JP4488822B2 - 露光用マスクの製造方法、露光装置、半導体装置の製造方法およびマスクブランクス製品 - Google Patents

Description

本発明は、半導体分野における露光用マスクの製造方法、露光装置、半導体装置の製造方法およびマスクブランクス製品に関する。

半導体デバイスの微細化が進むに連れ、フォトリソグラフィ工程での微細化に対する要求が高まっている。既に、デバイスの設計ルールは６５ｎｍにまで微細化している。そのため、制御しなければならないパターン寸法精度は、５ｎｍ以下と極めて厳しい精度が要求されている。

半導体製造工程では、複数のフォトマスクを用いて、多層パターンの形成が行われる。この際、上下パターン間の重ね合わせ精度も、設計ルールの微細化に伴い、パターン寸法精度と同様に、厳しい値が要求されている。

このような中、パターン形成工程の高精度化を妨げている要因として、リソグラフィ工程に用いられるフォトマスクを露光装置内にチャックする際に生じる、フォトマスクの歪み等の変形がある。

近年、所望の平坦度になるように、予めフォトマスクのチャック後のマスク平坦度を予測し、露光装置にフォトマスクをチャックした状態で、所望の平坦度になることを保証したフォトマスクが製造されている（特許文献１）。露光装置に上記フォトマスクをチャックした状態でのマスク平坦度は、極めて良好なものとなる。

しかし、マスクパターン位置の精度が問題となるケースが多く発生している。その理由は以下のように考えられている。

フォトマスクの製造工程は、マスク描画装置を用いて、マスクブランクス基板上にマスクパターンを描画する工程を含む。上記マスク描画装置は、マスクブランクス基板がなるべく歪まないように、マスクブランクス基板を保持する。例えば、マスクブランクス基板は、３点保持される。このように、マスクパターンの描画は、マスクブランクス基板の単体平坦度が保持された状態で行われる。

ウェハパターンの製造工程は、ウェハ露光装置を用いて、マスクパターンをウェハ上に転写する工程を含む。上記ウェハ露光装置は、真空チャック機構等のチャック機構を用いてフォトマスクをチャックする。このようなチャック機構を用いると、フォトマスクに変形が生じる。

したがって、図１８に示すように、フォトマスク９１に変形がない場合（チャック前）とフォトマスクに変形がある場合（チャック後）とでは、パターン９２の位置にずれδが生じる。図１８のような反り（簡単のため傾いた直線で反りを示している）の変形が生じた場合、パターン９２の位置は右側にずれる。なお、上記特許文献１のフォトマスクを用いた場合には、チャック後のフォトマスクの平坦度は良くなる。

上記特許文献１のフォトマスクを用いようが用いなくても、チャック前後でフォトマスクには変形が生じるので、チャック前のパターン位置通りに、マスクパターンをウエハ上に転写することはできない。

これまでは、フォトマスクの変形に起因するマスクパターンの位置ずれは大きな障害ではなかったが、パターン寸法精度が５ｎｍ以下と極めて厳しい精度が要求されている現在では、無視できなくなってきている。
特開２００３−０５０４５８号公報

本発明は、上記事情を考慮してなされたもので、その目的とするところは、マスクパターンの位置ずれを防止できる露光用マスクの製造方法、露光装置、半導体装置の製造方法およびマスクブランクス製品を提供することにある。

本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。

すなわち、上記目的を達成するために、本発明に係る露光用マスクの製造方法は、露光用マスクとなるマスクブランクス基板に係る平坦度変化量データであって、露光装置内のチャック手段により前記マスクブランクス基板をチャックすることで生じる、前記マスクブランクス基板の平坦度の変化に係る平坦度変化量データを、生成または準備する工程と、前記平坦度変化量データに基づいて、前記チャック手段により前記露光用マスクをチャックした状態で、前記露光用マスクのマスクパターンが所定の位置になるように、前記マスクブランクス基板の上に描画されるパターンの位置補正データを生成する工程と、前記マスクブランクス基板の上にパターンを描画する工程であって、前記パターンに対応した描画データおよび前記位置補正データを描画装置内に入力し、前記パターンの描画位置を補正しながら前記パターンを描画する工程とを含み、前記マスクブランクス基板の枚数は複数であり、かつ、各マスクブランクス基板毎に、前記三つの工程を行うことを特徴とする。

