JP2008151916A - 大型フォトマスク基板のリサイクル方法 - Google Patents

Abstract

【解決手段】使用済大型フォトマスク基板のパターン化遮光膜を除去して再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板を得る工程、
大型フォトマスク用素ガラス基板をサンドブラストを用いて表面加工する工程、
表面加工された大型フォトマスク用素ガラス基板を再研磨して再生大型フォトマスク用素ガラス基板を得る工程、
再生大型フォトマスク用素ガラス基板に遮光膜を塗付して再生大型フォトマスク用ブランクスを得る工程、
再生大型フォトマスク用ブランクスの遮光膜をマザーガラスの露光に適応させたパターンにパターン化して、再生フォトマスク基板を得る工程
を含む大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
【効果】本発明のリサイクル方法から形成される再生大型フォトマスク基板により、露光精度、重ね合わせ精度及び解像度が向上し、高精細な大型パネルの露光も可能となり、露光補正の負担を軽減させ、パネルの歩留まりを向上させる。
【選択図】なし

Description

本発明は、特にＴＦＴ液晶パネルのアレイ側のフォトマスク基板やカラーフィルター用フォトマスク基板として用いられる大型フォトマスク基板のリサイクル方法に関する。

一般的にＴＦＴ液晶パネルは、ＴＦＴ素子が組み込まれているアレイ側基板とカラーフィルターを装着した基板の間に液晶を封入し、電圧をＴＦＴでコントロールして液晶の配向を制御するアクティブ方法が採られている。

これまで液晶パネルはＶＧＡからＳＶＧＡ、ＸＧＡ、ＳＸＧＡ、ＵＸＧＡ、ＱＸＧＡと高精細化が進んでおり、１００ｐｐｉ（ｐｉｃｅｌ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）クラスから２００ｐｐｉクラスの精細度が必要といわれている。また、露光範囲が大きくなってきたこともあり、これに伴い露光精度や重ね合わせ精度は厳しくなってきている。

アレイ側の製造の際には、大型フォトマスクと呼ばれる回路の書かれた原版を露光により、無アルカリ等のマザーガラスに何層も焼き付けるという方法が採られている。一方、カラーフィルター側も同様に染料含浸法と呼ばれるリソグラフィー技術を用いた方法で製造されている。アレイ側、カラーフィルター側のいずれの製造においても大型フォトマスク基板が必要であり、精度のよい露光を実現するため、これら大型フォトマスク基板の材料としては線膨張係数の小さい合成石英ガラスが主として使用されている。

また、低温ポリシリコンという技術によりパネルを製造することも行われているが、この場合、パネルの画素とは別にガラスの外周部にドライバー回路等を焼付けるといった検討がなされ、より高精細の露光が要求されている。

このように高精度露光を実現させていくためには、基板の平坦度が重要である。実際に使用される状態を考慮した、つまり露光装置に支持した状態において高平坦な大型フォトマスク用基板が望ましい。

一方、大型フォトマスク基板は合成石英製であるため高価であるが、フォトマスクとして利用された後に不要になった場合に、別のマスクパターンを焼き付けて再生することができれば大きなコストメリットが得られる。

しかしながら、大型フォトマスク用基板を再利用するためには、連続的な露光やそのための搬送操作等の他、除膜処理によって不用意に発生した傷又は汚れを除去するために、再度研磨を行う必要がある。また、描画によってガラス内部にまで及んだ熱的歪みが残存し、これにより局部的に研磨レートが異なるようになり、結果として研磨によって石英ガラス表面に段差が生じてしまうこともあった。よって、更に上記歪み等を効率よく、少ない取り代で除去するような研磨条件を設定することが重要であった。

上記の大型フォトマスク用基板の再利用に関する操作は、再研磨の度に大型フォトマスク用基板の厚みを薄くさせるものである。大型フォトマスク用基板は薄くなれば、水平保持の際の自重変形量も多くなるため、ＴＦＴ液晶パネルのアレイ側又はカラーフィルター側基板用のマザーガラスとのプロキシミティギャップのバラツキが顕著になる。これは結果として露光精度を下げることにつながる。

本発明者らは、先に、対角長が５００ｍｍ以上の大型ガラス基板の水平保持した時の表面平坦度を、平坦度／対角長を４．８×１０^-5以下とし、平行度を５０μｍ以下にする方法を提案した（特許文献１：特開２００３−２９２３４６号公報、特許文献２：特開２００４−３５９５４４号公報）。
しかしながら、上記歪み等を効率よく、少ない取り代で除去するような研磨条件を設定し、大型フォトマスク基板を有効にリサイクルする方法については検討されていなかった。

特開２００３−２９２３４６号公報 特開２００４−３５９５４４号公報

本発明は、上記事情に鑑みなされたもので、リサイクル前の使用済大型フォトマスク基板から再生大型フォトマスク基板を効率よく、少ない取り代で得ることができる大型フォトマスク基板のリサイクル方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意検討を行った結果、使用済大型フォトマスク基板の表面及び厚みのバラツキ等の基板形状に影響されることなく、少ない取り代で再生フォトマスク基板を得ることができ、これにより露光装置内に取り付けられた状態で高平坦度になるフォトマスク基板を得ることに成功した。

即ち、再生後のフォトマスク基板を露光装置内に水平に保持する場合、基板チャック方法としては、基板の上面縁部を吸着（４辺支持又は２辺支持）する方法、あるいは基板の下面縁部を突状物で載置支持（通常、２辺支持）する方法があるが、いずれの方法においても、フォトマスク基板を水平保持すると、フォトマスク基板の自重により撓み変形し、この変形は、フォトマスク基板が大型化する程大きくなる。このような撓み変形は、フォトマスク基板の下側に配置されて露光されるマザーガラスと該フォトマスク基板とのプロキシミティギャップのバラツキを大きくし、露光精度に大きな悪影響を与える。

従来、このようなプロキシミティギャップのバラツキを低減する方法としては、上記のようにフォトマスク基板を露光装置内に保持する場合、例えば基板上面吸着の場合は基板上面縁部を上外側方にむかうような力を与えて基板中央付近の撓みを低減したり、基板下面支持の場合は、該基板支持部より外縁部側に上から力を与えて同様に基板中央部の撓みを低減することが行われていた。しかし、このように露光装置における基板の保持方法を工夫して露光装置側で補正し、プロキシミティギャップのバラツキを低減する方法は、その力の与え方の調整が面倒で手間を要する上、フォトマスク基板が大型化する程、大きな力が必要になり、その調整が困難になる。

