JP2006039488A - マスクパターンデータ補正方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】補助パターン挿入前の描画データを用いて、レジストパターンを形成し、該レジストパターンの寸法を計測し、前記レジストパターンを設けたフォトマスクブランクをドライエッチングし、遮光膜パターンを形成し、該遮光膜パターンの寸法を計測し、前記レジストパターン寸法と前記遮光膜パターン寸法の差を算出し、前記算出したパターン寸法の差の1/2の値を一辺の寸法とする補助パターンを挿入した描画データを作成することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
デバイス製作には、設計パターン通りの微細なパターンを高精度でウェーハ上に転写する必要がある。しかしながら、デバイスパターンの微細化に伴い、設計パターン通りに形成したマスクパターンを用いても、マスクパターンをウェーハ上に転写する際の様々な要因によってマスクパターンからの線幅の乖離が生ずる場合がある。
そこで、マスクを用いた転写工程において、上記の光近接効果を低減し、パターンの矩形性を向上させるために、図6に示すように、フォトマスクのマスクパターン61上に形成される所望のパターンにおける角や辺等の所望の位置に、所望のパターンよりも微細でかつ所定形状を有する補助パターン62を所望のパターンと併せて形成する光近接効果補正(OPC:Optical Proximity Correction)という技術が用いられている(例えば、特許文献1、特許文献2、特許文献3参照。)。
しかし、特許文献1〜3に記載の光近接効果補正の技術は、いずれも半導体ウェーハ上にフォトマスクを用いてマスクパターンを光露光により転写する際において、ウェーハのフォトレジストに転写した場合の転写イメージ向上に関するマスクパターン補正に関する技術であって、上記のマスクパターン補正技術は、あくまでもマスクパターンが正確に形成されているという前提があっての技術である。
そこで、電子線等の荷電ビームによる描画時の描画条件を変えたり、補正することにより、正確なマスクパターンを得ようとする提案がされている(例えば、特許文献4、特許文献5参照。)。
また、本発明の補助パターン補正量は、レジスト現像後、および遮光膜ドライエッチング後のパターン寸法のシフト量により決定され、マスクパターンのサイズには依存しないことになり、パターン補正が容易になり、高精度マスクを低コストで製造することが可能となる。
さらに、本発明のマスクパターンデータ補正方法は、パターン寸法CDのシフト量で定義されるため、ブランク材料に依存せずに適用することが可能である。
図1は、本発明のマスクパターンデータ補正方法のステップを示すフローチャートである。
透明基板としては、光学研磨された低膨張ガラスや合成石英ガラス等が用いられ、遮光膜としては、クロム、クロムと低反射クロムの2層構造膜、他の遮光膜材料等が用いられ、本発明においては、マスク製造に通常用いられるマスクブランクが適用できる。
図2(a)は、矩形状レジストパターンのX、Y方向のレジストCD(レジストCDx;レジストCdy)を計測している状態を示す上面図であり、矩形内が開口部となっている場合を例示している。
レジストとしては、通常、フォトマスク製造に用いられるドライエッチング耐性のあるネガ型、ポジ型の電子線ジストが適用し得る。CD計測には、フォトマスク用の微小寸法測定装置が用いられる。
図2(b)は、矩形状遮光膜パターンのX、Y方向の遮光膜CD(遮光膜CDx;遮光膜Cdy)を計測している状態を示す上面図であり、矩形内が開口部となっている場合を示す。
ΔCD=遮光膜CD−レジストCD
を求める。通常、エッチング時にサイドエッチングが入るので、遮光膜CDの方がレジストCDよりも大きな値となる。
図2(c)は、矩形状レジストパターンと遮光膜パターンとを重ねた状態を示す上面図であり、両者のパターンの寸法差がΔCDである。
マスクパターンがコンタクトホールのような正方形パターンの場合には、X方向とY方向は対象であり、またドライエッチング時の寸法シフト量も、通常、X方向とY方向はほぼ同じなので、ΔCDとしては同じ数値を用いることが可能である。
上記のように、一辺の寸法をΔCD/2とした矩形状補助パターンを挿入した描画データを作成することにより、本発明による補助パターンを備えたマスクパターンデータ補正がなされる(図1のステップS5)。
本発明はマスクパターンデータ側を補正しているので、得られたフォトマスクには補助パターンの痕跡は全く認められず、矩形性の良いマスクパターンが得られるものである。
また、本発明の補助パターン補正量は、パターン寸法CDのシフト量により決定され、所望するマスクパターンのサイズには依存しないことになり、パターン補正が容易になり、高精度マスクを低コストで製造することが可能となる。
また、本発明のマスクパターンデータ補正方法は、位相シフトマスクにも適用することが可能である。
次に、露光後ベークを行なった後、レジスト専用の現像液で現像し、純水でリンスして、コンタクトホールのレジストパターンを形成した。
次に、マスク用微小寸法測定装置(HOLON社製:EMU−220)により上記のレジストパターンのCD(レジストCD;CDx,CDy)を測定したところ、Cdx、CDyともに400nmであった。
比較例として、補助パターンが挿入されていないデータ補正なしの描画データを用い、上記と同じ工程により、通常のフォトマスクを作製した。
面積率=コンタクトホールの面積/CDx×CDy
なお、本実施例および比較例とも、CDxはCDyと等しかった。
32 描画データとしての補助パターン
51 マスクパターン
52 直角の角
53 円弧状の角
54 半導体ウェーハ上のレジストパターン像
61 マスクパターン
62 補助パターン
Claims (4)
- フォトマスク製造時に、マスクパターン寸法の変動を補正するための補助パターンを備えたマスクパターンデータ補正方法において、
透明基板上に遮光膜を設けたフォトマスクブランク上にレジスト膜を形成し、補助パターン挿入前の描画データを用いて、前記レジスト膜を荷電ビームでパターン描画するステップと、
前記パターン描画したレジスト膜を現像してレジストパターンを形成し、該レジストパターンの寸法を計測するステップと、
前記レジストパターンを設けたフォトマスクブランクをドライエッチングし、前記レジストパターンを除去して遮光膜パターンを形成し、該遮光膜パターンの寸法を計測するステップと、
前記レジストパターン寸法と前記遮光膜パターン寸法の差を算出するステップと、
前記算出したパターン寸法の差の1/2の値を一辺の寸法とする補助パターンを挿入した描画データを作成するステップと、
を有することを特徴とするマスクパターンデータ補正方法。 - 前記マスクパターンが矩形状であり、前記補助パターンを挿入した描画データにおいて、前記マスクパターンの四隅の角に矩形状の補助パターンが設けられていることを特徴とする請求項1に記載のマスクパターンデータ補正方法。
- 前記矩形状の補助パターンが、前記マスクパターンの四隅の角と頂点で接していることを特徴とする請求項2に記載のマスクパターンデータ補正方法。
- 前記マスクパターンがコンタクトホールであることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載のマスクパターンデータ補正方法。
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