JP4224962B2 - 半導体装置の製造方法およびマスク - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、リソグラフィーに用いられるマスクおよびその製造方法と露光装置および半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ICやLSI等の半導体装置の製造工程の一つに、半導体基板上に微細な回路パターンを形成するリソグラフィー工程がある。半導体装置の性能は、装置内にどれだけ多くの回路を設けたかによってほぼ決定される。半導体装置の集積度は、基板上に形成される回路パターンサイズに大きく左右される。近年、半導体装置の微細化および高集積化が著しく進んでいる。
【0003】
半導体基板上に集積回路パターンを形成する方法としては、これまで紫外光を用いたフォトリソグラフィー法が一般的であった。しかしながら、回路パターンの微細化が進むにつれて光の解像限界が懸念され始め、電子ビームやイオンビーム等の荷電粒子ビームやX線を用いた、より高解像度のリソグラフィー技術が検討されている。
【0004】
例えば、荷電粒子ビームを用いた露光技術によれば、ビーム径をnmオーダーに絞ることが可能であり、100nm以下の微細パターンを容易に形成できる。なかでも電子線描画技術は比較的古くから実用化されている。しかしながら、このように極めて細く絞った電子ビームを走査して描画する直接描画法により、大面積あるいは大きなパターンを形成するには、膨大な時間を必要とする。したがって、単位時間当たりの処理量(スループット)が低いという問題があった。
【0005】
そのため、半導体集積回路の製造におけるリソグラフィー方法としては、依然として紫外光を光源としたフォトリソグラフィー法が用いられることが多い。電子線直接描画法は、フォトリソグラフィー用レチクル(マスク)の製造や、フォトリソグラフィーではデザインルールを満たすのが難しいような次世代デバイスの試作等、スループットの低さが比較的問題となりにくい、限定された用途に使用されていた。
【0006】
スループットが低いという問題を解決するため、それまでのようにガウシアン形状の電子ビームで直接描画するのではなく、可変成形した電子ビームを用いて所定のパターンを描画する方法が1980年代に出現した。さらに、1990年代にはブロック露光やセルプロジェクション方式と呼ばれる、部分一括パターンを縮小してウェハ上に描画するリソグラフィー技術が出現した(サイエンスフォーラムより1994年11月刊「ULSIリソグラフィ技術の革新」p.177)。
【0007】
これらの技術進歩により、電子線直接描画のスループットは飛躍的に向上している。さらに、ルーセント・テクノロジー等が開発したSCALPEL(scattering with angular limitation in projection electron-beam lithography/S.T. Stanton他 Proceedings of SPIE 3676 p.194 (1999)参照)や、IBMがニコンと共同で開発しているPREVAIL(projection exposure with variable axis immersion lenses/A High-Throughput Electron Beam Approach to 'Suboptical' Lithography, Hans C. Pfeiffer, JJAP Vol. 34 (1995) p.6658-6662参照)等の電子線縮小描画(電子線リソグラフィー)によれば、さらにスループットを上げることも可能である。
【0008】
しかしながら、これらの電子線縮小描画においては、電子ビームを収束させて鮮明な像を形成するために、電子ビームのエネルギーを高くする必要がある。ブロック露光やセルプロジェクション方式での電子ビームのエネルギーは50keVが一般的であったが、電子線縮小描画では電子ビームのエネルギーが100keVとなる。
このような高エネルギーでは電子線光学系を制御するための機構も大がかりとなる。したがって、装置のコストも増大する。
【0009】
