RU2007146764A - Повторное использование крупноразмерной подложки фотошаблона - Google Patents

Повторное использование крупноразмерной подложки фотошаблона Download PDF

Info

Publication number
RU2007146764A
RU2007146764A RU2007146764/04A RU2007146764A RU2007146764A RU 2007146764 A RU2007146764 A RU 2007146764A RU 2007146764/04 A RU2007146764/04 A RU 2007146764/04A RU 2007146764 A RU2007146764 A RU 2007146764A RU 2007146764 A RU2007146764 A RU 2007146764A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
glass
preform
glass substrate
photomask
Prior art date
Application number
RU2007146764/04A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2458378C2 (ru
Inventor
Сухеи УЕДА (JP)
Сухеи УЕДА
Юкио СИБАНО (JP)
Юкио СИБАНО
Original Assignee
Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. (Jp)
Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. (Jp), Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. filed Critical Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. (Jp)
Publication of RU2007146764A publication Critical patent/RU2007146764A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2458378C2 publication Critical patent/RU2458378C2/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/62Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7034Leveling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/582Recycling of unreacted starting or intermediate materials

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

1. Способ повторного использования крупноразмерной подложки фотошаблона, содержащий этапы, на которых ! (i) удаляют трафаретную экранирующую свет пленку с использованной крупноразмерной подложки фотошаблона для предоставления заготовки крупноразмерной формирующей фотошаблон стеклянной подложки, которая должна восстанавливаться, ! (ii) повторно очищают поверхность заготовки стеклянной подложки с использованием технологического инструмента пескоструйной очистки, ! (iii) повторно полируют подвергнутую повторной очистке поверхности заготовку стеклянной подложки для получения восстановленной заготовки стеклянной подложки, ! (iv) накладывают экранирующую свет пленку на восстановленную заготовку стеклянной подложки, для получения восстановленной крупноразмерной формирующей фотошаблон необработанной подложки, и ! (v) обрабатывают экранирующую свет пленку необработанной подложки в трафарет, соответствующий требуемому экспонированию маточного стекла, для получения восстановленной подложки фотошаблона. ! 2. Способ по п.1, в котором заготовка стеклянной подложки, полученная после этапа (i), имеет длину диагонали, по меньшей мере, в 500 мм и толщину по меньшей мере в 3 мм. ! 3. Способ по п.2, в котором ! восстановленная подложка фотошаблона должна использоваться в технологическом процессе экспонирования маточного стекла, включающего в себя присоединение восстановленной подложки фотошаблона, имеющей противоположные стороны, к устройству экспонирования через крепление противоположных боковых кромок, размещение прилегающего к восстановленной подложке фотошаблона маточного стекла, служащего в качестве подложки сторо

Claims (9)