一方、上記フォトマスク基板を形成するためのガラス基板を垂直保持時に平坦化したものを用いる方法は、フォトマスク基板乃至ガラス基板が対角長５００ｍｍ以上、特に８００ｍｍ以上、とりわけ１，８００ｍｍ以上に大型化した場合、有効に機能しないものであった。

即ち、ＴＦＴ液晶パネルのアレイ側用フォトマスク基板又はカラーフィルター側用フォトマスク基板を形成する対角長が５００ｍｍ以上、特に８００ｍｍ以上、とりわけ１，８００ｍｍ以上の大型ガラス基板の表裏面平坦度や平行度を測定するには、光干渉式手法で得られる干渉縞の本数を数える方法や、レーザー変位計を基板表裏面上で近接走査させる方法が知られている。ここで、測定時の基板の保持方法は、従来から垂直保持であるが、実際に使用される時は水平に保持されるのが一般的であった。このように表裏面平坦度や平行度を測定する際に基板を垂直保持するようになったのは、基板を水平にして基板が自重変形した状態で精度を測定することは困難であること、使用される露光装置内での基板の水平保持方法が多彩であること、実際に使用される時と同じ条件で平坦度を測定することも困難である等の理由による。なお、基板の撓み量は、基板の厚みの３乗に反比例するので、サイズが大きくなると共に基板厚みも増す方向で基板の大型化が進められてきており、撓み量の観点では、基板を垂直保持して通常測定される基板の平坦度が数十μｍ以下であっても、実際に露光されるときには数十又は数百μｍも自重によって大きく変形する可能性がある。基板が使用される所謂露光時の基板保持方法と基板の表裏面平坦度や平行度等の精度を測る時の保持方法が同一ならば、このような問題はないが、現状ではかかる方法で基板の表裏面平坦度及び平行度を精度よく測定する方法は開発されておらず、基板の表裏面平坦度及び平行度の測定は、特に基板が大型化する程、上述した基板の垂直保持での測定法に頼らざるを得ない。しかし、この測定法では、大型フォトマスク基板を露光装置内に取り付けた際の平坦度と大きな差が生じる。

例えば、現在供給されているＴＦＴ露光用大型フォトマスク用ガラス基板の平坦度についていえば、４５０×５５０×５ｍｍサイズの基板として、垂直保持の状態で測定して、平坦度／対角長＝６×１０^-6以下（平坦度：約４μｍ）が得られたとしても、水平４辺単純支持で基板を保持したとして材料力学的計算で予想される基板自重撓み量は平坦度／対角長＝４．７×１０^-5（平坦度：約３４μｍ）になるので、実質的に使用される水平時には平坦度は約３４μｍ前後ということになる。また、１，２２０×１，４００×１３ｍｍサイズの基板は、垂直保持の状態で測定して、平坦度／対角長＝６×１０^-6以下（平坦度：約１１μｍ）が得られたとしても、水平４辺単純支持で基板を保持したとして材料力学的計算で予想される基板自重撓み量は平坦度／対角長＝１．３×１０^-4（平坦度：約２４３μｍ）になるので、実質的に使用される水平時には平坦度は約２４３μｍ前後ということになる。そして、このような撓みの補正に関しては、上述したように、従来露光装置側で主に対策をとっていたが、基板の大型化に伴い次第に困難になってきた。

なお、本明細書において、基板表面を露光時のマザーガラス対向面側（下面）とし、表面平坦度といえばこの面についての平坦度であり、また裏面を露光時の上面と定めて記載する。

本発明者らは、このような大型フォトマスク基板のリサイクル方法について検討した結果、使用済みの大型フォトマスク基板の遮光膜を除去し、加工ツールとしてサンドブラストを用いて表面加工し、更にこれを再研磨して、大型フォトマスク用素ガラス基板を得、これに遮光膜を形成してフォトマスク用ブランクスを形成し、以下常法に従ってフォトマスク基板を得ることが有効であること、この場合、このように再生されたフォトマスク基板は、この再生フォトマスク基板の互いに対向する両側縁部を露光装置に支持してこの露光装置に取り付けると共に、この再生フォトマスク基板と近接してＴＦＴ液晶パネルのアレイ側又はカラーフィルター側基板用のマザーガラスを配置し、前記露光装置からの光を前記再生フォトマスク基板を通して前記マザーガラスに照射し、このマザーガラスを露光する方法に好適に使用されることを見出した。

そして、特に再生フォトマスク基板をこのような用途に用いる場合、使用済大型フォトマスク基板の遮光膜を除去することによって得られた再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板（被再生素ガラス基板）をサンドブラストで表面加工するに際して、被再生ガラス基板材料の両面の平坦度及び平行度をその被再生ガラス基板材料を垂直保持の状態（水平時の自重撓みが発生しない状態）で正確に測定し、その垂直保持状態で得られた表裏面の平坦度及び平行度の高さデータに基づく平坦化加工除去量（１）、該基板材料の板厚及びサイズと該基板材料から得られるフォトマスク基板を水平に支持した際の支持位置から計算される自重撓み量分を考慮して除去するべき量（２）、該フォトマスク基板を露光装置に支持する際に発生する該基板支持による基板変形を考慮して除去するべき量（３）、露光されるマザーガラスを支持する定盤の精度歪み分から計算される除去するべき量（４）、及び後工程の再研磨工程として例えば両面研磨又は片面研磨を行う場合、この研磨における平坦度の変化を予め考慮して除去すべき量（５）を総合して最終的に必要十分な表裏面の平坦化加工及び変形修正加工の量及び加工除去部分を算出し、加工ツール又は基板材料を基板材料の面方向に移動させて基板材料の両面を各々除去処理することが有効で、これにより、水平に保持した時に平坦度／対角長が４．８×１０^-5以下である対角長が５００ｍｍ以上、特に１，０００ｍｍ以上の再生大型ガラス基板を得ることができ、これによりこの大型ガラス基板から形成される再生フォトマスク基板を露光装置に支持した場合、ＴＦＴ液晶パネルのアレイ側又はカラーフィルター側基板用のマザーガラスとのプロキシミティギャップのバラツキが低減し、上述したような露光装置側での補正の必要がなくなり、あるいは補正が軽減されて、容易にプロキシミティギャップのバラツキをなくし得ることを知見したものである。

なお、本発明において、基板の平坦度は、被測定表面の最小２乗平面を基準面としたときの、基準面と被測定表面との距離の最大値（絶対値）と最小値（絶対値）との和であり、図１中のａとｂとの和で表される。この平坦度は、一般に「ＳＯＲＩ」と呼ばれる。一方、基板の平行度は、基板の裏面から表面までの距離の最大値と最小値との差であり、図２中のｃで表される。この平行度は、一般にＴＴＶ（Ｔｏｔａｌ Ｔｈｉｃｈｎｅｓｓ Ｖａｒｉａｔｉｏｎ）と呼ばれる。なお、図１中、１は基板、１１は被測定表面、１２は最小２乗平面、図２中、１は基板、１３は基板表面、１４は基板裏面である。