また、高エネルギー電子線の場合、電子がレジスト内でエネルギーをほとんど放出しないままレジストを通過するため、電子数当たりのレジスト感度が小さくなる。したがって、同じ感度のレジストを用いる場合には、電子ビームのエネルギーが高いほど、必要とされる電子ビーム電流量は大きくなり、ビーム内の電子密度が高くなる。
【0010】
ビーム内の電子密度がより高くなると、ビームの焦点がぼけ、パターン解像度が低下する問題が起こる。また、電子ビームを用いる描画では、下側の基板からレジストへの後方散乱の結果、形成されるパターンが歪むという問題(近接効果)がある。電子ビーム電流量が大きくなるほど、近接効果の影響は大きくなる。
【0011】
さらに、電子ビーム電流量が高くなるほど、マスク、レジストおよび基板が加熱されやすくなり、形成されるパターンの歪みが大きくなる。したがって、パターンに要求される精度を維持するためには、電子ビーム電流量を制限する必要があり、スループットは低下する。
【0012】
スループットに影響を与えずに、近接効果を抑制するため、低エネルギーの電子ビームによりパターンを形成する露光方法が開発された。低エネルギーの電子ビームを用いると、近接効果が実質的に減少することが報告されている(’Lowvoltage alternative for electron beam lithography' J. Vac. Sci. Technol. B 10(6), Nov/Dec (1992) p.3094-3098) 。
【0013】
低エネルギーの電子ビームを用いたリソグラフィー技術として、特許第2951947号に開示された技術を利用したLEEPL(low energy E-beam proximity projection lithography)の開発が進められている。LEEPLで用いられる電子ビームのエネルギーは約1〜4keV、好適には約2keVである。LEEPLにおいて、マスクはレジストで被覆されたウェハから約50μm離れた位置に配置される。
【0014】
LEEPLは等倍近接露光であり、ウェハに例えば線幅100nm以下の微細パターンを形成するためには、マスクにも100nm以下のパターンを形成する必要がある。高エネルギーの電子ビームを用いるリソグラフィーの場合には、薄膜(メンブレン)上の一部に電子ビームを散乱する重金属部分を設け、メンブレンを透過する電子ビームによりパターンを転写することも可能である。
【0015】
しかしながら、LEEPLの場合は電子ビームのエネルギーが低く、電子がメンブレンを透過しないため、メンブレンに孔を設けたステンシルマスクが用いられる。電子ビームは孔部分のみ透過して、パターンが転写される。LEEPL用ステンシルマスクに例えば100nm以下の微細パターンを高精度に形成するには、孔のアスペクトは低いことが好ましい。したがって、メンブレンを薄くすることが要求される。
【0016】
例えば、セルプロジェクション方式で50keVの電子ビームを用いる電子線描画装置(HL900D)の場合、マスクのメンブレン厚は一般に10μmである。それに対し、LEEPLにはマスクのメンブレン厚は1/10以下の500nm程度である。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
上記のLEEPL用マスクのような薄いマスクは、孔の形成によりメンブレン内の応力が変化し、マスクが変形し易い。マスクが変形すると、ウェハ上に転写される回路パターンに変形や位置ずれが生じる。特に、マスク中の開口パターンのコーナーが角の場合は、角に応力が集中して開口パターンが変形する。
【0018】
これにより、ウェハ上に形成される回路パターンが本来の所望のパターンから変形し、最終的に得られる半導体装置の性能や信頼性が悪化する。場合によっては、マスク中の開口パターンの角部分から亀裂が生じ、マスクが使用不可能となることもある。また、マスクの開口パターンが長いライン状の場合は、メンブレン内の応力の不均一が影響してパターンが変形し、例えばラインの中央付近でライン幅が変化することがある。
【0019】
本発明は上記の問題点に鑑みてなされたものであり、したがって本発明は、開口パターンの変形や亀裂の要因となる角をマスクの開口部に形成せずに、角を有する回路パターンをウェハ上に転写できるマスクおよびその製造方法を提供することを目的とする。
