TWI223326B - Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server - Google Patents

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五 、發明説明（ [發明之詳細說明] [發明所屬之技術領域] 本發明係有關於半導體領域之曝光光罩之製造方法、光 罩基板資訊產生方法、半導體裝置之製造方法、光罩基板 、曝光光罩及伺服器。 [習知技藝] 隨者半導體裝置細微化之進步’提高了對於光微影製程 之細微化自1爹求。目前’裝置的設計規則已達到Ο.Π μΓΠ2 二微化，控制之圖案尺寸精度必需要求至1〇 nm左右極為嚴 密之精度。結果使得近年來使用於半導體製造過程之光微 影製程的課題越來越為顯著。 該課題係針對被使用於微影製程之光罩基板平坦度，其 係有關圖案形成製程之高精度化的原因之一。即，伴隨著 細微化而在微影製程眾之焦點公差變小之中，已不得:視 光罩基板之平坦度。 的 因此，因本發明者們不斷研究關於光罩基板之平坦度 結果，可明確瞭解到以下之事項。 坦 盤 幾 因光罩基板之表面形狀有各式各樣，即使是相同的平 度，亦有凸型、凹型、鞍型、其他混合型等種種之形狀。 因此，即使為相同的平坦度，藉由真空夾盤夾持光罩基板 於晶圓曝光裝置之光罩台之場合時，因光罩台或真空失 的配合性，在夾持時光罩基板會產生大量變形之場合、 乎不變形之場合或相反地平坦度變佳之場合。 此係因失持後之光罩基板之平坦度係依附於來持前之光 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） -4- 罩基板之表面形狀，且即使相 J'^光罩基板亦會由於進杆 ”工夾益之處而有所變化。但一 一由於U在只官理平坦度， 而不同之光罩基板表面形狀，备一 口 Λ , ^ ^ , a因將先罩基板夾持於晶圓 曝先裝置之光罩台後使光罩基 u 情形。 反之仪庋會大大地惡化之 :後’ 了解到在如此已劣化之平坦度之光罩基板上形成 圖案並使用所得狀曝光光罩來製造半導體裝置係造成製 品生產率A主要原因。 [發明所欲解決之問題] •如上述’本發明者們在比較了將光罩基板夾持於晶圓曝 光裝置之光罩台前後光罩基板的平坦度，確認了依其光罩 基板之表面形狀而有夾持後平坦度變差者的存在，並發現 該平坦度的惡化係造成製品生產率降低之主要原因。 本發明係考慮上述事項而為者，其目的在於提供一種有 效的曝光光罩之製造方法、光罩基板資訊產生方法、半導 體裝置之製造方法、光罩基板、€光光罩及伺服器，以解 決由於將光罩基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台造成光罩 基板千坦二惡化’而引起製品生產率降低之問題。 [解決課題之手段] 本發明之第I視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為具有 :取得對複數個光罩基板各個顯示主面之表面形狀之第i資 訊’與顯示於各光罩基板曝光裝置之光罩台其夾持前後之 前述主面之平坦度之第2資訊之製程；製作前述各光罩基板 與該前述第1資訊與前述第2資訊之對應關係，並由所製作 -5- 五、發明説明（3 之對應關係中選擇顯示所希望之平坦度之製程；與前· 二分開而準備與該所選擇之第2資訊及於前料 顯示之表面形狀具有相同表面形狀之光 於㈣備之光罩基板上形成所希望之圖 有於7、：之弟2視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為具 各光罩I:::先罩基板之各個，由其顯示各光罩基板與 ° t 之表面形狀之第1資訊，與顯示於各光罩 基板之曝光裝置之光罩台夹持前後之前述主面之平拍产之 第2貧訊的對應關係中選擇顯示所希望之平坦度之第 ’而與前述複數個^基板分開而準備具有與該已選^ 弟2貧訊具有對應關係之第lf訊所示表面形狀相同之光罩 基板之製程；於該已準備之光罩基板上形成所希 之製程。 系

於本發明之第3視點之曝光光罩之製造方法，兑特心具 有1於複數個光罩基板之各個，取得顯示主面表面:狀 之資訊之製程；製作前述各光罩基板與其前述資訊之對應 關係之製程；由所製作之對應關係中選擇顯示凸狀之表面 形狀之資訊，並由前述複數個光罩基板中選擇出與該選擇 貧訊為處於前述對應關係之光罩基板之製程；及在已選擇 之光罩基板上形成所希望之圖案之製程。 A 於本發明之第4視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為具 有：對複數個光罩基板之各個取得顯示主面之表面形狀之 第1資訊，與顯示由測定裝置所測定之前述主面之平坦度2 -6- ^23326 A7

發明説明 曝光裝置之光罩夹持構造而模擬於前述曝光裝置設置各光 罩基板時之前述主面之平坦度之第2資訊之製程；製作前述 各光罩基板與前述第丨資訊與前述第2資訊之對應關係之製 程；由所製作之對應關係中選擇顯示所希望之平坦度第2資 訊，且與前述複數個光罩基板分開而準備具有與為與該選 擇之第2資訊為處於前述對應關係之第丨資訊所顯示之表面 形狀相同表面形狀之光罩基板之製程；及於該已準備之光 罩基板上哒成所希望之圖案之製程。

裝 訂 方、本’X明之第5視點之曝光光罩之製造方法，其特徵為具 ^:由顯示各光罩基板與各光罩基板之主面之表面形狀之 第1資訊，與顯示由測定裝置所測定之前述主面之平坦度與 曝光装置之光罩失持構造而模擬於前述曝光裝置設置各光 罩基板時之前主面之平坦度之第2資m的對於複數個光罩 基板之對應關係中，選擇顯示所希望之平坦度之第2資訊， 且與前述複數個光罩基板分開而準備具有與為與該選擇之 第2貧訊為處於前述對應關係之第丨資訊所顯示之表面形狀

相同表面形狀之光罩基板之製程；及於該已準備之光罩基 板上形成所希望之圖案之製程。 土 於本發明之第6視點之曝光光罩之製造方法，其特徵# 有：取得顯示光罩基板與光罩基板主面之表面形狀^第 訊之製程；取得由前述主面之平坦度與曝光裝置之光屬 持構造而模擬於前述曝光裝置設置各光罩基板時之十I :之平坦度之第2資訊之製程;及判斷由前述模：所：: 前述光罩基板主面之平坦度是否適合其規格，若判斷凑