本発明に係る描画装置は、露光装置内のチャック手段によりチャックした状態の露光用マスクのマスクパターンが所定の位置になるように、前記露光用マスクとなるマスクブランクス基板の上に描画されるパターンの位置補正データを生成する位置補正データ生成手段と、前記マスクブランクス基板の上に前記パターンを描画する描画手段であって、前記パターンに対応した描画データおよび前記位置補正データに基づいて、前記パターンの描画位置を補正しながら前記パターンを描画する描画手段とを具備してなり、前記マスクブランクス基板の枚数は複数であり、かつ、各マスクブランクス基板毎に、前記位置補正データ生成手段により前記位置補正データを生成し、前記描画手段により前記パターンを描画することを特徴とする。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板を含む基板上にレジストを塗布する工程と、前記基板の上方に、本発明に係る露光用マスクの製造方法により製造された露光用マスクを露光装置内に配置し、前記露光装置内のチャック手段により前記露光用マスクをチャックした状態で、前記露光用マスクを介して前記レジストに荷電ビームまたは光を照射した後、前記レジストを現像してレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングして、パターンを形成する工程とを含むことを特徴する。

本発明に係るマスクブランクス製品は、マスクパターンを含む露光用マスクとなるマスクブランク基板と、露光装置内のチャック手段によりチャックされた状態の前記露光用マスクの前記マスクパターンが所定の位置になるように、前記マスクブランクス基板の上に描画されるパターンの位置補正データが記録された記録媒体とを具備してなり、前記マスクブランク基板の枚数は複数であり、かつ、各マスクブランク基板毎に、前記位置補正データが前記記録媒体に記録されていることを特徴とする。

本発明に係る他のマスクブランクス製品は、マスクパターンを含む露光用マスクとなるマスクブランク基板と、露光装置内のチャック手段によりチャックされる際に生じる前記露光用マスクの平坦度変化量を予測した予測平坦度変化量データが記録された記録媒体とを具備してなり、前記マスクブランク基板の枚数は複数であり、かつ、各マスクブランク基板毎に、前記位置補正データが前記記録媒体に記録されていることを特徴とする。

本発明の上記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記載および添付図面によって明らかになるであろう。

本発明によれば、マスクパターンの位置ずれを防止できる露光用マスクの製造方法、描画装置、半導体装置の製造方法およびマスクブランクス製品を実現できるようになる。

以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクの製造工程から半導体デバイスの製造工程までの流れを示す図である。

本実施形態が従来と異なる点は、描画装置７を用いて、マスクブランクス基板５上にパターンを形成する際に、描画装置７に入力するデータとして従来から用いられている描画データ６に加えて、従来用いられていないデータ、つまり、パターン位置補正データ４も用いることにある。以下、本実施形態についてさらに説明する。

まず、フォトマスク（露光用マスク）となるマスクブランクス基板５と、ウェハ露光装置１０内のチャック手段（例えば真空チャック）でチャックされていない状態でのマスクブランクス基板５の平坦度測定データ（単体平坦度データ）１と、上記チャック手段でチャックされた状態でのマスクブランクス基板５の平坦度の予測データ（予測平坦度データ）２とを備えたマスクブランクス製品を、マスクブランクスメーカーから購入する。

マスクブランクス基板５は、６インチ角（１５２ｍｍ角）で厚さ約６ｍｍの石英基板（透明基板）と、この石英基板上に設けられたＡｒＦハーフトーン膜と、このＡｒＦハーフトーン膜上に設けられたＣｒ膜と、このＣｒ膜上に設けられた厚さ３００ｎｍの化学増幅レジストＦＥＰ−１７１とを備えている。

上記単体平坦度データは、例えば、Ｔｒｏｐｅｌ社のＵｌｔｒａＦｌａｔを用いて、マスクブランクス基板５の平坦度を測定して取得されたものである。ここでは、上記単体平坦度データは、１５０ｍｍ角領域で１ｍｍグリッドのマスク平坦度データとなっている。

次に、単体平坦度データ１と予測平坦度データ２を計算機３内に入力する。

計算機３は、単体平坦度データ１と予測平坦度データ２に基づいて、ウェハ露光装置１０内にマスクブランクス基板５をチャックした状態で、フォトマスク上のパターン（マスクパターン）の位置が所望の位置になるために必要な補正データ（パターン位置補正データ）４を生成する。

