JP2003050458A - 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法、マスク基板、露光マスクおよびサーバー - Google Patents

露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法、マスク基板、露光マスクおよびサーバー

Info

Publication number
JP2003050458A
JP2003050458A JP2002054919A JP2002054919A JP2003050458A JP 2003050458 A JP2003050458 A JP 2003050458A JP 2002054919 A JP2002054919 A JP 2002054919A JP 2002054919 A JP2002054919 A JP 2002054919A JP 2003050458 A JP2003050458 A JP 2003050458A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
substrate
information
main surface
flatness
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2002054919A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3572053B2 (ja
Inventor
Masamitsu Ito
正光 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2002054919A priority Critical patent/JP3572053B2/ja
Priority to TW092125918A priority patent/TWI252376B/zh
Priority to TW094107171A priority patent/TWI286264B/zh
Priority to TW091110742A priority patent/TWI223326B/zh
Priority to TW094107172A priority patent/TWI280456B/zh
Priority to KR10-2002-0030175A priority patent/KR100508360B1/ko
Priority to CN2005100560733A priority patent/CN1664697B/zh
Priority to CN2005100560729A priority patent/CN1652022B/zh
Publication of JP2003050458A publication Critical patent/JP2003050458A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3572053B2 publication Critical patent/JP3572053B2/ja
Priority to KR1020050013757A priority patent/KR100552041B1/ko
Priority to KR10-2005-0013754A priority patent/KR100525333B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/60—Substrates
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions

Abstract

(57)【要約】 【課題】ウェハ露光装置のマスクステージにマスク基板
をチャックすることによりマスク基板の平坦度が悪化す
ることに起因する、製品歩留まりの低下の問題を解決す
るために有効な露光マスクの製造方法を実現すること。 【解決手段】複数のマスク基板の各々について、主面の
表面形状およびを露光装置のマスクステージにチャック
する前後の主面の平坦度を取得し（ステップＳ３）、マ
スクステージにチャックする前後の両方において、平坦
度の良い表面形状を有するマスク基板を用意し（ステッ
プＳ５）、このマスク基板上に所望のパターンを作成
し、露光マスクを作成する（ステップＳ６）。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体分野におけ
る露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半
導体装置の製造方法、マスク基板、露光マスクおよびサ
ーバーに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの微細化が進むに連れ、
フォトリソグラフィ工程での微細化に対する要求が高ま
っている。既に、デバイスの設計ルールは０．１３μｍ
にまで微細化し、制御しなければならないパターン寸法
精度は１０ｎｍ程度と極めて厳しい精度が要求されてい
る。その結果、近年、半導体製造プロセスに用いられて
いるフォトリソグラフィ工程での課題が顕著になりつつ
ある。
【０００３】課題は、パターン形成工程の高精度化に係
わる要因の一つとしての、リソグラフィ工程に用いられ
るマスク基板の平坦度についてである。すなわち、微細
化に伴いリソグラフィ工程での焦点裕度が少なくなる中
で、マスク基板の平坦度が無視できなくなってきてい
る。
【０００４】そこで、本発明者等は、マスク基板の平坦
度に関して研究を重ねた結果、以下のことが明らかにな
った。
【０００５】マスク基板の表面形状は千差万別で、同じ
平坦度でも凸型、凹型、鞍型、その混合型など様々な形
状になっている。そのため、たとえ同じ平坦度でも、ウ
ェハ露光装置のマスクステージにマスク基板を真空チャ
ックによりチャックした場合に、マスクステージや真空
チャックとの相性により、チャック時にマスク基板が大
きく変形してしまう場合と、ほとんど変形しない場合、
あるいは逆に平坦度が良くなる場合、が生じる。
【０００６】これは、チャック後のマスク基板の平坦度
がチャック前のマスク基板の表面形状に依存すること、
そして同じマスク基板でも真空チャックが行われる箇所
によっても変わるからである。しかしながら従来は、平
坦度だけを管理していたため、マスク基板の表面形状に
よっては、ウェハ露光装置のマスクステージにマスク基
板をチャックすることでマスク基板の平坦度が大きく悪
化する場合が生じる。
【０００７】そして、このような平坦度が劣化したマス
ク基板上にパターンを形成して得られた露光マスクを用
いて、半導体デバイスを製造することが、製品歩留まり
の低下の大きな要因となっていることが明らかになっ
た。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、本発明者
等は、ウェハ露光装置のマスクステージにマスク基板を
チャックする前後のマスク基板の平坦度を比較したとこ
ろ、マスク基板の表面形状によってはチャック後のほう
が平坦度が悪くなるものの存在を確認し、そしてこの平
坦度の悪化が製品歩留まりの低下の大きな要因となって
いることを見出した。
【０００９】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、ウェハ露光装置のマス
クステージにマスク基板をチャックした後でマスク基板
の平坦度が悪化することに起因する、製品歩留まりの低
下の問題を解決するために有効な露光マスクの製造方
法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法、
マスク基板、露光マスクおよびサーバーを提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明の第1の視点に
おける露光マスクの製造方法は、複数のマスク基板の各
々について、主面の表面形状を示す第１の情報と、露光
装置のマスクステージにチャックする前後の前記主面の
平坦度を示す第２の情報とを取得する工程と、前記各マ
スク基板とその前記第１の情報と前記第２の情報との対
応関係を作成し、作成した対応関係の中から、所望の平
坦度を示す第２の情報を選択する工程と、この選択した
第２の情報と前記対応関係にある第１の情報が示す表面
形状と同じ表面形状を有するマスク基板を、前記複数の
マスク基板とは別に用意する工程と、この用意したマス
ク基板上に所望のパターンを形成するする工程とを有す
ることを特徴とする。
【００１１】この発明の第２の視点における露光マスク
の製造方法は、各マスク基板と各マスク基板の主面の表
面形状を示す第１の情報と各マスク基板の露光装置のマ
スクステージにチャックする前後の前記主面の平坦度を
示す第２の情報との、複数のマスク基板ついての、対応
関係の中から、所望の平坦度を示す第２の情報を選択
し、この選択した第２の情報と対応関係にある第１の情
報が示す表面形状と同じ表面形状を有するマスク基板
を、前記複数のマスク基板とは別に用意する工程と、こ
の用意したマスク基板上に所望のパターンを形成する工
程とを有することを特徴とする。
【００１２】この発明の第３の視点における露光マスク
の製造方法は、複数のマスク基板の各々について、主面
の表面形状を示す情報を取得する工程と、前記各マスク
基板とその前記情報との対応関係を作成する工程と、作
成した対応関係の中から、凸状の表面形状を示す情報を
選択し、この選択した情報と前記対応関係にあるマスク
基板を前記複数のマスク基板の中から選択する工程と、
選択したマスク基板上に所望のパターンを形成する工程
とを有することを特徴とする。
【００１３】この発明の第４の視点における露光マスク
の製造方法は、複数のマスク基板の各々について、主面
の表面形状を示す第１の情報と、測定装置により測定し
た前記主面の平坦度と露光装置のマスクチャックの構造
とから各マスク基板を前記露光装置にセットした時のシ
ミュレーションによる前記主面の平坦度を示す第２の情
報とを取得する工程と、前記各マスク基板とその前記第
１の情報と前記第２の情報との対応関係を作成する工程
と、作成した対応関係の中から、所望の平坦度を示す第
２の情報を選択し、この選択した第２の情報と前記対応
関係にある第１の情報が示す表面形状と同じ表面形状を
有するマスク基板を、前記複数のマスク基板とは別に用
意する工程と、この用意したマスク基板上に所望のパタ
ーンを形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１４】この発明の第５の視点における露光マスク
の製造方法は、各マスク基板と各マスク基板の主面の表
面形状を示す第１の情報と、測定装置により測定した前
記主面の平坦度と露光装置のマスクチャックの構造とか
ら各マスク基板を前記露光装置にセットした時のシミュ
レーションによる前記主面の平坦度を示す第２の情報と
の、複数のマスク基板ついての対応関係の中から、所望
の平坦度を示す第２の情報を選択し、この選択した第２
の情報と対応関係にある第１の情報が示す表面形状と同
じ表面形状を有するマスク基板を、前記複数のマスク基
板とは別に用意する工程と、この用意したマスク基板上
に所望のパターンを形成する工程とを有することを特徴
とする。
【００１５】この発明の第６の視点における露光マスク
の製造方法は、マスク基板とマスク基板の主面の表面形
状を示す第１の情報を取得する工程と、前記マスク基板
の主面の平坦度と露光装置のマスクチャックの構造とか
ら前記マスク基板を前記露光装置にセットした時のシミ
ュレーションによる前記主面の平坦度を示す第２の情報
とを取得する工程と、前記シミュレーションによって取
得された前記マスク基板の主面の平坦度が仕様に合うか
否かを判断し、仕様に合うと判断されたとき前記マスク
基板を処理して露光マスクを形成する工程とを有するこ
とを特徴とする。
【００１６】この発明の第７の視点におけるマスク基板
情報生成方法は、複数のマスク基板の各々について、主
面の表面形状を示す第１の情報と、露光装置のマスクス
テージにチャックする前後の前記主面の平坦度を示す第
２の情報とを取得する工程と、前記各マスク基板と前記
第１の情報と前記第２の情報とを対応付けて記憶する工
程とを有することを特徴とする。
【００１７】この発明の第８の視点におけるマスク基板
情報生成方法は、複数のマスク基板の各々について、主
面の表面形状を示す情報を取得する工程と、取得した情
報の中で主面の表面形状が凸状を示す情報とそれに対応
したマスク基板とを記憶する工程とを有することを特徴
とする。
【００１８】この発明の第９の視点におけるマスク基板
情報生成方法は、複数のマスク基板の各々について、主
面の表面形状を示す第１の情報と、測定装置により測定
した前記主面の平坦度と露光装置のマスクチャックの構
造とから各マスク基板を前記露光装置にセットした時の
シミュレーションによる前記主面の平坦度を示す第２の
情報とを取得する工程と、前記各マスク基板と前記第１
の情報と前記第２の情報とを対応付けて記憶する工程と
を有することを特徴とする。
【００１９】この発明の第１０の視点における半導体装
置の製造方法は、上記第１ないし第３の視点のいずれか
の露光マスクの製造方法により製造された露光マスクを
露光装置のマスクステージ上にチャックする工程と、照
明光学系によって前記露光マスク上に形成されたパター
ンを照明し、前記パターンの像を所望の基板上に結像を
形成する工程と、前記所望の基板上の前記結像の形成さ
れた層を前記結像に基づいてパターニングし半導体素子
の形成に用いる工程とを有することを特徴とする。
【００２０】この発明の第１１の視点における半導体装
置の製造方法は、主面を有する基板と、前記主面上に形
成された遮光体からなるパターンとを具備し、前記主面
の周辺領域の表面形状が、前記基板の周縁側に向かっ
て、前記主面の中央領域の表面よりも高さが低くなった
形状の露光マスクを露光装置のマスクステージ上にチャ
ックする工程と、前記露光マスク上に形成されたパター
ンを照明光学系によって照明し、前記パターンの像を投
影光学系によって所望の基板上に結像を形成する工程
と、前記所望の基板上の前記結像の形成された層を前記
結像に基づいてパターニングし半導体素子の形成に用い
る工程とを有することを特徴とする。
【００２１】この発明の第１２の視点におけるマスク基
板は、主面を有する基板と、前記主面を被覆する遮光体
とを具備し、前記主面の周辺領域の表面形状は、前記基
板の周縁部に向かって、前記主面の中央領域の表面より
も高さが低くなる形状のものであることを特徴とする。
【００２２】この発明の第１３の視点における露光マス
クは、主面を有する基板と、前記主面上に形成された遮
光体からなるパターンとを具備し、前記主面の周辺領域
の表面形状は、前記基板の周縁側に向かって、前記主面
の中央領域の表面よりも高さが低くなった形状のもので
あることを特徴とする。
【００２３】この発明の第１４の視点におけるサーバー
は、各マスク基板と各マスク基板の主面の表面形状を示
す第１の情報と各マスク基板の露光装置のマスクステー
ジにチャックする前後の前記主面の平坦度を示す第２の
情報との、複数のマスク基板ついての対応関係を示す情
報を含むページを記憶するための処理を行うための手段
と、クライアントから前記ページに対する要求メッセー
ジを受け付けるための処理を行うための手段と、前記ペ
ージをクライアント側で表示可能な形態で送信するため
の処理を行うための手段と、前記ページを送信した前記
クライアントから前記基板マスクの申し込みメッセージ
を受け付けるための処理を行うための手段とを具備して
成ることを特徴とする。
【００２４】本発明の上記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明ら
かになるであろう。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の実施の形態（以下、実施形態という）を説明する。
【００２６】（第１の実施形態）図１は、本発明の第１
の実施形態に係る露光マスクの製造方法の流れを示すフ
ローチャートである。
【００２７】まず、大きさ１５２ｍｍ角で厚さ約６ｍｍ
の石英基板上にそれを被覆する遮光体を成膜して成る１
１枚のマスク基板Ａ〜Ｋを用意し、これらのマスク基板
Ａ〜Ｋの各々について、主面を基板平坦度測定装置（ニ
デック社製）により測定して、露光装置のマスクステー
ジに真空チャックによりチャックする前の、１１枚のマ
スク基板Ａ〜Ｋの主面の表面形状および平坦度を取得す
る（ステップＳ１）。
【００２８】ここでは、図２（ａ）における、マスク基
板の周縁領域を除いた１４２ｍｍ角領域（第１の領域）
１の平坦度を測定する。第１の領域１は、実際にパター
ンを形成するパターン形成領域である。
【００２９】また、この実施形態において、第１の領域
１の表面形状が凸，凹とは、図２（ｂ），図２（ｃ）に
それぞれ示すように、第１の領域１の両端を結ぶ線Ｌ１
に対して上に凸、下に凹の形状のものを意味する。図３
（ａ），図３（ｂ）にそれぞれ、表面形状が上に凸、下
に凹のものの概観を示す。
【００３０】一方、第２の領域２の表面形状が凸または
凹とは、図２（ｄ）に示すように、マスク基板の周縁部
に向かって、第１の領域１の表面よりも高さが低くなる
形状のもの（凸）または高くなる形状もの（凹）を意味
する。なお、第２の領域２に関しては第２の実施形態で
詳細に述べる。
【００３１】次に、上記取得結果に基づいて、１１枚の
各マスク基板Ａ〜Ｋを主面の表面形状の種類毎に分類す
る（ステップＳ２）。その結果を表１に示す。表面形状
の種類（第１の情報）は、上記測定結果から、凸型、凹
型、鞍型、かまぼこ型の４つに分類できた。また、マス
クステージにチャックする前の第１の領域１の平坦度の
測定値（第２の情報）は、０．４μｍ〜０．５μｍの範
囲に収まっていた。図３（ｃ），図３（ｄ）にそれぞ
れ、表面形状が鞍型、かまぼこ型のものの概観を示す。
【００３２】
【表１】
【００３３】次に、ＡｒＦウェハ露光装置（ニコン社
製）のマスクステージに上記１１枚のマスク基板Ａ〜Ｋ
を真空チャックにより逐次チャックし、真空チャックに
よるチャック後の各マスク基板の主面の平坦度の測定を
行う（ステップＳ３）。 ここでは、マスク基板の周縁
領域を除いた１４２ｍｍ角の第１の領域１（図２
（ａ））の平坦度を測定した。その後表１に示すよう
に、１１枚のマスク基板Ａ〜Ｋに関し、表面形状の種類
と真空チャックによるチャック前後の平坦度の値との対
応関係を作成する（ステップＳ４）。
【００３４】表１から分かるように、表面形状が凸型の
マスク基板Ａ〜Ｃのチャック後の平坦度はチャック前と
同じかやや良くなっているが、表面形状が凹型および鞍
型のマスク基板Ｄ〜Ｇの平坦度はチャック後に大きく悪
化していた。
【００３５】また、表面形状がかまぼこ型のマスク基板
については、マスクステージ上におけるマスク基板の配
置方向をチャックに対し所定の方向に配置したもの（マ
スク基板Ｈ，Ｉ）と、この所定方向に直交する方向すな
