JPH08120470A - ガスクラスターイオンビームによる 超精密研磨加工方法 - Google Patents
ガスクラスターイオンビームによる 超精密研磨加工方法Info
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- JPH08120470A JPH08120470A JP26291094A JP26291094A JPH08120470A JP H08120470 A JPH08120470 A JP H08120470A JP 26291094 A JP26291094 A JP 26291094A JP 26291094 A JP26291094 A JP 26291094A JP H08120470 A JPH08120470 A JP H08120470A
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- Japan
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ガスクラスターイオンビームを照射して固体
表面を超精密研磨する。 【効果】 ガスクラスターイオンを用いるため、原子レ
ベルでの超精密研磨が可能で、イオンの持つエネルギー
が通常のイオンエッチングと異なり低いため低損傷での
研磨が可能となる。
表面を超精密研磨する。 【効果】 ガスクラスターイオンを用いるため、原子レ
ベルでの超精密研磨が可能で、イオンの持つエネルギー
が通常のイオンエッチングと異なり低いため低損傷での
研磨が可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はガスクラスターイオン
ビームによる超精密研磨加工方法に関するものである。
さらに詳しくは、この発明は、超精密に固体表面の研磨
加工を行うためのガスクラスターイオンビームによる超
精密研磨加工方法に関するものである。
ビームによる超精密研磨加工方法に関するものである。
さらに詳しくは、この発明は、超精密に固体表面の研磨
加工を行うためのガスクラスターイオンビームによる超
精密研磨加工方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術とその課題】従来より、各種の金型の表面
仕上には、旋盤やフライス、研磨機等が用いられてい
る。たとえば金属（Ａｌ、Ｃｕ、Ｂｓｐ、Ｎｉ等）表面
は、ダイヤモンドバイトによって研磨加工が可能であ
る。そして、鉄および鉄系金属の場合にはダイヤモンド
と反応して削れなくなるので、ダイヤモンド粉末入りの
砥石が用いられている。
仕上には、旋盤やフライス、研磨機等が用いられてい
る。たとえば金属（Ａｌ、Ｃｕ、Ｂｓｐ、Ｎｉ等）表面
は、ダイヤモンドバイトによって研磨加工が可能であ
る。そして、鉄および鉄系金属の場合にはダイヤモンド
と反応して削れなくなるので、ダイヤモンド粉末入りの
砥石が用いられている。
【０００３】しかし、この工程は高コストであるばかり
か、その面精度の向上には限界がある。また、従来、プ
ラスチック成形用の金型については、多くの場合、金型
材として鋼材（ＳＵＳ系）を機械加工した後に最終工程
で研磨加工を施している。この場合の研磨方法として
は、全て機械的研磨方法であり、その研磨レベルは、金
型の面精度で表すとＲａ＝０．０１μｍ程度である。し
かしながら、このレベル程度の面精度では、光学顕微鏡
での観察によって明らかに機械加工の加工線が確認で
き、面仕上げのレベルとしては不充分な状況にある。
か、その面精度の向上には限界がある。また、従来、プ
ラスチック成形用の金型については、多くの場合、金型
材として鋼材（ＳＵＳ系）を機械加工した後に最終工程
で研磨加工を施している。この場合の研磨方法として
は、全て機械的研磨方法であり、その研磨レベルは、金
型の面精度で表すとＲａ＝０．０１μｍ程度である。し
かしながら、このレベル程度の面精度では、光学顕微鏡
での観察によって明らかに機械加工の加工線が確認で
き、面仕上げのレベルとしては不充分な状況にある。
【０００４】非球面の曲面形状を有する金型等では、金
型加工の最終工程として人の手による研磨が施される例
があるが、面の荒さ精度は向上するが、非球面の形状精
度に悪影響を及ぼしてしまうという問題がある。精密な
光学プラスチック用金型では、鋼材の上にＮｉメッキを
１００〜２００μｍ付けた後にこのＮｉメッキ層を最終
仕上げしているが、この場合には研磨精度の問題の他
に、研磨時に形状が変化して精度が悪くなるという重大
な問題が発生している。非球面の曲面プラスチック金型
では特にこの点が指摘されている。
型加工の最終工程として人の手による研磨が施される例
があるが、面の荒さ精度は向上するが、非球面の形状精
