JPH08314121A

JPH08314121A - 荷電粒子線を用いた描画方法及びパターン形成方法

Info

Publication number: JPH08314121A
Application number: JP12111795A
Authority: JP
Inventors: Yasunari Hayata; 康成早田; Yasuhiro Someta; 恭宏染田; Yoshinori Nakayama; 義則中山; Hidetoshi Sato; 秀寿佐藤
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-05-19
Filing date: 1995-05-19
Publication date: 1996-11-29

Abstract

(57)【要約】【目的】電子ビーム描画、特に一括図形描画での高精
度なパターン形成を実現する。【構成】ウエハ上に描画したい図形の最小寸法に対応
するマスク上の寸法より小さい寸法の厚さを持つマスク
を用い、更にマスク上の開口形状がウエハ上に描画され
るパターン形状に対応するマスク上の形状と異なり、マ
スクにより散乱された電子がウエハ上に到達しないよう
に制限絞りを設ける。【効果】高精度なパターン形成が可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は荷電粒子線を用いた描画
方法及びパターン形成方法に係わり、特に一括図形照射
法を用いる描画方法及びパターン形成方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近の半導体集積回路は微細化、高集積
化が進んでおり、微細加工を実現するためのリソグラフ
ィ技術も装置の高精度化が進められている。さらなる微
細化、高精度化に伴い、従来用いられてきた光リソグラ
フィに変わり、電子線描画装置が用いられるようになっ
てきた。光リソグラフィに対する電子線描画装置の欠点
の一つとして、スループットの低さが挙げられる。これ
を克服するために一括図形照射法が開発されている。一
括図形照射法はマスクを作れば様々なパターンを効率良
く露光できる。更に、実際にウエハ上に形成した図形と
異なる形状の開口を用いることにより精度の良いパター
ン形成ができる。例えば中山等が特開平３−１７４７１
６で述べているように近接効果により描画パターンの劣
化が生じるために描画したいパターンの粗密に合わせて
マスク上の開口パターンを変形して描画している。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近接効果以外にも描画
パターンを劣化させる要因としてクーロン効果や電子線
鏡体の収差が有る。これに対しては上記従来技術である
描画したいパターンの粗密に合わせて開口を変形するだ
けでは不十分である。また、マスク上での開口の加工寸
法が小さくなるためマスクの加工が困難となる点に関し
ても考慮なされていない。

【０００４】

【課題を解決するための手段】上記課題は開口の角に補
正を加えることにより解決される。補正方法としてはマ
スク上の開口の外に開口を有する方法や開口の角を外に
広げた開口とする方法がある。

【０００５】また、散乱型一括図形照射法と組み合わせ
ることにより、より好ましい結果を得ることが出来る。
即ち、第１のマスクの開口像と第２のマスク上に形成さ
れた開口との複合像を試料上に結像する電子線描画装置
及び描画方法において、ウエハ上に描画したい図形の最
小寸法に対応するマスク上の寸法より小さい寸法の厚さ
を持つマスクを用い、更にマスク上の開口形状がウエハ
上に描画されるパターン形状に対応するマスク上の形状
と異なり、マスクにより散乱された電子がウエハ上に到
達しないように制限絞りを設ける。また、クーロン効果
や電子線鏡体の収差を考慮すると、マスク上のパターン
がウエハ上に描画される図形に対応するマスク上の領域
の外に開口を有することやマスク上の開口の最小寸法が
ウエハ上に描画される図形の最小寸法に対応するマスク
上の寸法より小さいことが有効である。これらと、矩形
の隅の周辺部に開口部を追加することでマスク上の開口
形状がウエハ上に描画されるパターン形状に対応するマ
スク上の形状と異なるマスクを用いること、ウエハ上に
描画したい図形に対応するマスク上の開口をそれより小
さな開口部に分割したマスクを用いること、マスク上の
開口形状がウエハ上に描画されるパターン形状に対応す
るマスク上の開口形状が開口密度の高いところを比較的
小さく、低いところを比較的大きくして形成されたマス
クを用いること等を組み合わせることにより精度の良い
描画が可能となる。