其規格則處理前述光罩基板形成曝光光罩之製程。 於本發明之第7視點之光罩基板資訊產生方法，其特徵為 具有：對於複數個光罩基板之各個，取得顯示主面之表面 形狀之第1資訊，與顯示於曝光裝置之光罩台夾持前後之矿 述主面平坦度之第2資訊之製程；及對前述各光罩基板與前 述第1資訊與前述第2資訊加以對應並記憶製程。 於本發明之第8視點之光罩基板資訊產生方法，其特徵為 具有：對複I個光罩基板之各個，取得顯示主面之表面形 狀之資訊之製ί呈；及在所取得之f訊中，記憶主面表面形 狀顯示為凸狀之資訊及與之對應之光罩基板之製程。 於本發明之第9視點之光罩基板資訊產生方法，其特徵為 具有♦對複數個光罩基板之各㈣，取得顯丨主面之表面形 狀之第1資訊，與顯示由測定裝置所測定之前述主面之平坦 度與曝光裝置之光罩夾持構造而模擬於前述曝光裝置設置 :光罩基板時之前述主面之平坦度之第2資訊之製程；及對 河述各光罩基板與前述第丨f訊與前述第2 f訊加以對應並 記憶之記憶製程。 為具有··將依據上述第!至第3視”之一者之製造方法戶 k造之曝光光罩夹持於9¾ I g > 人符於曝先叙置之光罩台上之製程；藉y 照明光學系統照明於前述曝光光罩上所形成之圖案，且并 前述圖案之影像於所希望之基板上成像之製程；及根㈣ 述成像將前述所希望之基板上形成有前述成像之層加以層 -8- 1223326 A7

案化，並使用於半導體元件的形成之製程。 於本發明之第"視點之半導體裝置之製造方法，其特徵 為具有：將具備有具主面之基板與包含形成於前述 之遮光體之圖案’且前述主面其週邊區域的表面形狀係命 著前述基板之邊緣側其高度較前述主面中央區域之表面声 度為低之曝光光罩，夾持於曝光裝置之光罩台上之製程， 藉由照明光學系統照明於前述曝光光罩上所形成之圖案， 再藉由投影光學系統將前述圖案之影像於所希望之基板』 成像之製程；及根據前述成像將前述所希望之基板上步成 有前述成像之層加以圖案化，並使用於半導體元件的形成 之製程。 於本發明之第12視點之光罩基板，其特徵為：具備有具 主面之基板與覆蓋前述主面之遮光體，前述主面週邊區域 的表面形狀係向著前述基板之邊緣部，其高度較前述主面 中央區域之表面為低。 於本發明之第1 3視點之曝光光罩，其特徵為：具備有具 主面之基板與包含在前述主面上所形成之遮光體之圖案， 前述主面週邊區域的表面形狀係向著前述基板之邊緣側， 其高度較前述主面中央區域之表面為低之形狀。 於本發明之第14視點之伺服器，其特徵為具備有：進行 圮憶包含顯示對應關係資訊網頁之處理的手段，上述對應 關係顯不各光罩基板與各光罩基板之主面表面形狀之第t資 訊與顯示於各光罩基板曝光裝置之光罩台其夾持前後之前 述主面之平坦度之第2資訊之對於複數個光罩基板之對應關 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

裝

線 1223326 A7 - _____________B7 五、發明説明（7 ) —------- 係；進行接收來自顧客對前述網頁之要求之訊息之處理的 手段，進行於顧客側以可顯示之形態傳送前述網頁之處理 的手卞又，及進仃接收來自傳送前述網頁之前述顧客之前述 光罩基板申請訊息之處理的手段。 對本發明之上述及其他目的，以及新穎特徵，可藉由本 說明書之記載及添附之圖式而明瞭。 [發明之實施形態] 以下參限圖式說明本發明之實施之形態（以下，稱為實施 形態）。 (第1實施形態） 圖1係顯示有關本發明之第i實施形態之曝光光罩之製造 方法之流程圖。 首先，準備以152 mm的角於厚約6 mm之石英基板上形成 膜覆盍其之遮光體的模而成之丨丨片光罩基板Α〜κ，對該等 光罩基板Α〜Κ，藉由基板平坦度測定裝置（尼得克公司製）測 定主面，取得於曝光裝置之光罩台藉由真空失盤失持前的 Η片光罩基板A〜K主面之表面形狀及平坦度（步驟Μ)。 在此，測定於圖2(a)中去除光罩基板之邊緣區域142 mm 角區域（第1區域）丨之平坦度。第丨區域丨係實際上形成圖案之 圖案形成區域。 呙外，於該實施形態，第t區域t之表、面形狀為凸、凹係 如圖2(b)、圖2(c)分別所示，意味著對於連結第丨區域1之兩 端的線u，上為凸下為凹之形狀。圖3(a)、圖3(b)分別顯示 表面形狀上為凸、下為凹之概覿。 -10- 本紙張尺度適用中S S家鮮(CNS) A4規格(21〇 X 297公g-- 1223326 A7 _ B7 五、發明説明（8 ) 另方面，第2區域2之表面开> 狀為凸或凹，係如圖2 (…所 示’意味著向著光罩基板之邊緣部，其高度較第1區域1之 表面為低之形狀（凸）或變高之形狀（凹）。又，於第2實施形 態詳細敘述有關第2區域2。 其次，根據上述取得之結果，將11片光罩基板A〜κ各個， 分類成主面表面形狀的各個種類（步驟S 2)。其結果顯示於表 1。表面形狀之種類（第1資訊）由上述測定結果可分類為凸型 、凹型、较型、魚板型4種。另外，於光罩台夾持前之第1 區域1之平坦度的測定值（第2資訊）係控制於〇.4 μιη〜 u. j jLi m 之範圍。於圖3(c)、圖3(d)係分別顯示出表面形狀為鞍型、 魚板型者之概觀。 【表1】 光罩基板 夾持前之平坦度(μιη) 夾持前之表面形狀 失持後之半… 、 A 0.5 凸 —r ί旦 /艾（μττι) ---- 0 4 β 0.4 凸 —〇 4 C 0.45 凸 ___ 0 Δ D 0.5 凹 ----- —___ 0 8 E 0.5 凹 ——__ ^ 。 F 0.4 鞍 —0 9 G 0.5 鞍 -----0.9 H 0.4 魚板 ^--- ~~—^_0.4 I 0.5 魚板 ------ —^0.4 J 0.5 魚才 _ --------^2 K 0.5 魚 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) B7 五、發明説明（9 接著，於ArF晶圓曝光裝置（尼康公司製）之光罩台，藉由 真空失盤依序失持上片光罩基板Α〜κ，並進行測‘以 真玉失盤夾持後各光罩基板主面的平坦度（步驟s 3)。在此， 測疋去除光罩基板之邊緣區域142 _角之第（圖2(叫 之平坦度。其後如表1所示，關於u片光罩基板Α〜κ，製作 表面形狀之種類與以真空夾盤夹持前後之平坦度之值^對 應關係（步驟S4)。 由表1得叔，表面形狀為凸型之光罩基板A〜c其夾持後之 平坦度係與夾持前相同或稍微變好，但表面形狀為凹型及 鞍型之光罩基板D〜G之平坦度於夾持後呈現惡化。 △另外’關於表面形狀為魚板型之光罩基板，係將在光罩 台上之光罩基板之配置方向對於夾持而配置於特定之方向 者（光罩基板Η、I)，及與該特定方向正交之方向，即於使其 旋轉90度之方向配置並變更被夾持之光罩基板處者（光罩基 板J、Κ) ’進行測定平坦度。 其結果如表1所示，可得知魚板型光罩基板Η、κ其直空失 盤後之平坦度係因對失持之光罩基板之配置方向而改變= 亦即，可得知魚板型光罩基板Η〜κ其真空夾盤後之平坦 度亦會因被真空夾盤後之光罩基板位置而改變。 具體而言，如光罩基板Η、丨般，若將於光罩台上之光罩 基板之配置方向配置於對於夾盤之特定之方向，則魚音型 之弧度邊緣會碰觸到曝光裝置之光罩台之夾盤，其平坦度 邊乎热法改善，但另一方面，若如光罩基板J、Κ般使其配 置於旋轉90度之方向，其魚板型之弧度邊緣不會碰觸到曝 本纸張尺H鮮關家標準(CN_S) Μ規格(21。讀公爱) -12- 1223326 五、發明説明（10 光裝置之光罩台之夹盤’而平坦度會成為〇”m以下可 確認到平坦度已改善(表1)。另外，其他表面形狀之光罩基 板A〜G作旋轉者未顯示於表卜係因了解到即使令其旋轉亦 無法改善其平坦度之故。 其次’如上述’由預先知曉之真空夹盤夹持前後之表面 形狀的種類及平坦度的值之包含u片光罩基板Α〜κ之光罩 基板群中，與Η片光罩基板Α〜κ分開地準備具有合乎規格 之平坦度光罩基板及具相同種類之表面形狀之光罩基板 (步知S)卜在此’對於該分開準備之光罩基板，係選擇與光 罩基板J相同形狀之場合作說明。 另外’光罩基板A〜K及上述分開準備之光罩基板，係兑 圖案形成區域之平坦度控制於特定之規格内所形成者，: 表面形狀的不同則是因離散所造成。 接著，於上述分開準備之光罩基板上塗保護骐。 ，之後，繼續眾所皆知之曝光光罩之製造製程。即藉由電 卞線^f裝置於光罩基板上之保護膜描綠出所希望之圖案 。接f將保護膜顯像而形成保護膜圖案，其次以該保護膜 圖=作為光罩，藉由反應性離子姓刻裝置進行光罩基板遮 光體之敍刻加工而形成遮光體圖案。然後，剝離保護膜圖 案，進行清洗光罩基板表面，而完成形成有所希望之光軍 圖案之曝光光罩（步驟S6)。又上述所希望之圖案係包含電路 圖案或包含電路圖案及對位用之圖案。 一將如此所得到之曝光光罩設置於Ai.F晶圓曝光裝置，並測 定主面平坦度’可確認到Q 2㈣之良好值。，然後，若採用 本紙張尺度適用中格(21〇Χ297公釐） 13 B7

