JP2011175279A - マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明においては、基板の主表面における実測領域内のチャック前主表面形状を測定し、基板のチャック前主表面形状とマスクステージの形状に基づいて、基板から作製されたフォトマスクを露光装置にセットしたときにおける基板のチャック後主表面形状をシミュレーションにより得て、基板について、チャック後主表面形状の補正領域内で第1の方向に沿う断面形状に近似する第1近似曲線を算出し、第1近似曲線から近似曲面を算出してチャック後主表面形状から差し引く補正を行い、補正後主表面形状を算出し、補正後主表面形状の補正領域内での平坦度が、所定閾値以下であるものを選定する。
【選択図】図2
Description
本発明のマスクブランク用基板の製造方法は、フォトマスク形状の補正機能を備えた露光装置に用いることができるフォトマスクのマスクブランク用基板を得るものである。ここで、フォトマスク形状の補正機能を備えた露光装置について説明する。
H2=H1+B1+B2−HAB
H2:チャック後の基板主表面における高さ情報
H1:チャック前の基板主表面における高さ情報
B1:マスクステージを支点とした基板の反り(てこの効果)
B2:基板の重力による撓み(≒基板中心で最大値が0.1μm)
HAB:基板がマスクステージに当接するスキャン方向に沿う領域で当該基板が有する高さ情報の平均値
合成石英ガラス基板に対してラッピング加工及びチャンファリング加工を施したガラス基板(約152mm×152mm×6.45mm)に対して、両面研磨装置に所定枚数セットし、以下の研磨条件で粗研磨工程を行った。粗研磨工程後、ガラス基板に付着した研磨砥粒を除去するためにガラス基板を超音波洗浄した。なお、加工圧力、上下定盤の各回転数、研磨時間等の研磨条件は、適宜調整して行った。
研磨液:酸化セリウム(平均粒径2μm〜3μm)+水
研磨パッド:硬質ポリシャ(ウレタンパッド)
研磨液:酸化セリウム(平均粒径1μm)+水
研磨パッド:軟質ポリシャ(スウェードタイプ)
研磨液:コロイダルシリカ(平均粒径100nm)+水
研磨パッド:超軟質ポリシャ(スウェードタイプ)
実施例1と同様に、ST11からST17までの工程を行い、ガラス基板を98枚選定した。次いで、スリット方向(第2の方向)における主表面形状補正(ST18)を行う。図6(b)に示すチャック後主表面形状のガラス基板に対し、図8(a)に示すように、マスクブランク用基板のチャック後主表面形状の補正領域Xのスリット方向に平行な上端、中央、下端の各直線Y2における高さ情報からスリット方向の基板の断面形状を求め、この3か所の断面形状に対して2次曲線を最小二乗法で算出することにより、図8(b)に示すスリット方向の近似曲線(第2近似曲線)Z2を算出する。そして、近似曲線Z2から図8(c)に示すような近似曲面を算出し、上記シミュレーションで得られたチャック後形状から差し引く。近似曲面Z1を差し引いた後の基板形状を図8(d)に示す。
実施例1と同様に、ST11からST17までの工程を行い、ガラス基板を98枚選定した。次いで、スキャン方向(第1の方向)およびスリット方向(第2の方向)の両方向からのに主表面形状補正(ST18)を行う。図6(b)に示すチャック後主表面形状のガラス基板に対し、図7(a)に示すように、マスクブランク用基板のチャック後主表面形状の補正領域Xのスキャン方向に平行な右端、中央、左端の各直線Y1における高さ情報からスキャン方向の基板の断面形状を求め、この3か所の断面形状に対して4次曲線を最小二乗法で算出することにより、図7(b)に示すスキャン方向の近似曲線(第1近似曲線)Z1を算出する。また、図8(a)に示すように、マスクブランク用基板のチャック後主表面形状の補正領域Xのスリット方向に平行な上端、中央、下端の各直線Y2における高さ情報からスリット方向の基板の断面形状を求め、この3か所の断面形状に対して2次曲線を最小二乗法で算出することにより、図8(b)に示すスリット方向の近似曲線(第2近似曲線)Z2を算出する。そして、スキャン方向の近似曲線(第1近似曲線)Z1とスリット方向の近似曲線(第2近似曲線)Z2とから図9(a)に示すような近似曲面Z3を算出し、上記シミュレーションで得られたチャック後形状から差し引く。近似曲面Z3を差し引いた後の基板形状を図9(b)に示す。
実施例1と同様に、ST11からST17までの工程を行い、ガラス基板を98枚選定し、スキャン方向(第1の方向)における主表面形状補正(ST18)を行った。次いで、算出した補正後主表面の補正領域(132mm×132mm)内の平坦度を算出し、第2閾値(0.08μm)以下の基板を選定した(ST19)。この第2閾値は、このマスクブランク用基板が求められている基準の平坦度である。その結果、この条件を満たすガラス基板は、98枚中92枚であった。従来のシミュレーション(ST14)で算出した基板のチャック後主表面形状(ST15)から求められる平坦度に対し、第2閾値と同じ0.08μm以下の条件を満たす基板を選定すると、98枚中84枚であることから、主表面形状補正(ST18)を行うことにより、生産歩留りが大幅に向上することがわかる。
実施例2と同様に、ST11からST17までの工程を行い、ガラス基板を98枚選定し、スリット方向(第2の方向)における主表面形状補正(ST18)を行った。次いで、算出した補正後主表面の補正領域(132mm×132mm)内の平坦度を算出し、第2閾値(0.08μm)以下の基板を選定した(ST19)。この第2閾値は、このマスクブランク用基板が求められている基準の平坦度である。その結果、この条件を満たすガラス基板は、98枚中91枚であった。従来のシミュレーション(ST14)で算出した基板のチャック後主表面形状(ST15)から求められる平坦度に対し、第2閾値と同じ0.08μm以下の条件を満たす基板を選定すると、98枚中84枚であることから、主表面形状補正(ST18)を行うことにより、生産歩留りが大幅に向上することがわかる。
実施例3と同様に、ST11からST17までの工程を行い、ガラス基板を98枚選定し、スキャン方向(第1の方向)およびスリット方向(第2の方向)における主表面形状補正(ST18)を行った。次いで、算出した補正後主表面の補正領域(132mm×132mm)内の平坦度を算出し、第2閾値(0.08μm)以下の基板を選定した(ST19)。この第2閾値は、このマスクブランク用基板が求められている基準の平坦度である。その結果、この条件を満たすガラス基板は、98枚中93枚であった。従来のシミュレーション(ST14)で算出した基板のチャック後主表面形状(ST15)から求められる平坦度に対し、第2閾値と同じ0.08μm以下の条件を満たす基板を選定すると、98枚中84枚であることから、主表面形状補正(ST18)を行うことにより、生産歩留りが大幅に向上することがわかる。
1a チャック
2 フォトマスク
3 スリット部材
3a スリット
4 光源
5 照明光学系
6 縮小光学系
7 ウェハステージ
W 半導体ウェハ
Claims (16)
- 露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクに用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、
基板の主表面における実測領域内のチャック前主表面形状を測定する工程と、
前記基板のチャック前主表面形状および前記マスクステージの形状に基づいて、前記基板から作製されたフォトマスクを前記露光装置にセットしたときにおける前記基板のチャック後主表面形状をシミュレーションにより得る工程と、
前記基板について、チャック後主表面形状の補正領域内で第1の方向に沿う断面形状に近似する第1近似曲線を算出し、前記第1近似曲線から近似曲面を算出して前記チャック後主表面形状から差し引く補正を行い、補正後主表面形状を算出する工程と、
前記補正後主表面形状の補正領域内での平坦度が、所定閾値以下であるものを選定する工程と、
を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。 - 前記補正後主表面形状を算出する工程は、第1の方向に直交する第2の方向に沿う断面形状に近似する第2近似曲線を算出し、前記第2近似曲線から近似曲面を算出し、第1の近似曲線から算出された近似曲面を差し引く補正を行った後のチャック後主表面形状からさらに前記第2近似曲面から算出された近似曲面を差し引く補正を行うことを特徴とする請求項1記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 露光装置のマスクステージにチャックされるフォトマスクに用いられるマスクブランク用基板の製造方法であって、
基板の主表面における実測領域内のチャック前主表面形状を測定する工程と、
前記基板のチャック前主表面形状および前記マスクステージの形状に基づいて、前記基板から作製されたフォトマスクを前記露光装置にセットしたときにおける前記基板のチャック後主表面形状をシミュレーションにより得る工程と、
前記基板について、チャック後主表面形状の補正領域内で第1の方向に沿う断面形状に近似する第1近似曲線を算出し、第1の方向に直交する第2の方向に沿う断面形状に近似する第2近似曲線を算出し、前記第1近似曲線および第2近似曲線から近似曲面を算出して前記チャック後主表面形状から差し引く補正を行い、補正後主表面形状を算出する工程と、
前記補正後主表面形状の補正領域内での平坦度が、所定閾値以下であるものを選定する工程と、
を有することを特徴とするマスクブランク用基板の製造方法。 - 前記第1近似曲線は、2次曲線または4次曲線であることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記第2近似曲線は、2次曲線または4次曲線であることを特徴とする請求項2から求項4のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記所定閾値が0.16μmであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記所定閾値が0.08μmであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記実測領域は、前記補正領域を含む領域であることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記補正領域は、132mm角内の領域であることを特徴とする請求項1から請求項8のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記チャック前主表面形状の実算出領域内での平坦度が0.4μm以下である基板を選定する工程を有することを特徴とする請求項1から請求項9のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記実算出領域は、前記補正領域を含む領域であることを特徴とする請求項10記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記実算出領域は、142mm角内の領域であることを特徴とする請求項10記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 前記露光装置は、第1の方向に移動可能であって第2の方向に延在するスリットを介してフォトマスクに対して露光光が照射されることを特徴とする請求項1から請求項12のいずれかに記載のマスクブランク用基板の製造方法。
- 請求項1から請求項13のいずれかに記載の方法で得られたマスクブランク用基板のチャック前主表面形状を測定した側の主表面に薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
- 請求項14記載の方法で得られたマスクブランクの薄膜に転写パターンを形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
- 請求項15記載の方法で得られたフォトマスクを主表面形状補正を行うことが可能な露光装置のマスクステージにチャックし、フォトマスクのパターンをウェハのレジスト膜に露光転写する工程を有することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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