わち９０度回転させた方向に配置してチャックされるマ
スク基板個所を変えたもの（マスク基板Ｊ， Ｋ）とに
ついて平坦度の測定を行った。
【００３６】その結果、表１に示すように、かまぼこ型
のマスク基板Ｈ〜Ｋの真空チャック後の平坦度は、チャ
ックに対するマスク基板の配置方向によって変わること
が明らかになった。
【００３７】すなわち、かまぼこ型のマスク基板Ｈ〜Ｋ
の真空チャック後の平坦度は、真空チャックされるマス
ク基板の個所によっても変わることが明らかになった。
【００３８】具体的には、マスク基板Ｈ、Ｉのように、
マスクステージ上におけるマスク基板の配置方向をチャ
ックに対して所定の方向に配置すると、かまぼこ形の弧
を描いている辺が露光装置のマスクステージのチャック
に当たり平坦度がほとんど改善されないが、一方、マス
ク基板Ｊ、Ｋのように、９０度回転させた方向に配置す
ると、かまぼこ形の弧を描いている辺が露光装置のマス
クステージのチャックに当たらず平坦度が０．３μｍ以
下となり、平坦度が改善されることが確かめられた（表
１）。なお、その他の表面形状のマスク基板Ａ〜Ｇで回
転したものが表１に示されていない理由は、回転しても
平坦度が改善されないことが分かったからである。
【００３９】次に、上記のようにして予め真空チャック
によるチャック前後の表面形状の種類および平坦度の値
が分かっている、１１枚のマスク基板Ａ〜Ｋからなるマ
スク基板群の中から、仕様に合う平坦度を有するマスク
基板と同じ種類の表面形状を有するマスク基板を、１１
枚のマスク基板Ａ〜Ｋとは別に用意する（ステップＳ
５）。ここでは、この別に用意するマスク基板として、
マスク基板Ｊと同じ形状のものを選んだ場合について説
明する。
【００４０】なお、マスク基板Ａ〜Ｋおよび上記別に用
意したマスク基板は、パターン形成領域の平坦度が所定
の仕様内に収まるように形成されたものであり、表面形
状の相違はばらつきによって生じたものである。
【００４１】次に、上記別に用意したマスク基板上にレ
ジストを塗布する。
【００４２】その後、周知の製造方法の露光マスクの製
造工程が続く。すなわち、電子ビーム描画装置により所
望のパターンをマスク基板上のレジストに描画する。つ
いでレジストを現像してレジストパターンを形成し、次
にこのレジストパターンをマスクにして反応性イオンエ
ッチング装置によりマスク基板の遮光体をエッチング加
工して遮光体パターンを形成する。その後、レジストパ
ターンを剥離し、ついでマスク基板表面の洗浄を行な
い、所望のマスクパターンが形成された露光マスクが完
成する（ステップＳ６）。 なお、上記所望のパターン
は、例えば回路パターンを含むもの、あるいは回路パタ
ーンおよび位置合わせ用パターンを含むものである。
【００４３】このようにして得られた露光マスクをＡｒ
Ｆウェハ露光装置にセットし、主面平坦度を測定したと
ころ、０．２μｍと良好な値であることが確認できた。
そして、このような平坦度の高い露光マスクを露光装置
のマスクステージ上にチャックし、上記露光マスク上に
形成されたパターンを照明光学系によって照明し、上記
パターンの像を投影光学系によって所望の基板（例えば
レジストが塗布された基板）上に結像するという露光方
法を採用すれば、ウェハ露光時の焦点裕度が格段に増
し、ＤＲＡＭ等の半導体製品の歩留まりが大きく向上す
る。
【００４４】かくして本実施形態によれば、ウェハ露光
装置のマスクステージにマスク基板をチャックすること
によりマスク基板の主面の平坦度が悪化することに起因
する、製品歩留まりの低下の問題を解決するのに有効な
露光マスクの製造方法を実現できる。
【００４５】マスク基板Ａ〜Ｋや上記別に用意するマス
ク基板は、位置合わせ用マークが予め形成されたもので
あっても良い。また、マスク基板をマスクステージにチ
ャックする手段は、真空チャックに限定されるものでは
ない。
【００４６】（第２の実施形態）第１の実施形態では、
図２（ａ）に示したマスク基板１の主面の第１の領域１
についてのみ表面形状および平坦度を取得したが（ステ
ップＳ１）、本実施形態では、第１の領域１とこの第１
の領域１を囲む第２の領域２との二つの領域のそれぞれ
について表面形状および平坦度を取得する。
【００４７】ここでは、第１の領域１はマスク基板中心
を領域の中心とした、一辺の長さが１４２ｍｍの矩形状
の領域であり、第２の領域２は第１の領域１を囲む、一
辺の長さが１５０ｍｍの口（くち）状領域（矩形状の領
域からこの矩形状の領域の中心を領域の中心としたそれ
よりも小さい矩形状の領域を除いた領域）である。マス
ク基板１を露光装置のマスクステージにセットする際の
真空チャックによりチャックされる領域（マスクチャッ
ク領域）は第２の領域２にほぼ含まれる。すなわち、第
２の領域２に、マスクステージにマスク基板をチャック
するための力のほとんどが作用する。
【００４８】従来技術の延長線上で、パターン形成領域
のみならずマスクチャック領域の平坦度も管理すること
を考えると、第１の領域１を広げ、それによりマスクチ
ャック領域を含むこととなる領域の平坦度を管理するこ
とになるしかしながら、現在のマスク製造技術では、マ
スク基板１の主面全体を平坦にすることは非常に困難で
あり、マスク基板１の主面の平坦度は端部で急激に悪化
しているのが現状であり、そのため第１の領域１を広げ
てしまうと、マスク基板１の中心部の平坦度はいいのだ
が、マスク基板１の端部の平坦度が悪いために、マスク
基板１の主面全体についての平坦度の測定結果が低下す
ることになる そこで、本実施形態では、上述の如く、
マスク中心を含む第１の領域１と、それを囲む第２の領
域２とのそれぞれについて平坦度および表面形状を取得
する。
【００４９】大きさ１５２ｍｍ角で厚さ約６ｍｍの石英
基板上に遮光体を形成して成るマスク基板の主面の平坦
度および表面形状を基板平坦度測定装置（ニデック社
製）により測定し、第１の領域１の平坦度と表面形状、
第２の領域２の平坦度と表面形状がそれぞれ異なる１３
枚のマスク基板Ａ〜Ｍを用意した。
【００５０】次に、ＡｒＦウェハ露光装置（ニコン社
製）にこの１３枚のマスク基板Ａ〜Ｍを逐次セットし、
真空チャックによるチャック後の各マスク基板の主面の
平坦度の測定を行った。
【００５１】次に、１３枚のマスク基板Ａ〜Ｍに関し、
表面形状の種類と真空チャックによるチャック前後の第
１および第２の領域の平坦度の値との対応関係を作成し
た。その結果を表２に示す。
【００５２】
【表２】
【００５３】１３枚のマスク基板Ａ〜Ｍの第１および第
２の領域の表面形状は凸型、凹型、鞍型、かまぼこ型の
４つに分類された。表面形状が単純な凸型形状のマスク
基板Ａの第１および第２の領域の表面形状はともに凸で
あった。一方、つば付の帽子のような形状のマスク基板
Ｂの表面形状は、第１の領域では凸、第２の領域では凹
であった。
【００５４】表２から、真空チャックでチャックするこ
とにより第１の領域の平面形状が悪化するマスク基板
は、第２の領域の表面形状が凹のものと、鞍型のもので
あることが分かる。また、表面形状がかまぼこ型のマス
ク基板Ｃ，Ｄ，Ｈ，Ｉ，Ｌ，Ｍはマスクステージ上にお
けるマスク基板の配置方向により異なる結果を示した。
【００５５】具体的には、マスクステージ上におけるマ
スク基板の配置方向をチャックに対して所定の方向に配
置すると、かまぼこ形の弧を描いている辺が露光装置の
マスクステージのチャックに当たり平坦度が低下した
が、一方、９０度回転させた方向に配置するとかまぼこ
形の弧を描いている辺が露光装置のマスクステージのチ
ャックに当たらず平坦度が０．４μｍ以下となり、この
方向（９０度回転させた方向）に配置したほとんどのマ
スク基板の平坦度が改善されることが確かめられた。
【００５６】また、真空チャックによるチャック後の第
１の領域の平坦度は、チャック前の第１の領域の表面形
状にはほぼ無関係であることも確認できた。すなわち、
真空チャックによるチャック前後でのマスク基板の主面
の形状変化は第２の領域の表面形状によりほぼ決まる。
【００５７】さらに、第２の領域の平坦度は第１の領域
の平坦度と比較して格段に悪い数値であるにもかかわら
ず、第２の領域の表面形状が凸の場合、真空チャックに
よるチャック後のマスク基板の第１の領域の表面形状は
ほとんど変化しないことが確認できた。
【００５８】以上のことから、複数のマスク基板につい
てその第１の領域１および第２の領域２の表面形状の種
類と真空チャックによるチャック前後のマスク基板主面
の平坦度の値との対応関係を作成することにより、マス
クチャック領域の平坦度を管理するためにマスク基板の
第１の領域１を必要以上に広くすることが不要になり、
第１の領域１の平坦度を必要以上に厳しい値にすること
なく現実的な値にすることが可能になり、しかも、第２
の領域２の表面形状を考慮することにより、真空チャッ
クによるチャック前後のマスク基板主面の平坦度の変化
が少ないマスク基板をより確実に選択することが可能に
なる。
【００５９】次に、上記のようにして予め真空チャック
によるチャック前の第１の領域１および第２の領域２の
表面形状の種類およびマスク基板主面のチャック後の平
坦度の値が分かっている、１３枚のマスク基板Ａ〜Ｍか
らなるマスク基板群の中から、仕様に合う平坦度を有す
るマスク基板と同じ種類の表面形状を有するマスク基板
を、１３枚のマスク基板Ａ〜Ｍとは別に用意する。
【００６０】ここでは、この別に用意するマスク基板と
して、マスク基板Ｆと同じ表面形状（第１の領域が凹、
第２の領域が凸）のものを用意した。このマスク基板を
測定したところ、第１の領域の平坦度が０．３μｍ以
下、第２の領域の平坦度が４μｍ以下であった。
【００６１】次に、マスク基板上にレジストを塗布し
た。
【００６２】その後、周知の製造方法の露光マスクの製
造工程が続く。すなわち、電子ビーム描画装置により所
望のパターンをマスク基板上のレジストに描画する。つ
いでレジストを現像してレジストパターンを形成し、次
にこのレジストパターンをマスクにして反応性イオンエ
ッチング装置によりマスク基板の遮光体をエッチング加
工して遮光体パターンを形成する。その後、レジストパ
ターンを剥離し、ついでマスク基板表面の洗浄を行な
い、所望のマスクパターンが形成された露光マスクが完
成する。 なお、上記所望のパターンは、例えば回路パ
ターンを含むもの、あるいは回路パターンおよび位置合
わせ用パターンを含むものである。
【００６３】このようにして得られた露光マスクをＡｒ
Ｆウェハ露光装置にセットし、第１の領域の平坦度を測
定したところ、０．２μｍと良好な平坦度であることが
確認できた。そして、このような平坦度の高い露光マス
クを露光装置のマスクステージ上にチャックし、上記露
光マスク上に形成されたパターンを照明光学系によって
照明し、上記パターンの像を投影光学系によって所望の
基板（例えばレジストが塗布された基板）上に結像する
という露光方法を採用すれば、ウェハ露光時の焦点裕度
が格段に増し、ＤＲＡＭ等の半導体製品の歩留まりが大
きく向上する。
【００６４】かくして本実施形態でも第１の実施形態と
同様に、ウェハ露光装置のマスクステージにマスク基板
をチャックした後でマスク基板の主面の平坦度が悪化す
ることに起因する、製品歩留まりの低下の問題を解決す
るのに有効な露光マスクの製造方法を実現できるように
なる。
【００６５】マスク基板Ａ〜Ｍや上記別に用意するマス
ク基板は、位置合わせ用マークが予め形成されたもので
あっても良い。また、マスク基板をマスクステージにチ
ャックする手段は、真空チャックに限定されるものでは
ない。
【００６６】なお、表２から、第２の領域の表面形状が
凸状であるものが真空チャックによるチャック後の第１
の領域の平坦度が良いことから、第２の領域の表面形状
が凸状であるマスク基板または露光マスクを作成し、そ
れを用いるようにしても良い。
【００６７】第２の領域において上記の如き表面形状す
なわち凸状を有するマスク基板または露光マスクは、例
えば石英基板の周縁領域およびそれより内側の領域（中
央領域）とでは、中央領域のほうが研磨レートが速いこ
とを利用することにより得られる。具体的には、研磨装
置を用いて石英基板の主面を従来よりも長い時間研磨す
ることにより得られる。その後、周知の方法に従って、
遮光体を成膜してマスク基板が得られ、さらに遮光体の
パターニングを行うことで露光マスクが得られる。
【００６８】そして、このような所定の表面形状（ここ
では凸）を有する第２の領域を形成した露光マスクを露
光装置のマスクステージ上にチャックし、照明光学系に
よって上記露光マスク上に形成されたパターンを照明
し、投影光学系によって上記パターンの像を所望の基板
（例えばレジストが塗布された基板）上に結像するとい
う露光方法を採用すれば、第１の実施形態と同様に、ウ
ェハ露光時の焦点裕度が格段に増し、ＤＲＡＭ等の半導
体製品の歩留まりが大きく向上する。
【００６９】なお、従来は、主面の全体がなるべく平坦
になるように、石英基板の研磨を行っていた。そのた
め、研磨レートの違いが顕著にならないように、研磨時
間を長くするような制御は意図的には行っていなかっ
た。したがって、研磨のばらつきによって、第２の領域
の表面形状が凸または凹になっても、その度合いは本実
施形態のマスク基板および露光マスクのそれよりも明ら
かに小さいものとなる。
【００７０】（第３の実施形態）本実施形態では、真空
チャックによるチャック後のマスク基板の主面の表面形
状に相当するマスク基板の主面の表面形状を、シミュレ
ーションにより取得する。
【００７１】まず、大きさ１５２ｍｍ角で厚さ約６ｍｍ
の石英基板上に遮光体を形成して成るマスク基板の主面
の表面形状および平坦度を、パターン形成領域（図２
（ａ）の第1の領域１）の平坦度を基板平坦度測定装置
（ニデック社製）により測定することにより求め、表面
形状と平坦度がそれぞれ異なる１３枚のマスク基板Ａ〜
Ｍを用意した。
【００７２】次に、ＡｒＦウェハ露光装置（ニコン社
製）のマスクチャック構造と上記１３枚のマスク基板Ａ
〜Ｍの主面の上記測定した平坦度とから、有限要素法を
用いて、ＡｒＦウェハ露光装置のマスクステージに上記
１３枚のマスク基板Ａ〜Ｍを真空チャックにより逐次チ
ャックしたときのマスク基板Ａ〜Ｍの主面の平坦度をシ
ミュレーションにより取得した。なお、有限要素法に代
えて解析的な方法を用いてもよい。ついで、このシミュ
レーションが正しいか否かを確認するために、上記Ａｒ
Ｆウェハ露光装置に上記１３枚のマスク基板Ａ〜Ｍを真
空チャックにより逐次実際にチャックし、真空チャック
によるチャック後の各マスク基板の主面の平坦度の測定
を行った。 その結果、シミュレーションにより得られ
たマスク基板Ａ〜Ｍの主面の平坦度と実際にＡｒＦウェ
ハ露光装置にセットし基板平坦度測定装置を用いての測
定により得られたマスク基板Ａ〜Ｍの主面の平坦度と
は、表３に示されるように、マスク基板Ａ〜Ｍのほとん
どのマスク基板において０．１μｍ以下の差しかないこ
とが確認できた。
【００７３】
【表３】
【００７４】すなわち、マスク基板に関し、前記実施形
態における、表面形状の種類と真空チャックによるチャ
ック前後の平坦度の値との対応関係の作成において、真
空チャックによるチャック前後の平坦度の値をシミュレ
ーションにより取得した値に置き換えることができる。
【００７５】この結果から、マスク基板の主面の表面形
状を、パターン形成領域（図２（ａ）の第1の領域１）
の平坦度を基板平坦度測定装置（ニデック社製）により