従って、本発明は、下記の大型フォトマスク基板のリサイクル方法を提供する。
請求項１：
（ｉ）使用済大型フォトマスク基板のパターン化遮光膜を除去して再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板を得る工程、
（ｉｉ）前記工程で得られた大型フォトマスク用素ガラス基板を加工ツールとしてサンドブラストを用いて表面加工する工程、
（ｉｉｉ）前記工程で得られた表面加工された大型フォトマスク用素ガラス基板を再研磨して再生大型フォトマスク用素ガラス基板を得る工程、
（ｉｖ）前記工程で得られた再生大型フォトマスク用素ガラス基板に遮光膜を塗付して再生大型フォトマスク用ブランクスを得る工程、
（ｖ）前記工程で得られた再生大型フォトマスク用ブランクスの前記遮光膜をマザーガラスの露光に適応させたパターンにパターン化して、再生フォトマスク基板を得る工程
を含む大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
請求項２：
前記再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板が、対角長が５００ｍｍ以上であり、厚さが３ｍｍ以上である請求項１記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
請求項３：
前記再生フォトマスク基板が、この再生フォトマスク基板の互いに対向する両側縁部を露光装置に支持してこの露光装置に取り付けると共に、この再生フォトマスク基板と近接してＴＦＴ液晶パネルのアレイ側又はカラーフィルター側基板用のマザーガラスを配置し、前記露光装置からの光を前記再生フォトマスク基板を通して前記マザーガラスに照射し、このマザーガラスを露光する方法において使用されるものであり、
前記（ｉｉ）のサンドブラストを用いて表面加工する工程が、対角長が５００ｍｍ以上であり、厚さが３ｍｍ以上の再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板を垂直保持した状態で得られた該素ガラス基板の表裏面の平坦度及び平行度の高さデータに基づく平坦化加工除去量、並びに、
前記再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板の板厚及びサイズと該素ガラス基板より得られる再生フォトマスク基板を水平に支持した際の支持位置から計算される自重撓み量分と、
前記再生フォトマスク基板を露光装置に支持する際に発生する再生フォトマスク基板支持による基板変形量分と、
露光されるマザーガラスを支持する定盤の精度歪み分と
から計算される変形修正加工量で前記再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板をサンドブラストにより加工除去して、垂直保持した際にマザーガラスに対向する側の表面が凹んだ断面円弧形状を有し、この大型フォトマスク用素ガラス基板から形成される再生フォトマスク基板がその互いに対向する両側縁部が前記露光装置に支持された際に水平に保持されて、前記マザーガラスとこの大型フォトマスク用素ガラス基板から形成される再生フォトマスク基板とのプロキシミティギャップのバラツキを低減する請求項２記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
請求項４：
前記（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）における取り代が、再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板の表裏面からそれぞれ最小２０μｍ以上である請求項１、２又は３記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
請求項５：
前記（ｉｉｉ）の再研磨工程が、１次研磨工程及び２次研磨工程からなる請求項１〜４のいずれか１項記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
請求項６：
１次研磨工程が、酸化セリウムを含む研磨スラリーを用いた請求項５記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
請求項７：
２次研磨工程が、酸化セリウムを含む研磨スラリー又はコロイダルシリカを含むスラリーを用いた請求項５又は６記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
請求項８：
前記再生大型フォトマスク基板が、水平保持した時に表面平坦度／対角長が４．８×１０^-5以下の表面平坦度を有するものである請求項１〜７のいずれか１項記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。

本発明の大型フォトマスク基板のリサイクル方法から形成される再生大型フォトマスク基板を用いることにより、露光精度、重ね合わせ精度及び解像度が向上し、高精細な大型パネルの露光も可能となる一方、露光補正の負担を軽減させ、パネルの歩留まりの向上にもつながる。また、従来からカラーフィルター側にしか使用できなかった、所謂プロキシミティータイプの露光装置であっても、従来は投影露光装置で対応されるのが一般的であったＴＦＴ用アレイ側に使用できたり、カラーフィルター側もＲ、Ｇ、Ｂに留まらずブラックマトリックスやフォトスペーサー用にもプロキシミティータイプの露光装置で対応できるというメリットが生まれる。

また、本発明に従った大型フォトマスク基板の作製においては、例えば基板を垂直に保持した場合、マザーガラス側の表面が凹状になった断面円弧状形状の大型フォトマスク基板が得られるが、このようなフォトマスク基板をリサイクルする場合、従来の単純な再研磨のみの場合ではリサイクル前の使用済大型フォトマスク基板の形状が残存するか又は少なくとも形状を任意に変化させることはできないが、サンドブラストを用いた場合、リサイクル前の使用済大型フォトマスク基板の形状に拘わらず、要求する大型フォトマスク基板に応じた所望の形状の大型フォトマスク基板を効率よく、少ない取り代で得ることができる。

更に、本発明のリサイクル方法により得られた再生大型フォトマスク基板を用いて露光すると、プロキシミティギャップを小さくできると共に、ギャップのバラツキを小さくすることができるため、プロキシミティギャップの制御を容易に行うことができる。これにより露光生産枚数を増加させることが可能となり、効率よく大型ガラス基板を露光することができる。
また、基板の再生回数を増やすことが可能になり、最終的に基板コストを下げることにもつながる。

また、本発明の再生大型ガラス基板から形成される再生フォトマスク基板を用いて投影露光した場合には、基板撓みによる光軸のズレ等の補正負担が軽減される。また、露光装置側でプロキシミティギャップ補正をほぼ不要にすることも可能となる。

本発明の大型フォトマスク基板のリサイクル方法は、特にＴＦＴ液晶パネルのアレイ側基板用やカラーフィルター側基板用として用いられるもので、対角長が５００ｍｍ以上、厚さが３ｍｍ以上の再生大型フォトマスク基板を得る方法として有効であり、下記方法に従うものである。

（ｉ）使用済大型フォトマスク基板のパターン化遮光膜を除去して再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板を得る工程、
（ｉｉ）前記工程で得られた大型フォトマスク用素ガラス基板を加工ツールとしてサンドブラストを用いて表面加工する工程、
（ｉｉｉ）前記工程で得られた表面加工された大型フォトマスク用素ガラス基板を再研磨して再生大型フォトマスク用素ガラス基板を得る工程、
（ｉｖ）前記工程で得られた再生大型フォトマスク用素ガラス基板に遮光膜を塗付して再生大型フォトマスク用ブランクスを得る工程、
（ｖ）前記工程で得られた再生大型フォトマスク用ブランクスの前記遮光膜をマザーガラスの露光に適応させたパターンにパターン化して、再生フォトマスク基板を得る工程
を含む。