五、發明説明（U 特如此平坦度高之曝光光罩夹持於曝光裝置之光罩台上， 再错由照明光學系統照明於上述之曝光光罩上所形成之圖 案，而以投影光學系統在所希望之基板上成像上述圖案之 曝光方法，則晶圓曝光時之焦點公差會格外的增加並大幅 提咼DRAM等之半導體製品之生產率。 如此依據本實施形態，可實現一種有效的曝光光罩之製 造方法，其可解決因將光罩基板夾持在晶圓曝光裝置之光 罩台上後光-罩基板之主面平坦度惡化，所引起製品生產率 降低之問題。 光罩基板A〜K及上述分開準備之光罩基板，其對位用記 5虎亦可預先形成。又將光罩基板夾持於光罩台之手段並不 限定於真空夾盤。 (第2實施形態） 第1實施形態中僅對圖2(a)所示之光罩基板1之主面之第1 區域1取得表面形狀及平坦度（步驟s 1}，但於本實施形態中 係分別對第1區域1及包圍該第丨區域丨之第2區域2的2個區域 取得表面形狀及平坦度。 在此’第1區域1係以光罩基板中心作為區域之中心，為 一邊長為142 mm之矩形形狀的區域，而第2區域2則為包圍 泫第1區域1，且一邊長為15〇 mm之嘴巴形狀之區域（由矩形 形狀之區域中除去以該矩形形狀之區域中心為區域之中心 之較其為小之矩形形狀區域的區域）。藉由將光罩基板1設 置於曝光裝置之光罩台時之真空失盤，其被夾持的區域（光 罩夾持區域）幾乎包含於第2區域2。即在第2區域2為了夾持 -14- 五、發明説明（12 光罩基板於光罩台之力量幾乎全部起了作用。 在以往的技術延長線上，不僅圖案形成區域，若考慮亦 管理光罩夾持區域之平坦度，則成為擴大第丨區域1，藉此 管理包含了光罩夾持區域之區域平坦度。 但在目刚之光罩製造技術中’要將光罩基板1之主面全體 平坦化非常困難，現況為其光罩基板1之主面平坦度於邊緣 部急遽地惡化，為此，若擴大第i區域丨，則其光罩基板1之 中心部的平坦度雖可，但因光罩基板1之邊緣部的平坦度變 差，故會降低對光罩基板1之主面全體之平坦度的測定結果 。因此，於本實施形態中如上述係對包含光罩中心之第i g 域1，及包圍遑第1區域1之第2區域2的2個區域取得表面形 狀及平坦度。 以基板平坦度測定裝置（NI公司製），測定於1 52 mm的角 而厚約6 mm之石英基板上形成遮光體而成之光罩基板的主 面平坦度及表面形狀，並準備第丨區域丨之平坦度及表面形 狀、第2區域2之平坦度及表面形狀其準備各自不同之13片 光罩基板A〜Μ。 接著，於ArF晶圓曝光裝置（尼康公司製）依序設置該丨3片 光罩基板A〜Μ，測定經由真空夾盤進行夾持後之各光罩基 板之主面的平坦度。 其次，製作有關1 3片光罩基板Α〜Μ其表面形狀之種類及 經由真空夾盤夾持前後之第丨及第2區域之平坦度之值的對 應關係。其結果顯示於表2。 【表2】 -15- 1223326 A7 B7 五、發明説明（13 ) 第1區域(夾持前） 第2區域(夾持前） 第1區域(爽持後） 光罩基板 平坦度(μηι) 表面形狀 平坦度(μιη) 表面形狀 平坦度(μηι) A 0.3 凸 4 凸 0.3 B 0.3 凸 3 凹 1.5 C 0.35 凸 4 魚板 0.6 D 0.35 凸 4 魚板(90度旋轉） 0.3 E 0.35 凸 4 鞍 1.0 F 0.35 凹 4 凸 0.3 G 0.35 凹 4 凸 0.8 Η 0.35 凹 4 魚板 0.8 1 0.35 凹 4 魚板(90度旋轉） 0.4 J 0.35 凹 4 鞍 0.9 K 0.5 鞍 3 鞍 1.0 L 0.5 魚板 3 魚板 0.9 Μ 0.4 魚板 3 魚板(90度旋轉） 0.4 1 J片光罩基板A〜M之第1及第2區域之表面形狀係分類為 凸型、凹型、鞍型及魚板型4種。表面形狀為單純的凸型形 狀之光罩基板A之第1及第2區域之表面形狀皆為凸。另一方 面，如附有帽簷之帽子般的光罩基板β之表面形狀，於第i 區域為凸而在第2區域則為凹。 由表2得知，以真空夾盤因夾持而造成第1區域之平面形 狀惡化之光罩基板，其第2區域之表面形狀有凹型及鞍型者 。另外’表面形狀為魚板型之光罩基板C、〇、H、卜L、M 因光罩台上之光罩基板之配置方向不同，而顯示不同結 -16- 本紙張尺度適财ϋ國家_NS) Α%格(⑽χ 29·7Τ爱）----- U23326 五 、發明説明（14 ) 果。 具體而言，若將光罩台t 上之先罩基板之配置方向配置於 = 之特定之方向，則魚板型之弧度邊緣會碰觸到曝 先裝置之光罩台之夾盤而降低平坦度，但若配置於使其旋 轉90度之方向上，則其魚板型之弧度邊緣不會碰觸到曝光 裝置之光罩台之夹盤’而平坦度變為〇4 _以下，可確切 配置於該方向（使其旋轉9。度）上幾乎全部之光罩基板的平= 度均被改备。 另外，亦可確認藉由真空夾盤之夾持後之第1區域之平坦 度係與夾持前之第1區域之表面形狀幾乎無關。亦即在藉由 f空失盤之夾持前後之光罩基板主面之形狀變化幾乎是由 第2區域之表面形狀所決定。 一此外’將第2區域之平坦度與第1區域之平坦度比較，儘 官數值為格外的差，但可確認第2區域之表面形狀為凸之場 合，其藉由真空失盤之夾持後之光罩基板之第1區域之表面 形狀幾乎無變化。 由以上事項，藉由對複數個光罩基板製作其第丨區域^及 第一區域2之表面形狀之種類，與經由真空夾盤失持前後之 光罩基板主面之平坦度之值的對應關係，可使為管理光罩 失盤區域無須擴展到必要以上，第丨區域〖之平坦度不需要 其必要以上之嚴苛值而可採用現實之值，並且，考慮第2區 域2之表面形狀，可更確實選擇藉由真空失盤之失持前後之 光罩基板主面平坦度變化少之光罩基板。 其次如上述’由預先知曉之真空夾盤夾持前後之第1區域 17- 本紙張尺度適财_家標準(CNS)i規格(咖χ挪公爱） 五、發明説明（15 1 ’及第2區域2表面形狀的種類及及光罩基板主面夾持後平 坦度的值之包含丨3片光罩基板A〜M之光罩基板群中，與13 片光罩基板A〜Μ分開地準備具有合乎規格之平坦度之光罩 基板及具相同種類之表面形狀之光罩基板。 在此，該分開準備之光罩基板，係準備與光罩基板f為相 同表面形狀（第1區域為凹、第2區域為凸）之物。於測定該光 罩基板後，第1區域之平坦度為〇3 μιη以下，而第2區域之 平坦度為4^μ-ηι以下。 其次，於光罩基板上塗保護膜。 之便，繼續習知之製造方法之曝光光罩之製造製程。即 藉由電子線描繪裝置於光罩基板上之保護膜描繪出所希望 之圖案。接著對保護膜加以顯影而形成保護膜圖案，其次 將該保護膜圖案作為光罩藉由反應性離子蝕刻裝置進彳'亍= 罩基板遮光體之蝕刻加工並形成遮光體圖#。然後，剝離 保護膜㈣，接著進行清洗光罩基板表面，完成形成有所 希望之光罩圖案之曝光光罩。又上述所希望之圖案係包含 a路圖案者，或包含電路圖案及對位用之圖案。 將如此得到之曝光光罩設置於ArF晶圓曝光裝置並在測定 第I區域之平坦度，可確認到0 2㈣之良好的平坦度。块後 ，藉由將如此高平坦度之曝光光罩夾持於曝光裝置之2罩 台上’以照明光學系統照明上述之曝光光罩上所形成之圖 案’採用藉由投影光學系統形成上述圖案之圖像於所希沙 之基板(例如被塗有保護膜之基板)上之曝光方法，則晶圓= 光時之焦點公差會格外的增力σ ’並大幅提高DRAM等之：

