JP2005043836A - フォトマスクブランク用基板の選定方法 - Google Patents
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Abstract
【効果】 本発明により選定された基板は、ウェハー露光時に良好な表面平坦形状を示すものであり、この基板を使用してフォトマスクブランクを作製し、更にフォトマスクに加工すれば、ウェハー露光装置のマスクステージにフォトマスクを真空チャック等により固定したときに、基板表面の反りが小さく平坦性の高い状態となりウェハー上に微細な露光パターンを正確な位置と幅で描画することが可能である。
【選択図】 なし
Description
一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板であって、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす各々の辺の内側2mmと10mmとの間の四角リング形状領域において、上記上面の四角リング形状領域の最小自乗平面から上記四角リング形状領域への高さを縦横0.05〜0.35mm間隔で測定し、その全ての測定点中の最大値と最小値との差が0.5μm以下である基板を表面形状が良好な基板として選定し、選定された基板を使用してフォトマスクブランクを作製し、更にフォトマスクに加工すれば、ウェハー露光時に良好なパターン形成面形状を与えるものとなり、フォトマスク使用時、即ち、ウェハー露光装置のマスクステージにフォトマスクを真空チャック等により固定したときに、パターン形成面が反りの小さい平坦性の高い状態となってマスクパターンを所定の位置に正確に位置させることができ、ウェハー上に微細な露光パターンを正確な位置と幅で描画することができるフォトマスクを高い歩留まりで得ることができることを見出した。
請求項1:
一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板の選定方法であって、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす辺のうち対向する1対の2辺の内側2mmと10mmとの間で、かつ長さ方向両端から2mmの部分を各々除いた範囲にある1対の帯状領域において、上記上面の帯状領域の最小自乗平面から上記帯状領域への高さを縦横0.05〜0.35mm間隔で測定し、その全ての測定点中の最大値と最小値との差が0.5μm以下である基板を表面形状が良好な基板として選定することを特徴とするフォトマスクブランク用基板の選定方法。
フォトマスクブランク用基板の選定方法。
請求項2:
一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板の選定方法であって、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす各々の辺の内側2mmと10mmとの間の四角リング形状領域において、上記上面の四角リング形状領域の最小自乗平面から上記四角リング形状領域への高さを縦横0.05〜0.35mm間隔で測定し、その全ての測定点中の最大値と最小値との差が0.5μm以下である基板を表面形状が良好な基板として選定することを特徴とするフォトマスクブランク用基板の選定方法。
本発明のフォトマスクブランク用基板の選定方法は、一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板の選定方法であり、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす辺のうち対向する1対の2辺の内側2mmと10mmとの間で、かつ長さ方向両端から2mmの部分を各々除いた範囲にある1対の帯状領域において、上記上面の帯状領域の最小自乗平面から上記帯状領域への高さを縦横0.05〜0.35mm間隔で測定し、その全ての測定点中の最大値と最小値との差が0.5μm以下である基板を表面形状が良好な基板として選定するものである。
(2)測定間隔:0.05〜0.35mm。測定間隔が広すぎると充分な形状予測ができず、また、測定間隔が細かすぎると測定に手間がかかりすぎる。
(3)測定精度(誤差):0.01〜0.1μm。測定誤差が大きすぎると充分な形状予測ができないおそれがあり、また、測定誤差が小さ過ぎても手間がかかるばかりで効率が悪くなるおそれがある。
基板原板を、まず第1段階の研磨によって特定の中間形状とした後、第2段階の研磨を行うものである。この場合、好ましい中間形状を有するものを経由しないと、最終的に好ましい形状を有するものを歩留まり良く得ることが難しい。
〔製造方法1〕
まず、第1段階の研磨で基板上面(研磨面)が下記の中間形状1又は2の要件を満たす研磨中間品を作製し、更にこれを研磨条件が異なる第2段階の研磨で研磨することで、特定形状を有する基板を得ることができる。
主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下、好ましくは1.0μm以下であり、かつ四角リング形状領域が基板外周に向かって上向きに傾斜しているもの。
(中間形状2)
主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下、好ましくは1.0μm以下であり、上記最小自乗平面から上記主面領域の四隅(頂点)への高さの最大値と最小値との差(CIR)が0.5μm以下、好ましくは0.3μm以下であり、かつ四角リング形状領域が基板外周に向かって上向きに傾斜しているもの。
〔製造方法2〕
まず、第1段階の研磨で基板上面(研磨面)が下記の中間形状3又は4の要件を満たす研磨中間品を作製し、更にこれを研磨条件が異なる第2段階の研磨で研磨することで、特定形状を有する基板を得ることができる。
主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下、好ましくは1.0μm以下であり、かつ四角リング形状領域が基板外周に向かって下向きに傾斜しているもの。
(中間形状4)
主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が1.5μm以下、好ましくは1.0μm以下であり、上記最小自乗平面から上記主面領域の四隅(頂点)への高さの最大値と最小値との差(CIR)が0.5μm以下、好ましくは0.3μm以下であり、かつ四角リング形状領域が基板外周に向かって下向きに傾斜しているもの。
152mm(6インチ)角のフォトマスクブランク用基板の主面領域の高さを、平坦度測定器を用い、縦横0.3mm間隔、測定精度0.1μm以下で測定し、主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が0.5μm以下であり、四角リング形状領域が基板外周に向かって下向きに傾斜している形状をなすものを50枚選定した。
152mm(6インチ)角のフォトマスクブランク用基板の主面領域の高さを、平坦度測定器を用い、縦横0.8mm間隔、測定精度0.1μm以下で測定し、主面領域の最小自乗平面から上記主面領域への高さの最大値と最小値との差が0.5μm以下であり、四角リング形状領域が基板外周に向かって下向きに傾斜している形状をなすものを50枚選定した。
2 帯状領域
3 四角リング形状領域
4 パターン形成領域
5 主面領域
11 基板
12 下定盤
13 トップリング
21 最小自乗平面
22 面
Claims (2)
- 一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板の選定方法であって、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす辺のうち対向する1対の2辺の内側2mmと10mmとの間で、かつ長さ方向両端から2mmの部分を各々除いた範囲にある1対の帯状領域において、上記上面の帯状領域の最小自乗平面から上記帯状領域への高さを縦横0.05〜0.35mm間隔で測定し、その全ての測定点中の最大値と最小値との差が0.5μm以下である基板を表面形状が良好な基板として選定することを特徴とするフォトマスクブランク用基板の選定方法。
- 一辺の長さが6インチ以上の四角形のフォトマスクブランク用基板の選定方法であって、該基板のマスクパターンを形成する上面の外周縁をなす各々の辺の内側2mmと10mmとの間の四角リング形状領域において、上記上面の四角リング形状領域の最小自乗平面から上記四角リング形状領域への高さを縦横0.05〜0.35mm間隔で測定し、その全ての測定点中の最大値と最小値との差が0.5μm以下である基板を表面形状が良好な基板として選定することを特徴とするフォトマスクブランク用基板の選定方法。
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