また、本発明は角をもつ微細パターンを高精度に転写できる露光装置を提供することを目的とする。さらに、本発明は、角をもつ微細パターンを高精度に形成できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0020】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明のマスクは、荷電粒子線を遮断する第1のマスクと、前記第1のマスクに形成された荷電粒子線が透過する第1の開口部であって、角のない前記第1の開口部と、前記第1のマスクと重ねて用いられ、荷電粒子線を遮断する第2のマスクと、前記第2のマスクに前記第1の開口部と重なり部分をもつように形成された、荷電粒子線が透過する第2の開口部であって、角のない前記第2の開口部とを有することを特徴とする。
【0021】
好適には、前記重なり部分は直線に挟まれた角を有する。好適には、前記重なり部分は矩形である。本発明のマスクの第1および第2のマスクには、前記第1または第2の開口部以外に、角のある第3の開口部が形成されていてもよい。好適には、前記荷電粒子線は電子ビームを含む。
【0022】
これにより、マスクに角のある開口部を設けずに、角を有するパターンをリソグラフィーで形成できる。したがって、マスクの開口部の角における局所的な応力集中が抑制され、開口部の変形や、開口部の角における亀裂の発生等が防止される。
【0023】
上記の目的を達成するため、本発明のマスクの製造方法は、マスクパターンに対応する開口部の角における局所的な応力集中を予測し、前記応力集中がマスクの耐性を超える開口部を抽出する工程と、抽出された前記開口部の一方向における両端に、曲線部分を含み、かつ前記開口部の形状に角がなくなるような追加パターンを加え、第1の開口部パターンを作成する工程と、抽出された前記開口部の他の方向における両端に、曲線部分を含み、かつ前記開口部の形状に角がなくなるような追加パターンを加え、第2の開口部パターンを作成する工程と、前記第1の開口部パターンを有する開口部と、抽出されなかった開口部とを有する第1のマスクを形成する工程と、前記第2の開口部パターンを有する開口部と、抽出されなかった開口部とを有し、前記第1のマスクと重ねて用いられる第2のマスクを形成する工程とを有することを特徴とする。
【0024】
好適には、抽出された前記開口部が凹角をもつ形状のとき、前記第1の開口部パターンおよび前記第2の開口部パターンを作成する前に、前記開口部を凹角をもたない複数の開口部に分割する工程をさらに有する。好適には、前記第1の開口部パターンおよび前記第2の開口部パターンを作成する前に、凹角をもたない開口部を複数の開口部に分割する工程をさらに有する。
これにより、マスクに変形しにくい開口部を形成することが可能となる。また、開口部の角をなくすことができ、角における応力集中に起因したマスクの破損を防止できる。
【0025】
上記の目的を達成するため、本発明の露光装置は荷電粒子線発生手段と、荷電粒子線偏向手段と、荷電粒子線を遮断する第1のマスクと、前記第1のマスクに形成された荷電粒子線が透過する第1の開口部であって、角のない前記第1の開口部と、前記第1のマスクと重ねて用いられ、荷電粒子線を遮断する第2のマスクと、前記第2のマスクに前記第1の開口部と重なり部分をもつように形成された、荷電粒子線が透過する第2の開口部であって、角のない前記第2の開口部とを有することを特徴とする。
これにより、角のない開口部を有する2枚のマスクを用いて、角のあるパターンを露光することが可能となる。
【0026】
上記の目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、開口部以外で荷電粒子線を遮断する第1のマスクと、開口部以外で荷電粒子線を遮断する第2のマスクとを介して、基板上に荷電粒子線を照射する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記第1のマスクに形成された開口部は、角のない第1の開口部を含み、前記第2のマスクに形成された開口部は、角がなく、かつ前記第1の開口部と第1の重なり部分をもつ第2の開口部を含み、前記第1の重なり部分を透過した荷電粒子線が前記基板に照射されることを特徴とする。
【0027】
