JP2006008426A - ガラス基板の研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】予備研磨したガラス基板を、第一段目のガスクラスターイオンビームエッチングで表面処理して平坦性を改善した後、第一段目のガスクラスターイオンビームエッチングと照射条件が異なる第二段目のガスクラスターイオンビームエッチングで表面処理して表面粗さを改善し、平坦度0.05μm以下、表面粗さ(Rms)0.25nm以下に仕上げ研磨する。
【選択図】図2
Description
EUVLに用いられるマスクは、(1)ガラス基板 (2)ガラス基板上に形成された反射多層膜 (3)反射多層膜上に形成された吸収体層、から基本的に構成される。反射多層膜としては、露光光の波長に対して屈折率の異なる複数の材料がnmオーダーで周期的に積層された構造のものが用いられ、代表的な材料としてMoとSiが知られている。また。吸収体層にはTaやCrが検討されている。ガラス基板としては、EUV光照射の下においても歪みが生じないよう低熱膨張係数を有する材料が必要とされ、低熱膨張係数を有するガラスや結晶化ガラスが検討されている。ガラス基板はこれらガラスや結晶化ガラスの素材を、高精度に研磨、洗浄することによって製造される。
(2) ガラス基板が石英ガラスである上記(1)のガラス基板の研磨方法。
(3) ガラス基板が20℃における熱膨張係数が0±30ppb/℃の低膨張ガラス基板である上記(1)または(2)のガラス基板の研磨方法。
(4) 第一段目のガスクラスターイオンビームエッチングにおけるクラスターイオンの加速電圧を、第二段目のガスクラスターイオンビームエッチングにおけるクラスターイオンの加速電圧より高く設定する上記(1)、(2)又は(3)のガラス基板の研磨方法。
(5) ガラス基板を表面粗さ(Ra)1.0μm以下、平坦度0.5μm以下に予備研磨する上記(1)〜(4)のいずれかのガラス基板の研磨方法。
(6) 第一段目のガスクラスターイオンビームエッチングのソースガスがSF6とArとO2またはNF3とArとO2の混合ガスであり、第二段目のガスクラスターイオンビームエッチングのソースガスがO2である上記(1)〜(4)のいずれかのガラス基板の研磨方法。
(7) ガラス基板の平坦度を第一段目のガスクラスターイオンビームエッチングで平坦度0.05μm以下に改善した後、該平坦度を実質的に維持したまま表面粗さを第二段目のガスクラスターイオンビームエッチングで表面粗さ(Rms)0.25nm以下に改善する上記(1)〜(6)のいずれかのガラス基板の研磨方法。
(8) 第二段目のガスクラスターイオンビームエッチングを複数段階に分けて施すことを特徴とする上記(1)〜(7)のいずれかのガラス基板の研磨方法。
(9) 第二段目のガスクラスターイオンビームエッチングを、段階的に加速電圧を低下させて施すことを特徴とする上記(8)のガラス基板の研磨方法。
3:クラスターイオン 4:クラスター生成室
5:ノズル 6:取付け板
7:ガラス基板 8:加速電極
9:イオン化電極 10,12:排気ポンプ
11,13:開閉弁 14:スキマー
16:うねり 17:微細の凹凸
Claims (9)
- 予備研磨したガラス基板を、第一段目のガスクラスターイオンビームエッチングで表面処理して平坦度を改善した後、第一段目のガスクラスターイオンビームエッチングと照射条件が異なる第二段目のガスクラスターイオンビームエッチングで表面処理して表面粗さを改善し、平坦度0.05μm以下、表面粗さ(Rms)0.25nm以下に仕上げ研磨することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
- ガラス基板が石英ガラスである請求項1に記載のガラス基板の研磨方法。
- ガラス基板が20℃における熱膨張係数が0±30ppb/℃の低膨張ガラス基板である請求項1または2に記載のガラス基板の研磨方法。
- 第一段目のガスクラスターイオンビームエッチングにおけるクラスターイオンの加速電圧を、第二段目のガスクラスターイオンビームエッチングにおけるクラスターイオンの加速電圧より高く設定する請求項1、2または3に記載のガラス基板の研磨方法。
- ガラス基板を表面粗さ(Rms)0.005μm以下、平坦度0.5μm以下に予備研磨する請求項1〜4のいずれかに記載のガラス基板の研磨方法。
- 第一段目のガスクラスターイオンビームエッチングのソースガスがSF6とArとO2またはNF3とArとO2の混合ガスであり、第二段目のガスクラスターイオンビームエッチングのソースガスがO2である請求項1〜5のいずれかに記載のガラス基板の研磨方法。
- ガラス基板の平坦度を第一段目のガスクラスターイオンビームエッチングで平坦度0.05μm以下に改善した後、該平坦度を実質的に維持したまま表面粗さを第二段目のガスクラスターイオンビームエッチングで表面粗さ(Rms)0.25nm以下に改善する請求項1〜6のいずれかに記載のガラス基板の研磨方法。
- 第二段目のガスクラスターイオンビームエッチングを複数段階に分けて施すことを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載のガラス基板の研磨方法。
- 第二段目のガスクラスターイオンビームエッチングを、段階的に加速電圧を低下させて施すことを特徴とする請求項8に記載のガラス基板の研磨方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004184151A JP4665443B2 (ja) | 2004-06-22 | 2004-06-22 | ガラス基板の研磨方法 |
EP05751349A EP1761471B1 (en) | 2004-06-22 | 2005-06-14 | Process for polishing glass substrate |
PCT/JP2005/011202 WO2005123617A1 (en) | 2004-06-22 | 2005-06-14 | Process for polishing glass substrate |
TW094120650A TWI361799B (en) | 2004-06-22 | 2005-06-21 | Process for polishing glass substrate |
US11/615,530 US7622050B2 (en) | 2004-06-22 | 2006-12-22 | Process for polishing glass substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004184151A JP4665443B2 (ja) | 2004-06-22 | 2004-06-22 | ガラス基板の研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006008426A true JP2006008426A (ja) | 2006-01-12 |
JP4665443B2 JP4665443B2 (ja) | 2011-04-06 |
Family
ID=34970331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004184151A Expired - Fee Related JP4665443B2 (ja) | 2004-06-22 | 2004-06-22 | ガラス基板の研磨方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7622050B2 (ja) |
EP (1) | EP1761471B1 (ja) |
JP (1) | JP4665443B2 (ja) |
TW (1) | TWI361799B (ja) |
WO (1) | WO2005123617A1 (ja) |
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JP4665443B2 (ja) | 2011-04-06 |
US20070125747A1 (en) | 2007-06-07 |
TWI361799B (en) | 2012-04-11 |
TW200604123A (en) | 2006-02-01 |
US7622050B2 (en) | 2009-11-24 |
EP1761471B1 (en) | 2011-08-10 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R371 | Transfer withdrawn |
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