例えば、ウェハ露光装置１０内にフォトマスクをチャックする前後のパターンの位置ずれが、図１８に示したδである場合には、前記パターンを描画する際には、マスクブランクス基板５の位置を描画ビームに対して相対的にδだけ右側にずらすという内容を意味するデータを生成することになる。

チャック後にフォトマスク上の全パターンが所定の位置になるようにするためには、パターン位置補正データ４を生成する工程は、例えば、以下のようになる。

すなわち、パターン位置補正データ４を生成する工程は、単体平坦度データ１と予測平坦度データ２に基づいて、ウェハ露光装置１０内にチャックする前後におけるマスクブランクス基板５の平坦度の変化に係るデータ（マスク平坦度変化量データ）を算出する工程と、このマスク平坦度変化量データに基づいて、上記平坦度の変化により生じるマスクブランクス基板５上のパターンの位置歪マップ（マスクパターン位置歪マップ（１５０ｍｍ角））を生成する工程と、このマスクパターン位置歪マップに基づいて、上記マスクパターンが所望の位置になるために必要なマスクブランクス基板５の位置（マスクパターン位置）の変動量マップ（＝パターン位置補正データ４）を算出する工程とを含む。

パターン位置補正データ４は、例えば、マスクブランクス基板５を載置するとともに、マスクブランクス基板５をＸ−Ｙ方向に移動させるためのＸ−Ｙステージの位置座標（Ｘ−Ｙ座標）で与えられる。

次に、マスクブランクス基板５を描画装置（例えば電子ビーム描画装置ＥＢＭ４０００）７内にセットする。また、描画装置７にはパターン位置補正データ４と描画データ６が入力される。

次に、描画装置７を用いた描画プロセスを含む、マスク製造プロセス８が行われる。すなわち、描画装置７は、パターン位置補正データ４に基づいて、露光装置１０にチャックされた状態のフォトマスクのマスクパターンが所定の位置になるように、マスクブランクス基板５と電子ビームの相対的な位置を補正しながら、マスクブランクス基板５上に描画データ６に対応したパターンを描画する。その後、通常のＰＥＢ（post exposure bake）および現像処理を行ってレジストパターンを形成する。そして、このレジストパターンをマスクにして、エッチング装置（例えばＵＮＡＸＩＳ−Ｇ４）により、Ｃｒ膜とハーフトーン膜をエッチングする。このようにして、石英基板と、該石英基板５上に形成されたＣｒ膜とハーフトーン膜のパターンとを備えたマスク基板が形成される。

次に、上記レジストパターンを剥離し、上記マスク基板の欠陥検査および欠陥修正を行い、その後、上記マスク基板上にペリクルを貼り付けてフォトマスク９が得られる。

次に、ウェハ露光装置（例えばニコン社製ウェハ露光装置（S３０７））１０内にフォトマスク９をセットし、ウェハ上に塗布されたレジストを露光し、その後、現像処理等の通常のレジストプロセスを行って、レジストパターン１１を形成する。

上記ウェハは、既に素子や配線等のパターン（下地パターン）が形成されている場合もあるし、あるいはパターンが形成されていない場合もある。後者の場合、レジストパターン１１は、例えば、素子分離溝を形成するために使用される。

次に、レジストパターン１１をマスクにしてウェハをエッチングし、ウェハ上にデバイスパターン１２を形成する。デバイスパターン１２は、例えば、素子分離溝、トランジスタ、配線、電極、コンタクトホール等のパターンである。

上記の例では、フォトマスク９の枚数は一つとして説明したが、実際には、複数のフォトマスク９が生成される。したがって、複数の積層されたデバイスパターン１２が形成されることになる。

最上層のデバイスパターンとその下のデバイスパターン（下地パターン）との重ね合わせ精度の面内分布（チップ内６４箇所）をＫＬＡ社製の測定装置により測定した。その結果、従来のフォトマスクを用いた場合には２０ｎｍ（３σ）存在していた重ね合わせ誤差が、本実施形態を適用したフォトマスクを用いた場合には１２ｎｍ（３σ）と格段に減少できていることが確認できた。これにより、デバイス製造歩留まりが向上し、従来よりも安い価格かつ短い納期で半導体デバイスを供給することが可能になる。

