RU2646262C1 - Способ финишной планаризации поверхности оптической стеклокерамики - Google Patents
Способ финишной планаризации поверхности оптической стеклокерамики Download PDFInfo
- Publication number
- RU2646262C1 RU2646262C1 RU2016151628A RU2016151628A RU2646262C1 RU 2646262 C1 RU2646262 C1 RU 2646262C1 RU 2016151628 A RU2016151628 A RU 2016151628A RU 2016151628 A RU2016151628 A RU 2016151628A RU 2646262 C1 RU2646262 C1 RU 2646262C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- glass ceramics
- optical glass
- stage
- cluster
- planarization
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 title claims abstract description 15
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 17
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims abstract description 8
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- -1 argon ions Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 12
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 10
- 230000000739 chaotic effect Effects 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000089 atomic force micrograph Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 229940075614 colloidal silicon dioxide Drugs 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910000174 eucryptite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N helium neon Chemical group [He].[Ne] CPBQJMYROZQQJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052756 noble gas Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004621 scanning probe microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by atoms
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B11/00—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto
- B08B11/04—Cleaning flexible or delicate articles by methods or apparatus specially adapted thereto specially adapted for plate glass, e.g. prior to manufacture of windshields
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/0005—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation
- C03C23/0055—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments by irradiation by ion implantation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
- C03C23/009—Poling glass
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу финишной планаризации поверхности оптической стеклокерамики. Обработку поверхности оптической стеклокерамики проводят в две стадии. На первой стадии осуществляется обработка поверхности оптической стеклокерамики пучками ускоренных кластерных ионов аргона. Далее на второй стадии проводится обработка пучками ускоренных нейтральных атомов аргона. При этом ускоряющее напряжение на обеих стадиях обработки находится в диапазоне 10-30 кВ, время обработки на каждой из стадий устанавливается не более 15 минут, при давлении остаточных газов не более 4×10-2 Па. Технический результат – упрощение технологического процесса планаризации поверхности при одновременном снижении среднеквадратичной шероховатости поверхности оптической стеклокерамики на 30% относительно их исходного состояния. 2 табл., 2 ил.
Description
Изобретение относится к технологии оптических и квантово-оптических систем и может быть использовано при производстве зеркал для лазерных гироскопов.
Для материалов с гетерогенной структурой, к которым относится оптическая стеклокерамика (ситалл), прецизионное полирование затруднено структурой материала, включающей кристаллиты размерами до нескольких десятков нанометров, окруженные аморфной фазой. Это ограничивает возможность создания подложек со среднеквадратичной шероховатостью поверхности менее 0,2 нм в диапазоне пространственных частот, соответствующем индикатрисе рассеяния падающего оптического излучения для прецизионных измерительных приборов. Полированная поверхность такой стеклокерамики включает дефекты разного происхождения, характеризующиеся разными пространственными масштабами:
- следы механо-химического воздействия в виде анизотропных линейно структурированных особенностей, оставшиеся после абразивного полирования;
- уединенные выступы (впадины) при локальных нарушениях однородности;
- остаточный хаотический рельеф;
- наночастицы, соответствующие оказавшимся на поверхности участкам кристаллитов β-эвкриптита LiO2⋅Al2O3⋅2SiO2.
Планаризация (уменьшение шероховатости) поверхности твердых тел - это один из важнейших элементов производства приборов микро- и наноэлектроники, оптоэлектроники и оптики, при производстве которых шероховатость поверхности является критическим фактором и влияет на эксплуатационные параметры конечного продукта. Например, применение гироскопов на основе кольцевых гелий-неоновых лазеров в автономных инерциальных навигационных системах высокой точности требует комплектовать оптические резонаторы зеркалами, рассеивающими менее 10-5 от мощности оптического пучка.
