JP4340893B2 - 大型基板の製造方法 - Google Patents
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また、平面研削装置を使用して平坦度を向上させるということも一般的に行われている。
[I]予め対角長が500mm以上の大型フォトマスク用合成石英ガラス基板の平坦度及び平行度を該大型基板を垂直保持して測定し、そのデータを基に基板の凸部分及び厚い部分を#600〜#3000の粒径の砥粒をエアーによって吹き付けるサンドブラストにより部分的に除去して、上記大型基板の平坦度及び平行度を高める大型フォトマスク用合成石英ガラス基板の製造方法であって、前記平坦度及び平行度の測定データを基板内の各点での高さデータとしてコンピューターに記憶させ、このデータをもとに基板の表面及び裏面について最も凹んだ点に高さが合うようにサンドブラスト加工ツールの滞在時間を個々に計算した後、次にこのように平坦度加工した後の平行度を前記滞在時間より計算し、この計算値より基板の最も薄い部分に厚みが合うように前記加工ツールの滞在時間を計算し、これら3つの加工ツールの滞在時間の計算値より前記加工ツールの最終的な滞在時間を求め、これに基づいて両面の加工を行って、上記大型合成石英ガラス基板の表裏面の平坦度及び平行度を高めた後、最後に基板表面仕上げのためのポリッシュを行うことを特徴とする大型フォトマスク用合成石英ガラス基板の製造方法。
[II]基板の厚さが1〜20mmであり、上記サンドブラストにより基板の平坦度/基板対角長が6.0×10-6以下、平行度が10μm以下となるように上記大型基板の平坦度及び平行度を高める[I]記載の大型フォトマスク用合成石英ガラス基板の製造方法。
[III]基板及び/又はサンドブラスト加工ツールを移動させて、基板表面の任意の位置を除去することを特徴とする[I]又は[II]記載の大型フォトマスク用合成石英ガラス基板の製造方法。
本発明の大型基板は、特に合成石英ガラス基板であることが好ましく、これはフォトマスク基板、TFT液晶のアレイ側基板等として用いられるもので、対角長が500mm以上、好ましくは500〜2000mmの寸法を有するものである。なお、この大型基板の形状は、正方形、長方形、円形等であってよく、円形の場合、対角長とは直径を意味する。また、この大型基板の厚さは制限されるものではないが、1〜20mm、特に5〜12mmであることが好ましい。
なお、基板の平行度が悪い場合には、基板の表面、裏面について個々に計算した後、次に加工後の平行度を前記滞在時間より計算し、この計算値より基板の最も薄い部分に厚みが合うよう加工ツールの滞在時間を計算する。この3つの計算値より最終的な加工ツールの滞在時間を求め、加工ツールがサンドブラストの場合、サンドブラストノズルの移動速度を遅くしたり速くしたりして滞在時間をコントロールして、加工を行うことができる。
大きさ330×450mm(対角長:558mm)、厚さ5.3mmの合成石英基板を不二見研磨材(株)製GC#600を用いて、遊星運動を行う両面ラップ装置で加工を行い、原料基板を準備した。このときの原料基板精度は、平行度は3μm、平坦度は22μm(平坦度/対角長:39×10-6)であり、中央部分が高い形状となっていた。
なお、平行度及び平坦度の測定は、黒田精工社製フラットネステスター(FTT−1500)を使用した。
そして、この板を図3に示す装置の基板保持台に装着した。この場合、装置は、モーターに加工ツールを取り付け回転できる構造と加工ツールにエアーで加圧できる構造のものを使用した。また、加工ツールは、X,Y軸方向に基板保持台に対してほぼ平行に移動できる構造となっている。
加工ツールは、30.6cm2(外径80mmφ、内径50mmφ)のドーナツ状のレジンボンドダイヤモンド砥石#800を使用した。
次に、加工ツールの回転数2000rpm、加工圧力3kPaで被加工物上を移動させ、基板全面を加工した。このときクーラントとしてクレノートン社製クレカットを水に100倍に希釈して使用した。
加工方法は、図4において矢印のように、X軸に平行に加工ツールを連続的に移動させ、Y軸方向へは20mmピッチで移動させる方法を採った。この条件での加工速度は予め測定して、20μm/minであった。
加工ツールの移動速度は、基板形状で最も低い基板外周部で30mm/secとし、基板各部分での移動速度は基板各部分での加工ツールの必要滞在時間を求め、これから移動速度を計算して加工ツールを移動させ、両面の処理を行った。このときの加工時間は、100分であった。
その後、基板を両面ポリッシュ装置で50μmポリッシュ後、平坦度を測定したところ、3.2μm(平坦度/対角長:5.7×10-6)であった。このときのフラットネス測定装置は黒田精工社製のフラットネステスターを使用した。