（第２の実施形態）
図２は、本発明の第２の実施形態に係るフォトマスクの製造工程から半導体デバイスの製造工程までの流れを示す図である。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、構成や効果等の詳細な説明は省略する。

第１の実施形態では、マスクブランクス基板５と、単体平坦度データ１と、予測平坦度データ２とを備えたマスクブランクス製品を、マスクブランクスメーカーから購入した場合について説明した。

本実施形態では、マスクブランクス基板５と、単体平坦度データ１とを備えたマスクブランクス製品を、マスクブランクスメーカーから購入した場合について説明する。すなわち、予測平坦度データ２がマスクブランクスメーカーから供給されない場合について説明する。したがって、本実施形態の場合、マスクメーカー側で、予測平坦度データ２を生成することになる。

まず、本実施形態では、マスクメーカー側で、露光装置１０のチャック構造データ２ａを用意する。

チャック構造データ２ａとは、マスクブランクス基板５をチャックするチャック手段（例えば、真空チャック機構）に係るデータであって、マスクブランクス基板５をチャックする部分（チャック部）の構造に係る寸法データである。より詳細には、チャック部のうち、マスクブランクス基板５の変形（歪み）に影響を与える部分の寸法データである。

例えば、真空チャック機構の場合には、図１９に示すように、２つのチャック部３１間の距離Ｌ、チャック部３１の長さ、チャック部３１の幅Ｗ、チャック部３１の開口部（マスクブランクス基板５と接触しない部分）の幅Ｗ１、チャック部３１のマスクブランクス基板５と接触する部分の幅Ｗ２などがあげられる。

次に、単体平坦度データ１とチャック構造データ２ａを計算機３内に入力する。計算機３は単体平坦度データ１とチャック構造データ２ａに基づいてマスクブランクス基板５が露光装置１０でチャックされた状態の予測平坦度データを生成し、この予測平坦度データと単体平坦度データ１に基づいて、パターン位置補正データ４を生成する。

この後は、第１の実施形態と同じであり、また、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

（第３の実施形態）
図３は、本発明の第３の実施形態に係るフォトマスクの製造工程から半導体デバイスの製造工程までの流れを示す図である。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、構成や効果等の詳細な説明は省略する。

本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、マスクブランクス基板５と、マスク平坦度変化量データ２ｂとを備えたマスクブランクス製品を、マスクブランクスメーカーから購入することにある。計算機３はマスク平坦度変化量データ２ｂに基づいてパターン位置補正データを生成する。

第１の実施形態では、単体平坦度データ１と予測平坦度データ２からマスク平坦度変化量データを生成したが、本実施形態では、マスクブランクスメーカーからマスク平坦度変化量データ２ｂが予め与えられているので、パターン位置補正データを生成する工程が簡略化する。その他、第１の実施形態と同様の効果が得られる。

（第４の実施形態）
図４は、本発明の第４の実施形態に係るフォトマスクの製造工程から半導体デバイスの製造工程までの流れを示す図である。また、図５は、本実施形態の描画装置７ａを模式的に示す図である。なお、図１と対応する部分には図１と同一符号を付してあり、構成や効果等の詳細な説明は省略する。

本実施形態が第１の実施形態（図１）と異なる点は、パターン位置補正データ４を生成する手段を備えた描画装置７ａを用いていることにある。すなわち、描画装置７ａは、図５に示すように、単体平坦度データ１と予測平坦度データ２を用いて、パターン位置補正データ４を生成するためのパターン位置補正データ生成部１３ａと、パターン位置補正データ４と描画データ６に基づいて、マスクパターン位置を補正しながら、マスクブランクス基板５上にパターンを描画するためのパターン描画機構１４とを備えている。

パターン位置補正データ生成部１３ａは、パターン位置補正データ４を生成するための専用のハードウェハ、あるいは汎用の計算機（ＣＰＵ）と該計算機にパターン位置補正データを生成するための手順を実行させるためのプログラムとを備えたものである。

上記パターン位置補正データを生成するための手順は、予測平坦度データ２に基づいて平坦度変化量データを生成する手順と、上記平坦度変化量データと単体平坦度データに基づいてパターン位置補正データを生成する手順とを含む。

