RU2007146764A - Повторное использование крупноразмерной подложки фотошаблона - Google Patents
Повторное использование крупноразмерной подложки фотошаблона Download PDFInfo
- Publication number
- RU2007146764A RU2007146764A RU2007146764/04A RU2007146764A RU2007146764A RU 2007146764 A RU2007146764 A RU 2007146764A RU 2007146764/04 A RU2007146764/04 A RU 2007146764/04A RU 2007146764 A RU2007146764 A RU 2007146764A RU 2007146764 A RU2007146764 A RU 2007146764A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- glass
- preform
- glass substrate
- photomask
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7034—Leveling
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/582—Recycling of unreacted starting or intermediate materials
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
Abstract
1. Способ повторного использования крупноразмерной подложки фотошаблона, содержащий этапы, на которых ! (i) удаляют трафаретную экранирующую свет пленку с использованной крупноразмерной подложки фотошаблона для предоставления заготовки крупноразмерной формирующей фотошаблон стеклянной подложки, которая должна восстанавливаться, ! (ii) повторно очищают поверхность заготовки стеклянной подложки с использованием технологического инструмента пескоструйной очистки, ! (iii) повторно полируют подвергнутую повторной очистке поверхности заготовку стеклянной подложки для получения восстановленной заготовки стеклянной подложки, ! (iv) накладывают экранирующую свет пленку на восстановленную заготовку стеклянной подложки, для получения восстановленной крупноразмерной формирующей фотошаблон необработанной подложки, и ! (v) обрабатывают экранирующую свет пленку необработанной подложки в трафарет, соответствующий требуемому экспонированию маточного стекла, для получения восстановленной подложки фотошаблона. ! 2. Способ по п.1, в котором заготовка стеклянной подложки, полученная после этапа (i), имеет длину диагонали, по меньшей мере, в 500 мм и толщину по меньшей мере в 3 мм. ! 3. Способ по п.2, в котором ! восстановленная подложка фотошаблона должна использоваться в технологическом процессе экспонирования маточного стекла, включающего в себя присоединение восстановленной подложки фотошаблона, имеющей противоположные стороны, к устройству экспонирования через крепление противоположных боковых кромок, размещение прилегающего к восстановленной подложке фотошаблона маточного стекла, служащего в качестве подложки сторо
Claims (9)
1. Способ повторного использования крупноразмерной подложки фотошаблона, содержащий этапы, на которых
(i) удаляют трафаретную экранирующую свет пленку с использованной крупноразмерной подложки фотошаблона для предоставления заготовки крупноразмерной формирующей фотошаблон стеклянной подложки, которая должна восстанавливаться,
(ii) повторно очищают поверхность заготовки стеклянной подложки с использованием технологического инструмента пескоструйной очистки,
(iii) повторно полируют подвергнутую повторной очистке поверхности заготовку стеклянной подложки для получения восстановленной заготовки стеклянной подложки,
(iv) накладывают экранирующую свет пленку на восстановленную заготовку стеклянной подложки, для получения восстановленной крупноразмерной формирующей фотошаблон необработанной подложки, и
(v) обрабатывают экранирующую свет пленку необработанной подложки в трафарет, соответствующий требуемому экспонированию маточного стекла, для получения восстановленной подложки фотошаблона.
2. Способ по п.1, в котором заготовка стеклянной подложки, полученная после этапа (i), имеет длину диагонали, по меньшей мере, в 500 мм и толщину по меньшей мере в 3 мм.
3. Способ по п.2, в котором
восстановленная подложка фотошаблона должна использоваться в технологическом процессе экспонирования маточного стекла, включающего в себя присоединение восстановленной подложки фотошаблона, имеющей противоположные стороны, к устройству экспонирования через крепление противоположных боковых кромок, размещение прилегающего к восстановленной подложке фотошаблона маточного стекла, служащего в качестве подложки стороны матрицы или стороны цветового фильтра в жидкокристаллической панели на TFT, и излучение света из устройства экспонирования на маточное стекло через восстановленную подложку фотошаблона,
упомянутый этап (ii) повторной очистки поверхности пескоструйной очисткой содержит этап, на котором обрабатывают заготовку крупноразмерной формирующей фотошаблон стеклянной подложки, имеющей переднюю и заднюю поверхности и длину диагонали по меньшей мере в 500 мм, а толщину по меньшей мере в 3 мм, удалением с нее (1) количества съема выравнивания материала на основании данных о высоте плоскостности и параллельности передней и задней поверхностей заготовки крупноразмерной стеклянной подложки при вертикальной ориентации, плюс количества исправляющего деформацию съема материала, посредством пескоструйной очистки,
количество исправляющего деформацию съема рассчитывается по (2) прогибу заготовки стеклянной подложки под своим собственным весом при горизонтальной ориентации, рассчитанному по толщине и размеру заготовки стеклянной подложки, и позиции крепления, когда восстановленная подложка фотошаблона поддерживается горизонтально, (3) деформации восстановленной подложки фотошаблона, вызванной креплением подложки фотошаблона, когда восстановленная подложка фотошаблона присоединяется к устройству экспонирования, и (4) искажению точности стола для крепления маточного стекла, которое должно экспонироваться,
восстановленная крупноразмерная стеклянная подложка, являющаяся следствием заготовки стеклянной подложки, имеет такую точную форму в поперечном сечении, что поверхность, которая должна быть находящейся напротив маточного стекла, вогнута, когда удерживается вертикально, и снижает разброс промежутка микрозазора между маточным стеклом и восстановленной подложкой фотошаблона, когда удерживается горизонтально, когда противоположные боковые кромки восстановленной подложки фотошаблона крепятся в устройстве экспонирования.