本発明の半導体装置の製造方法は、好適には、開口部以外で荷電粒子線を遮断する第3のマスクと、開口部以外で荷電粒子線を遮断する第4のマスクとを介して、基板上に荷電粒子線を照射する工程をさらに有し、前記第3のマスクに形成された開口部は、角のない第3の開口部を含み、前記第4のマスクに形成された開口部は、角がなく、かつ前記第3の開口部と第2の重なり部分をもつ第4の開口部を含み、前記第1の重なり部分と異なる前記第2の重なり部分を透過した荷電粒子線が前記基板に照射される。
【0028】
これにより、従来の半導体装置の製造方法に対して、必ずしも露光回数を増加させずに、微細パターンを高精度に形成することが可能となる。これは、マスクの開口部のパターン歪みや位置ずれが防止されることによる。
リソグラフィー用マスクのうち、開口部を有するステンシルマスクは、例えばドーナツ状のパターンを有する場合、連続した1枚のマスクですべてのパターンを形成することができない。異なるパターンが形成された少なくとも2枚のマスク(相補マスク)を、同時に用いずに順次用いて多重露光が行われる。
【0029】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、第1および第2のマスクの2枚を同時に用いて第1の重なり部分に露光を行う。開口部を複数に分割した場合、さらに第3および第4のマスクの2枚を同時に用いて第2の重なり部分に露光を行う。したがって、従来、相補マスクを用いて多重露光を行う場合に比較して、露光回数を増加させなくてもよい。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明のマスクおよびその製造方法と露光装置および半導体装置の製造方法の実施の形態について、図面を参照して説明する。
以下、本発明をリソグラフィー技術の一つであるLEEPLに適用した例を説明する。
【0031】
図1はLEEPLに用いる露光システムの概略図である。この露光システム1において、電子ビーム2は電子銃3から出射される。露光システム1は電子銃3の他、コンデンサレンズ4、アパーチャー5、一対のメインデフレクター6、7、一対の微調整用デフレクター8、9を有する。
【0032】
コンデンサレンズ4は電子ビーム2を平行なビームにする。アパーチャー5はステンシルマスク10に向かう電子ビーム2を制限する。メインデフレクター6、7は電子ビーム2が平行なままステンシルマスク10に垂直に入射するように、電子ビーム2を偏向させる。
【0033】
電子ビーム2はラスターまたはベクトル走査モードのいずれかでステンシルマスク10に入射するが、いずれの場合も電子ビーム2の偏向にメインデフレクター6、7が用いられる。微調整用デフレクター8、9はメインデフレクター6、7によって偏向された電子ビーム2をさらに微調整する。
【0034】
LEEPLに用いられるステンシルマスク10の厚さd1 は約500nmであるが、マスク材料に応じて変更することもできる。ステンシルマスク10の材料としては、例えばダイヤモンドや単結晶シリコンが用いられる。ステンシルマスク10とウェハ11との距離d2 は約50μmである。ステンシルマスク10に形成されたパターンは、等倍でウェハ11上に転写される。
【0035】
図2は、図1のステンシルマスク10を拡大した断面図である。ステンシルマスク10は、電子銃側に配置される第1マスク21と、ウェハ側に配置される第2マスク22とを有する。図2は、第1マスク21と第2マスク22が接するように配置した例を示す。電子ビームの平行性、エミッタンスおよび位置精度がよい場合には、第1マスク21と第2マスク22の間隔を100μm以上、最大約300μmとすることも可能である。
第1マスク21と第2マスク22は、ほぼ同じ位置に異なるパターンで、それぞれ開口部23、24を有する。
【0036】
図3(a)は本実施形態のステンシルマスクの概略図である。図3(a)に示すように、ウェハ11上に第1のマスク21と第2のマスク22が重ねて配置される。第1のマスク21の開口部23と第2のマスク22の開口部24は一部が重なっている。
図3(b)は、図3(a)の第1のマスク21、第2のマスク22およびウェハ11の間隔を拡大して表したものである。開口部23と開口部24の重なり部分が、ウェハ11上の所望の矩形状パターン25に対応する。