描画装置７ａ、例えば、描画装置メーカーにより製造される。

本実施形態でも第１の実施形態と同様の効果が得られる。

（第５の実施形態）
図６は、本発明の第５の実施形態に係るフォトマスクの製造工程から半導体デバイスの製造工程までの流れを示す図である。また、図７は、本実施形態の描画装置７ｂを模式的に示す図である。なお、図２と対応する部分には図２と同一符号を付してあり、構成や効果等の詳細な説明は省略する。

本実施形態が第２の実施形態（図２）と異なる点は、パターン位置補正データ４を生成する手段を備えた描画装置７ｂを用いていることにある。すなわち、描画装置７ｂは、図７に示すように、単体平坦度データ１とチャック構造データ２を用いて、パターン位置補正データ４を生成するためのパターン位置補正データ生成部１３ｂと、パターン位置補正データ４と描画データ６に基づいて、マスクパターン位置を補正しながら、マスクブランクス基板５上にパターンを描画するためのパターン描画機構１４とを備えている。

パターン位置補正データ生成部１３ｂは、パターン位置補正データ４を生成するための専用のハードウェハ、あるいは汎用の計算機（ＣＰＵ）と該計算機にパターン位置補正データを生成するための手順を実行させるためのプログラムとを備えたものである。

上記パターン位置補正データを生成するための手順は、チャック構造データに基づいて予測平坦度データ２を生成する手順と、予測平坦度データ２に基づいて平坦度変化量データを生成する手順と、上記平坦度変化量データと単体平坦度データ１に基づいてパターン位置補正データを生成する手順とを含む。

描画装置７ｂ、例えば、描画装置メーカーにより製造される。

本実施形態でも第２の実施形態と同様の効果が得られる。

（第６の実施形態）
図８は、本発明の第６の実施形態に係るフォトマスクの製造工程から半導体デバイスの製造工程までの流れを示す図である。また、図９は、本実施形態の描画装置７ｃを模式的に示す図である。なお、図３と対応する部分には図３と同一符号を付してあり、構成や効果等の詳細な説明は省略する。

本実施形態が第３の実施形態（図３）と異なる点は、パターン位置補正データ４を生成する手段を備えた描画装置７ｃを用いていることにある。すなわち、描画装置７ｃは、図９に示すように、平坦度変化量データ２ｂに基づいて、パターン位置補正データ４を生成するためのパターン位置補正データ生成部１３ｃと、パターン位置補正データ４と描画データ６に基づいて、マスクパターン位置を補正しながら、マスクブランクス基板５上にパターンを描画するためのパターン描画機構１４とを備えている。

パターン位置補正データ生成部１３ｃは、パターン位置補正データを生成するための専用のハードウェハ、あるいは汎用の計算機（ＣＰＵ）と該計算機にパターン位置補正データを生成するための手順を実行させるためのプログラムとを備えたものである。

描画装置７ｃは、例えば、描画装置メーカーにより製造される。

本実施形態でも第３の実施形態と同様の効果が得られる。

（第７の実施形態）
図１０は、本発明の第７の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図である。

本実施形態のマスクブランクス製品２０は、マスクブランクス基板５と、パターン位置補正データが記録された記録メディア４Ｍとを備えている。記録メディア４Ｍは、例えば、マスクブランクス基板５を収容した容器に貼られた無線ＩＣタグシールである。

マスクブランクス製品２０の生産および販売は、例えば、マスクブランクスメーカーが行う。単体平坦度データは、例えば、マスクブランクス製品２０を購入したマスクメーカーが用意するか、あるいはマスクブランクスメーカーから別途購入する。本実施形態のマスクブランクス製品２０は記録メディア４Ｍを備えているので、マスクブランクス製品２０を購入したマスクメーカーは、パターン位置補正データを生成する必要がなくなる。

（第８の実施形態）
図１１は、本発明の第８の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図である。なお、図１０と対応する部分には図１０と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ａは、マスクブランクス基板５と、単体平坦度データが記録された記録メディア１Ｍと、パターン位置補正データが記録された記録メディア４Ｍとを備えている。記録メディア１Ｍと記録メディア４Ｍは物理的に別なものでも良いし、あるいは物理的に同じものでも構わない。後者の場合、記録メディア１Ｍ，４Ｍは、例えば、マスクブランクス基板５を収容した容器に貼られた１枚の無線ＩＣタグシールである。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ａは記録メディア４Ｍを備えているので、マスクブランクス製品２０ａを購入したマスクメーカーは、パターン位置補正データを生成する必要がなくなる。