В настоящее время наиболее распространенным способом получения оптических поверхностей является многостадийная химико-механическая полировка (Chemical-Mechanical Polishing) различными суспензиями на основе субмикронных порошков оксидов редкоземельных элементов, коллоидных растворов диоксида кремния и т.п. (US 3262766 A, US 6811467 B1, US 20100062287 A1, US 5136818 A), завершающаяся финишной отмывкой в чистом производственном помещении класса 100. Параметр шероховатости получаемых таким образом пластин составляет <0,5 нм. Однако недостатками метода СМР являются большая трудоемкость, необходимость удаления остатков химических веществ с обработанной поверхности, формирование приповерхностного нарушенного слоя и остаточного рельефа высотой до 1 нм.
Другим известным способом финишной полировки является обработка поверхности изделий пучками ионов благородного газа (обычно аргона) (US 5529671 A, US 20070132358 A1, WO 2000058783 A1, CN 102990480 В). Недостатки данного способа - это возможные радиационные повреждения частицами с высокой энергией, а также формирование остаточного нанорельефа из-за преимущественного распыления одного из компонентов мишени и процессов самоорганизации.
Ближайшим к заявленному техническому решению является способ планаризации поверхности кварцевого стекла с помощью пучка газовых кластерных ионов (JP 2006008426 А). Данный способ предназначен для обработки поверхности стеклянных масок (фотошаблонов), применяемых в контактной ультрафиолетовой фотолитографии. Согласно предложенному способу на первой стадии процесса планаризации в ускоритель газовых кластерных ионов подается газовая смесь, состоящая из SF6, (1% об.) O2. (24% об.) и Ar (75% об.) или NF3, Ar и O2. Дозовое воздействие на поверхность образцов в течение 1 стадии составляло 1×1016 см-2. Ускоряющее напряжение 30 кВ. На второй стадии обработка осуществлялась кластерными ионами O2 до дозы 2×1015 см-2 при ускоряющем напряжении 5÷10 кВ. Подобная обработка позволяет получать поверхности кварцевого стекла площадью более 100 мм2 со среднеквадратичной шероховатостью менее 0,2 нм. Недостатком прототипа является использование метода реактивного травления поверхности с помощью смеси газов SF6, O2, Ar, что значительно усложняет технологический процесс.
Технический результат изобретения заключается в упрощении технологического процесса планаризации поверхности при одновременном снижении среднеквадратичной шероховатости поверхности оптической стеклокерамики на 30% относительно их исходного состояния.
Указанный технический результат достигается двухстадийной обработкой поверхности оптической стеклокерамики с помощью пучка газовых кластерных ионов, при этом на первой стадии осуществляется обработка поверхности оптической стеклокерамики пучками ускоренных кластерных ионов аргона, далее на второй стадии, проводится обработка пучками ускоренных нейтральных атомов аргона, при этом ускоряющее напряжение на обеих стадиях обработки находится в диапазоне 10-30 кВ, время обработки на каждой из стадий устанавливается не более 15 минут при давлении остаточных газов не более 4×10-2 Па.
Использование пучков ускоренных кластерных ионов аргона на первой стадии обработки поверхности стеклокерамики необходимо для удаления следов механо-химического воздействия в виде так называемого «алмазного фона», оставшегося после абразивного полирования.
Уменьшение шероховатости поверхности при ее взаимодействии с газовыми кластерными ионами Ar происходит в силу физических механизмов, которые существенно отличаются от процессов, происходящих при ионно-лучевой обработке. Большой размер кластеров (по сравнению с размерами одиночного иона), низкая энергия связей, удерживающих атомы внутри кластера, и низкая кинетическая энергия в пересчете на один атом приводят к преобладанию коллективных явлений в момент удара кластера о твердое тело до его распада. После распада кластера составлявшие его атомы, в отличие от одиночных ионов при ионно-лучевой обработке, не проникают вглубь мишени т.к. не обладают достаточным запасом кинетической энергии. Таким образом, глубина слоя материала, в котором индуцируются повреждения, ограничивается приблизительно 1 нм. Распыляемые при ударе кластера о поверхность мишени атомы имеют значительную латеральную составляющую скорости, скапливаясь и заполняя таким образом соседние углубления. В результате наблюдается эффект сглаживания поверхности.
