KR100508360B1 - 노광 마스크의 제조 방법, 마스크 기판 정보 생성 방법,반도체 장치의 제조 방법, 마스크 기판, 노광 마스크 및서버 - Google Patents

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KR10-2002-0030175A 2001-05-31 2002-05-30 노광 마스크의 제조 방법, 마스크 기판 정보 생성 방법,반도체 장치의 제조 방법, 마스크 기판, 노광 마스크 및서버 KR100508360B1 (ko)

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KR10-2005-0013754A Division KR100525333B1 (ko) 2001-05-31 2005-02-18 마스크 기판의 평탄도 시뮬레이션 시스템
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6537844B1 (en) 2001-05-31 2003-03-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Manufacturing method for exposure mask, generating method for mask substrate information, mask substrate, exposure mask, manufacturing method for semiconductor device and server
JP4657591B2 (ja) * 2003-07-25 2011-03-23 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク用基板の選定方法
JP4232018B2 (ja) 2003-07-25 2009-03-04 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク用基板の選定方法
JP2005043836A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Shin Etsu Chem Co Ltd フォトマスクブランク用基板の選定方法
TWI329779B (en) 2003-07-25 2010-09-01 Shinetsu Chemical Co Photomask blank substrate, photomask blank and photomask
JP4314462B2 (ja) 2003-07-25 2009-08-19 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク用基板の製造方法
JP4157486B2 (ja) * 2004-03-24 2008-10-01 株式会社東芝 描画パターンデータの生成方法及びマスクの描画方法
JP4488822B2 (ja) 2004-07-27 2010-06-23 株式会社東芝 露光用マスクの製造方法、露光装置、半導体装置の製造方法およびマスクブランクス製品
KR100710960B1 (ko) 2004-09-29 2007-04-24 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 기판, 마스크 블랭크, 노광용 마스크,마스크 블랭크용 기판의 제조방법 및 반도체 제조방법
JP4371230B2 (ja) * 2005-01-14 2009-11-25 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクの製造方法
WO2006078025A1 (ja) * 2005-01-24 2006-07-27 Nikon Corporation 計測方法、計測システム、検査方法、検査システム、露光方法及び露光システム
JP5153998B2 (ja) 2005-02-25 2013-02-27 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用透明基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、露光用マスクの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP4856798B2 (ja) * 2006-10-18 2012-01-18 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランクの製造方法及び反射型マスクの製造方法、並びに半導体装置の製造方法
US8175831B2 (en) 2007-04-23 2012-05-08 Kla-Tencor Corp. Methods and systems for creating or performing a dynamic sampling scheme for a process during which measurements are performed on wafers
CN101681092B (zh) * 2007-05-09 2012-07-25 株式会社尼康 光罩用基板、光罩用基板的成形构件、光罩用基板的制造方法、光罩、及使用光罩的曝光方法
JP5222660B2 (ja) 2008-08-07 2013-06-26 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法及び半導体デバイスの製造方法
JP4971278B2 (ja) * 2008-09-25 2012-07-11 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクスの選択方法及び製造方法並びにフォトマスクの製造方法
TWI476507B (zh) * 2008-09-30 2015-03-11 Hoya Corp A mask substrate, a mask, a manufacturing method thereof, and a method of manufacturing the semiconductor element
JP5335351B2 (ja) * 2008-10-01 2013-11-06 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板セット、マスクブランクセット、フォトマスクセット、及び半導体デバイスの製造方法
KR101271644B1 (ko) 2008-11-26 2013-07-30 호야 가부시키가이샤 마스크블랭크용 기판