1. Способ повторного использования крупноразмерной подложки фотошаблона, содержащий этапы, на которых
(i) удаляют трафаретную экранирующую свет пленку с использованной крупноразмерной подложки фотошаблона для предоставления заготовки крупноразмерной формирующей фотошаблон стеклянной подложки, которая должна восстанавливаться,
(ii) повторно очищают поверхность заготовки стеклянной подложки с использованием технологического инструмента пескоструйной очистки,
(iii) повторно полируют подвергнутую повторной очистке поверхности заготовку стеклянной подложки для получения восстановленной заготовки стеклянной подложки,
(iv) накладывают экранирующую свет пленку на восстановленную заготовку стеклянной подложки, для получения восстановленной крупноразмерной формирующей фотошаблон необработанной подложки, и
(v) обрабатывают экранирующую свет пленку необработанной подложки в трафарет, соответствующий требуемому экспонированию маточного стекла, для получения восстановленной подложки фотошаблона.
2. Способ по п.1, в котором заготовка стеклянной подложки, полученная после этапа (i), имеет длину диагонали, по меньшей мере, в 500 мм и толщину по меньшей мере в 3 мм.
3. Способ по п.2, в котором
восстановленная подложка фотошаблона должна использоваться в технологическом процессе экспонирования маточного стекла, включающего в себя присоединение восстановленной подложки фотошаблона, имеющей противоположные стороны, к устройству экспонирования через крепление противоположных боковых кромок, размещение прилегающего к восстановленной подложке фотошаблона маточного стекла, служащего в качестве подложки стороны матрицы или стороны цветового фильтра в жидкокристаллической панели на TFT, и излучение света из устройства экспонирования на маточное стекло через восстановленную подложку фотошаблона,
упомянутый этап (ii) повторной очистки поверхности пескоструйной очисткой содержит этап, на котором обрабатывают заготовку крупноразмерной формирующей фотошаблон стеклянной подложки, имеющей переднюю и заднюю поверхности и длину диагонали по меньшей мере в 500 мм, а толщину по меньшей мере в 3 мм, удалением с нее (1) количества съема выравнивания материала на основании данных о высоте плоскостности и параллельности передней и задней поверхностей заготовки крупноразмерной стеклянной подложки при вертикальной ориентации, плюс количества исправляющего деформацию съема материала, посредством пескоструйной очистки,
количество исправляющего деформацию съема рассчитывается по (2) прогибу заготовки стеклянной подложки под своим собственным весом при горизонтальной ориентации, рассчитанному по толщине и размеру заготовки стеклянной подложки, и позиции крепления, когда восстановленная подложка фотошаблона поддерживается горизонтально, (3) деформации восстановленной подложки фотошаблона, вызванной креплением подложки фотошаблона, когда восстановленная подложка фотошаблона присоединяется к устройству экспонирования, и (4) искажению точности стола для крепления маточного стекла, которое должно экспонироваться,
восстановленная крупноразмерная стеклянная подложка, являющаяся следствием заготовки стеклянной подложки, имеет такую точную форму в поперечном сечении, что поверхность, которая должна быть находящейся напротив маточного стекла, вогнута, когда удерживается вертикально, и снижает разброс промежутка микрозазора между маточным стеклом и восстановленной подложкой фотошаблона, когда удерживается горизонтально, когда противоположные боковые кромки восстановленной подложки фотошаблона крепятся в устройстве экспонирования.
4. Способ по п.1, в котором количеством материала, удаляемого на этапах (ii) и (iii), является по меньшей мере 20 мкм, каждое с передней и задней поверхностей заготовки крупноразмерной формирующей фотошаблон стеклянной подложки, которая должна восстанавливаться.
5. Способ по п.1, в котором этап (iii) повторной полировки заключается в том, что осуществляют первичную полировку и вторичную полировку.
6. Способ по п.5, в котором этап первичной полировки использует полировочную суспензию, содержащую оксид церия.
7. Способ по п.5, в котором этап вторичной полировки использует полировочную суспензию, содержащую оксид церия, или суспензию, содержащую коллоидный кремнезем.
8. Способ по п.1, в котором восстановленная подложка фотошаблона имеет плоскостность поверхности, соответствующую отношению плоскостность/длина диагонали вплоть до 4,8×10-5 при горизонтальной ориентации.
9. Способ по п.3, в котором восстановленная подложка фотошаблона имеет плоскостность поверхности, соответствующую отношению плоскостность/длина диагонали вплоть до 4,8×10-5 при горизонтальной ориентации.
RU2007146764/28A 2006-12-15 2007-12-14 Повторное использование крупноразмерной подложки фотошаблона RU2458378C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-338344 2006-12-15
JP2006338344A JP2008151916A (ja) 2006-12-15 2006-12-15 大型フォトマスク基板のリサイクル方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007146764A true RU2007146764A (ru) 2009-06-20
RU2458378C2 RU2458378C2 (ru) 2012-08-10

Family

ID=39204774

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007146764/28A RU2458378C2 (ru) 2006-12-15 2007-12-14 Повторное использование крупноразмерной подложки фотошаблона