本紙張尺度it财_表標準(CNS) A4規格(2iG 18- 1223326

導體製品之生產率。 如此本貫施形態亦與第丨實施形態相同，可提供一種曝光 光罩之製造方法’可有效解決將光罩基板夾持於晶圓曝光 k置之光罩台之後光罩基板之主面平坦度的惡化所造成之 製品生產率降低之問題。 光罩基板A〜Μ及上述另外準備之光罩基板，其對位用記 號亦可是預先所形成的。又將光罩基板夾持於光罩台之手 段並未限史於真空夾盤。 另外，由表2得知，第2區域之表面形狀為凸狀者則由真 '夾^失持後之第1區域之平坦度良好，故亦可使用製作第 裝 -區或之表面形狀為凸狀之光罩基板或曝光光罩而加以使用 之方法。

方；第2區域，具有如上述之表面形狀，即凸狀之光罩基板 或曝光光罩，例如於石英基板之邊緣區域或較其更内側之 品或（中央區域）中，其中央區域部份可由利用快速研磨率而 知到具租而吕，可藉使用研磨裝置而以較以往更長的時 間來7磨石英基板主面而得到。之後，依習知之方法形成 逑光膜而彳于光罩基板，此外以進行遮光體之圖案形成可 得曝光光罩。 然後，將形成具有如此之特定之表面形狀（此處為凸）之第 2區域之曝光光罩失持於曝光裝置之光罩台上，藉由照明光 =系^照明上述曝光光罩上所形成之圖案，而採用藉由投 〜光卞$統在所希望之基板（例如被塗有保護膜之基板）上將 上述圖案之圖像成像之曝光方法，則與第1實施形態相同， -19- 1223326