（第９の実施形態）
図１２は、本発明の第９の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図である。なお、図１０と対応する部分には図１０と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ｂは、マスクブランクス基板５と、予測平坦度データが記録された記録メディアＭ２と、パターン位置補正データが記録されたメディア４Ｍとを備えている。記録メディア２Ｍと記録メディア５Ｍは物理的に別なものでも良いし、あるいは物理的に同じものでも構わない。後者の場合、記録メディア２Ｍ，４Ｍは、例えば、マスクブランクス基板５を収容した容器に貼られた１枚の無線ＩＣタグシールである。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ａは記録メディア４Ｍを備えているので、マスクブランクス製品２０ａを購入したマスクメーカーは、パターン位置補正データを生成する必要がなくなる。

（第１０の実施形態）
図１３は、本発明の第１０の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図である。なお、図１０と対応する部分には図１０と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ｃは、マスクブランクス基板５と、単体平坦度データが記録された記録メディア１Ｍと、予測平坦度データが記録された記録メディアＭ２と、パターン位置補正データが記録された記録メディアＭ４とを備えている。記録メディア１Ｍと記録メディア２Ｍと記録メディア４Ｍは互いに物理的に別なものでも良いし、あるいは少なくとも二つが物理的に同じものでも構わない。全てが物理的に同じものであるの場合、記録メディア１Ｍ，２Ｍ，４Ｍは、例えば、マスクブランクス基板５を収容した容器に貼られた１枚の無線ＩＣタグシールである。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ｃは、マスクメーカー側で必要となるであろう各種メディア１Ｍ，２Ｍ，４Ｍを備えているので、マスクメーカーの負担を十分に軽減することが可能となる。

（第１１の実施形態）
図１４は、本発明の第１１の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図である。なお、図１０と対応する部分には図１０と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ｄは、マスクブランクス基板５と、露光装置内のチャック手段によりチャックされる際に生じる露光用マスクの平坦度変化量を予測した予測平坦度変化量データが記録された記録媒体Ｍ６とを備えている。記録媒体Ｍ６は、例えば、マスクブランクス基板５を収容した容器に貼られた無線ＩＣタグシールである。

マスクブランクス製品２０ｄの生産および販売は、例えば、マスクブランクスメーカーが行う。単体平坦度データは、例えば、マスクブランクス製品２０を購入したマスクメーカーが用意するか、あるいはマスクブランクスメーカーから別途購入する。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ｄは記録メディア６Ｍを備えているので、マスクブランクス製品２０ｄを購入したマスクメーカーは、予測平坦度変化量データを生成する必要がなくなる。

（第１２の実施形態）
図１５は、本発明の第１２の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図である。なお、図１４と対応する部分には図１４と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ｅは、マスクブランクス基板５と、単体平坦度データが記録された記録メディア１Ｍと、予測平坦度変化量データが記録された記録媒体Ｍ６とを備えている。記録メディア１Ｍと記録メディア６Ｍは物理的に別なものでも良いし、あるいは物理的に同じものでも構わない。後者の場合、記録メディア１Ｍ，６Ｍは、例えば、マスクブランクス基板５を収容した容器に貼られた１枚の無線ＩＣタグシールである。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ｅは記録メディア６Ｍを備えているので、マスクブランクス製品２０ｅを購入したメーカーは、予測平坦度変化量データを用意する必要がなくなる。

（第１３の実施形態）
図１６は、本発明の第１３の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図である。なお、図１４と対応する部分には図１４と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ｆは、マスクブランクス基板５と、予測平坦度データが記録された記録メディア２Ｍと、予測平坦度変化量データが記録された記録媒体６Ｍとを備えている。記録メディア２Ｍと記録メディア６Ｍは物理的に別なものでも良いし、あるいは物理的に同じものでも構わない。後者の場合、記録メディア２Ｍ，６Ｍは、例えば、マスクブランクス基板５を収容した容器に貼られた１枚の無線ＩＣタグシールである。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ｆは記録メディア６Ｍを備えているので、マスクブランクス製品２０ｆを購入したマスクメーカーは、予測平坦度変化量データを用意する必要がなくなる。