【0037】
図4(a)および(b)は図3のステンシルマスクに形成される開口部のパターンを示す図である。図4(c)は図4(a)および(b)のパターンを組み合わせることによりウェハ上に転写されるパターンを示す。図3および図4は、矩形状のパターンをウェハ上に転写する場合の例を示す。
【0038】
図3および図4(a)に示すように、第1マスク21には開口部23が形成される。開口部23は斜線で示す所望の矩形状パターン25に対し、長手方向の両端に追加パターン26が形成されている。追加パターン26はラウンド状であり、開口部23は角をもたない。
【0039】
一方、図3および図4(b)に示すように、第2マスク22には開口部24が形成され、斜線で示す所望の矩形状パターン25に対し、長手方向に直交する方向の両端に追加パターン27が形成されている。追加パターン27も追加パターン26と同様にラウンド状であり、開口部24は角をもたない。
【0040】
追加パターン26を含む開口部23と、追加パターン27を含む開口部24との重なり部分は、所望の矩形状パターン25と一致し、角が形成される。図3のウェハ11上には予めレジストが塗布され、第1マスク21と第2マスク22の両方を透過した電子ビームにより、所望の矩形状パターン25(図4(c)参照)が転写される。
【0041】
次に、矩形以外のパターンを形成する場合のマスクパターンについて説明する。ステンシルマスクの場合、例えば図5に示すようなトポロジー的にドーナツ状のパターン31を形成することはできない。1枚のステンシルマスクは、開口部以外の部分ですべて連続している必要がある。
【0042】
そこで、図5のようなパターンを形成する場合には、例えば図6(a)に示すように、パターン31を少なくとも2個の分割パターン32a、32bに分割する。あるいは、図6(b)に示すように、パターン31を少なくとも2個の分割パターン33a、33bに分割する。
【0043】
分割パターン32a、32b(あるいは33a、33b)をそれぞれ異なるステンシルマスクに形成し、これらのマスクを相補マスクとして用いる。すなわち、一方のステンシルマスクを用いて露光を行った後、他方のステンシルマスクを用いて多重露光を行う。
【0044】
例えば、図6(a)に示すようにパターン31(図5参照)を分割した場合、図7に示すようなL字型のパターン34をマスク35に形成することになる。しかしながら、凹状の角部分(図7の点線で囲まれた部分)は、図3および図4に示すような角をもたない開口部の重ね合わせにより形成することができない。したがって、図7に示すようなL字型のパターン34を形成する場合には、凹状の角部分がなくなるまでパターン34をさらに分割する。
【0045】
図8は、L字型のパターン34を分割する方法の一例を示す。図8に示すように、パターン34を例えば分割パターン36、37に分割することにより、凹状の角をなくすことができる。分割パターン36、37はいずれも矩形状パターンであり、図3および図4に示すように、角をもたない2つの開口部の重ね合わせにより形成することが可能である。
【0046】
図9(a)および(b)の実線は露光により転写されるパターンを示す。図9(a)の実線は図8の分割パターン36に対応する。図9(b)の実線は図8の分割パターン37に対応する。
図10および図11において、点線は所望のL字型パターン34(図8参照)を示す。図10(c)の実線は図9(a)の分割パターン36を形成するための一方のマスク(例えば図2の第1のマスク21)に形成される開口部のパターンを示す。図10(d)の実線は図9(b)の分割パターン37を形成するための一方のマスクに形成される開口部のパターンを示す。
【0047】
図11(e)の実線は図10(c)のパターンが形成されるマスクと重ね合わせて用いられるマスク(例えば図2の第2のマスク22)に形成される開口部のパターンを示す。図11(f)の実線は図10(d)のパターンが形成されるマスクと重ね合わせて用いられるマスクに形成される開口部のパターンを示す。
【0048】
図10(c)と図11(e)のパターンを重ね合わせて第1の露光を行い、図9(a)に示すパターンを転写してから、図10(d)と図11(f)のパターンを重ね合わせて第2の露光を行い、図9(b)に示すパターンを転写する。このような2回露光により、L字型パターン34が転写される。