Дальнейшее снижение шероховатости поверхности стеклокерамики осуществляется на второй стадии обработки поверхности пучками ускоренных нейтральных атомов аргона проводится за счет удаления уединенных выступов и впадин и сглаживания остаточного хаотического нанорельефа, связанного с формированием кратеров при ударах кластерных ионов Ar о поверхность.
Диапазон ускоряющего напряжения (10-30 кВ) выбран исходя из линейной зависимости коэффициента распыления мишени от энергии, приходящейся на один атом в кластере. При ускоряющем напряжении менее 10 кВ энергия, приходящаяся на один атом в газовом кластере, содержащем ≈2000-3000 атомов, будет составлять лишь несколько эВ. При этом коэффициент распыления окажется близок к нулю, и ощутимого влияния ионно-кластерного пучка на поверхность оптической стеклокерамики наблюдаться не будет. Получение кластерных ионов при ускоряющих напряжениях более 30 кВ требует значительного усложнения конструкции ускорителя и, как следствие, его стоимости.
Диапазон времени процесса планаризации не более 15 минут выбран экспериментальным путем исходя из результатов выходного контроля состояния поверхности образцов. При времени процесса планаризации свыше 15 минут уменьшения параметров шероховатости не наблюдалось.
Значение остаточного давления не более <4×10-2 Па выбрано исходя из требований к чистоте поверхности обрабатываемой стеклокерамики.
Ниже приведен пример реализации способа финишной планаризации поверхности оптической стеклокерамики с помощью установки, блок-схема которой представлена на фиг. 1. Здесь: 1 - источник газа; 2 - сверхзвуковое сопло; 3 - скиммер; 4 - ионизатор; 5 - ускоряющие электроды; 6 - система отклонения пучка; 7 - подложкодержатель с мишенью; 8 - цилиндр Фарадея.
Заявленный способ финишной планаризации поверхности оптической стеклокерамики заключается в следующем. Газовые кластеры образуются при адиабатическом расширении рабочего газа (аргона) 1 в вакуум через сверхзвуковое сопло 2 с диаметром критического сечения 50 мкм. Сформированные кластеры ионизируются электронным ударом с помощью ионизатора 4 и ускоряются разностью потенциалов в 15 кВ, подаваемой на ускоряющие электроды 5. Затем пучок ускоренных кластерных ионов наплавляется на обрабатываемую поверхность 7. Плотность тока в центре пучка при ускоряющем напряжении 15 кВ, измеряемая с помощью цилиндра Фарадея 8, составляет 2 мкА/см2. В ходе процесса планаризации давление остаточных газов не превышало 4×10-2 Па.
Контроль состояния поверхности образца стеклокерамики осуществлялся с помощью сканирующего зондового микроскопа. Анализ данных сканирующей зондовой микроскопии выполнялся с помощью метода фликкер-шумовой спектроскопии (С.Ф. Тимашев и др. / Параметризация структуры хаотических поверхностей в нанометровом диапазоне по данным атомно-силовой микроскопии // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2013. - №3. Т. 79 - С. 26-38).
Состояние поверхности образца в рамках методологии фликкер-шумовой спектроскопии (ФШС) характеризуется двумя основными параметрами:
1. Параметр σ, нм, являющийся мерой нерегулярностей-скачков исследуемого профиля и характеризующий среднеквадратичное отклонение высот профиля от базового профиля, формируемого совокупностью низкочастотных резонансных составляющих хаотических зависимостей h(x); этот параметр определяется как фактор «ступенчатости» хаотической составляющей высот профиля.
2. Параметр Sc(L0 -1), (нм)2⋅мкм, являющийся мерой «высокочастотных» нерегулярностей исследуемого профиля, наиболее резко изменяющихся на масштабах 1-100 нм особенностей рельефа; этот параметр определяется как фактор «острийности» структуры поверхности.
