基板の場合は、露光時の熱による被転写パターンの歪みを抑えるために、約0±1.0×10−7/℃の範囲内、より好ましくは約0±0.3×10−7/℃の範囲内の低熱膨張係数を有するガラス材料が使用される。
さらに、EUV用マスクブランクスは、ガラス基板上に多数の膜が形成されるため、膜応力による変形を抑制できる剛性の高いガラス材料が使用される。特に、65GPa以上の高いヤング率を有するガラス材料が好ましい。たとえば、SiO2−TiO2系ガラス、合成石英ガラスなどのアモルファスガラスや、β−石英固溶体を析出した結晶化ガラスが用いられる。
凹凸形状測定工程は、準備工程で準備されたガラス基板の被測定面の凹凸形状(平坦度)を測定する工程である。
ガラス基板の被測定面における凹凸形状の測定には、通常、光学干渉計が使用される。一般的な光学干渉計は、コヒーレントな光をガラス基板の被測定面に照射して反射させ、測定機基準面(前方基準面)との干渉により、被測定面の高さの差を干渉縞(光強度)から位相差として算出し、測定するものである。
図2は、本発明の実施形態にかかるマスクブランクス用ガラス基板の製造方法の、凹凸形状測定工程における測定状態を説明するための概略図を示している。
同図において、表面形状測定処理装置2は、波長変調レーザー光源21,CCDカメラ22,前方基準面A及び後方基準面D(適宜、面A,面Dと略称する。)を備えた表面形状測定手段20と、データ解析手段23,加工量計算手段24及び加工条件決定手段25を備えた測定データ処理装置26とからなっている。
なお、被測定面Bの凹凸形状測定データから被測定面平坦度を算出でき、裏面Cの凹凸形状測定データから裏面平坦度を算出することができる。
このように、表面形状測定処理装置2によれば、ガラス基板1の被測定面Bと裏面Cの凹凸形状及びガラス基板1の板厚のばらつきに関する測定結果にもとづいて、ガラス基板1の被測定面B及び裏面Cを効率よく表面加工することができ、両面が高平坦度を有し、かつ、高いレベルの平行度(たとえば、50nmPV以下)を有するマスクブランクス用ガラス基板を製造することができる。
なお、上記の演算処理は、凹凸形状測定工程又は平坦度制御工程のいずれで行ってもよい。
平坦度制御工程は、凹凸形状測定工程で得られた測定結果にもとづいて、凹凸形状を含む領域に対して表面加工を施すことにより、ガラス基板における被測定面の平坦度を所定の基準値以下に制御する工程である。
上記表面加工は、ガラス基板の被測定面における所定領域毎に設定された加工条件にしたがって行われる。この加工条件は、上述したように、光学干渉計によって測定されたガラス基板の被測定面の凹凸形状と、予め設定される平坦度基準値との差分(局所的な表面加工の必要加工量)にもとづいて設定される。
同図において、MRF加工法によれば、鉄(図示せず)を含む磁性流体41中に含有させた研磨砥粒(図示せず)を、磁場援用により、被加工物であるマスクブランクス用のガラス基板1に高速で接触させるとともに、接触部分の滞留時間を制御することにより、局所的に研磨加工している。すなわち、回転自在に支持された円盤状の電磁石3に、磁性流体41と研磨スラリー42の混合液(磁性研磨スラリー4)を投入して、その先端を局所加工の研磨スポット5とし、除去すべき凸部分13を研磨スポット5に接触させている。このようにすると、円盤上の磁場に沿って磁性研磨スラリー4が、ガラス基板1側に研磨スラリー42が多く分布し、磁石3側に磁性流体41が多く分布する、ほぼ二層状態をなして流れる。この状態の一部分を局所的に研磨加工する研磨スポット5とし、ガラス基板1の表面と接触させることにより、凸部分13を局所的に研磨し数十nmの平坦度に制御する。
また、MRF加工法は、研磨スポット5を接触させながらガラス基板1を移動させる際、所定領域ごとに設定された加工取り代(必要加工量)に応じてガラス基板1の移動速度を制御することにより、容易に除去量を調節することができる。
プラズマ発生筐体をガラス基板上で動かす際、ガラス基板の被測定面の必要加工量に応じて、プラズマ発生筐体の移動速度やプラズマ強度を制御することにより、除去量が調整される。
クラスターは、通常、数百個の原子又は分子集団によって構成されており、たとえ加速電圧が10kVでも、それぞれの原子又は分子は、数十eV以下の超低速イオンビームとして照射されるため、きわめて低損傷でガラス基板表面を処理することができる。