＜遮光膜の除去＞
本発明の大型フォトマスク基板のリサイクル方法では、初めに使用済大型フォトマスク基板のパターン化された遮光膜を除去する。使用済大型フォトマスク基板には、通常クロム膜等からなるパターンが描かれている遮光膜が形成されており、リサイクルに際してはこの遮光膜を除去することが必要となる。
遮光膜の除去は、形成されている遮光膜材料によって適宜選定され、素ガラス基板を侵すことなく、遮光膜のみを除去し得るものが用いられる。
Ｃｒ，Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等の遮光膜の除去は、例えばＣｒの場合、硝酸第二セリウムアンモニウム（Ｃｅ（ＮＯ₃）₄・２ＮＨ₄ＮＯ₃）１３．７質量％、過塩素酸３．３質量％及び水からなる除去液に、Ｓｉの場合ＫＯＨを含む除去液に使用済大型フォトマスク基板を浸漬して行うことが好ましい。
次に、遮光膜が除去された再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板（被再生素ガラス基板）を加工ツールとしてサンドブラストを用いて表面加工する。

＜除去対象＞
基板の大型化に伴い、（１）再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料自体の平坦化加工除去量に加え、（２）再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料の板厚及びサイズと該再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料から形成される再生大型フォトマスク基板を水平に支持した際の支持位置から計算される自重撓み量分と、（３）この再生大型フォトマスク基板を露光装置に支持する際に発生する再生大型フォトマスク基板支持による基板変形量分と、（４）露光されるマザーガラスを支持する定盤の精度歪み分、更には（５）サンドブラスト加工後の再研磨による変化量を予め考慮して、再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料の加工を行うことが必要となる。なお、基板形状の測定は無重力状態が望ましいが、垂直状態で測定しても垂直時の基板自重変形量は、ここで作製される基板の精度には微細で無視できる。なお、基板材料のサイズは、基板材料の形状が正方形又は長方形の場合には、縦及び横の長さをいい、基板材料が円形の場合は直径をいう。

具体的には、本発明の再生大型フォトマスク用素ガラス基板の製造方法は、再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料の両面の平坦度及び平行度をその再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料を垂直保持の状態（水平時の自重撓みが発生しない状態）で正確に測定し、その垂直保持状態で得られた表裏面の平坦度及び平行度の高さデータに基づく平坦化加工により除去するべき量［（１）］、再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料の板厚及びサイズと該基板材料から得られる再生大型フォトマスク基板を露光装置に支持した際の支持位置から計算される自重撓み量分を予め考慮して除去するべき量［（２）］、再生大型フォトマスク基板を露光装置に支持する際に発生する基板支持による基板変形量分を考慮して除去するべき量［（３）］、露光されるマザーガラスを支持する定盤の精度歪み分を考慮して計算される除去するべき量［（４）］、及びサンドブラスト加工の後工程の再研磨として例えば両面研磨又は片面研磨を行う場合、この研磨における平坦度の変化を予め考慮して除去すべき量［（５）］の（１）〜（５）を総合して、最終的に必要十分な表裏面の除去量及び除去部分を算出する。なお、上記（２）、（３）、（４）の加工を総称して変形修正加工といい、（２）、（３）、（４）の加工除去量の合計を変形修正加工除去量という。

＜平坦化加工＞
まず、垂直保持状態で得られた表裏面の平坦度及び平行度の高さデータを基に除去するべき量について説明すると、原料となる再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料（板材）の平坦度測定及び平行度測定を行う。平坦度及び平行度の測定は、再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料（板材）の自重変形を除くため、垂直保持して例えば黒田精工社製フラットネステスター（ＦＴＴ−１５００）等を使用して行うことができる。
即ち、本発明の方法としては、まず原料となる板材である再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料（板材）の平坦加工すべき面、即ち両面の平坦度の測定を行う。また、再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料の平行度を考慮する場合は、両面の平坦度及び平行度の測定を行う。具体的には、まず、垂直保持状態で得られた表裏面の平坦度及び平行度の高さ（基板表裏面に垂直な方向）データを取得し、これに基づいて平坦化加工すべき面で計算される最小２乗平面を基準面とし、平坦化加工すべき面内で最も低い点に高さが合うように加工除去量を計算する。
以上のステップに基づいて該量を加工除去して平坦化加工及び後述する変形修正加工を行うことを、装置に命令を出し、コンピュータに実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体でシミュレーションを行うことができる。

＜自重撓み量分＞
次に、再生大型フォトマスク基板の自重撓み量分は、前記平坦化加工により得られると予測される計算によって求められた面を基準面として、再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料の板厚及びサイズと該基板材料から得られる再生大型フォトマスク基板を水平に支持した際の支持位置から材料力学的に計算される。なお、この場合の支持位置は、露光装置に支持した場合と同じ支持位置とする。

＜基板変形＞
また、露光装置内では再生大型フォトマスク基板がチャックされる際に変形するが、チャックされる部分の面積や形状又はチャック板の面精度、更に２辺支持や４辺支持の場合によっても変化量が異なる。いずれの状態も有限要素法を基本にシミュレーションすることは可能であるが、サンプルガラス基板材料を用いて実際に露光装置に支持した際の変化量を測定し、ここで得られた変化量に合うように加工すべきガラス基板材料における加工量を求めることが好ましい。

＜定盤の精度歪み＞
ＴＦＴ液晶パネルのアレイ側又はカラーフィルター側基板用のマザーガラスと再生大型フォトマスク基板表面との距離のバラツキ、所謂プロキシミティギャップは、露光装置の定盤自体の加工精度、定盤の組み立て精度、露光時の温度変形等を考慮して定盤の平坦度、即ち定盤の精度歪みの影響も受けるので、これらも考慮して変形修正加工除去量を決める。この場合も、サンプルガラス基板材料を実際に露光装置に支持すると共に、サンプルマザーガラスを定盤に載置したときのプロキシミティギャップのバラツキを測定し、ここで得られた測定値に合うように加工すべきガラス基板材料における加工量を求めることが好ましい。
実際には、プロキシミティギャップのバラツキから上記平坦化加工、自重撓み量分を考慮した加工量を差し引いた差分が、基板変形及び定盤精度歪みに基づく加工量に相当する。
なお、プロキシミティギャップの測定は、下方からレーザー変位計を用いることにより測定することができる。