其晶圓曝光時之焦點公差合柊外的樾

左曰心汁的榷加亚大幅提高DRAM 等之半導體製品之生產率。 另外，以往為使主面之全體儘量變平坦而會進行研磨石 英基板。因此，為不使研磨比例差異顯著，並未刻意控制 加長研磨時間。所以’即使因研磨之離散使其第2區域之表 面形狀成為凸或凹’其程度亦較本實施形態之光罩基板及 曝光光罩明顯的小。 (第3實施矽態） 於本實施形態中係利用模擬，#得相當於藉由真空失盤 失持後之光罩基板之主面之表面形狀之光罩基板之主面之 表面形狀。 首先，藉由基板平坦度測定裝置（NI公司製）測定圖案形成 區域（圖2(a)之第1區域1)之平坦度，而求出以152㈤瓜角而厚 約6 mm之石英基板上形成遮光體而成之光罩基板之主面之 表面形狀及平坦度，並準備表面形狀及平坦度各自不同之 13片光罩基板A〜！ VI。 其次，由ArF晶圓曝光裝置（尼康公司製）之光罩夾盤構造 ，及上述13片光罩基板A〜Μ之主面其上述所測定之平坦度 ’使用有限元素法，以模擬取得在ArF晶圓曝光裝置之光罩 台藉由真空夾盤依序夾持上述13片光罩基板八〜μ時之光罩 基板Α〜Μ之主面平坦度。又，亦可使用解析的方法代替有 限元素法。接著，為確認該模擬是否正確，藉由真空夹般 依序實際地夾持上述之13片光罩基板Α〜Μ於上述ArF晶圓曝 光裝置，並進行測定藉由真空夾盤失持後之各光罩基板之 -20 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) ------ 1223326 A7 B7 18 五、發明説明（ 主面之之平坦度。結果，由模擬所得到之光罩基板a〜m其 金面之平坦度，與以實際上設置於ArF晶圓曝光裝置之基板 平坦度測定裝置測定所得到之光罩基板A〜Μ其主面之平坦 度，係如表3所示，可確認在光罩基板a〜Μ幾乎是所有光罩 基板中，只有〇. 1 μηι以下之差。 【表3】 光罩基板 光罩基板主面之測定資料 由模擬所得之平ie度 實際夾持德之平扫磨 平坦度(μηι) 表面形狀 平坦度(μηι) 平坦度(um) A 0.3 凸 一 0.3 0,3 B 0.3 凸 1.5 1.5 C 0.35 凸 0.6 0.6 D 0.35 凸 0.3 0.3 E 0.35 凸 1,0 1.0 F 0.35 凹 0.5 0.3 G 0.35 凹 0.7 0.8 Η 0.35 凹 0.8 0.8 I 0.35 凹 0.5 0.4 J 0.35 凹 0.9 0.9 K 0.5 鞍 1.3 1.0 L 0.5 魚板 0.9 0.9 Μ 0.4 魚板 0.4 0.4 即’關於光罩基板，製作前述實施形態中之表面形狀種 類與藉由真空夾盤夾持前後之平坦度之值的對應關係時， -21 - 本紙張尺度適财S @家標準(CNS) Α4規格(21G χ挪公爱) 1223326 A7

可和'藉由真二夾盤夾持前後之平坦度之值置換成利用模擬 所取得之值。 由該結果，藉由基板平坦度測定裝置（NI公司製）測定圖案 形成區域（圖2(a)之第丨區域丨）之平坦度且求出光罩基板主面 之表面形狀，接著，由曝光裝置之光罩夾盤構造及已取得 之光罩基板之主面之上述平坦度，而模擬真空夾盤依序將 光罩基板夾持於曝光裝置之光罩台時之光罩基板之主面之 表面形狀〜可預測出實際上將光罩基板設置於晶圓曝光裝 置呀之光罩基板主面之表面形狀。因此，可進行較以往格 外高精度之光罩基板主面之表面形狀及平坦度之管理。 圖4係顯不有關本發明之第3實施形態之曝光光罩之製造 方法的流程圖。於圖4之流程圖十，在步驟S3，係利用模擬 取得藉由真空夾盤夾持光罩基板時之光罩基板之主面之表 面形狀。然後在步驟S4，製作表面形狀、使用基板平坦度 測定裝置所取得之平坦度及利用模擬所取得之平坦度之對 應關係。關於步驟SI、S2、S5、S6係於圖1之流程圖相同。 其次’在步驟S5與上述13片光罩基板a〜μ分開準備以下 光罩基板：基板主面之表面形狀由基板平坦度測定裝置測 疋，且藉由真空夾盤依序將光罩基板夾持於曝光裝置之光 罩台時之光罩基板主面之表面形狀藉由模擬得知變為〇 2 之平坦度者。 之後’在步驟S6繼續習知之製造方法之曝光光罩之製造 製程。亦即藉由電子線描繪裝置於光罩基板上之保護膜描 出所希望之圖案。接著對保護膜進行顯像以形成保護膜 -22- 本紙張尺度適jfl巾國@家標準(CNS) Α4規格(21G X 297公爱) " '~"" - 1223326 A7

圖^ ’其次將該保護膜圖案作為光罩而藉由反應性離子钱 1衣置進仃光罩基板遮光體之蝕刻加工，並形成遮光體圖 案（光罩圖案）。之後，剝離保護膜圖案，接著進行清洗光罩 基板表面，完成形成有所希望之光罩圖案之曝光光罩。將 该：光光罩實際設置於ArF晶圓曝光裝置且使用基板平坦度 測疋叙置測定其主面之表面形狀及平坦度後，可確認到如 同模擬得之0.2叫之良好平坦度。然後，若將如此高平坦 度之曝光光-罩夾持於曝光裝置之光罩台上，再藉由照明光 =統照明在上述曝光光罩上所形成之㈣，而採用藉由 投〜光干不統在所希望之基板（例如被塗有保護膜之基板）上 將上述圖案之像成像之曝光方法，則晶圓曝光時之焦點公 差會格外的增加，並大幅提高⑽鳩等之半導體製品之生 產率。 如此，本實施形態亦與第i實施形態、第2實施形態相同 ，可實現-種有效的曝光光罩之製造方法，其可解決將光 罩基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台之後光罩基板主面平 坦度惡化所造成製品生產率降低之問題。 光罩基板A〜Μ及上述另外準備之光罩基板’其對位用記 5虎亦可預先形成。X，將光罩基板失持於光罩台之手段並 未限定於真空夾盤。 於上述之各實施形態，例如晶圓曝光裝置非為Ad晶圓曝 光裝置亦可。Μ，亦可於光罩圖案形成後，更測定光罩 基板主面之平坦度，由其測定資料以模擬取得設置光罩基 板於曝光裝置時之光罩基板主面之表面形狀。冑此，由於 •23-