測定して求め、次に、露光装置のマスクチャック構造と
既に取得したマスク基板の主面の上記平坦度とから、露
光装置のマスクステージにマスク基板を真空チャックに
より逐次チャックしたときのマスク基板の主面の表面形
状をシミュレーションすることで、実際にマスク基板を
ウェハ露光装置にセットした時のマスク基板の主面の表
面形状を予測することが可能であることがわかった。し
たがって、従来より格段に高精度なマスク基板の主面の
表面形状および平坦度の管理をすることができるように
なった。
【００７６】図４は、本発明の第３の実施形態に係る露
光マスクの製造方法の流れを示すフローチャートであ
る。図４のフローチャートにおいて、ステップＳ３で、
マスク基板を真空チャックによりチャックしたときのマ
スク基板の主面の表面形状をシミュレーションにより取
得している。そして、ステップＳ４で、表面形状と基板
平坦度測定装置を用いて取得した平坦度とシミュレーシ
ョンにより取得した平坦度との対応関係を作成する。ス
テップＳ１、Ｓ２、Ｓ５、Ｓ６については、図１のフロ
ーチャートと同様である。
【００７７】次に、マスク基板の主面の表面形状が基板
平坦度測定装置により測定され、かつ、露光装置のマス
クステージにマスク基板を真空チャックにより逐次チャ
ックしたときのマスク基板の主面の表面形状がシミュレ
ーションにより０．２μｍの平坦度になることが判って
いるマスク基板を、ステップＳ５で、上記１３枚のマス
ク基板Ａ〜Ｍとは別に用意した。
【００７８】その後、ステップＳ６で、周知の製造方法
の露光マスクの製造工程が続く。すなわち、電子ビーム
描画装置により所望のパターンをマスク基板上のレジス
トに描画する。ついでレジストを現像してレジストパタ
ーンを形成し、次にこのレジストパターンをマスクにし
て反応性イオンエッチング装置によりマスク基板の遮光
体をエッチング加工して遮光体パターン（マスクパター
ン）を形成する。その後、レジストパターンを剥離し、
ついでマスク基板表面の洗浄を行ない、所望のマスクパ
ターンが形成された露光マスクが完成する。この露光マ
スクを実際にＡｒＦウェハ露光装置にセットし基板平坦
度測定装置を用いてその主面の表面形状および平坦度を
測定したところ、シミュレーションしたとうり０．２μ
ｍの平坦度であり、良好な平坦度であることが確認でき
た。そして、このような平坦度の高い露光マスクを露光
装置のマスクステージ上にチャックし、上記露光マスク
上に形成されたパターンを照明光学系によって照明し、
上記パターンの像を投影光学系によって所望の基板（例
えばレジストが塗布された基板）上に結像するという露
光方法を採用すれば、ウェハ露光時の焦点裕度が格段に
増し、ＤＲＡＭ等の半導体製品の歩留まりが大きく向上
する。
【００７９】かくして本実施形態でも第１の実施形態、
第２の実施形態と同様に、ウェハ露光装置のマスクステ
ージにマスク基板をチャックした後でマスク基板の主面
の平坦度が悪化することに起因する、製品歩留まりの低
下の問題を解決するのに有効な露光マスクの製造方法を
実現できるようになる。
【００８０】マスク基板Ａ〜Ｍや上記別に用意するマス
ク基板は、位置合わせ用マークが予め形成されたもので
あっても良い。また、マスク基板をマスクステージにチ
ャックする手段は、真空チャックに限定されるものでは
ない。
【００８１】上述の各実施形態において、たとえば、ウ
ェハ露光装置はＡｒＦウェハ露光装置でなくてもよい。
また、マスクパターン形成後、さらに、マスク基板の主
面の平坦度を測定し、その測定データから露光装置にマ
スク基板をセットした時のマスク基板の主面の表面形状
をシミュレーションにより取得してもよい。それによ
り、マスクパターン形成時に生じたマスク基板の主面の
変形もシミュレーションによる取得結果にとり入れられ
ることになり、より高精度なマスク基板の主面の表面形
状および平坦度の管理をすることができるようになる。
さらに、マスクもＡｒＦ用やＫＲＦ用に限定されるもの
ではなく、たとえば、真空紫外線露光用の反射型マスク
や、Ｘ線露光用マスク、電子ビーム露光用マスクなどに
も適用できる。
【００８２】（第４の実施形態）本実施形態では、真空
チャックによるチャック後のマスク基板の主面の表面形
状に相当するマスク基板の主面の表面形状を、シミュレ
ーションにより取得する。
【００８３】図５は、本実施形態に係る露光マスクの製
造方法の流れを示すフローチャートである。
【００８４】ステップＳ１で、大きさ１５２ｍｍ角で厚
さ約６ｍｍの石英基板上に遮光体を形成して成る1枚の
マスク基板の主面の表面形状および平坦度を、パターン
形成領域（図２（ａ）の第1の領域１）の平坦度を基板
平坦度測定装置（ニデック社製）により測定することに
より求めた。
【００８５】次に、ステップＳ２で、ＡｒＦウェハ露光
装置（ニコン社製）のマスクチャック構造と上記１枚の
マスク基板の主面の上記測定した平坦度とから、有限要
素法を用いて、ＡｒＦウェハ露光装置のマスクステージ
に上記１枚のマスク基板を真空チャックにより逐次チャ
ックしたときのマスク基板の主面の平坦度をシミュレー
ションにより取得した。なお、有限要素法に代えて解析
的な方法を用いてもよい。
【００８６】ついで、ステップＳ３で、シミュレーショ
ンによって取得された前記マスク基板の主面の平坦度が
仕様に合っている否か判断し、仕様に合っていると判断
された場合には、ステップＳ４で、露光マスクの製造工
程に入る。
【００８７】一方、ステップＳ３で、上記マスク基板の
平坦度が仕様に合っていないと判断された場合には、ス
テップＳ５で、上記マスク基板の石英基板上の遮光体膜
を剥離する。ついで、ステップＳ６で、石英基板の表面
を研磨する。ついで、ステップＳ７で、石英基板の研磨
された表面上に新たに遮光体膜を形成し、ステップＳ１
の平坦度の測定に戻る。
【００８８】本実施形態でも第１の実施形態、第２の実
施形態、第３の実施形態と同様に、ウェハ露光装置のマ
スクステージにマスク基板をチャックした後でマスク基
板の主面の平坦度が悪化することに起因する、製品歩留
まりの低下の問題を解決するのに有効な露光マスクの製
造方法を実現できるようになる。
【００８９】また、上記マスク基板は、位置合わせ用マ
ークが予め形成されたものであっても良い。また、マス
ク基板をマスクステージにチャックする手段は、真空チ
ャックに限定されるものではない。
【００９０】さらに、たとえば、ウェハ露光装置はＡｒ
Ｆウェハ露光装置でなくてもよい。また、マスクパター
ン形成後、さらに、マスク基板の主面の平坦度を測定
し、その測定データから露光装置にマスク基板をセット
した時のマスク基板の主面の表面形状をシミュレーショ
ンにより取得してもよい。それにより、マスクパターン
形成時に生じたマスク基板の主面の変形もシミュレーシ
ョンによる取得結果にとり入れられることになり、より
高精度なマスク基板の主面の表面形状および平坦度の管
理をすることができるようになる。さらに、マスクもＡ
ｒＦ用やＫＲＦ用に限定されるものではなく、たとえ
ば、真空紫外線露光用の反射型マスクや、Ｘ線露光用マ
スク、電子ビーム露光用マスクなどにも適用できる。
【００９１】（第５の実施形態）次に、本発明の第５の
実施形態に係るマスク基板情報生成方法について説明す
る。
【００９２】本実施形態のマスク基板情報生成方法は、
表1の１１枚のマスク基板Ａ〜Ｋの各々について、図1の
フローチャートの例えばステップＳ１〜Ｓ３に従って主
面の表面形状とチャック前後の主面の平坦度を取得する
工程と、１１枚のマスク基板Ａ〜Ｋに関し、表１に示し
たようにマスク基板と表面形状の種類と平坦度の値とを
対応付ける工程と、その対応付けをパソコン（ＰＣ）等
に記憶させる工程とを備えている。
【００９３】さらに、パソコン（ＰＣ）等に記憶させた
上記対応付けを呈示するようにしても良い。具体的に
は、例えば１１枚のマスク基板Ａ〜Ｋを収容した容器に
呈示内容を印刷したシールを貼るようにしても良い。
【００９４】上記対応付けについてこのような呈示の仕
方を採用することにより、ウェハ露光装置のマスクステ
ージにマスク基板をチャックした後でマスク基板の主面
の平坦度が悪化することに起因する、製品歩留まりの低
下の問題を解決するのに有効なマスク基板の管理を容易
に行えるようになる。
【００９５】さらに、図1のフローチャートのステップ
Ｓ２の後に、図1のフローチャートのステップＳ２にて
取得した情報の中で主面の表面形状が凸状を示す情報と
それに対応したマスク基板とを対応付け、その対応付け
をパソコン（ＰＣ）等に記憶させることによって、本実
施形態のマスク基板情報生成方法とは別のマスク基板情
報生成方法を実施することができるようになる。この場
合も本実施形態のマスク基板情報生成方法と同様にその
対応付けについてシール等による呈示を行うことで、同
様にマスク基板の管理を容易に行えるようになる。
【００９６】ここでは、表１の１１枚のマスク基板Ａ〜
Ｋを例にあげて、マスク基板情報生成方法について説明
したが、表２の１３枚のマスク基板Ａ〜Ｍについても同
様にマスク基板情報生成を実施することができる。
【００９７】（第６の実施形態）図６は、本発明の第６
の実施形態に係るサーバー・システムを模式的に示す図
である。第５の実施形態では、呈示の例示としてシール
をあげたが、本実施形態ではサーバー（サーバー装置）
上で呈示し、これによりこの実施形態のマスク基板情報
生成方法をｅ−ビジネス（電子メールビジネス）に利用
できるようになる。
【００９８】まず、例えばファブ１１にて、対応付けを
表した表１または表２または表３２のようなテーブルを
作成し、これを情報として含むページをサーバー１２に
アップロードをする。サーバー１２は上記ページをハー
ドディスク等の記憶手段に記憶する。
【００９９】サーバー１２は、インターネットを介して
複数のクライアント（クライアント装置）１３と接続さ
れている。インターネットの代わりに専用回線であって
も良い。あるいはインターネットと専用回線の組合せで
あっても良い。
【０１００】サーバー１２は、クライアント１３から、
上記ページに対する要求メッセージを受け付けるための
処理を行うための周知の手段と、上記ページをクライア
ント側で表示可能な形態で送信するための処理を行うた
めの周知の手段と、上記ページを送信したクライアント
１３から基板マスクの申し込みメッセージを受け付ける
めの処理を行うための周知の手段とを備えている。これ
らの周知の手段は、例えばＬＡＮカード、記憶装置、サ
ーバーソフト、ＣＰＵなどで構成され、これらが協調し
て所望の処理が行われる。
【０１０１】サーバー１２は、クライアント１３から、
上記ページに対する要求メッセージを受け付けたら、ク
ライアント１３のディスプレイに図３に示すような画面
１４を表示させるために必要な情報をクライアント１３
に送る。画面１４には、表１に示した内容を有するテー
ブル１５と、所望のマスク基板を選択し、チェックする
ためのチェックボックス１６と、チェックボックスにチ
ェックしたマスク基板を購入する旨の決定をサーバー１
２に伝えるための決定アイコン１７が表示される。図６
には、簡単のため表１に示した内容を有するテーブル１
５を示したが、表２に示した内容あるいは表３に示した
内容を有するテーブルを用いても良い。
【０１０２】本実施形態によれば、ウェハ露光装置のマ
スクステージにマスク基板をチャックした後で平坦度の
高いマスク基板を購入できるようになるので、マスクス
テージにマスク基板をチャックした後でマスク基板の主
面の平坦度が悪化することに起因する、製品歩留まりの
低下の問題を解決するのに有効なサーバーを実現できる
ようになる。
【０１０３】以上、本発明の実施形態について説明した
が、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではな
い。例えば、上記実施形態では、凸型形状のマスク基板
が良好な結果が得られたが、マスク基板をセットする露
光装置によっては凹型形状のマスク基板のほうが良好な
結果が得られる場合がある。すなわち、真空チャック後
のマスク基板の平坦度は、マスクチャックステージとマ
スクチャック面の形状との相性の影響を大きく受けるの
で、用いるマスクチャックステージにより選択すべきマ
スク主面の形状は変わるのである。
【０１０４】さらに、上記各実施形態では、ＡｒＦウェ
ハ露光装置用のマスク基板の場合について説明したが、
他のマスク基板としては例えばＫｒＦウェハ露光装置用
のマスク基板、真空紫外線露光用の反射型マスク基板
や、Ｘ線露光用マスク基板、電子ビーム露光用マスク基
板などにも利用できる。
【０１０５】さらにまた、上記各実施形態には種々の段
階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件に
おける適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出され得
る。例えば、実施形態に示される全構成要件から幾つか
の構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課
題の欄で述べた課題を解決できる場合には、この構成要
件が削除された構成が発明として抽出され得る。その
他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実
施できる。
【０１０６】
【発明の効果】以上詳説したように本発明によれば、ウ
ェハ露光装置のマスクステージにマスク基板をチャック
した後でマスク基板の主面の平坦度が悪化することに起
因する、製品歩留まりの低下の問題を解決するのに有効
な露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半
導体装置の製造方法、マスク基板、露光マスクおよびサ
ーバーを実現できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る露光マスクの製
造方法の流れを示すフローチャート。
【図２】図２（ａ）は、マスク基板１の主面の平面図で
あって、第１および第２の領域を説明するための図、図
２（ｂ）は、マスク基板の第１の領域１を説明するため
の図であって、第１の領域１の断面図、図２（ｃ）は、
マスク基板の第１の領域１を説明するための図であっ
て、第１の領域１の他の断面図、図２（ｄ）は、マスク
基板の第２の領域２を説明するための図であって、第２
の領域２の断面図。
【図３】図３（ａ）は、マスク基板の第１の領域１を説
明するための図であって、第１の領域１の概観斜視図、
図３（ｂ）は、マスク基板の第１の領域１を説明するた
めの図であって、第１の領域１の他の概観斜視図、図３
（ｃ）は、マスク基板の第１の領域１を説明するための
図であって、第１の領域１の他の概観斜視図、図３
（ｄ）は、マスク基板の第１の領域１を説明するための
図であって、第１の領域１の他の概観斜視図。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る露光マスクの製
造方法の流れを示すフローチャート。
【図５】本発明の第４の実施形態に係る露光マスクの製
造方法の流れを示すフローチャート。
【図６】本発明の第６の実施形態に係るサーバーを模式
的に示す図。
【符号の説明】
１…第１の領域 ２…第２の領域（パターン形成領域） １１…ファブ １２…サーバー １３…クライアント １４…画面 １５…テーブル １６…チェックボックス １７…決定アイコン