＜サンドブラスト＞
上記した計算量に基づいて平坦化及び変形修正加工除去を行うに際し、加工ツールがサンドブラストの場合、測定したデータをもとに基板材料の多く除去する部分ではサンドブラストノズルの移動速度を遅くして滞留時間を長くする一方、多く除去しない部分では逆にサンドブラストノズルの移動速度を速くして滞留時間を短くするといったように滞在時間をコントロールして、加工を行うことができる。
また、ノズル移動速度、エアー圧力を一定にし、基板とサンドブラストノズル間の距離をコントロールすることでも加工可能である。これはサンドブラストノズルと基板材料面との距離が近い場合は加工速度が速く、遠い場合は加工速度が遅いという加工特性を利用したものである。
更には、ノズル移動速度は一定とし、サンドブラストノズルよりのエアー吹き付け圧力を除去するべき部分で大きくし、除去するべきところが少ない所では弱くするといった圧力コントロールでも目的は達成できる。
加工ツールがサンドブラストノズルの場合、図３の装置を用いて加工を行うことができる。ここで、図３中、２０は基板保持台、２１はサンドブラストノズルを示し、２２は砥粒の気流である。なお、１は基板である。

加工ツールは、Ｘ、Ｙ方向に任意に移動できる構造であり、移動についてはコンピュータで制御できるものである。また、Ｘ−θ機構でも加工は可能である。エアー圧力は、使用砥粒や加工ツール−基板間の距離と関係しており、一義的に決められず、除去速度と加工歪み深さをみて調整することができる。

使用する砥粒は特に制約はないが、＃６００〜＃３０００番のものが好ましい。＃６００より粒径の大きい砥粒では加工による加工歪み層が大きく、加工歪み層を除去するために後工程での取り代が大きくなり、元の板厚を厚くする必要があるため素材が多く必要となるので、経済的に不利になる場合がある。一方、＃３０００より粒径が小さい場合は、除去速度が遅くなることでサンドブラスト加工に時間がかかることになる場合が生じる。
なお、サンドブラストに用いる微粒子は、酸化セリウム、酸化珪素、酸化アルミニウム又は炭化珪素が好ましい。

＜再研磨＞
なお、サンドブラスト加工の後工程の再研磨における両面研磨又は片面研磨は、最終的に求められる面質、例えば面粗さをよくし、微細な欠陥がない面にするために行われるものである。また必要な取り代は、サンドブラストの加工歪み相当分以上あれば十分である。
仕上げ研磨は、基板材料の表面又は表裏両面を酸化セリウム等の研磨材を用いて柔らかい研磨クロス等を貼った両面研磨又は片面研磨装置等を用いて、常法によって行うことができる。
この場合、この再研磨工程は、１次研磨工程及び２次研磨工程の２工程を有することが、最終的な表面の面質及び総研磨時間の短縮の点から好ましく、１次研磨工程では、酸化セリウムを含む研磨スラリーを用いて研磨し、２次研磨工程では、酸化セリウムを含む研磨スラリー又はコロイダルシリカを含む研磨スラリーを用いて研磨することが好ましい。ここで、１次研磨スラリーの酸化セリウムの平均粒径は、光分散法による測定で０．７〜１．５μｍのものを用いることが好ましく、２次研磨スラリーの酸化セリウムの平均粒径が０．３〜０．９μｍで、１次研磨スラリーの酸化セリウムよりも細かい粒子のものを用いることが好ましい。また、コロイダルシリカとしては、平均粒径が０．１μｍ以下のものを用いることが好ましい。
なお、１次研磨では、不織布にウレタン樹脂が含浸された硬質パッドの他、ウレタン樹脂内及び表面に発泡を有する硬質ポリウレタン発泡パッド等が用いられる。一方、２次研磨では、パッド表面が柔らかい軟質ポリウレタン発泡パッド等が用いられる。
なお、実際の加工除去は、上記各要素から計算される除去量である（１）〜（５）を総合して得られる加工除去量を元に、加工ツール又は基板を基板面方向に移動させる速度（滞在時間）を変更させ、局所的に必要十分な量を基板材料の両面において各々加工ツールにより除去する。
ここで、上記サンドブラストによる表面加工工程及びその後の再研磨工程における合計取り代は、適宜選定し得、特に制限されるものではないが、再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板の表裏面からそれぞれ最小２０μｍ以上、特に３０μｍ以上である。その上限は、基板厚さ等にもよるが、通常は１，０００μｍ以下である。

＜基板の説明＞
上記の使用済フォトマスク基板から遮光膜を除去することにより得られた本発明の再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板は、対角長が５００ｍｍ以上、特に８００ｍｍ以上、とりわけ１，８００ｍｍ以上であり、厚さは３ｍｍ以上である。対角長の上限は特に制限はないが、通常、２，５００ｍｍ以下の寸法を有するものである。更に詳しく説明すると、対角長が８２５ｍｍ以下（５００〜８２５ｍｍ）の場合には厚さが３ｍｍ以上６ｍｍ未満であり、対角長が８００〜１，６５０ｍｍの場合には厚さが６〜１１ｍｍであり、対角長が１，８００〜２，１５０ｍｍの場合には厚さが９〜１６ｍｍであり、対角長が２，１５１〜３，０００ｍｍの場合には厚さが９〜２０ｍｍである。なお、この大型フォトマスク用素ガラス基板の形状は、正方形、長方形、円形等であってもよく、円形の場合、対角長とは直径を意味する。

本発明のサンドブラスト加工及び再研磨することによって得られた再生大型フォトマスク用素ガラス基板は、垂直保持した際にマザーガラスに対向する側の表面中央部が凹んだ、断面円弧形状になる。また、基板露光時の基板保持の状態において、即ち水平時において、その表面平坦度／対角長が４．８×１０^-5以下、好ましくは２．４×１０^-5以下、特に好ましくは１．２×１０^-5以下である。なお、その下限は特に制限されないが、通常２×１０^-6以上である。また裏面は、表面程の平坦度は要求されないため、特に制限はないが、裏面平坦度／対角長は、好ましくは４．８×１０^-5以下、更に好ましくは２．４×１０^-5以下である。また、その下限も制限されないが、通常２×１０^-6以上である。

本発明の再生大型フォトマスク用素ガラス基板の平行度は５０μｍ以下、特に１０μｍ以下であることが好ましい。５０μｍを超えると基板を露光装置に設置する場合に露光ギャップを少なくするための補正等の作業に負担が掛かる場合がある。