参考例1と同様の合成石英基板を両面ポリッシュ機で50μmポリッシュする前に、外径80mm、内径50mmの加工ツールにセリウムパットを貼り付けたツールを用い、酸化セリウムを水に10重量%懸濁させたスラリーをかけながら加工を行った。この条件での加工速度は2μm/minであった。ツール移動条件はダイヤモンド砥石のツール移動条件と同様に決定した。このときの加工時間は、120分であった(合計220分)。その後、両面ポリッシュ装置で50μmポリッシュ後、平坦度を測定した結果、1.9μm(平坦度/対角長:3.4×10-6)であった。
研削用加工ツールを使用せず、加工ツールとしてセリウムパットだけを使用し、加工を実施した以外は、参考例1と同じように行った。
加工ツールを材質FCD450に5mmピッチで1mmの溝を切ったラップ定盤とし、ラップ材としてFO#1000を使用した以外は、参考例1と同じように行った。
加工ツールとしてGC#320番砥石を用いた以外は、参考例1と同じように行った。
加工ツールとしてWA#1000砥石を用いた以外は、参考例1と同じように行った。
基板サイズを大きさ520×800mm(対角長:954mm)、厚さ10.3mmとした以外は、参考例1と同じように行った。
基板サイズを参考例7と同様の520×800×10.3mmとした以外は、参考例2と同じように行った。
加工ツール形状を3.9cm2(外径30mmφ、内径20mmφ)とした以外は、参考例1と同じように行った。
加工ツール形状を50cm2(外径100mmφ、内径60mmφ)とした以外は、参考例1と同じように行った。
参考例1と同様の合成石英基板を参考例1と同様に基板保持台に装着し、サンドブラストノズルはX,Y軸方向に基板保持台に対して、ほぼ平行に移動できる構造となっている。砥粒は不二見研磨材(株)製FO#800を使用し、エアー圧力は0.1MPaとした。
サンドブラストノズルは1mm×40mmの長方形の形状をしたものを使用し、サンドブラストノズルと基板面との間隔は40mmとした。
加工方法は図4のようにX軸に平行にサンドブラストノズルを連続的に移動させ、Y軸方向へは20mmピッチで移動させる方法を採った。この条件での加工速度は、予め測定して、300μm/minであった。
サンドブラストノズルの移動速度は、基板形状で最も低い基板外周部で50mm/secとし、基板各部分での移動速度は加工速度から基板各部分でのサンドブラストノズルの必要滞在時間を求め、これから移動速度を計算し、ステージの移動により加工位置を移動させ、両面の処理を行った。
その後、基板を両面ポリッシュ装置で50μmポリッシュ後、平坦度を測定したところ、3.2μm(平坦度/対角長:5.7×10-6)であった。このときのフラットネス測定装置は、黒田精工社製のフラットネステスターを使用した。
砥粒を不二見研磨材(株)製GC#800とし、エアー圧力を0.08MPaとした以外は、実施例1と同じように行った。
砥粒をFO#600とし、エアー圧力を0.05MPaとした以外は、実施例1と同じように行った。
砥粒をGC#3000とし、エアー圧力を0.15MPaとした以外は、実施例1と同じように行った。
砥粒をFO#3000とし、エアー圧力を0.15MPaとした以外は、実施例1と同じように行った。
基板サイズを大きさ520×800mm(対角長:954mm)、厚さ10.4mmとした以外は、実施例1と同じように行った。
サンドブラストノズルと基板面との間隔を任意に制御可能な構造とし、X,Yステージのそれぞれの移動速度は10mm/secとした。
実施例1と同様に予め基板表面形状をコンピューターに記憶させておき、凸部分ではノズルと基板との距離を近くし、凹部分では距離を離すという制御を行った。サンドブラストノズルと基板面との距離は、30〜100mmの間で変動させた。なお、砥粒はFO#800を使用した。
大きさ330×450mm(対角長:558mm)、厚さ5.4mmの合成石英基板を準備した。このときの原料基板精度は、平行度は70μm、平坦度は40μmの形状となっていた。
なお、平行度及び平坦度の測定は、黒田精工社製フラットネステスター(FTT−1500)を使用した。
そして、この板を図3に示す装置の基板保持台に装着した。この場合、装置は、モーターに加工ツールを取り付け回転できる構造と加工ツールにエアーで加圧できる構造のものを使用した。また、加工ツールは、X,Y軸方向に基板保持台に対してほぼ平行に移動できる構造となっている。
加工ツールは、30.6cm2(外径80mmφ、内径50mmφ)のドーナツ状のレジンボンドダイヤモンド砥石#800を使用した。
次に、加工ツールの回転数2000rpm、加工圧力3kPaで被加工物上を移動させ、基板全面を加工した。このときクーラントとしてクレノートン社製クレカットを水に100倍に希釈して使用した。