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】複数のマスク基板の各々について、主面の
    表面形状を示す第１の情報と、露光装置のマスクステー
    ジにチャックする前後の前記主面の平坦度を示す第２の
    情報とを取得する工程と、 前記各マスク基板とその前記第１の情報と前記第２の情
    報との対応関係を作成する工程と、 作成した対応関係の中から、所望の平坦度を示す第２の
    情報を選択し、この選択した第２の情報と前記対応関係
    にある第１の情報が示す表面形状と同じ表面形状を有す
    るマスク基板を、前記複数のマスク基板とは別に用意す
    る工程と、 この用意したマスク基板上に所望のパターンを形成する
    工程と、 を有することを特徴とする露光マスクの製造方法。
  2. 【請求項２】各マスク基板と各マスク基板の主面の表面
    形状を示す第１の情報と各マスク基板の露光装置のマス
    クステージにチャックする前後の前記主面の平坦度を示
    す第２の情報との、複数のマスク基板ついての、対応関
    係の中から、所望の平坦度を示す第２の情報を選択し、
    この選択した第２の情報と対応関係にある第１の情報が
    示す表面形状と同じ表面形状を有するマスク基板を、前
    記複数のマスク基板とは別に用意する工程と、 この用意したマスク基板上に所望のパターンを形成する
    工程と、 を有することを特徴とする露光マスクの製造方法。
  3. 【請求項３】前記所望のパターンは、回路パターンを含
    むものであることを特徴とする請求項１または２に記載
    の露光マスクの製造方法。
  4. 【請求項４】前記所望のパターンは、位置合わせ用パタ
    ーンをさらに含むものであることを特徴とする請求項３
    に記載の露光マスクの製造方法。
  5. 【請求項５】前記複数のマスク基板および前記別に用意
    したマスク基板は、位置合わせ用マークが予め形成され
    たものであることを特徴とする請求項１または２に記載
    の露光マスクの製造方法。
  6. 【請求項６】前記複数のマスク基板および前記別に用意
    したマスク基板を真空チャックによって前記露光装置の
    マスクステージにチャックすることを特徴とする請求項
    １または２に記載の露光マスクの製造方法。
  7. 【請求項７】前記複数のマスク基板の少なくとも一部に
    ついて前記露光装置のマスクステージ上におけるそれら
    前記マスク基板の向きを変え、その変えた向きにおける
    それら前記マスク基板の前記マスクステージにチャック
    する前後の前記主面の平坦度を取得することを特徴とす
    る請求項１または２に記載の露光マスクの製造方法。
  8. 【請求項８】前記主面をその中心を含む第１の領域と該
    第１の領域を囲む第２の領域とのそれぞれについて前記
    第１および第２の情報を取得することを特徴とする請求
    項１または２に記載の露光マスクの製造方法。
  9. 【請求項９】前記第２の領域の一部に、前記マスクステ
    ージに前記マスク基板をチャックするための力を作用さ
    せることを特徴とする請求項８に記載の露光マスクの製
    造方法。
  10. 【請求項１０】前記第２の領域の表面形状は、前記マス
    ク基板の周縁部に向かって、前記第１の領域の表面より
    も高さが低くなった形状のものであることを特徴とする
    請求項９に記載の露光マスクの製造方法。
  11. 【請求項１１】複数のマスク基板の各々について、主面
    の表面形状を示す情報を取得する工程と、 前記各マスク基板とその前記情報との対応関係を作成す
    る工程と、 作成した対応関係の中から、凸状の表面形状を示す情報
    を選択し、この選択した情報と前記対応関係にあるマス
    ク基板を前記複数のマスク基板の中から選択する工程
    と、 選択したマスク基板上に所望のパターンを形成する工程
    と、 を有することを特徴とする露光マスクの製造方法。
  12. 【請求項１２】複数のマスク基板の各々について、主面
    の表面形状を示す第１の情報と、測定装置により測定し
    た前記主面の平坦度と露光装置のマスクチャックの構造
    とから各マスク基板を前記露光装置にセットした時のシ
    ミュレーションによる前記主面の平坦度を示す第２の情
    報とを取得する工程と、 前記各マスク基板とその前記第１の情報と前記第２の情
    報との対応関係を作成する工程と、 作成した対応関係の中から、所望の平坦度を示す第２の
    情報を選択し、この選択した第２の情報と前記対応関係
    にある第１の情報が示す表面形状と同じ表面形状を有す
    るマスク基板を、前記複数のマスク基板とは別に用意す
    る工程と、 この用意したマスク基板上に所望のパターンを形成する
    工程と、を有することを特徴とする露光マスクの製造方
    法。
  13. 【請求項１３】各マスク基板と各マスク基板の主面の表
    面形状を示す第１の情報と、測定装置により測定した前
    記主面の平坦度と露光装置のマスクチャックの構造とか
    ら各マスク基板を前記露光装置にセットした時のシミュ
    レーションによる前記主面の平坦度を示す第２の情報と
    の、複数のマスク基板ついての、対応関係の中から、所
    望の平坦度を示す第２の情報を選択し、この選択した第
    ２の情報と対応関係にある第１の情報が示す表面形状と
    同じ表面形状を有するマスク基板を、前記複数のマスク
    基板とは別に用意する工程と、 この用意したマスク基板上に所望のパターンを形成する
    工程と、 を有することを特徴とする露光マスクの製造方法。
  14. 【請求項１４】マスク基板とマスク基板の主面の表面形
    状を示す第１の情報を取得する工程と、 前記マスク基板の主面の平坦度と露光装置のマスクチャ
    ックの構造とから前記マスク基板を前記露光装置にセッ
    トした時のシミュレーションによる前記主面の平坦度を
    示す第２の情報とを取得する工程と、 前記シミュレーションによって取得された前記マスク基
    板の主面の平坦度が仕様に合うか否かを判断し、仕様に
    合うと判断されたとき前記マスク基板を処理して露光マ
    スクを形成する工程と、 を有することを特徴とする露光マスクの製造方法。
  15. 【請求項１５】複数のマスク基板の各々について、主面
    の表面形状を示す第１の情報と、露光装置のマスクステ
    ージにチャックする前後の前記主面の平坦度を示す第２
    の情報とを取得する工程と、 前記各マスク基板と前記第１の情報と前記第２の情報と
    を対応付けて記憶する工程と、 を有することを特徴とするマスク基板情報生成方法。
  16. 【請求項１６】前記対応付けて記憶した各マスク基板と
    前記第１の情報と前記第２の情報とを呈示することを特
    徴とする請求項１５に記載のマスク基板情報生成方法。
  17. 【請求項１７】前記主面をその中心を含む第１の領域と
    該第１の領域を囲む第２の領域とにについてそれぞれ前
    記第１および第２の情報を取得することを特徴とする請
    求項１５または１６に記載のマスク基板情報生成方法。
  18. 【請求項１８】複数のマスク基板の各々について、主面
    の表面形状を示す情報を取得する工程と、 取得した情報の中で主面の表面形状が凸状を示す情報と
    それに対応したマスク基板とを記憶する工程と、 を有することを特徴とするマスク基板情報生成方法。
  19. 【請求項１９】前記記憶したマスク基板と前記情報とを
    呈示することを特徴とする請求項１８に記載のマスク基
    板情報生成方法。
  20. 【請求項２０】複数のマスク基板の各々について、主面
    の表面形状を示す第１の情報と、測定装置により測定し
    た前記主面の平坦度と露光装置のマスクチャックの構造
    とから各マスク基板を前記露光装置にセットした時のシ
    ミュレーションによる前記主面の平坦度を示す第２の情
    報とを取得する工程と、 前記各マスク基板と前記第１の情報と前記第２の情報と
    を対応付けて記憶する工程と、 を有することを特徴とするマスク基板情報生成方法。
  21. 【請求項２１】請求項１、２ないし１１のいずれか１項
    に記載の露光マスクの製造方法により製造された露光マ
    スクを露光装置のマスクステージ上にチャックする工程
    と、 照明光学系によって前記露光マスク上に形成されたパタ
    ーンを照明し、前記パターンの像を所望の基板上に結像
    を形成する工程と、 前記所望の基板上の前記結像の形成された層を前記結像
    に基づいてパターニングし半導体素子の形成に用いる工
    程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  22. 【請求項２２】主面を有する基板と、前記主面上に形成
    された遮光体からなるパターンとを具備し、前記主面の
    周辺領域の表面形状が、前記基板の周縁側に向かって、
    前記主面の中央領域の表面よりも高さが低くなった形状
    の露光マスクを露光装置のマスクステージ上にチャック
    する工程と、 前記露光マスク上に形成されたパターンを照明光学系に
    よって照明し、前記パターンの像を投影光学系によって
    所望の基板上に結像を形成する工程と、 前記所望の基板上の前記結像の形成された層を前記結像
    に基づいてパターニングし半導体素子の形成に用いる工
    程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  23. 【請求項２３】前記所望の基板は、レジストが塗布され
    た基板であることを特徴とする請求項２１または２２に
    記載の半導体装置の製造方法。
  24. 【請求項２４】主面を有する基板と、 前記主面を被覆する遮光体とを具備し、 前記主面の周辺領域の表面形状は、前記基板の周縁部に
    向かって、前記主面の中央領域の表面よりも高さが低く
    なる形状のものであることを特徴とするマスク基板。
  25. 【請求項２５】前記主面の前記周辺領域よりも内側の領
    域は、パターンが形成される領域であることを特徴とす
    る請求項２４に記載のマスク基板。
  26. 【請求項２６】前記周辺領域の一部は、露光装置のマス
    クステージに前記基板をチャックするための力を作用さ
    せるための領域であることを特徴とする請求項２４また
    は２５に記載のマスク基板。
  27. 【請求項２７】主面を有する基板と、 前記主面上に形成された遮光体からなるパターンとを具
    備し、 前記主面の周辺領域の表面形状は、前記基板の周縁側に
    向かって、前記主面の中央領域の表面よりも高さが低く
    なった形状のものであることを特徴とする露光マスク。
  28. 【請求項２８】前記パターンは、前記主面の前記周辺領
    域よりも内側の領域に形成されていることを特徴とする
    請求項２７に記載の露光マスク。
  29. 【請求項２９】前記周辺領域の一部は、露光装置のマス
    クステージに前記基板をチャックするための力を作用さ
    せるための領域であることを特徴とする請求項２７また
    は２８に記載の露光マスク。
  30. 【請求項３０】各マスク基板と各マスク基板の主面の表
    面形状を示す第１の情報と各マスク基板の露光装置のマ
    スクステージにチャックする前後の前記主面の平坦度を
    示す第２の情報との、複数のマスク基板ついての対応関
    係を示す情報を含むページを記憶するための処理を行う
    ための手段と、 クライアントから前記ページに対する要求メッセージを
    受け付けるための処理を行うための手段と、 前記ページをクライアント側で表示可能な形態で送信す
    るための処理を行うための手段と、 前記ページを送信した前記クライアントから前記基板マ
    スクの申し込みメッセージを受け付けるための処理を行
    うための手段とを具備して成るサーバー。
JP2002054919A 2001-05-31 2002-02-28 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法およびサーバー Expired - Lifetime JP3572053B2 (ja)