なお、ガスクラスターそのものの生成については、既に公知のように、加圧状態の気体を、膨張型ノズルを介して、真空装置内に噴出させることで生成可能である。このようにして生成したガスクラスターは、電子を照射してイオン化することができる。
また、気体状の物質としては、たとえば、CO2,CO,N2O,NOx,CxHyOzなどの酸化物,O2,N2や,Ar,Heなどの希ガスが挙げられる。
たとえば、F2エキシマレーザー露光用マスクブランクスガラス基板の場合は、平坦度制御の基準値を250nm以下とし、EUVマスクブランクス用ガラス基板の場合は、平坦度制御の基準値を50nm以下として局所加工が行われる。
研磨工程は、上述の凹凸制御工程において、ガラス基板表面に生じた面荒れの改善を目的として、ガラス基板表面を研磨する工程である。したがって、局所表面加工で作り上げられた平坦度を維持又は向上させつつ、表面粗さが改善される研磨方法で行うことが好ましい。
同図において、研磨装置6は、研磨布61が敷設され、回転自在に軸支された研磨定盤62と、複数の押圧体63および押圧制御手段64がマトリックス状に複数配設され、弾性体65および研磨布押圧体66を備え、回転自在に軸支された基板押圧手段67とからなっている。また、研磨布押圧体66は、ガラス基板1の外形に応じた様々な形状の押圧体からなり、ガラス基板1の周囲に複数個配設され、図示してないが、それぞれ押圧力が制御される。
たとえば、本実施形態では、矩形環状に配設された押圧体63aの押圧力を高くし、ガラス基板1に対する押圧力分布が、ガラス基板1の中央部に環状の高押圧力帯を有するようにする方法としてある。このようにすると、数十nmの平坦度を有するガラス基板1に対し、平坦度を維持又は向上させつつ研磨加工を施すことができる。
また、研磨工程において、押圧体63が、分割されたガラス基板1の複数の領域ごとに、独立して各領域を押圧するので、研磨作業を効率よく行うことができる。
ここで、好ましくは、研磨布押圧体66が、分割されたガラス基板1の外周部近傍における複数の外周部領域ごとに、独立して各外周部領域を押圧するとよい。このようにすると、たとえば、矩形状のガラス基板1における辺の中央部と角部近傍における研磨布61の復元力の悪影響を、より精度よく低減することができるので、ガラス基板1の高平坦度をさらに確実に実現することができる。
また、押圧力分布の設定においては、ガラス基板1の凹凸形状に合わせて設定し、具体的には、凸部分には大きな押圧力を設定し、凹部分には小さな押圧力を設定する。また、平坦形状を崩さないような特殊な押圧力分布を設定してもよい。
さらに、本実施形態では、平坦度制御工程でガラス基板1を極力平坦化し、その平坦形状を崩さないように、研磨加工を行う方法としてあるが、発想を転換し、研磨装置6の研磨特性に応じて、平坦度制御工程でガラス基板1の平坦形状をあえて制御し、研磨装置6にて研磨した段階で優れた平坦度を実現する方法としてもよい。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、たとえば、研磨工程において、基板押圧手段67が、ガラス基板1における押圧力分布が均一となるように、ガラス基板1を研磨布61に押し当て、かつ、研磨布押圧手段66が、ガラス基板1の外周部近傍の研磨布61を押圧しながら、ガラス基板1を研磨してもよい。このようにしても、ガラス基板1の平坦度を維持又は向上させつつ、ガラス基板1の面荒れを改善することができる。
次に、本発明にかかるマスクブランクスの製造方法の一実施形態について説明する。
このマスクブランクスの製造方法は、上述したマスクブランクス用ガラス基板の製造方法にてガラス基板1を製造する工程と、製造したガラス基板1の主表面上に、マスクパターン(被転写パターン)となる薄膜を形成する工程とを有する方法としてある。
ところで、マスクブランクスは、透過型マスクブランクスと反射型マスクブランクスとに分類される。本実施形態のマスクブランクスは、いずれのマスクブランクスにも適用でき、ガラス基板1上に、被転写パターンとなる薄膜が精度よく形成される。なお、薄膜上にはレジスト膜が形成されてもよい。
また、透過型マスクブランクスに形成される薄膜は、被転写体に転写するときに使用される露光光(露光光源から発せられる光)に対し、光学的変化をもたらす薄膜であり、例えば、露光光を遮断する遮光膜や、露光光の位相差を変化させる位相シフト膜などが挙げられる。