加工方法は、図4において矢印のように、X軸に平行に加工ツールを連続的に移動させ、Y軸方向へは20mmピッチで移動させる方法を採った。この条件での加工速度は予め測定して、20μm/minであった。
加工ツールの移動速度は、基板形状で最も低い基板外周部で30mm/secとし、基板各部分での移動速度は基板各部分での加工ツールの必要滞在時間を求め、これから移動速度を計算して加工ツールを移動させ、両面の処理を行ったのち平坦度と平行度の測定を行った。このときの加工時間は、両面ラップでの平行度修正後、平坦度修正を行った場合の合計時間に対し80%の時間であった。
加工ツールを材質FCD450に5mmピッチで1mmの溝を切ったラップ定盤とし、ラップ材としてFO#1000を使用した以外は、参考例11と同じように行った。
基板サイズを大きさ520×800mm(対角長:954mm)、厚さ10.3mmとした以外は、参考例11と同じように行った。
参考例11と同様の合成石英基板を参考例11と同様に基板保持台に装着した。サンドブラストノズルはX,Y軸方向に基板保持台に対して、ほぼ平行に移動できる構造となっている。砥粒は不二見研磨材(株)製FO#800を使用し、エアー圧力は0.1MPaとした。
サンドブラストノズルは1mm×40mmの長方形の形状をしたものを使用し、サンドブラストノズルと基板面との間隔は40mmとした。
加工方法は図4のようにX軸に平行にサンドブラストノズルを連続的に移動させ、Y軸方向へは20mmピッチで移動させる方法を採った。この条件での加工速度は、予め測定して、300μm/minであった。
サンドブラストノズルの移動速度は、基板形状で最も速い部分(最も凹んだ部分)で50mm/secとし、基板各部分での移動速度は加工速度から基板各部分でのサンドブラストノズルの必要滞在時間を求め、これから移動速度を計算し、ステージの移動により加工位置を移動させ、両面の処理を行った。
砥粒を不二見研磨材(株)製GC#800とし、エアー圧力を0.08MPaとした以外は、実施例8と同じように行った。
砥粒をGC#3000とし、エアー圧力を0.15MPaとした以外は、実施例8と同じように行った。
基板サイズを大きさ520×800mm(対角長:954mm)、厚さ10.4mmとした以外は、実施例8と同じように行った。
基板サイズを大きさ700×1100mm(対角長:1304mm)、厚さ10.4mmとした以外は、実施例8と同じように行った。
参考例1と同様の合成基板を部分加工による精度修正を行わず、両面ラップ装置、両面研磨装置で加工し、ラップでは、不二見研磨材(株)製FO#1000を水に10重量%懸濁させ、ラップスラリーとして使用した。研磨では酸化セリウムを水に10重量%懸濁させ、研磨スラリーとして使用した。
基板サイズが大きさ520×800mm(対角長:954mm)、厚さ10.3mmの合成石英基板を使用した以外は、比較例1と同じように行った。
加工ツールとして63cm2(外径120mmφ、内径80mmφ)とした以外は、参考例1と同じように行った。
10 基板保持台
11 サンドブラストノズル
Claims (3)
- 予め対角長が500mm以上の大型フォトマスク用合成石英ガラス基板の平坦度及び平行度を該大型基板を垂直保持して測定し、そのデータを基に基板の凸部分及び厚い部分を#600〜#3000の粒径の砥粒をエアーによって吹き付けるサンドブラストにより部分的に除去して、上記大型基板の平坦度及び平行度を高める大型フォトマスク用合成石英ガラス基板の製造方法であって、前記平坦度及び平行度の測定データを基板内の各点での高さデータとしてコンピューターに記憶させ、このデータをもとに基板の表面及び裏面について最も凹んだ点に高さが合うようにサンドブラスト加工ツールの滞在時間を個々に計算した後、次にこのように平坦度加工した後の平行度を前記滞在時間より計算し、この計算値より基板の最も薄い部分に厚みが合うように前記加工ツールの滞在時間を計算し、これら3つの加工ツールの滞在時間の計算値より前記加工ツールの最終的な滞在時間を求め、これに基づいて両面の加工を行って、上記大型合成石英ガラス基板の表裏面の平坦度及び平行度を高めた後、最後に基板表面仕上げのためのポリッシュを行うことを特徴とする大型フォトマスク用合成石英ガラス基板の製造方法。
- 基板の厚さが1〜20mmであり、上記サンドブラストにより基板の平坦度/基板対角長が6.0×10-6以下、平行度が10μm以下となるように上記大型基板の平坦度及び平行度を高める請求項1記載の大型フォトマスク用合成石英ガラス基板の製造方法。
- 基板及び/又はサンドブラスト加工ツールを移動させて、基板表面の任意の位置を除去することを特徴とする請求項1又は2記載の大型フォトマスク用合成石英ガラス基板の製造方法。
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