【0049】
第1の露光と第2の露光の順は入れ替えることもできる。また、図10(c)と図11(e)のパターンが形成されたマスクは、どちらを第1のマスク(電子銃側のマスク)としてもよい。同様に、図10(d)と図11(f)のパターンが形成されたマスクは、どちらを第1のマスクとしてもよい。
【0050】
図12は、図7に示すL字型のパターン34を分割する方法の他の一例を示す。パターン34は1本の分離線38により、2つの矩形状パターンに分割することが可能である。しかしながら、分割されたパターンが一方向に長いライン状となる場合、パターンの長手方向と、それに直交する方向(幅方向)とでマスクの応力が異なる。応力解析から、ライン状パターンでは長手方向の中央付近で開口部が幅方向に拡がり易いことが知られている。また、ライン状パターンの角部では長手方向に亀裂が入り易い。
【0051】
したがって、分割されたパターンに凹状の角がなくても、一方向に長いライン状パターンとなる場合等には、パターンをさらに分割して、パターンの縦横比を1に近づけることが望ましい。これにより、分割されたパターンの周囲でマスクの応力をより均等とし、パターンの歪みやパターン角部でのマスクの破損を防止することができる。
【0052】
図13は、本実施形態のマスクの製造方法における開口部の設計工程を示したフローチャートである。
ステップ1(ST1):開口部の設計を開始する。例えば図5に示すように、1枚のマスクに連続していないパターン(トポロジー的にドーナツ状のパターン)がある場合や、図7に示すように、凹状の角を含むパターンの場合には、ステップ1の前に予め、矩形状のパターンに分割しておく。
【0053】
ステップ2(ST2):半導体装置の回路パターンにおいて、コーナーの角の応力集中が問題となるパターンを抽出する。パターンの抽出は、有限要素法等を用いた構造解析や、予備実験によって得られた知見等に基づいて行う。コーナーに角が形成されていても、角における応力集中が問題とならないパターンであれば、ステップ3以降の工程は不要であり、パターンを変更せずにマスクに開口部を形成することができる。
【0054】
ステップ3(ST3):ステップ2において抽出されたパターンについて、応力集中が問題となる角に規定の幅の追加パターンを設けることが可能か判断する。このとき、応力集中が問題となる角を含む特定の方向と、この方向と異なる方向の両方に規定の幅の追加パターンを形成できるか判断する。
【0055】
ここで、規定の幅はマスクの開口部を形成するための描画装置(例えば、可変成形型調節電子ビーム描画装置)の解像限界や、隣接パターンとの間隔等を考慮して決定される。また、規定の幅を決定する上では、以降の工程で追加パターンを形成することにより、角における応力集中が許容される範囲まで緩和されるかどうかも考慮する。
【0056】
例えば、図14(a)に示すように、互いに離れた矩形状パターン41、42が近接して配置されている場合、図14(b)に示すように、それぞれのパターンに規定の幅41a、42a(点線部分)を追加すると、重なり部分43(斜線部分)が生じる。このような場合、ステップ3でNoと判定される。
【0057】
ステップ4(ST4):ステップ3において、開口部に接する部分に規定の幅の追加パターンを設ける余地がないと判断された場合は、規定の幅を加えることができるように、パターンをさらに分割する。図14に示すように、パターンに規定の幅を追加できない場合には、図12に示す場合と同様に、矩形状パターンをさらに分割し、2つのパターン群に分ける。これにより、パターンの間隔が拡がり、パターンに規定の幅を追加することが可能となる。
【0058】
ステップ5(ST5):ステップ3でYesと判定されたパターン、またはステップ4で分割されたパターンの特定の一方向における両側に、規定の幅を加えた第1のパターンを作成する。また、上記の方向と異なる方向における両側に、規定の幅を加えた第2のパターンを作成する。
【0059】
ステップ6(ST6):ステップ5で追加された部分のコーナーを丸くする。ステップ7(ST7):第1のパターンを第1のマスクの開口部のパターンとし、第2のパターンを第2のマスクの開口部のパターンとする。
ステップ8(ST8):開口部の設計を終了する。