Типичное АСМ-изображение поверхности образца стеклокерамики до проведения процесса ионно-кластерной планаризации приведено на фиг. 2а. На первой стадии осуществляется обработка образца стеклокерамики кластерными ионами аргона при ускоряющем напряжении 15 кВ с целью удаления следов механо-химического воздействия в виде так называемого «алмазного фона», оставшегося после абразивного полирования (фиг. 2б). На второй стадии обработка поверхности образца проводится пучками ускоренных нейтральных атомов аргона при ускоряющем напряжении 15 кВ с целью удаления уединенных выступов и впадин и сглаживания остаточного хаотического нанорельефа, связанного с формированием кратеров при ударах кластерных ионов Ar о поверхность (фиг. 2г). Для этого перед камерой образца располагается электростатический конденсатор 6 (на фиг. 1), отклоняющий заряженные частицы, содержащиеся в пучке. На мишень попадает только пучок ускоренных нейтральных атомов Ar, образовавшийся при частичном разрушении кластерных ионов в результате столкновений с молекулами остаточного газа. Сепарация ионизированных частиц по массам в предлагаемом способе не осуществляется.
В результате, обработка при выбранных режимах воздействия на исходный образец существенно изменяет топографию его поверхности, заметно сглаживая неоднородности рельефа. В таблице 1 представлены ФШС параметры для отдельных участков исходной поверхности стеклокерамики, полученные при анализе АСМ изображений в окнах 10×10 мкм2, 5×5 мкм2 и 3×3 мкм2. В таблице 2 приведены ФШС параметры для отдельных участков поверхности стеклокерамики после двух стадий обработки, полученные при анализе АСМ изображений в окнах 10×10 мкм2, 5×5 мкм2 и 3×3 мкм2. Средние перепады <h> фиксируемых глубин рельефа при окнах изображения 10×10 мкм2 и 5×5 мкм2, составляющие у исходного образца стеклокерамики 5,86 и 3,29 нм, у образца после обработки составили 1,65 и 1,85 нм. Заметно изменились и два основных ФШС параметра - σ и Sc(L0 -1), значения которых в окне 10×10 мкм2, составляющие у исходного образца стеклокерамики 0,59 нм и 1,06 (нм)3, уменьшились после обработки кластерными ионами до 0,31 нм и 0,80 (нм)3 соответственно. Важно указать и на величины средеквадратичных отклонений ФШС параметров. Эти отклонения характеризуют, фактически, степень «гетерогенности» или меру нарушения «планарности» рельефа. Для параметров σ и Sc(L0 -1) при окне 10×10 мкм2 относительные величины δ средеквадратичных отклонений по отношению к определяемым средним значениям составляли для исходных образцов 25% и 54%, тогда как после обработки величины δ составили 6% и 20% соответственно.
Таким образом, предлагаемый способ позволяет упростить технологический процесс планаризации поверхности стеклокерамики пучками газовых кластерных ионов за счет выбранных параметров при одновременном снижении среднеквадратичной шероховатости поверхности на 30% относительно их исходного состояния.
Claims (1)
- Способ финишной планаризации поверхности оптической стеклокерамики, включающий двухстадийную обработку поверхности оптической стеклокерамики с помощью пучка газовых кластерных ионов, отличающийся тем, что на первой стадии осуществляется обработка поверхности оптической стеклокерамики пучками ускоренных кластерных ионов аргона, далее на второй стадии проводится обработка пучками ускоренных нейтральных атомов аргона, при этом ускоряющее напряжение на обеих стадиях обработки находится в диапазоне 10-30 кВ, время обработки на каждой из стадий устанавливается не более 15 мин при давлении остаточных газов не более 4×10-2 Па.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016151628A RU2646262C1 (ru) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | Способ финишной планаризации поверхности оптической стеклокерамики |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016151628A RU2646262C1 (ru) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | Способ финишной планаризации поверхности оптической стеклокерамики |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2646262C1 true RU2646262C1 (ru) | 2018-03-02 |
Family
ID=61568566