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7906256B2 (ru)
EP (1) EP1933204B1 (ru)
JP (1) JP2008151916A (ru)
KR (1) KR100973640B1 (ru)
CN (1) CN101246312B (ru)
MY (1) MY147937A (ru)
RU (1) RU2458378C2 (ru)
SG (1) SG144078A1 (ru)
TW (1) TWI432891B (ru)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4488822B2 (ja) * 2004-07-27 2010-06-23 株式会社東芝 露光用マスクの製造方法、露光装置、半導体装置の製造方法およびマスクブランクス製品
JP5503118B2 (ja) 2008-06-10 2014-05-28 日立マクセル株式会社 成形品の製造方法
JP5231918B2 (ja) * 2008-09-26 2013-07-10 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、及び両面研磨装置
JP5526895B2 (ja) * 2009-04-01 2014-06-18 信越化学工業株式会社 大型合成石英ガラス基板の製造方法
TWI494682B (zh) * 2009-11-18 2015-08-01 Hoya Corp 基板之再生方法、光罩基底之製造方法、附多層反射膜基板之製造方法及反射型光罩基底之製造方法
JP5569000B2 (ja) * 2010-01-20 2014-08-13 大日本印刷株式会社 フォトマスク用ガラス基板生成方法
JP5683930B2 (ja) * 2010-01-29 2015-03-11 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法
JP5578708B2 (ja) * 2010-04-19 2014-08-27 Hoya株式会社 Fpd製造用再生フォトマスク基板の製造方法、再生フォトマスク用ブランクの製造方法、ペリクル付再生フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法
JP5635839B2 (ja) * 2010-08-31 2014-12-03 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法及びマスクブランクの製造方法
JP5481755B2 (ja) * 2011-05-06 2014-04-23 レーザーテック株式会社 反り測定装置、及び反り測定方法
US9227295B2 (en) * 2011-05-27 2016-01-05 Corning Incorporated Non-polished glass wafer, thinning system and method for using the non-polished glass wafer to thin a semiconductor wafer
CN103084932B (zh) * 2011-11-01 2016-03-30 上海科秉电子科技有限公司 一种用于移动挡板的快速抛光方法
CN104620176B (zh) * 2012-09-26 2019-02-26 大日本印刷株式会社 玻璃再生处理方法、再生玻璃基板及使用其的光掩模坯料和光掩模
CN103941483B (zh) * 2014-04-23 2016-05-04 京东方科技集团股份有限公司 彩色滤光片柱状隔垫物形状矫正方法
KR101684572B1 (ko) * 2015-05-27 2016-12-08 티피에스 주식회사 포토 마스크 재생방법
JP6668066B2 (ja) * 2015-12-18 2020-03-18 Hoya株式会社 マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法
JP6618843B2 (ja) * 2016-03-24 2019-12-11 Hoya株式会社 フォトマスク用基板のリサイクル方法、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法
JP6803186B2 (ja) * 2016-09-30 2020-12-23 Hoya株式会社 マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法
JP7220980B2 (ja) * 2016-12-22 2023-02-13 Hoya株式会社 表示装置製造用のマスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及びマスクの製造方法
JP6819451B2 (ja) * 2017-05-08 2021-01-27 信越化学工業株式会社 大型合成石英ガラス基板並びにその評価方法及び製造方法
CN107953154B (zh) * 2017-12-27 2020-03-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 玻璃基板的研磨方法及研磨装置
CN108761858B (zh) * 2018-05-21 2020-11-27 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种掩膜版及液晶面板不良品再利用的方法
KR102400898B1 (ko) * 2018-07-19 2022-05-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 반도체용 기판 및 그의 제조 방법
CN109031883A (zh) * 2018-08-23 2018-12-18 苏州瑞而美光电科技有限公司 一种报废光刻掩膜版的回收处理方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6265115B1 (en) * 1999-03-15 2001-07-24 Corning Incorporated Projection lithography photomask blanks, preforms and methods of making
KR20010068561A (ko) 2000-01-06 2001-07-23 윤여선 마스크 재생방법
JP2002221801A (ja) * 2001-01-29 2002-08-09 Hitachi Ltd 配線基板の製造方法
JP3627805B2 (ja) * 2001-04-20 2005-03-09 信越化学工業株式会社 フォトマスク用ガラス基板及びその製造方法
JP2003145426A (ja) * 2001-11-19 2003-05-20 Mtc:Kk マスク用基板リサイクルのためのパターン除去方法およびそのパターン除去装置およびこれらでパターン除去されたマスク用基板
JP4340893B2 (ja) * 2002-01-31 2009-10-07 信越化学工業株式会社 大型基板の製造方法
JP4267333B2 (ja) * 2002-01-31 2009-05-27 信越化学工業株式会社 大型合成石英ガラス基板の製造方法
TWI250133B (en) * 2002-01-31 2006-03-01 Shinetsu Chemical Co Large-sized substrate and method of producing the same
KR101004525B1 (ko) * 2002-08-19 2010-12-31 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크용 글래스 기판 제조 방법, 마스크 블랭크제조방법, 전사 마스크 제조 방법, 반도체 디바이스제조방법, 마스크 블랭크용 글래스 기판, 마스크 블랭크,및 전사 마스크
CN100580549C (zh) * 2002-12-03 2010-01-13 Hoya株式会社 光掩模坯料和光掩膜
JP4234991B2 (ja) * 2002-12-26 2009-03-04 Hoya株式会社 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及びその製造方法によって製造される情報記録媒体用ガラス基板
FR2869823B1 (fr) * 2004-05-07 2007-08-03 Europ De Systemes Optiques Sa Procede et element de polissage de surface
KR100509396B1 (ko) * 2005-03-11 2005-08-18 (주)지피엠 포토마스크 재생 방법
US7608542B2 (en) * 2005-06-17 2009-10-27 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Large-size glass substrate for photomask and making method, computer-readable recording medium, and mother glass exposure method
JP4362732B2 (ja) * 2005-06-17 2009-11-11 信越化学工業株式会社 フォトマスク用大型ガラス基板及びその製造方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにマザーガラスの露光方法
US8461675B2 (en) * 2005-12-13 2013-06-11 Sandisk Technologies Inc. Substrate panel with plating bar structured to allow minimum kerf width
US20080125014A1 (en) * 2006-11-29 2008-05-29 William Rogers Rosch Sub-aperture deterministric finishing of high aspect ratio glass products