Priority Applications (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002054919A JP3572053B2 (ja) 2001-05-31 2002-02-28 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法およびサーバー
TW092125918A TWI252376B (en) 2001-05-31 2002-05-22 Server
TW094107171A TWI286264B (en) 2001-05-31 2002-05-22 Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information
TW091110742A TWI223326B (en) 2001-05-31 2002-05-22 Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server
TW094107172A TWI280456B (en) 2001-05-31 2002-05-22 Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information
KR10-2002-0030175A KR100508360B1 (ko) 2001-05-31 2002-05-30 노광 마스크의 제조 방법, 마스크 기판 정보 생성 방법,반도체 장치의 제조 방법, 마스크 기판, 노광 마스크 및서버
CN2005100560733A CN1664697B (zh) 2001-05-31 2002-05-31 掩模基板信息生成方法和曝光掩模的制造方法
CN2005100560729A CN1652022B (zh) 2001-05-31 2002-05-31 曝光掩模的制造方法
KR1020050013757A KR100552041B1 (ko) 2001-05-31 2005-02-18 마스크 기판 정보 생성 방법 및 마스크 기판의 제조 방법
KR10-2005-0013754A KR100525333B1 (ko) 2001-05-31 2005-02-18 마스크 기판의 평탄도 시뮬레이션 시스템