【0060】
以上の工程により、本実施形態のマスクの開口部が設計される。その後、第1のパターンで第1のマスクに開口部を形成し、第2のパターンで第2の開口部を形成する。開口部を有するマスクは、従来のマスクの製造方法に従って製造することができる。第1および第2のマスクを組み合わせて本実施形態のステンシルマスクを形成する。
【0061】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、上記のステンシルマスクを用いてリソグラフィーを行い、ウェハ上のレジストにパターンを転写する工程を含む。これにより、パターンの歪みや位置ずれが防止され、微細パターンを高精度に転写できる。パターンが転写されたレジストをエッチングやイオン注入等の半導体装置製造プロセスに用いることにより、半導体装置に微細パターンを形成することが可能となる。
【0062】
上記の本発明の実施形態のマスクおよびその製造方法によれば、マスクの開口部の角における局所的な応力集中が抑制され、マスクの破損や開口部のパターンの歪みが防止される。
本発明のマスクおよびその製造方法と露光装置および半導体装置の製造方法の実施形態は、上記の説明に限定されない。例えば、本発明のマスクはLEEPL用マスクに限定されず、LEEPL以外の荷電粒子線リソグラフィー用マスクであってもよい。また、開口部を有する重金属膜等が薄膜上に形成される、例えばX線リソグラフィー用マスク等に本発明を適用することも可能である。
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の変更が可能である。
【0063】
【発明の効果】
本発明のマスクによれば、開口パターンの変形や亀裂の要因となる角をマスクの開口部に形成せずに、角を有する回路パターンを転写できる。本発明のマスクの製造方法によれば、角を有する回路パターンを形成するための開口部に角を形成する必要がなく、開口パターンの変形やマスクの破損が防止される。
本発明の露光装置によれば、開口パターンに角をもたないマスクを用いて、角を有する回路パターンを露光することが可能となる。本発明の半導体装置の製造方法によれば、角をもつ微細パターンを高精度に形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明のマスクを含む本発明の露光装置の概略図である。
【図2】図2は本発明のマスクの断面図である。
【図3】図3は本発明のマスクの概略図である。
【図4】図4(a)および(b)は本発明のマスクに形成されるパターンを示し、図4(c)は本発明のマスクにより転写されるパターンを示す。
【図5】図5は回路パターンの一例を模式的に示す図である。
【図6】図6(a)および(b)は図5のパターンを分割する例を示す。
【図7】図7は回路パターンの一例を模式的に示す図である。
【図8】図8は本発明のマスクに形成されるパターンの一例を示す図である。
【図9】図9(a)および(b)は本発明のマスクにより転写されるパターンの例を示す。
【図10】図10(c)は図9(a)のパターンを転写するためのマスクに形成されるパターンを示し、図10(d)は図9(b)のパターンを転写するためのマスクに形成されるパターンを示す。
【図11】図11(e)は図9(a)のパターンを転写するためのマスクに形成されるパターンを示し、図11(f)は図9(b)のパターンを転写するためのマスクに形成されるパターンを示す。
【図12】図12は本発明のマスクに形成されるパターンの一例を示す図である。
【図13】図13は本発明のマスクの開口部の設計工程を示すフローチャートである。
【図14】図14は図13のST4でパターンを分割する必要がある場合の例を示す。
【符号の説明】
1…露光システム、2…電子ビーム、3…電子銃、4…コンデンサレンズ、5…アパーチャー、6、7…メインデフレクター、8、9…微調整用デフレクター、10…ステンシルマスク、11…ウェハ、21…第1マスク、22…第2マスク、23、24…開口部、25…所望の矩形状パターン、26、27…追加パターン、31、34…パターン、32a、32b、33a、33b…分割パターン、35…マスク、36、37…分割パターン、38…分離線。
Claims (7)