1223326 A7 -- —-— -------B7 五、發明説明（a ) 光罩圖案形成時所產生之光罩基板主面的變形亦會考慮在 以換擬所取得之結果中，故可進行更高精度之光罩基板主 面之表面形狀及平坦度的管理。此外，光罩並不限定於ArF 用或KRF用者’亦可適用於例如真空紫外線曝光用之反射 型光罩、X光線曝光用光罩、電子線曝光用光罩等。 (第4實施形態） 於本實施形態中，係藉由模擬取得相當於藉由真空夾盤 失持後之光-罩基板主面之表面形狀的光罩基板之主面的表 面形狀。 圖5顯示有關本實施形態之曝光光罩之製造方法的流程圖。 在步驟si，藉由以基板平坦度測定裝置（NI公司製）測定圖 案形成區域（圖2(a)之第1區域1)之平坦度，而求出於152 mm 角且厚約6 mm之石英基板上形成遮光體而成之丨片光罩基板 主面之表面形狀及平坦度。 其次，於步驟S2，由ArF晶圓曝光裝置（尼康公司製）之光 罩失構造及上述1片光罩基板主面之上述所測定之平坦度 ’使用有限元素法，利用模擬取得藉由真空夾盤依序夾持 上述1片光覃基板於ArF晶圓曝光裝置之光罩台時之光罩基 板主面之平坦度。又，亦可使用解析的方法取代有限元素 法。 接著，於步‘驟S 3，判斷藉由模擬所取得之前述光罩基板 主面之平坦度是否適合其規格’若判斷為適合其規格之場 合時則於步驟S4進入曝光光罩之製造製程。 另一方面，於步驟S3判斷上述光罩基板之平坦度不適合 裝 訂

線 -24-

!223326 A7 _____ B7 五、發明説明（22 ) 規格之場合時，則於步S5剝離上述光罩基板之石英基板 上的遮光體膜。接著，於步驟S6研磨石英基板之表面。接 著’於步驟S7在石英基板研磨後之表面上重新形成遮光體 獏，並重回步驟S 1測定平坦度。 本實施形態亦與第1實施形態、第2實施形態、第3實施形 態相同’可實現一種有效的曝光光罩之製造方法，其可解 决將光罩基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台之後光罩基板 主面平坦度惡化所造成製品生產率降低之問題。 另外’上述光罩基板其對位用記號亦可預先形成。又， 將光罩基板夾持於光罩台之手段並未限定於真空夾盤。 此外’例如晶圓曝光裝置非ArF晶圓曝光裝置亦可。另外 ’亦可於光罩圖案形成後再次測定光罩基板主面之平坦度 ’由其測定資料，以模擬取得設置光罩基板於曝光裝置時 之光罩基板主面之表面形狀。藉此，由於光罩圖案形成時 所產生之光罩基板主面的變形亦會考慮在以模擬所取得之 結果中’故可進行更高精度之光罩基板主面之表面形狀及 平坦度的管理。此外，光罩並不限定於ArF用或KRF用者， 亦可適用於例如真空紫外線曝光用之反射型光罩、χ光線曝 光用光罩、電子線曝光用光罩等。 (第5實施形態） 其次，說明有關本發明之第5實施形態之光罩基板資訊產 生方法。 本實施形態之光罩基板資訊產生方法係具備有：對表1之 片光罩基板A〜K之各個，依照圖丨之流程，例如步驟si〜 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) --- A7

S3，取得主面之表面形狀與夾持前後主面之平择度之制程 =及_1片光罩基板Α〜κ，製作如表i所示之光罩基= .表面形狀之種類與平坦度的值之對應關係之製…將該 對應圯憶於電腦（PC)等之製程。 此外二亦可將記憶於電腦(PC)等之上述對應加以顯示。 具體而言，例如於收容有丨丨片光罩基板Α〜κ ㈣㈣示㈣之貼紙亦可。 #曰由對上述對應採用如此之顯示方法，則可容易管理可 角午決將光罩基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台之後光罩基 板主面平坦度惡化所造成製品生產率降低之問題的光罩基 板。 此外，於圖1之流程圖中之步驟S2之後，藉由將在圖1之 流程圖之步驟S2所取得之資訊中顯示主面之表面形狀為凸 狀之貝Λ ’及與其對應之光罩基板加以對應，並將該對應 兄憶於電腦（PC)等，而可進行與本實施形態之光罩基板資 Λ產生方法不同之其他光罩基板資訊產生方法。此時亦與 本μ %形態之光罩基板資訊產生方法相同，對於該對應， I皆由貼紙等顯示，同樣地可易於進行光罩基板之管理。 在此’舉表1之11片光罩基板Α〜Κ為例說明關於光覃基板 貪訊產生方法，但對於表2之1 3片光罩基板A〜Μ亦可進行同 樣的光罩基板資訊產生。 (第6實施形態） 圖6係顯示有關本發明之第6實施形態之伺服器系統模式 圖°於第5實施形態中以貼紙作為顯示之示範例，但於本實 -26- 本紙張尺度itA4^(2i〇T^：*) 1223326