JP4728414B2 (ja) 2009-03-25 2011-07-20 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP4853684B2 (ja) 2009-03-31 2012-01-11 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク及びフォトマスク
JP4853686B2 (ja) 2009-03-31 2012-01-11 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク又はその製造中間体の検査方法、高エネルギー線の照射エネルギー量の決定方法、及びフォトマスクブランクの製造方法
JP4853685B2 (ja) 2009-03-31 2012-01-11 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランク又はその製造中間体の検査方法及び良否判定方法
MY155168A (en) 2009-12-11 2015-09-15 Shinetsu Chemical Co Photomask-forming glass substrate and making method
CN102822743B (zh) 2010-03-30 2014-09-03 Hoya株式会社 掩模坯料用基板的制造方法、掩模坯料的制造方法、转印用掩模的制造方法以及半导体器件的制造方法
JP5637062B2 (ja) * 2010-05-24 2014-12-10 信越化学工業株式会社 合成石英ガラス基板及びその製造方法
KR101343292B1 (ko) * 2011-04-12 2013-12-18 호야 가부시키가이샤 포토마스크용 기판, 포토마스크 및 패턴 전사 방법
JP4819191B2 (ja) * 2011-04-14 2011-11-24 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスクおよび半導体デバイスの製造方法
JP5828226B2 (ja) * 2011-06-01 2015-12-02 大日本印刷株式会社 インプリント用基板選択システム、インプリント用基板選択プログラム、インプリントシステム、インプリント用基板選択方法及びインプリント方法
JP2013109007A (ja) 2011-11-17 2013-06-06 Toshiba Corp フォトマスクの製造方法、半導体装置の製造方法及びプログラム
JP5953725B2 (ja) * 2011-12-07 2016-07-20 大日本印刷株式会社 インプリント用基板選択システム、インプリント用基板選択プログラム、インプリントシステム、インプリント用基板選択方法及びインプリント方法
JP5713953B2 (ja) 2012-04-26 2015-05-07 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびその製造方法
JP5323966B2 (ja) * 2012-06-14 2013-10-23 Ｈｏｙａ株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク、フォトマスク及び半導体デバイスの製造方法
JP2014034497A (ja) * 2012-08-09 2014-02-24 Nikon Corp 光学素子の製造方法
JP6057829B2 (ja) * 2013-04-26 2017-01-11 本田技研工業株式会社 品質判定装置及び品質判定方法
JP5658331B2 (ja) * 2013-07-31 2015-01-21 Hoya株式会社 マスクブランク用基板セットの製造方法、マスクブランクセットの製造方法、フォトマスクセットの製造方法、及び半導体デバイスの製造方法
JP2023016701A (ja) 2021-07-21 2023-02-02 信越化学工業株式会社 マスクブランクス用基板及びその製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02160237A (ja) * 1988-12-14 1990-06-20 Nikon Corp マスク基板及びマスク製造方法、並びに該マスク基板を用いた露光方法
JPH05241322A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Hoya Corp フォトマスクブランクの検査方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及びフォトマスクブランク用ガラス基板
KR20010024113A (ko) * 1997-09-17 2001-03-26 뉴메리컬 테크날러쥐스 인코포레이티드 마스크 묘사 시스템에서 데이터 계층 유지보수를 위한방법 및 장치
KR20010112497A (ko) * 1999-01-18 2001-12-20 버트 제프썬 리소그래피에서 에러 감소를 위한 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4391551A (en) * 1980-03-03 1983-07-05 Walter C. Belcher Snake cleanable fluid flow system
DE3110341C2 (de) * 1980-03-19 1983-11-17 Hitachi, Ltd., Tokyo Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines dünnen Substrats in der Bildebene eines Kopiergerätes
US5563702A (en) * 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
TW306074B (zh) * 1994-03-02 1997-05-21 Canon Kk

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02160237A (ja) * 1988-12-14 1990-06-20 Nikon Corp マスク基板及びマスク製造方法、並びに該マスク基板を用いた露光方法
JPH05241322A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Hoya Corp フォトマスクブランクの検査方法、フォトマスクの製造方法、フォトマスクブランク及びフォトマスクブランク用ガラス基板
KR20010024113A (ko) * 1997-09-17 2001-03-26 뉴메리컬 테크날러쥐스 인코포레이티드 마스크 묘사 시스템에서 데이터 계층 유지보수를 위한방법 및 장치
KR20010112497A (ko) * 1999-01-18 2001-12-20 버트 제프썬 리소그래피에서 에러 감소를 위한 방법

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