（第１４の実施形態）
図１７は、本発明の第１４の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図である。なお、図１５、図１６と対応する部分には図１５、図１６と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ｇは、マスクブランクス基板５と、単体平坦度データが記録された記録メディア１Ｍと、予測平坦度データが記録された記録メディア２Ｍと、予測平坦度変化量データが記録された記録媒体６Ｍとを備えている。記録メディア１Ｍと記録メディア２Ｍと記録メディア６Ｍは互いに物理的に別なものでも良いし、あるいは少なくとも二つが物理的に同じものでも構わない。全てが物理的に同じものである場合、記録メディア１Ｍ，２Ｍ，６Ｍは、例えば、マスクブランクス基板５を収容した容器に貼られた１枚の無線ＩＣタグシールである。

本実施形態のマスクブランクス製品２０ｇは、マスクメーカー側で必要となるであろう各種メディア１Ｍ，２Ｍ，６Ｍを備えているので、マスクメーカーの負担を十分に軽減することが可能となる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、ウェハ上のレジストをフォトマスクを介して光で露光する場合について説明したが、本発明は、ウエハ上のレジストを荷電ビーム用マスク（例えば電子ビーム露光用マスク）を介して荷電ビーム（例えば電子ビーム）で露光する場合にも適用できる。

また、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。

本発明の第１の実施形態に係るフォトマスクの製造工程から半導体デバイスの製造工程までの流れを示す図。 本発明の第２の実施形態に係るフォトマスクの製造工程から半導体デバイスの製造工程までの流れを示す図。 本発明の第３の実施形態に係るフォトマスクの製造工程から半導体デバイスの製造工程までの流れを示す図。 本発明の第４の実施形態に係るフォトマスクの製造工程から半導体デバイスの製造工程までの流れを示す図。 第４の実施形態の描画装置を模式的に示す図。 本発明の第５の実施形態に係るフォトマスクの製造工程から半導体デバイスの製造工程までの流れを示す図 第５の実施形態の描画装置を模式的に示す図。 本発明の第６の実施形態に係るフォトマスクの製造工程から半導体デバイスの製造工程までの流れを示す図。 第６の実施形態の描画装置を模式的に示す図。 本発明の第７の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図。 本発明の第８の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図。 本発明の第９の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図 本発明の第１０の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図。 本発明の第１１の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図。 本発明の第１２の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図。 本発明の第１３の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図。 本発明の第１４の実施形態に係るマスクブランクス製品を模式的に示す図。 従来の問題点を説明するための図。 真空チャック機構を説明するための図。

符号の説明

１…単体平坦度データ、１Ｍ…単体平坦度データを記録したメディア、２…予測平坦度データ、２Ｍ…予測平坦度データを記録したメディア、３…計算機、４…パターン位置補正データ、４Ｍ…パターン位置補正データを記録したメディア、５…マスクブランクス基板、６…描画データ、７，７ａ，７ｂ，７ｃ…描画装置、８…マスク製造プロセス、９…フォトマスク、１０…ウェハ露光装置、１１…レジストパターン、１２…デバイスパターン、１３ａ，１３ｂ，１３ｃ…パターン位置補正データ生成部、１４…描画装置機構、２０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ…マスクブランクス製品。

Claims (11)