位相シフト膜としては、位相シフト機能のみを有するSiO2膜のほかに、位相シフト機能及び遮光機能を有する金属シリサイド酸化物膜,金属シリサイド窒化物膜,金属シリサイド酸化窒化物膜,金属シリサイド酸化炭化物膜,金属シリサイド酸化窒化炭化物膜(金属:Mo,Ti,W,Taなどの遷移金属),CrO膜,CrF膜,SiON膜などのハーフトーン膜が挙げられる。
光反射多層膜としては、Ru/Si周期多層膜,Mo/Be周期多層膜,Mo化合物/Si化合物周期多層膜,Si/Nb周期多層膜,Si/Mo/Ru周期多層膜,Si/Mo/Ru/Mo周期多層膜,Si/Ru/Mo/Ru周期多層膜などの材料が使用される。
透過型マスクブランクスは、露光光源として、g線(波長:436nm),i線(波長:365nm),KrF(波長:246nm),ArF(波長:193nm),F2(波長:157nm)が使用され、反射型マスクブランクスは、露光光源として、EUV(例えば、波長:13nm)が使用される。
なお、上述の薄膜は、例えば、DCスパッタ,RFスパッタ,イオンビームスパッタなどのスパッタリング法で形成することができる。
次に、本発明にかかる転写マスクの製造方法の一実施形態について説明する。
この転写マスクの製造方法は、上述したマスクブランクスの製造方法にてレジスト膜付きマスクブランクスを製造する工程と、レジスト膜に描画・現像処理等を経て所望のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、レジストパターンをマスクして、薄膜をエッチング除去してマスクブランクス用ガラス基板上に薄膜パターンを形成する薄膜パターン形成工程とを有する方法としてある。
次に、本発明にかかる半導体装置の製造方法の一実施形態について説明する。
この半導体製造装置の製造方法は、上述した露光用マスクの製造方法によって露光用マスクを製造し、この露光用マスクを使用して、リソグラフィー法により露光用マスクの薄膜パターンを半導体基板上にパターン転写する方法としてある。この際、半導体基板上には回路パターンとなる導電膜とレジスト膜とを有しており、転写マスクを1/4や1/5倍程度に縮小露光することで、所望の回路パターンをレジスト膜に転写し、レジスト膜をマスクにして導電膜をパターニングすることで、半導体基板上に所望の回路パターンが形成された半導体装置を得ることができる。
このようにすると、現状レベルよりさらなる高密度化や高精度化を実現できる超LSIデバイス等の半導体装置を製造することができる。
以下、EUVマスクブランクス用ガラス基板(以下、ガラス基板と称す。)、EUV反射型マスクブランクス,及びEUV反射型マスクの製造方法を例として本発明の実施の形態を説明するが、以下の実施例に限定されない。
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理したSiO2−TiO2系のガラス基板(大きさが約152.4mm×約152.4mm、厚さが約6.35mm)を準備した。得られたガラス基板の表面粗さは、自乗平均平方根粗さ(RMS)で約0.15nmであった(原子間力顕微鏡にて測定した。)。
この波長シフト干渉計は、上述したように、ガラス基板の被測定面及び裏面からそれぞれ反射した反射光と測定機基準面(前方基準面)との干渉縞から、被測定面の高さの差を位相差として算出し、各干渉縞の周波数の違いを検出し、ガラス基板の被測定面及び裏面からそれぞれ反射した反射光による測定機基準面(前方基準面)との干渉縞を分離し,被測定面の凹凸形状を測定するものである。また、本実施例では、ガラス基板の裏面側にさらに測定機基準面(後方基準面)を設置し、ガラス基板の裏面の凹凸形状,及び,ガラス基板の板厚ばらつきをも測定した。
波長シフト干渉計によるガラス基板の被測定面の凹凸形状(表面形態、平坦度)の測定結果は、測定点毎に上記基準平面に対する高さの情報としてコンピュータに保存するとともに、EUVマスクブランクス用ガラス基板に必要な被測定面平坦度の基準値50nm(凸形状)、裏面平坦度の基準値50nm(凸形状)、TTV(板厚ばらつき)の基準値50nmと比較し、その差分(必要加工量)をコンピュータで計算した。
事前にダミー基板を用いて、実際の加工と同じようにダミー基板を、一定時間基板を移動させずにスポットで加工し、その形状を上記被測定面及び裏面の凹凸形状を測定する装置と同じ測定機にて測定し、時間単位当たりにおけるスポットの加工体積を算出した。そして、スポットの情報とガラス基板の凹凸形状の情報より得られた必要加工量にしたがい、ガラス基板をラスタ走査する際の走査スピードを決定した。たとえば、走査スピードが遅い部分は加工量が多くなり、また、走査スピードが速い部分は加工量が少なくなる。
加工液:アルカリ水溶液(NaOH)+研磨剤(濃度:2wt%)、
pH:11
研磨剤:コロイダルシリカ、平均粒径:約70nm
研磨定盤回転数:1〜50rpm
ポリッシングプレート回転数:1〜50rpm
リテーナーリング荷重:500〜5000gf
加工面内圧力:0〜0.5kgf/mm2
領域E(図5参照):0.3〜0.5kgf/mm2
領域F:0.15〜0.30kgf/mm2
領域G:0.05〜0.15kgf/mm2
領域H:0〜0.05kgf/mm2
研磨時間:1〜10分
その後、ガラス基板をアルカリ水溶液(NaOH)で洗浄し、EUVマスクブランクス用ガラス基板を得た。
その後、ガラス基板をアルカリ水溶液(NaOH)で洗浄し、EUVマスクブランクス用ガラス基板を得た。
次に、上述の実施例1における局所表面加工後の研磨工程の研磨条件を、研磨布押圧体66の荷重調整のみで行って、基板面内における押圧力分布を均一にした以外は実施例1と同様にEUVマスクブランクス用ガラス基板を作製した。なお、研磨工程に投入前(局所表面加工後)のガラス基板における表面、裏面の平坦度、TTV(板厚ばらつき)については、実施例1と同じになるように局所表面加工の条件を調整した。
MRF加工後のガラス基板の表裏面平坦度は約50nm、TTV(板厚ばらつき)は約50nm以下であった。
加工液:アルカリ水溶液(NaOH)+研磨剤(濃度:2wt%)、
pH:11
研磨剤:コロイダルシリカ、平均粒径:約70nm
研磨定盤回転数:1〜50rpm
ポリッシングプレート回転数:1〜50rpm
リテーナーリング荷重:500〜5000gf
加工面内圧力:0.01kgf/mm2
研磨時間:1〜10分
その後、ガラス基板をアルカリ水溶液(NaOH)で洗浄し、EUVマスクブランクス用ガラス基板を得た。
上述の実施例1において、研磨工程をリテーナーリングの片面枚葉式研磨で行った以外は実施例1と同様にしてEUVマスクブランクス用ガラス基板を作製した。なお、片面枚葉研磨の研磨条件は以下のようにして行った。
加工液:アルカリ水溶液(NaOH)+研磨剤(濃度:2wt%)、
pH:11
研磨剤:コロイダルシリカ、平均粒径:約70nm
研磨定盤回転数:1〜50rpm
ポリッシングプレート回転数:1〜50rpm
加工圧力:0.1〜10kPa
研磨時間:1〜10分
その後、ガラス基板をアルカリ水溶液(NaOH)で洗浄し、EUVマスクブランクス用ガラス基板を得た。
その結果、EUVマスクブランクス用ガラス基板で求められるスペックを満足するガラス基板を得ることができなかった。
まず、EUV反射型マスクブランクス200上に電子線照射用レジスト(図示せず)を塗布・形成し、電子線により描画して現像を行い、レジストパターン(図示せず)を形成した。
このレジストパターンをマスクとし、吸収体層204を塩素でドライエッチングし、バッファ層203上に吸収体層パターン204aを形成した。
その後、バッファ層203を塩素と酸素の混合ガスにより、吸収体層パターン204aに従ってドライエッチングし、多層反射膜202上にバッファ層パターン203aを形成した。これにより、バッファ層パターン203a/吸収体層204aを多層反射膜202上に形成してEUV反射型マスク200aを得た。
図7は、本発明の実施例及び比較例にかかる反射型マスクによるパターン転写方法を説明する概略図を示している。
同図において、パターン転写装置100は、レーザープラズマX線源101,EUV反射型マスク101,縮小光学系102などから構成される。縮小光学系102は、X線反射ミラー103を用いて構成され、EUV反射型マスク200aで反射されたパターンは1/4程度に縮小される。なお、露光波長として13〜14nmの波長帯を使用するので、光路が真空中になるように予め設定した。
つまり、EUV反射型マスク200aに入射した光は、吸収体層パターンのある部分では、吸収体層に吸収されて反射されず、一方、吸収体層のパターンのない部分に入射した光は、多層反射膜により反射される。このようにして、EUV反射型マスク200aからの反射光で形成されるパターンが、縮小光学系102を介して、半導体基板110上のレジスト層に転写される。
たとえば、上述した基板押圧手段67の代わりに、各領域に応じた押圧力が発生するように凹凸が形成された押圧型(図示せず)で、ガラス基板1を研磨布61に押し当てる構造のものでもよい。
また、研磨布押圧体も、分割されたガラス基板の外周部近傍における複数の外周部領域ごとに圧力を制御しない構造のものでもよい。