度に悪影響を及ぼしてしまうという問題がある。精密な
光学プラスチック用金型では、鋼材の上にＮｉメッキを
１００〜２００μｍ付けた後にこのＮｉメッキ層を最終
仕上げしているが、この場合には研磨精度の問題の他
に、研磨時に形状が変化して精度が悪くなるという重大
な問題が発生している。非球面の曲面プラスチック金型
では特にこの点が指摘されている。
【０００５】このような形状精度の問題は、研磨加工し
にくい柔らかい金属（Ａｌ，Ｃｕ等）における機械加工
の工程においても大きな問題となっている。ガラス基
板、セラミック基板の研磨加工では、通常のピッチ研磨
加工やその他の研磨加工がよく行われているが、研磨後
の面の凸凹は、なお問題として残っている。これらの面
精度および形状精度の向上は、現在のところ困難であっ
た。
にくい柔らかい金属（Ａｌ，Ｃｕ等）における機械加工
の工程においても大きな問題となっている。ガラス基
板、セラミック基板の研磨加工では、通常のピッチ研磨
加工やその他の研磨加工がよく行われているが、研磨後
の面の凸凹は、なお問題として残っている。これらの面
精度および形状精度の向上は、現在のところ困難であっ
た。
【０００６】この発明は、以上の通りの事情に鑑みてな
されたものであって、従来技術の欠点を解消し、表面の
面精度を大きく向上させ、モールド用金型の表面や、光
学用金属ミラー、その他の光学用のガラス基板、さらに
セラミック基板等の表面を超精密に研磨仕上げして、面
粗さの非常に小さい平滑な面を得ることを可能とする、
新しい超精密研磨加工方法を提供することを目的として
いる。
されたものであって、従来技術の欠点を解消し、表面の
面精度を大きく向上させ、モールド用金型の表面や、光
学用金属ミラー、その他の光学用のガラス基板、さらに
セラミック基板等の表面を超精密に研磨仕上げして、面
粗さの非常に小さい平滑な面を得ることを可能とする、
新しい超精密研磨加工方法を提供することを目的として
いる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するものとして、ガスクラスターイオンビームを
照射して固体表面を研磨することを特徴とする超精密研
磨加工方法を提供する。また、より具体的には、この発
明は、ガスクラスターイオンビームを照射してプラスチ
ックまたはガラスモールド用の金型表面を研磨する超精
密研磨加工方法や、光学用金属ミラー、ガラス基板、セ
ラミック基板等をもガスクラスターイオンビームにより
研磨する超精密研磨加工方法を提供する。
を解決するものとして、ガスクラスターイオンビームを
照射して固体表面を研磨することを特徴とする超精密研
磨加工方法を提供する。また、より具体的には、この発
明は、ガスクラスターイオンビームを照射してプラスチ
ックまたはガラスモールド用の金型表面を研磨する超精
密研磨加工方法や、光学用金属ミラー、ガラス基板、セ
ラミック基板等をもガスクラスターイオンビームにより
研磨する超精密研磨加工方法を提供する。
【０００８】
【作用】この発明は、上記の通りのガスクラスターイオ
ンビームによって固体表面を研磨し、これまでの技術に
よっては到底不可能であった超精密な表面粗さのレベル
を得るものである。ガスクラスターイオンビーム技術そ
のものは、この発明の発明者によってすでに提案されて
いるものであるが、この技術を超精密研磨加工に適用す
ることはこの発明は初めて実現したものである。
ンビームによって固体表面を研磨し、これまでの技術に
よっては到底不可能であった超精密な表面粗さのレベル
を得るものである。ガスクラスターイオンビーム技術そ
のものは、この発明の発明者によってすでに提案されて
いるものであるが、この技術を超精密研磨加工に適用す
ることはこの発明は初めて実現したものである。
【０００９】より詳しく説明すると、まず、図１は、こ
の発明を実施するのに用いられる精密研磨加工装置に構
成を例示した模式図である。たとえばこの図１に例示し
たように、精密研磨加工装置は、ソースチャンバー排気
ポンプ（１１）とメインチャンバー排気ポンプ（１２）
とによって作動排気されるソースチャンバー（１）とメ
インチャンバー（２）の２つの真空室を有している。
の発明を実施するのに用いられる精密研磨加工装置に構
成を例示した模式図である。たとえばこの図１に例示し
たように、精密研磨加工装置は、ソースチャンバー排気
ポンプ（１１）とメインチャンバー排気ポンプ（１２）
とによって作動排気されるソースチャンバー（１）とメ
インチャンバー（２）の２つの真空室を有している。
【００１０】ガスボンベ（３）より供給されたソースガ
スを、超音速でノズル（４）より噴出させることによっ
て、断熱膨張によりガスクラスターを形成する。生成し
たクラスターはスキマー（５）を通過させ、ビーム形状
を整えてイオン化部（７）に供給される。このイオン化
部（７）では、フィラメント（６）による電子衝突によ
りイオン化される。この際に、加速部（８）において、
電界によりクラスターは加速される。ガスクラスターイ
オンは、減速電界部（９）での減速電界によりクラスタ
ーの大きさが選別され、さらに加速部（１３）において
加速されて高電圧を印加した被加工物（１０）へ照射さ
れる。被加工物（１０）ヘ照射されたガスクラスターイ
オンは被加工物（１０）との衝突で壊れ、その際クラス
ター構成原子または分子および被加工物構成原子または
分子と多体衝突が生じ、被加工物（１０）表面に対して
水平方向への運動が顕著になり、その結果、被加工物
（１０）表面に対して横方向の切削が可能となる。さら
に被加工物（１０）表面を横方向に粒子が運動すること
により、表面の凸部が主に削られ原子サイズでの平坦な
超精密研磨が得られることになる。
スを、超音速でノズル（４）より噴出させることによっ
て、断熱膨張によりガスクラスターを形成する。生成し
たクラスターはスキマー（５）を通過させ、ビーム形状
を整えてイオン化部（７）に供給される。このイオン化
部（７）では、フィラメント（６）による電子衝突によ
りイオン化される。この際に、加速部（８）において、
電界によりクラスターは加速される。ガスクラスターイ
オンは、減速電界部（９）での減速電界によりクラスタ
ーの大きさが選別され、さらに加速部（１３）において
加速されて高電圧を印加した被加工物（１０）へ照射さ
れる。被加工物（１０）ヘ照射されたガスクラスターイ
オンは被加工物（１０）との衝突で壊れ、その際クラス
ター構成原子または分子および被加工物構成原子または
分子と多体衝突が生じ、被加工物（１０）表面に対して
水平方向への運動が顕著になり、その結果、被加工物
（１０）表面に対して横方向の切削が可能となる。さら
に被加工物（１０）表面を横方向に粒子が運動すること
により、表面の凸部が主に削られ原子サイズでの平坦な
超精密研磨が得られることになる。
【００１１】導入するソースガスとしては、不活性ガ
ス、たとえばアルゴンや、窒素ガス、酸素ガス等の他、
化合物の炭酸ガス等、必要に応じて１種または２種以上
のガスを単独にあるいは混合して使用することができ
る。ソースガス圧力については、一般的にはこれを適宜
に選択することができるが、この圧力を高くするとクラ
スターサイズが大きくなり、またクラスターの発生個数
も大きくなるため研磨効果や効率を高めることができ
る。また、スキマーによりクラスターのビーム形状は例
えば円形に整えることができる。さらに差動排気による
加工室内を真空に保つためのコンダクタンスをもたせる
こともできる。
ス、たとえばアルゴンや、窒素ガス、酸素ガス等の他、
化合物の炭酸ガス等、必要に応じて１種または２種以上
のガスを単独にあるいは混合して使用することができ
る。ソースガス圧力については、一般的にはこれを適宜
に選択することができるが、この圧力を高くするとクラ
スターサイズが大きくなり、またクラスターの発生個数
も大きくなるため研磨効果や効率を高めることができ
る。また、スキマーによりクラスターのビーム形状は例
えば円形に整えることができる。さらに差動排気による
加工室内を真空に保つためのコンダクタンスをもたせる
こともできる。
【００１２】加速電圧は、これを高くすると、クラスタ
ーイオンの持つエネルギーが大きくなり、研磨効果を高
めるが、適切な値を超えると研磨加工表面が粗くなる傾
向になる。このため、被加工物との関係において適切に
選択される。イオン化電圧が低い場合には、電子衝撃の
ための電子が十分に引き出されず、クラスターのイオン
化が十分に起こらない。また、高すぎる場合にはイオン
化が進みすぎ、クラスターがクーロン力で分割され、結
果としてクラスター量が減少する。このため、イオン化
電圧は、通常は、ガスの種類によっても異なるが、数１
０Ｖ〜数１００Ｖ程度とするのが好ましい。
ーイオンの持つエネルギーが大きくなり、研磨効果を高
めるが、適切な値を超えると研磨加工表面が粗くなる傾
向になる。このため、被加工物との関係において適切に
選択される。イオン化電圧が低い場合には、電子衝撃の
ための電子が十分に引き出されず、クラスターのイオン
化が十分に起こらない。また、高すぎる場合にはイオン
化が進みすぎ、クラスターがクーロン力で分割され、結
果としてクラスター量が減少する。このため、イオン化
電圧は、通常は、ガスの種類によっても異なるが、数１
０Ｖ〜数１００Ｖ程度とするのが好ましい。
【００１３】クラスターサイズは減速電界により選別す
ることが可能である。もちろん、サイズの異なるクラス
ターの他、クラスター状になってないモノマーイオンを
単独に使用してもよいし、またクラスターとモノマーの
混合照射を行ってもよい。これらの諸条件を適宜に選択
して被加工物としての固体表面を超精密研磨する。この
場合の被加工物は、その素材として金属、合金、ガラ
ス、セラミックス等の任意のものであってよく、その種
類はプラスチックまたはガラスモールド用金型、たとえ
ばメガネレンズキャスト用金属表面や、光学用金属ミラ
ー表面、ガラス基板やセラミックス基板等であってよ
い。
ることが可能である。もちろん、サイズの異なるクラス
ターの他、クラスター状になってないモノマーイオンを
単独に使用してもよいし、またクラスターとモノマーの
混合照射を行ってもよい。これらの諸条件を適宜に選択
して被加工物としての固体表面を超精密研磨する。この
場合の被加工物は、その素材として金属、合金、ガラ
ス、セラミックス等の任意のものであってよく、その種
類はプラスチックまたはガラスモールド用金型、たとえ
ばメガネレンズキャスト用金属表面や、光学用金属ミラ
ー表面、ガラス基板やセラミックス基板等であってよ
い。
【００１４】これら被加工物について、この発明の方法
により、たとえば表面粗さは、原子レベルサイズにまで
向上する。また、ガスクラスターイオンビームは、イオ
ンの持つエネルギーが通常のイオンエッチングと異って
より低いため、被加工表面に損傷を与えることなく、所
要の超精密研磨を可能とする。
により、たとえば表面粗さは、原子レベルサイズにまで
向上する。また、ガスクラスターイオンビームは、イオ
ンの持つエネルギーが通常のイオンエッチングと異って
より低いため、被加工表面に損傷を与えることなく、所
要の超精密研磨を可能とする。
【００１５】なお、ガスクラスターイオンビームの被加
工物表面への照射では、通常は、その表面に対して略垂
直方向から照射するのが好ましい。ただ、曲面等の場合
には、その表面状況に応じて斜め方向から照射してもよ
い。また、被加工物表面とクラスターイオン照射部との
距離や加工表面範囲についても適宜に選択すればよい。
この場合、ドーズ量の選択としても考慮される。
工物表面への照射では、通常は、その表面に対して略垂
直方向から照射するのが好ましい。ただ、曲面等の場合
には、その表面状況に応じて斜め方向から照射してもよ
い。また、被加工物表面とクラスターイオン照射部との
距離や加工表面範囲についても適宜に選択すればよい。
この場合、ドーズ量の選択としても考慮される。
【００１６】以下、実施例を示し、さらに詳しくこの発
明を説明する。
明を説明する。
【００１７】
【実施例】実施例１ 前記の精密研磨加工装置を用いて、機械加工により表面
の粗さＲａ＝２０Åに仕上げたプラスチックモールド用
ステンレス金型表面に、ＣＯ2 クラスターイオンを、加
速電圧１０ｋＶ、クラスターサイズが３００個以上、イ
オン電流２００ｎＡ、ドーズ量１×１０16個イオン／ｃ
ｍ2 の条件で照射した。その結果、わずか２５分の処理
でプラスチックモールド用ステンレス金型の表面粗さは
Ｒａ＝８Åに改善された。
の粗さＲａ＝２０Åに仕上げたプラスチックモールド用
ステンレス金型表面に、ＣＯ2 クラスターイオンを、加
速電圧１０ｋＶ、クラスターサイズが３００個以上、イ
オン電流２００ｎＡ、ドーズ量１×１０16個イオン／ｃ
ｍ2 の条件で照射した。その結果、わずか２５分の処理
でプラスチックモールド用ステンレス金型の表面粗さは
Ｒａ＝８Åに改善された。
【００１８】実施例２ 前記の精密研磨加工装置を用いて、機械加工により表面
の粗さＲａ＝１０００Åに仕上げたミラー用鏡面銅表面
に、ＣＯ2 クラスターイオンを、加速電圧３１ｋＶ、ク
ラスターサイズ３００個以上、イオン電流３８０ｐＡ、
ドーズ量１×１０14個イオン／ｃｍ2 の条件で照射し
た。その結果、ミラー用鏡面銅の表面粗さは、Ｒａ＝１
００Å以下に改善された。
の粗さＲａ＝１０００Åに仕上げたミラー用鏡面銅表面
に、ＣＯ2 クラスターイオンを、加速電圧３１ｋＶ、ク
ラスターサイズ３００個以上、イオン電流３８０ｐＡ、
ドーズ量１×１０14個イオン／ｃｍ2 の条件で照射し
た。その結果、ミラー用鏡面銅の表面粗さは、Ｒａ＝１
００Å以下に改善された。
【００１９】実施例３ 前記の精密研磨加工装置を用いて、機械加工により表面
の粗さＲａ＝５０Åに仕上げたソーダライムガラスに、
ＣＯ2 クラスターイオンを、加速電圧１０ｋＶ、クラス
ターサイズ３００個以上、ドーズ量１×１０16個イオン
／ｃｍ2 の条件で照射した。その結果、青板ソーダガラ
スの表面粗さは、Ｒａ＝２０Å以下に改善された。
の粗さＲａ＝５０Åに仕上げたソーダライムガラスに、
ＣＯ2 クラスターイオンを、加速電圧１０ｋＶ、クラス
ターサイズ３００個以上、ドーズ量１×１０16個イオン
／ｃｍ2 の条件で照射した。その結果、青板ソーダガラ
スの表面粗さは、Ｒａ＝２０Å以下に改善された。
【００２０】実施例４ 前記の精密研磨加工装置を用いて、機械加工により作製
した表面の粗さＲａ＝２０Åの球面形状（Ｒ＝１０＋
０．１ｍｍ）に加工したφ５０ｍｍプラスチックモール
ド用ステンレス金型表面に、ＣＯ2 クラスターイオン
を、加速電圧１０ｋＶ、クラスターサイズ３００個以
上、ドーズ量１×１０16個イオン／ｃｍ2 の条件で照射
した。その結果、表面粗さがＲａ＝１０Å以下に改善さ
れた。このとき、処理前後で表面形状は変化がみられな
かった。
した表面の粗さＲａ＝２０Åの球面形状（Ｒ＝１０＋
０．１ｍｍ）に加工したφ５０ｍｍプラスチックモール
ド用ステンレス金型表面に、ＣＯ2 クラスターイオン
を、加速電圧１０ｋＶ、クラスターサイズ３００個以
上、ドーズ量１×１０16個イオン／ｃｍ2 の条件で照射
した。その結果、表面粗さがＲａ＝１０Å以下に改善さ
れた。このとき、処理前後で表面形状は変化がみられな
かった。
【００２１】実施例５ 前記の精密研磨加工装置を用いて、機械加工により図２
にも示した表面の粗さＲａ＝６．１Åに仕上げたソーダ
ライムガラスにＣＯ2 のモノマーのイオンを加速電圧１
０ｋＶ、ドーズ量１×１０16個イオン／ｃｍ2 の条件で
照射した。その結果を図３に示した。青板ソーダガラス
の表面粗さは、Ｒａ＝６．２Åとなり、モノマーイオン
の照射によっては表面粗さの改善は全くみられなかっ
た。しかしながら、図２の表面の粗さＲａ＝６．１Åの
青板ソーダガラスにＣＯ2 クラスターイオンを加速電圧
１０ｋＶ、クラスターサイズ２５０個以上、ドーズ量１
×１０16個イオン／ｃｍ2 の条件で照射したところ、青
板ソーダガラスの表面粗さは、Ｒａ＝２．８Å以下に改
善された。図４は、そのＡＦＭ像を示したものである。
この結果から、クラスターイオン照射の研磨効果は極め
て大きいことがわかる。
にも示した表面の粗さＲａ＝６．１Åに仕上げたソーダ
ライムガラスにＣＯ2 のモノマーのイオンを加速電圧１
０ｋＶ、ドーズ量１×１０16個イオン／ｃｍ2 の条件で
照射した。その結果を図３に示した。青板ソーダガラス
の表面粗さは、Ｒａ＝６．２Åとなり、モノマーイオン
の照射によっては表面粗さの改善は全くみられなかっ
た。しかしながら、図２の表面の粗さＲａ＝６．１Åの
青板ソーダガラスにＣＯ2 クラスターイオンを加速電圧
１０ｋＶ、クラスターサイズ２５０個以上、ドーズ量１
×１０16個イオン／ｃｍ2 の条件で照射したところ、青
板ソーダガラスの表面粗さは、Ｒａ＝２．８Å以下に改
善された。図４は、そのＡＦＭ像を示したものである。
この結果から、クラスターイオン照射の研磨効果は極め
て大きいことがわかる。
【００２２】
【発明の効果】以上詳しく説明した通り、この発明によ
って、ガスクラスターイオンによる原子レベルでの超精
密研磨が可能となり、しかもイオンの持つエネルギーが
通常のイオンエッチングと異なってより低いため、低損
傷での研磨が可能となる。
って、ガスクラスターイオンによる原子レベルでの超精
密研磨が可能となり、しかもイオンの持つエネルギーが
通常のイオンエッチングと異なってより低いため、低損
傷での研磨が可能となる。
【図１】この発明で用いられる装置の構成を示す概略図
である。
である。
【図２】機械研磨後のソーダライムガラスの表面を示し
た図面に代わるＡＦＭ顕微鏡写真である。
た図面に代わるＡＦＭ顕微鏡写真である。
【図３】ガスモノマーイオンを照射した後のソーダライ
ムガラスの表面を示した図面に代わるＡＦＭ顕微鏡写真
である。
ムガラスの表面を示した図面に代わるＡＦＭ顕微鏡写真
である。
【図４】ガスクラスターイオンを照射した後のソーダラ
イムガラスの表面を示した図面に代わるＡＦＭ顕微鏡写
真である。
イムガラスの表面を示した図面に代わるＡＦＭ顕微鏡写
真である。
１ ソースチャンバー ２ メインチャンバー ３ ガスボンベ ４ ノズル ５ スキマー ６ フィラメント ７ イオン化部 ８ 加速部 ９ 減速電界部 １０ 被加工物 １１ ソースチャンバー排気ポンプ １２ メインチャンバー排気ポンプ １３ 加速部
Claims (7)
- 【請求項１】 ガスクラスターイオンビームを照射して
固体表面を研磨することを特徴とする超精密研磨加工方
法。 - 【請求項２】 ガスクラスターイオンビームを使用し
て、プラスチックまたはガラスモールド用の金型表面を
研磨する請求項１の超精密研磨加工方法。 - 【請求項３】 ガスクラスターイオンビームを使用し
て、プラスチックまたはガラス製メガネレンズキャスト
用の金型表面を研磨する請求項２の超精密研磨加工方
法。 - 【請求項４】 全部または一部がセラミックからなる金
型表面を研磨する請求項２または３のいずれかの超精密
研磨加工方法。 - 【請求項５】 球面形状または非球面形状を有する金型
表面を研磨する請求項２ないし４のいずれかの超精密研
磨加工方法。 - 【請求項６】 光学用ミラー表面を研磨する請求項１の
超精密研磨加工方法。 - 【請求項７】 金属ガラスまたはセラミックス表面を研
磨する請求項１の超精密研磨加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26291094A JP3451140B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | ガスクラスターイオンビームによる超精密研磨加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26291094A JP3451140B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | ガスクラスターイオンビームによる超精密研磨加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08120470A true JPH08120470A (ja) | 1996-05-14 |
| JP3451140B2 JP3451140B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=17382312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26291094A Expired - Lifetime JP3451140B2 (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | ガスクラスターイオンビームによる超精密研磨加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3451140B2 (ja) |
Cited By (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1066721A (ja) * | 1996-08-28 | 1998-03-10 | Showa Gomme Kk | ガスクラスターイオンビームによる医療用物品の表面 処理方法 |
| WO2001041181A1 (en) * | 1999-12-06 | 2001-06-07 | Epion Corporation | Gas cluster ion beam smoother apparatus |
| WO2002004196A1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-01-17 | Epion Corporation | Improving effectiveness of introaocular lenses by gcib |
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| JP3451140B2 (ja) | 2003-09-29 |
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| JPS6233311B2 (ja) | ||
| JP3936215B2 (ja) | カーボン製モニタウェハ |
Legal Events
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070711 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080711 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090711 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100711 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110711 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120711 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130711 Year of fee payment: 10 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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|
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