【０００６】

【作用】図１を用いて本発明の作用を説明する。電子銃
１から放出された電子は５０ｋＶに加速され第１マスク
２を直接照射し、第１マスクの像は２つの転写レンズ４
により第２マスク５上に投影される。第２マスクには散
乱体による開口が形成されている。図２に第２マスクの
構造を示す。描画寸法が装置の解像限界に近づくと矩形
開口のマスクでは矩形でなく丸いパターンが形成されて
しまう。このためにウエハ上に矩形パターンを形成する
ために矩形開口の角を変形することが有力である。変形
部の寸法はウエハ上に描画したい図形の最小寸法に対応
するマスク上の寸法の１／１０程度となる。精度良いド
ライエッチングを行なうためには寸法の１０倍が限度と
なるためにマスクの厚さは、ウエハ上に描画したい図形
の最小寸法に対応するマスク上の寸法以下が望ましい。
例えば０．２μｍの矩形を描画する際に、電子線鏡体の
縮小率を１／２５とすると、マスク上では５．０μｍの
開口となる。角を０．５μｍ寸法で変形するためにマス
クの厚みはその１０倍すなわち５．０μｍ以下とする必
要がある。すなわち、ウエハ上に描画したい図形の最小
寸法に対応するマスク上の寸法５．０μｍ以下である。
図２には上下より見た開口図形と０．５μｍ角の変形部
の断面図を示した。図３は同じ開口を従来の２０μｍ厚
（５０ｋＶの電子ビームを完全に遮断できるシリコンの
厚さ、すなわち飛程である）で製作したものである。断
面図より明らかなようにドライエッチングが途中から垂
直には進まず、マスクの下面に微細開口が到達していな
い。マスクを薄くすると５０ｋＶの電子は開口部は散乱
されるものの透過する。しかし、散乱電子は後段の制限
絞り９によって遮断が可能であるために、ウエハ１７上
で１０の４乗以上の十分高いコントラストを得ることが
できる。変形した矩形開口を用いて描画した結果、描画
パターンの角の丸みの径が０．１μｍから０．０２μｍ
となった。

【０００７】図４（ａ）に従来マスク、（ｂ）にクーロ
ン効果低減用マスクの開口パターンを示す。一括図形照
射法では微細なパターンを大電流で照射するためにクー
ロン効果による電子ビームの解像性の劣化が重要であ
る。これを、防止するためには電流量を減らす必要があ
るが、その一つの方法が図４のクーロン効果低減用マス
クである。この方法はマスク上の開口をウエハ面上で電
子線鏡体の解像度より小さくなる開口に分割し、描画さ
れるパターンを同じくしながらマスクの開口面積を小さ
くできる。図４では開口面積は１／２となっている。一
括図形の大きさを小さくすることでも開口面積を小さく
することができるが一括図形の大きさを小さくするとウ
エハ上での電子ビームの移動回数が増加するために得策
ではない。図４のマスクでは最小寸法はマスク上で０．
５μｍでありマスクの厚さはその１０倍以下の３．０μ
ｍである。また、微小な開口では設計寸法と出来上がり
の寸法が異なる。マスクを透過し、ステージ上に到達す
る電流量をモニターすることにより微小な開口の寸法を
予測することが可能なためこの電流量に従って露光時間
を決めれば適正な露光量を得ることが出来る。

【０００８】更に図５（ａ）に従来マスク、（ｂ）に近
接効果補正用マスクの開口パターンを示す。近接効果補
正用マスクでは開口密度の高いところ（図の右側）では
小さい開口に分割して開口密度を低減している。これに
より開口密度を平均化し、近接効果の補正ができる。最
小寸法は１μｍ（ウエハ上での幅０．０４μｍ）であり
マスクの厚さはその１０倍以下の２μｍである。