＜露光方法＞
次に、得られた再生大型フォトマスク用素ガラス基板を用いて露光する方法について述べる。通常のフォトマスクの製版工程とほぼ同様の方法により、スパッタ装置にて大型ガラス基板表面にクロム薄膜等の遮光膜を設け、フォトマスクブランクスを形成する。この遮光膜上に更にレジスト材料等の感光材を塗布し、電子ビーム装置により、描画露光して、これを現像してレジストパターンを形成する。その後、このレジストパターンをクロム薄膜等遮光膜のエッチング用のマスクとして、クロム膜等の遮光膜からなるパターンを作製する。

なお、本発明において、遮光膜は、マザーガラスをフォトマスク基板を介して露光する際、光の完全透過を阻害し得るいずれの膜をも意味し、不透明膜に限られず、半透明膜乃至ハーフトーン膜であってもよく、また遮光膜の材質はＣｒ，Ｓｉ，Ｗ，Ａｌ等が挙げられ、これらの金属酸化物からなる反射防止膜を有するものでもよく、更に一層構成に限られず、多層膜構成であってもよい。

上記の方法により得られた再生フォトマスク基板を基板ステージ上に水平に載せるが、フォトマスク基板の支持位置は、フォトマスク基板の表面又は裏面の端辺より数ｍｍ又は数ｃｍ内側に入ったところが一般的である。具体的にはフォトマスク基板を水平にした状態で上面の外周２辺又は４辺で行い、帯幅は４ｃｍで、アルミナセラミック等を使用して、例えば吸着、バキュームチャック等により行うことができる。セラミック板による固定の場合、セラミック板は剛直で、水平方向に自在にチルトできる構造になっていることが好ましく、吸着板の平坦度は５μｍ以下が好ましい。本発明により、基板の把持による変化量は予めプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体でシミュレーションを行うことができるからである。吸着板のチルト機構については必ずしも必要はなく、吸着板の精度の影響や基板の把持によって発生する応力による変化量も予めプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体でシミュレーションを行うことが可能で、またチルト角度による影響もシミュレーションできる。

また、フォトマスク基板の下側に設置される露光される側の所謂マザーガラスは、厚さ０．５〜１．２ｍｍで、かつ厚み誤差が１００μｍ以内のガラス板を用いることができる。なお、マザーガラスをチャックするステージは、平坦度を２０μｍ以内、好ましくは５μｍ以内に仕上げたものを使用することができる。

その後、フォトマスク基板とマザーガラスとの間隔（プロキシミティギャップ）を、レーザー変位計によりほぼ全域にわたって測定する。得られるプロキシミティギャップは、長辺各４ｃｍ幅以外の全域において、平均５０〜１００μｍであり、ギャップ誤差は０〜５０μｍ、好ましくは０〜１０μｍである。

なお、本発明の露光方法は、フォトマスク基板とマザーガラスとを非接触の状態で露光する露光方法なら、他の露光方法（ミラープロジェクション方式又はレンズプロジェクション方式）にも適用可能である。この場合、プロキシミティギャップではないが、これらの方式も従来からフォトマスク基板の自重撓みの補正を露光装置側で行っていたため、本発明のガラス基板から形成されるフォトマスク基板を使用することにより、当然露光装置側の補正負担が低減又は省略できる。

このように、本発明によれば、ガラス基板の厚みに対してそれぞれのガラス基板自重撓みを計算し、予め撓み分だけ逆に変形させた形状にするため、従来の問題を一挙に解決することができる。また、ガラス基板の厚みを従来より薄く作ることも可能である。例えば、８３０×９６０×１０ｍｍｔの自重撓み量は４辺単純支持の条件で材料力学的計算をすると８９μｍ、８３０×９６０×８ｍｍｔなら１３９μｍ、８３０×９６０×６ｍｍｔなら２４７μｍとなる。この撓み分だけ予め使用される面（露光時には下側になる面）を垂直時に凹形状に創生すれば水平時に高平坦になることになる。これは、薄い基板でも相当する撓み量を毎回計算し、その撓み量分だけ、予め逆方向に撓んだ形状にすることにより、事実上は露光装置に取り付けられる際に高平坦度の大型フォトマスク基板を得ることが可能であるということである。再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板は再加工、再研磨されるので必ず基板の厚みが再生前に比べて薄くなる。そして、その分だけ露光装置に取り付けられる際はより撓み易くなり、高平坦度の大型フォトマスク基板を得ることが困難である。本発明のリサイクル方法によれば、理論的には自重変形を考慮できる基板の厚みまで基板を再生することが可能である。よって、基板の再生回数を増やすことが可能になり、最終的に基板コストを下げることにもつながる。

また、本発明の再生大型フォトマスク用素ガラス基板から形成されるフォトマスク基板を用いて露光すると、プロキシミティギャップを小さくできると共に、均一化することができるため、プロキシミティギャップの制御を容易に行うことができる。これにより露光生産枚数を増加させることが可能となり、効率よくマザーガラスを露光することができる。更に、本発明の再生大型フォトマスク用素ガラス基板から形成される再生フォトマスク基板を用いて投影露光した場合には、基板撓みによる光軸のズレを補正する制御が容易になる。

以下、実施例と比較例を示し、本発明を具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に制限されるものではない。なお、以下の例で、平坦度は特にことわらない限り、表面平坦度を意味する。また、平坦度及び平行度の測定には、黒田精工社製のフラットネステスター（ＦＴＴ−１５００）を用い、基板材料を垂直に保持して行った。

［実施例１］
サイズ３３０×４５０ｍｍ（対角長：約５５８ｍｍ）、厚さ５．０ｍｍの使用済大型フォトマスク基板のクロム遮光膜を除去し、ガラス基板（原料基板）を準備した。除膜には、硝酸第二セリウムアンモニウム（Ｃｅ（ＮＯ₃）₄・２ＮＨ₄ＮＯ₃）１３．７質量％、過塩素酸３．３質量％及び水からなる除去液を用いた。
その後、基板材料（原料基板）の精度を垂直保持で測定した結果、表面平坦度が８μｍ（表面平坦度／対角長：１．４３×１０^-5）、裏面平坦度が８μｍ、平行度は８μｍであり、基板表面の中央部分が基準となる最小２乗平面に対して高い形状となっていた。
次に、この基板材料を水平保持した際の支持位置から材料力学的に計算される自重撓み量を算出する。そして、予めサンプルガラス基板材料を用いて実際に露光装置に支持した際の変化量と、このサンプルガラス基板材料とサンプルマザーガラスを定盤に載置したときのプロキシミティギャップのバラツキから基板変形及び定盤の精度歪みを考慮して、加工すべきガラス基板材料における加工量を求めた結果、垂直時における表面が１１μｍだけ凹になるように、同時に、裏面が１１μｍだけ凸になるように、更に上記垂直時に測定した表裏面の凹凸と厚みバラツキ量と、更にその後再研磨工程でおよそ両面で５０μｍ研磨除去する時に変化する平坦度及び平行度も併せて考慮し、各部分の必要十分な変形修正加工除去量を決定し、以下に示す加工ツールにて移動速度を除去量に応じて制御し、除去工程を実施した。