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-164695 2001-05-31
JP2001164695 2001-05-31
JP2002054919A JP3572053B2 (ja) 2001-05-31 2002-02-28 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法およびサーバー

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003366387A Division JP3947154B2 (ja) 2001-05-31 2003-10-27 マスク基板情報生成方法およびマスク基板の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2003050458A true JP2003050458A (ja) 2003-02-21
JP3572053B2 JP3572053B2 (ja) 2004-09-29

Family

ID=26616086

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002054919A Expired - Lifetime JP3572053B2 (ja) 2001-05-31 2002-02-28 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法およびサーバー

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP3572053B2 (ja)
KR (3) KR100508360B1 (ja)
CN (2) CN1664697B (ja)
TW (4) TWI286264B (ja)

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005043835A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク用基板、フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP2005043836A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク用基板の選定方法
JP2005274953A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Toshiba Corp 描画パターンデータの生成方法及びマスクの描画方法
US7060519B2 (en) 2001-05-31 2006-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server
US7070888B2 (en) 2003-07-25 2006-07-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method of selecting photomask blank substrates
JP2006195200A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランクの製造方法
JP2006235321A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Hoya Corp マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法
KR100710960B1 (ko) * 2004-09-29 2007-04-24 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크, 노광용 마스크,마스크 블랭크용 기판의 제조방법 및 반도체 제조방법
US7344808B2 (en) 2003-07-25 2008-03-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method of making photomask blank substrates
US7351504B2 (en) 2003-07-25 2008-04-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank substrate, photomask blank and photomask
JP2008103512A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Hoya Corp 反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
WO2008139848A1 (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Nikon Corporation フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法
JP2010039352A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Hoya Corp マスクブランク用基板、マスクブランク及びフォトマスク並びにそれらの製造方法
JP2010078769A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Shin-Etsu Chemical Co Ltd フォトマスクブランクスの選択方法及び製造方法並びにフォトマスクの製造方法
JP2010085867A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Hoya Corp マスクブランク用基板セットおよびマスクブランクセット
US7703066B2 (en) 2004-07-27 2010-04-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure mask manufacturing method, drawing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and mask blanks product
WO2010110139A1 (ja) * 2009-03-25 2010-09-30 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
EP2237109A2 (en) 2009-03-31 2010-10-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for inspecting and judging photomask blank or intermediate thereof
EP2237108A2 (en) 2009-03-31 2010-10-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for inspecting photomask blank or intermediate thereof, method for determining dosage of high-energy radiation, and method for manufacturing photmask blank
EP2237107A2 (en) 2009-03-31 2010-10-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank and photomask
EP2339399A2 (en) 2009-12-11 2011-06-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask-forming glass substrate and making method
JP2011175279A (ja) * 2011-04-14 2011-09-08 Hoya Corp マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
WO2011122608A1 (ja) * 2010-03-30 2011-10-06 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP2012009833A (ja) * 2010-05-24 2012-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 合成石英ガラス基板及びその製造方法
DE112009002622T5 (de) 2008-11-26 2012-08-02 Hoya Corp. Maskenrohlingsubstrat
CN102736398A (zh) * 2011-04-12 2012-10-17 Hoya株式会社 光掩模用基板、光掩模以及图案转印方法
JP2012208509A (ja) * 2012-06-14 2012-10-25 Hoya Corp マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスク及び半導体デバイスの製造方法
JP2012253112A (ja) * 2011-06-01 2012-12-20 Dainippon Printing Co Ltd インプリント用基板選択システム、インプリント用基板選択プログラム、インプリントシステム、インプリント用基板選択方法及びインプリント方法
JP2013120820A (ja) * 2011-12-07 2013-06-17 Dainippon Printing Co Ltd インプリント用基板選択システム、インプリント用基板選択プログラム、インプリントシステム、インプリント用基板選択方法及びインプリント方法
JP2013153167A (ja) * 2007-04-23 2013-08-08 Kla-Tencor Corp ウエハー上で実施される測定中のプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームを生成または実施するための方法ならびにシステム
JP5278719B2 (ja) * 2005-01-24 2013-09-04 株式会社ニコン 計測方法及び露光方法
EP2657764A2 (en) 2012-04-26 2013-10-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank and manufacturing method thereof
JP2014002395A (ja) * 2013-07-31 2014-01-09 Hoya Corp マスクブランク用基板セットの製造方法、マスクブランクセットの製造方法、フォトマスクセットの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
US8883373B2 (en) 2011-11-17 2014-11-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing photo mask, method for manufacturing semiconductor device, and program
JP2014215219A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 本田技研工業株式会社 品質判定装置及び品質判定方法
EP4123372A1 (en) 2021-07-21 2023-01-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Mask blank substrate and method for manufacturing the same

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI476507B (zh) * 2008-09-30 2015-03-11 Hoya Corp A mask substrate, a mask, a manufacturing method thereof, and a method of manufacturing the semiconductor element
JP2014034497A (ja) * 2012-08-09 2014-02-24 Nikon Corp 光学素子の製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4391551A (en) * 1980-03-03 1983-07-05 Walter C. Belcher Snake cleanable fluid flow system
DE3110341C2 (de) * 1980-03-19 1983-11-17 Hitachi, Ltd., Tokyo Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines dünnen Substrats in der Bildebene eines Kopiergerätes
JPH02160237A (ja) * 1988-12-14 1990-06-20 Nikon Corp マスク基板及びマスク製造方法、並びに該マスク基板を用いた露光方法
US5563702A (en) * 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
JP3377006B2 (ja) * 1992-02-28 2003-02-17 Ｈｏｙａ株式会社 フォトマスクブランクの検査方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及びフォトマスクブランク用ガラス基板
TW306074B (ja) * 1994-03-02 1997-05-21 Canon Kk
KR20010024117A (ko) * 1997-09-17 2001-03-26 뉴메리컬 테크날러쥐스 인코포레이티드 디자인 룰 체킹 시스템 및 방법
SE517345C2 (sv) * 1999-01-18 2002-05-28 Micronic Laser Systems Ab Metod och system för tillverkande av stora skärmpaneler med förbättrad precision

Cited By (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7998759B2 (en) 2001-05-31 2011-08-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Maunfacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server
US8465907B2 (en) 2001-05-31 2013-06-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server
US7435609B2 (en) 2001-05-31 2008-10-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server
US7060519B2 (en) 2001-05-31 2006-06-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server
US8222051B2 (en) 2001-05-31 2012-07-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server
DE102004035617B4 (de) 2003-07-25 2018-06-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung von Substraten für Fotomaskenrohlinge
DE102004035560B4 (de) 2003-07-25 2018-05-17 Nikon Corp. Substrat für Fotomaskenrohling, Fotomaskenrohling und Fotomaske
US7351504B2 (en) 2003-07-25 2008-04-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank substrate, photomask blank and photomask
US7329475B2 (en) 2003-07-25 2008-02-12 Shin-Estu Chemical Co., Ltd. Method of selecting photomask blank substrates
JP2005043836A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク用基板の選定方法
DE102004064328B3 (de) 2003-07-25 2022-02-17 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung von Substraten für Fotomaskenrohlinge
KR101108562B1 (ko) 2003-07-25 2012-06-01 가부시키가이샤 니콘 포토마스크 블랭크용 기판의 제조방법
US7070888B2 (en) 2003-07-25 2006-07-04 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method of selecting photomask blank substrates
JP2005043835A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク用基板、フォトマスクブランク及びフォトマスク
US7344808B2 (en) 2003-07-25 2008-03-18 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method of making photomask blank substrates
JP2005274953A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Toshiba Corp 描画パターンデータの生成方法及びマスクの描画方法
US7704645B2 (en) 2004-03-24 2010-04-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of generating writing pattern data of mask and method of writing mask
US7703066B2 (en) 2004-07-27 2010-04-20 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure mask manufacturing method, drawing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and mask blanks product
US8533634B2 (en) 2004-07-27 2013-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure mask manufacturing method, drawing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and mask blanks product
US8193100B2 (en) 2004-07-27 2012-06-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Exposure mask manufacturing method, drawing apparatus, semiconductor device manufacturing method, and mask blanks product
US7592104B2 (en) 2004-09-29 2009-09-22 Hoya Corporation Mask blank substrate, mask blank, exposure mask, mask blank substrate manufacturing method, and semiconductor manufacturing method
DE102005063624A1 (de) 2004-09-29 2015-01-15 Hoya Corp. Substrat für Maskenrohling, Maskenrohling, Belichtungsmaske und Herstellungsverfahren für Maskenrohlingssubstrat
US7745074B2 (en) 2004-09-29 2010-06-29 Hoya Corporation Mask blank substrate, mask blank, exposure mask, mask blank substrate manufacturing method, and semiconductor manufacturing method
KR100710960B1 (ko) * 2004-09-29 2007-04-24 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크, 노광용 마스크,마스크 블랭크용 기판의 제조방법 및 반도체 제조방법
DE102005063624B4 (de) 2004-09-29 2019-06-27 Hoya Corp. Substrat für Maskenrohling, Maskenrohling, Belichtungsmaske und Herstellungsverfahren für Maskenrohlingssubstrat
US7892708B2 (en) 2004-09-29 2011-02-22 Hoya Corporation Mask blank substrate, mask blank, exposure mask, mask blank substrate manufacturing method, and semiconductor manufacturing method
JP2006195200A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランクの製造方法
JP5278719B2 (ja) * 2005-01-24 2013-09-04 株式会社ニコン 計測方法及び露光方法
US7901840B2 (en) 2005-02-25 2011-03-08 Hoya Corporation Mask blank transparent substrate manufacturing method, mask blank manufacturing method, and exposure mask manufacturing method
JP2006235321A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Hoya Corp マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法
US8026025B2 (en) 2005-02-25 2011-09-27 Hoya Corporation Mask blank transparent substrate manufacturing method, mask blank manufacturing method, and exposure mask manufacturing method
TWI454835B (zh) * 2005-02-25 2014-10-01 Hoya Corp 遮罩坯料用透明基板的製造方法、遮罩坯料的製造方法及曝光遮罩製造方法
JP2008103512A (ja) * 2006-10-18 2008-05-01 Hoya Corp 反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
JP2013153167A (ja) * 2007-04-23 2013-08-08 Kla-Tencor Corp ウエハー上で実施される測定中のプロセスに関するダイナミック・サンプリング・スキームを生成または実施するための方法ならびにシステム
US9651943B2 (en) 2007-04-23 2017-05-16 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for creating or performing a dynamic sampling scheme for a process during which measurements are performed on wafers
JP5304644B2 (ja) * 2007-05-09 2013-10-02 株式会社ニコン フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法
KR101497886B1 (ko) * 2007-05-09 2015-03-04 가부시키가이샤 니콘 포토마스크용 기판, 포토마스크용 기판의 성형 부재, 포토마스크용 기판의 제조 방법, 포토마스크, 및 포토마스크를 사용한 노광 방법
US8153336B2 (en) 2007-05-09 2012-04-10 Nikon Corporation Photomask substrate, photomask substrate forming member, photomask substrate fabricating method, photomask, and exposing method that uses the photomask
WO2008139848A1 (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Nikon Corporation フォトマスク用基板、フォトマスク用基板の成形部材、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスク、およびフォトマスクを用いた露光方法
US8048593B2 (en) 2008-08-07 2011-11-01 Hoya Corporation Mask blank substrate, mask blank, photomask, and methods of manufacturing the same
DE102009036618A1 (de) 2008-08-07 2010-03-25 Hoya Corporation Maskenrohlingsubstrat, Maskenrohling, Photomaske und Verfahren zu ihrer Herstellung
JP2010039352A (ja) * 2008-08-07 2010-02-18 Hoya Corp マスクブランク用基板、マスクブランク及びフォトマスク並びにそれらの製造方法
US8440373B2 (en) 2008-08-07 2013-05-14 Hoya Corporation Mask blank substrate, mask blank, photomask, and methods of manufacturing the same
JP2010078769A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Shin-Etsu Chemical Co Ltd フォトマスクブランクスの選択方法及び製造方法並びにフォトマスクの製造方法
DE102009043442A1 (de) 2008-10-01 2010-04-15 Hoya Corp. Maskenrohlingssubstrat und Maskenrohlingssatz
US8007961B2 (en) 2008-10-01 2011-08-30 Hoya Corporation Mask blank substrate set and mask blank set
JP2010085867A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Hoya Corp マスクブランク用基板セットおよびマスクブランクセット
TWI475317B (zh) * 2008-10-01 2015-03-01 Hoya Corp 光罩基底用基板套件、光罩基底套件、光罩套件及半導體裝置之製造方法
US8318387B2 (en) 2008-10-01 2012-11-27 Hoya Corporation Mask blank substrate set and mask blank set
US8399159B2 (en) 2008-11-26 2013-03-19 Hoya Corporation Mask blank substrate
US8962223B2 (en) 2008-11-26 2015-02-24 Hoya Corporation Mask blank, reflective mask blank, photomask, reflective mask, photomask set and method of manufacturing a semiconductor device
DE112009002622T5 (de) 2008-11-26 2012-08-02 Hoya Corp. Maskenrohlingsubstrat
US8142963B2 (en) 2009-03-25 2012-03-27 Hoya Corporation Methods of manufacturing a mask blank substrate, a mask blank, a photomask, and a semiconductor device
US8592106B2 (en) 2009-03-25 2013-11-26 Hoya Corporation Methods of manufacturing a mask blank substrate, a mask blank, a photomask, and a semiconductor device
WO2010110139A1 (ja) * 2009-03-25 2010-09-30 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
KR20110119614A (ko) 2009-03-25 2011-11-02 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판의 제조방법, 마스크 블랭크의 제조방법, 포토마스크의 제조방법 및 반도체 디바이스의 제조방법
JP2010230708A (ja) * 2009-03-25 2010-10-14 Hoya Corp マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
CN102132211A (zh) * 2009-03-25 2011-07-20 Hoya株式会社 掩模板用基板、掩模板、光掩模和半导体器件的制造方法
US8417018B2 (en) 2009-03-31 2013-04-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for inspecting and judging photomask blank or intermediate thereof
EP2237109A2 (en) 2009-03-31 2010-10-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for inspecting and judging photomask blank or intermediate thereof
EP2237108A2 (en) 2009-03-31 2010-10-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for inspecting photomask blank or intermediate thereof, method for determining dosage of high-energy radiation, and method for manufacturing photmask blank
US8168351B2 (en) 2009-03-31 2012-05-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method for inspecting photomask blank or intermediate thereof, method for determining dosage of high-energy radiation, and method for manufacturing photomask blank
US8148036B2 (en) 2009-03-31 2012-04-03 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank and photomask
EP2237107A2 (en) 2009-03-31 2010-10-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank and photomask
US9316902B2 (en) 2009-12-11 2016-04-19 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask-forming glass substrate and making method
JP2011141536A (ja) * 2009-12-11 2011-07-21 Shin-Etsu Chemical Co Ltd フォトマスク用ガラス基板及びその製造方法
EP2339399A2 (en) 2009-12-11 2011-06-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask-forming glass substrate and making method
US8551346B2 (en) 2009-12-11 2013-10-08 Shin-Etsu Chemcial Co., Ltd. Photomask-forming glass substrate and making method
US8785085B2 (en) 2010-03-30 2014-07-22 Hoya Corporation Method of manufacturing a mask blank substrate, method of manufacturing a mask blank, method of manufacturing a transfer mask, and method of manufacturing a semiconductor device
WO2011122608A1 (ja) * 2010-03-30 2011-10-06 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、転写用マスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP2012009833A (ja) * 2010-05-24 2012-01-12 Shin Etsu Chem Co Ltd 合成石英ガラス基板及びその製造方法
CN102736398A (zh) * 2011-04-12 2012-10-17 Hoya株式会社 光掩模用基板、光掩模以及图案转印方法
CN102736398B (zh) * 2011-04-12 2015-08-26 Hoya株式会社 光掩模用基板、光掩模以及图案转印方法
JP2011175279A (ja) * 2011-04-14 2011-09-08 Hoya Corp マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP2012253112A (ja) * 2011-06-01 2012-12-20 Dainippon Printing Co Ltd インプリント用基板選択システム、インプリント用基板選択プログラム、インプリントシステム、インプリント用基板選択方法及びインプリント方法
US8883373B2 (en) 2011-11-17 2014-11-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method for manufacturing photo mask, method for manufacturing semiconductor device, and program
JP2013120820A (ja) * 2011-12-07 2013-06-17 Dainippon Printing Co Ltd インプリント用基板選択システム、インプリント用基板選択プログラム、インプリントシステム、インプリント用基板選択方法及びインプリント方法
US9063427B2 (en) 2012-04-26 2015-06-23 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank and manufacturing method thereof
KR20130121040A (ko) 2012-04-26 2013-11-05 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 포토마스크 블랭크 및 그의 제조 방법
EP2657764A2 (en) 2012-04-26 2013-10-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank and manufacturing method thereof
JP2012208509A (ja) * 2012-06-14 2012-10-25 Hoya Corp マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスク及び半導体デバイスの製造方法
JP2014215219A (ja) * 2013-04-26 2014-11-17 本田技研工業株式会社 品質判定装置及び品質判定方法
JP2014002395A (ja) * 2013-07-31 2014-01-09 Hoya Corp マスクブランク用基板セットの製造方法、マスクブランクセットの製造方法、フォトマスクセットの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
EP4123372A1 (en) 2021-07-21 2023-01-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Mask blank substrate and method for manufacturing the same
KR20230014653A (ko) 2021-07-21 2023-01-30 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 마스크 블랭크스용 기판 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP3572053B2 (ja) 2004-09-29
TWI252376B (en) 2006-04-01
TW200523667A (en) 2005-07-16
KR20050037525A (ko) 2005-04-22
KR100525333B1 (ko) 2005-11-02
KR100552041B1 (ko) 2006-02-20
TW200523668A (en) 2005-07-16
TW200403548A (en) 2004-03-01
KR20050027240A (ko) 2005-03-18
CN1652022B (zh) 2012-06-20
TWI280456B (en) 2007-05-01
CN1664697B (zh) 2012-06-20
TWI223326B (en) 2004-11-01
KR100508360B1 (ko) 2005-08-17
KR20020092200A (ko) 2002-12-11
TWI286264B (en) 2007-09-01
CN1652022A (zh) 2005-08-10
CN1664697A (zh) 2005-09-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2003050458A (ja) 露光マスクの製造方法、マスク基板情報生成方法、半導体装置の製造方法、マスク基板、露光マスクおよびサーバー
US8222051B2 (en) Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server
TW449672B (en) Process and apparatus for manufacturing photomask and method of manufacturing the same
TWI284787B (en) Method for providing representative feature for use in inspection of photolithography mask and for use in inspection of photo-lithographically developed and/or patterned wafer layers, and products of same
TWI272660B (en) Method of manufacturing exposure mask, lithography system, method of manufacturing semiconductor device and mask blank product
TW200845087A (en) Method and system for improvement of dose correction for particle beam writers
TW200532400A (en) Determining image blur in an imaging system
JP3947154B2 (ja) マスク基板情報生成方法およびマスク基板の製造方法
US7171637B2 (en) Translation generation for a mask pattern
JP3984278B2 (ja) マスク基板の平坦度シミュレーションシステム
JP3947177B2 (ja) マスク基板の平坦度シミュレーションシステム
JP4170569B2 (ja) 基板選択装置
JP3725149B2 (ja) マスク基板の製造方法
JP4025351B2 (ja) マスク基板情報生成方法、マスク基板の製造方法およびマスク基板の検査方法
JP3898731B2 (ja) マスク基板情報生成方法
TW201030547A (en) Pattern-correction supporting method, method of manufacturing semiconductor device and pattern-correction supporting program
JP2002148781A (ja) 描画状態表示装置とフォトマスク描画装置

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040622

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040625

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 3572053

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080702

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090702

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100702

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110702

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120702

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130702

Year of fee payment: 9

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

EXPY Cancellation because of completion of term