1. 露光用マスクとなるマスクブランクス基板に係る平坦度変化量データであって、露光装置内のチャック手段により前記マスクブランクス基板をチャックすることで生じる、前記マスクブランクス基板の平坦度の変化に係る平坦度変化量データを、生成または準備する工程と、
   前記平坦度変化量データに基づいて、前記チャック手段により前記露光用マスクをチャックした状態で、前記露光用マスクのマスクパターンが所定の位置になるように、前記マスクブランクス基板の上に描画されるパターンの位置補正データを生成する工程と、
   前記マスクブランクス基板の上にパターンを描画する工程であって、前記パターンに対応した描画データおよび前記位置補正データを描画装置内に入力し、前記パターンの描画位置を補正しながら前記パターンを描画する工程と
   を含み、前記マスクブランクス基板の枚数は複数であり、かつ、各マスクブランクス基板毎に、前記三つの工程を行うことを特徴とする露光用マスクの製造方法。
2. 前記平坦度変化量データを生成または準備する工程において、前記平坦度変化量データを生成する場合、前記チャック手段によりチャックされていない状態の前記マスクブランクス基板の平坦度と前記チャック手段によりチャックされた状態の前記マスクブランクス基板の予測平坦度とを準備する工程と、前記マスクブランクス基板の前記平坦度と前記マスクブランクス基板の前記予測平坦度とに基づいて、前記平坦度変化量データを生成することを特徴とする請求項１に記載の露光用マスクの製造方法。
3. 前記平坦度変化量データを生成または準備する工程において、前記平坦度変化量データを生成する場合、前記チャック手段によりチャックされていない状態の前記マスクブランクス基板の平坦度と前記チャック手段に係るデータとを準備する工程と、前記マスクブランクス基板の平坦度と前記チャック手段に係るデータとに基づいて、前記平坦度変化量データを生成することを特徴とする請求項１に記載の露光用マスクの製造方法。
4. 露光装置内のチャック手段によりチャックした状態の露光用マスクのマスクパターンが所定の位置になるように、前記露光用マスクとなるマスクブランクス基板の上に描画されるパターンの位置補正データを生成する位置補正データ生成手段と、
   前記マスクブランクス基板の上に前記パターンを描画する描画手段であって、前記パターンに対応した描画データおよび前記位置補正データに基づいて、前記パターンの描画位置を補正しながら前記パターンを描画する描画手段と
   を具備してなり、前記マスクブランクス基板の枚数は複数であり、かつ、各マスクブランクス基板毎に、前記位置補正データ生成手段により前記位置補正データを生成し、前記描画手段により前記パターンを描画することを特徴とする描画装置。
5. 前記位置補正データ生成手段は、前記チャック手段によりチャックされていない状態の前記マスクブランクス基板の平坦度と前記チャック手段によりチャックされた状態の前記マスクブランクス基板の予測平坦度とに基づいて、前記位置補正データを生成することを特徴とする請求項４に記載の描画装置。
6. 前記位置補正データ生成手段は、前記チャック手段によりチャックされていない状態の前記マスクブランクス基板の平坦度と前記チャック手段に係るデータとに基づいて、平坦度変化量データを生成し、前記平坦度変化量データに基づいて、前記位置補正データを生成することを特徴とする請求項４に記載の描画装置。
7. 前記位置補正データ生成手段は、前記チャック手段により前記マスクブランクス基板をチャックすることで生じる、前記マスクブランクス基板の平坦度の変化に係る平坦度変化量データに基づいて、前記位置補正データを生成することを特徴とする請求項４に記載の描画装置。
8. 半導体基板を含む基板上にレジストを塗布する工程と、
   前記基板の上方に、請求項１ないし３のいずれか１項に記載の露光用マスクの製造方法により製造された露光用マスクを露光装置内に配置し、前記露光装置内のチャック手段により前記露光用マスクをチャックした状態で、前記露光用マスクを介して前記レジストに荷電ビームまたは光を照射した後、前記レジストを現像してレジストパターンを形成する工程と、
   前記レジストパターンをマスクにして前記基板をエッチングして、パターンを形成する工程と
   を含むことを特徴する半導体装置の製造方法。
9. マスクパターンを含む露光用マスクとなるマスクブランク基板と、
   露光装置内のチャック手段によりチャックされた状態の前記露光用マスクの前記マスクパターンが所定の位置になるように、前記マスクブランクス基板の上に描画されるパターンの位置補正データが記録された記録媒体と
   を具備してなり、前記マスクブランク基板の枚数は複数であり、かつ、各マスクブランク基板毎に、前記位置補正データが前記記録媒体に記録されていることを特徴とするマスクブランクス製品。
10. マスクパターンを含む露光用マスクとなるマスクブランク基板と、
    露光装置内のチャック手段によりチャックされる際に生じる前記露光用マスクの平坦度変化量を予測した予測平坦度変化量データが記録された記録媒体と
    を具備してなり、前記マスクブランク基板の枚数は複数であり、かつ、各マスクブランク基板毎に、前記位置補正データが前記記録媒体に記録されていることを特徴とするマスクブランクス製品。
11. 前記チャック手段によりチャックされていない状態の前記マスクブランクス基板の平坦度および前記チャック手段によりチャックされた状態の前記マスクブランクス基板の予測平坦度の少なくとも一方が記録された記録媒体をさらに備えていることを特徴とする請求項９または１０に記載のマスクブランクス製品。

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