4. Способ по п.1, в котором количеством материала, удаляемого на этапах (ii) и (iii), является по меньшей мере 20 мкм, каждое с передней и задней поверхностей заготовки крупноразмерной формирующей фотошаблон стеклянной подложки, которая должна восстанавливаться.
5. Способ по п.1, в котором этап (iii) повторной полировки заключается в том, что осуществляют первичную полировку и вторичную полировку.
6. Способ по п.5, в котором этап первичной полировки использует полировочную суспензию, содержащую оксид церия.
7. Способ по п.5, в котором этап вторичной полировки использует полировочную суспензию, содержащую оксид церия, или суспензию, содержащую коллоидный кремнезем.
8. Способ по п.1, в котором восстановленная подложка фотошаблона имеет плоскостность поверхности, соответствующую отношению плоскостность/длина диагонали вплоть до 4,8×10-5 при горизонтальной ориентации.
9. Способ по п.3, в котором восстановленная подложка фотошаблона имеет плоскостность поверхности, соответствующую отношению плоскостность/длина диагонали вплоть до 4,8×10-5 при горизонтальной ориентации.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006-338344 | 2006-12-15 | ||
JP2006338344A JP2008151916A (ja) | 2006-12-15 | 2006-12-15 | 大型フォトマスク基板のリサイクル方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2007146764A true RU2007146764A (ru) | 2009-06-20 |
RU2458378C2 RU2458378C2 (ru) | 2012-08-10 |
Family
ID=39204774
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2007146764/28A RU2458378C2 (ru) | 2006-12-15 | 2007-12-14 | Повторное использование крупноразмерной подложки фотошаблона |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7906256B2 (ru) |
EP (1) | EP1933204B1 (ru) |
JP (1) | JP2008151916A (ru) |
KR (1) | KR100973640B1 (ru) |
CN (1) | CN101246312B (ru) |
MY (1) | MY147937A (ru) |
RU (1) | RU2458378C2 (ru) |
SG (1) | SG144078A1 (ru) |
TW (1) | TWI432891B (ru) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4488822B2 (ja) * | 2004-07-27 | 2010-06-23 | 株式会社東芝 | 露光用マスクの製造方法、露光装置、半導体装置の製造方法およびマスクブランクス製品 |
JP5503118B2 (ja) | 2008-06-10 | 2014-05-28 | 日立マクセル株式会社 | 成形品の製造方法 |
JP5231918B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2013-07-10 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、及び両面研磨装置 |
JP5526895B2 (ja) * | 2009-04-01 | 2014-06-18 | 信越化学工業株式会社 | 大型合成石英ガラス基板の製造方法 |
TWI494682B (zh) * | 2009-11-18 | 2015-08-01 | Hoya Corp | 基板之再生方法、光罩基底之製造方法、附多層反射膜基板之製造方法及反射型光罩基底之製造方法 |
JP5569000B2 (ja) * | 2010-01-20 | 2014-08-13 | 大日本印刷株式会社 | フォトマスク用ガラス基板生成方法 |
JP5683930B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2015-03-11 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
JP5578708B2 (ja) * | 2010-04-19 | 2014-08-27 | Hoya株式会社 | Fpd製造用再生フォトマスク基板の製造方法、再生フォトマスク用ブランクの製造方法、ペリクル付再生フォトマスクの製造方法及びパターン転写方法 |
JP5635839B2 (ja) * | 2010-08-31 | 2014-12-03 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法及びマスクブランクの製造方法 |
JP5481755B2 (ja) * | 2011-05-06 | 2014-04-23 | レーザーテック株式会社 | 反り測定装置、及び反り測定方法 |
US9227295B2 (en) * | 2011-05-27 | 2016-01-05 | Corning Incorporated | Non-polished glass wafer, thinning system and method for using the non-polished glass wafer to thin a semiconductor wafer |
CN103084932B (zh) * | 2011-11-01 | 2016-03-30 | 上海科秉电子科技有限公司 | 一种用于移动挡板的快速抛光方法 |
CN104620176B (zh) * | 2012-09-26 | 2019-02-26 | 大日本印刷株式会社 | 玻璃再生处理方法、再生玻璃基板及使用其的光掩模坯料和光掩模 |
CN103941483B (zh) * | 2014-04-23 | 2016-05-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩色滤光片柱状隔垫物形状矫正方法 |
KR101684572B1 (ko) * | 2015-05-27 | 2016-12-08 | 티피에스 주식회사 | 포토 마스크 재생방법 |
JP6668066B2 (ja) * | 2015-12-18 | 2020-03-18 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法及び露光用マスクの製造方法 |
JP6618843B2 (ja) * | 2016-03-24 | 2019-12-11 | Hoya株式会社 | フォトマスク用基板のリサイクル方法、フォトマスク用基板の製造方法、フォトマスクブランクの製造方法、フォトマスクの製造方法、及びパターン転写方法 |
JP6803186B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-12-23 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、マスクブランク、転写用マスク及び半導体デバイスの製造方法 |
JP7220980B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2023-02-13 | Hoya株式会社 | 表示装置製造用のマスクブランク用基板の製造方法、マスクブランクの製造方法、及びマスクの製造方法 |
JP6819451B2 (ja) * | 2017-05-08 | 2021-01-27 | 信越化学工業株式会社 | 大型合成石英ガラス基板並びにその評価方法及び製造方法 |
CN107953154B (zh) * | 2017-12-27 | 2020-03-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 玻璃基板的研磨方法及研磨装置 |
CN108761858B (zh) * | 2018-05-21 | 2020-11-27 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种掩膜版及液晶面板不良品再利用的方法 |
KR102400898B1 (ko) * | 2018-07-19 | 2022-05-23 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 반도체용 기판 및 그의 제조 방법 |
CN109031883A (zh) * | 2018-08-23 | 2018-12-18 | 苏州瑞而美光电科技有限公司 | 一种报废光刻掩膜版的回收处理方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6265115B1 (en) * | 1999-03-15 | 2001-07-24 | Corning Incorporated | Projection lithography photomask blanks, preforms and methods of making |
KR20010068561A (ko) | 2000-01-06 | 2001-07-23 | 윤여선 | 마스크 재생방법 |
JP2002221801A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Hitachi Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP3627805B2 (ja) * | 2001-04-20 | 2005-03-09 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスク用ガラス基板及びその製造方法 |
JP2003145426A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-20 | Mtc:Kk | マスク用基板リサイクルのためのパターン除去方法およびそのパターン除去装置およびこれらでパターン除去されたマスク用基板 |
JP4340893B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2009-10-07 | 信越化学工業株式会社 | 大型基板の製造方法 |
JP4267333B2 (ja) * | 2002-01-31 | 2009-05-27 | 信越化学工業株式会社 | 大型合成石英ガラス基板の製造方法 |
TWI250133B (en) * | 2002-01-31 | 2006-03-01 | Shinetsu Chemical Co | Large-sized substrate and method of producing the same |
KR101004525B1 (ko) * | 2002-08-19 | 2010-12-31 | 호야 가부시키가이샤 | 마스크 블랭크용 글래스 기판 제조 방법, 마스크 블랭크제조방법, 전사 마스크 제조 방법, 반도체 디바이스제조방법, 마스크 블랭크용 글래스 기판, 마스크 블랭크,및 전사 마스크 |
CN100580549C (zh) * | 2002-12-03 | 2010-01-13 | Hoya株式会社 | 光掩模坯料和光掩膜 |
JP4234991B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2009-03-04 | Hoya株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及びその製造方法によって製造される情報記録媒体用ガラス基板 |
FR2869823B1 (fr) * | 2004-05-07 | 2007-08-03 | Europ De Systemes Optiques Sa | Procede et element de polissage de surface |
KR100509396B1 (ko) * | 2005-03-11 | 2005-08-18 | (주)지피엠 | 포토마스크 재생 방법 |
US7608542B2 (en) * | 2005-06-17 | 2009-10-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Large-size glass substrate for photomask and making method, computer-readable recording medium, and mother glass exposure method |
JP4362732B2 (ja) * | 2005-06-17 | 2009-11-11 | 信越化学工業株式会社 | フォトマスク用大型ガラス基板及びその製造方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにマザーガラスの露光方法 |
US8461675B2 (en) * | 2005-12-13 | 2013-06-11 | Sandisk Technologies Inc. | Substrate panel with plating bar structured to allow minimum kerf width |
US20080125014A1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-05-29 | William Rogers Rosch | Sub-aperture deterministric finishing of high aspect ratio glass products |
-
2006
- 2006-12-15 JP JP2006338344A patent/JP2008151916A/ja active Pending
-
2007
- 2007-12-07 MY MYPI20072194A patent/MY147937A/en unknown
- 2007-12-10 CN CN2007101691562A patent/CN101246312B/zh active Active
- 2007-12-13 SG SG200718658-8A patent/SG144078A1/en unknown
- 2007-12-13 US US12/000,542 patent/US7906256B2/en active Active
- 2007-12-14 RU RU2007146764/28A patent/RU2458378C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-12-14 TW TW096148073A patent/TWI432891B/zh active
- 2007-12-14 EP EP07254871.2A patent/EP1933204B1/en active Active
- 2007-12-14 KR KR1020070130677A patent/KR100973640B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008151916A (ja) | 2008-07-03 |
KR100973640B1 (ko) | 2010-08-02 |
SG144078A1 (en) | 2008-07-29 |
EP1933204A3 (en) | 2010-10-13 |
CN101246312B (zh) | 2013-04-17 |
RU2458378C2 (ru) | 2012-08-10 |
US7906256B2 (en) | 2011-03-15 |
TWI432891B (zh) | 2014-04-01 |
US20080145770A1 (en) | 2008-06-19 |
MY147937A (en) | 2013-02-15 |
EP1933204B1 (en) | 2019-02-13 |
KR20080055720A (ko) | 2008-06-19 |
CN101246312A (zh) | 2008-08-20 |
TW200842495A (en) | 2008-11-01 |
EP1933204A2 (en) | 2008-06-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2007146764A (ru) | Повторное использование крупноразмерной подложки фотошаблона | |
JP4362732B2 (ja) | フォトマスク用大型ガラス基板及びその製造方法、コンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びにマザーガラスの露光方法 | |
JP4839411B2 (ja) | マスクブランク用基板、マスクブランクおよびフォトマスク | |
KR20010062562A (ko) | 펠리클을 이용하는 리소그래피에 있어서의 로광방법,로광장치, 리소그래피용 페리클 및 그 페리클막의 휨완화방법 | |
KR20030080190A (ko) | 대형 기판 및 그 제조 방법 | |
JP4812422B2 (ja) | 露光装置、露光方法、及び表示用パネル基板の製造方法 | |
TW201214024A (en) | Method of manufacturing a substrate for a recycled photomask, method of manufacturing a blank for a recycled photomask, recycled photomask and method of manufacturing the same, and pattern transfer method | |
KR100837041B1 (ko) | 대형 합성 석영 유리 기판의 제조 방법 | |
TWI506355B (zh) | 光罩基板、光罩基板之製造方法、光罩基底、光罩、圖案轉印方法、液晶顯示裝置之製造方法及近接空隙評估方法 | |
CN103207529B (zh) | 曝光方法及曝光设备 | |
JP2011164259A (ja) | リソグラフィー用ペリクル | |
JP2013097236A (ja) | 露光装置とそれを用いるカラーフィルタの製造方法 | |
JP2005262432A (ja) | 大型基板の製造方法 | |
US8541149B2 (en) | Method of adhering lithographic pellicle and adhering apparatus therefor | |
TH98891A (th) | การรีไซเคิลของซับสเตรตของโฟโตมาส์กที่มีขนาดใหญ่ | |
TH76171B (th) | การรีไซเคิลของซับสเตรตของโฟโตมาส์กที่มีขนาดใหญ่ | |
RU2340037C2 (ru) | Стеклянная подложка большого размера для фотошаблона и способ изготовления, считываемая компьютером среда записи и способ экспонирования материнского стекла | |
TWI431413B (zh) | 微影用防塵薄膜組件 | |
KR200422733Y1 (ko) | 페리클 프레임 가공용 분리형 고정지그 | |
KR101434550B1 (ko) | 펠리클 프레임 가공용 고정지그 | |
KR100941762B1 (ko) | 펠리클프레임 가공방법 | |
KR20110119979A (ko) | 펠리클의 오염 방지 방법 및 이를 적용한 검사 장치 | |
JPS62270959A (ja) | マスクフレ−ム | |
KR100567520B1 (ko) | 디지털 이미지를 이용한 노광방법 | |
KR20040057539A (ko) | 펠리클을 구비한 포토 마스크 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20151215 |