【０００９】

【実施例】

実施例１図６に本実施例での装置構成を示す。第１マスク１に１
５０μｍ角の矩形開口を設け、矩形像を第２マスク５上
に形成する。第２マスク５はシリコンからなり図７に示
すように１２５μｍの矩形開口３４の周囲に５つの一括
図形用の開口３３がある。本実施例での一括図形開口を
従来の開口と比較して図８に示す。図８の（ａ）が従来
例（ｂ）が変形マスクである。これらの開口は図形選択
偏向器１８により選択される。第２マスク上にはこうし
た開口群３２が２５個存在し開口群はマスクステージの
移動により選択される。第２マスクを透過した電子は２
段の縮小レンズ８により縮小され最終的に対物レンズ１
４によりウエハ上に結像する。縮小率は１／２５であ
る。ウエハ１７はステージ１６により搬入搬出を行う。
ウエハ以外にもカセットを変えることによりレチクルの
描画も可能である。図８に示すように一括図形は変形し
たコンタクトホール用の２５個の矩形パターンである。
ウエハ上で０．２μｍの矩形ホールを形成するために、
マスク上には５μｍ角の矩形開口を形成する必要があ
る。しかし、矩形開口を用いて描画すると装置の解像度
が有限であるために（本装置の電子ビームの収差は０．
１５μｍである）小さい矩形の転写パターンは角が丸く
なる。これはコンタクト抵抗を低下させるために電子回
路の動作速度の低下要因となる。本実施例では５μｍ角
矩形の角に０．５μｍ角の矩形を付加した。また、０．
５μｍ角の矩形の開口を製作するためにマスクの厚さを
３μｍとした。３μｍのシリコン内で散乱、透過した電
子は大きな角度をもってマスクを透過するために縮小レ
ンズの下に設けた制限絞り９で遮断されウエハ上に到達
しない。制限絞りは第２マスクの下方であればどこに設
置してもよいが、散乱角が拡大される縮小レンズ以降が
良い。制限絞りの径は１ｍｍである。０．３μｍ厚レジ
ストを用いたところ０．２μｍ角を角の丸み０．０３μ
ｍ以下で形成することが出来た。図９（ａ）〜（ｄ）は
その工程を示す素子の断面図である。Ｎマイナスシリコ
ン基板４５に通常の方法でＰウエル層４６、Ｐ層４７、
フィールド酸化膜４８、多結晶シリコン／シリコン酸化
膜ゲート４９、Ｐ高濃度拡散層５０、Ｎ高濃度拡散層５
１、などを形成した（図６A)。次に通常の方法でリンガ
ラス（ＰＳＧ）の絶縁膜２２を被着した。その上に電子
線レジスト５３を塗布し、本発明の変形マスクを用いた
方法によりホールパタン５４を形成した（図６Ｂ)。次
に電子線レジストをマスクにして絶縁膜５２をドライエ
ッチングしてコンタクトホール５５を形成した（図６
Ｃ）。次に、通常の方法でＷ／ＴｉＮ電極配線５６を形
成し、次に層間絶縁膜５７を形成した。次に、電子線レ
ジストを塗布し、本発明の変形マスクを用いた方法でホ
ールパターン５８を形成した。ホールパターン５８の中
はＷプラグで埋め込み、Ａｌ第２配線５９を連結した
（図６Ｄ）。以降のパッシベーション工程は従来法を用
いた。なお、本実施例では主な製造工程のみを説明した
が、コンタクトホール形成のリソグラフィ工程で本発明
を用いたこと以外は従来法と同じ工程を用いた。以上の
工程によりＣＭＯＳＬＳＩを高歩留まりで製造すること
が出来た。本発明を用い半導体装置を製作した結果、装
置解像度不足によるホール矩形パターンの丸まりの発生
を防止でき、製品の良品歩留まりが大幅に向上した。

【００１０】図１５に矩形の他の変形例を示す。いずれ
も矩形の角を変形することにより高精度の描画が可能と
なる。

【００１１】実施例２図１０に本実施例での装置構成を示す。構成は実施例１
と同様であるが縮小レンズ８の励磁を変えることによっ
て縮小率を１／５０とした。図１１に本実施例でのマス
ク開口を示す。（ａ）が従来例（ｂ）が変形マスクであ
る。一括図形は変形した配線用のラインパターンであ
る。パターンはウエハ上で０．２μｍのラインアンドス
ペースである。従ってマスク上では１０μｍ幅の開口が
必要となる。配線用のパターンは開口面積が大きいため
に比較的大きな電流を用いることになる。本実施例では
マスク上で０．００４アンペア／平方センチメ−タの電
流密度である。そのために、従来通りにウエハ上と同じ
形の開口を用いてはクーロン効果が大きくパターンの解
像が出来ない。そこで本実施例では１０μｍ幅の開口を
１μｍ×１０μｍの開口に分解した。開口間は同じく１
μｍであり、ウエハ上で０．０２μｍとなる。すなわ
ち、短冊状に開口を分割する。解像度は電子光学的な収
差、クーロン効果、電気的雑音、近接効果、レジストプ
ロセス等種々の要因により求まるが、本実施例では解像
度が０．１μｍ程度であるためにこの幅は解像せずウエ
ハ上には０．２μｍのラインアンドスペースが形成され
る。しかも開口面積が半分になるためにクーロン効果が
低減されパターンの解像が可能となる。マスクの厚さは
５μｍである。０．５μｍ厚レジストを用いたところ
０．２μｍラインアンドスペースを形成することが出来
た。図１６は本発明によるマスクの優位性を示した図で
ある。横軸は集積回路の周辺回路とメモリセル回路のシ
ョット数の比であり、縦軸は描画に要する時間である。
周辺回路のみでは一括図形を用いないのでクーロンの影
響は無視できる。図ではメモリセル部ではクーロン効果
により電流量を１／２とする必要があるとした。従来の
マスクではクーロン効果を低減するために一括図形の面
積を小さくするか電流密度を低下させるかのいずれかが
必要であった。あるいは、双方を少しずつ小さくして最
適化する。しかし、図より明らかなように全ての箇所で
本発明によるマスクが最も短時間で描画できることが分
かる。

【００１２】本発明を実施例１と同様に集積回路のアル
ミ配線工程に適用したところ断線、短絡の無い配線を形
成することが出来き、この結果集積回路の分留まりが大
幅に向上した。図１７にプロセスフローを図１８に描画
パターンを示した。ホール形成工程を終えたウエハ上に
金属を化学気相法により全面に１μｍ厚で堆積する。次
に電子線レジストを塗布する。その後図１８のマスクパ
ターン７２を有するマスクを用いて描画する。描画パタ
ーンの１部を示してある。描画の後現像しレジストパタ
ーンを形成、さらにそれをマスクとして金属層をドライ
エッチングし、金属配線パターンを形成する。レジスト
は最後に除去する。

【００１３】また、クーロン効果は同じ荷電粒子である
イオンにおいても生じるため本発明はイオンビームを用
いたパターン形成法にも有効である。

【００１４】実施例３図１２に装置構成を示す。本実施例では縮小率は１／２
５である。また、制限絞り９を２つの縮小レンズの間に
設置した。本実施例での第２マスクの形状を図１３に示
す。（ａ）が従来例（ｂ）が変形マスクである。ウエハ
上０．２μｍ×２μｍと０．８μｍ×２μｍの描画を目
的としており、通常のマスク上では５μｍ×５０μｍと
２０μｍ×５０μｍである。電子線を用いて描画する際
には電子がレジストや基板により散乱されるその散乱電
子がまたレジストを感光させる。従って、パターン密度
の高いところが周りの散乱電子により多く感光すること
になる。これは最適露光量がパターンで異なることにな
り好ましくない。本実施例では開口密度の高いパターン
を小さな開口に分割することにより開口密度の高いパタ
ーンの電子の照射量を実質的に低下させた。これにより
同一時間で電子線照射を行っても異なったパターンを解
像することが出来る。微細開口の幅は１．２５μｍ開口
間は０．７５μｍであり開口間はレジスト上では解像せ
ず、実質的に電流密度を５／８へ低下させている。０．
５μｍ厚レジストを用いたところ０．２μｍラインと
０．８μｍラインを同時に形成することが出来た。本発
明を実施例１と同様に集積回路のゲート製作工程に適用
したところトランジスタのゲートとなる部分の微細配線
とゲートに電圧を供給する比較的幅の広い配線を同時に
解像することが出来た。特にゲート長の寸法精度が向上
し、この結果集積回路の分留まりが大幅に向上した。