具体的には、この基板材料を図３に示す装置の基板保持台に装着した。この場合、装置は、加工ツールにエアーで加圧できる構造のものを使用した。また、加工ツール（サンドブラストノズル）はＸ、Ｙ軸方向に基板保持台に対して、ほぼ平行に移動できる構造となっている。砥粒は不二見研磨材（株）製ＦＯ＃８００を使用し、エアー圧力は０．１ＭＰａとした。サンドブラストノズルの突出口は１ｍｍ×４０ｍｍの長方形の形状をしたものを使用し、サンドブラストノズルと基板面との間隔は４０ｍｍとした。

加工方法は図４のようにＸ軸に平行にサンドブラストノズルを連続的に移動させ、Ｙ軸方向へは２０ｍｍピッチで移動させる方法を採った。この条件での加工速度は、予め測定して、３００μｍ／ｍｉｎであった。

サンドブラストノズルの移動速度は、再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料の片面及び表裏面の平坦度をその再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板材料を垂直保持の状態（水平時の自重撓みが発生しない状態）で正確に測定し、その垂直保持状態で得られた表裏面の平坦度及び平行度の高さデータを元に除去するべき平坦化加工量［（１）］、上記基板材料の板厚及びサイズと該基板材料より得られる再生大型フォトマスク基板を水平支持した際の支持位置から計算される自重撓み量分を予め考慮して除去するべき量［（２）］、上記再生大型フォトマスク基板を露光装置に支持する際に発生する再生大型フォトマスク基板支持による基板変形量分を予め考慮して除去するべき量［（３）］、露光されるマザーガラスを支持する定盤の精度歪み分を予め考慮して除去するべき量［（４）］、及びサンドブラスト加工の後工程の両面研磨又は片面研磨における平坦度の変化を予め考慮して除去すべき量［（５）］を総合的に鑑みて行ったが、基板形状で最も除去すべき量が少ない部分で５０ｍｍ／ｓｅｃとし、両面の処理を行った。

その後、サンドブラスト加工された大型フォトマスク用素ガラス基板の両面を両面研磨装置で再研磨した。具体的には、１次研磨は研磨クロスとして硬質ポリウレタン発泡パッドを、研磨剤として酸化セリウムを使用し、１５μｍの取り代をとった。次いで、２次研磨は研磨クロスとして軟質ポリウレタン発泡パッドを、研磨剤としてコロイダルシリカを使用して５μｍの取り代をとり、再研磨工程において基板表裏面をそれぞれ２０μｍずつ両面で４０μｍ研磨した。その後、基板表面の平坦度を測定したところ、１３μｍ（平坦度／対角長：２．３×１０^-5）のすり鉢状の形状であった。また、平行度は２μｍであった。これは例えば再生フォトマスク基板を水平に４辺自由支持で露光装置に保持した時には計算上表面平坦度が２μｍ（平坦度／対角長：３．６×１０^-6）になる。よって、水平保持で２μｍ（平坦度／対角長：３．６×１０^-6）の平坦度を持つ基板が得られたということになる。なお、平坦度と平行度の測定は黒田精工社製のフラットネステスターを使用した。

次に、得られた再生大型フォトマスク用素ガラス基板を通常のフォトマスク基板の製版工程とほぼ同様の方法により、スパッタ装置にて基板表面にクロム薄膜を設けた後、更にレジスト材料（感光材）を塗布し、電子ビーム装置により、描画露光して、これを現像してレジストパターンを形成した。その後、このレジストパターンをクロム薄膜のエッチング用のマスクとして、クロム薄膜からなるパターンを作製した。
上記フォトマスク基板を基板ステージ上に水平に載せた。基板の固定は基板を水平にした状態で上面の外周２辺で行い、固定の帯幅は４ｃｍで多孔質のセラミック板を使用して吸着により行った。セラミック板は剛直で、水平方向に自在にチルトできる構造になっており、吸着板の平坦度は１μｍであった。
一方、フォトマスクの下側に設置された露光される側の所謂マザーガラスをチャックするステージは平坦度を５μｍ以内に仕上げたものを使用し、厚さ０．７ｍｍで、かつ厚み誤差が２μｍ以内のサイズ３００×４００ｍｍのガラス板を載せた。
その後、再生大型フォトマスク基板とマザーガラスとの間隔（プロキシミティギャップ）をレーザー変位計によりほぼ全域にわたって測定した。得られたプロキシミティギャップは各辺より４ｃｍ以外の全域において、最大５３μｍ、最小４７μｍであり、ギャップ誤差は６μｍであった。

［実施例２］
使用済大型フォトマスク基板材料のサイズが５２０×８００ｍｍ（対角長：約９５４ｍｍ）、厚さが１０．０ｍｍのものを用いた以外は、実施例１と同じように処理した。
そして、プロキシミティギャップをレーザー変位計によりほぼ全域にわたって測定した。得られたプロキシミティギャップは各辺より各４ｃｍ以外の全域において、最大５８μｍ、最小４７μｍであり、ギャップ誤差は１１μｍであった。

［実施例３］
使用済大型フォトマスク基板のサイズが８５０×１，２００ｍｍ（対角長：約１，４７１ｍｍ）、厚さが１０．０ｍｍのものを用いた以外は、実施例１と同じように処理した。
そして、プロキシミティギャップをレーザー変位計によりほぼ全域にわたって測定した。得られたプロキシミティギャップは各辺より各４ｃｍ以外の全域において、最大５９μｍ、最小４７μｍであり、ギャップ誤差は１２μｍであった。

［実施例４］
使用済大型フォトマスク基板のサイズが１，２２０×１，４００ｍｍ（対角長：約１，８５７ｍｍ）、厚さが１３．０ｍｍのものを用いた以外は、実施例１と同じように処理した。
そして、プロキシミティギャップをレーザー変位計によりほぼ全域にわたって測定した。得られたプロキシミティギャップは各辺より各４ｃｍ以外の全域において、最大６１μｍ、最小４６μｍであり、ギャップ誤差は１５μｍであった。