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016151628A RU2646262C1 (ru) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | Способ финишной планаризации поверхности оптической стеклокерамики |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2646262C1 (ru) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU772984A1 (ru) * | 1979-04-12 | 1980-10-23 | Московский институт электронной техники | Газова смесь дл очистки кварцевых изделий |
JP2006008426A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板の研磨方法 |
WO2008065973A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Asahi Glass Co., Ltd. | Method for finishing surface of preliminary polished glass substrate |
JP4786899B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2011-10-05 | Hoya株式会社 | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法,マスクブランクスの製造方法、反射型マスクブランクスの製造方法、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
US8419963B2 (en) * | 2010-02-23 | 2013-04-16 | Tokyo Electron Limited | Polishing method |
-
2016
- 2016-12-27 RU RU2016151628A patent/RU2646262C1/ru active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SU772984A1 (ru) * | 1979-04-12 | 1980-10-23 | Московский институт электронной техники | Газова смесь дл очистки кварцевых изделий |
JP2006008426A (ja) * | 2004-06-22 | 2006-01-12 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス基板の研磨方法 |
US7622050B2 (en) * | 2004-06-22 | 2009-11-24 | Asahi Glass Company, Limited | Process for polishing glass substrate |
JP4786899B2 (ja) * | 2004-12-20 | 2011-10-05 | Hoya株式会社 | マスクブランクス用ガラス基板の製造方法,マスクブランクスの製造方法、反射型マスクブランクスの製造方法、露光用マスクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
WO2008065973A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | Asahi Glass Co., Ltd. | Method for finishing surface of preliminary polished glass substrate |
US8419963B2 (en) * | 2010-02-23 | 2013-04-16 | Tokyo Electron Limited | Polishing method |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7262408B2 (en) | Process and apparatus for modifying a surface in a work region | |
Selwyn et al. | I n situ laser diagnostic studies of plasma‐generated particulate contamination | |
TWI406832B (zh) | 玻璃基板的處理方法、和高平坦且高光滑的玻璃基板 | |
JP6752490B2 (ja) | 基板処理方法における欠陥削減 | |
EP1843985B1 (en) | Process for polishing glass substrate | |
US8293126B2 (en) | Method and system for multi-pass correction of substrate defects | |
US8182708B2 (en) | Method of finishing pre-polished glass substrate surface | |
JP2010147028A (ja) | 損傷の無い表面の造形のための大気圧反応性原子プラズマ加工装置及び方法 | |
Mori et al. | Evaluation of elastic emission machined surfaces by scanning tunneling microscopy | |
Astruc Hoffmann et al. | Ultraviolet photoelectron spectroscopy of Si 4-to Si 1000 | |
US5888371A (en) | Method of fabricating an aperture for a near field scanning optical microscope | |
Gerhard et al. | Polishing of optical media by dielectric barrier discharge inert gas plasma at atmospheric pressure | |
RU2646262C1 (ru) | Способ финишной планаризации поверхности оптической стеклокерамики | |
Osipov et al. | OES diagnostics as a universal technique to control the Si etching structures profile in ICP | |
Heinke et al. | Dry etching of monocrystalline silicon using a laser-induced reactive micro plasma | |
KR20220027289A (ko) | 주사 탐침 현미경의 측정 팁을 교체하는 시간 기간을 연장하기 위한 방법 및 장치 | |
US8298432B2 (en) | Method and system for adjusting beam dimension for high-gradient location specific processing | |
Weigel et al. | Deep etching of Zerodur glass ceramics in a fluorine-based plasma | |
Yadav et al. | Design and development of medium-pressure plasma process for optical substrate finishing: A comparative study with wet chemical etching | |
Bakun et al. | Method of formation of super-smooth optical surfaces using GCIB and ANAB processing | |
JP2006240977A (ja) | ガラス基板の研磨方法 | |
Yadav et al. | Development and Performance Evolution of Medium-Pressure He/SF6/O2-Based Plasma and Wet Chemical Etching Process for Surface Modification of Fused Silica | |
Yamamura et al. | Ultraprecision machining utilizing numerically controlled scanning of localized atmospheric pressure plasma | |
McClelland et al. | Nanostructure fabrication by reactive-ion etching of laser-focused chromium on silicon | |
DE10328250B4 (de) | Verfahren zur Oberflächenbearbeitung |