2 表面形状測定処理装置
3 電磁石
4 磁性研磨スラリー
5 研磨スポット
6 研磨装置
13 凸部
20 表面形状測定手段
21 波長変調レーザー光源
22 CCDカメラ
23 データ解析手段
24 加工量計算手段
25 加工条件決定手段
26 測定データ処理装置
41 磁性流体
42 研磨スラリー
61 研磨布
62 研磨定盤
63,63a 押圧体
64 押圧制御手段
65 弾性体
66 研磨布押圧体
67 基板押圧手段
100 パターン転写装置
101 レーザープラズマX線源
102 縮小光学系
103 X線反射ミラー
110 半導体基板
200 EUV反射型マスクブランクス
200a EUV反射型マスク
201 ガラス基板
202 多層反射膜
203 バッファ層
203a バッファ層パターン
204 吸収体層
204a 吸収体層パターン
A 前方基準面
B 被測定面
C 裏面
D 後方基準面
E 領域
F 領域
G 領域
H 領域
Claims (9)
- マスクブランクス用のガラス基板の被測定面における凹凸形状を測定する凹凸形状測定工程と、
前記凹凸形状測定工程で得られた測定結果にもとづいて、前記凹凸形状を含む領域に対して表面加工を施すことにより、前記被測定面の平坦度を所定の基準値以下に制御する平坦度制御工程と、
表面加工の施された前記ガラス基板表面を基板押圧手段により研磨布に押圧しつつ、前記ガラス基板を回転させて研磨する際、前記ガラス基板表面の所定の各点における研磨量が一定となるように、前記各点ごとに押圧力を設定し、該押圧力にて前記ガラス基板を研磨布に押し当てて、前記ガラス基板を研磨する研磨工程と、
を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。 - 前記研磨工程において、前記ガラス基板に対する押圧力分布を、該ガラス基板の中央部に環状の高押圧力帯を有するようにすることを特徴とする請求項1記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
- 前記研磨工程において、前記基板押圧手段が、分割された前記ガラス基板の複数の領域ごとに、独立して前記各領域を押圧することを特徴とする請求項1又は2記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
- 前記研磨工程において、研磨布押圧手段が、前記ガラス基板の外周部近傍の前記研磨布を押圧することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
- マスクブランクス用のガラス基板の被測定面における凹凸形状を測定する凹凸形状測定工程と、
前記凹凸形状測定工程で得られた測定結果にもとづいて、前記凹凸形状を含む領域に対して表面加工を施すことにより、前記被測定面の平坦度を所定の基準値以下に制御する平坦度制御工程と、
表面加工の施された前記ガラス基板表面を基板押圧手段により研磨布に押圧しつつ、前記ガラス基板を回転させて研磨する際、前記ガラス基板表面における押圧力分布が均一となるように、前記ガラス基板を研磨布に押し当て、かつ、研磨布押圧手段が、前記ガラス基板の外周部近傍の前記研磨布を押圧しながら、前記ガラス基板を研磨する研磨工程と、
を有するマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。 - 前記研磨布押圧手段が、分割された前記ガラス基板の外周部近傍における複数の外周部領域ごとに、独立して前記各外周部領域を押圧することを特徴とする請求項4又は5記載のマスクブランクス用ガラス基板の製造方法。
- 請求項1〜6のいずれかに記載のマスクブランクス用のガラス基板上に、マスクパターンとなる薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
- 請求項7記載のマスクブランクの薄膜をパターニングし、前記ガラス基板上に薄膜パターンを形成することを特徴とする露光用マスクの製造方法。
- 請求項8記載の露光用マスクの製造方法によって露光用マスクを製造し、この露光用マスクを使用して、リソグラフィー法により該露光用マスクの薄膜パターンを半導体基板上にパターン転写することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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