［実施例５］
使用済大型フォトマスク基板のサイズが１，２２０×１，４００ｍｍ（対角長：約１，８５７ｍｍ）、厚さが８．０ｍｍのものを用いた以外は、実施例１と同じように処理した。
そして、プロキシミティギャップをレーザー変位計によりほぼ全域にわたって測定した。得られたプロキシミティギャップは各辺より各４ｃｍ以外の全域において、最大６１μｍ、最小４６μｍであり、ギャップ誤差は１５μｍであった。

［比較例１］
使用済大型フォトマスク基板のサイズを８５０×１，２００ｍｍ（対角長：約１，４７１ｍｍ）、厚さを１０．０ｍｍとし、上記自重撓み量分を予め考慮せず、実施例１と同様に、基板を両面研磨装置で基板表裏面をそれぞれ２０μｍずつ両面で４０μｍ研磨した。その後、平坦度を測定したところ、表面の平坦度は４μｍ（平坦度／対角長：２．７×１０^-6）であった。また、平行度は２μｍであり、得られた再生大型フォトマスク基板には局所的に段差が生じていた。
得られた値に更に計算で得られる自重撓みを加算した値は、約１９３μｍ（平坦度／対角長：１．３×１０^-4）の凸形状であった。
次に、得られたガラス基板から実施例１と同様にしてフォトマスク基板を作製し、得られたフォトマスク基板を実施例１と同様に露光装置に設置し、プロキシミティギャップをレーザー変位計によりほぼ全域にわたって測定した。得られたプロキシミティギャップは各辺より各４ｃｍ以外の全域において、最大３２０μｍ、最小１２０μｍであり、ギャップ誤差は２００μｍであった。
なお、上記で測定したプロキシミティギャップは、露光装置において補正は行っていない。

［比較例２］
使用済大型フォトマスク基板のサイズが１，２２０×１，４００ｍｍ（対角長：約１，８５７ｍｍ）、厚さが８．０ｍｍのものを用いた以外は、比較例１と同じように処理した。
その後、比較例１と同様に、両面を研磨し５０μｍの取り代を確認した後、平坦度を測定したところ、表面の平坦度は４μｍ（平坦度／対角長：２．２×１０^-6）であった。また、平行度は２μｍであった。
次に、得られたガラス基板から比較例１と同様にしてフォトマスク基板を作製し、得られたフォトマスク基板を比較例１と同様に露光装置に設置し、プロキシミティギャップをレーザー変位計によりほぼ全域にわたって測定した。得られたプロキシミティギャップは各辺より各４ｃｍ以外の全域において、最大１８０μｍ、最小１２０μｍであり、ギャップ誤差は６０μｍであった。
なお、上記で測定したプロキシミティギャップは、露光装置側においても補正して得られた値である。

上記実施例及び比較例の加工前と後の平坦度及び平行度の測定結果をまとめて表１に示す。

平坦度を説明するための基板断面の概念図である。 平行度を説明するための基板断面の概念図である。 加工装置の概要を示す斜視図である。 加工ツールにおける移動態様を示す斜視図である。

符号の説明

１ 基板
１１ 被測定表面
１２ 最小２乗平面
１３ 基板表面
１４ 基板裏面
２０ 基板保持台
２１ 加工ツール（サンドブラストノズル）
２２ 砥粒の気流

Claims (8)

1. （ｉ）使用済大型フォトマスク基板のパターン化遮光膜を除去して再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板を得る工程、
   （ｉｉ）前記工程で得られた大型フォトマスク用素ガラス基板を加工ツールとしてサンドブラストを用いて表面加工する工程、
   （ｉｉｉ）前記工程で得られた表面加工された大型フォトマスク用素ガラス基板を再研磨して再生大型フォトマスク用素ガラス基板を得る工程、
   （ｉｖ）前記工程で得られた再生大型フォトマスク用素ガラス基板に遮光膜を塗付して再生大型フォトマスク用ブランクスを得る工程、
   （ｖ）前記工程で得られた再生大型フォトマスク用ブランクスの前記遮光膜をマザーガラスの露光に適応させたパターンにパターン化して、再生フォトマスク基板を得る工程
   を含む大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
2. 前記再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板が、対角長が５００ｍｍ以上であり、厚さが３ｍｍ以上である請求項１記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
3. 前記再生フォトマスク基板が、この再生フォトマスク基板の互いに対向する両側縁部を露光装置に支持してこの露光装置に取り付けると共に、この再生フォトマスク基板と近接してＴＦＴ液晶パネルのアレイ側又はカラーフィルター側基板用のマザーガラスを配置し、前記露光装置からの光を前記再生フォトマスク基板を通して前記マザーガラスに照射し、このマザーガラスを露光する方法において使用されるものであり、
   前記（ｉｉ）のサンドブラストを用いて表面加工する工程が、対角長が５００ｍｍ以上であり、厚さが３ｍｍ以上の再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板を垂直保持した状態で得られた該素ガラス基板の表裏面の平坦度及び平行度の高さデータに基づく平坦化加工除去量、並びに、
   前記再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板の板厚及びサイズと該素ガラス基板より得られる再生フォトマスク基板を水平に支持した際の支持位置から計算される自重撓み量分と、
   前記再生フォトマスク基板を露光装置に支持する際に発生する再生フォトマスク基板支持による基板変形量分と、
   露光されるマザーガラスを支持する定盤の精度歪み分と
   から計算される変形修正加工量で前記再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板をサンドブラストにより加工除去して、垂直保持した際にマザーガラスに対向する側の表面が凹んだ断面円弧形状を有し、この大型フォトマスク用素ガラス基板から形成される再生フォトマスク基板がその互いに対向する両側縁部が前記露光装置に支持された際に水平に保持されて、前記マザーガラスとこの大型フォトマスク用素ガラス基板から形成される再生フォトマスク基板とのプロキシミティギャップのバラツキを低減する請求項２記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
4. 前記（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）における取り代が、再生すべき大型フォトマスク用素ガラス基板の表裏面からそれぞれ最小２０μｍ以上である請求項１、２又は３記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
5. 前記（ｉｉｉ）の再研磨工程が、１次研磨工程及び２次研磨工程からなる請求項１〜４のいずれか１項記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
6. １次研磨工程が、酸化セリウムを含む研磨スラリーを用いた請求項５記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
7. ２次研磨工程が、酸化セリウムを含む研磨スラリー又はコロイダルシリカを含むスラリーを用いた請求項５又は６記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。
8. 前記再生大型フォトマスク基板が、水平保持した時に表面平坦度／対角長が４．８×１０^-5以下の表面平坦度を有するものである請求項１〜７のいずれか１項記載の大型フォトマスク基板のリサイクル方法。

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