- 開口部以外で荷電粒子線を遮断する第1のマスクと、開口部以外で荷電粒子線を遮断する第2のマスクとを介して、基板上に荷電粒子線を照射する第1工程と、
開口部以外で荷電粒子線を遮断する第3のマスクと、開口部以外で荷電粒子線を遮断する第4のマスクとを介して、基板上に荷電粒子線を照射する第2工程と
を含む半導体装置の製造方法であって、
前記第1のマスクに形成された開口部は、角のない第1の開口部を含み、
前記第2のマスクに形成された開口部は、角がない第2の開口部を含み、
前記第1の開口部と前記第2の開口部とのそれぞれは、互いの一部が重なる第1の重なり部分をもつように設けられ、
前記第1工程においては、前記第1の重なり部分を透過した荷電粒子線が前記基板に照射され、
前記第3のマスクに形成された開口部は、角のない第3の開口部を含み、
前記第4のマスクに形成された開口部は、角がない第4の開口部を含み、
前記第3の開口部と前記第4の開口部とのそれぞれは、互いの一部が重なる第2の重なり部分をもつように設けられ、
前記第2工程においては、前記第2の重なり部分を透過した荷電粒子線が前記基板に照射され、
前記第1の重なり部分と前記第2の重なり部分とのそれぞれは、前記基板に転写するパターンが複数に分割された矩形状パターンであって、当該複数の矩形状パターンにおいて互いに隣接する矩形状パターンのそれぞれに対応するように設けられる、
半導体装置の製造方法。 - 前記第1の開口部の形状は直線と曲線を含み、
前記第2の開口部の形状は直線と曲線を含み、
前記荷電粒子線は、直線に挟まれた角を有する前記第1の重なり部分を透過する、
請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記荷電粒子線は電子ビームを含む、
請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。 - 荷電粒子線を遮断する第1のマスクと、
前記第1のマスクと重ねて用いられ、荷電粒子線を遮断する第2のマスクと、
荷電粒子線を遮断する第3のマスクと、
前記第3のマスクと重ねて用いられ、荷電粒子線を遮断する第4のマスクと
を有し、前記第1のマスクには、荷電粒子線が透過する、角のない第1の開口部が形成されており、前記第2のマスクには、荷電粒子線が透過する、角のない第2の開口部が形成されており、前記第3のマスクには、荷電粒子線が透過する、角のない第3の開口部が形成されており、前記第4のマスクには、荷電粒子線が透過する、角のない第4の開口部が形成されているマスクであって、
前記第1のマスクと前記第2のマスクとのそれぞれは、前記第1の開口部と前記第2の開口部とのそれぞれの一部が、互いに重なる第1の重なり部分をもつように形成されており、
前記第3のマスクと前記第4のマスクとのそれぞれは、前記第3の開口部と前記第4の開口部とのそれぞれの一部が、互いに重なる第2の重なり部分をもつように形成されており、
前記基板に転写するパターンが複数に分割された矩形状パターンであって、当該複数の矩形状パターンにおいて互いに隣接する矩形状パターンのそれぞれに、前記第1の重なり部分と前記第2の重なり部分とのそれぞれが対応するように設けられている
マスク。 - 前記第1の開口部の形状は直線と曲線を含み、
前記第2の開口部の形状は直線と曲線を含み、
前記第1の重なり部分は直線に挟まれた角を有し、
前記第3の開口部の形状は直線と曲線を含み、
前記第4の開口部の形状は直線と曲線を含み、
前記第2の重なり部分は直線に挟まれた角を有する、
請求項4記載のマスク。 - 前記第1の重なり部分は矩形であり、
前記第1の開口部は前記矩形の対向する一対の辺の外側に曲線を含む部分を追加した形状であり、
前記第2の開口部は前記矩形の対向する他の一対の辺の外側に曲線を含む部分を追加した形状であり、
前記第2の重なり部分は矩形であり、
前記第3の開口部は前記矩形の対向する一対の辺の外側に曲線を含む部分を追加した形状であり、
前記第4の開口部は前記矩形の対向する他の一対の辺の外側に曲線を含む部分を追加した形状である、
請求項5に記載のマスク。 - 前記荷電粒子線は電子ビームを含む、
請求項4から6のいずれかに記載のマスク。
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