【００１５】

【発明の効果】以上説明したように種々のマスク開口の
変形により高精度な電子線描画が可能となる。

【００１６】

【図面の簡単な説明】

【図１】発明の作用を説明するための装置図。

【図２】本発明で用いるマスクの構造図。

【図３】従来のマスク構造図。

【図４】クーロン効果低減用マスク図。

【図５】近接効果補正用マスク図。

【図６】実施例１における装置図。

【図７】マスク上の図形配置図。

【図８】変形ホール図。

【図９】実施例１におけるプロセスフロー図。

【図１０】実施例２における装置図。

【図１１】実施例２におけるクーロン効果補正マスク
図。

【図１２】実施例３における装置図。

【図１３】実施例３における近接効果補正マスク図。

【図１４】マスクの作製フロー図。

【図１５】変形ホールの図。

【図１６】描画時間の比較図。

【図１７】配線工程プロセスフロー図。

【図１８】配線パターン図。

【符号の説明】

１−−電子銃、２−−第１マスク、３−−転写レンズ、
４−−転写偏向器、５−−第２マスク、６−−マスク交
換室、７−−マスクステージ、８−−縮小レンズ、９−
−制限絞り、１０−−焦点補正器、１１−−主偏向器、
１２−−副偏向器、１３−−副副偏向器、１４−−対物
レンズ、１５−−電子検出器、１６−−ステージ、１７
−−ウエハ、１８−−図形選択偏向器、２１−−０．５
μｍ角、２２−−５μｍ角、３１ーシリコンマスク、３
２−−開口群、３３−−一括図形、３４−−１２５μｍ
角、３５−−第１マスク像、４１−−５μｍ角、４２−
−０．５μｍ角、４３−−５μｍ角、４５−−Ｎマイナ
スシリコン基板、４６−−Ｐウエル層、４７−−Ｐ層、
４８−−フィールド酸化膜、４９−−多結晶シリコン／
シリコン酸化膜ゲート、５０−−Ｐ高濃度拡散層、５１
−−Ｎ高濃度拡散層、５２−−絶縁膜、５３−−電子線
レジスト、５４−−ホールパターン、５５−−コンタク
トホール、５６−−Ｗ／Ｔｉ電極配線、５７−−層間絶
縁膜、５８−−ホールパターン、５９−−アルミ第２配
線、７０−−一括図形領域、７１−−ウエハ上配線パタ
ーン、７２−−マスクパターン。

フロントページの続き (72)発明者佐藤秀寿東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ウエハ上に描画したい図形に対応するマス
ク上の開口の角を補正した開口を有することを特徴とす
る荷電粒子線用マスク。
【請求項２】請求項１においてウエハ上に描画したい図
形に対応するマスク上の開口の外に開口を有することを
特徴とする荷電粒子線用マスク。
【請求項３】請求項１においてウエハ上に描画したい図
形に対応するマスク上の開口の角を外に広げた開口を有
することを特徴とする。
【請求項４】請求項１においてウエハ上に描画したい図
形に対応するマスク上の開口の最小寸法以下の厚さであ
ることを特徴とする荷電粒子線用マスク。
【請求項５】試料を準備する工程と、ウエハ上に描画し
たい図形に対応するマスク上の開口の角を補正した開口
を有するマスクを準備する工程と、荷電粒子線を上記マ
スクに照射する工程と、透過した該荷電粒子で所定のパ
ターンを試料上に結像し、試料上の感光材を露光する工
程を含むことを特徴とする荷電粒子線を用いた描画方
法。
【請求項６】試料を準備する工程と、ウエハ上に描画し
たい図形に対応するマスク上の開口の角を補正した開口
を有するマスクを準備する工程と、荷電粒子線を上記マ
スクに照射する工程と、マスクの開口部を透過し、か
つ、マスクの非開口部を透過した荷電粒子を遮断するた
めの制限絞りを透過した該荷電粒子を試料上に結像する
工程と、試料上の感光材を露光する工程を含むことを特
徴とする荷電粒子線を用いた描画方法。
【請求項７】被加工物上に感光材を堆積した試料を準備
する工程と、ウエハ上に描画したい図形に対応するマス
ク上の開口の角を補正した開口を有するマスクを準備す
る工程と、荷電粒子線を上記マスクに照射する工程と、
マスクの開口部を透過し、かつ、マスクの非開口部を透
過した荷電粒子を遮断するための制限絞りを透過した該
荷電粒子を試料上に結像する工程と、試料上の感光材を
反応させ、感光材を現像することにより感光材パターン
を形成する工程と、上記被加工物をエッチングする工程
からなることを特徴とする荷電粒子線を用いたパターン
形成方法。
【請求項８】被加工物上に感光材を堆積した試料を準備
する工程と、ウエハ上に描画したい図形に対応するマス
ク上の開口の角を補正した開口を有するマスクを準備す
る工程と、荷電粒子線を上記マスクに照射する工程と、
マスクの開口部を透過し、かつ、マスクの非開口部を透
過した荷電粒子を遮断するための制限絞りを透過した該
荷電粒子を試料上に結像する工程と、試料上の感光材を
反応させ、感光材を現像することにより感光材パターン
を形成する工程と、上記被加工物をエッチングする工程
を含むことを特徴とする荷電粒子線を用いたパターン形
成方法。
【請求項９】被加工物上に感光材を堆積した試料を準備
する工程と、ウエハ上に描画したい図形に対応するマス
ク上の開口をそれより小さな開口部に分割したマスクを
準備する工程と、荷電粒子線を上記マスクに照射する工
程と、マスクの開口部を透過し、かつ、マスクの非開口
部を透過した荷電粒子を遮断するための制限絞りを透過
した該荷電粒子を試料上に結像する工程と、試料上の感
光材を反応させ、感光材を現像することにより感光材パ
ターンを形成する工程と、上記被加工物をエッチングす
る工程を含むことを特徴とする荷電粒子線を用いたパタ
ーン形成方法。
【請求項１０】請求項９においてマスクを透過しステー
ジ上に到達する電流を計測し、それに従って露光時間を
設定することを特徴とする荷電粒子線を用いたパターン
形成方法。
【請求項１１】試料を準備する工程と、ウエハ上に描画
されるパターン形状に対応するマスク上の開口形状の開
口密度の高いところを小さく、低いところを大きくして
形成された開口を有するマスクを準備する工程と、荷電
粒子線を上記マスクに照射する工程と、マスクの開口部
を透過し、かつ、マスクの非開口部を透過した荷電粒子
を遮断するための制限絞りを透過した該荷電粒子を試料
上に結像する工程と、試料上の感光材を露光する工程を
含むことを特徴とする荷電粒子線を用いた描画方法。
【請求項１２】被加工物上に感光材を堆積した試料を準
備する工程と、ウエハ上に描画されるパターン形状に対
応するマスク上の開口形状の開口密度の高いところを小
さく、低いところを大きくして形成された開口を有する
マスクを準備する工程と、荷電粒子線を上記マスクに照
射する工程と、マスクの開口部を透過し、かつ、マスク
の非開口部を透過した荷電粒子を遮断するための制限絞
りを透過した該荷電粒子を試料上に結像する工程と、試
料上の感光材を反応させ、感光材を現像することにより
感光材パターンを形成する工程と、上記被加工物をエッ
チングする工程を含むことを特徴とする荷電粒子線を用
いたパターン形成方法。
【請求項１３】試料を準備する工程と、マスク上の開口
形状がウエハ上に描画されるパターン形状に対応するマ
スク上の開口形状の開口密度の多いところを多いところ
をそれより小さな開口部に分割したマスクを準備する工
程と、荷電粒子線を上記マスクに照射する工程と、マス
クの開口部を透過し、かつ、マスクの非開口部を透過し
た荷電粒子を遮断するための制限絞りを透過した該荷電
粒子を試料上に結像する工程と、試料上の感光材を露光
する工程を含むことを特徴とする荷電粒子線を用いた描
画方法。
【請求項１４】被加工物上に感光材を堆積した試料を準
備する工程と、マスク上の開口形状がウエハ上に描画さ
れるパターン形状に対応するマスク上の開口形状の開口
密度の多いところを多いところをそれより小さな開口部
に分割したマスクを準備する工程と、荷電粒子線を上記
マスクに照射する工程と、マスクの開口部を透過し、か
つ、マスクの非開口部を透過した荷電粒子を遮断するた
めの制限絞りを透過した該荷電粒子を試料上に結像する
工程と、試料上の感光材を反応させ、感光材を現像する
ことにより感光材パターンを形成する工程と、上記被加
工物をエッチングする工程を含むことを特徴とする荷電
粒子線を用いたパターン形成方法。
【請求項１５】請求項１４において小さな開口部に分割
する工程をドライエッチングにより行うことを特徴とす
る荷電粒子線を用いたパターン形成方法。