施形態中係在伺服器上顯示，因此可將本實施形態之光罩 基板貧訊產生方法利用於e_商務（電子郵件商務）。 首先，例如在製作處丨丨製作顯示對應之如表1、表2或表 32的表格，將包含作為資訊之此表格之網頁儲存於伺服器 □。伺服器12係記憶上述網頁之硬體等之記憶手段。 伺服器12係透過網際網路而與多數之顧客（顧客裝置丨^連 接。亦可使用專㈣路取代網際網路。或採用㈣網路°與 專用線路之-組合亦可。 伺服器12係具備有：進行接受來自顧客13對上述網頁之 要求訊息之處理的習知手段；進行在顧客端可顯示之形離 傳送上述網頁之處理的習知手段；進行接受來自傳送：： 網頁之顧客端1 3其基板光罩之申請訊息之處理的習知手段 。該習知手段係由例如LAN卡、2憶裝置、伺服器軟體、 C P U等所構成，並協調而進行所希望之處理。 伺服器12若接收到來自顧客13對上述網頁之要求訊息時 ，則將使如圖3所示之畫面14顯示於顧客13之顯示器上所必 要之貧訊傳送給顧客13。於晝面丨4顯示有：具有如表丨所示 之内容之表格15、選擇所希望t基板光罩並加以確認之確 認盒16、及將購入確認盒中所確認之基板光罩之主旨之決 定傳送至伺服器12之決定圖像符號（1(：〇1〇17。於圖6中為求 簡單，雖顯示出具有如表1所示内容之表格15，但亦可使用 具有於表2所示之内容或表3所示之内容之表格。 依據本實施形態，因可購入將光罩基板夾持於晶圓曝光 裝置之光罩台後平坦度高之光罩基板，實現_種伺服：， -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐） 1223326 A7 ____ —_ B7 _ 五、發明説明（25 ) 其可有效解決將光罩基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台之 後光覃基板主面平坦度惡化所造成製品生產率降低之問題。 以上，说明了關於本發明之實施形態，但本發明並非限 疋於此涵之知形態。例如，於上述實施形態中凸型形狀 之光罩基板可得良好之結果，但亦有因設置光罩基板之曝 光裝置，而使得凹型形狀之光罩基板反而可得到良好結果 之情形。亦即因真空夾盤後之光罩基板之平坦度，係大大 叉到光罩夾盤台及光罩夾盤面之形狀配合的影響，故依所 使用光罩夾盤台而應選擇之光罩主面之形狀會改變。 此外’於上述各實施形態中說明了關於ArF晶圓曝光裝置 用之光罩基板之場合，但亦可利用於其他之光罩基板，例 如KrF晶圓曝光裝置用之光罩基板、真空紫外線曝光用之反 射51光罩基板、X光線曝光用光罩基板、電子線曝光用光罩 基板等。 此外 A上述各貫施形態係包含了種種階段之發明，可 由所揭示的複數個構成要件之適當組合，而抽出得到種種 之發明。例如，即使由實施形態所顯示之全部構成要件中 削除4個構成要件，於可解決在發明所欲解決的課題之欄 中所描述之課題之場合時，能夠抽出該構成要件被削除之 構成以作為设明。其他，在不超出本發明之要旨的範圍$ 進行種種的變形。 [發明之效果] 如以上所說明，依據本發明，可實現有效的曝光光罩之 製造方法、光罩基板資訊產生方法、半導體裝置之製造方 -28- 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 1223326 A7 _____ B7 五、發明説明（26~) " —-- 法、光罩基板、曝光光罩及伺服器，其可有效解決將光罩 基板夾持於晶圓曝光裝置之光罩台之後光罩基板主面平坦 度惡化所造成製品生產率降低之問題。 [圖示之簡單說明] 【圖1】 圖1係顯示有關本發明之第丨實施形態之曝光光罩製造方 法之流程圖。 【圖2】… 圖2(a)係光罩基板1主面之平面圖，亦即為說明第1及第2 區域之圖式；圖2(b)係為說明光罩基板之第丨區域丨之圖式， 亦即第1區域1之剖面圖；圖2(c)係為說明光罩基板之第1區 域1之圖式，亦即第丨區域丨之其他剖面圖；圖2(d)係為說明 光罩基板之第2區域2之圖式，亦即第2區域2之剖面圖。 【圖3】 圖3(a)係為說明光罩基板之第丨區域丨之圖式，亦即第1區 域1之概略立體圖；圖3(b)係為說明光罩基板之第丨區域1之 圖式，亦即第1區域1之其他之概略立體圖；圖3⑷係為說明 光罩基板之第1區域1之圖式，亦即第1區域丨之其他之概略 立體圖，圖yd)係為說明光罩基板之第1區域1之圖式，亦即 第丨區域丨之其他之概略立體圖。 【圖4】 圖4係顯示有關本發明之第3實施形態之曝光光罩之製造 方法的流程圖。 【圖5】 -29- I紙張尺度適财® gl家標準(CNS) A4規格(21GX 297公釐)~---—-- 1223326 A7 B7 五、發明説明（27 ) 圖5係顯示有關本發明之第4實施形態之曝光光罩之製造 方法的流程圖。 【圖6】 圖6係顯示有關本發明之第6實施形態之伺服器模式圖。 元件符號之說明 1 .... ..第1區域 2 ..第區域 1 1 ... .製作處 12... .伺服器 13... .顧客 14... 晝面 15... 表格 16... .確認盒 17... .圖像符號 -30 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

Claims (1)

1. A BCD 742號專利申請案 專利範圍替換本(92年9月） 申請專利範圍 .一種曝光光罩之製造方法，其特徵為具有： 取得對複數個光罩基板各個顯示主面之表面形狀之第 1資訊，與顯示於各光罩基板曝光裝置之光罩台其夾持 前後之前述主面之平坦度之第2資訊之製程； 製作刖述各光罩基板與該前述第1資訊與前述第2資訊 之對應關係，並由所製作之對應關係中選擇顯示所希望 之平坦度之製程； 與别述複數個光罩基板分開而準備與該所選擇之第2 資訊及於前述對應關係之第丨資訊所顯示之表面形狀具 有相同表面形狀之光罩基板之製程； 於該已準備之光罩基板上形成所希望之圖案之製程。 2· 一種曝光光罩之製造方法，其特徵係具有： 對於複數個光罩基板之各個，由其顯示各光罩基板與 各光罩基板之主面之表面形狀之第1資訊，與顯示於各 光罩基板之曝光裝置之光罩台夾持前後之前述主面之平 坦度之第2資訊的對應關係中選擇顯示所希望之平坦度 之第2資訊，而與前述複數個光罩基板分開而準備具有 與該已選擇之第2資訊具有對應關係之第丨資訊所示表面 形狀相同之光罩基板之製程； 於該已準備之光罩基板上形成所希望之圖案之製程。 3·如申請專利範圍第1項或第2項之曝光光罩之製造方法， 其中 前述所希望之圖案係包含電路圖案。 4.如申請專利範圍第3項之曝光光罩之製造方法，其中 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 申請專利範圍 前述所希望之圖案係更包含對位用圖案。 5·如申請專利範圍第1項或第2項之曝光光罩之製造方法， 其中 前述複數個光罩基板及前述分開準備之光罩基板，其 對位用記號係預先形成。 6·如申凊專利範圍第1項或第2項之曝光光罩之製造方法， 其中 藉由真空夾盤將前述複數個光罩基板及前述分開準備 之光罩基板夾持於前述曝光裝置之光罩台上。 7.如申請專利範圍第1項或第2項之曝光光罩之製造方法， 其中 對前述複數個光罩基板之至少一部份，改變前述曝光 裝置之光罩台上之該等前述光罩基板之方向，取得在該 變更之方向上之夾持於該等前述光罩基板之前述光罩台 前後之前述主面之平坦度。 8·如申請專利範圍第1項或第2項之曝光光罩之製造方法， 其中 對於包含前述主面中心之第1區域及包圍該第1區域之 第2區域，分別取得前述第丨及第2資訊。 9·如申請專利範圍第8項之曝光光罩之製造方法，其中 於前述第2區域之一部份，係使前述光罩基板夾持於 前述光罩台之力發揮作用之區域。 10·如申請專利範圍第9項之曝光光罩之製造方法，其中 前述第2區域之表面形狀，係朝著前述光罩基板之邊 -2 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇x 297公釐） 申請專利範圍 緣部其高度係較前述第1區域之表面為低之形狀者。 u· —種曝光光罩之製造方法，其特徵係具有： 對於複數個光罩基板之各個，取得顯示主面表面形狀 之資訊之製程； 製作前述各光罩基板與其前述資訊之對應關係之製程 f 由所製作之對應關係中選擇顯示凸狀之表面形狀之資 訊，並由前述複數個光罩基板中選擇出與該選擇資訊為 處於前述對應關係之光罩基板之製程； 在已選擇之光罩基板上形成所希望之圖案之製程。 U· —種曝光光罩之製造方法，其特徵係具有： 對複數個光罩基板之各個，取得顯示主面之表面形狀 之第1資訊，與顯示由測定裝置所測定之前述主面之平 坦度與曝光裝置之光罩夹持構造而模擬於前述曝光裝置 設置各光罩基板時之前述主面之平坦度之第2資訊之製 程； 製作前述各光罩基板與前述第1資訊與前述第2資訊之 對應關係之製程； 由所製作之對應關係中選擇顯示所希望之平坦度第2 資訊，且與前述複數個光罩基板分開而準備具有與為與 該選擇之第2資訊為處於前述對應關係之第1資訊所顯示 之表面形狀相同表面形狀之光罩基板之製程； 於該已準備之光罩基板上形成所希望之圖案之製程。 13. —種曝光光罩之製造方法，其特徵係具有： -3- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1223326