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008151916A (ja) 2008-07-03
KR100973640B1 (ko) 2010-08-02
SG144078A1 (en) 2008-07-29
EP1933204A3 (en) 2010-10-13
CN101246312B (zh) 2013-04-17
RU2458378C2 (ru) 2012-08-10
US7906256B2 (en) 2011-03-15
TWI432891B (zh) 2014-04-01
US20080145770A1 (en) 2008-06-19
MY147937A (en) 2013-02-15
EP1933204B1 (en) 2019-02-13
KR20080055720A (ko) 2008-06-19
CN101246312A (zh) 2008-08-20
TW200842495A (en) 2008-11-01
EP1933204A2 (en) 2008-06-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007146764A (ru) Повторное использование крупноразмерной подложки фотошаблона
JP4362732B2 (ja) フォトマスク用大型ガラス基板及びその製造方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにマザーガラスの露光方法
JP4839411B2 (ja) マスクブランク用基板、マスクブランクおよびフォトマスク
KR20010062562A (ko) 펠리클을 이용하는 리소그래피에 있어서의 로광방법,로광장치, 리소그래피용 페리클 및 그 페리클막의 휨완화방법
KR20030080190A (ko) 대형 기판 및 그 제조 방법
JP4812422B2 (ja) 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法
TW201214024A (en) Method of manufacturing a substrate for a recycled photomask, method of manufacturing a blank for a recycled photomask, recycled photomask and method of manufacturing the same, and pattern transfer method
KR100837041B1 (ko) 대형 합성 석영 유리 기판의 제조 방법
TWI506355B (zh) 光罩基板、光罩基板之製造方法、光罩基底、光罩、圖案轉印方法、液晶顯示裝置之製造方法及近接空隙評估方法
CN103207529B (zh) 曝光方法及曝光设备
JP2011164259A (ja) リソグラフィー用ペリクル
JP2013097236A (ja) 露光装置とそれを用いるカラーフィルタの製造方法
JP2005262432A (ja) 大型基板の製造方法
US8541149B2 (en) Method of adhering lithographic pellicle and adhering apparatus therefor
TH98891A (th) การรีไซเคิลของซับสเตรตของโฟโตมาส์กที่มีขนาดใหญ่
TH76171B (th) การรีไซเคิลของซับสเตรตของโฟโตมาส์กที่มีขนาดใหญ่
RU2340037C2 (ru) Стеклянная подложка большого размера для фотошаблона и способ изготовления, считываемая компьютером среда записи и способ экспонирования материнского стекла
TWI431413B (zh) 微影用防塵薄膜組件
KR200422733Y1 (ko) 페리클 프레임 가공용 분리형 고정지그
KR101434550B1 (ko) 펠리클 프레임 가공용 고정지그
KR100941762B1 (ko) 펠리클프레임 가공방법
KR20110119979A (ko) 펠리클의 오염 방지 방법 및 이를 적용한 검사 장치
JPS62270959A (ja) マスクフレ−ム
KR100567520B1 (ko) 디지털 이미지를 이용한 노광방법
KR20040057539A (ko) 펠리클을 구비한 포토 마스크

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20151215