   由顯示各光罩基板與各光罩基板之主面之表面形狀之 第1資訊，與顯示由測定裝置所測定之前述主面之平坦 度與曝光裝置之光罩夾持構造而模擬於前述曝光裝置設 置各光罩基板時之前述主面之平坦度之第2資訊的對於 複數個光罩基板之對應關係中，選擇顯示所希望之平坦 度之第2資訊，且與前述複數個光罩基板分開而準備具 有與為與該選擇之第2資訊為處於前述對應關係之第1資 訊所顯示之表面形狀相同表面形狀之光罩基板之製程； 於該已準備之光罩基板上形成所希望之圖案之製程。 14. 一種曝光光罩之製造方法，其特徵係具有： 取得顯示光罩基板與光罩基板主面之表面形狀之第1 資訊之製程； 取得由前述主面之平坦度與曝光裝置之光罩夾持構造 而模擬於前述曝光裝置設置各光罩基板時之前述主面之 平坦度之第2資訊之製程； 判斷由前述模擬所取得之前述光罩基板主面之平坦度 是否適合其規格，若判斷適合其規格則處理前述光罩基 板形成曝光光罩之製程。 b· —種光罩基板資訊產生方法，其特徵係具有： 對於複數個光罩基板之各個，取得顯示主面之表面形 狀之第1資訊，與顯示於曝光裝置之光罩台夾持前後之 前述主面平坦度之第2資訊之製程； 對前述各光罩基板與前述第1資訊與前述第2資訊加以 對應並記憶製程。 -4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）

   裝 訂

   1223326 ARCD 六、申請專利範園 16·如申請專利範圍第15項之光罩基板資訊產生方法，其中 顯示前述之加以對應而記憶之各光罩基板、前述第i 資訊與前述第2資訊。 17·如申請專利範圍第15項或第16項之光罩基板資訊產生方 法，其中 對包含前述主面之中心之第1區域及包圍該第1區域之 第2區域，取得前述第1及第2之資訊。 18· —種光罩基板資訊產生方法，其特徵係具有： 對複數個光罩基板之各個，取得顯示主面之表面形狀 之資訊之製程； 在所取得之資訊中，記憶主面表面形狀顯示為凸狀之 資訊及與之對應之光罩基板之製程。 19·如申請專利範圍第18項之光罩基板資訊產生方法，其中 顯示刖述所記憶之光罩基板及前述資訊。 20· —種光罩基板資訊產生方法，其特徵係具有： 對複數個光罩基板之各個，取得顯示主面之表面形狀 之第1資訊’與顯示由測定裝置所測定之前述主面之平 坦度與曝光裝置之光罩夹持構造而模擬於前述曝光裝置 设置各光罩基板時之前述主面之平坦度之第2資訊之製 程； 對前述各光罩基板、前述第1資訊與前述第2資訊加以 對應並記憶之記憶製程。 21· —種半導體裝置之製造方法，其特徵係具有： 將依據申凊專利範圍第1、2或11項中任一者之製造方 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1223326

   法所製造之曝光光罩夾持於曝光裝置之光罩台上之製程 9 藉由照明光學系統照明於前述曝光光罩上所形成之圖 案，且將前述圖案之影像於所希望之基板上成像之製程 9 根據前述成像將前述所希望之基板上形成有前述成像 之層加以圖案化，並使用於半導體元件的形成之製程β 22· —種半導體裝置之製造方法，其特徵係具有： 將具備有具主面之基板與包含形成於前述主面上之遮 光體之圖案，且前述主面其週邊區域的表面形狀係向著 刖述基板之邊緣側其高度較前述主面中央區域之表面高 度為低之曝光光罩，夾持於曝光裝置之光罩台上之製程 t 藉由照明光學系統照明於前述曝光光罩上所形成之圖 案，再藉由投影光學系統將前述圖案之影像於所希望之 基板上成像之製程； 根據前述成像將前述所希望之基板上形成有前述成像 之層加以圖案化，並使用於半導體元件的形成之製程。 23.如申請專利範圍第21項之半導體裝置之製造方法，其中 前述所希望之基板係塗敷有光阻劑之基板。 24· —種光罩基板，其特徵係具有： 具有主面之基板、 及覆蓋前述主面之遮光體， 前述主面週邊區域的表面形狀，係向著前述基板之邊 -6 - 本紙張尺度適用中國國家搮準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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   1223326 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 ^~ 緣部其高度較前述主面中央區域之表面為低之形狀者。 25. 如申請專利範圍第24項之光罩基板，其中 較前述主面之前述週邊區域内側之區域，係圖案形成 之區域。 26. 如申請專利範圍第24項或第25項之光罩基板，其中 於前述週邊區域之一部份，係使前述光罩基板夾持於 前述光罩台之力發揮作用之區域。 27· —種曝光光罩，其特徵係具有： 具有主面之基板、 及包含在前述主面上所形成之遮光體之圖案， 前述主面週邊區域的表面形狀，係向著前述基板之邊 緣側其高度較前述主面中央區域之表面為低之形狀者。 28. 如申請專利範圍第27項之曝光光罩，其中 前述圖案係被形成於較前述主面之前述週邊區域為内 側之區域。 29. 如申請專利範圍第27項或第28項之曝光光罩，其中 前述週邊區域之一部份，係使夾持前述基板於曝光裝 置之光罩台之力發揮作用之區域。 30. 如申請專利範圍第22項之半導體裝置之製造方法，其中 前述所希望之基板係塗敷有光阻劑之基板。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐）